|
JPS60160173A
(ja)
|
1984-01-30 |
1985-08-21 |
Sharp Corp |
薄膜トランジスタ
|
|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH05136419A
(ja)
|
1991-11-13 |
1993-06-01 |
Toshiba Corp |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH06317809A
(ja)
*
|
1993-05-07 |
1994-11-15 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
|
|
US5714968A
(en)
*
|
1994-08-09 |
1998-02-03 |
Nec Corporation |
Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
|
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
|
EP0820644B1
(en)
|
1995-08-03 |
2005-08-24 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. |
Semiconductor device provided with transparent switching element
|
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP3346145B2
(ja)
|
1996-01-12 |
2002-11-18 |
セイコーエプソン株式会社 |
半導体膜の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置及びアニール装置
|
|
JPH09263974A
(ja)
|
1996-03-29 |
1997-10-07 |
Sanyo Electric Co Ltd |
Ｃｒ膜のエッチング方法
|
|
JPH1020336A
(ja)
*
|
1996-07-02 |
1998-01-23 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
US6653216B1
(en)
|
1998-06-08 |
2003-11-25 |
Casio Computer Co., Ltd. |
Transparent electrode forming apparatus and method of fabricating active matrix substrate
|
|
US6678017B1
(en)
|
1998-06-08 |
2004-01-13 |
Casio Computer Co., Ltd. |
Display panel and method of fabricating the same
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP4472061B2
(ja)
|
1998-08-21 |
2010-06-02 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
US6261881B1
(en)
|
1998-08-21 |
2001-07-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device provided with semiconductor circuit consisting of semiconductor element and method of manufacturing the same
|
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
KR100654927B1
(ko)
|
1999-03-04 |
2006-12-08 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그의 제작방법
|
|
US6281552B1
(en)
|
1999-03-23 |
2001-08-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Thin film transistors having ldd regions
|
|
JP4801238B2
(ja)
|
1999-03-23 |
2011-10-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP2000357586A
(ja)
|
1999-06-15 |
2000-12-26 |
Sharp Corp |
薄膜ｅｌ素子の製造方法および薄膜ｅｌ素子
|
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
JP3391343B2
(ja)
*
|
1999-10-26 |
2003-03-31 |
日本電気株式会社 |
アクティブマトリクス基板及びその製造方法
|
|
TW587239B
(en)
*
|
1999-11-30 |
2004-05-11 |
Semiconductor Energy Lab |
Electric device
|
|
JP2001242803A
(ja)
|
2000-02-29 |
2001-09-07 |
Sony Corp |
表示装置及びその製造方法
|
|
JP4683688B2
(ja)
*
|
2000-03-16 |
2011-05-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置の作製方法
|
|
JP2001284592A
(ja)
|
2000-03-29 |
2001-10-12 |
Sony Corp |
薄膜半導体装置及びその駆動方法
|
|
US6500701B2
(en)
|
2000-04-28 |
2002-12-31 |
Casio Computer Co., Ltd. |
Method of manufacturing thin film transistor panel having protective film of channel region
|
|
JP2001343659A
(ja)
*
|
2000-06-02 |
2001-12-14 |
Casio Comput Co Ltd |
アクティブマトリクス型液晶表示パネルおよびその製造方法
|
|
US7339317B2
(en)
*
|
2000-06-05 |
2008-03-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
|
|
JP2002050704A
(ja)
*
|
2000-08-01 |
2002-02-15 |
Sony Corp |
メモリ素子およびその製造方法並びに集積回路
|
|
WO2002016679A1
(en)
|
2000-08-18 |
2002-02-28 |
Tohoku Techno Arch Co., Ltd. |
Polycrystalline semiconductor material and method of manufacture thereof
|
|
US6864628B2
(en)
*
|
2000-08-28 |
2005-03-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
JP2002162646A
(ja)
*
|
2000-09-14 |
2002-06-07 |
Sony Corp |
反射型液晶表示装置
|
|
KR20020038482A
(ko)
*
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP2002299632A
(ja)
*
|
2001-03-30 |
2002-10-11 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体装置及びアクティブマトリクス型表示装置
|
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
WO2003040441A1
(fr)
|
2001-11-05 |
2003-05-15 |
Japan Science And Technology Agency |
Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
|
|
JP2003173153A
(ja)
|
2001-12-06 |
2003-06-20 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
信号線の配線方法および薄膜トランジスタアレイ基板
|
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
CN1445821A
(zh)
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
JP4723787B2
(ja)
*
|
2002-07-09 |
2011-07-13 |
シャープ株式会社 |
電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置
|
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
TW571342B
(en)
*
|
2002-12-18 |
2004-01-11 |
Au Optronics Corp |
Method of forming a thin film transistor
|
|
JP4425547B2
(ja)
|
2003-01-17 |
2010-03-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
CN1806322A
(zh)
*
|
2003-06-20 |
2006-07-19 |
夏普株式会社 |
半导体装置及其制造方法以及电子设备
|
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
JP2005227538A
(ja)
*
|
2004-02-13 |
2005-08-25 |
Chi Mei Electronics Corp |
大画面および高精細のディスプレイに対応したアレイ基板およびその製造方法
|
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
CN1998087B
(zh)
|
2004-03-12 |
2014-12-31 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
非晶形氧化物和薄膜晶体管
|
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
US7642038B2
(en)
|
2004-03-24 |
2010-01-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus
|
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
US7382421B2
(en)
|
2004-10-12 |
2008-06-03 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Thin film transistor with a passivation layer
|
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
US7868326B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-11 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor
|
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
KR20070085879A
(ko)
|
2004-11-10 |
2007-08-27 |
캐논 가부시끼가이샤 |
발광 장치
|
|
CA2585190A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide and field effect transistor
|
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
TWI569441B
(zh)
|
2005-01-28 |
2017-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
TWI472037B
(zh)
|
2005-01-28 |
2015-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
US7544967B2
(en)
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
JP4327128B2
(ja)
|
2005-05-30 |
2009-09-09 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
|
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
US7732330B2
(en)
*
|
2005-06-30 |
2010-06-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same
|
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
US7867791B2
(en)
|
2005-07-29 |
2011-01-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities
|
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP4870403B2
(ja)
|
2005-09-02 |
2012-02-08 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタの製法
|
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
EP1998373A3
(en)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
|
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
WO2007058329A1
(en)
*
|
2005-11-15 |
2007-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JP5171258B2
(ja)
|
2005-12-02 |
2013-03-27 |
出光興産株式会社 |
Ｔｆｔ基板及びｔｆｔ基板の製造方法
|
|
JP5099740B2
(ja)
|
2005-12-19 |
2012-12-19 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタ
|
|
JP5132884B2
(ja)
*
|
2005-12-28 |
2013-01-30 |
三菱電機株式会社 |
シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
|
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
WO2007088722A1
(ja)
|
2006-01-31 |
2007-08-09 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
Ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板並びにそれらの製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
JP2007220818A
(ja)
*
|
2006-02-15 |
2007-08-30 |
Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center |
薄膜トランジスタ及びその製法
|
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
JP5135709B2
(ja)
|
2006-04-28 |
2013-02-06 |
凸版印刷株式会社 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
KR101217182B1
(ko)
|
2006-07-28 |
2012-12-31 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는표시패널
|
|
US20080023703A1
(en)
*
|
2006-07-31 |
2008-01-31 |
Randy Hoffman |
System and method for manufacturing a thin-film device
|
|
KR20080011826A
(ko)
|
2006-07-31 |
2008-02-11 |
삼성전자주식회사 |
유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법
|
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4404881B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2010-01-27 |
日本電気株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
|
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP5127183B2
(ja)
|
2006-08-23 |
2013-01-23 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
|
|
CN100454558C
(zh)
|
2006-09-11 |
2009-01-21 |
北京京东方光电科技有限公司 |
一种tft矩阵结构及其制造方法
|
|
KR100867866B1
(ko)
|
2006-09-11 |
2008-11-07 |
베이징 보에 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 |
Ｔｆｔ-ｌｃｄ 어레이 기판 및 그 제조 방법
|
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
JP2008124215A
(ja)
|
2006-11-10 |
2008-05-29 |
Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center |
薄膜半導体装置及びその製造方法
|
|
JP2008124266A
(ja)
*
|
2006-11-13 |
2008-05-29 |
Hitachi Displays Ltd |
表示装置および表示装置の製造方法
|
|
JP2008129314A
(ja)
|
2006-11-21 |
2008-06-05 |
Hitachi Displays Ltd |
画像表示装置およびその製造方法
|
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
US7687887B1
(en)
*
|
2006-12-01 |
2010-03-30 |
National Semiconductor Corporation |
Method of forming a self-aligned bipolar transistor structure using a selectively grown emitter
|
|
JP2008140984A
(ja)
*
|
2006-12-01 |
2008-06-19 |
Sharp Corp |
半導体素子、半導体素子の製造方法、及び表示装置
|
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
JP5196870B2
(ja)
|
2007-05-23 |
2013-05-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
|
|
US8436349B2
(en)
|
2007-02-20 |
2013-05-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Thin-film transistor fabrication process and display device
|
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
JP4727684B2
(ja)
|
2007-03-27 |
2011-07-20 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
|
|
US8552948B2
(en)
|
2007-04-05 |
2013-10-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device comprising threshold control circuit
|
|
JP2008276212A
(ja)
|
2007-04-05 |
2008-11-13 |
Fujifilm Corp |
有機電界発光表示装置
|
|
WO2008126879A1
(en)
*
|
2007-04-09 |
2008-10-23 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting apparatus and production method thereof
|
|
JP5197058B2
(ja)
|
2007-04-09 |
2013-05-15 |
キヤノン株式会社 |
発光装置とその作製方法
|
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
CN101663762B
(zh)
|
2007-04-25 |
2011-09-21 |
佳能株式会社 |
氧氮化物半导体
|
|
WO2008136505A1
(ja)
|
2007-05-08 |
2008-11-13 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
|
|
JP5215589B2
(ja)
|
2007-05-11 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置
|
|
KR101334182B1
(ko)
*
|
2007-05-28 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
KR101092483B1
(ko)
|
2007-05-31 |
2011-12-13 |
캐논 가부시끼가이샤 |
산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터의 제조 방법
|
|
US20090001360A1
(en)
*
|
2007-06-29 |
2009-01-01 |
Masaya Nakayama |
Organic el display and method for producing the same
|
|
US7968885B2
(en)
*
|
2007-08-07 |
2011-06-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and manufacturing method thereof
|
|
US9054206B2
(en)
*
|
2007-08-17 |
2015-06-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
KR101484297B1
(ko)
|
2007-08-31 |
2015-01-19 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시장치 및 표시장치의 제작방법
|
|
TWI360010B
(en)
*
|
2007-09-20 |
2012-03-11 |
Chimei Innolux Corp |
Pixel array substrate and liquid crystal display
|
|
JP5143514B2
(ja)
|
2007-09-21 |
2013-02-13 |
株式会社ジャパンディスプレイウェスト |
表示装置及び表示装置の製造方法
|
|
JP5354999B2
(ja)
*
|
2007-09-26 |
2013-11-27 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
|
JP2009099887A
(ja)
|
2007-10-19 |
2009-05-07 |
Hitachi Displays Ltd |
表示装置
|
|
US8937614B2
(en)
|
2007-11-06 |
2015-01-20 |
Nlt Technologies, Ltd. |
Bidirectional shift register and display device using the same
|
|
JP5224241B2
(ja)
*
|
2007-11-06 |
2013-07-03 |
Ｎｌｔテクノロジー株式会社 |
双方向シフトレジスタ、それを用いた表示装置
|
|
JP2009122253A
(ja)
|
2007-11-13 |
2009-06-04 |
Seiko Epson Corp |
電気光学装置及び電子機器
|
|
JP2009135188A
(ja)
|
2007-11-29 |
2009-06-18 |
Sony Corp |
光センサーおよび表示装置
|
|
JP5213422B2
(ja)
|
2007-12-04 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
|
|
JP5292066B2
(ja)
|
2007-12-05 |
2013-09-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
|
JP5215158B2
(ja)
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
|
US8586979B2
(en)
*
|
2008-02-01 |
2013-11-19 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
|
|
JP4555358B2
(ja)
|
2008-03-24 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
|
|
CN101978056B
(zh)
*
|
2008-03-25 |
2013-05-22 |
花王株式会社 |
质粒载体
|
|
JP5704790B2
(ja)
|
2008-05-07 |
2015-04-22 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ、および、表示装置
|
|
KR100963026B1
(ko)
|
2008-06-30 |
2010-06-10 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
|
KR100963027B1
(ko)
|
2008-06-30 |
2010-06-10 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
|
KR100963104B1
(ko)
|
2008-07-08 |
2010-06-14 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
|
TWI875442B
(zh)
|
2008-07-31 |
2025-03-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
|
|
JP2010040552A
(ja)
*
|
2008-07-31 |
2010-02-18 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
TWI495108B
(zh)
|
2008-07-31 |
2015-08-01 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置的製造方法
|
|
TWI500159B
(zh)
|
2008-07-31 |
2015-09-11 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置和其製造方法
|
|
JP5608347B2
(ja)
|
2008-08-08 |
2014-10-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5345456B2
(ja)
|
2008-08-14 |
2013-11-20 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
US8129718B2
(en)
|
2008-08-28 |
2012-03-06 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same
|
|
US9082857B2
(en)
|
2008-09-01 |
2015-07-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
|
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
KR102413263B1
(ko)
|
2008-09-19 |
2022-06-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치
|
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
JP5442234B2
(ja)
|
2008-10-24 |
2014-03-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及び表示装置
|
|
EP2184229B1
(en)
*
|
2008-11-11 |
2012-10-17 |
AGUSTAWESTLAND S.p.A. |
Helicopter rotor
|
|
TWI549198B
(zh)
|
2008-12-26 |
2016-09-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及其製造方法
|
|
JP2010263182A
(ja)
|
2009-04-10 |
2010-11-18 |
Toppan Printing Co Ltd |
薄膜トランジスタおよび画像表示装置
|
|
JP5663214B2
(ja)
|
2009-07-03 |
2015-02-04 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
KR102503687B1
(ko)
|
2009-07-03 |
2023-02-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제작 방법
|
|
KR20210131462A
(ko)
|
2009-07-10 |
2021-11-02 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치의 제작 방법
|
|
WO2011004723A1
(en)
|
2009-07-10 |
2011-01-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method the same
|
|
WO2011013502A1
(en)
|
2009-07-31 |
2011-02-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
CN102473734B
(zh)
|
2009-07-31 |
2015-08-12 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置及其制造方法
|
|
WO2011013523A1
(en)
|
2009-07-31 |
2011-02-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
KR20120051727A
(ko)
|
2009-07-31 |
2012-05-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 디바이스 및 그 형성 방법
|
|
WO2011048925A1
(en)
|
2009-10-21 |
2011-04-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|