JP2010021554A - 有機メソメリー化合物の使用、有機半導体物質、及び、電子素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドーパントが供給される有機半導体を、製造プロセス時により簡単に取り扱うことができるように、また、ドープされた有機半導体を有する電子素子を、再生可能に製造できるように、メソメリー化合物として、同じ蒸着条件下ではテトラフルオロテトラシアノキノンジメタン(F4TCNQ)よりも揮発性の低いキノン、または、キノン誘導体、または、1,2,3−ジオクサボリン、または1,3,2−ジオクサボリン誘導体を使用することを提案する。
【選択図】なし
Description
本実施形態では、揮発性は、同じ条件下(例えば、2×10−4Paの圧力、および、所定の気化温度、例えば150℃)で測定した気化速度(Verdampfungsrate)として、または、他は同じ条件下で、時間単位(nm/秒)毎の層厚成長として測定した基板の蒸着速度(Bedampfungsrate)として決定してもよい。本発明の化合物の揮発性は、好ましくは、F4TCNQの0.95または0.9倍以下、特に好ましくは0.8倍以下、さらに好ましくは0.5倍以下、特に好ましくは0.1倍以下または0.05倍以下または0.01倍以下またはそれ未満である。
本発明に基づいて使用されるキノイド化合物では、(キノイド化合物は、オルトまたはパラキノン組織でもよく、多核キノイド構造の場合、混合オルト−パラキノイド構造が生じることもある)キノイド化合物の1,2,3または4つまたは全てのキノイド=O−基が、以下に置換基S1〜S11,S13〜S21のために規定されているような群から選択されていてもよい。また、場合によっては、S1を含まないこともあるが、この場合には、置換基は、後述のように規定されている。
ただし、X=YおよびV=Wであり、XおよびVは以下に示す表22の通りである。
−L1−C(R1)=C(R2)−L2−ただし、L=O,S,NRまたはCR14R15
または、−C(X)C(Y)−C(R1)=C(R2)−
または、−C(=X)C(R3)=C(R4)−C(=Y)−
または、−C(=X)−L−C(=Y)−ただし、L=O,S,NR,CR14R15から選択されている。ただし、XおよびYは、上記のように定義されており、以下の基から選択されていることが好ましい。
カルボキシ−(CO)−,カルボイミド−(CNR)−,チオフェニレン,フラニレン,1,3,4−オキシジアゾリレン(Oxdiazolylen-),トリアジン,テトラジニレン(Tetrazinylen-),ピラニレン,チオピラニレン,ジチイニレン、ホスホリニレン,フタル酸無水物、フタル酸イミドおよびジチアゾール残基からなる群より選択されていてもよい。
全ての以下に記載のキノン化合物の合成は、ここに、全範囲における(vollumfaenglich)関連付けにより本発明に含まれており、本発明により包括されている。
<N,N’−ジシアン−2,5−ジクロロ−1,4−ベンゾキノンジイミン>
3単位のN,N’−ジシアン−2,5−ジクロロベンゼン−1,4ジアミンを、
撹拌しながら20℃で、200単位の氷酢酸に懸濁させる。13単位の鉛−(IV)−テトラアセテートを加える。原材料全体が酸化するまで撹拌する。黄/茶色い沈殿物を濾過し、ベンゼンから再結晶させる(umkristallisieren)。
収量:64% Fp.:225℃
〔実施例2〕
<N,N’−ジシアン−2,3,5,6−テトラフルオロ−1,4−ベンゾキノンジイミン>
1.5単位の2,3,5,6−テトラフルオロ−1,4−ベンゾキノンを、70単位の塩化メチレン中、7.6単位のチタン四塩化物に添加する。生成した黄色い錯体を、15単位のメチレン塩化物中の7.5単位のビス−(トリメチルシリル)−カルボジイミドと、室温で撹拌しながら反応させ、4時間後氷に注ぐ。水層を、塩化メチレン で2回抽出する。有機層を合わせて(vereinigten organischen Phasen)、マグネシウム塩化物によって乾燥し、濾過し、真空中で濃縮し、石油エーテルから沈殿させ、改めて濾過する。得られた固体(Feststoff)は、トルエン/メチルシクロヘキサンの混合物から再結晶される。
収量:48%,Fp.:205℃
〔1,3,2−ジオクサボリン〕
本発明では、さらに、1,3,2−ジオクサボリン化合物を、半導体有機物質のドーピングに使用できる。
残基Xは、好ましくは陰性の(elektronegativen)固着原子(Haftatom)(例えば、フッ素、アルコキシ、アシロキシ、アリロキシ(Aryloxy)またはアロイロキシ(Aroyloxy))を有する1座配位子、または固着原子が好ましくは酸素であり、この固着原子は、架橋を介して、異なる原子配列、および、様々な数の架橋原子と相互結合しており、架橋によって、好ましくは5または6員環が生成されており、架橋の少なくとも1つの原子または全ての原子が、炭素原子であることが好ましい2数配位子である。
<1,4−ビス−(2,2−ジフルオロ−4−メチル−1,3,2−ジオクサボリニル)−ベンゾール>
本発明では、通常はOLEDまたは有機太陽電池に使用されるホール輸送物質HTなどの有機半導体物質に適切なドーパントに付いて説明する。半導体物質は、本質的にホール誘導性であることが好ましい。本発明のキノン型およびジオクサボリン型のドーパントのために、以下のことが該当することがある。
〔ドーピング〕
ドーピングを、特に、以下のように行える。ドーパントに対するマトリックス分子、または、場合によってはオリゴマーマトリックス物質のモル比率は、マトリックスモノマー対ドーパント1:100000、好ましくは1:1〜1:10000、特に好ましくは1:5〜1:1000、例えば、1:10〜1:100、例えば、約1:50〜1:100または1:25〜1:50でもある。
各マトリックス物質(ここでは、好ましくはホール伝導度マトリックス物質HTとして示す)を、以下の方法の1つ、または、組み合わせて使用することにより、本発明で使用されるドーパントによってドーピングできる。
a)HT用の源(Quelle)とドーパント用の源とを用いて真空中で混合気化する
b)HTとドーパントとを連続的に蓄積(Deponieren)し、続いて、ドーパントを熱処理によって入力拡散させる
c)ドーパントの溶液によってHT層をドーピングし、続いて、溶媒を熱処理により気化する
d)ドーパントの表面に形成された層を通してHT層の表面をドーピングする
ドーパントを前駆体化合物から気化することによりドーピングを行う。この前駆体化合物は、過熱および/または照射の際に、ドーパントを放出(freisetzen)する。照射は、電磁線、特に、可視光、UV光または、IR光(例えば、それぞれ、レーザー光、または、他の照射方法)によって行える。照射時に、基本的に気化に必要な熱が提供される。気化する化合物または前駆体または化合物錯体(充電−転送−錯体など)の特定の帯域に、目的を絞って照射してもよい。これは、例えば、励起状態に変化させることによって、錯体の分裂による化合物の気化を簡単にするためである。以下に記載の気化条件は、照射しない気化条件を対象としており、比較のために、同じ気化条件を使用できる。
a)混合化合物、または、化学量論的な化合物、または、混合結晶の化合物。なお、上記化合物は、ドーパントと、不活性揮発性物質(例えば、ポリマー、モルジーブ(Molsieb)、酸化アルミニウム、シリカゲル、オリゴマーまたは気化温度の高い他の有機または無機物質)とを含むものである。この場合、ドーパントは、大抵の場合、分子間力(van-der-Waals Kraefte)および/または水素架橋結合によって、この物質と結合している。
b)混合化合物、または、化学量論的な化合物、または、混合結晶の化合物。なお、上記化合物は、ドーパントと、ある程度電子供与型であり不揮発性の化合物Vとを含むものである。この場合、かなり多くの電子を含む(elektronenreichen)ポリ芳香族化合物、または、ヘテロ芳香族化合物、または、気化温度の高い他の有機または無機物質を有する電荷移動錯体中でのように、ドーパントと化合物Vとの間にほぼ完全な電荷輸送が生じる。
c)混合化合物、または、化学量論的な化合物、または、混合結晶の化合物。なお、上記化合物は、ドーパントと、ドーパントと共に気化され、ドープされる物質HTと同じまたはより高いイオン化エネルギーを有する物質とを含むものである。従って、有機マトリックス物質中の物質は、ホール用の固着場所を形成しない。この場合、物質は、本発明では、マトリックス物質(例えば、金属フタロシアニンまたはベンジジン誘導体)と同じ物でもよい。他の適切な揮発性の共同物質(Co-Substanzen)(ハイドロキノン、1,4−フェニレンジアミンまたは1−アミノ−4−ヒドロキシベンゼン(Hydroxybenze)またはそのほかの化合物は、キンヒドロンまたは他の電荷移動錯体を形成する。
本発明の有機化合物は、特に層または導電経路の形状に構成することができ、この有機化合物を、ドープされた有機半導体物質を生成するために使用することにより、多数の電子素子または電子素子を含む装置を製造できる。特に、本発明のドーパントを、有機発光ダイオード(OLED)、有機太陽電池、特に103〜107、好ましくは104〜107または105〜107の高い整流値比率(Gleichrichtungsverhaeltnis)を有する有機ダイオード、または、有機電界効果トランジスタを製造するために使用できる。本発明のドーパントによって、ドープされた層の伝導度を改善し、および/または接触部からドープされた層への電荷担体注入を改善できる。特に、OLEDの場合、素子は、ピン構造または逆転構造でもよいが、これに制限されない。しかし、本発明のドーパントの使用は、上記の有利な実施例に制限されていない。
本発明を、実施例を参考にしながら詳しく説明する。
<N,N’−ジシアン−2,3,5,6−テトラフルオロ−1,4−キノンジイミン(F4DCNQI)によるZnPcのドーピング>
気化温度T(evap.)は、85℃である。2つの成分(Komponent)、すなわち、マトリックスとドーパントとを、50:1の比率で、真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、2.4×10−2S/cmである。このときの層厚と電流の関係を図1および以下の表43に示す。
<N,N’−ジシアン−2,5−ジクロロ−1,4−キノンジイミン(C12DCNQI)によるZnPcのドーピング>
気化温度T(evap.)は、114℃である。蒸着した層における2つの化合物の比率は、50(マトリックス):1である層の伝導度は、1.0×10−2S/cmである。このときの層厚と電流の関係を図2および以下の表44に示す。
<N,N’−ジシアン−2,5−ジクロロ−3,6−ジフルオロ−1,4−キノンジイミン(C12F2DCNQI)によるZnPcのドーピング>
気化温度T(evap.)は、118℃である。層を、1:25(ドーパント:マトリックス)の比率で、真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、4.9×10−4S/cmである。このときの層厚と電流の関係を図3および以下の表45に示す。
<N,N’−ジシアン−2,3,5,6,7,8−ヘクサフルオロ−1,4−ナフトキノンジイミン(F6DCNNQI)によるZnPcのドーピング>
気化温度T(evap.)は、122℃である。ドーパントとマトリックスとを、1:25の比率で、担体上に真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、2×10−3S/cmに達する。このときの層厚と電流の関係を図4および以下の表46に示す。
<1,4,5,8−テトラヒドロ−1,4,5,8−テトラチア−2,3,6,7−テトラチアノアントラキノン(CN4TTAQ)によるZnPcのドーピング>
気化温度T(evap.)は、170℃である。層を、比率1:25(ドーパント:マトリックス)で真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、4.5×10−4S/cmである。このときの層厚と電流の関係を図5および以下の表47に示す。
<2,2,7,7、−テトラフルオロ−2,7−ジヒドロ−1,3,6,8−ドクサ−2,7−ジボラ−ペンタクロロ−ベンゾ[e]ピレンによるZnPcのドーピング>
気化温度T(evap.)は、140℃である。層を、比率1:25(ドーパント:マトリックス)で真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、2.8×10−5S/cmである。このときの層厚と電流の関係を図6および以下の表48に示す。
Claims (17)
- 有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるための、有機ドーパントとしての有機メソメリー(mesomere)化合物の使用であって、
上記有機メソメリー化合物は、メソメリーキノイド化合物、または、メソメリー1,3,2−ジオクサボリン化合物であり、
(a)上記メソメリーキノイド化合物は、一般式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII、IX、X、XI、XII、XIII、XIV、XV、XVI、XVII、XVIII、XIX、XX、XXI、XII、XIII、XIV、XV、XVI、XVII、XVIII、XIX、XX、XXI、XXII、XXIII、XXIV、XXV、XXVI、XXVII、XXVIII、XXIX、XXX、XXXI、XXXII、XXXIII、XXXIV、XXXV、XXXVI、XXXVII、XXXVIII、XXXIX、XXXX、または、XXXXI
(ただし、一般式IV中、m=1、2、3または4であり、一般式VまたはVI中、m=0、1、2、3または4である)
で表され、
キノイド環または芳香族環は、置換されているか、置換されていないか(R=H)、または、少なくとも1つの芳香族環と縮環しており、
=T,=U,=V,=W,=X,=Yまたは=Zは、2重結合で結合する原子、または、メソメリー効果(mesomer)および/または誘起的吸引性を有する残基を持つ原子団(Atomgruppen)であり、
A、B、D、E、F、G、HおよびKは、同じであるか、または異なり、
=N−,=P−または=CR−から選択され、
Rは、水素原子、または、残基であり、
ZBは、直接結合しているか、2結合原子、または、2結合多原子架橋であり、
(b)上記メソメリー1,3,2−ジオクサボリン化合物は、一般式L
で表され、
Aは、2価残基であり、該2価残基は、1つ以上の炭素原子を含み、
該炭素原子は、一部または全てがヘテロ原子により置換され、
mは0または0以上の整数であり、
Xは、1座配位子であり、2つの配位子Xは、2座配位子を形成することができ、
または、
上記メソメリー1,3,2−ジオクサボリン化合物は、一般式LI
で表され、
Qは、3価残基であり、Xは、1座配位子であり、2つの配位子Xは、2座配位子を形成することができ、
または、
上記メソメリー1,3,2−ジオクサボリン化合物は、一般式LII
で表され、Xは、1座配位子であり、2つの配位子Xは、2座配位子を形成することができ、R4、R5は、1,3,2−ジオクサボリン環を含む有機残基であり、
上記有機メソメリー化合物の揮発性が、同一の気化条件下で、テトラフルオロテトラシアノキノンジメタン(F4TCNQ)よりも低いことを特徴とする、使用。 - 上記符号が、
−M−は、−O−,−S−,−NR−または−C(=Z)−であり、
=T,=U,=V,=W,=X,=Yまたは=Zは、同じであるか、または、異なっており、一般式S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14、S15、S16、S17、S18、S19、S20、およびS21
からなる群より選択されており、
置換基AAは、一般式T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、T13、T14、T15、およびT16
からなる群より選択されており、AAは、上記化合物の他の残基Rと多員環を形成することができ、
一般式VIII、IX、またはXにおけるZBは、直接結合しているか、または、1原子基、若しくは飽和または不飽和の多原子基であることを特徴とする、請求項1に記載の化合物の使用。 - 上記化合物は、キノン、または、少なくとも2つの縮環していないキノイド構造を含むキノン誘導体であって、上記キノイド構造は、直接、または、架橋−ZB−を介して、1〜10個の架橋原子団と相互に結合しており、上記架橋原子団は、炭素原子、ヘテロ原子、または、炭素原子およびヘテロ原子であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の化合物の使用。
- 上記化合物は、それぞれ5または6個の炭素原子を有する2、3、4、5または6のキノイド環構造を含み、上記炭素原子は、少なくとも一部が、ヘテロ原子により置換されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の化合物の使用。
- 少なくとも2つ、それ以上、または、全ての上記キノイド環構造が、メソメリー(mesomere)結合しながらより大きなキノイド構造に縮環しているか、あるいは、不飽和架橋によって相互にメソメリー結合していることを特徴とする、請求項7に記載の化合物の使用。
- 上記化合物は、1、2、3、4、5または6のアリール残基を含み、それぞれのアリール残基は、相互に、上記化合物の1つ以上のキノイド構造と縮環していることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の化合物の使用。
- 上記マトリックス物質は、ホール伝導性であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の化合物の使用。
- 上記マトリックス物質は、部分的に、または、全部が、金属フタロシアニン錯体、ポルフィリン錯体、および/または、スピロ−ビフルオレン化合物からなることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載の化合物の使用。
- 有機半導体マトリックス物質と有機ドーパントとを含む有機半導体物質であって、請求項1〜13のいずれか1項に記載の化合物の使用によって得られることを特徴とする、有機半導体物質。
- 有機ドーパント有機半導体マトリックス物質のモルドーピング比率が、1:1〜1:10,000であることを特徴とする、請求項14に記載の有機半導体物質。
- 請求項14または15に記載の有機半導体物質を含む電子素子。
- 有機発光ダイオード(OLED)、有機太陽電池、有機ダイオード、または有機電界効果トランジスタである請求項16に記載の電子素子。
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