JP2009511670A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009511670A5
JP2009511670A5 JP2008534671A JP2008534671A JP2009511670A5 JP 2009511670 A5 JP2009511670 A5 JP 2009511670A5 JP 2008534671 A JP2008534671 A JP 2008534671A JP 2008534671 A JP2008534671 A JP 2008534671A JP 2009511670 A5 JP2009511670 A5 JP 2009511670A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crosslinking
liquid material
cyclics
nitrous
irradiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008534671A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5888831B2 (ja
JP2009511670A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2006/038878 external-priority patent/WO2007044429A2/en
Publication of JP2009511670A publication Critical patent/JP2009511670A/ja
Publication of JP2009511670A5 publication Critical patent/JP2009511670A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5888831B2 publication Critical patent/JP5888831B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (3)

  1. 前記架橋度は、本質的に環状物が、環式基中の１２個以下の原子を有する架橋によって形成されない程十分低い、請求項１に記載の組成物。
  2. 前記照射は、アモルファス材料を実質的に多結晶性の材料へと転換するために結晶化を実行するために、レーザーを用いて実行される、請求項８に記載の方法。
  3. 前記液体材料を前記基板に適用するのと同時にまたはその後に、紫外線照射を用いて前記液体材料を照射することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
JP2008534671A 2005-10-05 2006-10-05 架橋済みポリマー及びその製造方法 Active JP5888831B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72421605P 2005-10-05 2005-10-05
US60/724,216 2005-10-05
PCT/US2006/038878 WO2007044429A2 (en) 2005-10-05 2006-10-05 Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009511670A JP2009511670A (ja) 2009-03-19
JP2009511670A5 true JP2009511670A5 (ja) 2009-11-26
JP5888831B2 JP5888831B2 (ja) 2016-03-22

Family

ID=37943356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008534671A Active JP5888831B2 (ja) 2005-10-05 2006-10-05 架橋済みポリマー及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7943721B2 (ja)
EP (1) EP1943669A4 (ja)
JP (1) JP5888831B2 (ja)
WO (1) WO2007044429A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7138273B2 (ja) 2018-07-04 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 被処理基板にシリコン膜を形成する方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6599631B2 (en) 2001-01-26 2003-07-29 Nanogram Corporation Polymer-inorganic particle composites
US8568684B2 (en) 2000-10-17 2013-10-29 Nanogram Corporation Methods for synthesizing submicron doped silicon particles
US7226966B2 (en) 2001-08-03 2007-06-05 Nanogram Corporation Structures incorporating polymer-inorganic particle blends
DE102006034061A1 (de) * 2006-07-20 2008-01-24 REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha Polysilanverarbeitung und Verwendung
US8530589B2 (en) * 2007-05-04 2013-09-10 Kovio, Inc. Print processing for patterned conductor, semiconductor and dielectric materials
US8426905B2 (en) * 2007-10-01 2013-04-23 Kovio, Inc. Profile engineered, electrically active thin film devices
DE102008025261B4 (de) * 2008-05-27 2010-03-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008025260B4 (de) 2008-05-27 2010-03-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogeniertes Polysilan und thermisches Verfahren zu dessen Herstellung
US8609799B2 (en) * 2008-05-29 2013-12-17 Ndsu Research Foundation Method of forming functionalized silanes
DE102009002758A1 (de) * 2009-04-30 2010-11-11 Evonik Degussa Gmbh Bandgap Tailoring von Solarzellen aus Flüssigsilan mittels Germanium-Zugabe
EP2493963A1 (en) * 2009-10-28 2012-09-05 Dow Corning Corporation Polysilane - polysilazane copolymers and methods for their preparation and use
DE102009053818A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Evonik Degussa Gmbh Dotierung von Siliciumschichten aus flüssigen Silanen für Elektronik- und Solar-Anwendungen
DE102009056437B4 (de) 2009-12-02 2013-06-27 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen
DE102009056731A1 (de) * 2009-12-04 2011-06-09 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogenierte Polysilane und Polygermane
US8624049B2 (en) * 2010-01-18 2014-01-07 Kovio, Inc. Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
JP5697692B2 (ja) 2010-01-28 2015-04-08 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション シクロヘキサシラン化合物を生成する方法
DE102010025710A1 (de) 2010-06-30 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Speichermaterial und Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus diesem
DE102010025948A1 (de) 2010-07-02 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Polysilane mittlerer Kettenlänge und Verfahren zu deren Herstellung
JP5686278B2 (ja) * 2010-09-08 2015-03-18 国立大学法人東北大学 シリコン−ゲルマニウム膜およびシリコン−ゲルマニウム膜の製造方法
US8900654B2 (en) * 2011-07-29 2014-12-02 Thin Film Electronics, Inc. Methods of polymerizing silanes and cyclosilanes using N-heterocyclic carbenes, metal complexes having N-heterocyclic carbene ligands, and lanthanide compounds
DE102012223260A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Sgl Carbon Se Hochmolekulares Polysilan und dessen Herstellungsverfahren zur Produktion präkeramischer Formkörper
NL2010713C2 (en) 2013-04-26 2014-10-29 Univ Delft Tech Method of forming silicon on a substrate.
SG11201602301WA (en) 2013-09-27 2016-04-28 Antonio Sanchez Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds
DE102013016986A1 (de) 2013-10-15 2015-04-16 Psc Polysilane Chemicals Gmbh Elektronenstrahlverfahren zur Modifizierung von Halogensilangemischen
JP6104785B2 (ja) * 2013-12-09 2017-03-29 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ ペルヒドロポリシラザン、およびそれを含む組成物、ならびにそれを用いたシリカ質膜の形成方法
DE102014109275A1 (de) * 2014-07-02 2016-01-07 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln, Nanopartikel und deren Verwendung
US10450419B2 (en) 2014-07-16 2019-10-22 Thin Film Electronics Asa High-molecular-weight polysilane and method for producing same
US9777025B2 (en) 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
KR102093227B1 (ko) * 2017-04-20 2020-03-25 (주)디엔에프 다이실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3485862A (en) * 1966-09-08 1969-12-23 John L Margrave Bicyclo and aromatic silicon-fluorine compounds and methods of preparation
DE3122992A1 (de) 1980-06-11 1982-02-04 National Research Development Corp., London Verfahren zur herstellung von polysilan
GB2077710B (en) 1980-06-11 1983-10-12 Nat Res Dev Synthesising a polysilane
CA1213375A (en) 1981-03-11 1986-10-28 Chronar Corporation Semiconductor device having a body of amorphous silicon
CA1187622A (en) 1981-03-11 1985-05-21 Zoltan J. Kiss Semiconductor device having a body of amorphous silicon
JPS6026664A (ja) 1983-07-22 1985-02-09 Canon Inc アモルフアスシリコン堆積膜形成法
US4704444A (en) * 1984-02-10 1987-11-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers
JPS60221321A (ja) 1984-04-13 1985-11-06 Mitsui Toatsu Chem Inc ゲルマン類の製造方法
JPS61200130A (ja) 1985-03-01 1986-09-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子半導体
JPS62132720A (ja) 1985-12-02 1987-06-16 Fuji Electric Co Ltd 高次シラン生成方法
JPS62132721A (ja) 1985-12-02 1987-06-16 Fuji Electric Co Ltd 高次シラン生成方法
US4992520A (en) * 1986-04-14 1991-02-12 Zeigler John M Method for preparation of polysilanes
US4792460A (en) * 1986-07-15 1988-12-20 Electric Power Research Institute, Inc. Method for production of polysilanes and polygermanes, and deposition of hydrogenated amorphous silicon, alloys thereof, or hydrogenated amorphous germanium
JPS63234033A (ja) 1987-03-23 1988-09-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子金属
US4841083A (en) * 1987-06-03 1989-06-20 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Ladder polysilanes
JP2634430B2 (ja) * 1987-06-03 1997-07-23 三井東圧化学株式会社 はしご状ポリシラン類及びその製造方法
JPH01252637A (ja) * 1987-12-11 1989-10-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 有機金属高分子化合物の製造方法
JP2621310B2 (ja) 1988-03-10 1997-06-18 英樹 櫻井 ポリシランポリマーの製造法
JP2707688B2 (ja) 1989-03-08 1998-02-04 英樹 櫻井 ポリシランカルボン酸化合物
JPH0391537A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Tonen Chem Corp ポリシランの製造方法
JP2687020B2 (ja) 1989-09-18 1997-12-08 日本カーボン株式会社 ポリシランの合成方法
JPH05508147A (ja) * 1989-10-25 1993-11-18 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア Ｌ―グルタミン酸の輸送を阻害する方法
JP2847170B2 (ja) 1990-09-07 1999-01-13 日本電信電話株式会社 シリコン薄膜の製造方法
US5252766A (en) * 1990-09-14 1993-10-12 Director-General Of Agency Of Industrial Science Method for producing polysilanes
JPH0717753B2 (ja) 1990-09-14 1995-03-01 工業技術院長 ポリシラン類の製造方法
US5229481A (en) * 1991-03-28 1993-07-20 The Regents Of The University Of California High-molecular weight, silicon-containing polymers and methods for the preparation and use thereof
DE4110917A1 (de) 1991-04-04 1992-10-08 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von polysilanen
JP3083614B2 (ja) * 1991-12-11 2000-09-04 株式会社リコー 有機ポリゲルマンの製法
JPH05170913A (ja) 1991-12-25 1993-07-09 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk ポリシラン及びその製造方法
JP3154849B2 (ja) * 1992-01-08 2001-04-09 日石三菱株式会社 ポリシランの製造方法
DE69221283T2 (de) * 1992-01-08 1998-01-02 Nippon Oil Co Ltd Verfahren zur Herstellung von Polysilanen
JPH05188604A (ja) 1992-01-09 1993-07-30 Fujitsu Ltd 電子写真感光体
JPH05230219A (ja) 1992-02-19 1993-09-07 Sagami Chem Res Center α，ω−ジヒドロポリシラン類の製造方法
JP3118597B2 (ja) 1992-03-05 2000-12-18 達哉 庄野 ポリゲルマンの製造方法
JPH05301964A (ja) 1992-04-28 1993-11-16 Osaka Gas Co Ltd ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法
JPH05301966A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Osaka Gas Co Ltd ゲルマニウム系高分子材料の製造方法
JPH05301965A (ja) 1992-04-28 1993-11-16 Osaka Gas Co Ltd ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法
JPH05320353A (ja) * 1992-05-19 1993-12-03 Tonen Corp 有機ケイ素モノマーの脱水素縮合触媒
JPH06128381A (ja) 1992-10-15 1994-05-10 Tonen Corp 高分子量ポリシランの製造法
JPH06191821A (ja) 1992-12-22 1994-07-12 Showa Denko Kk シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
JP2748811B2 (ja) * 1992-12-24 1998-05-13 信越化学工業株式会社 両末端反応性ポリシラン及びその製造方法
JPH06295079A (ja) 1993-04-07 1994-10-21 Ricoh Co Ltd 有機ポリゲルマン含有電荷輸送物質層を有する電子写真感光体
US5700400A (en) * 1993-06-15 1997-12-23 Nippon Oil Co., Ltd. Method for producing a semiconducting material
JPH0711002A (ja) 1993-06-24 1995-01-13 Ricoh Co Ltd 有機ポリゲルマンの製法
JPH07160017A (ja) 1993-12-02 1995-06-23 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体
JP2615419B2 (ja) 1994-03-11 1997-05-28 工業技術院長 高分子量ポリシラン類の製造方法
JP2615420B2 (ja) 1994-03-11 1997-05-28 工業技術院長 ポリシラン類の製造法
JP3517934B2 (ja) 1994-03-24 2004-04-12 昭和電工株式会社 シリコン膜の形成方法
JPH07316304A (ja) 1994-03-29 1995-12-05 Osaka Gas Co Ltd ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法
JPH07316305A (ja) 1994-03-30 1995-12-05 Osaka Gas Co Ltd ポリゲルマン類の製造方法
US5717051A (en) * 1994-09-19 1998-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Glass composite material, precursor thereof, nitrogen-containing composite material and optical device
JP3961581B2 (ja) 1994-09-19 2007-08-22 株式会社東芝 ガラス複合材料およびその前駆体
US5599892A (en) * 1994-10-07 1997-02-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of polysilanes
JPH08120082A (ja) 1994-10-27 1996-05-14 Sumitomo Chem Co Ltd ポリシランの製造方法
JP3643631B2 (ja) 1995-01-25 2005-04-27 日本ペイント株式会社 多色パターン形成用感光性樹脂組成物およびそれを用いる多色パターン形成方法
JPH08283415A (ja) 1995-04-20 1996-10-29 Sumitomo Chem Co Ltd ポリシランの製造方法
JPH0945922A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Showa Denko Kk 多結晶シリコン膜の形成方法
JPH09237927A (ja) 1995-12-26 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法
US5866471A (en) * 1995-12-26 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming semiconductor thin film and method of fabricating solar cell
JP3608014B2 (ja) * 1996-03-27 2005-01-05 大阪瓦斯株式会社 正孔輸送材料の製造方法
US6020447A (en) * 1996-03-29 2000-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Sonichemical synthesis of silicon carbide precursors and methods for preparation thereof
JP3529953B2 (ja) 1996-09-03 2004-05-24 株式会社東芝 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物
JPH1160735A (ja) * 1996-12-09 1999-03-05 Toshiba Corp ポリシランおよびパターン形成方法
JP3496097B2 (ja) * 1996-12-27 2004-02-09 大阪瓦斯株式会社 ポリシラン類の製造方法
JP3408399B2 (ja) 1997-05-23 2003-05-19 シャープ株式会社 シリコン膜の形成方法
US5942637A (en) * 1998-03-30 1999-08-24 North Dakota State University Research Foundation Compounds containing tetradecachlorocyclohexasilane dianion
JPH1179727A (ja) 1997-08-29 1999-03-23 Sharp Corp シリコン膜の形成方法
JPH11260729A (ja) 1998-01-08 1999-09-24 Showa Denko Kk 高次シランの製造法
WO1999041289A1 (en) * 1998-02-11 1999-08-19 The Dow Chemical Company Improved olefin polymerization process
JP2000007317A (ja) 1998-06-19 2000-01-11 Sharp Corp シリコン膜の形成方法
JP2000031066A (ja) 1998-07-10 2000-01-28 Sharp Corp シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
US6624254B1 (en) * 1999-01-21 2003-09-23 The Dow Chemical Company Silane functionalized olefin interpolymer derivatives
TW539709B (en) * 1999-03-30 2003-07-01 Jsr Corp Coating composition
WO2000059022A1 (fr) 1999-03-30 2000-10-05 Jsr Corporation Procede de formation de films d'oxyde de silicium
TW457554B (en) 1999-03-30 2001-10-01 Seiko Epson Corp Method for forming a silicon film and ink composition for ink jet
JP2001011184A (ja) * 1999-07-02 2001-01-16 Jsr Corp ケイ素ポリマーおよびその製造方法
JP3926076B2 (ja) 1999-12-24 2007-06-06 日本電気株式会社 薄膜パターン形成方法
JP2001230527A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Seiko Epson Corp 導電膜パターン形成方法、及び導電膜パターン
WO2002080244A2 (en) * 2001-02-12 2002-10-10 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
JP2002246384A (ja) 2001-02-21 2002-08-30 Jsr Corp シリコン酸化膜の形成方法および形成用組成物
US6830818B2 (en) * 2001-04-13 2004-12-14 Hitachi Cable, Ltd. Polymer material and polymer film
US6593392B2 (en) * 2001-06-22 2003-07-15 Corning Incorporated Curable halogenated compositions
EP1284306B1 (en) 2001-08-14 2011-08-03 JSR Corporation Silane composition, silicon film forming method and solar cell production method
JP2003171556A (ja) 2001-12-10 2003-06-20 Jsr Corp シリコン膜の形成方法およびそのための組成物
JP4419357B2 (ja) 2001-10-17 2010-02-24 Ｊｓｒ株式会社 シラン組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法
JP2003055556A (ja) 2001-08-14 2003-02-26 Jsr Corp シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
JP4548567B2 (ja) 2001-09-19 2010-09-22 Ｊｓｒ株式会社 シリコン酸化膜の形成方法
US6936181B2 (en) * 2001-10-11 2005-08-30 Kovio, Inc. Methods for patterning using liquid embossing
JP2003313299A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Seiko Epson Corp 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法
JP2003318119A (ja) 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp シリコン膜およびその形成方法、ならびに、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、電子機器および機器
JP3864413B2 (ja) * 2002-04-22 2006-12-27 セイコーエプソン株式会社 トランジスタの製造方法
US6957608B1 (en) * 2002-08-02 2005-10-25 Kovio, Inc. Contact print methods
US6878184B1 (en) * 2002-08-09 2005-04-12 Kovio, Inc. Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom
US7473443B2 (en) * 2002-08-23 2009-01-06 Jsr Corporation Composition for forming silicon film and method for forming silicon film
JP2004134440A (ja) * 2002-10-08 2004-04-30 Okutekku:Kk シリコン膜の形態学的変化法
US7078276B1 (en) * 2003-01-08 2006-07-18 Kovio, Inc. Nanoparticles and method for making the same
JP2004235539A (ja) 2003-01-31 2004-08-19 Jsr Corp 太陽電池
JP4042685B2 (ja) 2003-03-26 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 トランジスタの製造方法
JP4258646B2 (ja) 2003-06-13 2009-04-30 Ｊｓｒ株式会社 シラン重合体およびシリコン膜の形成方法
US7879696B2 (en) * 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
JP2005120029A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Jsr Corp シラン化合物の精製方法
JP4969041B2 (ja) * 2004-01-26 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
CN100533808C (zh) * 2004-01-26 2009-08-26 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法以及电视设备
JP2005219981A (ja) 2004-02-06 2005-08-18 Seiko Epson Corp 高次シラン溶液の製造方法、シリコン膜の形成方法、シリコン膜、ｔｆｔ及び電気光学装置
WO2005113648A1 (en) 2004-05-14 2005-12-01 Dow Corning Corporation Method of making branched polysilanes
JP2005332913A (ja) 2004-05-19 2005-12-02 Jsr Corp 太陽電池用シリコン膜の形成方法および太陽電池
JP4617795B2 (ja) 2004-09-22 2011-01-26 Ｊｓｒ株式会社 シリコン膜の形成方法
US7314513B1 (en) * 2004-09-24 2008-01-01 Kovio, Inc. Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions
US7485691B1 (en) * 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
KR101467412B1 (ko) * 2006-10-06 2014-12-01 코비오 인코포레이티드 실리콘 폴리머, 실리콘 화합물 중합법 및 실리콘 폴리머 박막 형성법
DE102008025261B4 (de) * 2008-05-27 2010-03-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7138273B2 (ja) 2018-07-04 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 被処理基板にシリコン膜を形成する方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009511670A5 (ja)
EP1688791A3 (en) Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition and pattern forming method using the photosensitive composition
JP2008270780A5 (ja)
WO2007116001A3 (de) Flüssig-kristalline rylentetracarbonsäurederivate und deren verwendung
IL184941A0 (en) Method and device for producing biomass of photosynthesizing microorganisms mainly halobacteria halobacterium as well as biomass of the said microorganisms pigments bacteriorhodopsin in particular
WO2010041850A3 (ko) 전자빔 후처리를 이용한 투명성 산화 전극 제조 방법
JP2010518197A5 (ja)
WO2009111326A3 (en) Flash light annealing for thin films
WO2008107094A3 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle sowie damit hergestellte solarzelle
JP2011205089A5 (ja) 半導体膜の作製方法
CO6280544A2 (es) Composicion polimerica absorbente de rayos uv que comprende un acido nanoparticulado y una sustancia estabilizante/absorbente de rayos uv y proceso para producir oxidos de metal nanoparticularizados, dopado
EP2264112A3 (en) Temporary bonding adhesive for a semiconductor wafer and method for manufacturing a semiconductor device using the same, and use of a resin composition as a temporary bonding adhesive
WO2012070833A3 (ko) 광경화형 수지 조성물 및 이를 이용한 자기복제성 복제몰드의 제작방법
WO2007081505A3 (en) Nanoscale discotic liquid crystalline porphyrins
EP2298714A4 (en) COMPOSITION FOR FORMING THIN-FILM FERROELECTRIC FILM, METHOD FOR FORMING THIN-FILM FERROELECTRIC FILM, AND THIN-FILM FERROELECTRIC FILM FORMED ACCORDING TO SAID METHOD
JP2010034523A5 (ja)
JP2008235875A5 (ja)
JP2010166035A5 (ja)
CY1115666T1 (el) Τραζοδονη και υδροχλωρικη τραζοδονη σε κεκαθαρμενη μορφη
WO2011011764A3 (en) Systems, methods and materials involving crystallization of substrates using a seed layer, as well as products produced by such processes
RU2011111939A (ru) Пластырный препарат и способ его получения
TW200611032A (en) Process for orienting rod-like liquid crystal molecules, and optical elements produced by using the same
WO2009116867A3 (en) A target material, a source, an euv lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same
WO2011017179A3 (en) Systems, methods and materials including crystallization of substrates via sub-melt laser anneal, as well as products produced by such processes
JP2008521987A5 (ja)