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  1. 前記架橋度は、本質的に環状物が、環式基中の１２個以下の原子を有する架橋によって形成されない程十分低い、請求項１に記載の組成物。
  2. 前記照射は、アモルファス材料を実質的に多結晶性の材料へと転換するために結晶化を実行するために、レーザーを用いて実行される、請求項８に記載の方法。
  3. 前記液体材料を前記基板に適用するのと同時にまたはその後に、紫外線照射を用いて前記液体材料を照射することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
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