JP2008235875A5 - - Google Patents
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- 基板上に第1のバッファ膜を形成し、
前記第1のバッファ膜上に第1の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜上に第2のバッファ膜を形成し、
前記第2のバッファ膜上に光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザ光を照射して、前記第1の半導体膜及び前記光吸収膜を溶融することで、前記第1の半導体膜を結晶性半導体膜にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記光吸収膜の厚さは、30nm以上200nm以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または2において、
前記第1の半導体膜の厚さは、50nm以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記光吸収膜は、半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記光吸収膜はシリコンまたはゲルマニウムを主成分とする半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記シリコンまたはゲルマニウムを主成分とする半導体膜は、非晶質シリコンまたは微結晶のシリコン、非晶質または微結晶のゲルマニウム、非晶質または微結晶のシリコンゲルマニウム(SixGe1−x、0<x<1)でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1のバッファ膜は絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第2のバッファ膜は絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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