JP2008235875A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に第１のバッファ膜を形成し、
   前記第１のバッファ膜上に第１の半導体膜を形成し、
   前記第１の半導体膜上に第２のバッファ膜を形成し、
   前記第２のバッファ膜上に光吸収膜を形成し、
   前記光吸収膜の上方からレーザ光を照射して、前記第１の半導体膜及び前記光吸収膜を溶融することで、前記第１の半導体膜を結晶性半導体膜にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記光吸収膜の厚さは、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または２において、
   前記第１の半導体膜の厚さは、５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項において、
   前記光吸収膜は、半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至３のいずれか１項において、
   前記光吸収膜はシリコンまたはゲルマニウムを主成分とする半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記シリコンまたはゲルマニウムを主成分とする半導体膜は、非晶質シリコンまたは微結晶のシリコン、非晶質または微結晶のゲルマニウム、非晶質または微結晶のシリコンゲルマニウム（Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ、０＜ｘ＜１）でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第１のバッファ膜は絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第２のバッファ膜は絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。