JP2008205443A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に半導体膜を形成し、
   線状のレーザビームを走査しながら、前記線状のレーザビームを前記半導体膜に照射して、前記半導体膜を完全に溶融させることで、結晶性半導体を形成し、
   前記結晶性半導体が形成された半導体膜を所定の形状に加工して、結晶性半導体膜を形成し、
   前記結晶性半導体膜にチャネル形成領域を有する素子を形成し、
   被照射面での前記線状のレーザビームの走査方向の幅は、前記結晶性半導体の結晶粒の、前記走査方向に対して垂直方向の幅と同じ、又は前記垂直方向の幅よりも細いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、前記被照射面での前記線状のレーザビームの前記走査方向の幅は、２μｍ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜上にキャップ膜を形成し、
   線状のレーザビームを走査しながら、前記キャップ膜を通過させて、前記線状のレーザビームを前記半導体膜に照射して、前記半導体膜を完全に溶融させることで、結晶性半導体を形成し、
   前記結晶性半導体が形成された半導体膜を所定の形状に加工して、結晶性半導体膜を形成し、
   前記結晶性半導体膜にチャネル形成領域を有する素子を形成し、
   被照射面での前記線状のレーザビームの走査方向の幅は、前記結晶性半導体の結晶粒の、前記走査方向に対して垂直方向の幅と同じ、又は前記垂直方向の幅よりも細いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、前記被照射面での前記線状のレーザビームの前記走査方向の幅は、５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項において、非球面シリンドリカルレンズまたは屈折率分布レンズにより、前記線状のレーザビームは前記走査方向に集光されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項において、前記レーザビームは、連続発振のレーザビーム又は擬似連続発振のレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。