JP2008100284A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008100284A5 JP2008100284A5 JP2007242846A JP2007242846A JP2008100284A5 JP 2008100284 A5 JP2008100284 A5 JP 2008100284A5 JP 2007242846 A JP2007242846 A JP 2007242846A JP 2007242846 A JP2007242846 A JP 2007242846A JP 2008100284 A5 JP2008100284 A5 JP 2008100284A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- workpiece
- processing method
- irradiating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (10)
- 板状の加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、前記加工対象物の厚さ方向に並ぶように、切断の起点となる複数列の改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記加工対象物においてレーザ光が入射するレーザ光入射面に対向する所定の面で反射されたレーザ光の反射光を前記加工対象物に照射することにより、複数列の前記改質領域のうち、前記所定の面に最も近い改質領域及び前記レーザ光入射面に最も近い改質領域の少なくとも1列を含む1列又は複数列の改質領域を形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記所定の面は、前記加工対象物が備える金属膜における前記レーザ光入射面側の面であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 複数列の前記改質領域を切断の起点として、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断することを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物は半導体基板を備え、前記改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 板状の加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記加工対象物のレーザ光入射面に対向するレーザ光反射面をレーザ光が透過すると仮定した場合に、レーザ光の進行方向において前記レーザ光反射面の下流側の位置が、レーザ光を前記加工対象物に集光するための集光用レンズによって集光されるレーザ光の集光点となるように、前記集光用レンズを配置し、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の少なくとも内部に前記改質領域を形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 板状の加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工装置であって、
前記加工対象物のレーザ光入射面に対向するレーザ光反射面をレーザ光が透過すると仮定した場合に、レーザ光の進行方向において前記レーザ光反射面の下流側の位置が、レーザ光を前記加工対象物に集光するための集光用レンズによって集光されるレーザ光の集光点となるように、前記集光用レンズを配置し、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の少なくとも内部に前記改質領域を形成する制御部を備えることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記所定の面で反射されたレーザ光の反射光を前記加工対象物に照射することにより、前記改質領域として、溶融処理領域及び微小空洞が対になって形成され、前記微小空洞が前記溶融処理領域に対して前記レーザ光入射面側に形成されることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記所定の面で反射されたレーザ光の反射光を前記加工対象物に照射する際に、球面収差を考えなければ理論的には、前記レーザ光の集光点が前記加工対象物に合わせられることを特徴とする請求項7記載のレーザ加工方法。
- 前記レーザ光反射面で反射されたレーザ光の反射光を前記加工対象物に照射することにより、前記改質領域として、溶融処理領域及び微小空洞が対になって形成され、前記微小空洞が前記溶融処理領域に対して前記レーザ光入射面側に形成されることを特徴とする請求項5記載のレーザ加工方法。
- 前記レーザ光反射面で反射されたレーザ光の反射光を前記加工対象物に照射する際に、球面収差を考えなければ理論的には、前記レーザ光の集光点が前記加工対象物に合わせられることを特徴とする請求項9記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007242846A JP5322418B2 (ja) | 2006-09-19 | 2007-09-19 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006253259 | 2006-09-19 | ||
JP2006253259 | 2006-09-19 | ||
JP2007242846A JP5322418B2 (ja) | 2006-09-19 | 2007-09-19 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008100284A JP2008100284A (ja) | 2008-05-01 |
JP2008100284A5 true JP2008100284A5 (ja) | 2009-07-23 |
JP5322418B2 JP5322418B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=39434998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007242846A Active JP5322418B2 (ja) | 2006-09-19 | 2007-09-19 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5322418B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5491761B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
RU2013102422A (ru) * | 2010-07-12 | 2014-08-20 | ФАЙЛЭЙСЕР ЮЭс-Эй ЭлЭлСи | Способ обработки материалов с использованием филаментации |
JP5658043B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-01-21 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2012238746A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの分割方法 |
JP2014082317A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP6189066B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-08-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
CN112518141B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-07-15 | 无锡光导精密科技有限公司 | 一种激光诱导切割方法及装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3626442B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2005-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4424302B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2010-03-03 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
-
2007
- 2007-09-19 JP JP2007242846A patent/JP5322418B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008100284A5 (ja) | ||
TWI446986B (zh) | 對象目標處理方法及對象目標處理設備 | |
JP2007075886A5 (ja) | ||
JP2006114627A5 (ja) | ||
TW200733240A (en) | Systems and methods for processing a film, and thin films | |
TWI296218B (en) | Slicing method for the treatment object | |
WO2014030518A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
WO2014030519A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP5491761B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2003334812A5 (ja) | ||
JP2006167804A5 (ja) | ||
WO2013176089A1 (ja) | 加工対象物切断方法、加工対象物、及び、半導体素子 | |
WO2015094898A3 (en) | Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers | |
JP6901470B2 (ja) | 粉末床レーザー溶融による積層造形システム及び積層造形プロセス | |
JP6309341B2 (ja) | 半導体基板に照射により溝付け加工を行う方法 | |
JP2012192459A5 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2017501884A5 (ja) | ||
JP2017530867A5 (ja) | ||
WO2014030520A1 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
TW201249576A (en) | Laser processing method | |
WO2012156071A8 (en) | Laser material processing system with at least one inertial sensor; corresponding laser processing method | |
TW201243925A (en) | Laser processing method | |
TW201721731A (zh) | 雷射加工方法 | |
JP2010274328A5 (ja) | ||
JP5541693B2 (ja) | レーザアニール装置 |