JP2006167804A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006167804A5 JP2006167804A5 JP2005327566A JP2005327566A JP2006167804A5 JP 2006167804 A5 JP2006167804 A5 JP 2006167804A5 JP 2005327566 A JP2005327566 A JP 2005327566A JP 2005327566 A JP2005327566 A JP 2005327566A JP 2006167804 A5 JP2006167804 A5 JP 2006167804A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cut
- laser
- cleaving
- optical system
- condensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 4
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 claims 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (11)
- 被割断部材の表面から被割断部材内部の所定の深度の集光点にレーザ光を集光させて内部加工領域を形成し、前記被割断部材が複数の領域に分離されるように当該被割断部材を割断するレーザ割断方法であって、
前記集光点に複数のパルス化されたレーザ光を集光させて、集光させたパルスの一部を時間的に互いに重ねてパルス列を生成し、重ねた該パルス列の合成時間を変化させることで、所望の大きさの前記内部加工領域を形成することを特徴とするレーザ割断方法。 - 被割断部材の表面から被割断部材内部の所定の深度の集光点にレーザ光を集光させて内部加工領域を形成し、前記被割断部材が複数の領域に分離されるように当該被割断部材を割断するレーザ割断方法であって、
前記集光点に複数のパルス化されたレーザ光を集光させて、集光させたパルスの一部を互いに重ねてパルス列を生成し、重ねた該パルス列の合成時間の変化と各レーザ光束の集光位置の変位との組み合わせを用いることで、所望の大きさの前記内部加工領域を形成することを特徴とするレーザ割断方法。 - 内部加工領域の被割断部材の表面からの深さ方向の大きさを、被割断部材の表面に近い位置にある内部加工領域よりも遠い位置にある内部加工領域の方を大きくすることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ割断方法。
- 被割断部材内部に内部加工領域を形成する前に、被割断部材を割断する際に応力を集中させるための凹部を被割断部材の表面に形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のレーザ割断方法。
- 被割断部材内部に内部加工領域を形成した後に、基板を割断する際に応力を集中させるための凹部を被割断部材の表面に形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のレーザ割断方法。
- 被割断部材に外力を与えることによって内部加工領域と被割断部材の表面の凹部とに至る亀裂が形成されることを特徴とする請求項4または5に記載のレーザ割断方法。
- 内部加工領域を形成するレーザ光の被割断部材への照射位置を被割断部材の表面に沿って相対移動させ、前記内部加工領域を前記被割断部材の表面に沿った方向に形成することを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のレーザ割断方法。
- 被割断部材の表面から所定の深さの集光点にレーザ光を集光させて内部加工領域を形成することで、前記被割断部材をレーザ光によって複数の領域に分離するためのレーザ割断装置であって、
前記集光点に複数のパルス化されたレーザ光を集光する光学系を有し、該光学系により前記集光点に複数のパルス化されたレーザ光束を集光させて生成したパルス列の合成時間を変化させることで、所望の大きさの前記内部加工領域を形成することを特徴とするレーザ割断装置。 - 被割断部材の表面から所定の深さの集光点にレーザ光を集光させて内部加工領域を形成することで、前記被割断部材をレーザ光によって複数の領域に分離するためのレーザ割断装置であって、
前記集光点に複数のパルス化されたレーザ光を集光する光学系を有し、該光学系により前記集光点に複数のパルス化されたレーザ光束を集光させて生成したパルス列の合成時間の変化と各レーザ光束の集光位置の変位との組み合わせを用いることで、所望の大きさの前記内部加工領域を形成することを特徴とするレーザ割断装置。 - 前記光学系がパルス化されたレーザ光の一部をループ状に分岐して循環させるループ光学系を有し、該ループ光学系を通過したレーザ光のパルスが集光点に至る時間と、前記ループ光学系を通過しないレーザ光のパルスが集光点に至る時間と、の間にずれを生じさせることでパルス列の合成時間を変化させることを特徴とする請求項8または9に記載のレーザ割断装置。
- レーザ光の一部をループ状に分岐して循環させるループ光学系を通過したレーザ光の集光位置を、前記ループ光学系を通過しないレーザ光の集光位置とずらすことを特徴とする請求項10に記載のレーザ割断装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005327566A JP4856931B2 (ja) | 2004-11-19 | 2005-11-11 | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004335398 | 2004-11-19 | ||
JP2004335398 | 2004-11-19 | ||
JP2005327566A JP4856931B2 (ja) | 2004-11-19 | 2005-11-11 | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006167804A JP2006167804A (ja) | 2006-06-29 |
JP2006167804A5 true JP2006167804A5 (ja) | 2008-12-25 |
JP4856931B2 JP4856931B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=36669096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005327566A Expired - Fee Related JP4856931B2 (ja) | 2004-11-19 | 2005-11-11 | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4856931B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080028559A (ko) * | 2006-09-27 | 2008-04-01 | 주식회사 이오테크닉스 | 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법 |
JP5154838B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-02-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2010003817A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置 |
WO2010090111A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5446631B2 (ja) | 2009-09-10 | 2014-03-19 | アイシン精機株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US8148239B2 (en) | 2009-12-23 | 2012-04-03 | Intel Corporation | Offset field grid for efficient wafer layout |
JP5479925B2 (ja) | 2010-01-27 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工システム |
JP5479924B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8828873B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8961806B2 (en) | 2010-07-26 | 2015-02-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP5389266B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-01-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 基板加工方法 |
JP5476476B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
EP2599582B1 (en) | 2010-07-26 | 2020-03-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate processing method |
JP5574866B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-08-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2013126682A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP6059059B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5979091B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2016-08-24 | 株式会社デンソー | レーザ加工装置 |
JP6401943B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2018-10-10 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
RU2677574C1 (ru) * | 2015-06-01 | 2019-01-17 | Эвана Текнолоджис, Уаб | Способ лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки с использованием разделенных лазерных лучей |
WO2020090905A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP7120903B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
WO2020090894A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529693A (ja) * | 1990-09-19 | 1993-02-05 | Hitachi Ltd | マルチパルスレーザ発生装置、及びその方法、並びにそのマルチパルスレーザを用いた加工方法 |
JP2848052B2 (ja) * | 1991-09-02 | 1999-01-20 | 株式会社ニコン | レーザ加工装置 |
WO2003008168A1 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Dispositif de rainurage pour substrat constitue de matiere fragile |
JP2004087663A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置及びチップ製造方法 |
JP2005138143A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光線を利用する加工装置 |
-
2005
- 2005-11-11 JP JP2005327566A patent/JP4856931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006167804A5 (ja) | ||
US11253955B2 (en) | Multi-segment focusing lens and the laser processing for wafer dicing or cutting | |
JP6465859B2 (ja) | レーザを用いて平基板から輪郭形状を切り取るための装置及び方法 | |
JP6571085B2 (ja) | 超高速レーザおよびビーム光学系を用いた透明材料の切断 | |
TWI520199B (zh) | 用於以劃線對準之執行中控制而對一實質平面半導體基板劃線之方法及裝置 | |
KR20180061331A (ko) | 투명한 재료의 레이저 가공 방법 및 장치 | |
JP2015516352A5 (ja) | ||
JP2007260773A5 (ja) | ||
JP5832412B2 (ja) | 光学系及びレーザ加工装置 | |
JP2009190069A (ja) | レーザによる透明基板の加工方法および装置 | |
CN109414789A (zh) | 通过基板的结构化使基板与部件接合的方法 | |
JP2016509540A5 (ja) | ||
JP2006114627A5 (ja) | ||
JP2014223677A (ja) | 半導体基板に照射により溝付け加工を行う方法 | |
JP2010510885A5 (ja) | ||
KR101425729B1 (ko) | 피가공물의 가공 방법 및 분할 방법 | |
JP2019532815A5 (ja) | ||
WO2012063348A1 (ja) | レーザ加工方法及び装置 | |
JP6163035B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2004268104A5 (ja) | ||
CN107030377A (zh) | 晶片的加工方法 | |
KR20150130835A (ko) | 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 | |
JP5966468B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2009023194A (ja) | 基板分割方法およびレーザ照射装置 | |
JP2006114786A (ja) | レーザ加工方法 |