KR20080028559A - 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법 - Google Patents

폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080028559A
KR20080028559A KR1020060093962A KR20060093962A KR20080028559A KR 20080028559 A KR20080028559 A KR 20080028559A KR 1020060093962 A KR1020060093962 A KR 1020060093962A KR 20060093962 A KR20060093962 A KR 20060093962A KR 20080028559 A KR20080028559 A KR 20080028559A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
polygon mirror
laser beam
laser
layer
Prior art date
Application number
KR1020060093962A
Other languages
English (en)
Inventor
홍은정
이학용
유태경
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이오테크닉스 filed Critical 주식회사 이오테크닉스
Priority to KR1020060093962A priority Critical patent/KR20080028559A/ko
Priority to EP07116543A priority patent/EP1905531A1/en
Priority to TW096135001A priority patent/TW200818398A/zh
Priority to SG200708346-2A priority patent/SG141357A1/en
Priority to US11/902,602 priority patent/US7713780B2/en
Priority to JP2007248892A priority patent/JP4861280B2/ja
Priority to CNA2007101619998A priority patent/CN101152685A/zh
Publication of KR20080028559A publication Critical patent/KR20080028559A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B23K26/0821—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

가공 대상물의 특성 및 가공 목적에 따라 가공 파라미터를 최적화할 수 있는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법을 제시한다.
본 발명에 의한 대상물 다중 가공 방법은 다중 계층으로 형성된 대상물의 각 계층에 따른 가공 파라미터를 설정하는 단계, 대상물의 가공 영역에 노출된 계층에 대하여 설정된 가공 파라미터에 따라 폴리곤 미러를 이용하여 레이저 가공을 수행하는 단계, 다중 계층으로 형성된 대상물의 모든 계층에 대한 가공이 수행되었는지 확인하는 단계 및 모든 계층에 대한 가공이 완료되지 않은 경우 상기 레이저 가공을 수행하는 단계로 진행하는 단계를 포함하여, 대상물 가공 효율을 증대시킬 수 있고, 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공시 대상물에 크랙이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
폴리곤 미러, 가공, 다중 계층, 파라미터

Description

폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법{Method for Processing Object Using Polygon Mirror}
도 1은 본 발명에 적용되는 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공 장치의 구성도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 대상물 다중 가공 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 대상물 다중 가공 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 4a 및 4b는 도 3에서 설명한 가공 방법에 따라 대상물을 가공한 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 대상물 다중 가공 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 6a 및 6b는 도 5에서 설명한 가공 방법에 따라 대상물을 가공한 예를 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
10 : 폴리곤 미러 11 : 회전축
12 : 반사면 20 : 렌즈
30 : 스테이지 40 : 대상물
410 : 반도체 기판 420, 430 : 활성 영역
본 발명은 레이저를 이용한 대상물 가공 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 가공 대상물의 특성 및 가공 목적에 따라 가공 파라미터를 최적화할 수 있는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼, 금속, 플라스틱 등과 같은 다양한 재료를 이용하여 물질을 제조하기 위해서는 절단, 그루빙 등과 같은 가공 절차가 필요하다. 일 예로, 반도체 제조 공정을 완료한 후에는 웨이퍼 상에 형성된 복수의 칩을 개별적인 칩 단위로 절단하기 위한 공정이 후속된다. 웨이퍼의 절단 공정은 후속 공정에서의 품질 및 생산성에 큰 영향을 미치기 때문에 매우 중요한 의미를 가지며, 현재, 웨이퍼의 절단에는 다이아몬드 블레이드(Blade)를 이용한 기계적 소잉(sawing) 방식이 주로 이용되고 있다.
그러나, 반도체 웨이퍼의 두께가 150㎛ 이하로 얇아지고, 저유전 물질 등이 사용되는 등 구성 물질이 다양해짐에 따라, 칩핑(chipping)이 발생하고 다이 강도가 약해지는 등 기계적 소잉의 한계가 드러나 새로운 절단 방법이 고려되고 있으며, 그 중 레이저를 이용한 절단 방법이 대안으로 연구되어 지고 있다.
그런데, 레이저를 이용하여 가공하는 대상물은 단일 층으로 형성될 수도 있 지만 복수의 층으로 형성될 수도 있으며, 복수의 층으로 형성된 대상물을 동일한 가공 조건으로 가공하게 되면 각 층의 경계 부분에서 들뜸, 폭발 등이 발생하는 문제가 있다.
즉, 각 층마다 고유의 광학적, 물리적, 화학적 성질이 다르기 때문에, 각 층의 성질에 맞게 가공 파라미터를 조정하여 대상물을 가공하여야 하지만, 현재의 레이저 가공 방법은 1-패스(pass)로 진행되기 때문에 각 층의 경계에서 크랙이 발생되고, 심한 경우 칩 영역으로 크랙이 전파되어 수율이 저하된다. 아울러, HAZ(Heat Effected Zone)에 의한 영향이 넓어 다이 강도가 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 다중 계층(Multi-Layer)으로 이루어진 대상물 가공시 각 층마다 가공 파라미터를 변경하여 대상물을 가공하여 가공 효율을 개선할 수 있는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법을 제공하는 데 그 기술적 과제가 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 대상물 가공시 발생하는 크랙의 전파를 효과적으로 방지할 수 있도록 하는 데 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법은 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 각 계층에 따른 가공 파라미터를 설정하는 제 1 단계; 상기 대상물의 가공 영역에 노출된 계층에 대하여 설정된 상기 가공 파라미터에 따라 폴리곤 미러를 이용하여 레이 저 가공을 수행하는 제 2 단계; 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 모든 계층에 대한 가공이 수행되었는지 확인하는 제 3 단계; 및 상기 제 3 단계의 확인 결과, 모든 계층에 대한 가공이 완료되지 않은 경우 상기 제 2 단계로 진행하는 제 4 단계;를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법은 폴리곤 미러를 이용하여 다중 계층으로 형성된 대상물을 레이저 가공하기 위한 방법으로서, 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 가공 영역에 대하여, 가공 영역의 양측 에지 부위를 스크라이빙하는 제 1 단계; 및 상기 폴리곤 미러를 이용하여 상기 가공 영역을 커팅하는 제 2 단계;를 포함한다.
아울러, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법은 상기 폴리곤 미러를 이용하여 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 가공 영역을 커팅하는 제 1 단계; 및 상기 커팅된 대상물의 가공 영역을 힐링하는 제 2 단계;를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명에서는 레이저를 이용한 대상물 가공시 가공 효율을 최대화하기 위해 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공 장치를 이용한다. 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치는 본 발명의 출원인에 의해 2004년 3월 31일자로 대한민국에 출원된 바 있다(출원번호 : 10-2004-0022270). 폴리곤 미러는 각각의 길이가 동일한 복수의 반사면을 구비하고 회전축을 중심으로 회전하는 미러로서, 도 1을 참조하여 설 명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 적용되는 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공 장치의 구성도이다.
도시한 것과 같이, 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치는 복수의 반사면(12)을 가지고 회전축(11)을 중심으로 회전하는 폴리곤 미러(10)와, 폴리곤 미러(10)의 반사면(12)에서 반사되는 레이저 빔을 집광하는 렌즈(20)를 포함한다. 여기에서, 렌즈(20)는 절단하고자 하는 대상물(40, 예를 들어 웨이퍼)이 안착되는 스테이지(30)와 수평하게 설치되어 폴리곤 미러(10)의 반사면(12)에서 반사되는 레이저 빔을 집광한다.
폴리곤 미러(10)의 회전에 따라, 도 1의 (a)에 도시한 것과 같이 레이저 빔이 반사면(12)의 시작부분에 의해 반사되고, 반사된 레이저 빔은 렌즈(20)의 좌측단으로 입사된다. 이에 따라 반사된 레이저 빔은 렌즈(20)에 의해 집광되어 대상물(40)의 해당 위치(S1)에 수직 조사된다.
이어서, 도 1의 (b)에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러가 더 회전하면 반사면(12)의 가운데 부분에서 레이저 빔이 반사되게 되고, 반사된 레이저 빔은 렌즈(20)의 중앙 부분으로 입사되며, 입사된 레이저 빔은 렌즈(20)에서 집광되어 웨이퍼의 해당 위치(S2)에 수직 조사된다.
다음으로, 도 1의 (c)에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러가 더 회전하여 반사면(12)의 끝부분에서 레이저 빔이 반사되면, 반사된 레이저 빔은 렌즈(20)의 우측단으로 입사되고, 입사된 레이저 빔은 렌즈(20)에 의해 집광되어 웨이퍼의 해당 위 치(S3)에 수직 조사된다.
이와 같이, 폴리곤 미러(10)의 회전에 따라 레이저 빔은 대상물(40) 상의 위치 S1으로부터 S3로 조사되고, S1으로부터 S3까지의 거리를 폴리곤 미러(10)의 일 반사면(12)에 의해 가공되는 스캐닝 길이(SL)라 한다. 아울러, 반사면(12)의 시작 부분과 끝부분에서 각각 반사되는 레이저 빔이 형성하는 각도는 스캐닝 각도라 한다.
이상에서 설명한 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치를 이용하게 되면, 대상물을 고정밀도 및 고속으로 가공할 수 있는 이점이 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 대상물 다중 가공 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명에서는 상술한 폴리곤 미러를 레이저 가공 장치를 이용하여 다중 계층으로 형성된 대상물을 가공한다.
이를 위하여, 먼저 대상물의 계층별 가공 파라미터를 설정하는데(S110), 기 설정해 두어야 하는 가공 파라미터는 레이저 출력 전력, 폴리곤 미러의 회전 속도, 대상물이 안착되는 스테이지 이송 속도, 레이저 빔의 조사 주파수, 레이저 빔의 초점 위치 등이 포함될 수 있다.
각 계층별 가공 파라미터를 설정한 후에는, 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치를 구동하여 대상물의 노출된 계층을 가공한다(S120). 가공 부위의 노출된 상위 계층에 대한 가공이 완료되면, 대상물의 모든 계층에 대한 가공이 수행되었는 지 확인하여(S130), 모든 계층에 대한 가공이 완료된 경우에는 공정을 종료하고, 그렇지 않은 경우 즉, 가공할 계층이 남아 있는 경우에는 단계 S120으로 복귀한다.
여기에서, 대상물의 노출된 계층을 가공하는 과정(S120)에 대하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저, 폴리곤 미러를 구동하고(S1210), 대상물이 안착된 스테이지를 이송한다(S1220). 이때 스테이지는 가공 방향과 반대 방향으로 이송하는 것이 바람직하다. 이후, 레이저 빔을 방출하여(S1230), 방출된 레이저 빔의 폴리곤 미러의 반사면에서 반사되어 미러를 통해 대상물에 조사되도록 한다.
이와 같이, 본 발명에서는 다중 계층으로 이루어진 대상물을 가공하는 경우, 각 계층별로 가공 파라미터를 최적화하여 설정해 두고, 각 계층마다 각기 다른 가공 파라미터에 의해 가공이 이루어지도록 함으로써, 계층 경계에서의 들뜸, 폭발이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 대상물 다중 가공 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 실시예에 의한 대상물 가공 방법은 스크라이빙 단계(S210) 및 폴리곤 미러를 이용한 레이저 커팅 단계(S220)를 포함한다.
다중 계층으로 형성된 대상물을 직접 레이저로 가공하는 경우 계층 간의 특성 차이로 인해 크랙(crack)이 발생할 수 있으며, 크랙이 액티브 영역(칩 영역)으로 전파되는 경우 제조 수율이 저하되므로, 레이저 가공을 수행하기 전 가공 영역의 양측 에지 부분을 스크라이빙한 후, 레이저 가공에 의해 커팅하게 되면 크랙 발생률을 감소시킬 수 있다.
도 4a 및 4b는 도 3에서 설명한 가공 방법에 따라 대상물을 가공한 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a에 도시된 것과 같이, 예를 들어 반도체 기판(410) 상에 액티브 영역(420, 430)을 형성한 후, 액티브 영역 간을 분리하기 위한 커팅 공정을 수행하고자 하는 경우, 먼저 스크라이빙 공정에 의해 가공 영역의 에지 부분(A)을 가공한다.
이후, 도4b에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러를 이용하여 가공 영역을 제거한다. 여기에서, 가공 영역의 반도체 기판(410)이 다중 계층으로 형성되어 있는 경우, 도 2에서 설명한 것과 같이 각 계층마다 각기 다르게 설정된 가공 파라미터에 의해 반도체 기판(410)을 가공하는 것이 바람직하다.
아울러, 본 실시예에서 스크라이빙 공정은 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공 장치에 의해 수행할 수 있다.
도시하지 않았지만, 커팅 공정을 수행한 후(S220), 힐링 공정을 수행하게 되면 레이저를 이용한 커팅 공정에서 발생한 크랙을 효과적으로 제거할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 대상물 다중 가공 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
다중 계층으로 형성된 대상물을 레이저 가공하는 경우 가공 부위에 크랙이 발생하여 액티브 영역으로 전파될 수 있으며, 이를 방지하기 위하여 본 실시예에서는 대상물을 커팅한 후(S310) 커팅 부분을 힐링(Healing)한다(S320).
보다 구체적으로 설명하면, 먼저 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치를 이용하여 가공 영역을 커팅한다. 이때 가공 대상물이 다중 계층으로 형성되어 있는 경우, 도 2에 설명한 가공 방법을 이용하여 각 계층마다 각기 다르게 설정된 가공 파라미터에 의해 대상물을 가공하는 것이 바람직하다.
이와 같은 커팅 공정에 의해 가공 부위에 크랙이 발생할 수 있으므로, 힐링 공정을 후속 진행하여 크랙 부분이 다시 접합되도록 함으로써 가공 효율을 증대시키는 것이다.
도 6a 및 6b는 도 5에서 설명한 가공 방법에 따라 대상물을 가공한 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a를 참조하면, 액티브 영역(420, 430)이 형성된 반도체 기판(410)을 폴리곤 미러를 이용하여 레이저 가공하는 경우 기판(410)의 가공 부위에 크랙(B)이 발생한 것을 알 수 있다.
이 경우 도 6b와 같이 힐링 공정을 수행하게 되면 크랙 부분이 접합되게 된다. 예를 들어 실리콘(Si) 기판의 경우 힐링 공정에 의해 기판이 이산화 실리콘(SiO2)로 변화되어 크랙 부분이 접합되고, 이에 따라 크랙이 액티브 영역으로 전파되는 것을 방지할 수 있다.
요약하면, 본 발명은 다중 계층으로 형성된 대상물을 가공하기 전 각 계층마다 가공 파라미터를 각기 다르게 설정해 두고, 각각의 계층을 순차적으로 가공함으로써, 가공 신뢰성을 향상시킬 수 있음은 물론 다이 강도를 향상시킬 수 있다.
아울러, 폴리곤 미러를 이용하여 다중 가공을 수행하기 전 가공 부위의 에지 부분을 스크라이빙해 둠으로써, 레이저 가공시 발생하는 크랙 현상에 대비할 수 있으며, 크랙이 발생한 경우 힐링 공정에 의해 크랙 부분을 접합시켜 크랙이 전파되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 의하면 각기 다른 특성을 갖는 복수의 계층으로 형성된 대상물을 각 계층의 특성에 최적화된 가공 파라미터에 의해 가공함으로써, 대상물 가공 효율을 증대시킬 수 있다.
아울러, 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공시 대상물에 크랙이 발생하는 것을 최소화할 수 있고, 크랙이 발생한 경우에도 힐링 공정에 의해 크랙의 전파를 방지할 수 있어 소자의 생산 수율과 신뢰성을 대폭 향상시킬 수 있다.

Claims (13)

  1. 폴리곤 미러를 이용하여 다중 계층으로 형성된 대상물을 레이저 가공하기 위한 방법으로서,
    상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 각 계층에 따른 가공 파라미터를 설정하는 제 1 단계;
    상기 대상물의 가공 영역에 노출된 계층에 대하여 설정된 상기 가공 파라미터에 따라 폴리곤 미러를 이용하여 레이저 가공을 수행하는 제 2 단계;
    상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 모든 계층에 대한 가공이 수행되었는지 확인하는 제 3 단계; 및
    상기 제 3 단계의 확인 결과, 모든 계층에 대한 가공이 완료되지 않은 경우 상기 제 2 단계로 진행하는 제 4 단계;
    를 포함하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 단계는, 폴리곤 미러를 구동하는 제 2-1 단계;
    상기 대상물이 안착된 스테이지를 이송하는 제 2-2 단계; 및
    레이저 빔을 방출하여, 방출된 레이저 빔이 상기 폴리곤 미러의 반사면에서 반사되어 미러를 통해 상기 대상물의 가공 영역에 조사되도록 하는 제 2-3 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방 법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스테이지는 레이저 빔 조사 방향과 반대 방향으로 이송하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공 파라미터는 레이저 출력 전력, 폴리곤 미러의 회전 속도, 대상물이 안착되는 스테이지 이송 속도, 레이저 빔의 조사 주파수, 레이저 빔의 초점 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  5. 폴리곤 미러를 이용하여 다중 계층으로 형성된 대상물을 레이저 가공하기 위한 방법으로서,
    상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 가공 영역에 대하여, 가공 영역의 양측 에지 부위를 스크라이빙하는 제 1 단계; 및
    상기 폴리곤 미러를 이용하여 상기 가공 영역을 커팅하는 제 2 단계;
    를 포함하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 단계는, 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 각 계층에 따른 가 공 파라미터를 설정하는 제 2-1 단계;
    상기 대상물의 가공 영역에 노출된 계층에 대하여 설정된 상기 가공 파라미터에 따라 폴리곤 미러를 이용하여 레이저 가공을 수행하는 제 2-2 단계;
    상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 모든 계층에 대한 가공이 수행되었는지 확인하는 제 2-3 단계; 및
    상기 제 2-3 단계의 확인 결과, 모든 계층에 대한 가공이 완료되지 않은 경우 상기 제 2-2 단계로 진행하는 제 2-4 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2-2 단계는, 폴리곤 미러를 구동하는 단계;
    상기 대상물이 안착된 스테이지를 이송하는 단계; 및
    레이저 빔을 방출하여, 방출된 레이저 빔이 상기 폴리곤 미러의 반사면에서 반사되어 미러를 통해 상기 대상물의 가공 영역에 조사되도록 하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 가공 파라미터는 레이저 출력 전력, 폴리곤 미러의 회전 속도, 대상물 이 안착되는 스테이지 이송 속도, 레이저 빔의 조사 주파수, 레이저 빔의 초점 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 단계 이후, 상기 가공 영역을 힐링하는 제 3 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  10. 폴리곤 미러를 이용하여 다중 계층으로 형성된 대상물을 레이저 가공하기 위한 방법으로서,
    상기 폴리곤 미러를 이용하여 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 가공 영역을 커팅하는 제 1 단계; 및
    상기 커팅된 대상물의 가공 영역을 힐링하는 제 2 단계;
    를 포함하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 단계는, 상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 각 계층에 따른 가공 파라미터를 설정하는 제 1-1 단계;
    상기 대상물의 가공 영역에 노출된 계층에 대하여 설정된 상기 가공 파라미터에 따라 폴리곤 미러를 이용하여 레이저 가공을 수행하는 제 1-2 단계;
    상기 다중 계층으로 형성된 대상물의 모든 계층에 대한 가공이 수행되었는지 확인하는 제 1-3 단계; 및
    상기 제 1-3 단계의 확인 결과, 모든 계층에 대한 가공이 완료되지 않은 경우 상기 제 1-2 단계로 진행하는 제 1-4 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1-2 단계는, 폴리곤 미러를 구동하는 단계;
    상기 대상물이 안착된 스테이지를 이송하는 단계; 및
    레이저 빔을 방출하여, 방출된 레이저 빔이 상기 폴리곤 미러의 반사면에서 반사되어 미러를 통해 상기 대상물의 가공 영역에 조사되도록 하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 가공 파라미터는 레이저 출력 전력, 폴리곤 미러의 회전 속도, 대상물이 안착되는 스테이지 이송 속도, 레이저 빔의 조사 주파수, 레이저 빔의 초점 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법.
KR1020060093962A 2006-09-27 2006-09-27 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법 KR20080028559A (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060093962A KR20080028559A (ko) 2006-09-27 2006-09-27 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법
EP07116543A EP1905531A1 (en) 2006-09-27 2007-09-17 Method of multi-proccessing object using polygon mirror
TW096135001A TW200818398A (en) 2006-09-27 2007-09-19 Method of multi-processing object using polygon mirror
SG200708346-2A SG141357A1 (en) 2006-09-27 2007-09-20 Method of multi-processing object using polygon mirror
US11/902,602 US7713780B2 (en) 2006-09-27 2007-09-24 Method of multi-processing object using polygon mirror
JP2007248892A JP4861280B2 (ja) 2006-09-27 2007-09-26 ポリゴンミラーを用いた対象物多重加工方法
CNA2007101619998A CN101152685A (zh) 2006-09-27 2007-09-27 利用多面反射镜多重加工物体的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060093962A KR20080028559A (ko) 2006-09-27 2006-09-27 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080028559A true KR20080028559A (ko) 2008-04-01

Family

ID=38881411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060093962A KR20080028559A (ko) 2006-09-27 2006-09-27 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7713780B2 (ko)
EP (1) EP1905531A1 (ko)
JP (1) JP4861280B2 (ko)
KR (1) KR20080028559A (ko)
CN (1) CN101152685A (ko)
SG (1) SG141357A1 (ko)
TW (1) TW200818398A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101010601B1 (ko) * 2008-07-31 2011-01-24 주식회사 이오테크닉스 보조 가스를 이용한 레이저 가공 방법
WO2016060315A1 (ko) * 2014-10-16 2016-04-21 한국생산기술연구원 단방향으로 회전하는 폴리곤미러를 구비하는 입체조형장비의 헤드장치 및 이를 이용하는 조형평면의 스캐닝방법 및 이를 이용하는 입체조형장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011007792A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-25 Robert Bosch Gmbh Laserstrahlschweißvorrichtung und Laserstrahlschweißverfahren
JP5970680B2 (ja) * 2012-11-19 2016-08-17 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド品の製造方法、および樹脂除去装置
JP6997566B2 (ja) * 2017-09-14 2022-01-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3298607B2 (ja) * 1995-09-29 2002-07-02 ソニー株式会社 液晶素子及びその製造方法
WO1999030864A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede et dispositif d'usinage laser, et procede de commande de l'usinage laser
JP2001105164A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ穴あけ加工方法及び加工装置
JP2002346775A (ja) * 2001-05-29 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置及び方法
SG108262A1 (en) * 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
JP2003197561A (ja) 2001-12-25 2003-07-11 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハのダイシング方法
US20030136769A1 (en) * 2002-01-23 2003-07-24 Yue-Yeh Lin Laser ablation technique using in IC etching process
JP2006135355A (ja) * 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP4141809B2 (ja) * 2002-11-15 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法
US6806168B2 (en) 2002-11-27 2004-10-19 Intel Corporation Healing of micro-cracks in an on-chip dielectric
JP4515034B2 (ja) * 2003-02-28 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
GB2402230B (en) * 2003-05-30 2006-05-03 Xsil Technology Ltd Focusing an optical beam to two foci
JP4354262B2 (ja) * 2003-12-08 2009-10-28 株式会社ディスコ レーザー加工された変質層の確認方法
KR100462358B1 (ko) * 2004-03-31 2004-12-17 주식회사 이오테크닉스 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치
KR100603904B1 (ko) 2004-08-03 2006-07-24 주식회사 이오테크닉스 폴리곤 미러를 이용한 다중 레이저 가공장치
KR100462359B1 (ko) * 2004-08-18 2004-12-17 주식회사 이오테크닉스 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치 및 방법
JP2006068786A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Mizuno Technics Kk バットのマーキング方法及び、バット
JP4856931B2 (ja) * 2004-11-19 2012-01-18 キヤノン株式会社 レーザ割断方法およびレーザ割断装置
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101010601B1 (ko) * 2008-07-31 2011-01-24 주식회사 이오테크닉스 보조 가스를 이용한 레이저 가공 방법
WO2016060315A1 (ko) * 2014-10-16 2016-04-21 한국생산기술연구원 단방향으로 회전하는 폴리곤미러를 구비하는 입체조형장비의 헤드장치 및 이를 이용하는 조형평면의 스캐닝방법 및 이를 이용하는 입체조형장치
US10690908B2 (en) 2014-10-16 2020-06-23 Korea Institute Of Industrial Technology Head device of three-dimensional modeling equipment having unidirectionally rotating polygon mirrors, scanning method for modeling plane using same, and three-dimensional modeling device using same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008080401A (ja) 2008-04-10
JP4861280B2 (ja) 2012-01-25
SG141357A1 (en) 2008-04-28
US20080076234A1 (en) 2008-03-27
TW200818398A (en) 2008-04-16
EP1905531A1 (en) 2008-04-02
US7713780B2 (en) 2010-05-11
CN101152685A (zh) 2008-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1631415B1 (en) Focusing an optical beam to two foci
KR102354665B1 (ko) 웨이퍼의 생성 방법
US8609512B2 (en) Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates
KR101771420B1 (ko) 분할 방법
US20060154449A1 (en) Method of laser processing a wafer
WO2007074823A1 (ja) レーザ加工方法及び半導体チップ
WO2006051866A1 (ja) レーザ加工方法及び半導体チップ
JP2016215231A (ja) 脆性基板のスライス装置及び方法
WO2006051861A1 (ja) レーザ加工方法
JP2005294325A (ja) 基板製造方法及び基板製造装置
JP6638514B2 (ja) 脆性基板の切断方法
KR20080028559A (ko) 폴리곤 미러를 이용한 대상물 다중 가공 방법
US6951800B2 (en) Method of making semiconductor device that has improved structural strength
KR100884629B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 방법
JP7277782B2 (ja) 半導体素子の製造方法
KR100862522B1 (ko) 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법
JP7210292B2 (ja) ウエーハの生成方法
CN113634878A (zh) 用于激光切割多层材料的光学系统和方法
KR101621936B1 (ko) 기판 절단 장치 및 방법
KR100843411B1 (ko) 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법
JP2011159827A (ja) 透明基板の改質領域形成方法
KR20230052222A (ko) 기판의 제조 방법
CN114535836A (zh) 晶圆的切割方法
KR20240005584A (ko) 기판의 제조 방법
KR20230165709A (ko) 단결정 실리콘 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080321

Effective date: 20080930