JP2005210103A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜２ｎｄ／ｃを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜４ｎｄ／ｃを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に形成された半導体膜に、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜２ｎｄ／ｃを満たし、
前記ｆθレンズにより前記半導体膜上に結像されたレーザビームは、前記第１のガルバノミラーにより前記半導体膜上を第１の方向に走査され、且つ前記第２のガルバノミラーにより前記半導体膜上において前記第１の方向に直交する第２の方向に走査されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に形成された半導体膜に、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜４ｎｄ／ｃを満たし、
前記ｆθレンズにより前記半導体膜上に結像されたレーザビームは、前記第１のガルバノミラーにより前記半導体膜上を第１の方向に走査され、且つ前記第２のガルバノミラーにより前記半導体膜上において前記第１の方向に直交する第２の方向に走査されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一において、前記レーザビームがシャッターを通過することにより、前記半導体膜のうち、前記レーザビームの照射が必要な部分のみ選択的に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項５において、前記シャッターとして音響光学素子を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項５において、前記シャッターとして電気光学素子を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一において、前記レーザビームを前記半導体膜に対して垂直方向に入射しながら、前記半導体膜に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至８のいずれか一において、前記レーザビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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