JP2010142862A - 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法 - Google Patents

誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010142862A
JP2010142862A JP2008325424A JP2008325424A JP2010142862A JP 2010142862 A JP2010142862 A JP 2010142862A JP 2008325424 A JP2008325424 A JP 2008325424A JP 2008325424 A JP2008325424 A JP 2008325424A JP 2010142862 A JP2010142862 A JP 2010142862A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric material
nano
periodic structure
light beam
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008325424A
Other languages
English (en)
Inventor
Satomi Sumiyoshi
哲実 住吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cyber Laser Inc
Original Assignee
Cyber Laser Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cyber Laser Inc filed Critical Cyber Laser Inc
Priority to JP2008325424A priority Critical patent/JP2010142862A/ja
Publication of JP2010142862A publication Critical patent/JP2010142862A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

【課題】誘電体材料の表面改質のために超微細ナノ周期構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】紫外または可視光である第1の光ビーム5と超短パルスレーザー光である第2の光ビーム16とを被加工物である誘電体材料の表面に同時的に照射する。第1の光ビーム5の照射により誘電体材料表面に自由電子を生成し、さらに第2の光ビーム16照射により、好ましくはプラズモンを生成して、該誘電体材料表面にナノ周期構造を形成する。被加工物は、ガラス、有機ポリマー、セラミック、ダイヤモンドまたは窒化ホウ素などである。さらに、誘電体材料内または表面に金属または半導体を添加すると、表面近傍に自由電子を予め分布させ、プラズモンの生成を効率化できる。超短パルスレーザー光源出力の基本波を第2の光ビーム16、非線形光学素子などによって変換された高調波を第1の光ビーム5とする実施形態も可能である。
【選択図】図1

Description

本発明は、ガラス、ダイヤモンドなどの工具や装飾品等表面性状の改質を図るための誘電体材料表面のナノ周期構造の形成に関し、材料表面の撥水性、光学的反射特性、回折効果による装飾品等の視認性、機能の向上等表面改質による特性向上を図る誘電体材料表面のナノ周期構造形成の方法を提供する。
電子工業において液晶表示装置の表示パネルや携帯電話などフラットパネル表示装置のガラス、自動車の窓ガラス、ダイヤモンド宝石などの表面など超微細な立体構造を付与することで、視認性、超撥水性の光学的、物理的な有用な特性を得ることで製品の表示画像の高品質化、工具の切削性、耐久性の向上などにより製品価値の向上を図る。
従来、3次元金属微細構造体の製造方法において、光を照射する電子供与体を光硬化樹脂に添加した改質樹脂に対して、短パルスレーザー光を照射して2光子吸収微細造形法により3次元微細構造を備えたポリマー構造体を形成し、その表面に無電解めっきを施しポリマー構造体の表面に金属膜を形成する第2工程から3次元金属微細構造体を形成する方法が提示されている(特開2007−253354号公報)。これはレーザー光を照射して樹脂を硬化させる作用を用いるものであるので、予め固形の樹脂に3次元構造を形成するものではない。
樹脂基板表面へ紫外波長レーザー光照射によって選択的に場所を特定して表面改質し、それによって液体の濡れ広がり性を増す方法が提示されている(特開平8−259715号公報)。さらに、表面の特性改質方法として、表面に超短パルスレーザーの偏光方向に応じた微細周期構造を形成することで撥水性を付与する処理を行うことが提示されている(特開2006−231353号公報)。ガラスのレーザー加工方法としてクラックの発生を防止して、レーザービーム照射によりアブレーションを照射部に発生させてクラックの発生を伴わない窪み形成法としてガラスに銀イオンを含有させた基板の加工法が提示されている(特開2003−183053号公報)。
一方プラズモンを用いた高密度の光記録技術として微小金属体を埋め込んだ平坦基板に光を入射し、局所プラズモンを励起して微小体近傍の光電場を増強し、その光を用いることにより、回折限界を超えた微小領域に情報の記録再生を行う方法が提示されている(特開2001−256664号公報)。金属表面のレーザー加工技術の一つに金属表面に、きわめて微細で蜜な凹凸を形成する方法として金属表面にレーザービームを照射し、その照射面において生じる干渉パターンの強度分布に対応した微細凹凸形成する方法が提示されている(特開平7−148583号公報)。
これらの表面改質方法は、表面に樹脂や、樹脂に特殊な添加物を有する樹脂、又は金属など限定された対象物があらかじめ付与されており、そこに短パルスレーザー光を照射して表面改質を施すものである。したがって、1つのレーザー加工システムで加工対象物が誘電性材料、金属材料または半導体材料などに対処して表面改質を施すことには難点がある。
特開2007−253354号公報 特開平8−259715号公報 特開2006−231353号公報 特開2003−183053号公報 特開2001−256664号公報 特開平7−148583号公報
本願発明により解決しようとする課題は、誘電体の表面にレーザー光を照射して表面に超微細ナノ周期構造を形成して表面改質を施すことである。
課題を解決するために、本発明は誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法であって、被加工物である誘電体材料の表面に自由電子を生成するため可視光または紫外波長光である第1の光ビームを該誘電体材料表面に照射し、該自由電子の滞留中に超短パルスレーザー光である第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射することにより、該誘電体材料表面にナノ周期構造を形成することを特徴とする。
また、前記第1の光ビームにより誘電体材料の表明に生成した自由電子が、第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射するときにプラズモンの形成を支援することを特徴とする。
また、前記第1の光ビーム、第2の光ビームのいずれかひとつまたは両方が直線偏光であることを特徴とする。
また、前記第1の光ビームは連続波発振、Qスイッチ発振もしくはモード同期パルス発振から得られるレーザー光またはそれらの波長変換光であり、前記第2の光ビームによるナノ周期構造の形成を支援することを特徴とする。
一方、前記第2の光ビームが超短パルスレーザー光源の出力であり、前記第1の光ビームが該出力の一部を短波長化したパルスビーム光であることを特徴とする。
また、前記被加工物である誘電体は、有機ポリマー、セラミック、ダイヤモンドまたは窒化ホウ素であることを特徴とする。
また、前記被加工物である誘電体材料は内部または表面に金属、半導体または異種の誘電体を添加した誘電体材料であることを特徴とする。さらに、前記金属または半導体を添加する方法は、鍍金法、イオン注入法、化学気相成長、物理気相成長または物理蒸着によることを特徴とする。
また、ナノ周期構造を形成の後で改質材料表面の金属または半導体を除去する工程を有することを特徴とする。さらに、前記、改質材料表面の金属または半導体の除去はエッチングで行うことを特徴とする。
また、形成されるナノ周期構造の周期は1nmから1μmの範囲にあることを特徴とする。
一方、本発明は、ダイヤモンドもしくは窒化ホウ素の刃を備えた工具または装飾用ダイヤモンドであって、上述の方法によって形成された、ナノ周期構造の表面を有することを特徴とする。
本発明のナノ周期構造形成方法では第1の光ビームによる誘電体表面の励起により表面近傍に可視光または紫外光の波長を吸収する表面部分に該波長を有する光の電離作用により自由電子を含んだ層を形成し、そこに超短パルスを照射して、超微細な周期構造を誘電体表面に施すことができる。このため、ダイヤモンドなどの結晶表面にも周期構造を形成できる。
以下、本発明の実施形態を説明する。図1は、本願発明の第1実施形態を実施するナノ周期構造生成用のレーザー照射システムの例である。図1において、超短パルスレーザー発振器1により、超短パルスレーザー光ビームである第2の光ビーム16を放射する。超短パルスとは、100ps以下のパルス幅を有するものとする。超短パルスレーザー発振器1は赤外線波長域の市販のレーザー(たとえば、サイバーレーザー社製モデルIFRIT)を用いることができる。この第2の光ビーム16を偏光方向制御器2で偏光方向を制御し、レーザーパワー減衰器3を通じて、偏光方向とパワーを改質に適する特性の光ビーム18とし、それを表面改質材料12に向けて照射するためのダイクロイックミラー6で反射する。反射された光ビーム8は集光レンズ9で集光されて表面改質材料12の方面に向けて表面改質材料12の表面11に照射される。
また、第1の光ビーム発生器4から放出された第1の光ビーム5は、ダイクロイックミラー6を通過して集光レンズ9で適度に集光されて表面改質材料の表面11に照射される。第1の光ビーム5は、紫外または可視領域の光とすると好適である。また、連続波(CW)発振、Qスイッチ発振またはモード同期パルス発振から得られるレーザー光とすることができる。またはそれらのレーザー光を非線形光学素子に通して得られる、波長変換光としてもよい。光源の配置として、第1の光ビーム発生器4と第2の光ビーム発生器1の相対位置を交換することができる。この場合、ダイクロイックミラー6の光学特性は2つのビームに対して透過、反射性能が逆になる。
改質面積の処理する大きさがレーザー集光スポット10の面積より大きい場合は、表面改質材料12と重畳2波長ビームとを相対的に移動して改質処理する面積を拡大する。改質材料を移動してその上に重畳2波長ビームを照射する場合は、XYテーブル13に表面改質材料12を搭載してXYテーブル13を駆動部14から発生する駆動信号19に応じて位置、速度等が制御されて走査される。
このような装置構成により、図2に示すように、周期20のナノ周期構造の凹凸の溝を有するナノ周期構造形成部分15を表面改質材料12の表面11に形成する。周期構造の形成される縞方向は、照射する超短パルスのレーザー光の偏光方向を調整して照射することで設定できる。レーザーパワーは減衰器3により、改質に適するパワーで改質材料の表面11に照射されるように調整して照射する。
表面改質材料12は誘電体の場合は、ガラス材料、有機ポリマー、セラミック、ダイヤモンドまたは窒化ホウ素のほか結晶体、セラミックス、酸化物塗布層などが例として挙げられる。
有機ポリマー材料においては、特にフッ素系ポリマー、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、エチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)または熱可塑性フッ素ポリマーが好適であり、製品例としては旭硝子社製サイトップ(登録商標)などがあげられる。
必要に応じて誘電体材料内または表面に金属、半導体または異種の誘電体を添加した複合的な誘電体材料とすることができる。
誘電体表面に第1の光ビームと超短パルスレーザー光である第2の光ビームを同時的に照射する場合、誘電体表面にプラズモンの生成を効果的に行わせるために、誘電体内に金属や半導体イオンをドーピングし、第1の光ビーム照射による支援の他に表面近傍に自由電子を予め分布させ、プラズモンの生成を効率化できる。この場合、第1の光ビームの照射は必ずしも必要とはしない。誘電体内部に添加する方法以外に、材料の雰囲気を化学的誘電体材料に金属を添加する方法として、鍍金法、イオン注入法、化学気相成長、物理気相成長または物理蒸着等の半導体又は金属の表面への添加法などを使用することができる。これらの方法で金属や半導体をレーザービームの照射部範囲内に置く場合、プラズモンの生成源である自由電子が第2の光ビーム照射部に豊富に供給され、レーザー光の強電場の下で高密度のプラズモンの発生が可能で、したがって高密度のレーザー光の偏りのあるエネルギー源が表面近傍に分布し、それにより誘電体材料表面にナノ周期構造が形成される。誘電体材料表面にナノ周期構造が形成された後に、表面近傍に金属や半導体が残留することが望ましくない場合は、周期構造を誘電体表面に残したままエッチングなどにより除去できる。
第1の光ビームは改質材料がアブレーションによって加工されない程度のパワーに設定して、改質材料表面に十分な自由電子が生成可能なようにパワーレベルを設定する。超短パルスレーザー光である第2の光ビームのパワーレベルは熱的な変質が材料に誘起されないエネルギーレベルに上限が調整され、あくまでも干渉現象により、超短パルスとプラズモンの間、超短パルスとその自己散乱光の間で、周期的に光強度が増大される部分で非熱加工が行われ、ナノ周期構造を形成されるものである。第1の光ビームは誘電体表面に第2の光ビームの照射と同時に照射すればよいが、少なくとも第2の光ビームの照射時には自由電子が誘電体表面に滞留、残存していることが望ましい。誘電体内に金属や半導体イオンをドーピングしてあるときは、特に制限しない。
第1の光ビーム照射で生成した自由電子は放置する場合、緩和消滅までの短時間だけ寿命を持って存続するので、その存続期間に第2の光ビームを照射すれば、必ずしも第1の光ビームと第2の光ビームとの照射開始時間が同時でなくても2波長の照射の効果は得ることができる。第1の光ビームと第2の光ビームとの照射は空間的に重なり合った部分で改質が十分行うことができる。照射パルスのスポットサイズより大面積を改質する場合は、改質対象の材料の表面を2波長の照射場所を走査して大面積を処理することができる。
改質材料に照射するレーザービームの入射角度は、垂直入射に限定されない、ナノ周期構造の周期20は1nm〜1μmの範囲で入射角度、発振波長、パワーレベル等を変化し、用途に適した改質構造を得ることができる。装飾品として、ナノ周期構造を表面の光学的性質改変に用いる場合は、ナノ周期構造が周期が200nmより大きければ、反射光が回折効果によって分光されるので、その作用を有効に適用して装飾品の美的価値の向上に利用できる。さらに、このナノ周期構造を各種材料に適用すれば、周期構造の溝の方向に直交する面内での観察者に対してだけ読み取りが可能になる視認方向を制限する効果も得られる。
つぎに第2の実施形態を説明する。第1の実施形態では、第1の光ビームと第2の光ビームを別個に供給したが、この実施形態では同一のレーザー光源を用いる。すなわち、第2の光ビームを超短パルスレーザーとし、それを短波長化した成分を第2光ビームとする。短波長化には、高調波を発生する既存の非線形光学結晶を用いることができる。例えば、該超短パルスレーザーの波長を780nm〜1100nmとすると、この基本波を第2の光ビームとし、その第2高調波の390nm〜550nmまたは第3高調波の260nm〜370nmの超短パルスを第1の光ビームに用いることができる。これらの波長は可視領域または紫外領域に属する。
該第2高調波である波長390nm〜550nmの領域を第1の光ビームとして用いると、ガラスなどのワイドギャップ材料の被加工物質に対して好適である。この波長領域はガラスなどのワイドバンドギャップ材料に容易に多光子吸収で固体内にプラズマを生成するので、同時もしくは後続する第2の光ビームである基本波のパルスが作用してナノ周期構造が形成されるためである。
図3は、本願発明の第2実施形態を実施するナノ周期構造生成用のレーザー照射システムの例である。超短パルスを発生するレーザー発振部21における媒体は、波長780〜820nmのチタンサファイア結晶、若しくは1030〜1100nmのイッテルビウム(Yb)をドープした結晶(YAG,KYW)、またはYbをドープしたガラスファイバーが好適である。
レーザー発振部21からの出力ビーム22を波長板(例えば、2分の1波長板)23を用いて偏光面の方向を回転する。さらに、非線形光学結晶からなる波長変換部25において、基本波の波長の2分の1、3分の1、又は4分の1の紫外または可視領域のレーザー光である第1のレーザー光を発生させる。この変換技術は周知の波長変換技術を用いることができるからここでは詳細は省略する。非線形光学結晶の結晶軸方向と変換前のレーザー光の直線偏光面の相対的な関係は高調波発生の変換効率に影響するので、波長板23は変換効率の調整のために設置してある。出力ビーム22は波長変換部25内を通過すると、波長変換されないで通過した基本波成分の第2のレーザー光28と変換された第1のレーザー光29とになる。両者の割合は変換効率によって決められ、適度な比率で混合した2波長レーザー光26が同軸配置で得られる。
この2波長レーザー光26は波長分割フィルタ27によって、第1のレーザー光29と第2のレーザー光28の成分に分岐される。第1のレーザー光29は波長分割フィルタ27によって反射されて波長合成フィルタ37に向けられる。一方、第2のレーザー光28は波長分割フィルタ27を通過して全反射ミラー31、32を有する光路迂回ユニット39を経由し、波長合成フィルタ37に向けられる。光路迂回ユニット39により、第2のレーザー光28は、第1のレーザー光29よりも長い光路を走行するので、光路差走行時間に応じた遅延時間が付与される。光路差を変化することにより、第1のレーザー光照射から第2のレーザー光照射までの遅延時間を変化することができる。第1のレーザー光29と第2のレーザー光28とは波長合成フィルタ37によって合成され、照射用レーザー光38として同軸上に再度配置される。
波長変換部25の出力の時点では2波長レーザー光26の第1のレーザー光29と第2のレーザー光28とは時間的に十分重畳していた。光路差を与えることにより、照射用レーザー光38においては、第1のレーザー光29のパルスが先に全反射ミラー35に主パルス部分が到達し、第2のレーザー光28のパルスは遅延時間遅れて全反射ミラー35に到達する。第1の光ビーム照射で生成した自由電子は放置すると緩和消滅までの短時間だけ寿命を持って存続するので、その存続期間の内に第2の光ビームを照射するような、遅延時間を付与すればよい。また、光路迂回ユニット39を除去し、波長分割フィルタ27及び波長合成フィルタ37を全反射ミラーに代えるなどして、光路差を付与しない構成にすると第1の光ビームと第2の光ビームとを同時に照射することができる。
2波長のレーザー光は空間的に重なって集光レンズ9に入射する。集光レンズ9に入射した以後は、表面改質材料12の方面に向けて表面改質材料12の表面11に照射される。改質面積の処理する大きさがレーザー集光スポット10の面積より大きい場合は、表面改質材料12と2波長レーザー光26とを相対的に移動して改質処理する面積を拡大する。改質材料を移動してその上に2波長レーザー光を照射する場合は、XYテーブル13に表面改質材料12を搭載してXYテーブル13を駆動部14から発生する駆動信号19に応じて位置、速度等が制御されて走査される。
このような装置構成により、第1の実施形態と同様、図2に示される、周期20のナノ周期構造の凹凸の溝を有するナノ周期構造形成部分15が表面改質材料12の表面11に形成される。表面改質材料12である誘電体材料の例、被加工物体に金属、半導体または異種の誘電体を添加することができる点、誘電体内に金属や半導体イオンをドーピングすると、第1の光ビーム照射による支援の他に表面近傍に自由電子を予め分布させ、プラズモンの生成を効率化できる点、第1及び第2光ビームのパワーの設定、及びレーザービームの照射角度など、第1の実施形態に対する記載は本実施形態にも適用される。
本発明のナノ周期構造形成方法によれば、表面改質を施す誘電体の材料表面に第1の光ビームを照射すると同時的に超短パルスの高ピークパワーを備えた第2の光ビームを該材料表面に照射することにより、表面に周期構造のピッチが1nm〜1μmの改質層を形成することが可能である。第1の光ビームを材料表面に照射することで材料表面に自由電子層を形成することでプラズモンの形成を支援し、同時的に照射する超短パルスの高パワー密度の第2の光ビームによって表面にプラズモンを形成し、そこに高エネルギー電場を形成し、その作用で材料表面に超微細な凹凸の周期構造を形成する。
本発明のナノ周期構造形成方法によって周期構造を材料表面に形成することにより、ガラス材料、建築材料、モバイル装置の表示部や装飾部に撥水性、光沢の付与、などの機能を与え、水滴による曇り防止、光学的な反射光干渉作用による着色性、回折による視認性増加などの有用な効果が得られる。
さらに本発明のナノ周期構造形成方法によって表面改質を施したダイヤモンド、窒素化ホウ素などの刃を有する切削工具では、摩擦低減などにより切削速度向上に寄与できる。また、本発明のナノ周期構造形成方法によって表面改質を施した装飾用ダイヤモンド等の結晶材料では、表面の反射機能の変化を起こすことで新たな製品価値の創生がなされる。
本発明の活用例として、液晶表示装置のガラスの表面処理、工具類の表面処理で長寿命化や切削性能向上、装飾用結晶類のマーキング、光学的な輝きを増加する表面処理の実施、各種表面性状の改質で撥水性を付与すること、ガラスの曇り防止などに適用できる。
本願発明の第1実施形態を実施するナノ周期構造生成用レーザー照射システムの例を示す。 本願発明により形成されたナノ周期構造形成部分の例を示す。 本願発明の第2実施形態を実施するナノ周期構造生成用レーザー照射システムの例を示す。
符号の説明
1:超短パルスレーザー発振器
2:偏光方向制御器
3:レーザーパワー減衰器
4:第1の光ビーム発生器
5:第1の光ビーム
6:ダイクロイックミラー
8:第2の光ビーム
9:集光レンズ
10:レーザー集光スポット
11:表面改質材料の表面
12:表面改質材料
13:XYテーブル
14:XYテーブル駆動部
15:ナノ周期構造形成部分
16、18:第2の光ビーム
19:駆動信号
20:ナノ周期構造の周期
21:レーザー発振部
22:レーザー発振部からの出力ビーム
23:波長板
25:波長変換部
26:2波長レーザー光
27:波長分割フィルタ
28:第2のレーザー光
29:第1のレーザー光
31、32:全反射ミラー
35:全反射ミラー
37:波長合成フィルタ
38:照射用レーザー光
39:光路迂回ユニット

Claims (13)

  1. 被加工物である誘電体材料の表面に自由電子を生成するため可視光または紫外波長光である第1の光ビームを該誘電体材料表面に照射し、該自由電子の滞留中に超短パルスレーザー光である第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射することにより、該誘電体材料表面にナノ周期構造を形成することを特徴とした誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  2. 前記第1の光ビームにより誘電体材料の表明に生成した該自由電子が、第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射するときにプラズモンの形成を支援することを特徴とした請求項1記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  3. 前記第1の光ビーム、第2の光ビームのいずれかひとつまたは両方が直線偏光であることを特徴とした請求項1または2に記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  4. 前記第1の光ビームは連続波発振、Qスイッチ発振もしくはモード同期パルス発振から得られるレーザー光またはそれらの波長変換光であり、前記第2の光ビームによるナノ周期構造の形成を支援することを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  5. 前記第2の光ビームが超短パルスレーザー光源の出力であり、前記第1の光ビームが該出力の一部を短波長化したパルスビーム光であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  6. 前記被加工物である誘電体は、有機ポリマー、セラミック、ダイヤモンドまたは窒化ホウ素である、請求項1ないし5の何れか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  7. 前記被加工物である誘電体材料は内部または表面に金属、半導体または異種の誘電体を添加した誘電体材料である、請求項1ないし6のいずれか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  8. 前記金属または半導体を添加する方法は、鍍金法、イオン注入法、化学気相成長、物理気相成長または物理蒸着による、請求項7記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  9. ナノ周期構造を形成の後で改質材料表面の金属または半導体を除去する工程を有する請求項7または8記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  10. 前記、改質材料表面の金属または半導体の除去はエッチングで行う、請求項9記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  11. 形成されるナノ周期構造の周期は1nmから1μmの範囲にある、請求項1ないし10の何れか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
  12. 請求項1ないし11のいずれか1項記載の方法により形成されたナノ周期構造の表面を有するダイヤモンドまたは窒化ホウ素の刃を備えた工具。
  13. 請求項1ないし11のいずれか1項記載の方法により形成されたナノ周期構造の表面を有する装飾用ダイヤモンド。
JP2008325424A 2008-12-22 2008-12-22 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法 Pending JP2010142862A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008325424A JP2010142862A (ja) 2008-12-22 2008-12-22 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008325424A JP2010142862A (ja) 2008-12-22 2008-12-22 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010142862A true JP2010142862A (ja) 2010-07-01

Family

ID=42563833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008325424A Pending JP2010142862A (ja) 2008-12-22 2008-12-22 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010142862A (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011152578A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Utsunomiya Univ レーザ加工装置
JP2012240082A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Disco Corp レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2013539911A (ja) * 2010-09-21 2013-10-28 中国科学院理化技術研究所 レーザマイクロ・ナノ加工システム及び方法
WO2014017655A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 デクセリアルズ株式会社 微細加工方法
DE102012025294A1 (de) * 2012-12-28 2014-07-03 Laser Zentrum Hannover E.V. Verfahren zum Erzeugen von Strukturen auf einer Oberfläche eines Werkstücks
JP2015013786A (ja) * 2012-07-26 2015-01-22 デクセリアルズ株式会社 微細加工方法
JP2015024938A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 デクセリアルズ株式会社 微細加工方法
CN104487394A (zh) * 2012-07-26 2015-04-01 迪睿合电子材料有限公司 精细加工方法
JP2015533654A (ja) * 2012-09-24 2015-11-26 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド ワークピースを加工するための方法及び装置
WO2015189645A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 The Science And Technology Facilities Council Apparatus and methods relating to reduced photoelectron yield and/or secondary electron yield
CN105655865A (zh) * 2016-01-13 2016-06-08 山西大学 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置
US9828278B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
JP2018149571A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2018149572A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018149573A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018149574A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2019042812A (ja) * 2018-10-30 2019-03-22 デクセリアルズ株式会社 微細構造体及びその製造方法、並びに微細構造体製造用組成物
CN110171801A (zh) * 2019-05-15 2019-08-27 浙江大学 玻璃与晶体交替排列的自组织周期性微纳结构的制备方法
CN112355483A (zh) * 2020-10-30 2021-02-12 北京理工大学 一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195437A (ja) * 1993-10-15 1996-07-30 Texas Instr Inc <Ti> 線間容量低減用の平坦化構造
JP2002289604A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Japan Science & Technology Corp 回路基板とその製造方法
JP2002289618A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 成膜方法及び成膜装置
JP2002299519A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 複合セラミック基板
JP2003318258A (ja) * 2002-04-17 2003-11-07 Samsung Electronics Co Ltd 低誘電率絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法
JP2006212646A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Canon Machinery Inc 周期構造作成方法
JP2008004615A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Ebara Corp 配線形成方法及び配線形成装置
JP2008272794A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Cyber Laser Kk レーザによる加工方法およびレーザ加工装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195437A (ja) * 1993-10-15 1996-07-30 Texas Instr Inc <Ti> 線間容量低減用の平坦化構造
JP2002289604A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Japan Science & Technology Corp 回路基板とその製造方法
JP2002289618A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 成膜方法及び成膜装置
JP2002299519A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 複合セラミック基板
JP2003318258A (ja) * 2002-04-17 2003-11-07 Samsung Electronics Co Ltd 低誘電率絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法
JP2006212646A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Canon Machinery Inc 周期構造作成方法
JP2008004615A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Ebara Corp 配線形成方法及び配線形成装置
JP2008272794A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Cyber Laser Kk レーザによる加工方法およびレーザ加工装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011152578A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Utsunomiya Univ レーザ加工装置
JP2013539911A (ja) * 2010-09-21 2013-10-28 中国科学院理化技術研究所 レーザマイクロ・ナノ加工システム及び方法
JP2012240082A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Disco Corp レーザー加工方法およびレーザー加工装置
US9193008B2 (en) 2011-05-19 2015-11-24 Disco Corporation Laser processing method and laser processing apparatus
US9828278B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
WO2014017655A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 デクセリアルズ株式会社 微細加工方法
JP2015013786A (ja) * 2012-07-26 2015-01-22 デクセリアルズ株式会社 微細加工方法
CN104487394A (zh) * 2012-07-26 2015-04-01 迪睿合电子材料有限公司 精细加工方法
US11242284B2 (en) 2012-07-26 2022-02-08 Dexerials Corporation Microfabrication method
JP2015533654A (ja) * 2012-09-24 2015-11-26 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド ワークピースを加工するための方法及び装置
US10357850B2 (en) 2012-09-24 2019-07-23 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for machining a workpiece
EP2897760A4 (en) * 2012-09-24 2016-07-20 Electro Scient Ind Inc METHOD AND APPARATUS FOR WORK MACHINING
TWI611856B (zh) * 2012-09-24 2018-01-21 伊雷克托科學工業股份有限公司 雷射加工的方法、雷射加工的製品和雷射加工的裝置
DE102012025294A1 (de) * 2012-12-28 2014-07-03 Laser Zentrum Hannover E.V. Verfahren zum Erzeugen von Strukturen auf einer Oberfläche eines Werkstücks
JP2015024938A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 デクセリアルズ株式会社 微細加工方法
WO2015189645A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 The Science And Technology Facilities Council Apparatus and methods relating to reduced photoelectron yield and/or secondary electron yield
CN105655865B (zh) * 2016-01-13 2018-10-16 山西大学 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置
CN105655865A (zh) * 2016-01-13 2016-06-08 山西大学 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置
JP2018149571A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2018149572A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018149573A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2018149574A (ja) * 2017-03-13 2018-09-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2019042812A (ja) * 2018-10-30 2019-03-22 デクセリアルズ株式会社 微細構造体及びその製造方法、並びに微細構造体製造用組成物
CN110171801A (zh) * 2019-05-15 2019-08-27 浙江大学 玻璃与晶体交替排列的自组织周期性微纳结构的制备方法
CN110171801B (zh) * 2019-05-15 2022-01-07 浙江大学 玻璃与晶体交替排列的自组织周期性微纳结构的制备方法
CN112355483A (zh) * 2020-10-30 2021-02-12 北京理工大学 一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法
CN112355483B (zh) * 2020-10-30 2021-08-24 北京理工大学 一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010142862A (ja) 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法
Lei et al. Ultrafast laser applications in manufacturing processes: A state-of-the-art review
Tsukamoto et al. Periodic microstructures produced by femtosecond laser irradiation on titanium plate
US20210053160A1 (en) Method and System for Ultrafast Laser-based Material Removal, Figuring and Polishing
TW201026420A (en) Method and apparatus for forming grooves in the surface of a polymer layer
JP5905274B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法
US11482826B2 (en) Optical processing apparatus, optical processing method, and optically-processed product production method
CN104625416B (zh) 基于方孔辅助电子动态调控晶硅表面周期性微纳结构方法
CA2604641A1 (en) Method for finely polishing/structuring thermosensitive dielectric materials by a laser beam
JP2005132694A (ja) ガラスの切断方法
Liu et al. Optical quality laser polishing of CVD diamond by UV pulsed laser irradiation
JP2008126283A (ja) 微細構造体の製造方法、露光方法
JP2011091322A (ja) レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置
KR100636852B1 (ko) 모드라킹된 자외선 레이저를 이용한 유리기판의 스크라이빙방법 및 절단 방법
He et al. Controlling periodic ripple microstructure formation on 4H-SiC crystal with three time-delayed femtosecond laser beams of different linear polarizations
KR100723935B1 (ko) 레이저 패턴 가공 장치
Deladurantaye et al. Material micromachining using a pulsed fiber laser platform with fine temporal nanosecond pulse shaping capability
JP4781941B2 (ja) レーザによる表面微細構造形成方法
JP2007012733A (ja) 基板の分割方法
Butkus et al. Micromachining of transparent, semiconducting and metallic substrates using femtosecond laser beams
KR20240123798A (ko) 기판 절단 및 쪼개기를 위한 기판 준비
Wu et al. Nano-periodic structure formation on titanium thin film with a Femtosecond laser
Lan et al. Laser precision engineering of glass substrates
KR101243269B1 (ko) 레이저 가공 시스템 및 이를 이용한 레이저 가공 방법
WO2018010707A1 (en) Method and system of ultrafast laser writing of highly-regular periodic structures

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130326

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130520

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130716