JP2010142862A - 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】紫外または可視光である第1の光ビーム5と超短パルスレーザー光である第2の光ビーム16とを被加工物である誘電体材料の表面に同時的に照射する。第1の光ビーム5の照射により誘電体材料表面に自由電子を生成し、さらに第2の光ビーム16照射により、好ましくはプラズモンを生成して、該誘電体材料表面にナノ周期構造を形成する。被加工物は、ガラス、有機ポリマー、セラミック、ダイヤモンドまたは窒化ホウ素などである。さらに、誘電体材料内または表面に金属または半導体を添加すると、表面近傍に自由電子を予め分布させ、プラズモンの生成を効率化できる。超短パルスレーザー光源出力の基本波を第2の光ビーム16、非線形光学素子などによって変換された高調波を第1の光ビーム5とする実施形態も可能である。
【選択図】図1
Description
また、前記第1の光ビームにより誘電体材料の表明に生成した自由電子が、第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射するときにプラズモンの形成を支援することを特徴とする。
また、前記第1の光ビーム、第2の光ビームのいずれかひとつまたは両方が直線偏光であることを特徴とする。
一方、前記第2の光ビームが超短パルスレーザー光源の出力であり、前記第1の光ビームが該出力の一部を短波長化したパルスビーム光であることを特徴とする。
また、前記被加工物である誘電体材料は内部または表面に金属、半導体または異種の誘電体を添加した誘電体材料であることを特徴とする。さらに、前記金属または半導体を添加する方法は、鍍金法、イオン注入法、化学気相成長、物理気相成長または物理蒸着によることを特徴とする。
また、ナノ周期構造を形成の後で改質材料表面の金属または半導体を除去する工程を有することを特徴とする。さらに、前記、改質材料表面の金属または半導体の除去はエッチングで行うことを特徴とする。
有機ポリマー材料においては、特にフッ素系ポリマー、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、エチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)または熱可塑性フッ素ポリマーが好適であり、製品例としては旭硝子社製サイトップ(登録商標)などがあげられる。
2:偏光方向制御器
3:レーザーパワー減衰器
4:第1の光ビーム発生器
5:第1の光ビーム
6:ダイクロイックミラー
8:第2の光ビーム
9:集光レンズ
10:レーザー集光スポット
11:表面改質材料の表面
12:表面改質材料
13:XYテーブル
14:XYテーブル駆動部
15:ナノ周期構造形成部分
16、18:第2の光ビーム
19:駆動信号
20:ナノ周期構造の周期
21:レーザー発振部
22:レーザー発振部からの出力ビーム
23:波長板
25:波長変換部
26:2波長レーザー光
27:波長分割フィルタ
28:第2のレーザー光
29:第1のレーザー光
31、32:全反射ミラー
35:全反射ミラー
37:波長合成フィルタ
38:照射用レーザー光
39:光路迂回ユニット
Claims (13)
- 被加工物である誘電体材料の表面に自由電子を生成するため可視光または紫外波長光である第1の光ビームを該誘電体材料表面に照射し、該自由電子の滞留中に超短パルスレーザー光である第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射することにより、該誘電体材料表面にナノ周期構造を形成することを特徴とした誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記第1の光ビームにより誘電体材料の表明に生成した該自由電子が、第2の光ビームを該誘電体材料表面に照射するときにプラズモンの形成を支援することを特徴とした請求項1記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記第1の光ビーム、第2の光ビームのいずれかひとつまたは両方が直線偏光であることを特徴とした請求項1または2に記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記第1の光ビームは連続波発振、Qスイッチ発振もしくはモード同期パルス発振から得られるレーザー光またはそれらの波長変換光であり、前記第2の光ビームによるナノ周期構造の形成を支援することを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記第2の光ビームが超短パルスレーザー光源の出力であり、前記第1の光ビームが該出力の一部を短波長化したパルスビーム光であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記被加工物である誘電体は、有機ポリマー、セラミック、ダイヤモンドまたは窒化ホウ素である、請求項1ないし5の何れか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記被加工物である誘電体材料は内部または表面に金属、半導体または異種の誘電体を添加した誘電体材料である、請求項1ないし6のいずれか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記金属または半導体を添加する方法は、鍍金法、イオン注入法、化学気相成長、物理気相成長または物理蒸着による、請求項7記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- ナノ周期構造を形成の後で改質材料表面の金属または半導体を除去する工程を有する請求項7または8記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 前記、改質材料表面の金属または半導体の除去はエッチングで行う、請求項9記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 形成されるナノ周期構造の周期は1nmから1μmの範囲にある、請求項1ないし10の何れか1項記載の誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法。
- 請求項1ないし11のいずれか1項記載の方法により形成されたナノ周期構造の表面を有するダイヤモンドまたは窒化ホウ素の刃を備えた工具。
- 請求項1ないし11のいずれか1項記載の方法により形成されたナノ周期構造の表面を有する装飾用ダイヤモンド。
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---|---|
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011152578A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Utsunomiya Univ | レーザ加工装置 |
JP2012240082A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Disco Corp | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2013539911A (ja) * | 2010-09-21 | 2013-10-28 | 中国科学院理化技術研究所 | レーザマイクロ・ナノ加工システム及び方法 |
WO2014017655A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | デクセリアルズ株式会社 | 微細加工方法 |
DE102012025294A1 (de) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Laser Zentrum Hannover E.V. | Verfahren zum Erzeugen von Strukturen auf einer Oberfläche eines Werkstücks |
JP2015013786A (ja) * | 2012-07-26 | 2015-01-22 | デクセリアルズ株式会社 | 微細加工方法 |
JP2015024938A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | デクセリアルズ株式会社 | 微細加工方法 |
CN104487394A (zh) * | 2012-07-26 | 2015-04-01 | 迪睿合电子材料有限公司 | 精细加工方法 |
JP2015533654A (ja) * | 2012-09-24 | 2015-11-26 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | ワークピースを加工するための方法及び装置 |
WO2015189645A1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | The Science And Technology Facilities Council | Apparatus and methods relating to reduced photoelectron yield and/or secondary electron yield |
CN105655865A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-08 | 山西大学 | 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置 |
US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
JP2018149571A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2018149572A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2018149573A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2018149574A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2019042812A (ja) * | 2018-10-30 | 2019-03-22 | デクセリアルズ株式会社 | 微細構造体及びその製造方法、並びに微細構造体製造用組成物 |
CN110171801A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-27 | 浙江大学 | 玻璃与晶体交替排列的自组织周期性微纳结构的制备方法 |
CN112355483A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-12 | 北京理工大学 | 一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195437A (ja) * | 1993-10-15 | 1996-07-30 | Texas Instr Inc <Ti> | 線間容量低減用の平坦化構造 |
JP2002289604A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Japan Science & Technology Corp | 回路基板とその製造方法 |
JP2002289618A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2002299519A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 複合セラミック基板 |
JP2003318258A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法 |
JP2006212646A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Canon Machinery Inc | 周期構造作成方法 |
JP2008004615A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Ebara Corp | 配線形成方法及び配線形成装置 |
JP2008272794A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Cyber Laser Kk | レーザによる加工方法およびレーザ加工装置 |
-
2008
- 2008-12-22 JP JP2008325424A patent/JP2010142862A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195437A (ja) * | 1993-10-15 | 1996-07-30 | Texas Instr Inc <Ti> | 線間容量低減用の平坦化構造 |
JP2002289604A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Japan Science & Technology Corp | 回路基板とその製造方法 |
JP2002289618A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2002299519A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 複合セラミック基板 |
JP2003318258A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を利用したデュアルダマシン配線の形成方法 |
JP2006212646A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Canon Machinery Inc | 周期構造作成方法 |
JP2008004615A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Ebara Corp | 配線形成方法及び配線形成装置 |
JP2008272794A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Cyber Laser Kk | レーザによる加工方法およびレーザ加工装置 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011152578A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Utsunomiya Univ | レーザ加工装置 |
JP2013539911A (ja) * | 2010-09-21 | 2013-10-28 | 中国科学院理化技術研究所 | レーザマイクロ・ナノ加工システム及び方法 |
JP2012240082A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Disco Corp | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
US9193008B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-11-24 | Disco Corporation | Laser processing method and laser processing apparatus |
US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
WO2014017655A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | デクセリアルズ株式会社 | 微細加工方法 |
JP2015013786A (ja) * | 2012-07-26 | 2015-01-22 | デクセリアルズ株式会社 | 微細加工方法 |
CN104487394A (zh) * | 2012-07-26 | 2015-04-01 | 迪睿合电子材料有限公司 | 精细加工方法 |
US11242284B2 (en) | 2012-07-26 | 2022-02-08 | Dexerials Corporation | Microfabrication method |
JP2015533654A (ja) * | 2012-09-24 | 2015-11-26 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | ワークピースを加工するための方法及び装置 |
US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
EP2897760A4 (en) * | 2012-09-24 | 2016-07-20 | Electro Scient Ind Inc | METHOD AND APPARATUS FOR WORK MACHINING |
TWI611856B (zh) * | 2012-09-24 | 2018-01-21 | 伊雷克托科學工業股份有限公司 | 雷射加工的方法、雷射加工的製品和雷射加工的裝置 |
DE102012025294A1 (de) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Laser Zentrum Hannover E.V. | Verfahren zum Erzeugen von Strukturen auf einer Oberfläche eines Werkstücks |
JP2015024938A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | デクセリアルズ株式会社 | 微細加工方法 |
WO2015189645A1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | The Science And Technology Facilities Council | Apparatus and methods relating to reduced photoelectron yield and/or secondary electron yield |
CN105655865B (zh) * | 2016-01-13 | 2018-10-16 | 山西大学 | 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置 |
CN105655865A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-08 | 山西大学 | 脉冲激光照射单层二硫化钼实现光学改性的方法及装置 |
JP2018149571A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2018149572A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2018149573A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2018149574A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2019042812A (ja) * | 2018-10-30 | 2019-03-22 | デクセリアルズ株式会社 | 微細構造体及びその製造方法、並びに微細構造体製造用組成物 |
CN110171801A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-27 | 浙江大学 | 玻璃与晶体交替排列的自组织周期性微纳结构的制备方法 |
CN110171801B (zh) * | 2019-05-15 | 2022-01-07 | 浙江大学 | 玻璃与晶体交替排列的自组织周期性微纳结构的制备方法 |
CN112355483A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-12 | 北京理工大学 | 一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法 |
CN112355483B (zh) * | 2020-10-30 | 2021-08-24 | 北京理工大学 | 一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法 |
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