JP2008264854A - ビーム照射装置、及び、ビーム照射方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1経路に沿い第1ビームを出射し、第2経路に沿い第2ビームを出射するレーザ光源と、被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、第1経路に沿い伝播する第1ビームと、第2経路に沿い伝播する第2ビームとが、共通の第3経路に沿い伝播するように第1及び第2ビームを重畳させるビーム重畳器と、第1経路上に配置され、第3経路上の第1仮想面で第1ビームの断面内の光強度分布を均一に近づける第1光学系と、第2経路上に配置され、第1仮想面で第2ビームの断面が、第1ビームの断面よりも大きく、かつ第1ビームの断面を内部に含むように断面を整形するとともに、第1仮想面での断面内の光強度分布を均一に近づける第2光学系と、第1仮想面の第1及び第2ビームの断面を、被加工面上に結像させる第1結像光学系とを有し、第1仮想面上での第2ビームのパワー密度が、第1ビームのパワー密度よりも低いビーム照射装置を提供する。
【選択図】 図3
Description
11 シャッタ
12 EOM
13 偏光ビームスプリッタ
14a〜14e 折り返しミラー
15a、15b ハーフミラー
16a〜16d バリアブルアッテネータ
17a〜17d 集光レンズ
18a〜18d レンズ移動機構
19a〜19d ガルバノスキャナ
20 制御装置
20a 記憶装置
21 ステージ
22 加工基板
30、30a、30b、31a〜31d レーザビーム
33、33a、33b レーザ光源
34a、34b バリアブルアッテネータ
35a、35b エキスパンダ
36a、36b アパチャ
37a、37b DOE
38、38a 折り返しミラー
39、39a、39b ポーラライザ
40 仮想平面
41 結像光学系
41a レンズ移動機構
42 ガルバノスキャナ
43 ステージ
44 制御装置
45 半波長板
46、46a、46b パルスレーザビーム
47 ダイクロイックミラー
48 パネル
49、49a〜49c パルスレーザビーム
50 パネル
51 ガラス基板
52 カラーフィルタ
53 ITO膜
54 レーザビーム
55 小パネル
56 バリ
56a、56b マスク
57 付着物
57a、57b 結像レンズ
58 半波長板
59 パネル
60、70、80、90 加工領域
60a〜93c 小エリア
94 PET基板
101〜106 矢印
Claims (10)
- 第1の経路に沿って第1のレーザビームを出射し、該第1の経路とは異なる第2の経路に沿って第2のレーザビームを出射するレーザ光源と、
被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、
前記第1の経路に沿って伝播する第1のレーザビームと、前記第2の経路に沿って伝播する第2のレーザビームとが、共通の第3の経路に沿って伝播するように第1及び第2のレーザビームを重畳させるビーム重畳器と、
前記第1の経路上に配置され、前記第3の経路上の第1の仮想平面の位置において前記第1のレーザビームのビーム断面内の光強度分布を均一に近づける第1の光学系と、
前記第2の経路上に配置され、前記第1の仮想平面の位置において前記第2のレーザビームのビーム断面が、前記第1のレーザビームのビーム断面よりも大きく、かつ該第1のレーザビームのビーム断面を内部に含むようにビーム断面を整形するとともに、該第1の仮想平面におけるビーム断面内の光強度分布を均一に近づける第2の光学系と、
前記第1の仮想平面の位置の、前記第1及び第2のレーザビームのビーム断面を、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面上に結像させる第1の結像光学系と
を有し、
前記第1の仮想平面上における前記第2のレーザビームのパワー密度が、前記第1のレーザビームのパワー密度よりも低いビーム照射装置。 - 第1の経路に沿って第1のレーザビームを出射し、該第1の経路とは異なる第2の経路に沿って第2のレーザビームを出射するレーザ光源と、
被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、
前記第1の経路に沿って伝播する第1のレーザビームと、前記第2の経路に沿って伝播する第2のレーザビームとが、共通の第3の経路に沿って伝播するように第1及び第2のレーザビームを重畳させるビーム重畳器と、
前記第1の経路上に配置され、該第1の経路上の第2の仮想平面の位置において前記第1のレーザビームのビーム断面内の光強度分布を均一に近づける第2の光学系と、
前記第2の経路上に配置され、該第2の経路上の第3の仮想平面の位置において前記第2のレーザビームのビーム断面内の光強度分布を均一に近づける第3の光学系と、
前記第2の仮想平面の位置の前記第1のレーザビームのビーム断面を、前記第3の経路上の第1の仮想平面の位置に結像させる第2の結像光学系と、
前記第3の仮想平面の位置の前記第2のレーザビームのビーム断面を、前記第1の仮想平面の位置において、該第2のレーザビームのビーム断面が前記第1のレーザビームのビーム断面を内側に含むように結像させる第3の結像光学系と、
前記第1の仮想平面の位置の前記第1及び第2のレーザビームのビーム断面を、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面上に結像させる第1の結像光学系と
を有し、
前記第1の仮想平面の位置における前記第2のレーザビームのパワー密度が、前記第1のレーザビームのパワー密度よりも低いビーム照射装置。 - 第1の経路に沿って第1のレーザビームを出射し、該第1の経路とは異なる第2の経路に沿って第2のレーザビームを出射するレーザ光源と、
被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、
前記第1の経路に沿って伝播する第1のレーザビームと、前記第2の経路に沿って伝播する第2のレーザビームとが、共通の第3の経路に沿って伝播するように第1及び第2のレーザビームを重畳させるビーム重畳器と、
前記第1の経路上に配置され、該第1の経路上の第2の仮想平面の位置において前記第1のレーザビームのビーム断面内の光強度分布を均一に近づける第2の光学系と、
前記第2の経路上に配置され、該第2の経路上の第3の仮想平面の位置において前記第2のレーザビームのビーム断面内の光強度分布を均一に近づける第3の光学系と、
前記第3の経路上に配置され、前記第2の仮想平面の位置の前記第1のレーザビームのビーム断面、及び前記第3の仮想平面の位置の前記第2のレーザビームのビーム断面を、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面上に結像させる第1の結像光学系と
を有し、
前記第3の仮想平面の位置における前記第2のレーザビームのパワー密度が、前記第2の仮想平面の位置における前記第1のレーザビームのパワー密度よりも低いビーム照射装置。 - 前記第1及び第2のレーザビームがパルスレーザビームであり、
さらに、前記ステージに保持された加工対象物に、前記第1のレーザビームが入射を開始した後に、前記第2のレーザビームが入射を開始するように前記レーザ光源を制御する制御装置を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載のビーム照射装置。 - 前記第2のレーザビームの波長が前記第1のレーザビームの波長よりも短い請求項1〜4のいずれか1項に記載のビーム照射装置。
- 前記第1及び第2のレーザビームがパルスレーザビームであり、前記第2のレーザビームのパルス幅が前記第1のレーザビームのパルス幅よりも短い請求項1〜5のいずれか1項に記載のビーム照射装置。
- 請求項1〜6のビーム照射装置を用いて、樹脂上に形成された薄膜金属を除去する工程を含み、
前記第1及び第2のパルスレーザビームが、ともに固体レーザの4倍高調波であり、20ns以下の等しいパルス幅をもつパルスレーザビームであるビーム照射方法。 - 請求項1〜6のビーム照射装置を用いて、カラーフィルタ上に形成された厚さ0.2μm以下の透明導電膜を除去する工程を含み、
前記第1及び第2のパルスレーザビームが、ともに全固体レーザの4倍高調波であり、20ns以下の等しいパルス幅をもつパルスレーザビームであるビーム照射方法。 - 請求項1〜6のビーム照射装置を用いて、ガラス基板上に形成された厚さ0.2μm以下の透明導電膜を除去する工程を含み、
前記第1及び第2のパルスレーザビームが、全固体レーザの基本波及び2倍〜4倍高調波のいずれかであり、前記第2のパルスレーザビームは前記第1のパルスレーザビームと同次、または前記第1のパルスレーザビームよりも高次の基本波または高調波であって、前記第1のパルスレーザビームのパルス幅は20ns以上、前記第2のパルスレーザビームのパルス幅は20ns以下であるビーム照射方法。 - 請求項1〜6のビーム照射装置を用いて、PET基板上に形成された厚さ0.2μm以下の透明導電膜を除去する工程を含み、
前記第1及び第2のパルスレーザビームが、全固体レーザの2倍高調波または3倍高調波であり、前記第2のパルスレーザビームは前記第1のパルスレーザビームと同次、または前記第1のパルスレーザビームよりも高次の高調波であって、前記第1のパルスレーザビームのパルス幅は20ns以上、前記第2のパルスレーザビームのパルス幅は20ns以下であるビーム照射方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011067865A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-04-07 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法 |
JP2013091074A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP2013121603A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-06-20 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
WO2014119779A1 (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザリペア装置 |
JP2016516226A (ja) * | 2013-02-21 | 2016-06-02 | エム−ソルヴ・リミテッド | 静電容量式タッチセンサの電極構造を形成する方法 |
JP2016123981A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | パナソニック デバイスSunx株式会社 | レーザ加工装置の設定装置、これを備えるレーザ加工装置、および、レーザ加工装置の設定プログラム |
CN106925887A (zh) * | 2015-12-24 | 2017-07-07 | 丰田自动车株式会社 | 激光焊接装置 |
US10421157B2 (en) | 2013-02-21 | 2019-09-24 | M-Solv Ltd. | Method for forming an electrode structure for a capacitive touch sensor |
WO2020189897A1 (ko) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 에이피시스템 주식회사 | 멀티 빔 가공방법 및 멀티 빔 가공장치 |
JP2020184625A (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011067865A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-04-07 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法 |
JP2013091074A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP2013121603A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-06-20 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
WO2014119779A1 (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザリペア装置 |
JP2014153371A (ja) * | 2013-02-04 | 2014-08-25 | V Technology Co Ltd | レーザリペア装置 |
TWI656933B (zh) * | 2013-02-21 | 2019-04-21 | 英商萬佳雷射有限公司 | 形成用於電容觸控感測器之電極結構之方法及執行該方法之設備 |
US10203817B2 (en) | 2013-02-21 | 2019-02-12 | M-Solv Ltd. | Method for forming an electrode structure for a capacitive touch sensor |
JP2016516226A (ja) * | 2013-02-21 | 2016-06-02 | エム−ソルヴ・リミテッド | 静電容量式タッチセンサの電極構造を形成する方法 |
US10421157B2 (en) | 2013-02-21 | 2019-09-24 | M-Solv Ltd. | Method for forming an electrode structure for a capacitive touch sensor |
JP2016123981A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | パナソニック デバイスSunx株式会社 | レーザ加工装置の設定装置、これを備えるレーザ加工装置、および、レーザ加工装置の設定プログラム |
CN106925887A (zh) * | 2015-12-24 | 2017-07-07 | 丰田自动车株式会社 | 激光焊接装置 |
WO2020189897A1 (ko) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 에이피시스템 주식회사 | 멀티 빔 가공방법 및 멀티 빔 가공장치 |
JP2020184625A (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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