JP2008238261A - ビーム照射装置、及び、ビーム照射方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 高品質の加工を行う。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ光源と、被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、レーザ光源を出射したレーザビームを、ステージに保持された加工対象物の被加工面に入射させる光学系であって、入射したレーザビームの光量を減衰させて出射する、減衰率可変の光量減衰手段を含む光学系と、ステージに保持された加工対象物の被加工面に複数の区画を画定したとき、該区画を加工するために入射させるレーザビームの、光量減衰手段における減衰率を規定する物理量を、該区画ごとに記憶する記憶手段と、光学系を出射したレーザビームを該区画に入射させるとき、記憶手段に記憶された該区画ごとの物理量に規定される減衰率となるように、光量減衰手段の減衰率を制御する制御手段とを有するビーム照射装置を提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、レーザビームを照射して加工を行うビーム照射装置、及び、ビーム照射方法に関する。

図３（Ａ）は、フラットパネルディスプレイ(Flat Panel Display; FPD)製造の一工程におけるパネル５０を示す概略的な断面図である。

パネル５０は、たとえば厚さ０．５〜０．７ｍｍのガラス基板５１、ガラス基板５１上に形成された、たとえば厚さ１〜２μｍのカラーフィルタ５２、及び、カラーフィルタ５２上に形成された、たとえば厚さ０．１〜０．２μｍの透明電極膜、たとえばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜５３を含んで構成される。

ＦＰＤ製造のため、レーザビーム５４を、ＩＴＯ膜５３上からパネル５０に照射し、照射位置のＩＴＯ膜５３をカラーフィルタ５２上から除去する。図３（Ａ）には、レーザビーム５４の照射により除去されるＩＴＯ膜５３に右下がりの斜線を付して示した。

図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に対応するパネル５０の概略的な平面図である。

パネル５０は、たとえば縦（図３（Ｂ）における上下方向）７３０ｍｍ、横（図３（Ｂ）における左右方向）９２０ｍｍの矩形状である。パネル５０にレーザビームを入射させ、ＩＴＯ膜を除去することにより、周囲と絶縁された、たとえば縦４０ｍｍ、横５０ｍｍの矩形状の小パネル５５を形成する。パネル５０の本図における左上部分には、小パネル５５を形成するために、ＩＴＯ膜を除去する領域に斜線を付して示した。パネル５０には、縦方向に１８個、横方向に１８個の小パネル５５が形成される。なお、小パネル５５の各々は、たとえば携帯電話機用のディスプレイに使用される。

ＩＴＯ膜を除去するためのレーザビームとして、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザの４倍高調波が用いられる。ＩＴＯ膜を加工可能な加工フルエンスの閾値は、カラーフィルタを加工するためのフルエンスの閾値よりも大きい。このためＩＴＯ膜に照射するレーザビームのフルエンスが大きい場合には、カラーフィルタが深い位置まで除去され、小さい場合にはＩＴＯ膜を除去することは難しい。レーザビームは、ＩＴＯ膜を加工可能な加工フルエンスの閾値の±３％の範囲内のフルエンスで照射されることが望ましい。

ところで、パネル５０のＩＴＯ膜の厚さは通常一様ではない。ＩＴＯ膜はパネル５０の中心部で厚く、周辺部に向かうにつれ、同心円状に薄くなる厚さ分布を備える。パネル５０のＩＴＯ膜において、最も厚い部分と最も薄い部分との差は、たとえば最も厚い部分の厚さの５〜１０％である。

厚さ分布を有するパネル５０のＩＴＯ膜を、カラーフィルタを深い位置まで除去することなく、高い加工品質で除くことは一層困難である。

基板のパタニングにおけるレーザビームの走査方法には、ＸＹステージを用いて基板を移動させ、レーザビームの基板への入射位置を変化させる方法と、たとえばガルバノスキャナを用いてレーザビームの出射方向を変えることで、レーザビームの基板上の入射位置を変化させる方法とがある。

前者の方法においては、ステージをＸ方向及びＹ方向に駆動させる必要があるため、装置のフットプリントが大きくなるという欠点がある。後者の方法においては、装置のフットプリントが最小となるかわりに、基板上のビーム照射位置によって、照射されるビームのフルエンスが変化するという欠点がある。

ガルバノスキャナからのビームの出射方向に対応してビーム強度を変化させるレーザ加工装置の発明が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。

特開２００５−２６２２１９号公報

本発明の目的は、高品質の加工を行うことのできるビーム照射装置を提供することである。

また、高品質の加工を行うことのできるビーム照射方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、レーザビームを出射するレーザ光源と、被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面に入射させる光学系であって、入射したレーザビームの光量を減衰させて出射する、減衰率可変の光量減衰手段を含む光学系と、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面に複数の区画を画定したとき、該区画を加工するために入射させるレーザビームの、前記光量減衰手段における減衰率を規定する物理量を、該区画ごとに記憶する記憶手段と、前記光学系を出射したレーザビームを該区画に入射させるとき、前記記憶手段に記憶された該区画ごとの物理量に規定される減衰率となるように、前記光量減衰手段の減衰率を制御する制御手段とを有するビーム照射装置が提供される。

また、本発明の他の観点によると、（ａ）加工対象物の被加工面に複数の区画を画定する工程と、（ｂ）該区画を加工するために入射させるレーザビームの減衰率を、該区画ごとに決定する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）で決定された該区画ごとの減衰率でレーザビームを減衰させて、該区画に入射させる工程とを有するビーム照射方法が提供される。

本発明によれば、高品質の加工を行うことのできるビーム照射装置を提供することができる。

また、高品質の加工を行うことのできるビーム照射方法を提供することができる。

図１は実施例によるビーム照射装置の概略図である。

実施例によるビーム照射装置は、レーザ光源１０、シャッタ１１、電気光学変調器(Electro-Optic Modulator; EOM)１２、偏光ビームスプリッタ１３、折り返しミラー１４ａ〜１４ｅ、ハーフミラー１５ａ、１５ｂ、バリアブルアッテネータ１６ａ〜１６ｄ、集光レンズ１７ａ〜１７ｄ、レンズ移動機構１８ａ〜１８ｄ、ガルバノスキャナ１９ａ〜１９ｄ、記憶装置２０ａを備える制御装置２０、及び、ステージ２１を含んで構成される。

ステージ２１上には、加工基板２２が保持されている。加工基板２２は、たとえば図３（Ａ）に示したパネルであり、ガラス基板上にカラーフィルタ及びＩＴＯ膜がこの順に積層されている。実施例によるビーム照射装置は、パネルにレーザビームを入射させ、入射位置のＩＴＯ膜を除去することができる。

レーザ光源１０が、制御装置２０から送られるトリガ信号を受けて、パルスレーザビーム３０を出射する。レーザ光源１０は、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器、非線形光学素子、及び半波長板を含む。パルスレーザビーム３０は、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザの４倍高調波である。パルスレーザビーム３０のパルス幅は３０ｎｓ以下、望ましくは十数ｎｓ以下である。半波長板を含むレーザ光源１０から出射されるパルスレーザビーム３０は、偏光ビームスプリッタ１３に対してＰ波となるような直線偏光である。

パルスレーザビーム３０は、制御装置２０からの制御信号により開閉し、入射するレーザビームの透過と遮蔽を切り替えることのできるシャッタ１１を透過して、ＥＯＭ１２に入射する。

ＥＯＭ１２は、制御装置２０から送出される制御信号に基づいて、パルスレーザビーム３０の偏光軸を旋回させる。ＥＯＭ１２が電圧無印加状態にされているとき、入射したＰ波がそのまま出射される。ＥＯＭ１２が電圧印加状態にされているとき、ＥＯＭ１２は、Ｐ波の偏光面を９０度旋回させる。これにより、ＥＯＭ１２から出射するパルスレーザビーム３０は、偏光ビームスプリッタ１３に対してＳ波となる。

偏光ビームスプリッタ１３は、Ｐ波をそのまま透過させ、Ｓ波を反射する。偏光ビームスプリッタ１３を透過したＰ波は、パルスレーザビーム３０ｂとなる。偏光ビームスプリッタ１３で反射したＳ波は、パルスレーザビーム３０ａとなる。

パルスレーザビーム３０ａは、折り返しミラー１４ａで反射し、ハーフミラー１５ａに入射する。ハーフミラー１５ａは、入射したパルスレーザビーム３０ａを、相互に等しいエネルギを有するパルスレーザビーム３１ａ及び３１ｂに分割する。

ハーフミラー１５ａで反射したパルスレーザビーム３１ａは、入射するレーザビームの光量を減衰率可変で減衰させるバリアブルアッテネータ１６ａ、及び、加工基板２２のＩＴＯ膜上にパルスレーザビーム３１ａを集光する集光レンズ１７ａを経て、ガルバノスキャナ１９ａに入射する。バリアブルアッテネータ１６ａによるパルスレーザビーム３１ａの光量の減衰率は、制御装置２０から送信される制御信号によって制御される。

制御装置２０に含まれる記憶装置２０ａには、加工基板２２上の位置、たとえば後述するように加工基板２２上に画定されたエリアごとにあらかじめ求められた、単位面積あたりに入射させるレーザビームのエネルギ（フルエンス）の最適値（たとえば０．０５Ｊ／ｃｍ^２〜０．１Ｊ／ｃｍ^２の範囲にある一定値）が記憶されている。制御装置２０は、記憶装置２０ａに記憶されている最適な値でパルスレーザビーム３１ａが加工基板２２に照射されるように、エリアごとにバリアブルアッテネータ１６ａの減衰率を調整する。

なお、記憶装置２０ａには、エリアごとの減衰率を規定する物理量、たとえばエリアごとに入射させるレーザビームの減衰率そのものや、ビームパワー、パルスエネルギなどを記憶させてもよい。

ガルバノスキャナ１９ａは、２枚の揺動鏡を含んで構成され、制御装置２０からの制御信号を受けて、入射したレーザビームの出射方向を２次元方向に変化させて出射する。パルスレーザビーム３１ａはガルバノスキャナ１９ａを出射して、加工基板２２のＩＴＯ膜上を走査し、入射位置のＩＴＯ膜を除去する。

レンズ移動機構１８ａは、集光レンズ１７ａを移動可能に保持する。レンズ移動機構１８ａは、たとえばボイスコイル機構を含んで構成され、制御装置２０から送信される制御信号を受けて、集光レンズ１７ａをパルスレーザビーム３１ａの光軸方向（進行方向）と平行な方向に並進移動させる。ボイスコイル機構の代わりにピエゾ駆動機構等を用いて、レンズ移動機構１８ａを構成することもできる。

制御装置２０は、加工基板２２上を走査するパルスレーザビーム３１ａが、加工基板２２上の入射位置によらず、加工基板２２上に焦点を結んで入射するように、レンズ移動機構１８ａを通して、集光レンズ１７ａの移動を制御する。すなわち、集光レンズ１７ａと加工基板２２上のビーム照射位置との間の光路長が、一定の長さ（集光レンズ１７ａの焦点距離）を保つように制御を行う。

ハーフミラー１５ａを透過したパルスレーザビーム３１ｂは、折り返しミラー１４ｂ、バリアブルアッテネータ１６ｂ、レンズ移動機構１８ｂに保持された集光レンズ１７ｂ、及び、ガルバノスキャナ１９ｂを経て加工基板２２のＩＴＯ膜に照射され、照射位置のＩＴＯ膜を除去する。

バリアブルアッテネータ１６ｂ、集光レンズ１７ｂ、レンズ移動機構１８ｂ、及び、ガルバノスキャナ１９ｂの機能は、それぞれバリアブルアッテネータ１６ａ、集光レンズ１７ａ、レンズ移動機構１８ａ、及び、ガルバノスキャナ１９ａの機能と同一である。

偏光ビームスプリッタ１３を透過したＰ波であるパルスレーザビーム３０ｂは、折り返しミラー１４ｃ及び１４ｄで反射し、ハーフミラー１５ｂに入射する。ハーフミラー１５ｂは、入射したパルスレーザビーム３０ｂを、相互に等しいエネルギを有するパルスレーザビーム３１ｃ及び３１ｄに分割する。

ハーフミラー１５ｂで反射されたパルスレーザビーム３１ｃは、バリアブルアッテネータ１６ｃ、レンズ移動機構１８ｃに保持された集光レンズ１７ｃ、及び、ガルバノスキャナ１９ｃを経て加工基板２２のＩＴＯ膜に照射され、照射位置のＩＴＯ膜を除去する。

ハーフミラー１５ｂを透過したパルスレーザビーム３１ｄは、折り返しミラー１４ｅで反射され、バリアブルアッテネータ１６ｄ、レンズ移動機構１８ｄに保持された集光レンズ１７ｄ、及び、ガルバノスキャナ１９ｄを経て加工基板２２のＩＴＯ膜に照射され、照射位置のＩＴＯ膜を除去する。

バリアブルアッテネータ１６ｃ、１６ｄ、集光レンズ１７ｃ、１７ｄ、レンズ移動機構１８ｃ、１８ｄ及び、ガルバノスキャナ１９ｃ、１９ｄの機能は、それぞれバリアブルアッテネータ１６ａ、集光レンズ１７ａ、レンズ移動機構１８ａ、及び、ガルバノスキャナ１９ａの機能と同一である。

実施例によるビーム照射装置は、加工対象物の４つの位置を加工することのできる４軸加工機である。

図２（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例によるレーザ照射方法を説明する。

図２（Ａ）は、加工基板２２の概略的な平面図である。前述したように、加工基板２２は、たとえば図３（Ａ）に示した、縦７３０ｍｍ、横９２０ｍｍの矩形状のパネルである。厚さ０．５〜０．７ｍｍのガラス基板上に、厚さ１〜２μｍのカラーフィルタ及び厚さ０．１〜０．２μｍのＩＴＯ膜がこの順に積層されている。

実施例によるビーム照射方法は、図１に示したビーム照射装置を用い、加工基板（パネル）２２にレーザビームを照射し、照射位置のＩＴＯ膜を除去することにより、周囲と絶縁された、矩形状の小パネルを形成する方法である。小パネルのサイズは、たとえば縦４０ｍｍ、横５０ｍｍである。加工基板２２には、縦方向に１８個、横方向に１８個の小パネルを形成する。

加工基板２２上に、縦方向、横方向をそれぞれ２等分する大きさの、４つの合同な加工領域６０、７０、８０、９０を画定する。各加工領域６０〜９０は、縦３６５ｍｍ、横４６０ｍｍの矩形状領域であり、各加工領域６０〜９０中に、縦方向に９個、横方向に９個の小パネルを形成する。

加工領域６０〜９０の中心（矩形の対角線の交点）直上には、図１に示したビーム照射装置のガルバノスキャナ１９ａ〜１９ｄがそれぞれ配置される。加工領域６０〜９０には、それぞれレーザビーム３１ａ〜３１ｄが照射される。

加工領域６０中に、縦方向に９個、横方向に９個の小エリア６０ａ〜６３ｃを画定する。小エリア６０ａ〜６３ｃのサイズは、縦４０ｍｍ、横５０ｍｍであり、各小エリア６０ａ〜６３ｃの外周に沿ってレーザビーム３１ａを入射させ、各小エリア６０ａ〜６３ｃの周囲のＩＴＯ膜を除去することで小パネルを形成する。他の加工領域７０〜９０についても同様である。

ＩＴＯ膜は、加工基板２２上の位置による厚さ分布を備える。このため、加工基板２２上の位置によってＩＴＯ膜除去に要するフルエンスは異なる。また、レーザビームが、加工基板２２上の入射位置によらず、加工基板２２上に焦点を結んで入射するように集光レンズ１７ａの移動を制御しても、加工基板２２に入射するレーザビームの入射角によって、入射ビームのフルエンスは異なる。

そこで制御装置２０に含まれる記憶装置２０ａに、小エリア６０ａ〜９３ｃごとに、周囲のＩＴＯ膜を除去するのに最適なフルエンスを、あらかじめ求めて記憶させておく。フルエンスの最適値は、ビームを入射させる小エリアのＩＴＯ膜の膜厚やビームの入射角等に基づいて決定される。たとえば小エリアの代表点のそれらから決定される。

加工領域６０においては、まず小エリア６０ａの周囲にレーザビーム３１ａを照射して、ＩＴＯ膜を除去する。制御装置２０は、記憶装置２０ａに記憶されている、小エリア６０ａの加工に最適な加工フルエンスを読み出して、パルスレーザビーム３１ａがその最適値で加工基板２２に照射されるように、バリアブルアッテネータ１６ａの減衰率を変化させる。

減衰率の変化は小エリア６０ａ〜６３ｃごとに行う。ある１つの小エリア６０ａ〜６３ｃを加工している間、減衰率は一定である。小エリア６０ａ〜９３ｃは、ある１つの小エリア内では、一定の減衰率で加工が可能であるように、その範囲（大きさや形状）が定められる。

また、小エリア６０ａ〜９３ｃは、ある１つの小エリア内におけるＩＴＯ膜の、最も厚い部分と最も薄い部分との差が、最も厚い部分の厚さの２％以下となるように画定される。

小エリア６０ａの外周に沿って、記憶装置２０ａに記憶されていた、最適な加工フルエンスのごく近辺のフルエンスでレーザビーム３１ａが照射され、照射位置のＩＴＯ膜が除去される。

次に、小エリア６０ｂの周囲のＩＴＯ膜を除去する。制御装置２０は、記憶装置２０ａに記憶されている、小エリア６０ｂの加工に最適な加工フルエンスを読み出して、パルスレーザビーム３１ａがその最適値で加工基板２２に照射されるように、バリアブルアッテネータ１６ａの減衰率を変化させる。

以下、同様に小エリア６０ｃ、・・、６０ｉ、６０ｊ、・・、６３ｃを小エリアごとに加工していく。

加工領域６０の加工と並行して、同様に、他の加工領域７０〜９０の加工も行われる。

小エリア６０ａ〜９３ｃごとの最適なフルエンスで加工を行うので、下層のカラーフィルタを深い位置まで掘り下げることなく、加工基板２２のＩＴＯ膜を高い加工品質で除去（パタニング）することができる。

図２（Ｂ）を参照する。

実施例によるビーム照射方法においては、加工後１つの小パネルとなる各小エリア６０ａ〜９３ｃを一区画（一単位）としてレーザ加工を行ったが、別様に区画することもできる。

たとえば４個の小エリアを一区画（一単位）とし、その区画ごとに一定の減衰率で加工してもよい。本図には、縦方向２個、横方向２個、計４個の小エリアを一区画（一単位）とする例を示した。

図示した一区画（一単位）を加工するには、まず矢印１０１、１０２、１０３に沿ってレーザビームを走査し、一区画（一単位）に含まれる小エリアの周囲のＩＴＯ膜を縦方向に除去する。次に、矢印１０４、１０５、１０６に沿ってレーザビームを走査し、小エリアの周囲のＩＴＯ膜を横方向に除去する。

実施例においては、図１に示した４軸加工機を用いてＩＴＯ膜の除去（パタニング）を行ったが、１軸加工機を用いてもよい。

たとえば図２（Ａ）に示した、小エリア６０ａ〜９３ｃの画定された加工基板（パネル）２２を、１軸加工機を用いて小エリアごとに加工する場合、ガルバノスキャナは、加工基板（パネル）２２の中心（矩形の対角線の交点）直上１５００ｍｍの位置に配置される。

１軸加工機のガルバノスキャナをこのように配置したとき、加工基板（パネル）２２の中央部、たとえば小エリア６３ｃを加工する際の加工フルエンスの入射角による変動は約±０．０２％であり、加工基板（パネル）２２の周辺部、たとえば小エリア６０ａを加工する際のそれは約±０．７％である。したがって加工基板（パネル）２２上のどの小エリア６０ａ〜９３ｃを加工する場合であっても、加工中の加工フルエンスの変動は約±１％以内とされる。

１つの小エリア内においてはＩＴＯ膜の厚み分布の幅は大きくないので、１軸加工機を用いた場合であっても、すべての小エリア６０ａ〜９３ｃを、小エリア６０ａ〜９３ｃごとに求められた加工フルエンスの最適値（一定値）のごく近辺のフルエンスで加工することができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。

たとえば、実施例によるビーム照射装置は、加工基板上に焦点を結ばせる集光レンズを備えていたが、集光レンズに代えて、透光領域を備えるマスクと、マスクの透光領域を加工基板上に結像させる結像レンズを含んで構成してもよい。この場合、レンズ移動機構は、ビームの照射位置によらず加工基板表面が結像位置となるように、結像レンズをレーザビームの光軸方向に移動させる。更に、ビーム断面の光強度分布を均一化するホモジナイザを含んで構成してもよい。

また、実施例によるビーム照射方法においては、小エリアの周囲の加工を行ったが、画定された区画の内部を加工してもよい。

更に、画定された複数の区画のうち、相互に隣り合う第１の区画と第２の区画を、それぞれ第１の減衰率、それよりも大きい第２の減衰率で減衰させて加工するとき、両区画の境界領域については、第１の減衰率以上第２の減衰率以下の第３の減衰率で減衰させて加工が行われるように、減衰率を制御することもできる。

その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

レーザ加工一般、殊にＦＰＤの製造工程におけるＩＴＯ膜の除去に好適に利用することができる。

実施例によるビーム照射装置の概略図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、実施例によるレーザ照射方法を説明するための図である。 （Ａ）は、ＦＰＤ製造の一工程におけるパネル５０を示す概略的な断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に対応するパネル５０の概略的な平面図である。

符号の説明

１０ レーザ光源
１１ シャッタ
１２ ＥＯＭ
１３ 偏光ビームスプリッタ
１４ａ〜１４ｅ 折り返しミラー
１５ａ、１５ｂ ハーフミラー
１６ａ〜１６ｄ バリアブルアッテネータ
１７ａ〜１７ｄ 集光レンズ
１８ａ〜１８ｄ レンズ移動機構
１９ａ〜１９ｄ ガルバノスキャナ
２０ 制御装置
２０ａ 記憶装置
２１ ステージ
２２ 加工基板
３０、３０ａ、３０ｂ、３１ａ〜３１ｄ レーザビーム
５０ パネル
５１ ガラス基板
５２ カラーフィルタ
５３ ＩＴＯ膜
５４ レーザビーム
５５ 小パネル
６０、７０、８０、９０ 加工領域
６０ａ〜９３ｃ 小エリア
１０１〜１０６ 矢印

Claims (11)

1. レーザビームを出射するレーザ光源と、
   被加工面を備える加工対象物を保持するステージと、
   前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面に入射させる光学系であって、入射したレーザビームの光量を減衰させて出射する、減衰率可変の光量減衰手段を含む光学系と、
   前記ステージに保持された加工対象物の被加工面に複数の区画を画定したとき、該区画を加工するために入射させるレーザビームの、前記光量減衰手段における減衰率を規定する物理量を、該区画ごとに記憶する記憶手段と、
   前記光学系を出射したレーザビームを該区画に入射させるとき、前記記憶手段に記憶された該区画ごとの物理量に規定される減衰率となるように、前記光量減衰手段の減衰率を制御する制御手段と
   を有するビーム照射装置。
2. 前記光学系が、
   レーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面に焦点を結ばせて入射させる集光レンズと、
   レーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面内を走査させるビーム走査器と、
   レーザビームが、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面内の位置によらず、焦点を結んで入射するように、前記焦点レンズをレーザビームの光軸方向に移動させる焦点レンズ移動機構と
   を含む請求項１に記載のビーム照射装置。
3. 前記光学系が、
   透光領域を備えるマスクと、
   前記マスクの透光領域を、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面に結像させて入射させる結像レンズと、
   レーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面内を走査させるビーム走査器と、
   前記マスクの透光領域が、前記ステージに保持された加工対象物の被加工面内の位置によらず結像されるように、前記結像レンズをレーザビームの光軸方向に移動させる結像レンズ移動機構と
   を含む請求項１に記載のビーム照射装置。
4. 前記ステージに保持された加工対象物の被加工面には、相互に直交する第１の方向、第２の方向に沿って見たとき、それぞれ複数個の区画が画定され、
   前記記憶手段は、前記減衰率を規定する物理量を、該区画ごとに記憶する請求項１〜３のいずれか１項に記載のビーム照射装置。
5. 前記制御手段は、前記光学系を出射したレーザビームを、前記複数の区画のうち、相互に隣り合う第１の区画と第２の区画であって、それぞれ第１の減衰率、前記第１の減衰率よりも大きい第２の減衰率でレーザビームを減衰させて入射させる第１の区画と第２の区画の境界領域に入射させるときは、前記第１の減衰率以上前記第２の減衰率以下の第３の減衰率となるように、前記光量減衰手段の減衰率を制御する請求項１〜４のいずれか１項に記載のビーム照射装置。
6. （ａ）加工対象物の被加工面に複数の区画を画定する工程と、
   （ｂ）該区画を加工するために入射させるレーザビームの減衰率を、該区画ごとに決定する工程と、
   （ｃ）前記工程（ｂ）で決定された該区画ごとの減衰率でレーザビームを減衰させて、該区画に入射させる工程と
   を有するビーム照射方法。
7. 前記工程（ｃ）において、
   レーザビームを、入射位置で焦点を結ぶように収束させながら該区画に入射させる請求項６に記載のビーム照射方法。
8. 前記工程（ｃ）が、
   （ｄ）レーザビームの断面を整形する工程と、
   （ｅ）前記工程（ｄ）で整形された断面が入射位置で結像されるように、レーザビームを該区画に入射させる工程と
   を含む請求項６に記載のビーム照射方法。
9. 前記複数の区画のうち、相互に隣り合う第１の区画と第２の区画であって、それぞれ第１の減衰率、前記第１の減衰率よりも大きい第２の減衰率でレーザビームを減衰させて入射させる第１の区画と第２の区画の境界領域については、
   前記工程（ｂ）において、前記第１の減衰率以上前記第２の減衰率以下の第３の減衰率で入射させることを決定し、
   前記工程（ｃ）において、前記第３の減衰率でレーザビームを減衰させて、入射させる請求項６〜８のいずれか１項に記載のビーム照射方法。
10. 前記加工対象物の被加工面に透明電極膜が形成されており、前記工程（ａ）で画定された区画の各々において、区画内の透明電極膜の最も厚い部分と最も薄い部分との差が、最も厚い部分の厚さの２％以下である請求項６〜９のいずれか１項に記載のビーム照射方法。
11. 前記加工対象物の被加工面に透明電極膜が形成されており、前記工程（ｂ）において、前記透明電極膜の膜厚に応じて、前記減衰率を決定する請求項６〜１０のいずれか１項に記載のビーム照射方法。

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