JP2012074727A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. レーザ光のエネルギー密度の低い部分はスリットによって遮断し、且つエネルギー密度の高い部分は前記スリットを通過させ、
   前記スリットにおける像を、凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズを用いて半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射し、
   前記スリットは、前記線状ビームの長辺方向に作用し、
   前記線状ビームは、前記半導体膜の表面に対して相対的に前記線状ビームの短辺方向に第１の走査をした後に、前記線状ビームの走査位置を、前記線状ビームの長辺方向に前記線状ビームの長辺の長さ分ずらして、前記半導体膜の表面に対して相対的に前記線状ビームの短辺方向に第２の走査をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜に含まれる不純物元素の活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと前記半導体膜の表面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
   Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ 式（１）
   Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ 式（２）
   （但し、前記式（１）及び前記式（２）において、ｓは前記スリットの幅、Ｄは前記半導体膜の表面における前記線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。）
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   少なくとも前記線状ビームの長辺方向の端部が照射された前記半導体膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記レーザ光は、連続発振レーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記レーザ光は、繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. レーザ発振器と、
   前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、且つ前記エネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
   前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと、を有し、
   前記像を投影することで前記照射面に照射される線状ビームは、前記線状ビームの短辺方向に第１の走査をした後に、走査位置を、前記線状ビームの長辺方向に前記線状ビームの長辺の長さ分ずらして、前記線状ビームの短辺方向に第２の走査をし、
   前記スリットは、前記線状ビームの長辺方向に作用することを特徴とするレーザ照射装置。
9. 請求項８において、
   前記レーザ発振器は、ＣＷレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
10. 請求項８において、
    前記レーザ発振器は、繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
11. 請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと前記照射面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
    Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ 式（１）
    Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ 式（２）
    （但し、前記式（１）及び前記式（２）において、ｓは前記スリットの幅、Ｄは前記照射面における前記線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。）