JP2006032926A5

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Publication number: JP2006032926A5
Application number: JP2005173119A
Authority: JP
Filing date: 2005-06-14
Publication date: 2008-07-24
Anticipated expiration: 2025-06-14

Claims

レーザ発振器と、
線状レーザビーム形成用の光学系と、
回転軸を有する回転体と、
基板を前記回転体の側面に固定させる固定機構と、
を有し、
前記レーザ発振器からレーザビームを射出し、
前記射出されたレーザビームは、前記光学系を通り、
前記回転体を回転させながら、前記光学系を通ったレーザビームを前記回転体に固定させた前記基板に照射することを特徴とするレーザ処理装置。
レーザ発振器と、
線状レーザビーム形成用の光学系と、
回転軸を有する回転体と、
基板を前記回転体の側面に固定させる固定機構と、
前記回転体を回転軸方向に移動させる移動機構と、
を有し、
前記レーザ発振器からレーザビームを射出し、
前記射出されたレーザビームは、前記光学系を通り、
前記回転体を回転させながら、前記光学系を通ったレーザビームを前記回転体に固定させた前記基板に照射し、
前記回転体を前記移動機構により前記回転体の回転軸方向に移動させることによって、前記光学系を通ったレーザビームの照射位置を移動させることを特徴とするレーザ処理装置。
第１のレーザ発振器及び第２のレーザ発振器と、
第１の光学系及び第２の光学系と、
回転軸を有する回転体と、
基板を前記回転体の側面に固定させる固定機構と、
前記回転体を回転軸方向に移動させる移動機構と、
を有し、
前記第１の光学系及び第２の光学系のそれぞれは、
第１のシリンドリカルレンズと、
第２のシリンドリカルレンズと、
を有し、
前記第１のレーザ発振器から第１のレーザビームを射出し、
前記第２のレーザ発振器から第２のレーザビームを射出し、
前記射出された前記第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームを、前記第１のシリンドリカルレンズ及び第２のシリンドリカルレンズにより、線状に整形して第１の線状レーザビーム及び第２の線状レーザビームとし、
前記回転体を回転させながら、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームを前記回転体に固定させた前記基板に照射し、
前記回転体は、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームを照射されつつ、前記移動機構により前記回転体の回転軸方向に移動することを特徴とするレーザ処理装置。
請求項３において、前記第１の線状レーザビーム及び前記第２の線状レーザビームは、照射面における前記第１の線状レーザビームの短辺が、前記第２の線状レーザビームの短辺の延長線上になるように前記基板に照射されることを特徴とするレーザ処理装置。
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記固定機構は、前記回転体内部を減圧することによって、前記回転体の表面に設けられた複数の穴に前記基板を吸着させ貼り付ける機構であることを特徴とするレーザ処理装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記回転体の側面に複数の前記基板を固定することを特徴とするレーザ処理装置。
回転軸を有する回転体の側面に基板を固定し、
前記基板を固定させた回転体を回転させながら、前記基板の表面に線状レーザビームを照射し、
前記回転体が１回転する度に前記線状レーザビームの照射位置を前記回転体の回転軸方向に相対的に移動することを特徴とするレーザ照射方法。
回転軸を有する回転体の側面に基板を固定し、
前記基板を固定させた回転体を回転させながら、前記基板の表面に線状レーザビームを照射し、
前記回転体が回転している間に前記線状レーザビームの照射位置を前記回転体の回転軸方向に相対的に移動することを特徴とするレーザ照射方法。
請求項７又は請求項８において、前記回転体の側面に複数の前記基板を固定することを特徴とするレーザ照射方法。
請求項７乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板は、ガラス基板または合成樹脂からなる基板であることを特徴とするレーザ照射方法。
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を形成した基板を回転軸を有する回転体の側面に固定し、
前記基板を固定させた回転体を回転させながら、前記半導体膜に線状レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を形成した基板を回転軸を有する回転体の側面に固定し、
前記基板を固定させた回転体を回転させながら、線状レーザビームを照射することにより、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１２において、
前記結晶性半導体膜をパターニングして、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜に一導電性を付与する不純物を導入し、
前記不純物を導入した後に、前記基板を前記回転体に固定し、
前記基板を固定させた回転体を回転させながら、線状レーザビームを照射することにより、前記不純物を活性化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記回転体の側面に複数の前記基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記基板は、ガラス基板または合成樹脂からなる基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。