JPH08236442A - 半導体ウエハ，及びその製造方法 - Google Patents

半導体ウエハ，及びその製造方法

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JPH08236442A
JPH08236442A JP3995195A JP3995195A JPH08236442A JP H08236442 A JPH08236442 A JP H08236442A JP 3995195 A JP3995195 A JP 3995195A JP 3995195 A JP3995195 A JP 3995195A JP H08236442 A JPH08236442 A JP H08236442A
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semiconductor wafer
wafer
semiconductor
manufacturing
crystal material
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JP3995195A
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English (en)
Inventor
Shinji Senba
真司 船場
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/763—Polycrystalline semiconductor regions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
    • Y10T428/219—Edge structure

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザの製造に用いる劈開性のよい単
結晶化合物半導体ウエハに関し、半導体レーザの製造過
程で発生するクラックによるウエハ割れを低減すること
のできる半導体ウエハ，及びその製造方法を提供する。 【構成】 単結晶半導体ウエハの主面と側面とにより形
成される角部分を含むウエハ側面部に、レーザビーム等
による結晶の変性処理を施すことにより、該側面部に非
単結晶材料部を形成するようにしたことを特徴とする半
導体ウエハの製造方法、及びこれにより製造される半導
体ウエハ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハ，及びそ
の製造方法に関し、特に該半導体ウエハの割れによる破
損を低減し、歩留りを改善することができる劈開性の良
い単結晶化合物よりなる半導体ウエハ，及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハの斜視図を図１０に
示す。図において、１ａはＩｎＰ単結晶半導体ウエハで
ある。この半導体ウエハ１ａは、ＬＥＣ（Liquid Encap
sulated Czochralski)法等により成長させたバルク単結
晶のインゴット状ＩｎＰ半導体を所望の直径の円筒に加
工した後、所望の厚みでウエハ状にスライス加工し、こ
の後、必要に応じてさらに所望の形状に成形した後に、
ポリッシング等の工程を行うことにより製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の単結晶半導体ウ
エハは以上のように製造されており、この半導体ウエハ
を用い、自動化された生産ラインにのせることによって
半導体レーザを製造していた。図１１はこのような半導
体ウエハ１ａにクラック（欠け）が入った状態のものを
示す斜視図であり、図において、７はクラックを、８は
このクラック７を起点とする劈開線を示している。
【０００４】一般に、半導体レーザの製造等に使用する
ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の単結晶半導体ウエハは、劈開性が
非常に良いという性質を有しており、該半導体レーザの
製造方法においては、これらの結晶が結晶面で劈開する
性質を利用してチップ分離を行うようにしている。これ
は、レーザ導波路の端面が鏡面になるよう処理する際
に、この劈開性を利用してレーザチップの分離を行い、
その半導体レーザの導波路端面に鏡面を形成するためで
ある。
【０００５】しかし、上記のような劈開性のよい単結晶
半導体ウエハを用いた半導体レーザの製造においては、
その製造過程で、半導体ウエハと製造装置との接触等に
より上記半導体ウエハ１ａにクラック７が入ることがあ
る。この場合に、該半導体ウエハ１ａは、ウエハ端まで
純粋な単結晶であり、特にこのような劈開性の良い化合
物半導体ウエハにおいては、このクラック７により、容
易に結晶軸方向に亀裂を生じ、ウエハ割れを起こしてし
まう。即ち、このようなウエハ割れは、主に半導体レー
ザの製造過程でウエハ側面部に微小なクラック７（欠
け）が入り、このクラック７を起点に結晶軸方向の劈開
面に沿って亀裂が走ることにより起こり、わずかなクラ
ック７であっても、そのクラック７を起点とする劈開線
８から、容易にウエハ割れが発生するという問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、半導体レーザの製造に用いる劈開
性のよい単結晶化合物半導体ウエハであって、半導体レ
ーザの製造過程で発生するクラックによるウエハ割れを
低減することのできる半導体ウエハ，及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
ウエハの製造方法は、半導体ウエハの製造方法におい
て、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体ウエハの
主面と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面
部に、非単結晶材料部を形成する工程を含むものであ
る。
【０００８】この発明（請求項２）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項１）において、上記非単結晶材料
部を形成する工程は、上記半導体ウエハの主面と側面と
により形成される角部分を含む半導体ウエハ側面部を溶
融再固化することによりマクロな形状変化を伴わない結
晶の変性処理を行うものである。
【０００９】この発明（請求項３）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項１）において、上記非単結晶材料
部を形成する工程は、上記半導体ウエハの主面と側面と
により形成される角部分を含む半導体ウエハ側面部に、
非単結晶材料を付着させるものである。
【００１０】この発明（請求項４）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項２）において、上記非単結晶材料
部を形成する工程における、上記半導体ウエハ側面部の
溶融再固化は、該半導体ウエハを回転させた状態で、該
半導体ウエハ側面部に、レーザビームを照射するもので
ある。
【００１１】この発明（請求項５）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項４）において、上記半導体ウエハ
が円形形状であり、上記非単結晶材料部を形成する工程
における上記半導体ウエハの上記側面部へのレーザビー
ムの照射は、該半導体ウエハと同一平面内の該半導体ウ
エハの側面部に対する接線方向から照射するものであ
る。
【００１２】この発明（請求項６）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項４）において、上記非単結晶材料
部を形成する工程における上記半導体ウエハの上記側面
部へのレーザビームの照射は、複数方向から複数のレー
ザビームを、同時もしくは順次に照射するものである。
【００１３】この発明（請求項７）にかかる半導体ウエ
ハの製造方法は、半導体ウエハの製造方法において、劈
開性の良い単結晶化合物よりなる半導体を、インゴット
状態で所望の直径の円筒状に加工する工程と、該円筒状
に加工された該半導体インゴットの円筒側面部に非単結
晶材料部を形成する工程と、その円筒側面部に非単結晶
材料部を形成した該半導体インゴットを、ウエハ状にス
ライスする工程と、該ウエハ状の半導体を、ポリッシン
グする工程とを含み、該ウエハ状の半導体の主面と側面
とにより形成される角部分を含むウエハ側面部が非単結
晶化された半導体ウエハを得るものである。
【００１４】この発明（請求項８）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項７）において、上記半導体インゴ
ットの円筒側面部に非単結晶材料部を形成する工程は、
上記半導体インゴットの円筒側面部を溶融再固化するこ
とにより結晶の変性処理を行うものである。
【００１５】この発明（請求項９）は、上記半導体ウエ
ハの製造方法（請求項７）において、上記半導体インゴ
ットの円筒側面部に非単結晶材料部を形成する工程は、
上記半導体インゴットの円筒側面部に非単結晶材料を付
着させるものである。
【００１６】この発明（請求項１０）は、上記半導体ウ
エハの製造方法（請求項８）において、上記非単結晶材
料部を形成する工程における、上記半導体インゴットの
円筒側面部の溶融再固化は、該半導体インゴットの円筒
側面部に、該半導体インゴットを回転させた状態で、レ
ーザビームを照射するものである。
【００１７】この発明（請求項１１）は、上記半導体ウ
エハの製造方法（請求項１ないし１０のいずれか）にお
いて、該半導体ウエハにレーザマークを形成する工程を
さらに含むものである。
【００１８】この発明（請求項１２）にかかる半導体ウ
エハは、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体ウエ
ハの主面と側面とにより形成される角部分を含むウエハ
側面部に非単結晶材料部を備えたものである。
【００１９】この発明（請求項１３）は、上記半導体ウ
エハ（請求項１２）において、上記半導体ウエハの非単
結晶材料部は、上記半導体ウエハの上記側面部の溶融再
固化によるマクロな形状変化を伴わない結晶の変性処理
により形成されているものである。
【００２０】この発明（請求項１４）は、上記半導体ウ
エハ（請求項１２）において、上記半導体ウエハは、該
半導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を
含むウエハ側面部に、非単結晶材料を付着させたもので
ある。
【００２１】この発明（請求項１５）は、上記半導体ウ
エハ（請求項１３）において、上記非単結晶材料部を形
成する際の上記溶融再固化は、レーザビームを照射する
ことによるものである。
【００２２】
【作用】この発明にかかる半導体ウエハの製造方法にお
いては、半導体ウエハの製造方法において、劈開性の良
い単結晶化合物よりなる半導体ウエハの主面と側面とに
より形成される角部分を含むウエハ側面部に、非単結晶
材料部を形成する工程を含むので、上記半導体ウエハ側
面部を非単結晶材料により形成でき、これにより上記半
導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含
む側面部の劈開性を無くすことができる。
【００２３】この発明（請求項２）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項１）において、上記非単
結晶材料部を形成する工程は、上記半導体ウエハの主面
と側面とにより形成される角部分を含む半導体ウエハ側
面部を溶融再固化することによりマクロな形状変化を伴
わない結晶の変性処理を行うものであるので、上記半導
体ウエハ側面部の単結晶を変性させることができ、これ
により上記半導体ウエハの主面と側面とにより形成され
る角部分を含む側面部の劈開性を無くすことができる。
【００２４】この発明（請求項３）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項１）において、上記非単
結晶材料部を形成する工程は、上記半導体ウエハの主面
と側面とにより形成される角部分を含む半導体ウエハ側
面部に、非単結晶材料を付着させるものであるので、上
記半導体ウエハ側面部を非単結晶材料により形成でき、
これにより上記半導体ウエハの主面と側面とにより形成
される角部分を含む側面部の劈開性を無くすことができ
る。
【００２５】この発明（請求項４）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項２）において、上記非単
結晶材料部を形成する工程における、上記半導体ウエハ
側面部の溶融再固化は、該半導体ウエハを回転させた状
態で、該半導体ウエハ側面部に、レーザビームを照射す
るものであるので、上記半導体ウエハ側面部の上記溶融
再固化を効率よく行うことができる。
【００２６】この発明（請求項５）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項４）において、上記半導
体ウエハが円形形状であり、上記非単結晶材料部を形成
する工程における上記半導体ウエハの上記側面部へのレ
ーザビームの照射は、該半導体ウエハと同一平面内の該
半導体ウエハの側面部に対する接線方向から照射するも
のであるので、１つのレーザ発振器により、上記半導体
ウエハの主面と側面とにより形成される表面側の角部分
と裏面側の角部分とを同時に，均等に溶融再固化するこ
とができ、かつ上記レーザビームが半導体ウエハ中心部
に誤って照射されることを防止できる。
【００２７】この発明（請求項６）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項４）において、上記非単
結晶材料部を形成する工程における上記半導体ウエハの
上記側面部へのレーザビームの照射は、複数方向から複
数のレーザビームを、同時もしくは順次に照射するもの
であるので、上記半導体ウエハの主面と側面とにより形
成される角部分を確実に溶融再固化することができる。
【００２８】この発明（請求項７）にかかる半導体ウエ
ハの製造方法においては、半導体ウエハの製造方法にお
いて、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体を、イ
ンゴット状態で所望の直径の円筒状に加工する工程と、
該円筒状に加工された該半導体インゴットの円筒側面部
に非単結晶材料部を形成する工程と、その円筒側面部に
非単結晶材料部を形成した該半導体インゴットを、ウエ
ハ状にスライスする工程と、該ウエハ状の半導体を、ポ
リッシングする工程とを含み、該ウエハ状の半導体の主
面と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部
が非単結晶化された半導体ウエハを得るので、上記半導
体ウエハ側面部に非単結晶材料部を形成するための処理
が、インゴット状態で行う１度の処理ですみ、製造工程
を簡略化することができる。またこれにより上記半導体
ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含む側
面部の劈開性を無くすことができる。
【００２９】この発明（請求項８）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項７）において、上記半導
体インゴットの円筒側面部に非単結晶材料部を形成する
工程は、上記半導体インゴットの円筒側面部を溶融再固
化することにより結晶の変性処理を行うものであるの
で、上記円筒側面部の単結晶材料を変性させ非単結晶材
料とすることができる。
【００３０】この発明（請求項９）においては、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項７）において、上記半導
体インゴットの円筒側面部に非単結晶材料部を形成する
工程は、上記半導体インゴットの円筒側面部に非単結晶
材料を付着させるものであるので、上記円筒側面部を非
単結晶材料により形成することができる。
【００３１】この発明（請求項１０）においては、上記
半導体ウエハの製造方法（請求項８）において、上記非
単結晶材料部を形成する工程における上記半導体インゴ
ットの円筒側面部の溶融再固化は、該半導体インゴット
を回転させた状態でその円筒側面部にレーザビームを照
射するものであるので、上記円筒側面部の上記溶融再固
化を効率よく行うことができる。
【００３２】この発明（請求項１１）においては、上記
半導体ウエハの製造方法（請求項１ないし１０のいずれ
か）において、該半導体ウエハにレーザマークを形成す
る工程をさらに含むので、半導体ウエハの識別が可能と
なる。また、上記半導体ウエハ側面部の結晶の溶融再固
化をレーザビームにより行う場合（請求項４）、上記溶
融を行うレーザ発振器とレーザマークの形成を行うレー
ザ発振器とを共用することができる。
【００３３】この発明（請求項１２）にかかる半導体ウ
エハにおいては、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半
導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含
むウエハ側面部に非単結晶材料部を備えたので、上記半
導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含
む側面部の劈開性をなくすことができる。
【００３４】この発明（請求項１３）においては、上記
半導体ウエハ（請求項１２）において、上記半導体ウエ
ハの非単結晶材料部は、上記半導体ウエハの上記側面部
の溶融再固化によるマクロな形状変化を伴わない結晶の
変性処理により形成されているので、上記半導体ウエハ
側面部が、非単結晶材料に変性した半導体ウエハを得る
ことができる。
【００３５】この発明（請求項１４）においては、上記
半導体ウエハ（請求項１２）において、上記半導体ウエ
ハは、該半導体ウエハの主面と側面とにより形成される
角部分を含むウエハ側面部に、非単結晶材料を付着させ
たものであるので、上記半導体ウエハ側面部を非単結晶
材料によりなるものとすることができる。
【００３６】この発明（請求項１５）においては、上記
半導体ウエハ（請求項１３）において、上記非単結晶材
料部を形成する際の上記溶融再固化は、レーザビームを
照射することによるので、上記溶融再固化を効率よく行
うことができる。
【００３７】
【実施例】
実施例１．図１は本発明の第１の実施例による半導体ウ
エハを示す図であり、図において、１は本発明のＩｎＰ
単結晶半導体ウエハ、１ａはその上記半導体ウエハ１の
単結晶材料部、１ｂはその上記半導体ウエハ１の主面と
側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部に形
成された非単結晶材料部である。
【００３８】本発明の実施例１で示す半導体ウエハ１
は、該半導体ウエハ１の主面と側面とにより形成される
角部分を含むウエハ側面部に、非単結晶材料部１ｂが形
成されているものである。
【００３９】本発明の実施例１で示す半導体ウエハ１で
は、該半導体ウエハ１の主面と側面とにより形成される
角部分を含むウエハ側面部に非単結晶材料部１ｂを形成
したので、上記半導体ウエハの上記側面部は劈開性をも
たない。これにより、半導体レーザの製造過程で、該半
導体ウエハ側面部に、図１１で示したような微小なクラ
ック７（欠け）が生じても、このウエハ側面部は劈開性
が無いため、そのクラック７を起点に結晶面８に沿って
ウエハ全体に亀裂が走ることを防止することができる。
【００４０】このように本実施例１では、劈開性の良い
単結晶化合物半導体ウエハの主面と側面とにより形成さ
れる角部分を含むウエハ側面部を、非単結晶材料により
形成するようにしたので、該半導体ウエハ側面部に微小
なクラック７が生じても、該半導体ウエハ側面部には劈
開性が無く、そのクラック７を起点に亀裂が走ることを
防止でき、これにより、ウエハの割れを大幅に低減する
ことができる効果がある。
【００４１】実施例２．図２は本発明の第２の実施例に
よる半導体ウエハの製造方法を示す図であり、図におい
て、１ａはＩｎＰ単結晶半導体ウエハ、１ｂはその半導
体ウエハ１の主面と側面とにより形成される角部分を含
むウエハ側面部に溶融再固化による非単結晶化処理を施
した非単結晶材料部、２は上記半導体ウエハ１ａに上記
非単結晶化処理を施すためのレーザビーム、３は該レー
ザビームを照射するレーザ発振器、４はその上に上記半
導体ウエハ１ａが載置された回転ウエハサセプタを示し
ている。
【００４２】以下に上記半導体ウエハの製造方法につい
て説明する。まず、従来の技術で説明したのと同様の工
程により、ＬＥＣ法等で、バルク単結晶の、ＩｎＰ半導
体インゴットを得る。このインゴットを所望の直径の円
筒形状に加工した後、ウエハ状にスライスし、更にポリ
ッシング等の工程を経て、単結晶半導体ウエハ１ａを得
る。
【００４３】本実施例２では、このようにして得られた
半導体ウエハ１ａを、図２に示す回転ウエハサセプタ４
上に載置し、上記単結晶半導体ウエハ１ａの外周円の接
線方向よりレーザ発振器３からのレーザビーム２を照射
し、図２に示す非単結晶材料部１ｂを形成する。この非
単結晶材料部１ｂは、上記半導体ウエハ側面部に、レー
ザビームを用いた溶融、再固化による非単結晶化処理を
行うことにより形成し、この非単結晶化処理を、上記回
転ウエハサセプタ４を回転させながら上記半導体ウエハ
１ａ全周にわたって行うことにより、図１に示すような
半導体ウエハの上記側面部の全周が非単結晶化された半
導体ウエハ１を得る。
【００４４】このレーザビーム２による加熱は半導体ウ
エハ１ａの単結晶を非単結晶化することが目的であり、
該レーザビーム２の強度は半導体ウエハ１ａのマクロな
形状変化を伴うほどの強さまでには大きくしないように
する。なお、ここではウエハにポリッシング処理を施し
た後に上記非単結晶化処理を施したが、これは上記非単
結晶化処理を行ったあとにポリッシング処理を行うよう
にしてもよい。
【００４５】以下、本実施例２の作用について説明す
る。上述した非単結晶化処理は、該半導体ウエハの上記
側面部にレーザビーム２を照射して上記側面部の単結晶
材料を溶融し、これを急冷することにより、該側面部の
単結晶の規則性を乱し、該側面の単結晶材料を、非単結
晶（非結晶，多結晶，等）の状態に変性させるものであ
り、これにより、上記半導体ウエハの側面部に非単結晶
化処理を行うことができる。この非単結晶化により、半
導体ウエハ側面部の劈開性を無くすことができる。
【００４６】また、本実施例で示した半導体ウエハの製
造方法においては、半導体ウエハ１ａを上記回転ウエハ
サセプタ４に載置した後、レーザビームを該円形ウエハ
１ａの接線方向から照射している。これにより半導体ウ
エハの側面部のみにレーザビーム２が当たり、レーザビ
ーム２が上記側面部以外の主面中心部に誤って照射され
ることがなく、かつ半導体ウエハの主面と側面とにより
形成される角部分の，表面側と裏面側との両方を同時に
一つのレーザ発振器３にて処理することができる。さら
にこの非単結晶化処理では、回転ウエハサセプタ４によ
り半導体ウエハ１を回転させながら、レーザビーム２に
より上記半導体ウエハ１ａの側面部の加熱を行うことに
より、レーザビーム２で溶融した側面部の結晶を急冷す
る作業を、順次効率的に行うことができる。また、レー
ザビーム２の強度，及び回転ウエハサセプタ４の回転速
度を適宜調整することにより、処理する半導体材料，ま
たは所望の結晶状態にあわせて、上記非単結晶化処理の
処理条件を変化させることができる。
【００４７】このように本実施例２では、上記半導体ウ
エハ１ａを回転させながら、該半導体ウエハ１の主面と
側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部に、
その接線方向からレーザビーム２を照射し、マクロな形
状変化を伴わない結晶の変性処理を行うようにしたの
で、１つのレーザ発振器３で半導体ウエハ側面部の単結
晶を非単結晶化することができ、ウエハ側面部にクラッ
ク７が入っても、この半導体ウエハ側面部には劈開性が
無く、このクラック７を起点に劈開が起こるのを防止で
き、ウエハ割れの起こりにくい半導体ウエハを得ること
ができる効果がある。
【００４８】実施例３．図３(a) は本発明の第３の実施
例による半導体ウエハの製造方法を示す図であり、図３
(b) はその変形例を示す図である。図において、３ａ，
３ｂ，３ｃはそれぞれ円形ウエハの接線方向から、半導
体ウエハ１ａ側面の表面側部分，側面の裏面側部分，及
び側面の中央部分に溶融再固化による非単結晶化処理を
施すための各レーザ発振器であり、２は各レーザ発振器
から照射されるレーザビーム、１ｂは各レーザビーム２
により非単結晶化処理された非単結晶材料部である。図
３において、図２と同一符号は、同一または相当する部
分を示す。
【００４９】以下に、本実施例３による半導体ウエハの
製造方法について説明する。上記実施例２と同様に、Ｌ
ＥＣ法等により成長したバルク単結晶のＩｎＰインゴッ
トを所望の直径の円筒に加工した後、ウエハ状にスライ
スし、更にポリッシング等の工程を経て単結晶半導体ウ
エハを得る。
【００５０】上記実施例２では１つのレーザ発振器３に
より非単結晶化処理を行ったが、本実施例３による非単
結晶化処理では、複数方向から複数のレーザビーム照射
を行うことにより非単結晶化処理を行うものである。即
ち、上記実施例２と同様に、回転ウエハサセプタ４上に
半導体ウエハ１ａを載置した後、本実施例３では、例え
ば図３(a) に示すように、半導体ウエハ１ａ側面の表面
側の角部分，側面の裏面側の角部分，及び側面の中央部
分に、半導体ウエハと同一面の接線方向から、それぞれ
３つのレーザ発振器３ａ，３ｂ，３ｃによりレーザビー
ム２を照射し、図３(a) に非単結晶材料部１ｂとしてそ
れぞれ示した部分に非単結晶化処理を施す。さらに、こ
の処理を上記回転ウエハサセプタ４を回転させながら上
記半導体ウエハ１ａ全周にわたって施し、半導体ウエハ
の主面と側面とにより形成される角部分、及び側面部が
非単結晶化処理された半導体ウエハを得る。このレーザ
ビーム２による加熱の強さは上記実施例２と同程度で行
う。
【００５１】次に、本実施例３の作用について説明す
る。本実施例３で示した半導体ウエハの製造方法におい
ては、レーザ光が側面以外の主面中心部に誤って照射さ
れることがないように処理できること，及び半導体ウエ
ハ１を回転させつつ処理を行うことにより、レーザビー
ム２により加熱した側面部の結晶を急冷する作業を順次
効率的に行うことができるのは上記実施例２で説明した
通りである。本実施例３では、半導体ウエハを上記回転
ウエハサセプタ４に載置した後、複数方向から複数のレ
ーザビームの照射を行うことにより、半導体ウエハの側
面，及び主面と側面とにより形成される角部分を確実に
非単結晶化処理することができる。
【００５２】変形例１ また図３(a) では、レーザ発振器３ａ，３ｂは接線方向
から半導体ウエハ側面の表面側の角部分，裏面側の角部
分にレーザビーム２を照射しているが、図３(b) に示す
本実施例３の変形例では、レーザ発振器３ａ，３ｂは半
導体ウエハの上方，及び下方から上記表面側の角部分，
裏面側の角部分にレーザビームの照射を行う。この様な
方向からレーザビーム２の照射を行った場合も図３(a)
に示したものと同様の効果を発揮する。
【００５３】このように本実施例３では、半導体ウエハ
の上記側面部に、複数方向から複数のレーザビームを、
同時もしくは順次に照射することにより、結晶の変性処
理を行ったので、主面と側面とより成る角を含む部分を
確実に非単結晶化でき、ウエハ側面部にクラック７が入
っても、この半導体ウエハ側面部には劈開性が無く、こ
のクラック７を起点に劈開が起こるのを防止でき、ウエ
ハ割れの起こりにくい半導体ウエハを得ることができる
効果がある。
【００５４】なお、上記実施例２，実施例３では円形ウ
エハを用い、その主面と側面とにより形成される角部分
を含む側面にレーザビームを照射する場合について説明
したが、上記レーザビームを照射するレーザ発振器を、
移動可能に構成し、レーザビームの照射場所を調整する
ことにより、ＯＦ（オリエンテーションフラット）を有
する円形の半導体ウエハ，あるいは円形以外の形状の半
導体ウエハを用い、その主面と側面とにより形成される
角部分を含む側面部にレーザビームによる非単結晶化処
理を行うことができる。
【００５５】実施例４．図４は本発明第４の実施例によ
る半導体ウエハの製造方法を示す斜視図であり、３ｄは
半導体ウエハ１ａに、レーザビームにより識別記号を刻
印するレーザマーク機能と、レーザビームを用いた溶融
再固化を行う非結晶化処理機能とを共に有するレーザ発
振器、５は該レーザ発振器３ｄにより刻印されたウエハ
の識別記号であり、図において図２と同一符号は、同一
または相当する部分を示す。
【００５６】以下、本実施例による製造方法について説
明する。本実施例４による半導体ウエハの製造方法にお
いて、上記半導体ウエハ側面部を非単結晶化する工程
は、上記実施例に示したものと同様である。図４に示し
たレーザ発振器３ｄは、上記実施例３の変形例１の説明
で用いた図３(b) に示したレーザ発振器３ａが、さらに
レーザマーク機能を備えたものであり、このレーザ発振
器３ｄは上記非単結晶化処理を行うと共に、レーザによ
る刻印を行う。なお、図４において、非単結晶化処理の
みを行うその他のレーザ発振器は図示しなかった。
【００５７】また、図４に示す本実施例４の構成では、
レーザ発振器３ｄが非単結晶化処理機能と、レーザマー
ク機能とを共に有するように構成されているが、上記図
２または図３(a) に示したレーザ発振器３，または３ａ
ないし３ｃを有し、更に加えて、レーザマークのみを行
うレーザ発振器３ｄを備えた構成としても良い。さら
に、レーザビームによる刻印は、半導体ウエハの上方か
らでなく下方から行うようにしてもよい。
【００５８】以下に、本実施例４の作用について説明す
る。図に示すレーザマーク機能を有するレーザ発振器３
ｄを用いて半導体ウエハに刻印を行うことにより、自動
化された製造過程の各工程で、ウエハのを確実に識別す
ることができ、かつ半導体ウエハの表裏を光学的方法に
より判別することができる。また、通常、円形の半導体
ウエハには、そのウエハの表裏判別用に第２ＯＦという
平坦部が形成されているが、上述した識別記号による光
学的な表裏の判別を行うことにより第２ＯＦを省略する
こともできる。
【００５９】このように本実施例４では、レーザマーク
機能を有するレーザ発振器により半導体ウエハに刻印を
行うようにしたので、上記刻印された識別記号をもと
に、ウエハの識別，及びウエハの表裏の判別を容易に行
うことができる。また、上記実施例２または実施例３で
説明した、レーザ発振器により半導体ウエハの主面と側
面とにより形成される角部分を含む側面部に非単結晶化
処理を行う半導体ウエハの製造方法においては、非単結
晶化処理を行うレーザ発振器と、レーザマークを行うレ
ーザ発振器とを共用することができる。
【００６０】実施例５．図５は本発明の第５の実施例に
よる半導体ウエハの製造方法を示す図である。図におい
て１０ａはＩｎＰ半導体インゴットを示し、１０ｂはそ
の半導体インゴットに非単結晶化処理が施された非単結
晶材料部、４ａは回転インゴットサセプタであり、２は
レーザビーム、３はインゴット１０ａに処理を施すレー
ザビーム２を照射するレーザ発振器である。
【００６１】以下、本実施例５による半導体ウエハの製
造方法について説明する。通常、半導体ウエハは半導体
インゴットをスライス加工して製造される。そこで本実
施例５では、半導体インゴットの状態で、該半導体イン
ゴットの円筒側面に非単結晶化処理を行い、その後、ス
ライス加工することにより、半導体ウエハの側面部が非
結晶化されてなる半導体ウエハを得ようとするものであ
る。
【００６２】まず、従来の技術で説明したと同様に、Ｌ
ＥＣ法等により成長したバルク単結晶のＩｎＰインゴッ
トを所望の直径の円筒形状に加工する。次に、本実施例
５では、こうして得られた半導体インゴット１０ａを、
図５に示すように回転インゴットサセプタ４ａ上に載置
し、このインゴット１０ａ側面に、レーザ発振器３によ
りレーザビーム２を照射する。このレーザビームの照射
により該半導体インゴット１０ａ側面の表面近傍を非単
結晶化する。この処理の後、該インゴットをスライス加
工し、さらにポリッシング加工を行って、その半導体ウ
エハの主面と側面とにより形成される角部分を含む側面
部が非単結晶化されてなるＩｎＰ半導体ウエハを得る。
【００６３】以下に、本実施例５の作用について説明す
る。本実施例５では、半導体インゴットの状態で、該半
導体インゴットの円筒側面に対し非単結晶化処理を行
う。この非単結晶化処理は、該半導体インゴットの上記
円筒側面にレーザビーム２を照射して上記円筒側面部の
単結晶材料を溶融し、これを急冷することにより、該円
筒側面部の単結晶の規則性を乱し、その単結晶材料を、
非単結晶（非結晶，多結晶，等）の状態に変性させるも
のである。これによりインゴットの円筒側面部の劈開性
を無くすことができる。
【００６４】また、本実施例５では、インゴット状態
で、この非単結晶化処理を行い、その後スライス加工を
して、半導体ウエハ側面部が非単結晶化された半導体ウ
エハを得るものであり、上記実施例２または実施例３で
示した、各半導体ウエハ１枚ごとに行う、非単結晶化処
理の工程に相当するものを、１度の非単結晶化処理の工
程によって行うことができる。
【００６５】このように本実施例５では、半導体をイン
ゴット状態で所望の直径の円筒形状に加工し、その円筒
側面を非単結晶化した後、このインゴットをウエハ状に
スライスし、ポリッシングすることにより、該半導体ウ
エハの主面と側面とにより形成される角部分を含むウエ
ハ側面部が非単結晶化されてなる半導体ウエハを得るよ
うにしたので、ウエハ側面部にクラック７が入っても、
このクラック７を起点に劈開が起こるのを防止でき、ウ
エハ割れの起こりにくい半導体ウエハを得ることができ
る。また、各半導体ウエハ１枚ごとに行う、非単結晶化
処理の工程に相当するものを、１度の非単結晶化処理の
工程によって行うことができ、工程を簡略化することが
できる効果がある。
【００６６】実施例６．図６は本発明の第６の実施例に
よる半導体ウエハを示す図であり、図において、１００
は本発明の半導体ウエハ、１ａは半導体ウエハ１００の
単結晶材料部、１ｃは半導体ウエハ１ａのの主面と側面
とにより形成される角部分を含む側面部に非単結晶材料
を付着させた非単結晶材料部である。
【００６７】実施例１で説明したように、一般に半導体
レーザ等の製造に使用するＧａＡｓ，ＩｎＰ等の単結晶
半導体ウエハは、劈開性が良いため、半導体レーザの製
造過程において発生するウエハの微小なクラック７を起
点に、容易に結晶軸方向に亀裂を生じ、ウエハ割れを起
こしてしまう。これを防ぐために本実施例６の半導体ウ
エハは、半導体ウエハ１ａの上記側面部に非単結晶材料
を付着させてなるものとした。
【００６８】このような上記単結晶半導体ウエハ１００
は、その半導体ウエハの主面と側面とにより形成される
角部分を含む側面部に非単結晶材料部１ｃが形成されて
おり、該非単結晶材料部１ｃは劈開性をもたない。これ
により、半導体レーザの製造過程で、ウエハの側面部に
微小なクラック７が入っても、この半導体ウエハ側面部
は劈開性が無いため、そのクラック７を起点に結晶面８
に沿ってウエハ全体に亀裂が走ることを防止することが
できる。
【００６９】このように、本実施例６の半導体ウエハ１
００では、劈開性の良い単結晶化合物半導体ウエハの側
面部に非単結晶材料を付着させてなる非単結晶材料部１
ｃを備えたので、該ウエハ側面部の劈開性が無くなり、
該半導体ウエハ側面部に微小なクラック７が生じてもそ
のクラック７を起点に亀裂が走ることを防止でき、これ
により、ウエハの割れを大幅に低減することができる効
果がある。
【００７０】実施例７．図７は本発明第７の実施例によ
る半導体ウエハの製造方法を示す図であり、図７(a) は
非単結晶材料を付着する前の単結晶半導体ウエハを示す
斜視図、図７(b) は非単結晶材料を付着する装置を示す
断面図、図７(c) はこれにより形成された本実施例７の
半導体ウエハを示す斜視図である。図において、２１は
カソード電極、２２はこのカソード電極２１に接続され
たアース、２３はＳｉＨ4 よりなる反応ガス、２４はそ
の反応ガス２３を導入するためのガス配管、２５は反応
ガス２３よりなるプラズマ、２６はアノード電極、２７
は高周波電源を示しており、図において図２，及び図６
と同一符号は、同一または相当する部分を示している。
【００７１】以下に、本実施例７による半導体ウエハの
製造方法について説明する。まず、上記実施例２，及び
実施例３と同様に、ＬＥＣ法等により成長したバルク単
結晶のＩｎＰインゴットを所望の直径の円筒に加工した
後、ウエハ状にスライスし、図７(a) に示すような単結
晶半導体ウエハ１ａを得る。この際の直径は、付着させ
る非単結晶材料分を考慮して必要に応じて小さく形成す
る。このように作成した半導体ウエハ１ａを図７(b) に
示すような装置の回転ウエハサセプタ４上に載置し、半
導体ウエハの側面部のみにＣＶＤ法等により非単結晶の
材料を付着する。本実施例の場合、反応ガスにＳｉＨ4
を用い、回転ウエハサセプタ４を回転させつつ、アモル
ファスシリコンの付着を行い、半導体ウエハ１ａの側面
の全周に非単結晶部分１ｃを形成する。このようにして
図７(c) に示したような半導体ウエハ１００を得る。
【００７２】以下、本実施例７の作用について説明す
る。本実施例７は、上記実施例６で示した半導体ウエハ
１００を得るための製造方法であり、劈開性を有する半
導体ウエハ１ａの主面と側面とにより形成される角部分
を含む側面部に、劈開性の無い非単結晶材料を付着させ
ることにより、該側面部に非単結晶材料部１ｃを形成す
ることができ、これにより半導体ウエハにクラック７が
入っても、このクラック７を起点に劈開が起こりにくい
半導体ウエハ１００を製造することができる。
【００７３】このように本実施例７では、半導体ウエハ
の主面と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側
面部に、非単結晶材料を付着して半導体ウエハを製造す
るので、上記半導体ウエハ側面部を劈開性のない材料で
形成することができ、これにより上記半導体ウエハ側面
部にクラック７が入っても、このクラック７を起点に劈
開が起こりにくい半導体ウエハを得ることができる効果
がある。
【００７４】なお、非単結晶材料部を形成する方法とし
て、本実施例７ではアモルファスシリコンをＣＶＤ法に
より付着させる方法を示したが、単結晶半導体ウエハの
側面に付着させる劈開性のない材料としては、アモルフ
ァスシリコン以外にも、ＩｎＰ，あるいはＧａＡｓ等の
劈開性を有する半導体に付着可能な材料であればよく、
また付着させる方法としてはＣＶＤ法以外に、スパッ
タ，蒸着等の方法により上記付着を行うことができる。
【００７５】実施例８．図８，及び図９は本発明の第８
の実施例による半導体ウエハの製造方法を示す図であ
る。図において、１０はＬＥＣ法等により成長したバル
ク単結晶の半導体インゴット、１０ａはこのインゴット
状の半導体を所望の直径に加工したあとの半導体インゴ
ット、２８はスライス用のカッター、８０はスライスさ
れた後の半導体ウエハ、９０はポリッシングされた後の
半導体ウエハであり、図７と同一符号は、同一または相
当する部分を示す。
【００７６】以下に、本実施例８による半導体ウエハの
製造方法について説明する。上記実施例７ではウエハ状
の半導体に非単結晶材料を付着する半導体ウエハの製造
方法について説明したが、本実施例８では、インゴット
状の半導体に非単結晶材料を付着する半導体ウエハの製
造方法について説明する。
【００７７】まず、上記実施例５で説明したと同様に、
ＬＥＣ法等により単結晶の半導体インゴット１０を得る
（図８(a) ）。このバルク単結晶の半導体ＩｎＰインゴ
ット１０を、所望の直径の円筒形状に加工する（図８
(b) ）。この際、本実施例８では、上記直径は、付着す
る非単結晶材料分を考慮し、必要に応じて小さく形成す
る。このようにして得られた半導体インゴット１０ａを
回転インゴットサセプタ４ａ上に載置し、その円筒側面
に、図８(c) に示すような装置を用いて、非単結晶材料
を付着させ、非単結晶材料部１０ｃを形成する。本実施
例の場合は、反応ガスにＳｉＨ4 ガスを用い、アモルフ
ァスシリコンを付着させた。ここでの付着方法，及び付
着材料としては、上記実施例７で説明したと同様に、上
記ＣＶＤ法を用いたアモルファスシリコンの付着に限定
されるものではない。このように上記インゴット１０ａ
の円筒側面の全周に非単結晶材料部１ｃを形成後（図９
(a)）、スライス用のカッター２８で所望の厚さのウエ
ハ状にスライスし、スライス後のウエハ９０を得る（図
９(b) ）。これにポリッシング加工を施し、主面と側面
との角を含む半導体ウエハの側面が非単結晶化された半
導体ウエハ９０を得る（図９(c) ）。
【００７８】以下、本実施例８の作用について説明す
る。本実施例８は、劈開性を有する半導体インゴット１
０ａの側面部に劈開性の無い非単結晶材料を付着させ、
これをスライスし、ポリッシング加工することにより、
半導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を
含む側面部に、非単結晶材料部１ｃが形成された半導体
ウエハを得ることができ、これにより該半導体ウエハに
クラック７が入っても、これを起点に劈開による亀裂が
走るのを防ぐことができる。
【００７９】このように本実施例８では、半導体インゴ
ットの円筒側面に非単結晶材料を付着し、これをスライ
スし、ポリッシング加工することにより、半導体ウエハ
の主面と側面とにより形成される角部分を含む側面部
に、非単結晶材料部１ｃが形成された半導体ウエハ９０
を得ることができ、これにより半導体ウエハ９０にクラ
ック７が入っても、このクラック７を起点に劈開が起こ
りにくい半導体ウエハを得ることができる効果がある。
また、実施例７で示した、各半導体ウエハ１枚ごとに、
非単結晶材料を付着する工程に相当するものを、１度の
付着工程によって行うことができ工程を簡略化すること
ができる効果がある。
【００８０】なお、上記実施例５，及び上記実施例８で
は円筒形状のインゴットの側面に非単結晶材料部を形成
する場合について説明したが、予めＯＦを形成したイン
ゴットの側面に非単結晶部を形成するようにしてもよ
い。また、上記実施例５，実施例８以外の実施例におい
て、そのウエハの形状は円形に限定されるものではな
い。
【００８１】
【発明の効果】この発明にかかる半導体ウエハの製造方
法によれば、半導体ウエハの製造方法において、劈開性
の良い単結晶化合物よりなる半導体ウエハの主面と側面
とにより形成される角部分を含むウエハ側面部に、非単
結晶材料部を形成する工程を含むので、上記半導体ウエ
ハ側面部を非単結晶材料により形成でき、これにより上
記半導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分
を含む側面部の劈開性を無くすことができ、クラックを
起点とした劈開によるウエハ割れを防止できる効果があ
る。
【００８２】この発明（請求項２）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項１）において、上記非単結
晶材料部を形成する工程は、上記半導体ウエハの主面と
側面とにより形成される角部分を含む半導体ウエハ側面
部を溶融再固化することによりマクロな形状変化を伴わ
ない結晶の変性処理を行うものであるので、上記半導体
ウエハ側面部の単結晶を変性させることができ、これに
より上記半導体ウエハの主面と側面とにより形成される
角部分を含む側面部の劈開性を無くすことができ、クラ
ックを起点とした劈開によるウエハ割れを防止できる効
果がある。
【００８３】この発明（請求項３）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項１）において、上記非単結
晶材料部を形成する工程は、上記半導体ウエハの主面と
側面とにより形成される角部分を含む半導体ウエハ側面
部に、非単結晶材料を付着させるものであるので、上記
半導体ウエハ側面部を非単結晶材料により形成でき、こ
れにより上記半導体ウエハの主面と側面とにより形成さ
れる角部分を含む側面部の劈開性を無くすことができ、
クラックを起点とした劈開によるウエハ割れを防止でき
る効果がある。
【００８４】この発明（請求項４）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項２）において、上記非単結
晶材料部を形成する工程における、上記半導体ウエハ側
面部の溶融再固化は、該半導体ウエハを回転させた状態
で、該半導体ウエハ側面部に、レーザビームを照射する
ものであるので、上記半導体ウエハ側面部の上記溶融再
固化を効率よく行うことができる効果がある。
【００８５】この発明（請求項５）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項４）において、上記半導体
ウエハが円形形状であり、上記非単結晶材料部を形成す
る工程における上記半導体ウエハの上記側面部へのレー
ザビームの照射は、該半導体ウエハと同一平面内の該半
導体ウエハの側面部に対する接線方向から照射するもの
であるので、１つのレーザ発振器により、上記半導体ウ
エハの主面と側面とにより形成される表面側の角部分と
裏面側の角部分とを同時に，均等に溶融再固化すること
ができ、かつ上記レーザビームが半導体ウエハ中心部に
誤って照射されることを防止できる効果がある。
【００８６】この発明（請求項６）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項４）において、上記非単結
晶材料部を形成する工程における上記半導体ウエハの上
記側面部へのレーザビームの照射は、複数方向から複数
のレーザビームを、同時もしくは順次に照射するもので
あるので、上記半導体ウエハの主面と側面とにより形成
される角部分を確実に溶融再固化することができる効果
がある。
【００８７】この発明（請求項７）にかかる半導体ウエ
ハの製造方法によれば、半導体ウエハの製造方法におい
て、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体を、イン
ゴット状態で所望の直径の円筒状に加工する工程と、該
円筒状に加工された該半導体インゴットの円筒側面部に
非単結晶材料部を形成する工程と、その円筒側面部に非
単結晶材料部を形成した該半導体インゴットを、ウエハ
状にスライスする工程と、該ウエハ状の半導体を、ポリ
ッシングする工程とを含み、該ウエハ状の半導体の主面
と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部が
非単結晶化された半導体ウエハを得るので、上記半導体
ウエハ側面部に非単結晶材料部を形成するための処理
が、インゴット状態で行う１度の処理ですみ、製造工程
を簡略化することができる。またこれにより上記半導体
ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含む側
面部の劈開性を無くすことができ、クラックを起点とし
た劈開によるウエハ割れを防止できる効果がある。
【００８８】この発明（請求項８）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項７）において、上記半導体
インゴットの円筒側面部に非単結晶材料部を形成する工
程は、上記半導体インゴットの円筒側面部を溶融再固化
することにより結晶の変性処理を行うものであるので、
上記円筒側面部の単結晶材料を変性させ非単結晶材料と
することができ、これにより上記半導体ウエハの主面と
側面とにより形成される角部分を含む側面部の劈開性を
無くすことができ、クラックを起点とした劈開によるウ
エハ割れを防止できる効果がある。
【００８９】この発明（請求項９）によれば、上記半導
体ウエハの製造方法（請求項７）において、上記半導体
インゴットの円筒側面部に非単結晶材料部を形成する工
程は、上記半導体インゴットの円筒側面部に非単結晶材
料を付着させるものであるので、上記円筒側面部を非単
結晶材料により形成することができ、これにより上記半
導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含
む側面部の劈開性を無くすことができ、クラックを起点
とした劈開によるウエハ割れを防止できる効果がある。
【００９０】この発明（請求項１０）によれば、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項８）において、上記非単
結晶材料部を形成する工程における上記半導体インゴッ
トの円筒側面部の溶融再固化は、該半導体インゴットを
回転させた状態でその円筒側面部にレーザビームを照射
するものであるので、上記円筒側面部の上記溶融再固化
を効率よく行うことができる効果がある。
【００９１】この発明（請求項１１）によれば、上記半
導体ウエハの製造方法（請求項１ないし１０のいずれ
か）において、該半導体ウエハにレーザマークを形成す
る工程をさらに含むので、半導体ウエハの識別が可能と
なる。また、上記半導体ウエハ側面部の結晶の溶融再固
化をレーザビームにより行う場合（請求項４）、上記溶
融を行うレーザ発振器とレーザマークを行うレーザ発振
器とを共用することができる効果がある。
【００９２】この発明（請求項１２）にかかる半導体ウ
エハによれば、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導
体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含む
ウエハ側面部に非単結晶材料部を備えたので、上記半導
体ウエハ側面部の劈開性をなくすことができ、クラック
を起点とした劈開によるウエハ割れを防止できる効果が
ある。
【００９３】この発明（請求項１３）によれば、上記半
導体ウエハ（請求項１２）において、上記半導体ウエハ
の非単結晶材料部は、上記半導体ウエハの上記側面部の
溶融再固化によるマクロな形状変化を伴わない結晶の変
性処理により形成されているので、上記半導体ウエハ側
面部が、非単結晶材料に変性した半導体ウエハを得るこ
とができ、上記半導体ウエハ側面部の劈開性を無くすこ
とができ、これによりクラックを起点とした劈開による
ウエハ割れを防止できる効果がある。
【００９４】この発明（請求項１４）によれば、上記半
導体ウエハ（請求項１２）において、上記半導体ウエハ
は、該半導体ウエハの主面と側面とにより形成される角
部分を含むウエハ側面部に、非単結晶材料を付着させた
ものであるので、上記半導体ウエハ側面部を非単結晶材
料により形成することができ、上記半導体ウエハ側面部
の劈開性を無くすことができ、これによりクラックを起
点とした劈開によるウエハ割れを防止できる効果があ
る。
【００９５】この発明（請求項１５）によれば、上記半
導体ウエハ（請求項１３）において、上記非単結晶材料
部を形成する際の上記溶融再固化は、レーザビームを照
射することによるので、上記溶融再固化を効率よく行う
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体ウエハ
を示す斜視図である。
【図２】 この発明の第２の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を説明するための斜視図である。
【図３】 この発明の第３の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を説明するための斜視図(a) ，及び第３の実
施例の変形例を説明するための斜視図(b) である。
【図４】 この発明の第４の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を説明するための斜視図である。
【図５】 この発明の第５の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を説明するための斜視図である。
【図６】 この発明の第６の実施例による半導体ウエハ
のを示す斜視図である。
【図７】 この発明の第７の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を示す工程図(a) ，(b) ，(c) である。
【図８】 この発明の第８の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を示す工程図(a) ，(b) ，(c) である。
【図９】 この発明の第８の実施例による半導体ウエハ
の製造方法を示す工程図(a) ，(b) ，(c) である。
【図１０】 従来の半導体ウエハを示す斜視図である。
【図１１】 従来の半導体ウエハのウエハ割れを説明す
るための斜視図である。
【符号の説明】
１，８０，９０，１００ 半導体ウエハ、１ａ 単結晶
材料部分、１ｂ 非単結晶材料部分、２ レーザビー
ム、３，３ａ，３ｂ，３ｃ レーザ発振器、４回転ウエ
ハサセプタ、５ 識別記号、１０ａ 半導体インゴッ
ト、１０ｂ 半導体インゴットの非単結晶材料部分、４
ａ 回転インゴットサセプタ、２１ カソード電極、２
２ アース、２３ 反応ガス、２４ ガス配管、２５
プラズマ、２６ アノード電極、２７ 高周波電源、２
８ スライス用のカッター、７ クラック、８ 劈開の
結晶面。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハの製造方法において、 劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体ウエハの主面
    と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部
    に、非単結晶材料部を形成する工程を含むことを特徴と
    する半導体ウエハの製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記非単結晶材料部を形成する工程は、上記半導体ウエ
    ハの主面と側面とにより形成される角部分を含む半導体
    ウエハ側面部を溶融再固化することによりマクロな形状
    変化を伴わない結晶の変性処理を行うものであることを
    特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記非単結晶材料部を形成する工程は、上記半導体ウエ
    ハの主面と側面とにより形成される角部分を含む半導体
    ウエハ側面部に、非単結晶材料を付着させるものである
    ことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記非単結晶材料部を形成する工程における、上記半導
    体ウエハ側面部の溶融再固化は、該半導体ウエハを回転
    させた状態で、該半導体ウエハ側面部に、レーザビーム
    を照射するものであることを特徴とする半導体ウエハの
    製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記半導体ウエハが円形形状であり、上記非単結晶材料
    部を形成する工程における上記半導体ウエハの上記側面
    部へのレーザビームの照射は、 該半導体ウエハと同一平面内の該半導体ウエハの側面部
    に対する接線方向から照射するものであることを特徴と
    する半導体ウエハの製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項４に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記非単結晶材料部を形成する工程における上記半導体
    ウエハの上記側面部へのレーザビームの照射は、 複数方向から複数のレーザビームを、同時もしくは順次
    に照射するものであることを特徴とする半導体ウエハの
    製造方法。
  7. 【請求項７】 半導体ウエハの製造方法において、 劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体を、インゴッ
    ト状態で所望の直径の円筒状に加工する工程と、 該円筒状に加工された該半導体インゴットの円筒側面部
    に非単結晶材料部を形成する工程と、 その円筒側面部に非単結晶材料部を形成した該半導体イ
    ンゴットを、ウエハ状にスライスする工程と、 該ウエハ状の半導体を、ポリッシングする工程とを含
    み、 該ウエハ状の半導体の主面と側面とにより形成される角
    部分を含むウエハ側面部が非単結晶化された半導体ウエ
    ハを得ることを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記半導体インゴットの円筒側面部に非単結晶材料部を
    形成する工程は、上記半導体インゴットの円筒側面部を
    溶融再固化することにより結晶の変性処理を行うもので
    あることを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項７に記載の半導体ウエハの製造方
    法において、 上記半導体インゴットの円筒側面部に非単結晶材料部を
    形成する工程は、上記半導体インゴットの円筒側面部に
    非単結晶材料を付着させるものであることを特徴とする
    半導体ウエハの製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項８に記載の半導体ウエハの製造
    方法において、 上記非単結晶材料部を形成する工程における、上記半導
    体インゴットの円筒側面部の溶融再固化は、該半導体イ
    ンゴットの円筒側面部に、該半導体インゴットを回転さ
    せた状態で、レーザビームを照射するものであることを
    特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
    半導体ウエハの製造方法において、 該半導体ウエハにレーザマークを形成する工程を、さら
    に含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  12. 【請求項１２】 半導体ウエハにおいて、 劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体ウエハの主面
    と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部に
    非単結晶材料部を備えたことを特徴とする半導体ウエ
    ハ。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の半導体ウエハにお
    いて、 上記半導体ウエハの非単結晶材料部は、上記半導体ウエ
    ハの上記側面部の溶融再固化によるマクロな形状変化を
    伴わない結晶の変性処理により形成されていることを特
    徴とする半導体ウエハ。
  14. 【請求項１４】 請求項１２に記載の半導体ウエハにお
    いて、 上記半導体ウエハは、該半導体ウエハの主面と側面とに
    より形成される角部分を含むウエハ側面部に、非単結晶
    材料を付着させたものであることを特徴とする半導体ウ
    エハ。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載の半導体ウエハにお
    いて、 上記非単結晶材料部を形成する際の上記溶融再固化は、
    レーザビームを照射することによるものであることを特
    徴とする半導体ウエハ。
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