JPH03292718A - 結晶性半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶性半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH03292718A JPH03292718A JP9460990A JP9460990A JPH03292718A JP H03292718 A JPH03292718 A JP H03292718A JP 9460990 A JP9460990 A JP 9460990A JP 9460990 A JP9460990 A JP 9460990A JP H03292718 A JPH03292718 A JP H03292718A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は結晶性半導体薄膜の製造方法に関するものであ
って、Ｓ ０１ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｏｒ）構造を形成するのに用いて最適なものであ
る。
って、Ｓ ０１ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｏｒ）構造を形成するのに用いて最適なものであ
る。
（従来の技術］
結晶性半導体薄膜の製造方法の従来例として特開昭６１
−２８８４１３号公報にＬ己載されたものがある。第２
図ｆａ）〜第２図（ｃ）に従来例の実施例を示す工程順
断面図を示す。
−２８８４１３号公報にＬ己載されたものがある。第２
図ｆａ）〜第２図（ｃ）に従来例の実施例を示す工程順
断面図を示す。
第２図（ａ）に示すように、まず石英基板７上に多結晶
Ｓ】膜２を形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように
、多結晶Ｓ１膜２上にキャップ層を構成する５ｉｎ２膜
８を形成した後、レ−ザーム５を間材して多結晶Ｓ１膜
２を瀉解再結晶化させる。この結果、第２図（ｃ）に示
すよう、二 手ｊ呈でクラックのない単結晶Ｓ１膜９が
升三成されるというものである。
Ｓ】膜２を形成する。次に、第２図（ｂ）に示すように
、多結晶Ｓ１膜２上にキャップ層を構成する５ｉｎ２膜
８を形成した後、レ−ザーム５を間材して多結晶Ｓ１膜
２を瀉解再結晶化させる。この結果、第２図（ｃ）に示
すよう、二 手ｊ呈でクラックのない単結晶Ｓ１膜９が
升三成されるというものである。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、以上に示した従来例によれば、レーザビーム５
の照射によって融解した多結晶Ｓｉ膜２は、数秒以下の
きわめで短時間の間に固化するたｙ）：二執膨張率の異
なるＳ１膜と石英基板７この間に歪みを生し、筆結晶８
１膜９が石英基仇７より剥離してしまうという問題点を
有していた。
の照射によって融解した多結晶Ｓｉ膜２は、数秒以下の
きわめで短時間の間に固化するたｙ）：二執膨張率の異
なるＳ１膜と石英基板７この間に歪みを生し、筆結晶８
１膜９が石英基仇７より剥離してしまうという問題点を
有していた。
そこで、本発明においては、基体と半導体膜との剥離が
生じにくい結晶性半導体薄膜の製造方法を提供すること
を目的とする。
生じにくい結晶性半導体薄膜の製造方法を提供すること
を目的とする。
［課題を解決するための手段１
本発明は、絶縁性基体上に形成した非晶性半導体膜を結
晶化させることにより結晶性半導体薄膜を得るようにし
た結晶性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性基
体上に多結晶半導体膜を形成した後、前記多結晶半導体
膜上に前記非晶性半導体膜と絶縁膜を積層する工程と、
前記非晶性半導体膜にレーザービームを照射することに
より前記非晶性半導体膜を前記結晶化する工程を含むこ
とを特徴とする。
晶化させることにより結晶性半導体薄膜を得るようにし
た結晶性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性基
体上に多結晶半導体膜を形成した後、前記多結晶半導体
膜上に前記非晶性半導体膜と絶縁膜を積層する工程と、
前記非晶性半導体膜にレーザービームを照射することに
より前記非晶性半導体膜を前記結晶化する工程を含むこ
とを特徴とする。
［実 施 例］
以下本発明に係る結晶性半導体薄膜の製造方法をＳＯＩ
構造の形成に適用した実施例につき図面を参照しながら
説明する。
構造の形成に適用した実施例につき図面を参照しながら
説明する。
第１図（ａ）に示すように、絶縁性基体１上に多結晶Ｓ
ｉ膜２と非晶性Ｓｉ膜３を積層する。多結晶Ｓｉ膜２は
たとえば５６０℃でＣＶＤ法により形成し、非晶性Ｓｉ
膜３を２５０℃でプラズマＣＶＤ法により膜厚３００人
程積層形成する。
ｉ膜２と非晶性Ｓｉ膜３を積層する。多結晶Ｓｉ膜２は
たとえば５６０℃でＣＶＤ法により形成し、非晶性Ｓｉ
膜３を２５０℃でプラズマＣＶＤ法により膜厚３００人
程積層形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜４を形成した
後、レーザービーム５を照射する。レーザービーム５の
強度は絶縁膜４と非晶性Ｓｉ膜３の膜厚と膜質によって
異なる。絶縁膜４を膜厚１０００人程度Ｏ５１０ｍ膜と
しすると、例えばキセノンレーザーによるレーザービー
ム５照射を行なえば、レーザービームによる最適照射強
度は３００ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ”である、このレー
ザービーム５の照射により非晶性Ｓ１膜３を融解した後
冷却固化して、第１図（Ｃ）に示す再結晶Ｓｉ膜６にな
る。
後、レーザービーム５を照射する。レーザービーム５の
強度は絶縁膜４と非晶性Ｓｉ膜３の膜厚と膜質によって
異なる。絶縁膜４を膜厚１０００人程度Ｏ５１０ｍ膜と
しすると、例えばキセノンレーザーによるレーザービー
ム５照射を行なえば、レーザービームによる最適照射強
度は３００ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ”である、このレー
ザービーム５の照射により非晶性Ｓ１膜３を融解した後
冷却固化して、第１図（Ｃ）に示す再結晶Ｓｉ膜６にな
る。
第１図（ｃ）に示した再結晶５ｉｌｌｉ６と多結晶Ｓｉ
膜２の界面は少し融解するが、再結晶Ｓｉ膜６と多結晶
５ｉｌｌ！２との熱膨張率はほとんど等しく、再結晶Ｓ
ｉ膜６がレーザービーム５の照射によって融解した後固
化して形成される際も剥離することはない。また、多結
晶Ｓ１膜２が存在することにより、再結晶Ｓｉ膜６の核
発生密度数は小さく制限される効果を有し、再結晶Ｓｉ
膜６の平均結晶粒径は、多結晶Ｓ１膜２の平均結晶粒径
より大きくなる。
膜２の界面は少し融解するが、再結晶Ｓｉ膜６と多結晶
５ｉｌｌ！２との熱膨張率はほとんど等しく、再結晶Ｓ
ｉ膜６がレーザービーム５の照射によって融解した後固
化して形成される際も剥離することはない。また、多結
晶Ｓ１膜２が存在することにより、再結晶Ｓｉ膜６の核
発生密度数は小さく制限される効果を有し、再結晶Ｓｉ
膜６の平均結晶粒径は、多結晶Ｓ１膜２の平均結晶粒径
より大きくなる。
［発明の効果］
本発明に係る結晶性半導体薄膜の製造方法は、以上説明
したように剥離することのない大粒径の結晶性半導体薄
膜を得ることができるという効果を有する。
したように剥離することのない大粒径の結晶性半導体薄
膜を得ることができるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の結晶性半導体薄膜の製
造方法をＳＯＩ構造の形成に通用した実施例の工程順断
面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来の結晶性半導体薄膜
の製造方法を示す工程断面図である。 ・絶縁膜 再結晶Ｓｉ膜 ・ 石英基板 ・５１０２膜 単結晶Ｓ１膜 以上 比願人 セイコーエプソン株式会社
造方法をＳＯＩ構造の形成に通用した実施例の工程順断
面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来の結晶性半導体薄膜
の製造方法を示す工程断面図である。 ・絶縁膜 再結晶Ｓｉ膜 ・ 石英基板 ・５１０２膜 単結晶Ｓ１膜 以上 比願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 絶縁性基体上に形成した非晶性半導体膜を結晶化させ
ることにより結晶性半導体薄膜を得るようにした結晶性
半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性基体上に多
結晶半導体膜を形成した後、前記多結晶半導体膜上に前
記非晶性半導体膜と絶縁膜を積層する工程と、前記非晶
性半導体膜にレーザービームを照射することにより前記
非晶性半導体膜を前記結晶化をする工程を含むことを特
徴とする結晶性半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9460990A JPH03292718A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9460990A JPH03292718A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292718A true JPH03292718A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14114993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9460990A Pending JPH03292718A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03292718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219046A (ja) * | 1992-08-19 | 2008-09-18 | At & T Corp | 薄膜トランジスターの製造方法 |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP9460990A patent/JPH03292718A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219046A (ja) * | 1992-08-19 | 2008-09-18 | At & T Corp | 薄膜トランジスターの製造方法 |
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