JP2005072183A5 - - Google Patents
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- 可視光パルスレーザを被照射物の表面に線形状に集光して、この線形状の照射領域の幅方向に次のタイミングの照射領域を重ね合わせるようにして位置をずらしながら繰返し照射して前記被照射物の表面に多結晶シリコン膜を形成する多結晶化工程を含み、
前記多結晶化工程は、前記可視光パルスレーザが第１の照射領域に照射されている間または照射される前に前記第１の照射領域に部分的に重なり、長手方向には前記第１の照射領域より長い第２の照射領域に紫外光パルスレーザを照射する、薄膜半導体の製造方法。 - 可視光パルスレーザを被照射物の表面に線形状に集光して、この線形状の照射領域の幅方向に次のタイミングの照射領域を重ね合わせるようにして位置をずらしながら繰返し照射して前記被照射物の表面に多結晶シリコン膜を形成する多結晶化工程を含み、
前記多結晶化工程は、前記被照射物を一方向に相対的に移動させながら、前記可視光パルスレーザが第１の照射領域に照射されている間または照射される前に前記第１の照射領域に部分的に重なり、前記第１の照射領域に比べて前記被照射物の進行方向後ろ側に位置する前記第２の照射領域に紫外光パルスレーザを照射する、薄膜半導体の製造方法。 - 前記可視光パルスレーザとしてＮｄ：ＹＡＧの第２高調波を用い、前記紫外光パルスレーザとしてＮｄ：ＹＡＧの第２高調波よりもさらに波長の短い高調波を用いる、請求項１または２に記載の薄膜半導体の製造方法。
- 被照射物の表面に多結晶シリコン膜を形成するために、可視光パルスレーザを前記被照射物の表面に線形状に集光して、この線形状の照射領域の幅方向に次のタイミングの照射領域を重ね合わせるようにして位置をずらしながら繰返し照射する可視光パルスレーザ照射手段と、
前記可視光パルスレーザが第１の照射領域に照射されている間または照射される前に前記第１の照射領域に部分的に重なり、長手方向には前記第１の照射領域より長い第２の照射領域に紫外光パルスレーザを照射する紫外光パルスレーザ照射手段とを備える、薄膜半導体の製造装置。 - 被照射物の表面に多結晶シリコン膜を形成するために、可視光パルスレーザを前記被照射物の表面に線形状に集光して、この線形状の照射領域の幅方向に次のタイミングの照射領域を重ね合わせるようにして位置をずらしながら繰返し照射する可視光パルスレーザ照射手段と、
前記被照射物を一方向に相対的に移動させる被照射物移動手段と、
前記可視光パルスレーザが第１の照射領域に照射されている間または照射される前に前記第１の照射領域に部分的に重なる第２の照射領域に紫外光パルスレーザを照射する紫外光パルスレーザ照射手段と、
前記第２の照射領域が前記第１の照射領域に比べて前記被照射物の進行方向後ろ側に位置するように設定する照射領域差別化手段とを備える、薄膜半導体の製造装置。 - 前記可視光パルスレーザとしてＮｄ：ＹＡＧの第２高調波を照射し、前記紫外光パルスレーザとしてＮｄ：ＹＡＧの第２高調波よりもさらに波長の短い高調波を照射することができる、請求項４または５に記載の薄膜半導体の製造装置。
- 前記可視光パルスレーザと前記紫外光パルスレーザとが同一の光軸上を進むように前記可視光パルスレーザおよび前記紫外光パルスレーザを伝送するレーザ伝送部と、
前記レーザ伝送部において前記可視光パルスレーザと前記紫外光パルスレーザとの出射角度に差をつけるために前記光軸を挟んで互いに対称な位置関係で配置されたプリズムとを備える、請求項４から６のいずれかに記載の薄膜半導体の製造装置。
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