JPH11298005A - 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エキシマレーザ・アニールの際に生じるオー
バラップ部の画質不良が目立たない、高品質なポリシリ
コン膜を有する薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】 ガラス基板１０上に形成されたアモルフ
ァスシリコン膜１６Ａ上を線状ビーム２０の短尺方向へ
線状ビーム２０を複数回移動してスキャンすることによ
り、エキシマレーザアニールを行って、アモルファスシ
リコン膜１６Ａをポリシリコン膜１６Ｂとする。このエ
キシマレーザアニール際に、アモルファスシリコン膜１
６Ａ上における各スキャンの端にあたる部分に、アニー
ルもれのないように前回のスキャンと重ねてスキャンさ
せるオーバラップ部２２ａ、２２ｂを設け、このオーバ
ラップ部２２ａ、２２ｂのオーバラップ量を連続的に変
化させることにより、オーバラップ部２２ａ、２２ｂに
おける画質不良を目立たなくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポリシリコンを用い
た薄膜トランジスタ、及び、それをスイッチング素子と
するアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置に用いられるトップゲート
型のポリシリコン薄膜トランジスタは、一般に図５に示
すように構成されている。この図５は、トップゲート型
のポリシリコン薄膜トランジスタの断面を示す図であ
る。この図５からわかるように、ポリシリコン薄膜トラ
ンジスタは、ガラス基板（絶縁性基板）１００上に形成
された、アンダーコートＳｉＮ膜１０２と、アンダーコ
ートＳｉＯ₂膜１０４とを、備えて構成されている。ア
ンダーコートＳｉＯ₂膜１０４上には、ポリシリコン膜
１０５が形成されており、このポリシリコン１０５中に
は、チャネル領域１０６と、ソース・ドレイン領域１０
８と、ＬＤＤ領域１１０とが、形成されている。これら
の上側には、ゲート絶縁膜１１２と、ゲート線１１４
と、層間絶縁膜１１６と、ソース・ドレイン電極１１８
とが、形成されている。

【０００３】このようなポリシリコン薄膜トランジスタ
は、数１０〜数１００ｃｍ²／Ｖｓと高移動度なため、
アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素部におけ
るスイッチング素子や、駆動回路部素子として、用いる
ことができる。画素部におけるスイッチング素子には一
般にｎ型のポリシリコン薄膜トランジスタが用いられる
が、通常の構造ではリーク電流が大きくなるため、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造とし、ドレイン端の電
界を緩和してリーク電流を低減させる方式をとるのが普
通である。

【０００４】このポリシリコンを用いた薄膜トランジス
タの製造方法におけるポリシリコン膜１０５の形成方法
としては、レーザアニール法、あるいは、熱を用いる固
相成長法が知られている。ソース・ドレイン領域１０８
の形成方法としては、イオン打ち込み法を行った後にレ
ーザ活性化法あるいは熱活性化法を行う方法や、又は、
イオン打ち込み時に同時注入する水素の効果を利用した
自己活性化法を行う方法などが知られている。ポリシリ
コン膜１０５の形成およびソース・ドレイン領域１０８
の活性化にレーザを用いる方法は、低温プロセスであ
り、安価なガラス基板を用いることが可能である。この
ため、ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて液晶ディ
スプレイを量産する際においては、非常に有力な方法で
ある。また、ソース・ドレイン領域１０８の形成にイオ
ンの質量分離を行わないイオン・ドーピングおよびその
利点を活かした自己活性化を用いる方法は、大型基板を
用いたプロセスに適するため、量産に向けて非常に有力
な方法である。

【０００５】次に図６及び図７に基づいて、レーザアニ
ール法および自己活性化法を用いたトップゲート型のポ
リシリコン薄膜トランジスタの製造方法を説明する。

【０００６】図６（ａ）からわかるように、ガラス基板
１００上に、アンダーコートＳｉＮ膜１０２と、アンダ
ーコートＳｉＯ₂膜１０４と、アモルファスＳｉ膜１０
５Ａを形成する。続いて、レーザアニールによりアモル
ファスＳｉ膜１０５Ａを結晶化して、ポリシリコン膜１
０５Ｂを形成する。この結晶化方法の概念図を図８に示
す。この図８からわかるように、長方形の線状ビーム１
２０を用いてエキシマレーザ・アニール（ＥＬＡ）を行
う。この場合、ガラス基板１００は大型のものであるの
で（例えば、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、線状ビーム１
２０を左右に複数回スキャンするする必要が生じる。こ
のように複数回スキャンする場合には、エキシマレーザ
・アニールのもれがないように、線状ビーム１２０の一
端側を前回のスキャンした部分とオーバラップさせるこ
とにより、オーバラップ部１２１ａ、１２１ｂを形成し
て、スキャンする必要がある。この場合、ビーム短尺方
向、長尺方向ともに、オーバラップ量はそれぞれ一定に
なる。例えば、線状ビーム１２０は、０．５ｍｍ×２０
０ｍｍの長方形であり、オーバラップ量は０．５ｍｍ方
向が０．４５ｍｍであり、２００ｍｍ方向が２５ｍｍで
ある。ここで、０．５ｍｍ方向のオーバラップ量が０．
４５ｍｍであるとは、次のことを意味する。すなわち、
線状ビーム１２０は３０ｎｓのパルスレーザである。こ
のため、線状ビーム１２０をスキャン方向に移動させて
いる場合におけるパルスとパルスの間、つまり、１つの
ショットと次のショットの間に、オーバラップする部分
を設ける必要がある。この従来の例においては、この１
つのショットと次のショットのオーバラップする部分の
量が、０．４５ｍｍであるということである。続いて、
図６（ａ）からわかるように、ポリシリコン膜１０５Ｂ
をパターニングすることにより、残存部分でポリシリコ
ン膜１０５を形成する。

【０００７】次に図６（ｂ）からわかるように、ゲート
絶縁膜１１２を形成し、ゲート線１１４を形成する。続
いて、Ｐ⁺イオンを低いドーズ量でイオン・ドーピング
することにより、ポリシリコン膜１０５の両端側にＬＤ
Ｄ領域１１０を形成する。

【０００８】次に図６（ｃ）からわかるように、レジス
トマスク１２２によりマスクして、Ｐ⁺イオンを高いド
ーズ量でイオン・ドーピングすることにより、ポリシリ
コン膜１０５におけるＬＤＤ領域１１０の両端側に、ｎ
⁺型のソース・ドレイン領域１０８を形成する。したが
って、ポリシリコン膜１０５におけるＬＤＤ領域１１０
の間が、チャネル領域１０６となる。

【０００９】次に図７（ａ）からわかるように、レジス
トマスク１２２を除去した後、層間絶縁膜１１６を形成
する。続いて、これを５００℃で１時間、活性化アニー
ルを行う。

【００１０】次に図７（ｂ）からわかるように、層間絶
縁膜１１６とゲート絶縁膜１１２とにコンタクトホール
を形成し、このコンタクトホールに、ソース・ドレイン
電極１１８を形成する。以上の工程により、ポリシリコ
ン薄膜トランジスタが完成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したところからわ
かるように、アモルファスＳｉ膜１０５Ａの結晶化の
際、一般に長方形の線状ビーム１２０により、エキシマ
レーザ・アニール（ＥＬＡ）を行っていた。そして、線
状ビーム１２０の短尺方向、長尺方向ともオーバラップ
量はそれぞれ一定としていた。このようなエキシマレー
ザ・アニール（ＥＬＡ）方法で大型のガラス基板１００
上にポリシリコン膜１０５Ｂを形成しようとした場合、
長尺方向のオーバラップ部１２１ａ、１２１ｂには他の
エリアの２倍のショット数のレーザが照射されることに
なり、ポリシリコンの結晶粒径が安定せず、ＴＦＴ特性
において、移動度、しきい値電圧のばらつきが大きく、
実用上問題があった。特に、対角１０インチ以上クラス
の大型液晶表示装置の製造に用いた場合、ＴＦＴ特性の
わずかなぱらつきでも長尺方向のオーバラップ部１２１
ａ、１２１ｂの画質不良が目立ち、例えばオーバラップ
部１２１ａ、１２１ｂのみ白っぽくなるといった、問題
があった。

【００１２】そこで本発明は上記課題に鑑みてなされた
ものであり、オーバラップ部１２１ａ、１２１ｂの画質
不良が目立たない、高品質なポリシリコン薄膜トランジ
スタの製造方法を提供することを目的とし、さらに、そ
のような薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁性基
板上のポリシリコン膜に形成されたチャネル領域とソー
ス・ドレイン領域とを有する薄膜トランジスタの製造方
法において、前記絶縁性基板上にアモルファスシリコン
膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜上を
線状ビームの短尺方向へ前記線状ビームを複数回移動し
てスキャンすることにより、レーザアニールを行って、
前記アモルファスシリコン膜を前記ポリシリコン膜とす
る工程と、を備えるとともに、前記レーザアニールを行
う際には、前記アモルファスシリコン膜上における各ス
キャンの端にあたる部分に、アニールもれのないように
前回のスキャンと重ねてスキャンさせるオーバラップ部
を設け、このオーバラップ部のオーバラップ量を連続的
に変化させる、ことを特徴とする。

【００１４】また、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法は、絶縁性基板上のポリシリコン膜に形成されたチャ
ネル領域とソース・ドレイン領域とを有する薄膜トラン
ジスタをスイッチング素子とするアクティブマトリクス
型の液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁性基板
上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記ア
モルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺方向へ前記
線状ビームを複数回移動してスキャンすることにより、
レーザアニールを行って、前記アモルファスシリコン膜
を前記ポリシリコン膜とする工程と、を備えるととも
に、前記レーザアニールを行う際には、前記アモルファ
スシリコン膜上における各スキャンの端にあたる部分
に、アニールもれのないように前回のスキャンと重ねて
スキャンさせるオーバラップ部を設け、このオーバラッ
プ部のオーバラップ量を連続的に変化させる、ことを特
徴とする。

【００１５】さらに、本発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、液晶表示装置用のガラス基板上に形成されたア
モルファスシリコン膜をレーザアニールによりポリシリ
コン膜とする、液晶表示装置の製造方法であって、前記
アモルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺方向へ前
記線状ビームを複数回移動してスキャンすることによ
り、レーザアニールを行うとともに、前記レーザアニー
ルを行う際には、前記アモルファスシリコン膜上におけ
る各スキャンの端にあたる部分に、アニールもれのない
ように前回のスキャンと重ねてスキャンさせるオーバラ
ップ部を設け、このオーバラップ部のオーバラップ量を
連続的に変化させる、ことを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】本実施形態は、ガラス基板上に形
成されたアモルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺
方向へ線状ビームを複数回移動してスキャンすることに
より、レーザアニールを行って、アモルファスシリコン
膜をポリシリコン膜とする際に、アモルファスシリコン
膜上における各スキャンの端にあたる部分に、アニール
もれのないように前回のスキャンと重ねてスキャンさせ
るオーバラップ部を設け、このオーバラップ部のオーバ
ラップ量を連続的に変化させることにより、オーバラッ
プ部における画質不良を目立たなくしたものである。以
下、図面に基づいてより詳しく説明する。

【００１７】図１は、本実施形態に係るアモルファスＳ
ｉ膜の結晶化方法を説明する図である。すなわち、上述
した従来技術における図６（ａ）からわかるように、ア
モルファスＳｉ膜１０５Ａをレーザアニールにより結晶
化して、ポリシリコン膜１０５Ｂを形成する方法を説明
する図である。

【００１８】図１からわかるように、上述した従来技術
と同様に、ガラス基板１０上には、アンダーコートＳｉ
Ｎ膜１２と、アンダーコートＳｉＯ₂膜１４と、アモル
ファスＳｉ膜１６Ａとが、形成されている。このアモル
ファスＳｉ膜１６Ａは、線状ビーム２０を用いてエキシ
マレーザ・アニール（ＥＬＡ）を行うことにより、結晶
化して、ポリシリコン膜１６Ｂとするための膜である。
本実施形態においては、ガラス基板１０は５５０ｍｍ×
６５０ｍｍの大きさであり、線状ビーム２０は０．５ｍ
ｍ×２００ｍｍの大きさである。このため、線状ビーム
２０を横方向に移動させて複数回スキャンさせることに
よって、アモルファスＳｉ膜１６Ａ全体をエキシマレー
ザ・アニールする必要がある。例えば、１回目のスキャ
ンを上段において矢印Ａ方向にした場合、２回目のスキ
ャンを中段において矢印Ｂ方向にし、３回目のスキャン
を下段において矢印Ｃ方向にする必要がある。

【００１９】このように複数回スキャンをする際には、
アニールもれのないように、オーバラップ部２２ａ、２
２ｂを設ける必要がある。このオーバラップ部２２ａ、
２２ｂの長尺方向のオバーラップ量は５ｍｍ〜２５ｍｍ
の間で連続的に変化している。すなわち、１回目のスキ
ャンでは、ガラス基板１０を載せたステージを線状ビー
ム２０の長尺方向に揺動させることにより、又は、線状
ビーム２０そのものを長尺方向に揺動させることによ
り、アモルファスＳｉ膜１６Ａにおけるアニールされた
部分の下端側を線状ビーム２０の長尺方向に向かって不
揃いにする。２回目のスキャンでは、線状ビーム２０を
直線的に移動させて、アモルファスＳｉ膜１６Ａにおけ
るアニール部分の上端側及び下端側を直線的に揃える。
３回目のスキャンでは、一回目と同様に、ガラス基板１
０を載せたステージを線状ビーム２０の長尺方向に揺動
させることにより、又は、線状ビーム２０そのものを長
尺方向に揺動させることにより、アモルファスＳｉ膜１
６Ａにおけるアニールされた部分の上端側を線状ビーム
２０の長尺方向に向かって不揃いにする。このように複
数回スキャンすることにより、オーバラップ部２２ａ、
２２ｂのオーバラップ量を連続的に変化させる。

【００２０】線状ビーム２０の移動速度方式について
は、定速式と非定速式とが挙げられるが、本実施形態に
おいては、いずれを適用することも可能である。図２
（ａ）は定速式の様子を説明する図であり、図２（ｂ）
は非定速式の様子を説明する図である。図２（ａ）から
わかるように、定速式では、線状ビーム２０がガラス基
板１０に照射されるまでの間に十分に移動速度を加速し
ておく（矢印Ｄ）。これにより、ガラス基板１０上にお
ける線状ビーム２０の移動速度は一定となる（矢印
Ｅ）。そして、ガラス基板１０上を線状ビーム２０が通
過し終えた後、移動速度は減速する（矢印Ｆ）。このよ
うに定速式では、ガラス基板１０上を線状ビーム２０が
通過する速度は定速になる。このため、線状ビーム２０
に照射の強度を一定にすることが可能となる。

【００２１】図２（ｂ）からわかるように、非定速式で
は、線状ビーム２０がガラス基板１０に照射されてから
もその移動速度は加速している（矢印Ｇ）。そして、線
状ビーム２０がガラス基板１０上を移動している途中で
一定の速度になる（矢印Ｈ）。この線状ビーム２０がガ
ラス基板１０上を通過する前に、移動速度を減速する
（矢印Ｉ）。このように非定速式では、ガラス基板１０
上において線状ビーム２０の移動速度に変化があること
から、その移動速度に合わせて、線状ビーム２０の照射
の強度をコントロールする必要がある。

【００２２】定速式ではガラス基板１０に線状ビーム２
０が照射される前後に無駄な加減速時間を要する。この
ため一般的には、定速式の方が全体のスループットが低
く、非定速式の方が全体のスループットは高い。

【００２３】このエキシマレーザ・アニールの際の線状
ビーム２０の動きを除いては、本実施形態は従来の製造
工程と同様のものであるので、ここでは、その詳しい説
明を省略する。

【００２４】以上述べたところからわかるように、本実
施形態においては、オーバラップ部２２ａ、２２ｂにお
けるオーバラップ量が連続的に変化するようにしたの
で、あるオーバラップ部２２ａ、２２ｂで突発的に発生
する不良があっても目立たなくすることができる。すな
わち、線状ビーム２０の長尺方向のオーバラップ量を短
尺方向に向かって連続的に変えることにより、長尺方向
のオーバラップ部２２ａ、２２ｂのＴＦＴ特性が安定
し、オーバラップ部２２ａ、２２ｂの画質不良が目立た
ない、高品質なポリシリコン膜１６Ｂを得ることができ
る。

【００２５】図３に従来技術と本実施形態とのオーバラ
ップ部での画質不良の発生率を示す。この図３からわか
るように、従来技術におけるオーバラップ部の画質不良
発生率は２０％であるのに対し、本実施形態におけるオ
ーバラップ部の画質不良発生率は０％である。すなわ
ち、本実施形態によれば、オーバラップ部での画質不良
は目立たなくなり、画質不良は激減することがわかる。
ここで、画質不良であるかどうかは、目視して表示ムラ
があるかどうかで判定する。

【００２６】さらに、図１からわかるように、矢印Ａ、
Ｃで示す方向にスキャンする場合には、線状ビーム２０
でアニールする端部の位置を連続的に変化させ、矢印Ｂ
で示す方向にスキャンする場合は、線状ビーム２０でア
ニールする端部の位置を変化させずに一定になるように
した。このため、矢印Ｂに示す方向にスキャンする場合
におけるステージ又は線状ビームの動きを、単純にする
ことができる。すなわち、隔段のスキャンにおいて、ア
ニールする端部の位置を連続的に変化させ、又は、直線
的に変化させないようにしたので、オーバラップ部２２
ａ、２２ｂのオーバラップ量を変化させつつ、ステージ
や線状アニール２０の制御を単純にすることができる。

【００２７】図４は、本発明の別実施形態に係るアモル
ファスＳｉ膜の結晶化方法を説明する図である。この図
４からわかるように、矢印Ａ方向への１回目のスキャン
では、線状ビーム２０を僅かに左上側方向へ移動させ、
アニールの下端部が僅かに左上側に傾くようにする。矢
印Ｂ方向への２回目のスキャンでは、線状ビーム２０を
水平方向へ移動する。矢印Ｃ方向への３回目のスキャン
では、線状ビーム２０を僅かに左下側方向へ移動させ、
アニールの上端部が僅かに左下側に傾くようにする。こ
のために、本実施形態においては、ガラス基板１０を載
せたステージを線状ビーム２０の長尺方向の下側へ徐々
に移動しながら、又は、線状ビーム２０を長尺方向の上
側へ徐々に移動しながら、線状ビーム２０を短尺方向へ
移動させることにより、エキシマレーザ・アニールを行
う。

【００２８】このように複数回スキャンをすることによ
り、オーバラップ部２２ｃ、２２ｄにおけるオーバラッ
プ量を連続的に変化させることができる。すなわち、オ
ーバラップ量を図中左側に向かうにしたがって小さくす
ることができるので、オーバラップ量が連続的に変化
し、結果的に、オーバラップ部２２ｃ、２２ｄの画質不
良を目立たなくすることができる。

【００２９】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々に変形可能である。例えば、線状ビーム２０でスキ
ャンする回数は、３回に限られるものではなく、２回以
上の複数回であればよい。また、図１及び図３における
矢印Ｂ方向への２回目のスキャンは、必ずしも水平なも
のではなく、１回目や３回目のスキャンと同様に、変化
を付けてもよい。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁性基板上に形成さ
れたアモルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺方向
へ線状ビームを複数回移動してスキャンすることによ
り、レーザアニールを行って、アモルファスシリコン膜
をポリシリコン膜とする際に、アモルファスシリコン膜
上における各スキャンの端にあたる部分に、アニールも
れのないように前回のスキャンと重ねてスキャンさせる
オーバラップ部を設け、このオーバラップ部のオーバラ
ップ量を連続的に変化させることとしたので、オーバラ
ップ部における画質不良を目立たなくすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るエキシマレーザ・ア
ニールの様子を説明する図である。

【図２】線状ビームの移動速度形式を説明する図であ
り、（ａ）は定速式を、（ｂ）は非定速式を説明する図
である。

【図３】従来技術におけるオーバラップ部での画質不良
の発生率と、本実施形態におけるオーバラップ部での画
質不良の発生率とを、表にして比較して示す図。

【図４】本発明の別の実施形態に係るエキシマレーザ・
アニールの様子を説明する図。

【図５】ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタの断面
を示す図。

【図６】従来における薄膜トランジスタの製造工程の一
部を示す断面図。

【図７】従来における薄膜トランジスタの製造工程の一
部を示す断面図。

【図８】従来のエキシマレーザ・アニールの様子を説明
する図。

【符号の説明】

１０ ガラス基板 １２ アンダーコートＳｉＮ膜 １４ アンダーコートＳｉＯ₂膜 １６Ａ アモルファスＳｉ膜 １６Ｂ ポリシリコン膜 ２０ 線状ビーム ２２ａ、２２ｂ オーバラップ部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性基板上のポリシリコン膜に形成され
   たチャネル領域とソース・ドレイン領域とを有する薄膜
   トランジスタの製造方法において、 前記絶縁性基板上にアモルファスシリコン膜を形成する
   工程と、 前記アモルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺方向
   へ前記線状ビームを複数回移動してスキャンすることに
   より、レーザアニールを行って、前記アモルファスシリ
   コン膜を前記ポリシリコン膜とする工程と、 を備えるとともに、 前記レーザアニールを行う際には、前記アモルファスシ
   リコン膜上における各スキャンの端にあたる部分に、ア
   ニールもれのないように前回のスキャンと重ねてスキャ
   ンさせるオーバラップ部を設け、このオーバラップ部の
   オーバラップ量を連続的に変化させる、 ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
2. 【請求項２】前記レーザアニールを行う際には、少なく
   とも隔段のスキャンにおいて、前記絶縁性基板を載せた
   ステージを前記線状ビームの長尺方向へ揺動しながら、
   又は、前記線状ビームを長尺方向へ揺動しながら、前記
   線状ビームを短尺方向へ移動させる、ことを特徴とする
   請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
3. 【請求項３】前記レーザアニールを行う際には、少なく
   とも隔段のスキャンにおいて、前記絶縁性基板を載せた
   ステージを前記線状ビームの長尺方向の一方へ徐々に移
   動しながら、又は、前記線状ビームを長尺方向の一方へ
   徐々に移動しながら、前記線状ビームを短尺方向へ移動
   させる、ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トラン
   ジスタの製造方法。
4. 【請求項４】絶縁性基板上のポリシリコン膜に形成され
   たチャネル領域とソース・ドレイン領域とを有する薄膜
   トランジスタをスイッチング素子とするアクティブマト
   リクス型の液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁性基板上にアモルファスシリコン膜を形成する
   工程と、 前記アモルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺方向
   へ前記線状ビームを複数回移動してスキャンすることに
   より、レーザアニールを行って、前記アモルファスシリ
   コン膜を前記ポリシリコン膜とする工程と、 を備えるとともに、 前記レーザアニールを行う際には、前記アモルファスシ
   リコン膜上における各スキャンの端にあたる部分に、ア
   ニールもれのないように前回のスキャンと重ねてスキャ
   ンさせるオーバラップ部を設け、このオーバラップ部の
   オーバラップ量を連続的に変化させる、 ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】液晶表示装置用のガラス基板上に形成され
   たアモルファスシリコン膜をレーザアニールによりポリ
   シリコン膜とする、液晶表示装置の製造方法であって、 前記アモルファスシリコン膜上を線状ビームの短尺方向
   へ前記線状ビームを複数回移動してスキャンすることに
   より、レーザアニールを行うとともに、 前記レーザアニールを行う際には、前記アモルファスシ
   リコン膜上における各スキャンの端にあたる部分に、ア
   ニールもれのないように前回のスキャンと重ねてスキャ
   ンさせるオーバラップ部を設け、このオーバラップ部の
   オーバラップ量を連続的に変化させる、 ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。