CN103165422A - 以高能辐射源形成多晶硅的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种以高能辐射源形成多晶硅的方法，其采用一个准分子雷射系统，该准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜，反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；所述基板上放置半导体薄膜材料；上述技术方案的有益效果是：可以有效增加多晶硅的结晶率，减少准分子雷射的频率使用，减少成本，并有效提高回火的产能。

Description

以高能辐射源形成多晶硅的方法
技术领域
本发明涉及多晶硅形成技术领域，尤其涉及一种以高能辐射源形成多晶硅的方法。
背景技术
现有准分子雷射回火系统最大的问题在于结晶率不稳定。、
美国专利（US5529951）公开了一种以308脉冲宽度（pulse width）和140ns（脉冲时间）为标准的准分子雷射照射于非晶硅上，使非晶硅达成回火成多晶硅.雷射能量不能马上达到融化温度，所以要使用多次的脉冲（pulse）能量才能转化成多晶硅。
美国专利（US2008026547A1）公开了一种形成多晶硅图案的方法，该方法包括在底层能形成非晶硅层，以及在基板层上形成覆盖该非晶硅层的保护层，采用准分子雷射退火工艺，并最终去除该保护层。该专利中只提及采用准分子雷射进行退火工艺，并没有具体涉及到公开采用dichroic mirror以及532nm的连续式高功率固态雷射达到预定的预热效果并提高多晶硅的结晶率，降低成本的技术效果。
美国专利（US2006008957A1）公开了一种制作多晶硅薄膜的方法以及利用上述方法制作多晶硅TFT屏幕的方法，但是其中制作多晶硅薄膜的方法并不经过退火工艺，因此经上述专利制作的多晶硅薄膜可能存在结晶率不稳定的问题。
中国专利（CN1979778）公开了一种薄膜晶体管制造方法，包括了提供一基板，在该基板的一表面依次形成一非晶硅薄膜、一绝缘层及一光阻层；进行微影蚀刻，在该绝缘层形成一图案；对该非晶硅薄膜进行准分子雷射退火，使得未被绝缘层覆盖的该非晶硅薄膜晶化成多晶硅薄膜；去除被绝缘层覆盖的非晶硅薄膜；在该多晶硅薄膜上制作薄膜晶体管。该中国专利并没有公开准分子雷射退火工艺的具体步骤，因此采用上述方法坐直的多晶硅薄膜可能存在结晶率不稳定、成本过高等问题。
发明内容
根据现有技术中存在的缺陷，现提供一种以高能辐射源形成多晶硅的方法，具体包括：
以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述高能辐射源为激光源，采用一个准分子雷射系统形成多晶硅，所述准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜，反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；在所述基板上放置半导体薄膜材料。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，采用玻璃或塑料材质制成所述基板。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，采用多层膜结构制作所述半导体薄膜材料。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，采用无机材料制作所述半导体薄膜材料。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述无机材料包括氮化硅，氧化硅和非晶硅。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，在所述基板上沉积氮化硅薄膜；在所述氮化硅膜表面上沉积氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜表面上沉积非晶硅薄膜。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述沉积方法采用PVD，PECVD，LPCVD或ILD技术。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，分别采用紫外光源和可见光源形成两种所述激光源；所述紫外光源发射紫外光，所述可见光源发射可见光。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述紫外光源的波长范围为157nm-355nm。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述紫外光源的光源形状为矩形。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述紫外光源为脉冲光源。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述紫外光源的光源频率为100-4000Hz。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述紫外光源的脉冲时间为10-100ns。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述可见光源的波长为515nm或532nm。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述可见光源的光源形状为矩形。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述可见光源的光源形状是所述紫外光源的光源形状的1.5-5倍。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述可见光源的光源形状是所述紫外光源的光源形状的2-2.5倍。
优选的，该以高能辐射源形成多晶硅的方法，其中，所述可见光源为连续输波光源。
上述技术方案的有益效果是：可以有效增加多晶硅的结晶率，减少准分子雷射的频率使用，减少成本，并有效提高回火的产能。
附图说明
图1是本发明的实施例中形成多晶硅的设备结构示意图；
图2是本发明的实施例中以形成多晶硅薄膜的半导体薄膜材料结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
如图1所示为本发明的实施例中形成多晶硅的设备结构。该结构即一个准分子雷射系统，包括至少两个高能辐射源，该高能辐射源具体为激光源；二向色镜，反射镜以及基板；在本发明的实施例中，上述激光源分别为准分子雷射器和灯泵二级激光器，反射镜面对准分子雷射器，二向色镜面对灯泵二级激光器，所述反射镜位于所述二向色镜上方；所述二向色镜和所述反射镜与上述两个激光源呈一定角度以使上述两个激光源发射的激光能垂直照射在基板上，在本发明的实施例中，该角度为45度；该基板可以为玻璃或塑料或其他适合于形成多晶硅的材料制成，在本发明的实施例中，该基板由玻璃材质制成。基板上包括半导体薄膜材料，由激光源发射的激光垂直照射在基板上的半导体薄膜材料上。该半导体薄膜材料为多层膜结构的无机材料，该无机材料可以是氮化硅,氧化硅,非晶硅等；在本发明的实施例中，如图2所示，该多层膜结构具体为玻璃基板上成长氮化硅薄膜，随后在氮化硅膜表面上成长氧化硅薄膜，最后在氧化硅薄膜表面上成长非晶硅薄膜，以形成三层的半导体薄膜结构。对该无极薄膜的沉积技术通常采用PVD（Physical VaporDeposition，物理气相沉积）,PECVD（Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学汽相沉积）,LPCVD（low pressure chemical vapordeposition，低压化学气相沉积）,ILD（injection laser diode，注入型激光二极管）等技术。
形成多晶硅的设备结构中，两个激光源为两种不同波长的光源，可以发射至少两种不同波长的激光，在本发明的实施例中，上述两个激光源分别发射可见光和紫外光；可见光的波长为515nm或532nm，紫外光的波长取值范围可在157-355nm内，具体为157nm,193nm,253nm,308,351nm,355nm。通过二色反射镜，可将上述紫外光和可见光组合在一起照射在基板的半导体薄膜上。
上述紫外光和可见光的光源形状均为矩形，在本发明的实施例中，可见光的光源形状是紫外光的光源形状的1.5-5倍，具体来说，可见光的光源形状是紫外光的光源形状的2-2.5倍。
上述紫外光源为脉冲光源，该紫外光源的光源频率为100-4000Hz，脉冲时间为10-100ns。上述可见光源为连续输波光源。紫外光和可见光组合在一起照射到基板的半导体薄膜上，半导体薄膜吸收激光能量后转化成多晶硅。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (18)

1.以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述高能辐射源为激光源，采用一个准分子雷射系统形成多晶硅，所述准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜、反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；在所述基板上放置半导体薄膜材料。
2.如权利要求1所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，采用玻璃或塑料材质制成所述基板。
3.如权利要求1所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，采用多层膜结构制作所述半导体薄膜材料。
4.如权利要求3所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，采用无机材料制作所述半导体薄膜材料。
5.如权利要求4所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述无机材料包括氮化硅，氧化硅和非晶硅。
6.如权利要求5所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，在所述基板上沉积氮化硅薄膜；在所述氮化硅膜表面上沉积氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜表面上沉积非晶硅薄膜。
7.如权利要求6所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述沉积方法采用PVD，PECVD，LPCVD或ILD技术。
8.如权利要求1所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，分别采用紫外光源和可见光源形成两种所述激光源；所述紫外光源发射紫外光，所述可见光源发射可见光。
9.如权利要求8所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的波长范围为157nm-355nm。
10.如权利要求9所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的光源形状为矩形。
11.如权利要求10所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源为脉冲光源。
12.如权利要求11所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的光源频率为100-4000Hz。
13.如权利要求12所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的脉冲时间为10-100ns。
14.如权利要求8所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述可见光源的波长为515nm或532nm。
15.如权利要求14所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述可见光源的光源形状为矩形。
16.如权利要求10或15所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述可见光源的光源形状是所述紫外光源的光源形状的1.5-5倍。
17.如权利要求16所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述可见光源的光源形状是所述紫外光源的光源形状的2-2.5倍。
18.如权利要求15所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述可见光源为连续输波光源。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236399A (zh) * 2013-04-12 2013-08-07 上海和辉光电有限公司 改善多晶硅结晶率的方法及装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016118377A1 (de) * 2016-09-28 2018-03-29 LIMO GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Schicht

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012484A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp レーザアニール装置
CN1337063A (zh) * 1999-11-22 2002-02-20 索尼株式会社 功能器件及其制造方法
CN1706028A (zh) * 2003-08-22 2005-12-07 三菱电机株式会社 薄膜半导体的制造方法及制造装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185504A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd レーザアニール方法及び装置
JP2002231628A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
JP4317332B2 (ja) * 2001-06-14 2009-08-19 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型表示装置用基板の製造方法
JP5078239B2 (ja) * 2004-06-18 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶を結晶化する方法及び半導体装置を作製する方法
KR100740124B1 (ko) * 2006-10-13 2007-07-16 삼성에스디아이 주식회사 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012484A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp レーザアニール装置
CN1337063A (zh) * 1999-11-22 2002-02-20 索尼株式会社 功能器件及其制造方法
CN1706028A (zh) * 2003-08-22 2005-12-07 三菱电机株式会社 薄膜半导体的制造方法及制造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236399A (zh) * 2013-04-12 2013-08-07 上海和辉光电有限公司 改善多晶硅结晶率的方法及装置

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