JP2012098738A5 - 選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器による偏光選択方法 - Google Patents

Claims (14)

1. 選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器により、一偏光を選択的に吸収する偏光選択方法であって、
   前記選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器は、
   （ａ）屈折率を有する基体と、
   （ｂ）前記基体の上側に配設され、入射光の波長の半分よりも短い周期を有する平行金属ワイヤの配列を有する偏光ワイヤーグリッドと、
   （ｃ）前記基体の上側に配設され、前記入射光に対して光学的透過性を有する誘電体薄膜と、
   （ｄ）前記基体の上側に配設され、前記誘電体薄膜の屈折率と異なる屈折率を有する吸収性薄膜とを備え、
   前記平行金属ワイヤの配列と平行な第１の偏光を前記吸収性薄膜により選択的に吸収し、
   前記第１の偏光と垂直な第２の偏光を選択的に透過する、
   偏光選択方法。
2. 前記吸収性薄膜は、前記ワイヤーグリッドと前記基体の間に設けられる、
   請求項１に記載の偏光選択方法。
3. 前記選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器は、前記第１の偏光を、当該偏光において当初のエネルギー量の１０％未満に減少する、
   請求項１又は２に記載の偏光選択方法。
4. 前記吸収性薄膜はグリッドである、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
5. 前記誘電体薄膜は、構造及び材料において均一であり、等質かつ一定の層内において、前記基体にわたって連続的に延びる、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
6. 前記吸収性薄膜は、不定比の金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、金属セレン化物、金属硫化物、又は、これらの混合物を有する、
   請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
7. 前記周期は１２０ｎｍ未満である、請求項１から６のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
8. 前記吸収性薄膜はケイ素を有する、
   請求項１から７のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
9. 前記吸収性薄膜の光学指数ｋは０．１と４．５の間である、
   請求項１から８のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
10. 前記基体には、エッチングによる溝が設けられている、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
11. 前記誘電体薄膜は、誘電体リブの配列を含み、
    前記偏光ワイヤーグリッドの前記平行金属ワイヤと前記誘電体薄膜の前記誘電体リブとは、実質的に互いに平行に配向されて実質的に等しい周期を有する、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
12. 前記誘電体薄膜は、連続し、前記基体に渡って連続的に延びる、
    請求項１から１１のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
13. 前記選択吸収性ワイヤーグリッド偏光機器は、前記偏光ワイヤーグリッドの下に配設された他の薄膜層を更に備える、
    請求項１から１２のいずれか１項に記載の偏光選択方法。
14. 前記他の薄膜層は連続し、前記基体に渡って連続的に延びる、
    請求項１３に記載の偏光選択方法。