JP3501299B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ、発光ダイ
オード等の半導体装置に関する。
オード等の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた青色
領域の発光ダイオードや青色領域の半導体レーザ等の半
導体装置（発光デバイス）が開発されている。発光ダイ
オードや半導体レーザ等の半導体装置を作製するには、
信頼性が高く且つ良好なオーミック性を有するオーミッ
ク性電極を半導体表面に形成する必要がある。
領域の発光ダイオードや青色領域の半導体レーザ等の半
導体装置（発光デバイス）が開発されている。発光ダイ
オードや半導体レーザ等の半導体装置を作製するには、
信頼性が高く且つ良好なオーミック性を有するオーミッ
ク性電極を半導体表面に形成する必要がある。
【０００３】Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦
1）等のワイドギャップＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対
するオーミック性電極は、ｎ型についてはＩn、Ａl、Ｇ
a等の金属を用いており、これら金属は良好なオーミッ
ク性を示している。一方、ｐ型については一般にＡu等
の金属が電極材料として使用されるが、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体と金属（Ａu）との界面に電位障壁が存在す
るため、例えば順方向の立上がり印加電圧が約３０Ｖの
ショットキー性を示すなど良好なオーミック性が得られ
ない。そこで、半導体表面に界面準位を形成しオーミッ
ク性を得る試みもなされているが良好な結果は得られて
いない。
1）等のワイドギャップＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対
するオーミック性電極は、ｎ型についてはＩn、Ａl、Ｇ
a等の金属を用いており、これら金属は良好なオーミッ
ク性を示している。一方、ｐ型については一般にＡu等
の金属が電極材料として使用されるが、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体と金属（Ａu）との界面に電位障壁が存在す
るため、例えば順方向の立上がり印加電圧が約３０Ｖの
ショットキー性を示すなど良好なオーミック性が得られ
ない。そこで、半導体表面に界面準位を形成しオーミッ
ク性を得る試みもなされているが良好な結果は得られて
いない。
【０００４】また、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対
する電極として金属に代わりナローギャップＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を用いた電極、例えばＺnＴe（Y.Fan et
al.,Appl.Phys.Lett.61(1992)3160）やＨgＳe（Y.Lans
ari et al.,Appl.Phys.Lett.61(1992)2554）が提案され
ている。
する電極として金属に代わりナローギャップＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を用いた電極、例えばＺnＴe（Y.Fan et
al.,Appl.Phys.Lett.61(1992)3160）やＨgＳe（Y.Lans
ari et al.,Appl.Phys.Lett.61(1992)2554）が提案され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体に対する電極としてのＺnＴeは、ＡuやＰd／Ｐ
t／Ａu（積層体）とはオーミック性を示すが、Ｚn1-XＭ
gXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）、特にＺnＳeに対し
ては約１ｅＶの電位障壁が存在するため、単純にＺn1-X
ＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）化合物に積層した
だけではオーミック性を示さない。このため、ＺnＳe
1-XＴeX混晶をＺnＴeとＺn1-XＭgXＳ1-YＳeYとの間に介
在させ電位障壁を低減することが考えられるが、ＺnＳe
1-XＴeX混晶の作製は難しく、ＺnＳe／ＺnＴe超格子を
作製し約１ｅＶの電位障壁を階段状に分散して見掛け上
の障壁を減少させるようにしている。しかしながら、超
格子層の厚みは最小で僅かに３原子層であり、生産性に
問題があるだけでなく、半導体装置が発熱を伴う場合に
は熱による相互拡散によって合金化する不利がある。
物半導体に対する電極としてのＺnＴeは、ＡuやＰd／Ｐ
t／Ａu（積層体）とはオーミック性を示すが、Ｚn1-XＭ
gXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）、特にＺnＳeに対し
ては約１ｅＶの電位障壁が存在するため、単純にＺn1-X
ＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）化合物に積層した
だけではオーミック性を示さない。このため、ＺnＳe
1-XＴeX混晶をＺnＴeとＺn1-XＭgXＳ1-YＳeYとの間に介
在させ電位障壁を低減することが考えられるが、ＺnＳe
1-XＴeX混晶の作製は難しく、ＺnＳe／ＺnＴe超格子を
作製し約１ｅＶの電位障壁を階段状に分散して見掛け上
の障壁を減少させるようにしている。しかしながら、超
格子層の厚みは最小で僅かに３原子層であり、生産性に
問題があるだけでなく、半導体装置が発熱を伴う場合に
は熱による相互拡散によって合金化する不利がある。
【０００６】一方、ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対
する電極としてのＨgＳeは、ＺnＴeに比較すると電位障
壁は小さいが、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦
1）化合物に積層した場合には完全なオーミック性は示
さず、またＨgがＺn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y
≦1）化合物に対して拡散しやすく、信頼性の面で問題
がある。
する電極としてのＨgＳeは、ＺnＴeに比較すると電位障
壁は小さいが、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦
1）化合物に積層した場合には完全なオーミック性は示
さず、またＨgがＺn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y
≦1）化合物に対して拡散しやすく、信頼性の面で問題
がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）な
どｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体上にオーミック性電極
層を形成した部分を有する半導体装置において、前記オ
ーミック性電極層を少なくともＣdＳeなどのｐ型ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体にて構成した。
発明は、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）な
どｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体上にオーミック性電極
層を形成した部分を有する半導体装置において、前記オ
ーミック性電極層を少なくともＣdＳeなどのｐ型ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体にて構成した。
【０００８】ここで、Ｚn１−ＸＭgＸＳ１−ＹＳeＹ層
とＣdＳeとの間にＺn１−ＸＣdＸＳeの混晶を介在せし
めてもよい。
とＣdＳeとの間にＺn１−ＸＣdＸＳeの混晶を介在せし
めてもよい。
【０００９】
【作用】ｐ型ＣdＳeはＺn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、
0＜Y≦1）に対してもまたＡuに対しても電位障壁を小さ
くすることが可能なので、これらの間にｐ型ＣdＳeを含
む層を介在させることで、良好なオーミック性を得るこ
とが可能になる。
0＜Y≦1）に対してもまたＡuに対しても電位障壁を小さ
くすることが可能なので、これらの間にｐ型ＣdＳeを含
む層を介在させることで、良好なオーミック性を得るこ
とが可能になる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図１は本発明に係る半導体装置の断面図であ
り、半導体装置はｐ型ＧaＡs基板１下面にＩn電極２が
形成され、またｐ型ＧaＡs基板１上面にはｐ型ＺnＳe層
３が形成され、このｐ型ＺnＳe層３の上面にｐ型ＣdＳe
４が形成され、更にｐ型ＣdＳe４上面にＡu電極５が形
成されている。
説明する。図１は本発明に係る半導体装置の断面図であ
り、半導体装置はｐ型ＧaＡs基板１下面にＩn電極２が
形成され、またｐ型ＧaＡs基板１上面にはｐ型ＺnＳe層
３が形成され、このｐ型ＺnＳe層３の上面にｐ型ＣdＳe
４が形成され、更にｐ型ＣdＳe４上面にＡu電極５が形
成されている。
【００１１】ここで、前記ｐ型ＺnＳe層３及びｐ型Ｃd
Ｓe４はＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）及びラジカ
ルガンを用いてｐ型ＧaＡs基板１上に順次成長せしめ
た。即ち、放電室に窒素ガス（100%）をチャンバー内真
空度が１×１０-6Torrになるまで導入し、次いで、2.45
GHzのマイクロ波を１５０Ｗ印加してラジカルを発生さ
せ、発生したラジカルを直径0.5mmの絞りから予め真空
排気された１０-4Torrの成長室に導入し、このラジカル
と各々２×１０-7Torr、４×１０-7Torrに蒸気圧を調整
したＣdとＳe分子線を、予め低抵抗ｐ型ＺnＳe層３を成
長させたｐ型ＧaＡs基板１に同時に照射してｐ型ＣdＳe
４を成長させた。成長中のｐ型ＧaＡs基板１温度は２３
０℃であった。この後、ｐ型ＣdＳe４上面に真空蒸着法
によってＡuを蒸着し、不活性雰囲気中にて熱処理を施
しＡu電極５を形成し、図１に示した半導体装置を得
る。
Ｓe４はＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）及びラジカ
ルガンを用いてｐ型ＧaＡs基板１上に順次成長せしめ
た。即ち、放電室に窒素ガス（100%）をチャンバー内真
空度が１×１０-6Torrになるまで導入し、次いで、2.45
GHzのマイクロ波を１５０Ｗ印加してラジカルを発生さ
せ、発生したラジカルを直径0.5mmの絞りから予め真空
排気された１０-4Torrの成長室に導入し、このラジカル
と各々２×１０-7Torr、４×１０-7Torrに蒸気圧を調整
したＣdとＳe分子線を、予め低抵抗ｐ型ＺnＳe層３を成
長させたｐ型ＧaＡs基板１に同時に照射してｐ型ＣdＳe
４を成長させた。成長中のｐ型ＧaＡs基板１温度は２３
０℃であった。この後、ｐ型ＣdＳe４上面に真空蒸着法
によってＡuを蒸着し、不活性雰囲気中にて熱処理を施
しＡu電極５を形成し、図１に示した半導体装置を得
る。
【００１２】尚、ｐ型半導体を形成するためのドーパン
トとしては上記実施例ではＮ（窒素）を用いたが、Ａ
s、Ｐ、ＬiまたはＮa或いは前記各元素を含む化合物若
しくは混合物、例えばＬi3Ｎを用いてもよい。また、ｐ
型ＺnＳe層はｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体としてのＺ
n1-XＭgXＳ1- YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）の一例として
挙げたものであり、ＺnＳeに限定されるものではなく、
更にプラズマ発生の手段としてはマイクロ波の他、高周
波、電子サイクロトロン共鳴を用いてもよい。
トとしては上記実施例ではＮ（窒素）を用いたが、Ａ
s、Ｐ、ＬiまたはＮa或いは前記各元素を含む化合物若
しくは混合物、例えばＬi3Ｎを用いてもよい。また、ｐ
型ＺnＳe層はｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体としてのＺ
n1-XＭgXＳ1- YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）の一例として
挙げたものであり、ＺnＳeに限定されるものではなく、
更にプラズマ発生の手段としてはマイクロ波の他、高周
波、電子サイクロトロン共鳴を用いてもよい。
【００１３】図２は図１に示した半導体装置の電流−電
圧特性（（Ａ）はＡu電極５間の電流電圧特性、（Ｂ）
はＡu電極５とＩn電極２間の電流電圧特性）を示すグラ
フであり、このグラフからは整流性は全く観察されず良
好なオーミック特性を有することが分る。
圧特性（（Ａ）はＡu電極５間の電流電圧特性、（Ｂ）
はＡu電極５とＩn電極２間の電流電圧特性）を示すグラ
フであり、このグラフからは整流性は全く観察されず良
好なオーミック特性を有することが分る。
【００１４】図３は図１に示すタイプに混晶を介在させ
た半導体装置の断面図であり、この実施例にあっては、
ｐ型ＺnＳe層３とｐ型ＣdＳe４との間にＺn1-XＣdXＳe
混晶６を介在させた構造としている。このような構造
は、ＺnとＣdの分子線強度を制御しているセル温度を相
対的に変化させることにより実現できる。また、このよ
うな構造とすることで、電位障壁の傾きを滑らかにする
ことができる。
た半導体装置の断面図であり、この実施例にあっては、
ｐ型ＺnＳe層３とｐ型ＣdＳe４との間にＺn1-XＣdXＳe
混晶６を介在させた構造としている。このような構造
は、ＺnとＣdの分子線強度を制御しているセル温度を相
対的に変化させることにより実現できる。また、このよ
うな構造とすることで、電位障壁の傾きを滑らかにする
ことができる。
【００１５】図４は金属電極の構造を異ならせた別実施
例を示す断面図であり、この実施例にあっては、前記Ａ
u電極５の代りにＰd／Ｐt／Ａu積層電極７を用いてい
る。また、この他にもＣr／Ｔi／Ａu積層体、或いはＰt
／Ａu積層体を電極として用いることができる。
例を示す断面図であり、この実施例にあっては、前記Ａ
u電極５の代りにＰd／Ｐt／Ａu積層電極７を用いてい
る。また、この他にもＣr／Ｔi／Ａu積層体、或いはＰt
／Ａu積層体を電極として用いることができる。
【００１６】図５は発光層を介在した本発明に係る半導
体装置（半導体レーザ発振器）の断面図であり、この半
導体レーザ発振器は、ｐ型ＧaＡs基板１下面にＩn電極
２が形成され、またｎ型ＧaＡs基板１４上面には低抵抗
ｎ型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層１１が形成され、このｎ型Ｚn
Ｓ0.06Ｓe0.94層１１上にＺn0.8Ｃd0.2Ｓe発光層１２が
形成され、このＺn0.8Ｃd0.2Ｓe発光層１２上に低抵抗
ｐ型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層１３が形成され、この低抵抗ｐ
型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層１３上に低抵抗ｐ型ＺnＳe層３が
形成され、このｐ型ＺnＳe層３の上面にｐ型ＣdＳe４が
形成され、更にｐ型ＣdＳe４上面に絶縁層１５を介して
Ａu電極５が形成されている。
体装置（半導体レーザ発振器）の断面図であり、この半
導体レーザ発振器は、ｐ型ＧaＡs基板１下面にＩn電極
２が形成され、またｎ型ＧaＡs基板１４上面には低抵抗
ｎ型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層１１が形成され、このｎ型Ｚn
Ｓ0.06Ｓe0.94層１１上にＺn0.8Ｃd0.2Ｓe発光層１２が
形成され、このＺn0.8Ｃd0.2Ｓe発光層１２上に低抵抗
ｐ型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層１３が形成され、この低抵抗ｐ
型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層１３上に低抵抗ｐ型ＺnＳe層３が
形成され、このｐ型ＺnＳe層３の上面にｐ型ＣdＳe４が
形成され、更にｐ型ＣdＳe４上面に絶縁層１５を介して
Ａu電極５が形成されている。
【００１７】図６は図５に示した半導体装置（半導体レ
ーザ発振器）の電流−電圧特性を示すグラフであり、従
来構造の電極では順方向立上がり印加電圧が約３０Ｖで
あったのが本発明の構造によれば約５Ｖに低減された。
また、本発明装置にあっては０℃で５１０ｎｍに発振ピ
ークをもつ青緑発光が観察された。
ーザ発振器）の電流−電圧特性を示すグラフであり、従
来構造の電極では順方向立上がり印加電圧が約３０Ｖで
あったのが本発明の構造によれば約５Ｖに低減された。
また、本発明装置にあっては０℃で５１０ｎｍに発振ピ
ークをもつ青緑発光が観察された。
【００１８】図７は図５に示すタイプに混晶を介在させ
た半導体装置の断面図であり、この実施例にあっては図
３に示した実施例と同様に、ｐ型ＺnＳe層３とｐ型Ｃd
Ｓe４との間にＺn1-XＣdXＳe混晶６を介在させた構造と
している。上記図５、図７において、Ａu電極の代りに
Ｐd／Ｐt／Ａuとすることも可能であり、Ｉnの代りにＡ
u／Ｇe／Ｎiとすることも可能である。
た半導体装置の断面図であり、この実施例にあっては図
３に示した実施例と同様に、ｐ型ＺnＳe層３とｐ型Ｃd
Ｓe４との間にＺn1-XＣdXＳe混晶６を介在させた構造と
している。上記図５、図７において、Ａu電極の代りに
Ｐd／Ｐt／Ａuとすることも可能であり、Ｉnの代りにＡ
u／Ｇe／Ｎiとすることも可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）な
どｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体上にｐ型ＣdＳeなどの
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなるオーミック性電極層
を形成したので、良好なるオーミック性が得られ、電極
半導体界面に電解集中が起こらず半導体装置の破損や発
熱による悪影響を受けることがなく、半導体装置の長寿
命化が図れる。
よれば、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）な
どｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体上にｐ型ＣdＳeなどの
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなるオーミック性電極層
を形成したので、良好なるオーミック性が得られ、電極
半導体界面に電解集中が起こらず半導体装置の破損や発
熱による悪影響を受けることがなく、半導体装置の長寿
命化が図れる。
【００２０】オーミック性電極層の上に配線等のコンタ
クト層としてＡu元素を含む層を形成した場合には、Ａu
とｐ型ＣdＳeとの間にも良好なオーミック性を有する半
導体装置が得られる。
クト層としてＡu元素を含む層を形成した場合には、Ａu
とｐ型ＣdＳeとの間にも良好なオーミック性を有する半
導体装置が得られる。
【００２１】また、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY層とＣdＳeと
の間にＺn1-XＣdXＳeの混晶を介在せしめるようにすれ
ば、より滑らかな電位障壁の傾きを有するオーミック性
電極を形成することができる。
の間にＺn1-XＣdXＳeの混晶を介在せしめるようにすれ
ば、より滑らかな電位障壁の傾きを有するオーミック性
電極を形成することができる。
【図１】本発明に係る半導体装置の断面図
【図２】図１に示した半導体装置の電流−電圧特性を示
すグラフ
すグラフ
【図３】図１に示すタイプに混晶を介在させた半導体装
置の断面図
置の断面図
【図４】金属電極の構造を異ならせた別実施例を示す断
面図
面図
【図５】発光層を介在した本発明に係る半導体装置の断
面図
面図
【図６】図５に示した半導体装置の電流−電圧特性を示
すグラフ
すグラフ
【図７】図５に示すタイプに混晶を介在させた半導体装
置の断面図
置の断面図
１…ｐ型ＧaＡs基板、２…Ｉn電極、３…ｐ型ＺnＳe
層、４…ｐ型ＣdＳe、５…Ａu電極、６…Ｚn1-XＣdXＳe
混晶、７…Ｐd／Ｐt／Ａu積層電極、 １１…低抵抗ｎ型
ＺnＳ0.06Ｓe0.94層、１２…Ｚn0.8Ｃd0.2Ｓe発光層、
１３…低抵抗ｐ型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層、１４…ｎ型Ｇa
Ａs基板。
層、４…ｐ型ＣdＳe、５…Ａu電極、６…Ｚn1-XＣdXＳe
混晶、７…Ｐd／Ｐt／Ａu積層電極、 １１…低抵抗ｎ型
ＺnＳ0.06Ｓe0.94層、１２…Ｚn0.8Ｃd0.2Ｓe発光層、
１３…低抵抗ｐ型ＺnＳ0.06Ｓe0.94層、１４…ｎ型Ｇa
Ａs基板。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 八百 隆文
広島県東広島市鏡山１丁目４番１号 広
島大学内
(56)参考文献 特開 平６−85393（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−85392（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−75217（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−327019（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺn1-X
ＭgXＳ1-YＳeY（0≦X＜1、0＜Y≦1）上にオーミック性
電極層を形成した部分を有する半導体装置において、前
記オーミック性電極層を構成するｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体はＣdＳeを含み、Ｚn1-XＭgXＳ1-YＳeY層とＣd
Ｓeとの間にＺn1-XＣdXＳeの混晶が介在していることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、オ
ーミック性電極層を形成するためのドーピング材料は、
Ｎ、Ａs、Ｐ、Ｌi、Ｎaの各元素うちの少なくとも１
つ、或いは前記各元素を含む化合物若しくは混合物であ
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35187693A JP3501299B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35187693A JP3501299B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202266A JPH07202266A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3501299B2 true JP3501299B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=18420215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35187693A Expired - Fee Related JP3501299B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3501299B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7961393B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-06-14 | Moxtek, Inc. | Selectively absorptive wire-grid polarizer |
| US8027087B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-09-27 | Moxtek, Inc. | Multilayer wire-grid polarizer with off-set wire-grid and dielectric grid |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9348076B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-24 | Moxtek, Inc. | Polarizer with variable inter-wire distance |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35187693A patent/JP3501299B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7961393B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-06-14 | Moxtek, Inc. | Selectively absorptive wire-grid polarizer |
| US8027087B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-09-27 | Moxtek, Inc. | Multilayer wire-grid polarizer with off-set wire-grid and dielectric grid |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07202266A (ja) | 1995-08-04 |
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