JP7075372B2 - 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器 - Google Patents
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本発明の偏光板は、ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、透明基板と、使用帯域の光の波長よりも短いピッチ(周期)で透明基板上に配列されて所定方向に延在する格子状凸部と、を備える。また、この格子状凸部は、透明基板側から順に、少なくとも、反射層と、第1の誘電体層と、吸収層と、を有する。なお、本発明の偏光板は、本発明の効果を発現する限りにおいて、透明基板、反射層、第1の誘電体層、吸収層、以外の層が存在していてもよい。
透明基板(図1における透明基板1)としては、使用帯域の光に対して透光性を示す基板であれば特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。「使用帯域の光に対して透光性を示す」とは、使用帯域の光の透過率が100%であることを意味するものではなく、偏光板としての機能を保持可能な透光性を示せばよい。使用帯域の光としては、例えば、波長380nm~810nm程度の可視光が挙げられる。
反射層(図1における反射層2)は、透明基板の片側面に形成され、吸収軸であるY軸方向に、帯状に延びた金属膜が配列されたものである。なお、本発明においては、透明基板と反射層との間には、別の層が存在していてもよい。
第1の誘電体層(図1における第1の誘電体層3)は、反射層上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びた誘電体膜が配列されたものである。なお、本発明においては、反射層と第1の誘電体層との間には、別の層が存在していてもよい。
吸収層(図1における吸収層4)は、第1の誘電体層上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びて配列されたものである。本発明においては、吸収軸であるY軸方向(所定方向)から見たとき、吸収層の最小幅は、上述の反射層及び第1の誘電体層の最小幅より小さいことを特徴とする。本発明においては、吸収層の形状を上記のようにすることで、光吸収作用の波長範囲をシフトさせる効果を発現でき、その結果、反射率特性の制御に優れた偏光板を実現することができる。
本発明の偏光板は、第1の誘電体層と吸収層との間に、拡散バリア層を有していてもよい。即ち図1に示される偏光板においては、格子状凸部6は、透明基板1側から順に、反射層2と、第1の誘電体層3と、拡散バリア層と、吸収層4と、を有する。拡散バリア層を有することにより、吸収層における光の拡散が防止される。この拡散バリア層は、Ta、W、Nb、Ti等の金属膜で構成することができる。
また、本発明の偏光板は、光学特性の変化に影響を与えない範囲において、光の入射側の表面が、誘電体からなる保護膜により覆われていてもよい。保護膜は、誘電体膜で構成され、例えば偏光板の表面(ワイヤグリッドが形成された面)上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)やALD(Atomic Layer Deposition)を利用することにより形成可能である。これにより、金属膜に対する必要以上の酸化反応を抑制することができる。
さらに、本発明の偏光板は、光の入射側の表面が、有機系撥水膜により覆われていてもよい。有機系撥水膜は、例えばパーフルオロデシルトリエトキシシラン(FDTS)等のフッ素系シラン化合物等で構成され、例えば上述のCVDやALDを利用することにより形成可能である。これにより、偏光板の耐湿性等の信頼性を向上できる。
図9に示される偏光板30の第2の誘電体層5は、吸収層上に、透明基板1の面方向に対して垂直に積層されており、格子状凸部の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、矩形状を有する。また、図9に示される偏光板30においては、第2の誘電体層5の幅は、第1の誘電体層3の幅と同一となっている。
本発明の偏光板の製造方法は、反射層形成工程と、第1誘電体層形成工程と、吸収層形成工程と、エッチング工程と、を有する。
本発明の光学機器は、上述した本発明に係る偏光板を備える。本発明に係る偏光板は、種々の用途に利用することが可能である。適用できる光学機器としては、例えば、液晶プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラ等が挙げられる。特に、本発明に係る偏光板は耐熱性に優れる無機偏光板であるため、有機材料からなる有機偏光板に比べて、耐熱性が要求される液晶プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ等の用途に好適に用いることができる。
[偏光板の作成]
実施例1では、図1に示す構造を有する偏光板10であって、緑色帯域(波長λ=520~590nm)、青色帯域(波長λ=430~510nm)、及び赤色帯域(波長λ=600~680nm)のそれぞれに最適化したものを作成し、それぞれをシミュレーションに供した。
また、比較例1として、実施例1の偏光板10とは吸収層3の構造のみが異なる偏光板20をそれぞれ作成し、シミュレーションに供した。比較例1となる偏光板20は、図2に示される構造であり、格子状凸部6の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、吸収層4の形状が矩形であり、反射層2及び第1の誘電体層3と略同一の幅となっている。
偏光板10及び偏光板20の光学特性について、RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)法による電磁界シミュレーションにより検証した。シミュレーションには、Grating Solver Development社のグレーティングシミュレータGsolverを用いた。
図3は、緑色帯域(波長λ=520~590nm)に最適化された、偏光板10及び偏光板20について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。
図4は、青色帯域(波長λ=430~510nm)に最適化された、偏光板10及び偏光板20について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。
図5は、赤色帯域(波長λ=600~680nm)に最適化された、偏光板10及び偏光板20について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。
図7は、青色帯域(波長λ=430~510nm)に最適化された、偏光板10及び偏光板20について、青色帯域(波長λ=430~510nm)における、吸収層の体積と吸収軸反射率との関係をシミュレーションにより検証した結果を示すグラフである。
図8は、赤色帯域(波長λ=600~680nm)に最適化された、偏光板10及び偏光板20について、赤色帯域(波長λ=600~680nm)における、吸収層の体積と吸収軸反射率との関係をシミュレーションにより検証した結果を示すグラフである。
[偏光板の作成]
実施例2では、図9に示す構造を有する偏光板30であって、緑色帯域(波長λ=520~590nm)、青色帯域(波長λ=430~510nm)、及び赤色帯域(波長λ=600~680nm)のそれぞれに最適化したものを作成し、それぞれをシミュレーションに供した。
また、比較例2として、実施例2の偏光板30とは吸収層3の構造のみが異なる偏光板40をそれぞれ作成し、シミュレーションに供した。比較例2となる偏光板40は、図10に示される構造であり、格子状凸部6の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、吸収層4の形状が矩形であり、反射層2及び第1の誘電体層3と略同一の幅となっている。
偏光板30及び偏光板40の光学特性について、RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)法による電磁界シミュレーションにより検証した。シミュレーションには、Grating Solver Development社のグレーティングシミュレータGsolverを用いた。
図11は、緑色帯域(波長λ=520~590nm)に最適化された、偏光板30及び偏光板40について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。
図12は、青色帯域(波長λ=430~510nm)に最適化された、偏光板30及び偏光板40について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。
図13は、赤色帯域(波長λ=600~680nm)に最適化された、偏光板30及び偏光板40について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。
図15は、青色帯域(波長λ=430~510nm)に最適化された、偏光板30及び偏光板40について、青色帯域(波長λ=430~510nm)における、吸収層の体積と吸収軸反射率との関係をシミュレーションにより検証した結果を示すグラフである。
図16は、赤色帯域(波長λ=600~680nm)に最適化された、偏光板30及び偏光板40について、赤色帯域(波長λ=600~680nm)における、吸収層の体積と吸収軸反射率との関係をシミュレーションにより検証した結果を示すグラフである。
1 透明基板
2 反射層
3 第1の誘電体層
4 吸収層
5 第2の誘電体層
6 格子状凸部
P 格子状凸部のピッチ
W 幅
L 光
Claims (11)
- ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、
透明基板と、
使用帯域の光の波長よりも短いピッチで前記透明基板上に配列され、所定方向に延在する格子状凸部と、を備え、
前記格子状凸部は、前記透明基板側から順に、反射層と、第1の誘電体層と、吸収層と、第2の誘電体層と、を有し、
前記所定方向から見たとき、前記反射層と前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層は、略矩形であり、略同一の幅を有しており、且つ、前記吸収層の最小幅は、前記反射層、前記第1の誘電体層、及び前記第2の誘電体層の最小幅より小さく、前記吸収層の最大幅は、前記吸収層において、前記第1の誘電体層側の最表面の幅である偏光板。 - 前記吸収層の最小幅は、前記吸収層の最大幅に対して60~90%の範囲である、請求項1に記載の偏光板。
- 前記透明基板は、使用帯域の光の波長に対して透明であり、且つ、ガラス、水晶、又はサファイアで構成される請求項1又は2に記載の偏光板。
- 前記反射層は、アルミニウム、又はアルミニウム合金で構成される請求項1から3いずれか記載の偏光板。
- 前記第1の誘電体層は、Si酸化物で構成される請求項1から4いずれか記載の偏光板。
- 前記第2の誘電体層は、Si酸化物で構成される請求項1に記載の偏光板。
- 前記吸収層は、Fe、又はTaを含むとともに、Siを含んで構成される請求項1から6いずれかに記載の偏光板。
- 光が入射する前記偏光板の表面は、誘電体からなる保護膜により覆われている請求項1から7いずれか記載の偏光板。
- 光が入射する前記偏光板の表面は、有機系撥水膜により覆われている請求項1から8いずれか記載の偏光板。
- ワイヤグリッド構造を有する偏光板の製造方法であって、
透明基板の片面に反射層を形成する反射層形成工程と、
前記反射層の前記透明基板とは反対面に第1の誘電体層を形成する第1誘電体層形成工程と、
前記第1の誘電体層の前記反射層とは反対面に吸収層を形成する吸収層形成工程と、
前記吸収層の前記第1の誘電体層とは反対面に第2の誘電体層を形成する第2誘電体層形成工程と、
形成された積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板上に配列される格子状凸部を形成するエッチング工程と、を有し、
前記エッチング工程では、等方性エッチングと異方性エッチングを組み合わせることにより、前記格子状凸部の延在する所定方向から見たとき、すなわち前記所定方向に直交する断面視で、前記反射層と前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層とを、略矩形で略同一の幅とし、前記吸収層の最小幅を、前記反射層及び前記第1の誘電体層の最小幅より小さいものとし、前記吸収層の最大幅を、前記吸収層において、前記第1の誘電体層側の最表面の幅であるようにする、偏光板の製造方法。 - 請求項1から9いずれか記載の偏光板を備える光学機器。
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