JP6722832B2 - 偏光板及びこれを備える光学機器 - Google Patents

偏光板及びこれを備える光学機器 Download PDF

Info

Publication number
JP6722832B2
JP6722832B2 JP2020005441A JP2020005441A JP6722832B2 JP 6722832 B2 JP6722832 B2 JP 6722832B2 JP 2020005441 A JP2020005441 A JP 2020005441A JP 2020005441 A JP2020005441 A JP 2020005441A JP 6722832 B2 JP6722832 B2 JP 6722832B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polarizing plate
layer
protective film
film
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020005441A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020064326A5 (ja
JP2020064326A (ja
Inventor
昭夫 高田
昭夫 高田
和幸 渋谷
和幸 渋谷
重司 榊原
重司 榊原
利明 菅原
利明 菅原
雄介 松野
雄介 松野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Publication of JP2020064326A publication Critical patent/JP2020064326A/ja
Publication of JP2020064326A5 publication Critical patent/JP2020064326A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6722832B2 publication Critical patent/JP6722832B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、偏光板及びこれを備える光学機器に関する。
偏光板は、吸収軸方向の偏光を吸収し、該吸収軸方向と直交する透過軸方向の偏光を透過させる光学素子である。近年、耐熱性が要求される液晶プロジェクタ等の光学機器において、有機偏光板に代わり、ワイヤグリッド型の無機偏光板が採用され始めている。
中でも、透明基板側から順に、反射層、誘電体層及び吸収層を有して構成される吸収型の無機偏光板は、高い耐久性を有するため、光密度が大きい液晶プロジェクタ用途で多く使用されている。これらの各無機層は物理成膜法等により形成され、フォトリソ・ドライエッチング技術等により、サブミクロンオーダーのワイヤグリッド型偏光子パターンが形成される。
上記偏光板は、光学特性上、低反射であることが重要であり、反射率が高いと、液晶パネルの誤動作の原因や迷光による画質劣化の原因となる。近年では、液晶プロジェクタの高輝度化や高精細化により、より低反射な偏光板が望まれている。
また、偏光板は、実使用上、高湿の環境下に晒される場合がある。この場合には、偏光板の酸化や腐食が生じて光学特性に悪影響を及ぼし、表示画像の2次元的歪や色の歪等が生じるおそれがある。そのため、高い耐久性を有する偏光板が求められている。
例えば、反射層上に誘電層と吸収層を備え、グリッドが延在する方向に平行な電界成分をもつ偏光波(TE波(S波)の反射率を吸収効果と干渉効果により抑制する偏光板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この偏光板では、さらに最外層に保護層を形成することで、耐久性が向上することも開示されている。また、ワイヤグリッド型偏光板の最外層にSiを含有する有機保護膜や、この有機保護膜の下にSi酸化膜等のバリア膜が形成された偏光板が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
また、撥水膜等の保護膜を電子デバイス上に形成する技術として、種々の技術が提案されている。例えば、撥水膜の形成領域を制御する技術として、撥水膜形成用溶液の塗布領域と溶剤の塗布領域とを調整する技術が提案されている(例えば、特許文献3参照)。また、基板表面に濃度の異なる撥水膜を形成する技術が提案されている(例えば、特許文献4参照)。
特許第5333615号公報 米国特許出願公開第2016−0291227号明細書 特許第3367572号公報 特開2015−47832号公報
しかしながら、特許文献1や2に開示されている偏光板では、十分な耐久性が得られていないのが現状である。また、特許文献3の技術は自動車のウインドーガラスやミラー等を対象とした技術であり、特許文献4の技術はインクジェット等を対象とした技術であり、ワイヤグリッド型偏光板のようなサブミクロンオーダーの小さなパターンに適用するのは困難である。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れた光学特性を維持しつつ耐久性を向上できる偏光板及び光学機器を提供することにある。
(1) 上記目的を達成するため本発明は、ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、透明基板(例えば、後述の透明基板10)と、使用帯域の光の波長よりも短いピッチ(例えば、後述のピッチP)で前記透明基板上に配列されて所定方向に延在し、光反射性材料からなる反射層(例えば、後述の反射層12)を有する格子状凸部(例えば、後述の格子状凸部11)と、を備え、前記格子状凸部の表面及び前記格子状凸部間に形成される溝の底面部の表面には、これら表面を覆う保護膜(例えば、後述の保護膜20)が形成され、前記保護膜は、有機材料からなる有機膜を含む2種類以上の保護膜で構成される偏光板(例えば、後述の偏光板1)を提供する。
(2) (1)の偏光板において、前記保護膜は、前記反射層の表面を覆うように形成される第1保護膜(例えば、後述の第1保護膜21)と、前記溝の底面部の表面を覆うように形成され且つ前記有機膜からなる第2保護膜(例えば、後述の第2保護膜22)と、を有してもよい。
(3) (2)の偏光板において、前記格子状凸部は、前記透明基板側から順に、前記反射層と、光吸収性材料を含む吸収層(例えば、後述の吸収層13)と、を有し、前記保護膜は、前記吸収層の表面を覆うように形成され且つ前記有機膜からなる第3保護膜(例えば、後述の第3保護膜23)をさらに有してもよい。
(4) (3)の偏光板において、前記吸収層は、誘電材料をさらに含み且つ前記光吸収性材料と前記誘電材料の混合層からなるものでもよい。
(5) (3)の偏光板において、前記吸収層は、前記反射層上に形成され且つ誘電材料からなる誘電体層と、前記誘電体層上に形成され且つ前記光吸収性材料からなる光吸収層と、からなるものでもよい。
(6) (3)から(5)いずれかの偏光板において、前記第1保護膜は、ホスホン酸系撥水膜からなるものでもよい。
(7) (3)から(5)いずれかの偏光板において、前記第1保護膜は、アルミニウム系酸化膜からなるものでもよい。
(8) (3)から(7)いずれかの偏光板において、前記第2保護膜は、有機シラン系撥水膜からなるものでもよい。
(9) (3)から(8)いずれかの偏光板において、前記第2保護膜と前記第3保護膜は、同一材料からなるものでもよい。
(10) また本発明は、(1)から(9)いずれかの偏光板を備える光学機器を提供する。
本発明によれば、優れた光学特性を維持しつつ耐久性を向上できる偏光板及び光学機器を提供できる。
本発明の第1実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。 本発明の第1実施形態に係る偏光板の製造方法を説明するための図である。 本発明の第1実施形態に係る偏光板の製造方法を説明するための図である。 本発明の第1実施形態に係る偏光板の製造方法を説明するための図である。 本発明の第2実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。 本発明の第3実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。 本発明の第4実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳しく説明する。なお、第2実施形態以降の説明において、第1実施形態と共通する構成については同一又は対応する符号を付し、その説明を省略する。
<第1実施形態>
[偏光板]
本発明の第1実施形態に係る偏光板は、ワイヤグリッド構造を有する無機偏光板であって、透明基板と、使用帯域の光の波長よりも短いピッチ(周期)で透明基板上に配列されて所定方向に延在する格子状凸部と、を備える。格子状凸部は、透明基板側から順に、反射層と、吸収層と、を有する。また、第1実施形態に係る偏光板は、格子状凸部の表面及び格子状凸部間に形成される溝の底面部の表面を覆う保護膜を備える。
図1は、第1実施形態に係る偏光板1を示す断面模式図である。図1に示すように、偏光板1は、使用帯域の光に透明な透明基板10と、透明基板10の一方の面上に使用帯域の光の波長よりも短いピッチPで配列された格子状凸部11と、を備える。格子状凸部11は、透明基板10側から順に、反射層12と、吸収層13と、を有する。即ち、偏光板1は、反射層12、吸収層13が透明基板10側からこの順に積層されて形成された格子状凸部11が、透明基板10上に一次元格子状に配列されたワイヤグリッド構造を有する。
ここで、図1に示すように格子状凸部11の延在する方向(所定方向)を、Y軸方向と称する。また、Y軸方向に直交し、透明基板10の主面に沿って格子状凸部11が配列する方向を、X軸方向と称する。この場合、偏光板1に入射する光は、透明基板10の格子状凸部11が形成されている側において、好適にはX軸方向及びY軸方向に直交する方向から入射する。
偏光板1は、透過、反射、干渉及び光学異方性による偏光波の選択的光吸収の4つの作用を利用することで、Y軸方向に平行な電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を減衰させ、X軸方向に平行な電界成分をもつ偏光波(TM波(P波))を透過させる。従って、Y軸方向が偏光板1の吸収軸の方向であり、X軸方向が偏光板1の透過軸の方向である。
偏光板1の格子状凸部11が形成された側から入射した光は、吸収層13を通過する際に一部が吸収されて減衰する。吸収層13を透過した光のうち、偏光波(TM波(P波))は高い透過率で反射層12を透過する。一方、吸収層13を透過した光のうち、偏光波(TE波(S波))は反射層12で反射される。反射層12で反射されたTE波は、吸収層13を通過する際に一部は吸収され、一部は反射して反射層12に戻る。また、反射層12で反射されたTE波は、吸収層13を通過する際に干渉して減衰する。以上のようにして、偏光板1は、TE波の選択的減衰を行うことにより、所望の偏光特性が得られる。
格子状凸部11は、図1に示すように各一次元格子の延在するY軸方向(所定方向)から見たとき、つまり所定方向に直交する断面視で、矩形状に形成される。本実施形態の偏光板1では、グリッド先端部は矩形状の吸収層13で構成され、グリッド脚部は矩形状の反射層12で構成される。
ここで、偏光板1を格子状凸部11の延びる方向に沿うY軸方向から見たときに、格子状凸部11のX軸方向の繰り返し間隔をピッチPと称する。格子状凸部11のピッチPは、使用帯域の光の波長よりも短ければ特に制限されない。作製の容易性及び安定性の観点から、格子状凸部11のピッチPは、例えば、100nm〜200nmが好ましい。この格子状凸部11のピッチPは、走査型電子顕微鏡又は透過型電子顕微鏡で観察することにより測定することができる。例えば、走査型電子顕微鏡又は透過型電子顕微鏡を用いて、任意の4箇所についてピッチPを測定し、その算術平均値を格子状凸部11のピッチPとすることができる。
透明基板10としては、使用帯域の光に対して透光性を示す基板であれば特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。「使用帯域の光に対して透光性を示す」とは、使用帯域の光の透過率が100%であることを意味するものではなく、偏光板としての機能を保持可能な透光性を示せばよい。使用帯域の光としては、例えば、波長380nm〜810nm程度の可視光が挙げられる。
透明基板10の主面形状は特に制限されず、目的に応じた形状(例えば、矩形形状)が適宜選択される。透明基板10の平均厚みは、例えば、0.3mm〜1mmが好ましい。
透明基板10の構成材料としては、屈折率が1.1〜2.2の材料が好ましく、ガラス、水晶、サファイア等が挙げられる。コスト及び透光率の観点からは、ガラス、特に石英ガラス(屈折率1.46)やソーダ石灰ガラス(屈折率1.51)を用いることが好ましい。ガラス材料の成分組成は特に制限されず、例えば光学ガラスとして広く流通しているケイ酸塩ガラス等の安価なガラス材料を用いることができる。
また、熱伝導性の観点からは、熱伝導性が高い水晶やサファイアを用いることが好ましい。これにより、強い光に対して高い耐光性が得られ、発熱量の多いプロジェクタの光学エンジン用の偏光板として好ましく用いられる。
なお、水晶等の光学活性の結晶からなる透明基板を用いる場合には、結晶の光学軸に対して平行方向又は垂直方向に格子状凸部11を配置することが好ましい。これにより、優れた光学特性が得られる。ここで、光学軸とは、その方向に進む光のO(常光線)とE(異常光線)の屈折率の差が最小となる方向軸である。
反射層12は、透明基板10上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びた金属膜が配列されてなるものである。より詳しくは、反射層12は、透明基板10から垂直に延びている。この反射層12は、ワイヤグリッド型偏光子としての機能を有し、反射層12の長手方向に平行な方向に電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を減衰させ、反射層12の長手方向に直交する方向に電界成分をもつ偏光波(TM波(P波))を透過させる。
反射層12の構成材料としては、使用帯域の光に対して反射性を有する光反射性材料であれば特に制限されず、例えば、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Ti、Ni、W、Fe、Si、Ge、Te等の元素単体又はこれらの1種以上の元素を含む合金が挙げられる。中でも、反射層12は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されることが好ましい。なお、これらの金属材料以外にも、例えば着色等により表面の反射率が高く形成された金属以外の無機膜や樹脂膜で反射層12を構成してもよい。反射層12の膜厚は、特に制限されず、例えば、100nm〜300nmが好ましい。本実施形態では、反射層12の幅は吸収層13の幅と同一に設定されている。
吸収層13は、反射層12上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びて配列されたものである。吸収層13の構成材料としては、金属材料や半導体材料等の光学定数の消衰定数が零でない、光吸収作用を持つ光吸収性材料の1種以上が挙げられ、適用される光の波長範囲によって適宜選択される。金属材料としては、Ta、Al、Ag、Cu、Au、Mo、Cr、Ti、W、Ni、Fe、Sn等の元素単体又はこれらの1種以上の元素を含む合金が挙げられる。また、半導体材料としては、Si、Ge、Te、ZnO、シリサイド材料(β−FeSi、MgSi、NiSi、BaSi、CrSi、CoSi、TaSi等)が挙げられる。これらの材料を用いることにより、偏光板1は、適用される可視光域に対して高い消光比が得られる。中でも、吸収層13は、Fe又はTaを含むとともに、Siを含んで構成されることが好ましい。
吸収層13として半導体材料を用いる場合には、吸収作用に半導体のバンドギャップエネルギーが関与するため、バンドギャップエネルギーが使用帯域以下であることが必要である。例えば、可視光で使用する場合、波長400nm以上での吸収、即ち、バンドギャップとしては3.1ev以下の材料を使用する必要がある。
吸収層13の膜厚は、特に制限されず、例えば、10nm〜100nmが好ましい。吸収層13は、蒸着法やスパッタ法により、高密度の膜として形成可能である。
また、吸収層13は、光吸収性材料と誘電材料の混合層からなるものでもよい。光吸収性材料と誘電材料の混合比を変更することにより光吸収性を変更できるため、光反射率の抑制が可能である。光吸収性材料と誘電材料は、膜厚方向に均一に混合されていてもよく、両者の混合比(含有比率)が膜厚方向に変化するように構成してもよい。このときの組成勾配は、線形的に変化するものであってもよく、非線形的(例えば、ステップ式)に変化するものであってもよい。光吸収性材料の含有比率が反射層12から離隔するに従って増加するように吸収層13を構成するのが好ましく、これにより、偏光板1の吸収軸反射率Rsを低下させて透過軸透過率Tpを高めることができる。
光吸収性材料としては上述のものが挙げられ、誘電材料としては、SiO等のSi酸化物、Al、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、等の金属酸化物、MgF、氷晶石、ゲルマニウム、二酸化チタン、ケイ素、フッ化マグネシウム、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、又はこれらの組み合わせ等の一般的な材料が挙げられる。中でも、誘電材料としてはSi酸化物が好ましく用いられる。
偏光板1は、上述のような微細なワイヤグリッド構造を有する無機偏光板であるため、使用環境の影響を受け易く、耐酸化性や耐湿性等の高い耐久性が求められる。そのため偏光板1は、耐久性向上のため、格子状凸部11の表面及び格子状凸部11間に形成される溝の底面部の表面を覆う保護膜20を備える。保護膜20は、有機材料からなる有機膜を含む2種類以上の保護膜で構成される。具体的には図1に示すように、保護膜20は、第1保護膜21と、第2保護膜22と、第3保護膜23と、を備える。
第1保護膜21は、反射層12の表面を覆うように形成される。より詳しくは、第1保護膜21は、格子状凸部11間に形成される溝の側面部を構成する反射層12の側面を覆うように形成される。この第1保護膜21は、有機材料又は無機材料からなる膜で構成される。具体的には、第1保護膜21としては、ホスホン酸系撥水膜又はアルミニウム系酸化膜からなるものが好ましく用いられる。
ホスホン酸系撥水膜としては、FOPA(perfluoro−n−octylphosphonic acid)からなる撥水膜やODPA(Octadecylphosphonic acid)からなる撥水膜が好ましく例示される。ホスホン酸系撥水膜は、CVD(Chemical Vapor Deposition)やALD(Atomic Layer Deposition)、ディッピング等により形成可能である。
また、アルミニウム系酸化膜としては、アルミナ膜が好ましく例示される。アルミニウム系酸化膜は、アルミニウムからなる反射層12を熱処理することで、その表面にアルミナ膜を形成可能である。このアルミニウム系酸化膜は、撥水性は無いが反射層12表面の酸化を防止して保護する機能を有する。
第2保護膜22は、格子状凸部11間に形成される溝の底面部の表面を覆うように形成される。より詳しくは、上記溝の底面部を構成する透明基板10の表面と、反射層12の透明基板10側の端部における側面を覆うように形成される。この第2保護膜22は、有機材料からなる有機膜で構成される。具体的には、第2保護膜22としては、有機シラン系材料からなる有機シラン系撥水膜が好ましく用いられる。中でも、フッ素系シラン化合物のFDTS(パーフルオロデシルトリエトキシシラン)や非フッ素系シラン化合物のOTS(オクタデシルトリクロロシラン)が好ましく用いられる。
溝の底面部を構成する透明基板10としてガラスを用いた場合、上記有機シラン系撥水膜はSiとOが結合して自己組織化することで、ガラス表面に強固に密着して形成される。例えば、FDTSは可視光での屈折率が1.4程度でガラスの屈折率に近いため、光学特性上、悪影響を及ぼすことがない。この第2保護膜22は、CVDやALD、ディッピング等により形成可能である。
第3保護膜23は、吸収層13の表面を覆うように形成される。より詳しくは、グリッド先端部を構成する吸収層13の上面及び側面を覆うように形成される。この第3保護膜23は、有機材料からなる有機膜で構成される。具体的には、第3保護膜23としては、上述の第2保護膜22と同様に、有機シラン系材料からなる有機シラン系撥水膜が好ましく用いられ、中でも、フッ素系シラン化合物のFDTSや非フッ素系シラン化合物のOTSが好ましく用いられる。この第3保護膜23は、CVDやALD、ディッピング等により形成可能である。本実施形態の第3保護膜23は、第2保護膜22と同一の材料で構成されることが好ましい。
ここで、アルミニウムからなる反射層12と、(Fe5%)Siからなる吸収層13と、SiOからなる透明基板10(即ち、溝の底面部)の各表面に対して、FDTS膜を形成したときの撥水性について説明する。具体的には、これらの各表面にCVD法によりFDTS膜を形成したときの撥水性について、以下の測定条件により接触角を測定して評価した。評価結果を表1に示す。
[接触角測定条件]
測定機器:共和界面科学株式会社製接触角測定器「DM700R」
測定条件:液滴法(液体:水、液量:2〜3μl、測定までの待ち時間:1秒)
解析方法:θ/2法
表1中、「FDTS処理前」とはFDTS膜を形成する前のものを意味し、「FDTS処理後」とはFDTS膜を形成した後のものを意味し、「300℃アニール後」とはFDTS膜を形成した後に300℃のアニール熱処理を実施したものを意味する。また、表1中の接触角(°)は、上述の接触角測定条件による測定結果を示している。
表1の結果から明らかであるように、アルミニウム、(Fe5%)Si及びSiOいずれにおいても、表面にFDTS膜を形成することにより接触角が飛躍的に大きくなり、撥水性が大きく向上することが分かる。また、(Fe5%)Si及びSiOいずれにおいても、高温での熱処理後も高い撥水性が維持されており、高い耐久性(耐熱性)を有することが確認できる。
これに対してアルミニウムにおいては、FDTS膜形成直後は高い撥水性を示すが、高温で熱処理すると撥水性は極端に低下し、FDTS処理前よりも撥水性が低下することが分かる。これは、アルミニウム表面とFDTS膜との密着性が低いため、高温での熱処理によりFDTS膜が剥離してアルミニウム表面が酸化し、アルミナ膜が形成されているものと考えられる。この結果から、アルミニウムからなる反射層12の表面にFDTS膜を形成しても、高い耐久性が得られないことが確認できる。この対応策として、FDTS膜を形成する前に偏光板上にシリカ膜をコートすることが考えられるが、この場合には偏光板自体の膜厚が増すことになり、光散乱等により偏光板の光学性能が低下する原因になるため好ましい対応策とは言えない。
そこで本実施形態では、保護膜20を形成する対象の構成材料に応じて、保護膜20の種類を変更し、少なくとも2種類以上の保護膜を偏光板1の最外層に形成することを特徴とする。より詳しくは、上述したように、例えばアルミニウムからなる反射層12の表面には第1保護膜21としてFOPA膜やODPA膜を形成し、例えばガラスからなる溝の底面部(透明基板10)の表面やFeSiとSiOの混合物からなる吸収層13の表面には第2、第3保護膜22,23として有機膜のFDTS膜を形成する。これにより、熱処理後も良好な撥水機能や酸化防止機能を維持でき、高い耐久性を有する偏光板1が実現可能となっている。なお、保護膜20の形成方法については、後段で詳述する。
[偏光板の製造方法]
本実施形態に係る偏光板1の製造方法は、反射層形成工程と、吸収層形成工程と、エッチング工程と、保護層形成工程と、を有する。
反射層形成工程では、透明基板10上に反射層12を形成する。吸収層形成工程では、反射層形成工程で形成された反射層12上に、吸収層13を形成する。これらの各層形成工程では、例えばスパッタリング法や蒸着法により、各層を形成可能である。
エッチング工程では、上述の各層形成工程を経て形成された積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板10上に配列される格子状凸部11を形成する。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法やナノインプリント法により、一次元格子状のマスクパターンを形成する。そして、上記積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板10上に配列される格子状凸部11を形成する。エッチング方法としては、例えば、エッチング対象に対応したエッチングガスを用いたドライエッチング法が挙げられる。
ここで、図2A〜図2Cは、本実施形態に係る偏光板1の製造方法を説明するための図である。より詳しくは、これら図2A〜図2Cは、本実施形態に係る偏光板1の製造方法における保護膜形成工程を示している。これら図2A〜図2Cを参照して、以下、本実施形態の保護膜形成工程を説明する。
保護膜形成工程では、先ず、図2Aに示すように、CVDやALDにより第2保護膜22を格子状凸部11間の溝の底面部の表面に形成する。次いで、図2Bに示すように、反射層12及び吸収層13の表面を酸素プラズマやArイオンエッチング等でクリーニングした後に、CVDやALDにより第1保護膜21を反射層12の表面に形成する。次いで、図2Cに示すように、吸収層13の表面を酸素プラズマやArイオンエッチング等でクリーニングした後に、CVDやALDにより、第3保護膜23を吸収層13の表面に形成する。これにより、残膜の影響を最小限化できる。
また、例えば第1保護膜21としてアルミナ膜を形成する場合には、先ず、偏光板作製後に酸素含有雰囲気で加熱することにより、反射層12の表面にアルミナ膜を形成する。次いで、CVDやALDにより、第2保護膜22を格子状凸部11間の溝の底面部の表面に形成する。そして、吸収層13の表面を酸素プラズマやArイオンエッチング等でクリーニングした後に、CVDやALDにより、第3保護膜23を吸収層13の表面に形成する。
以上の各工程を経ることにより、本実施形態に係る偏光板1が製造可能である。
[光学機器]
本実施形態に係る光学機器は、上述した本実施形態に係る偏光板1を備える。光学機器としては、液晶プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラ等が挙げられる。本実施形態に係る偏光板1は、有機偏光板に比べて耐熱性に優れる無機偏光板であるため、耐熱性が要求される液晶プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ等の用途に好適である。
本実施形態に係る光学機器が複数の偏光板を備える場合、複数の偏光板の少なくとも1つが本実施形態に係る偏光板1であればよい。例えば、本実施形態に係る光学機器が液晶プロジェクタである場合、液晶パネルの入射側及び出射側に配置される偏光板の少なくとも一方が本実施形態に係る偏光板1であればよい。
<第2実施形態>
図3は、第2実施形態に係る偏光板1Aを示す断面模式図である。図3に示すように、第2実施形態に係る偏光板1Aは、吸収層13Aの形状が先細形状である点と、透明基板10上に台座10aを備える点と、第2保護膜22Aと第3保護膜23Aの構成材料が異なる点が、第1実施形態と相違し、これら相違点以外は第1実施形態と同一の構成である。
具体的には、本実施形態の吸収層13Aは、図3に示すようにY軸方向(所定方向)から見たとき、つまり所定方向に直交する断面視で、先細形状を有する。即ち、グリッド先端部を構成する吸収層13Aは、所定方向から見たときに、先端側(透明基板10の反対側)ほど幅が狭くなる方向に側面が傾斜した先細形状を有する。より詳しくは、本実施形態の吸収層13Aは、等脚台形状を有する。この吸収層13Aの構成材料は、第1実施形態と同様であり、光吸収性材料から構成してもよく、光吸収性材料と誘電材料の混合層(均一又は組成勾配あり)で構成してもよい。あるいは、後述する第3実施形態のように光吸収層と誘電体層の2層構造としてもよい。
グリッド先端部を構成する吸収層13Aを先細形状とすることにより、TM波の透過率を高めることができる。このようにTM波の透過率が高まる理由としては、グリッド先端部を先細形状とすることにより、角度バラツキを持って入射してくる光に対して散乱を抑制する効果があるためと考えられる。
台座10aは、図3に示すようにY軸方向(所定方向)から見たとき、つまり所定方向に直交する断面視で、反射層12と幅が略同一の矩形状を有する。ただし、これに限定されず、例えば所定方向から見たときに、透明基板10側から反射層12側に向かうに従い幅が狭まるように側面が傾斜した台形状を有していてもよい。このときの台座10aの最小幅は反射層12の幅以上に設定される。台座10aの膜厚は、特に制限されず、例えば10nm〜100nmが好ましい。
台座10aは、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びた誘電体膜が透明基板10上に配列されてなるものである。台座10aの構成材料としては、使用帯域の光に対して透明であり、透明基板10よりも屈折率の小さい材料が好ましく、中でも、SiO等のSi酸化物が好ましい。
台座10aは、例えば、透明基板10上に形成された上記の誘電体からなる下地層(不図示)に対して、ドライエッチングによる等方性エッチングと異方性エッチングとのバランスを段階的に変化させ、エッチング残りを出さないようにオーバーエッチング処理することによって形成可能である。この場合、台座10aは透明基板10上に形成された下地層上に配置される。
また、本実施形態では、第2保護膜22Aと第3保護膜23Aの構成材料が異なっている。具体的には、第3保護膜23Aは第1実施形態の第3保護膜23Aと同様の構成であるのに対して、第2保護膜22AはSOG(Spin on Glass)膜で構成されている。即ち、本実施形態の偏光板1Aは、その表面が3種類の保護膜により保護されており、各層の構成材料により適した保護膜を採用でき、耐久性をより高めることが可能となっている。
本実施形態の偏光板1Aは、エッチング工程と保護膜形成工程の一部が相違する以外は、第1実施形態の製造方法と同様の製造方法により製造可能である。
具体的には、エッチング工程において、エッチング条件(ガス流量、ガス圧、出力、透明基板の冷却温度)を最適化することにより、吸収層13Aの側面に傾斜を持たせた先細形状を形成可能である。
また、保護膜形成工程において、まず、偏光板作製後にSOGをスピンコートによりコーティングした後、全体を酸素プラズマやF系プラズマでエッチングする。溝の底面部のSOG膜が最も厚くなるため、先にグリッド先端側のSOG膜がエッチングされ、溝の底面部にのみSOG膜を残存させることができる。次いで、第1保護膜21A、第3保護膜23Aを第1実施形態と同様に形成することで、3種類の保護膜を形成可能である。
本実施形態の偏光板1Aによれば、第1実施形態の偏光板1と同様の効果が奏される。また、本実施形態の偏光板1Aは、第1実施形態の偏光板1と同様に種々の光学機器に適用可能である。
<第3実施形態>
図4は、第3実施形態に係る偏光板1Bを示す断面模式図である。図4に示すように、第3実施形態に係る偏光板1Bは、吸収層13Bの構成が第1実施形態と相違する。具体的には、第3実施形態に係る偏光板1Bの吸収層13Bは、反射層12上に形成され且つ誘電材料からなる誘電体層131と、この誘電体層131上に形成され且つ光吸収性材料からなる光吸収層132と、からなる。
誘電体層131は、反射層12上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びた誘電体膜が配列されてなるものである。誘電体層131は、光吸収層132で反射した偏光に対して、光吸収層132を透過して反射層12で反射した偏光の位相が半波長ずれる膜厚で形成される。具体的には、誘電体層131の膜厚は、偏光の位相を調整して干渉効果を高めることが可能な1〜500nmの範囲で適宜設定される。
誘電体層131を構成する誘電材料としては、SiO等のSi酸化物、Al、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、等の金属酸化物、MgF、氷晶石、ゲルマニウム、二酸化チタン、ケイ素、フッ化マグネシウム、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、又はこれらの組み合わせ等の一般的な材料が挙げられる。中でも、誘電体層131は、Si酸化物で構成されることが好ましい。
誘電体層131の屈折率は、1.0より大きく、2.5以下であることが好ましい。反射層12の光学特性は、周囲の屈折率によっても影響を受けるため、誘電体層131の材料を選択することで、偏光板特性を制御することができる。また、誘電体層131の膜厚や屈折率を適宜調整することにより、反射層12で反射したTE波について、光吸収層132を透過する際に一部を反射して反射層12に戻すことができ、光吸収層132を通過した光を干渉により減衰させることができる。このようにしてTE波の選択的減衰を行うことにより、所望の偏光特性を得ることができる。
光吸収層132は、上述の光吸収性材料からなる。この光吸収層132は、従来公知の製膜方法により形成可能である。
偏光板1Bは、誘電体層131と光吸収層132との間に、拡散バリア層を有していてもよい。即ちこの場合には、格子状凸部11Bは、透明基板10側から順に、反射層12と、誘電体層131と、拡散バリア層と、光吸収層132と、を有する。拡散バリア層を有することにより、光吸収層132における光の拡散が防止される。この拡散バリア層は、Ta、W、Nb、Ti等の金属膜で構成される。
本実施形態の偏光板1Bは、吸収層形成工程が相違する以外は第1実施形態と同様の製造方法により製造可能である。
本実施形態の吸収層形成工程では、従来公知の製膜法により、誘電体層を形成した後に、光吸収層を形成する。これにより、偏光板1Bが製造可能である。
本実施形態の偏光板1Bによれば、第1実施形態の偏光板1と同様の効果が奏される。また、本実施形態の偏光板1Bは、第1実施形態の偏光板1と同様に種々の光学機器に適用可能である。
<第4実施形態>
図5は、第4実施形態に係る偏光板1Cを示す断面模式図である。図5に示すように、第4実施形態に係る偏光板1Cは、吸収層及び第3保護膜を備えていない点が1実施形態と相違する以外は、第1実施形態と同様の構成である。
本実施形態の偏光板1Cによれば、第1実施形態の偏光板1と同様の効果が奏される。また、本実施形態の偏光板1Cは、第1実施形態の偏光板1と同様に種々の光学機器に適用可能である。
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形及び改良は本発明に含まれる。
例えば本発明の偏光板の用途は、液晶プロジェクタに限られない。透過軸方向の偏光の透過率力が高い偏光板として、種々の用途に利用することが可能である。
1、1A、1B、1C 偏光板
10 透明基板
10a 台座
11、11A、11B、11C 格子状凸部
12 反射層
13、13A、13B 吸収層
20、20A、20B、20C 保護膜
21、21A、21B、21C 第1保護膜
22、22A、22B、22C 第2保護膜
23、23A、23B 第3保護膜
131 誘電体層
132 光吸収層
P 格子状凸部のピッチ

Claims (7)

  1. ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、
    透明基板と、
    使用帯域の光の波長よりも短いピッチで前記透明基板上に配列されて所定方向に延在し、光反射性材料からなる反射層を有する格子状凸部と、を備え、
    前記格子状凸部が、前記透明基板側から順に、台座と、前記反射層と、光吸収性材料を含む吸収層と、を有し、
    前記格子状凸部の表面及び前記格子状凸部間に形成される溝の底面部の表面には、これら表面を覆う保護膜が形成され、
    前記保護膜は少なくとも、
    前記反射層の側表面を覆うように単層で形成される第1保護膜と、
    前記溝の底面部の表面を覆うように単層で形成され且つ有機膜からなる第2保護膜と、
    前記吸収層の表面を覆うように単層で形成され且つ有機膜からなる第3保護膜と、を有し、
    前記第1保護膜は、ホスホン酸系撥水膜からなり、
    前記第2保護膜は、有機シラン系撥水膜からなる偏光板。
  2. 前記第2保護膜は、パーフルオロデシルトリエトキシシランからなる請求項1に記載の偏光板。
  3. 前記反射層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項1又は2に記載の偏光板。
  4. 前記吸収層は、誘電材料をさらに含み且つ前記光吸収性材料と前記誘電材料の混合層からなる、請求項1から3いずれかに記載の偏光板。
  5. 前記吸収層は、前記反射層上に形成され且つ誘電材料からなる誘電体層と、前記誘電体層上に形成され且つ前記光吸収性材料からなる光吸収層と、からなる、請求項1から3いずれかに記載の偏光板。
  6. 前記第2保護膜と前記第3保護膜は、同一材料からなる、請求項1から5いずれかに記載の偏光板。
  7. 請求項1から6いずれかに記載の偏光板を備える、光学機器。
JP2020005441A 2017-09-28 2020-01-16 偏光板及びこれを備える光学機器 Active JP6722832B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188356 2017-09-28
JP2017188356 2017-09-28

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017207869A Division JP6678630B2 (ja) 2017-09-28 2017-10-27 偏光板及びこれを備える光学機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020064326A JP2020064326A (ja) 2020-04-23
JP2020064326A5 JP2020064326A5 (ja) 2020-06-11
JP6722832B2 true JP6722832B2 (ja) 2020-07-15

Family

ID=66340805

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017207869A Active JP6678630B2 (ja) 2017-09-28 2017-10-27 偏光板及びこれを備える光学機器
JP2020005441A Active JP6722832B2 (ja) 2017-09-28 2020-01-16 偏光板及びこれを備える光学機器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017207869A Active JP6678630B2 (ja) 2017-09-28 2017-10-27 偏光板及びこれを備える光学機器

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP6678630B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110845961A (zh) * 2019-10-23 2020-02-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 硬化层材料、硬化层材料的制备方法及显示装置
JP7394020B2 (ja) 2020-05-25 2023-12-07 デクセリアルズ株式会社 偏光板及びその製造方法、ならびに光学機器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6785050B2 (en) * 2002-05-09 2004-08-31 Moxtek, Inc. Corrosion resistant wire-grid polarizer and method of fabrication
JP4386413B2 (ja) * 2003-08-25 2009-12-16 株式会社エンプラス ワイヤーグリッド偏光子の製造方法
JP4488033B2 (ja) * 2007-02-06 2010-06-23 ソニー株式会社 偏光素子及び液晶プロジェクター
KR100927587B1 (ko) * 2008-04-30 2009-11-23 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 장치
JP5636650B2 (ja) * 2009-08-14 2014-12-10 セイコーエプソン株式会社 偏光素子および投写型表示装置
JP5379709B2 (ja) * 2010-01-28 2013-12-25 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光子の製造方法
JP5760388B2 (ja) * 2010-11-01 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 偏光素子とその製造方法、プロジェクター、液晶装置、電子機器
JP2014085516A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Asahi Kasei E-Materials Corp ワイヤグリッド偏光板及びその製造方法
JP2014181350A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Toray Advanced Film Co Ltd 金属層付きアルミニウム箔及びその製造方法
US20160289458A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Moxtek, Inc. Hydrophobic Phosphonate and Silane Chemistry
US10054717B2 (en) * 2015-04-03 2018-08-21 Moxtek, Inc. Oxidation and moisture barrier layers for wire grid polarizer
JP6634727B2 (ja) * 2015-08-10 2020-01-22 セイコーエプソン株式会社 光学素子、光学素子の製造方法、及び電子機器
US10698148B2 (en) * 2015-10-28 2020-06-30 Dexerials Corporation Polarizing element and method of producing same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6678630B2 (ja) 2020-04-08
JP2019066809A (ja) 2019-04-25
JP2020064326A (ja) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10209420B2 (en) Polarizing plate, method of manufacturing the same, and optical apparatus
US11754766B2 (en) Polarizing element, polarizing element manufacturing method, and optical device
US10209421B2 (en) Polarizing plate, method of manufacturing the same, and optical apparatus
US10436964B2 (en) Inorganic polarizing plate, method of manufacturing the same, and optical instrument
JP6577641B2 (ja) 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器
JP6722832B2 (ja) 偏光板及びこれを備える光学機器
WO2019159982A1 (ja) 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器
JP2023181285A (ja) 偏光板、光学機器及び偏光板の製造方法
JP6484373B1 (ja) 偏光板及びこれを備える光学機器
US10928574B2 (en) Polarizing plate, production method thereof and optical apparatus
JP2020170166A (ja) 偏光板、光学機器及び偏光板の製造方法
JP6703050B2 (ja) 偏光板、光学機器及び偏光板の製造方法
US11630254B2 (en) Wire grid polarizing plate having trapezoidal absorption layer
CN109581568B (zh) 偏振光板及具备该偏振光板的光学设备
JP6935318B2 (ja) 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器
JP7075372B2 (ja) 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器
JP7263037B2 (ja) 偏光板の製造方法
JP6826073B2 (ja) 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器
JP2019144335A (ja) 微細構造体及びその製造方法、並びに光学機器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200323

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200323

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200323

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200622

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6722832

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250