JP2005093044A - 半導体メモリでのデータリード回路及びデータリード方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アドレス信号に応じて単位セルを選択する選択部と、クランピン制御信号に応じて前記選択された単位セルのビットラインに一定レベルのクランプ電圧を供給するクランピング部と、プリチャージモードの間は印加される第1状態の制御信号に応じて前記センシングノードを一定レベルの電圧でプリチャージさせ、データセンシング動作モードの間は印加される第2状態の制御信号に応じて前記選択された単位セルに連結されたビットラインの電流減少分を前記センシングノードを通じて補償するためのプリチャージ部と、前記プリチャージ部に第2状態の制御信号が印加されるとき、前記センシングノードのレベルと基準レベルを比較して前記選択された単位セルに保持されたデータをセンシングするセンスアンプ部とを備える。
【選択図】図3
Description
(crystalline)状態に変わることを応用したもので、非晶質状態の抵抗値は高抵抗状態となり、結晶化状態の抵抗値は低抵抗状態となる。従って、相変化膜14が結晶化状態から非晶質化状態に変わることがリセット(RESET)と定義されると、相変化膜14が非晶質化状態から結晶化状態に変わることはセット(SET)と定義されることになる。
VCMP:クランピング制御信号
VY:コラムアドレス信号
VWL:アドレス信号
VDL:センシングノード
BL:ビットライン
VREF:基準レベル
VSA:センスアンプ
100:プリチャージ部
110:クランピング部
120:センスアンプ部
130:選択部
140:メモリセルアレイ
140a:単位セル
ICELL:貫通電流
Claims (15)
- 1つのアクセストランジスタと1つの可変抵抗体とを含んで構成される単位セルを複数個備えるメモリセルアレイを有する半導体メモリにおけるデータリード回路であって、
印加されるアドレス信号に応じて前記メモリセルアレイ内の単位セルを選択する選択部
と、
前記単位セルが連結されたビットラインとセンシングノードとの間に連結され、クランピング制御信号に応じて前記選択された単位セルのビットラインに一定レベルのクランプ電圧を供給するクランピング部と、
プリチャージモードの間は、印加される第1状態の制御信号に応じて前記センシングノードを一定レベルの電圧でプリチャージさせ、データセンシング動作モードの間は、印加される第2状態の制御信号に応じて前記選択された単位セルに連結されたビットラインの電流減少分を前記センシングノードを通じて補償するためのプリチャージ部と、
前記プリチャージ部に前記第2状態の制御信号が印加されるとき、前記センシングノードのレベルと基準レベルとを比較して、前記選択された単位セルに保持されたデータをセンシングするセンスアンプ部と、
を備えることを特徴とする半導体メモリでのデータリード回路。 - 前記プリチャージ部がP型MOSトランジスタを含んで構成される場合において、前記第2状態の制御信号は前記第1状態の制御信号よりも高いレベルを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 前記プリチャージ部に印加される第2状態の制御信号のレベルは、前記P型MOSトランジスタが微弱にターンオンされる程度のしきい電圧に近接した電圧レベルであることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 前記プリチャージ部は、プリチャージモードの間は前記第1状態であり、センシング動作モードの間は前記第2状態である1つの制御信号により制御されるトランジスタを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 前記プリチャージ部は、
プリチャージモード時に前記第1状態を有する独立的な制御信号に応答するように構成され、前記センシングノードと電源電圧との間に連結されたプリチャージ用トランジスタと、
センシング動作モード時に前記第2状態を有する独立的な制御信号に応答するように構成され、前記センシングノードを共有する補償用トランジスタと、
を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリでのデータリード回路。 - 前記プリチャージ部の制御信号はパルス形態であることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 前記補償用トランジスタに印加される制御信号は所定の直流レベルを有することを特徴とする請求項4または5に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 前記クランピング制御信号は所定の直流レベルまたはパルス形態を有することを特徴とする請求項4または5に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 前記センスアンプ部は電圧センスアンプまたは電流センスアンプ部を含むことを特徴とする請求項4または5に記載の半導体メモリでのデータリード回路。
- 1つのアクセストランジスタと1つの可変抵抗体とを含んで構成された単位セルを複数個備えるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに保持されたデータをセンシングするセンスアンプと、前記センスアンプのセンシングノードと電源電圧との間に連結されたトランジスタと、を備えた半導体メモリ装置において前記センシングノードを制御するための方法であって、
前記トランジスタをプリチャージモード及びセンシング動作モードに関係なくターンオン状態で継続的に動作させることにより、前記センシングノードが前記トランジスタから継続的に電位を印加される状態を維持することを特徴とする半導体メモリ装置におけるデータセンシングノード制御方法。 - 前記トランジスタを、プリチャージモードの間は前記センスアンプのセンシングノードを一定レベルにプリチャージさせ、データセンシング動作モードの間は単位セルに連結されたビットランの電流減少分を補償するバイアス電流を前記センシングノードに供給するように動作させることを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置におけるデータセンシングノード制御方法。
- 前記制御信号はパルス形態であることを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置におけるデータセンシングノード制御方法。
- 1つのアクセストランジスタと1つの可変抵抗体とを含んで構成される単位セルを複数備えるメモリセルアレイを有する半導体メモリにおいてデータをリードする方法であって、
印加される第1状態の制御信号に応答してセンシングノードを一定レベルにプリチャージさせる段階と、
印加されるアドレス信号に応答して前記メモリセルアレイ中の単位セルを選択する段階と、
前記プリチャージ終了と同時に印加されるクランピング制御信号に応答して、前記選択された単位セルのビットラインのレベルを予め設定された任意のクランプレベルにクランピングし、プリチャージ終了と同時に印加される第2状態の制御信号に応じて、前記選択された単位セルに連結されたビットラインの電流減少分を補償するためにバイアス電流をセンシングノードに供給する段階と、
前記センシングノードレベルと基準レベルを比較することにより、前記選択されたセルのデータをセンシングして出力する段階と、
を含むことを特徴とする半導体メモリにおけるデータリード方法。 - 前記第1状態及び第2状態の制御信号に応答するトランジスタがP型MOSトランジスタを含んで構成される場合において、前記第2状態の制御信号は前記第1状態の制御信号よりも高いレベルを有することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリにおけるデータリード方法。
- 前記第2状態のレベルは前記トランジスタが微弱にターンオンされる程度のしきい電圧に近接した電圧レベルであることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリにおけるデータリード方法。
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