JP2002517905A - 動作エンハンサーを備えた半導体電流スイッチング装置とそのための方法 - Google Patents

動作エンハンサーを備えた半導体電流スイッチング装置とそのための方法

Info

Publication number
JP2002517905A
JP2002517905A JP2000552720A JP2000552720A JP2002517905A JP 2002517905 A JP2002517905 A JP 2002517905A JP 2000552720 A JP2000552720 A JP 2000552720A JP 2000552720 A JP2000552720 A JP 2000552720A JP 2002517905 A JP2002517905 A JP 2002517905A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ndr
storage element
semiconductor device
element node
regions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000552720A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4763889B2 (ja
Inventor
ファリッド ネマティ、
ジェームズ プラマー、
Original Assignee
スタンフォード ユニバーシティ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by スタンフォード ユニバーシティ filed Critical スタンフォード ユニバーシティ
Publication of JP2002517905A publication Critical patent/JP2002517905A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4763889B2 publication Critical patent/JP4763889B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/39—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using thyristors or the avalanche or negative resistance type, e.g. PNPN, SCR, SCS, UJT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41716—Cathode or anode electrodes for thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42308—Gate electrodes for thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/749—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action with turn-on by field effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/102—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components
    • H01L27/1027—Thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/10—DRAM devices comprising bipolar components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 新規な、小面積ＮＤＲをベースにした回路を、高実装密度ＳＲＡＭセルやパワーサイリスタ構造を含むさまざまな半導体回路を完成させるのに使用することができる。1つの実施態様では、ＮＤＲをベースにした回路は容量的に結合されるゲートにより補助されるスイッチオンとスイッチオフを備えた薄型垂直ＰＮＰＮ構造（１０）を使用している。この新しいセルをベースにしたＳＲＡＭは、セル面積、待機電流、アーキテクチャ、スピード、また製造プロセスの点で、同じ容量のＤＲＡＭに匹敵する。1つの実施態様では、ＮＤＲをベースにしたＳＲＡＭセルは、たった２つの要素から構成されており、高速および低電圧で作動でき、良好なノイズマージンを有しており、また、製造プロセスにおいて主流のＣＭＯＳと相性がいい。このセルは待機電力消費を有意に低減する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、防衛研究計画機関により給付された契約ＭＤＡ９７２−９５−１−
００１７の下、政府の援助により行われた。政府は本発明において一定の権利を
有する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は、負性微分抵抗器（“ＮＤＲ”）などの半導体電流スイッチング装置
の構築ならびに製造と、そのような装置を含むＳＲＡＭやパワーサイリスタなど
の回路用途に関する。
【０００３】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業は高出力、高機能回路を求め続けている。この点におい
て意義のある達成が、シリコンウエハの小さな面積上での超高集積回路の製造に
よりなされてきた。このタイプの集積回路は、特定の手順で実施される一連のス
テップにより製造される。多くのこうした装置の製造における主要な目的には、
より大きな装置により実現されるスピードに匹敵するスピードで動作する一方で
、できるかぎり小さな面積を占有し、低供給レベルを使用して低レベルの電力を
消費する装置を得るステップが含まれる。こうした目的を達成するためには、製
造プロセスにおける諸ステップが、例えば、精密な公差、品質のよい材料、清浄
な環境といった厳格な要求を保証するようにきっちりと制御される。
【０００４】 半導体装置の回路構築および製造における重要な部分は、回路部間あるいはノ
ード間の電流をスイッチするのに使用される回路に関するものである。こうした
スイッチング回路の構築と形成は典型的には、十分に高い電位により電流をその
接合を通して流すよう、選択ノード間で少なくとも1つのＰＮ接合を形成するこ
とを含んでおり、それによって1つのノードから他のノードに電流を通す。回路
スペース、電力消費、回路スピードが基本的な設計目標である用途においては、
電流スイッチング装置の構築とレイアウトは非常に重要でありうる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
伝統的な電流スイッチング回路はしばしばこれらの基本的な設計目標を欠いて
いる。例えば、ＳＲＡＭには、これらの基本的な設計目標の少なくとも1つを欠
く回路構造が含まれる。４トランジスタ（“４Ｔ”）セルあるいは６トランジス
タ（“６Ｔ”）セルをベースとした従来のＳＲＡＭは、４つの交差接合トランジ
スタあるいは２つのトランジスタおよび２つの抵抗器、それに付け加えて、２つ
のセルアクセストランジスタを有している。こうしたセルは主流のＣＭＯＳ技術
と適合できるものであり、比較的低いレベルの電力を消費し、低電圧レベルで動
作し、比較的高速で働く。しかし、４Ｔセルと６Ｔセルは通常は大きなセル面積
を使用して実施され、またこのことは、こうしたＳＲＡＭの最大セル能力を著し
く制限する。
【０００６】 他のＳＲＡＭセル設計はＮＤＲ（負性微分抵抗器）装置をベースにしている。
それらは通常は、ＮＤＲ装置を含む少なくとも２つの能動素子から構成される。
ＮＤＲ装置はこのタイプのＳＲＡＭセルの総合性能にとっては重要なものである
。さまざまなＮＤＲ装置が単純なバイポーラトランジスタから、複雑な量子効果
装置までの範囲で導入されてきた。ＮＤＲをベースにしたセルの最大の利点は、
より少ない数の能動装置と相互接続により、４Ｔセルと６Ｔセルよりも小さなセ
ル面積を有するという潜在的資質である。しかし、従来のＮＤＲをベースにした
ＳＲＡＭセルは、市販のＳＲＡＭ製品においてはその使用が阻害されるような多
くの問題を抱えていた。これらの問題には以下のものが含まれる。すなわち、セ
ルの安定状態の１つあるいは両方において必要とされる大量の電流のための高待
機電力消費、セル動作に必要とされる過度に高いあるいは過度に低い電圧レベル
、製造上の変動に敏感すぎ、ノイズに対しマージンが少ない安定状態、１つの状
態から他の状態へのゆっくりとしたスイッチングによるアクセススピードの制限
、そして、複雑な製造プロセスのための製造能力と歩留の問題である。
【０００７】 サイリスタなどのＮＤＲ装置はまた、これらの装置により運ばれる電流密度が
オン状態では非常に高くなれるので、電力制御用途において広範に使用されてい
る。しかし、こうした用途におけるこれらの装置に関する著しい困難は、一旦オ
ン状態にスイッチすると、その装置の保持電流以下に電流が減少するまでその状
態のままになっていることである。また一般的には、主要な電流が中断されると
、サイリスタがブロック（オフ）状態に戻るのに必要とされる時間が大部分その
キャリアの寿命により決められ、また非常に長くなる可能性がある。電流を中断
せずにその装置のスイッチをオフにすることができないことと、関連する遅いス
イッチングスピードが多くの用途では顕著な問題となり、装置が能動的にまた急
速にスイッチをオフにすることができるように、装置の構造を修正しようとする
多くの試みを生む結果となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの態様は、上述の問題を大幅に緩和する電流スイッチング装置と
プロセス手段を提供する。
【０００９】 本発明の１つの実施態様によると、１つの半導体装置には、ＮＤＲ装置と制御
ポートが含まれる。ＮＤＲ装置は少なくとも２つの極性の異なる連続領域を有し
、また制御ポートはＮＤＲ装置の領域の少なくとも１つに隣接して位置しており
、また対向している。この１つの領域は、連続領域の２つの間にあるインターフ
ェイスに対向している１つの平面に沿った１つの断面を有しており、また、制御
ポートとＮＤＲ装置は、その断面の大半にわたる電位が制御ポートに対して提示
される制御電圧に応答して変化するように構成され配置される。この作用は、電
流パスモードと電流ブロックモードの間にあるＮＤＲ装置のスイッチングを高速
化する。
【００１０】 本発明のもう１つの実施態様によると、１つの半導体装置には、メモリーセル
のアレイと、アレイ内の１つあるいはそれ以上の選択セルに読み取りおよび書き
込みアクセスを提供するように構成および配置される制御回路が含まれる。各セ
ルは記憶素子ノード（ストレージノード）と、その記憶素子ノードへの書き込み
を高速化するように構成され配置される、容量的にスイッチされるＮＤＲ装置と
、記憶素子ノードと制御回路の間でデータを結合するように構成され配置される
アクセス回路とを有している。
【００１１】 本発明のさらにもう１つの実施態様によると、１つの半導体装置には、電力ス
イッチ構造が含まれる。電力スイッチ構造には、ＮＤＲ装置と制御ポート回路の
複数の組み合わせが含まれる。各ＮＤＲ装置は、極性の異なる少なくとも２つの
連続領域を有し、またその関連制御ポートがそのＮＤＲ装置の領域のうちの少な
くとも１つに隣接して位置しており、また対向している。その１つの領域は、そ
の連続領域の２つの間にあるインターフェイスに対向している１つの平面に沿っ
た１つの断面を有しており、またその制御ポートとＮＤＲ装置は、断面全体を横
切る電位が制御ポートに対して提示される制御電圧に応答して変化するように、
構成され配置される。
【００１２】 本発明の上の概要は、本発明の各開示された実施態様を特徴付けることを意図
されているわけではない。請求の範囲内にあると企図されるさまざまな他の態様
のなかで、本発明はまた、上の構造を製造し、またそれらの各回路のレイアウト
を作り出す諸方法に関する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、添付の図面との関連において、本発明のさまざまな実施態様の詳細
な説明を考慮してさらに完全に理解されることであろう。
【００１４】 本発明はさまざまな変更および代替的な形態に修正可能であるが、その特定例
が図面において例として示され、また詳細に説明される。しかし、その意図は説
明される特定の諸実施態様に本発明を限定することではない。逆に、その意図は
、添付の請求項により定義されているように、本発明の精神と範囲内に入るすべ
ての変更したもの、等価のもの、代替できるものを対象として含むことである。
【００１５】 本発明は、複数のＰＮ型とＮＤＲ型構造などの電流スイッチング装置とその回
路用途に関する。本発明は、改善されたオン／オフ比率と、オン状態での低保持
電流を有する電流スイッチング装置を必要とする設計にとってはとくに有利であ
ることがわかっている。オン状態における接合の飽和によりゆっくりとオフし、
および／または電流が保持電流以下に減少するまでまったくオフしない多くの電
流スイッチング装置とは違って、本発明の1つの態様は、容量的に結合される能
動化信号が電流スイッチング装置の領域の少なくとも1つに隣接して存在するこ
とに応答して電流パスモードと電流ブロックモードの間で急速に変化する装置に
関する。さらに、こうした変化は、比較的低い電圧を使用して起こり得、また装
置は、比較的小さな面積において実施することができる。
【００１６】 本発明の1つの特定の実施例は、ＮＤＲ装置に隣接し、容量的に結合されるゲ
ートを使用するＮＤＲ装置に関する。ＮＤＲ装置の位置ならびに構築とゲートは
、ゲートに提示される電荷によりＮＤＲ構造が電流スイッチングのスピードを改
善されるようなものである。
【００１７】 ここで図に移ると、図１と２はそれぞれ、本発明による例示的ＳＲＡＭセル配
置の構造図と対応する回路図を図示している。図１に図示されている例示的配置
は、垂直記憶装置ＳＲＡＭ装置と呼称されている。そのセルは、2つの素子から
構成されている。すなわち、ＰＮＰＮ型ＮＤＲ装置１０とＮＭＯＳ型アクセス（
あるいはパス）トランジスタ１２である。アクセス（あるいはパス）トランジス
タ１２には、第1ワード線ＷＬ1の一部分を形成するゲート１４と、そのうちの１
つがビット線（Ｂ−Ｌ）１８に接続される基板１６におけるＮ＋ドレインおよび
ソース領域が含まれる。垂直ＮＤＲ装置１０の一番上には、この装置の一番上の
端子を供給即ち基準電圧Ｖｒｅｆに接続するのに使用される金属被覆層１９があ
る。ＮＤＲ装置１０は、ビット線１８に接続されないソースあるいはドレインの
上に、アクセストランジスタ１２の一部分の上に垂直方向に作成される。ＮＤＲ
装置はまたアクセストランジスタに隣接して製造することができる。
【００１８】 ＮＤＲ装置１０は、帯電プレートあるいはゲート様装置２０に隣接し、また１
つの特定の実施例では、これらにより囲まれている真中のＰ領域を有する。プレ
ート２０は、第２ワード線（ＷＬ２）の一部を形成し、また、セルの２つの安定
した状態との関連において使用される。すなわち、装置１０が電流ブロックモー
ドにあるオフ状態と、装置１０が電流パスモードにあるオン状態である。記憶素
子ノード２４の電圧は、オン状態ではその高い値にあり、またＮＤＲの保持電流
が、アクセストランジスタ１２のサブスレッショルド電流により供給される。
【００１９】 図２はまた、１つの代替的実施形態として抵抗器２６を図示しており、抵抗器
２６はそのオン状態におけるＮＤＲ装置に対して保持電流を維持するのを助ける
ために使用されている。このアプローチはセル領域を増加させるが、このアプロ
ーチは、セル中の待機電流（スタンバイ電流）に対するより良い制御能力を提供
する可能性があるという点が利点である。
【００２０】 図示されている実施例においては、プレート２０は、下部Ｎ＋領域とは重なり
合うが上部Ｎ領域とは重なり合わない。ゲートがＰＮＰＮのＰ領域の電位を厳密
に制御し、またこの電位はプレート２０を介して容量的結合により調節すること
ができるようにＰＮＰＮ装置は十分に薄くなっている。下部Ｎ＋領域はセルの内
部ノードであり、また図２の記憶素子ノード２４に対応している。上部Ｐ＋領域
は、基準電圧に接続される。ＷＬ２は、書き込み動作に使用され、また、さらに
詳細には、そのセルに論理ゼロを書き込むときに装置１０をオフにするのをスピ
ードアップし、またセルに論理１を書き込むときに低電圧で装置１０がオンにな
るのを可能にするために使用される。待機モードにおいては、ワード線とビット
線は不活性であり、あるいは低電圧レベルである（それらは各線で異なる可能性
がある）。
【００２１】 図３ａと３ｂはそれぞれ、バイポーラ接合トランジスタ１０ａと１０ｂを使用
して図示されている図１の例示的配置のＤＣ回路とＡＣ回路のモデルを図示して
いる。各モデルにおいては、ＷＬ２は、Ｐ領域でＮＤＲ装置１０に容量的に結合
されるように示されているが、それによって、ＮＤＲ装置の端子間の電流のスイ
ッチングをエンハンス（促進）し、従ってスピードアップすることになる。ＤＣ
と低周波数（図３ａ）においては、隣接ゲート（図１の２０）は、ＰＮＰトラン
ジスタ１０ａのベースをパストランジスタを介してビット線（ＢＬ）に接続する
垂直ＭＯＳＦＥＴ ２６としてモデル化されている。高い周波数においては、セ
ルの等価回路モデルが、図３ｂに図示されているが、ＰＮＰＮのＷＬ２とＰ領域
の間の容量的結合へと簡素化されている。
【００２２】 図４は、本発明のもう１つの態様による図１の回路のさまざまなノードの波形
を図示しているタイミング図である。この図は、このセルに関する実施例の読み
取りおよび書き込み動作を図示している。読み取り動作に関しては、ＷＬ１は、
記憶素子ノード２４の電圧を読み取るのに使用される。
【００２３】 １を書き込む動作に関しては、ビット線は低いままである。ＷＬ１がその高レ
ベルに上昇された後、パルスがＷＬ２に与えられる。このパルスの上昇端は容量
的結合によりＰ領域の電位を上昇させ、また、ＮＰ接合と下部ＰＮ接合を、順バ
イアスし、順次、ＰＮＰＮにおいて周知の再生成プロセスをスタートさせ、ＮＤ
Ｒ装置をオンにする。
【００２４】 ゼロの書き込み動作に関しては、ＢＬはその高レベルに上昇され、ＷＬ１は活
性化される。これは、記憶素子ノードレベルを帯電して高電圧レベルにし、ＮＤ
Ｒ装置を逆バイアスする。パルスがその後にＷＬ２に与えられ。このパルスの下
降端は、ＰＮＰＮの真中のＰ領域から少数電荷を全部引き出し、また電流パスを
ブロックする。この実施形態においては、これはＰＮＰＮ装置が「薄い」ときの
み行われる。ＰＮＰＮは、この動作後にブロック状態にスイッチされる。このス
イッチをオフにする動作は、複数ＰＮ装置における通常のスイッチオフメカニズ
ム（その装置の内部での少数電荷の再結合）に依存しているわけではなく、また
したがって迅速で信頼性がある。
【００２５】 図５は、本発明のもう1つの態様による図１の構造の例示的レイアウト配置で
ある。図１の構造の重要な利点は、従来のＳＲＡＭセルに比べてかなり小さなセ
ル領域であることである。このレイアウトと構造は、待機電力のかなりのレベル
を消費し、電圧レベルの変化に影響を受けないようにし、良好なノイズマージン
、高速化を提供するよう、実施することができる。図５の構造は、アーチキテク
チャ、スピード、製造プロセスといった点で従来のＤＲＡＭに似ている。さらに
、回路の場所という点では、図５に図示されているセルのフットプリント（占有
面積）は多くの従来のＤＲＡＭセルのものと同じくらい小さい。
【００２６】 このセル構造の製造は、ＰＮＰＮ装置を構築する付加的なエピタキシャル成長
ステップとともにＣＭＯＳ技術に基づいくことができ、また、このプロセスは、
キャパシタンスがＮＤＲ装置によって置き換えられた従来の積層コンデンサセル
とほぼ同様なものであり得る。1つの特定の実施形態によると、各ゲートの一番
下とＮＤＲ装置の一番上の間の間隔は、堆積したポリの時限オーバエッチングに
より調整される。ＰＮＰＮ装置に隣接しているゲートは、側壁スペーサーあるい
は選択的エピタキシー法を含む周知の諸方法を使用して容易に製造することがで
きる。さらに特定の実施形態においては、ＰＮＰＮ装置に隣接するゲート（単数
／複数）は、異方性ポリエッチングを使用して製造される。ＮＤＲ装置は、プレ
ーナ型装置の前にシリコンピラーのエッチングとイオン注入によるか、あるいは
プレーナ型装置の後に例えば、選択的エピタキシャル成長技術によるかのいずれ
かで製造することができる。
【００２７】 図６は、図１に図示されているものに対する代替的な実施を示している。図１
と図６の構造は、図６の構造にはＰ基板に対してプレーナ型で配置されている図
１のＮＭＯＳＦＥＴ １２の代わりに垂直に配置されたＮＭＯＳＦＥＴ ３０が含
まれているという点が異なる。ＮＭＯＳＦＥＴ ３０には、ＮＭＯＳＦＥＴ ３０
の本体のＰ領域を少なくとも部分的に取り囲んでいるゲート１４'が含まれる。
この実施形態の読み取りおよび書き込み動作は、図４に図示されている。図６の
実施形態は、さらに込み入った製造プロセスを使用してさらに小さな面積で実施
することができる。
【００２８】 1つの実施形態によると、図１と６の構造のそれぞれのゲートは、ＮＤＲ装置
の対向領域に隣接し、またＮＤＲ装置に対して十分なサイズがあるので、ゲート
における電荷は、ＮＤＲ装置の対象領域の全径（“ｄ”）にわたる電位を制御す
る。したがって、この結果は、ＮＤＲ装置の対向領域のドーピング濃度だけでは
なく、対向領域に対するゲートのサイズと近接度とともにＮＤＲ装置の厚さ（“
ｄ”として例示）を選択することにより実現される。1つの代替的な実施形態に
おいては、ゲートはＮＤＲ装置の対向領域を部分的に取り囲んでいるだけであり
、また、ＮＤＲ装置は非取り囲みゲートにより提供される減容量結合を補うため
に、厚さを減少させている。図６ａは、図１と同様のＳＲＡＭセル配置において
、本発明による非取り囲みゲートのＮＤＲ装置の実施形態を示している。薄膜Ｓ
ＯＩ（絶縁体上のシリコン）技術が用いられ、またＰＮＰＮ型ＮＤＲ装置は図１
にある垂直構造というよりもプレーナ構造を有している。この実施形態の読み取
りおよび書き込み動作は図４に図示されている。上述の構造のそれぞれにおいて
、ＮＤＲ装置は、さまざまな形状のいずれかを使用して実施することができる。
【００２９】 1つの特定の実施態様は、各ゲートをＮ＋ドープし、また200Ａの厚さを有する
酸化物層により１ボルトの供給電圧を使用する。この例示的ＳＲＡＭ構造の寸法
は図７に図示されている。取り囲みゲート２０"（ＷＬ２）は、内側記憶素子ノ
ード２４のＮ領域と重なり合っているが、しかし、上部Ｎ領域とは重なり合って
いない。ＮＤＲ装置１０"は比較的薄い（この実施態様では０．３u）ので、ゲー
トはＮＤＲ装置１０"のＰ領域の電位を厳密に制御し、また、この電位はゲート
２０"に容量的に結合することにより容易に調節することができる。待機モード
においては、ＢＬとＷＬ1はゼロボルトで保持され、ＷＬ２は−１ボルトで保持
される。ＰＮＰＮ装置がオフの場合は、記憶素子ノードにおけるその電圧レベル
はゼロボルトである。PNPN装置がオンの場合、記憶素子ノードにおけるその電圧
レベルは約０．４Ｖ〜０．５Ｖである。ＰＮＰＮの保持電流はアクセストランジ
スタのサブスレッショルド電流により供給される。この保持電流は数ピコアンペ
ア／ｕｍ2といった低いものにすることができる。読み取りおよび書き込み動作
は一般的には、ＷＬ１を３Ｖ、ＢＬを２Ｖ、ＷＬ２（あるいはゲート）を２Ｖの
上位電圧レベルとして、図４と関連させて説明される。
【００３０】 もう１つの実施形態と電流スイッチング装置の用途によれば、１ギガビットＳ
ＲＡＭが、上の２つの要素ＮＤＲ（図１、図６あるいは図６ａのいずれかの）を
ベースにした構造と一致するように完成されるセルを含んでおり、また１０ｍＡ
未満で動作する待機電流により０．２μｍ技術を使用して完成される。従来の論
理回路（図示せず）は、アクセス信号（ワードおよびビット線）のタイミングと
レベルを制御するのに使用される。
【００３１】 図８は、本発明のもう１つの実施態様による共通アノード３６と共通カソード
３８を接続端子として有するパワーサイリスタ構造である。これらの装置の各ア
ノードは、導線４４により連係される金属被覆層４２を使用して完成される。そ
の構造には、複数のＰＮＰＮ型ＮＤＲ装置が含まれており、そのうちの３つは、
４０ａ、４０ｂ、４０ｃとして描かれており、またそれぞれが共通アノード３６
とカソード３８の間に挟まれている。これらのＮＤＲ装置は、平面図レイアウト
ではセル、ストライプあるいはセルおよび／またはストライプの組み合わせであ
りうる。複数のＰＮＰＮ型ＮＤＲ装置のそれぞれは図１の構造と同様なやり方で
構築されているが、しかし各ＰＮＰＮ型ＮＤＲ装置の上部Ｎ領域に基本的に隣接
している連係電荷プレート（あるいはゲート）４８により供給される各制御ポー
トを伴うものである。パワーサイリスタは、連係する帯電プレート４８に提示さ
れる能動化信号に応答して電流パスモードおよび電流ブロックモードの間で急速
に変化する。このアプローチは、急速な状態変化が、比較的低い電圧を使用して
実現されるため、有利である。さらに、パワーサイリスタのこの形態は、高電力
用途のためにＮＤＲ装置の数を容易に拡張することができ、あるいは低電力用途
のために数を容易に減少することができる。
【００３２】 上述のさまざまな実施形態は、単に説明のために提供されており、本発明を制
限するように解釈されるべきではない。上の論議ならびに説明図を基礎として、
当業者は、さまざまな修正ならびに変更が、本出願のなかで図示され、また説明
されている例示的な実施形態と適用例を厳密に追随することなく本発明に対して
行われることは容易に認識することであろう。こうした変更には、それらに必然
的に限定されるわけではないが、以下のものが含まれる。すなわち、図示されて
いるゲートの形状、位置、サイズを変更すること、電流スイッチング装置に構造
を付け加えること、電流スイッチング装置にあるＰＮ部の数を増設すること、装
置構造においてＰとＮの領域を交換すること、および／またはＮＭＯＳＦＥＴで
はなくて、ＰＭＯＳＦＥＴを使用すること、である。こうした修正と変更は、請
求項に述べられている本発明の真の精神と範囲から離れてはいない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のＳＲＡＭセル配置の電流スイッチング装置の一例の構造
を示す図である。
【図２】 本発明との図１の配置例の回路図である。
【図３ａ】 図１の配置例のＤＣ等価回路を示す図である。
【図３ｂ】 図１の配置例のＡＣ等価回路を示す図である。
【図４】 本発明の１つの動作例に従った、図１の回路のさまざまなノード
の波形を示すタイミング図である。
【図５】 本発明のもう１つの実施形態による１つのレイアウト配置を示す
図である。
【図６】 図１に示されている構造に対する代替物として使用することがで
きる、本発明による電流スイッチング装置の追加の実施例示す図である。
【図６ａ】 図１に示されている構造に対する代替物として使用することが
できる、本発明による電流スイッチング装置の追加の実施例を図である。
【図７】 本発明による、もう１つの実施例である電流スイッチング装置を
示す図である。
【図８】 本発明のもう１つの実施形態による、１つのパワーサイリスタ構
造を示す図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年６月１４日（２０００．６．１４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１３】 サイリスタ装置と、第２ワード線と、アクセス回路と、第
１ワード線とが垂直に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装
置。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１２月２０日（２０００．１２．２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5B015 JJ07 JJ12 JJ21 JJ31 KA13 KA28 QQ00 5F005 AA03 AC02 CA01 GA01 5F083 BS50 HA02 LA12 LA16

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置であって、極性の異なる少なくとも２つの連続領
    域を有するＮＤＲ装置と、ＮＤＲ装置の領域の少なくとも１つに隣接して位置し
    、また対向している制御ポートとを含み、前記１つの領域が前記連続領域の２つ
    の間にあるインターフェイスに対向している１つの平面に沿って１つの断面を有
    しており、前記制御ポートとＮＤＲ装置は、その断面の大半にわたる電位が制御
    ポートに対して提示されている制御電圧に応答して変化するように構成され配置
    され、またそれによって電流パスモードと電流ブロックモードの間でＮＤＲ装置
    のスイッチングを促進することを特徴とする前記半導体装置。
  2. 【請求項２】 ＮＤＲ装置がＰＮＰＮ装置であることを特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 制御ポートとＮＤＲ装置がさらに、制御ポートに対して提示
    されている制御電圧に応答して、断面全体にわたる電位が変化するように構成さ
    れ配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 極性の異なる少なくとも２つの連続領域を有する少なくとも
    １つの他のＮＤＲ装置と、他の１つのＮＤＲ装置の領域のうち少なくとも１つに
    隣接して位置しており、また対向している他の１つの制御ポートとをさらに含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 最初に述べたＮＤＲ装置と最初に述べた制御ポートと、他の
    ＮＤＲ装置と他の制御ポートが、半導体電力スイッチの一部を形成していること
    を特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 メモリーセルのアレイをさらに含み、またＮＤＲ装置と制御
    ポートがそのアレイの一部を形成している１つのメモリーセルのなかにある構成
    要素であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 アレイの一部を形成する１つのメモリーセルには、記憶素子
    ノードへのアクセスを提供するように構成され配置されている記憶素子ノードと
    制御回路が含まれており、また、制御ポートは記憶素子ノードへの書き込みアク
    セスを高速化するように構成され配置されることを特徴とする請求項６に記載の
    半導体装置。
  8. 【請求項８】 半導体装置であって、少なくとも２つの連続領域、前記連続
    領域のうちの２つの間にあるインターフェイスに対向している１つの平面に沿っ
    た１つの断面を有する電流スイッチング手段の領域のうちの少なくとも１つの両
    端部に対する電位に従って、電流をパスまたはブロックする、極性の異なる少な
    くとも２つの連続領域を備えたＮＤＲ装置を有する電流スイッチング手段と、 断面全体にわたる電位が電荷接続手段に対して提示された制御電圧に応答して
    変化するように構成され配置される、隣接する前記少なくとも１つの領域と、制
    御ポートと、前記電流スイッチング手段とに、電荷を容量的に結合するための接
    続手段とを含み、またそれによって電流パスモードと電流ブロックモードの間に
    ある電流スイッチング手段のスイッチングを促進することを特徴とする前記半導
    体装置。
  9. 【請求項９】 少なくとも１つの他の同様の機能の電流スイッチング手段と
    、少なくとも１つの他の同様の機能の接続手段をさらに含むことを特徴とする請
    求項８に記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 接続手段のそれぞれと、電流スイッチング手段のそれぞれ
    が１つの半導体電力スイッチの一部を形成していることを特徴とする請求項９に
    記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 メモリーセルのアレイをさらに含み、また電流スイッチン
    グ手段と接続手段が、アレイの一部を形成している１つのメモリーセルのなかの
    構成要素であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
  12. 【請求項１２】 アレイの一部を形成する１つのメモリーセルには、記憶素
    子ノードへのアクセスを提供するように構成され配置される記憶素子ノードと制
    御回路が含まれ、また、接続手段が記憶素子ノードへの書き込みアクセスを促進
    するように構成され配置されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置
    。
  13. 【請求項１３】 半導体を製造する方法であって、 異なる極性を有する半導体材料の少なくとも２つの連続領域と、前記連続領域
    のうちの２つの間にあるインターフェイスに対向している１つの平面に沿って１
    つの断面を有している領域のうちの少なくとも１つと、ＮＤＲ装置を形成してい
    る前記少なくとも２つの領域とを形成するステップと、 断面の大半にわたる電位がそのプレートに提示されている制御電圧に応答して
    変化するように前記少なくとも１つの領域の付近にある１つのプレートを形成す
    るステップと、 を含み、またそれによって電流パスモードと電流ブロックモードの間のスイッチ
    ングを促進することを特徴とする前記半導体装置を製造する方法。
  14. 【請求項１４】 半導体材料の少なくとも２つの連続領域を形成するステッ
    プにはＰＮＰＮ装置を形成することが含まれることを特徴とする請求項１３に記
    載の半導体装置を製造する方法。
  15. 【請求項１５】 電力スイッチを形成し、またその構成要素として連続領域
    とプレートを使用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載
    の半導体装置を製造する方法。
  16. 【請求項１６】 静的メモリーアレイを形成し、またアレイのなかの１つの
    セルにおいて構成要素として連続領域とプレートを使用するステップをさらに含
    むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体を製造する方法。
  17. 【請求項１７】 半導体装置であって、 メモリーセルのアレイと、 アレイのなかにある１つまたはそれ以上の選択セルへの読み取りおよび書き込
    みアクセスを提供するように構成され配置される制御回路と、 記憶素子ノードと、記憶素子ノードへの書き込みを促進するように構成され配
    置される容量的にスイッチされるＮＤＲ装置と、記憶素子ノードと制御回路の間
    にあるデータを結合するように構成され配置されるアクセス回路とを有する各セ
    ルと、 を含む前記半導体装置。
  18. 【請求項１８】 ＳＲＡＭ装置であって、 記憶素子ノードと、 第１ワード線と、 第２ワード線と、 第２ワード線に応答するように構成され配置される容量的に結合されるゲート
    を含むＮＤＲ装置と、 第１ワード線に接続される制御ポートを有し、また記憶素子ノードとビット線
    の間にあるデータを結合するように、構成され配置されるアクセス回路と、 から成る前記ＳＲＡＭ装置。
  19. 【請求項１９】 メモリーセルのなかにある記憶素子ノードにアクセスする
    方法であって、 制御ゲードにおける電圧変化が、ＮＤＲ装置の断面全体にわたる電位を変化さ
    せるようにＮＤＲ装置の付近にある制御ゲートを提供するステップと、 記憶素子ノードへのアクセスを促進するために制御ゲートにおいて電圧変化を
    用いるステップと、 を含む前記方法。
  20. 【請求項２０】 ＳＲＡＭ装置であって、 記憶素子ノードと、 第１ワード線と、 第２ワード線と、 少なくとも２つの連続した異なる極性の積層領域を含み、また領域のうちの少
    なくとも１つに容量的に結合され、また対向している片側を有するゲートを含む
    、垂直に配置されるＮＤＲ装置であって、第２ワード線に応答するように構成さ
    れ配置される前記ＮＤＲ装置と、 第１ワード線に接続される制御ポートを有し、また記憶素子ノードとビット線
    の間にあるデータを結合するように構成され配置されるアクセス回路と、 を含む前記ＳＲＡＭ装置。
  21. 【請求項２１】 前記１つの領域が、前記連続領域のうちの２つの間にある
    インターフェイスに対向している１つの平面に沿って１つの断面と、断面全体に
    わたる電位が、ゲートに提示される制御電圧に応答して変化するように構成され
    配置されるゲートとＮＤＲ装置を有し、またそれによって電流パスモードと電流
    ブロックモードの間でＮＤＲ回路のスイッチングを促進することを特徴とする請
    求項２０に記載のＳＲＡＭ装置。
  22. 【請求項２２】 ＮＤＲ装置がＰＮＰＮ装置であることを特徴とする請求項
    ２１に記載のＳＲＡＭ装置。
JP2000552720A 1998-06-05 1999-06-01 半導体装置 Expired - Fee Related JP4763889B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/092,449 US6229161B1 (en) 1998-06-05 1998-06-05 Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches
US09/092,449 1998-06-05
PCT/US1999/012481 WO1999063598A1 (en) 1998-06-05 1999-06-01 Semiconductor current-switching device having operational enhancer and method therefor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002517905A true JP2002517905A (ja) 2002-06-18
JP4763889B2 JP4763889B2 (ja) 2011-08-31

Family

ID=22233267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000552720A Expired - Fee Related JP4763889B2 (ja) 1998-06-05 1999-06-01 半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (7) US6229161B1 (ja)
EP (1) EP1082764B1 (ja)
JP (1) JP4763889B2 (ja)
KR (1) KR100636777B1 (ja)
AT (1) ATE259545T1 (ja)
DE (1) DE69914746T2 (ja)
WO (1) WO1999063598A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049113A (ja) * 2005-07-15 2007-02-22 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2007536737A (ja) * 2004-05-06 2007-12-13 マイクロン テクノロジー， インク． ラテラルサイリスタ及びトラッピング層を有するシリコン‐オン‐インシュレータ読み取り‐書き込み不揮発性メモリ
JP2008028353A (ja) * 2006-06-22 2008-02-07 Sony Corp 半導体装置およびその駆動方法
JP2009087459A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sony Corp 半導体装置
JP4893971B2 (ja) * 2005-10-31 2012-03-07 マイクロン テクノロジー， インク． 溝形チャネルの負性微分抵抗をベースとするメモリセル

Families Citing this family (449)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7203728B2 (en) * 1993-01-26 2007-04-10 Logic Controls, Inc. Point-of-sale system and distributed computer network for same
US8058142B2 (en) 1996-11-04 2011-11-15 Besang Inc. Bonded semiconductor structure and method of making the same
US20050280155A1 (en) * 2004-06-21 2005-12-22 Sang-Yun Lee Semiconductor bonding and layer transfer method
US7633162B2 (en) * 2004-06-21 2009-12-15 Sang-Yun Lee Electronic circuit with embedded memory
US8018058B2 (en) * 2004-06-21 2011-09-13 Besang Inc. Semiconductor memory device
US7800199B2 (en) * 2003-06-24 2010-09-21 Oh Choonsik Semiconductor circuit
US20030129215A1 (en) * 1998-09-24 2003-07-10 T-Ram, Inc. Medical devices containing rapamycin analogs
US6890546B2 (en) 1998-09-24 2005-05-10 Abbott Laboratories Medical devices containing rapamycin analogs
US6229161B1 (en) 1998-06-05 2001-05-08 Stanford University Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches
US6313490B1 (en) * 1999-03-16 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Base current reversal SRAM memory cell and method
US6891213B1 (en) 1999-03-16 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Base current reversal SRAM memory cell and method
US6690038B1 (en) * 1999-06-05 2004-02-10 T-Ram, Inc. Thyristor-based device over substrate surface
FI108889B (fi) * 2000-04-27 2002-04-15 Jukka Pekola Menetelmä lämpötilan mittaamiseksi laajalla alueella tunneliliitosta hyväksikäyttäen
US6754104B2 (en) 2000-06-22 2004-06-22 Progressant Technologies, Inc. Insulated-gate field-effect transistor integrated with negative differential resistance (NDR) FET
US6512274B1 (en) 2000-06-22 2003-01-28 Progressant Technologies, Inc. CMOS-process compatible, tunable NDR (negative differential resistance) device and method of operating same
US6594193B2 (en) 2000-06-22 2003-07-15 Progressent Technologies, Inc. Charge pump for negative differential resistance transistor
US6559470B2 (en) 2000-06-22 2003-05-06 Progressed Technologies, Inc. Negative differential resistance field effect transistor (NDR-FET) and circuits using the same
US6518589B2 (en) 2000-06-22 2003-02-11 Progressant Technologies, Inc. Dual mode FET & logic circuit having negative differential resistance mode
US6479862B1 (en) 2000-06-22 2002-11-12 Progressant Technologies, Inc. Charge trapping device and method for implementing a transistor having a negative differential resistance mode
US6596617B1 (en) 2000-06-22 2003-07-22 Progressant Technologies, Inc. CMOS compatible process for making a tunable negative differential resistance (NDR) device
US6724655B2 (en) 2000-06-22 2004-04-20 Progressant Technologies, Inc. Memory cell using negative differential resistance field effect transistors
JP4044276B2 (ja) * 2000-09-28 2008-02-06 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US6549450B1 (en) * 2000-11-08 2003-04-15 Ibm Corporation Method and system for improving the performance on SOI memory arrays in an SRAM architecture system
US6713791B2 (en) * 2001-01-26 2004-03-30 Ibm Corporation T-RAM array having a planar cell structure and method for fabricating the same
US7491586B2 (en) * 2001-03-22 2009-02-17 T-Ram Semiconductor, Inc. Semiconductor device with leakage implant and method of fabrication
US7456439B1 (en) 2001-03-22 2008-11-25 T-Ram Semiconductor, Inc. Vertical thyristor-based memory with trench isolation and its method of fabrication
US6891205B1 (en) 2001-03-22 2005-05-10 T-Ram, Inc. Stability in thyristor-based memory device
US6462359B1 (en) 2001-03-22 2002-10-08 T-Ram, Inc. Stability in thyristor-based memory device
US7075122B1 (en) 2001-03-22 2006-07-11 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor device with carbon lifetime adjustment implant and its method of fabrication
US7374974B1 (en) 2001-03-22 2008-05-20 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor-based device with trench dielectric material
US6727528B1 (en) 2001-03-22 2004-04-27 T-Ram, Inc. Thyristor-based device including trench dielectric isolation for thyristor-body regions
US6804162B1 (en) 2001-04-05 2004-10-12 T-Ram, Inc. Read-modify-write memory using read-or-write banks
WO2002082453A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-17 T-Ram, Inc. Dynamic data restore in thyristor-based memory device
US6627924B2 (en) * 2001-04-30 2003-09-30 Ibm Corporation Memory system capable of operating at high temperatures and method for fabricating the same
DE10125967C1 (de) * 2001-05-29 2002-07-11 Infineon Technologies Ag DRAM-Zellanordnung mit vertikalen MOS-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung
US6906354B2 (en) * 2001-06-13 2005-06-14 International Business Machines Corporation T-RAM cell having a buried vertical thyristor and a pseudo-TFT transfer gate and method for fabricating the same
US6583452B1 (en) 2001-12-17 2003-06-24 T-Ram, Inc. Thyristor-based device having extended capacitive coupling
US7453083B2 (en) * 2001-12-21 2008-11-18 Synopsys, Inc. Negative differential resistance field effect transistor for implementing a pull up element in a memory cell
US6670642B2 (en) * 2002-01-22 2003-12-30 Renesas Technology Corporation. Semiconductor memory device using vertical-channel transistors
JP4938221B2 (ja) 2002-02-01 2012-05-23 ピコメトリックス インコーポレイテッド プレーナ・アバランシェ・フォトダイオード
WO2003065417A2 (en) * 2002-02-01 2003-08-07 Picometrix, Inc. Charge controlled avalanche photodiode and method of making the same
JP5021888B2 (ja) * 2002-02-01 2012-09-12 ピコメトリックス インコーポレイテッド 拡張型光検出器
US7294567B2 (en) * 2002-03-11 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor contact device and method
US7123508B1 (en) 2002-03-18 2006-10-17 T-Ram, Inc. Reference cells for TCCT based memory cells
US6940772B1 (en) 2002-03-18 2005-09-06 T-Ram, Inc Reference cells for TCCT based memory cells
US6832300B2 (en) 2002-03-20 2004-12-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods and apparatus for control of asynchronous cache
US6611452B1 (en) 2002-04-05 2003-08-26 T-Ram, Inc. Reference cells for TCCT based memory cells
US6785169B1 (en) 2002-04-05 2004-08-31 T-Ram, Inc. Memory cell error recovery
US6778435B1 (en) 2002-06-12 2004-08-17 T-Ram, Inc. Memory architecture for TCCT-based memory cells
JP3660650B2 (ja) * 2002-06-13 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20060113612A1 (en) * 2002-06-19 2006-06-01 Kailash Gopalakrishnan Insulated-gate semiconductor device and approach involving junction-induced intermediate region
US6795337B2 (en) 2002-06-28 2004-09-21 Progressant Technologies, Inc. Negative differential resistance (NDR) elements and memory device using the same
US6567292B1 (en) * 2002-06-28 2003-05-20 Progressant Technologies, Inc. Negative differential resistance (NDR) element and memory with reduced soft error rate
US6721220B2 (en) 2002-07-05 2004-04-13 T-Ram, Inc. Bit line control and sense amplification for TCCT-based memory cells
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US6865407B2 (en) * 2002-07-11 2005-03-08 Optical Sensors, Inc. Calibration technique for non-invasive medical devices
US6917078B2 (en) * 2002-08-30 2005-07-12 Micron Technology Inc. One transistor SOI non-volatile random access memory cell
US6888200B2 (en) * 2002-08-30 2005-05-03 Micron Technology Inc. One transistor SOI non-volatile random access memory cell
US6903969B2 (en) * 2002-08-30 2005-06-07 Micron Technology Inc. One-device non-volatile random access memory cell
US7042027B2 (en) * 2002-08-30 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Gated lateral thyristor-based random access memory cell (GLTRAM)
US6790713B1 (en) 2002-09-09 2004-09-14 T-Ram, Inc. Method for making an inlayed thyristor-based device
US7135745B1 (en) 2002-09-09 2006-11-14 T-Ram, Inc. Fin thyristor-based semiconductor device
US6703646B1 (en) 2002-09-24 2004-03-09 T-Ram, Inc. Thyristor with lightly-doped emitter
US7053423B1 (en) 2002-09-24 2006-05-30 T-Ram, Inc. Thyristor having a first emitter with relatively lightly doped portion to the base
US6888177B1 (en) 2002-09-24 2005-05-03 T-Ram, Inc. Increased base-emitter capacitance
US6767770B1 (en) 2002-10-01 2004-07-27 T-Ram, Inc. Method of forming self-aligned thin capacitively-coupled thyristor structure
US6815734B1 (en) 2002-10-01 2004-11-09 T-Ram, Inc. Varied trench depth for thyristor isolation
US7030425B1 (en) 2002-10-01 2006-04-18 Tram, Inc. Buried emitter contact for thyristor-based semiconductor device
US6998652B1 (en) 2002-10-01 2006-02-14 T-Ram, Inc. Trench isolation for thyristor-based device
US6690039B1 (en) 2002-10-01 2004-02-10 T-Ram, Inc. Thyristor-based device that inhibits undesirable conductive channel formation
US6913955B1 (en) 2002-10-01 2005-07-05 T-Ram, Inc. Method of manufacturing a thyristor device with a control port in a trench
US6666481B1 (en) 2002-10-01 2003-12-23 T-Ram, Inc. Shunt connection to emitter
US7279367B1 (en) 2004-12-07 2007-10-09 T-Ram Semiconductor, Inc. Method of manufacturing a thyristor semiconductor device
US6686612B1 (en) 2002-10-01 2004-02-03 T-Ram, Inc. Thyristor-based device adapted to inhibit parasitic current
US6888176B1 (en) 2002-10-01 2005-05-03 T-Ram, Inc. Thyrister semiconductor device
US6828202B1 (en) * 2002-10-01 2004-12-07 T-Ram, Inc. Semiconductor region self-aligned with ion implant shadowing
US6953953B1 (en) 2002-10-01 2005-10-11 T-Ram, Inc. Deep trench isolation for thyristor-based semiconductor device
US6683330B1 (en) * 2002-10-01 2004-01-27 T-Ram, Inc. Recessed thyristor control port
US6818482B1 (en) 2002-10-01 2004-11-16 T-Ram, Inc. Method for trench isolation for thyristor-based device
US7125753B1 (en) 2002-10-01 2006-10-24 T-Ram Semiconductor, Inc. Self-aligned thin capacitively-coupled thyristor structure
US6735113B2 (en) * 2002-10-15 2004-05-11 T-Ram, Inc. Circuit and method for implementing a write operation with TCCT-based memory cells
US6756612B1 (en) 2002-10-28 2004-06-29 T-Ram, Inc. Carrier coupler for thyristor-based semiconductor device
US6965129B1 (en) 2002-11-06 2005-11-15 T-Ram, Inc. Thyristor-based device having dual control ports
US6980457B1 (en) 2002-11-06 2005-12-27 T-Ram, Inc. Thyristor-based device having a reduced-resistance contact to a buried emitter region
US6806117B2 (en) 2002-12-09 2004-10-19 Progressant Technologies, Inc. Methods of testing/stressing a charge trapping device
US6812084B2 (en) 2002-12-09 2004-11-02 Progressant Technologies, Inc. Adaptive negative differential resistance device
US7005711B2 (en) 2002-12-20 2006-02-28 Progressant Technologies, Inc. N-channel pull-up element and logic circuit
US7799675B2 (en) * 2003-06-24 2010-09-21 Sang-Yun Lee Bonded semiconductor structure and method of fabricating the same
US20100133695A1 (en) * 2003-01-12 2010-06-03 Sang-Yun Lee Electronic circuit with embedded memory
US6812504B2 (en) * 2003-02-10 2004-11-02 Micron Technology, Inc. TFT-based random access memory cells comprising thyristors
US6756838B1 (en) 2003-03-18 2004-06-29 T-Ram, Inc. Charge pump based voltage regulator with smart power regulation
US6845026B1 (en) 2003-05-30 2005-01-18 Netlogic Microsystems, Inc. Thyristor-based content addressable memory (CAM) cells
CN1326250C (zh) * 2003-06-17 2007-07-11 台湾积体电路制造股份有限公司 绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法
US20040263316A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Case, Llc Reprogrammable vehicle access control system
US7867822B2 (en) 2003-06-24 2011-01-11 Sang-Yun Lee Semiconductor memory device
US7632738B2 (en) * 2003-06-24 2009-12-15 Sang-Yun Lee Wafer bonding method
US20100190334A1 (en) * 2003-06-24 2010-07-29 Sang-Yun Lee Three-dimensional semiconductor structure and method of manufacturing the same
US8471263B2 (en) * 2003-06-24 2013-06-25 Sang-Yun Lee Information storage system which includes a bonded semiconductor structure
US8071438B2 (en) * 2003-06-24 2011-12-06 Besang Inc. Semiconductor circuit
US7863748B2 (en) * 2003-06-24 2011-01-04 Oh Choonsik Semiconductor circuit and method of fabricating the same
US20060231857A1 (en) * 2003-06-26 2006-10-19 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (ndr) device
US7531850B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (NDR) device
US8125003B2 (en) * 2003-07-02 2012-02-28 Micron Technology, Inc. High-performance one-transistor memory cell
US6849481B1 (en) * 2003-07-28 2005-02-01 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Thyristor-based SRAM and method for the fabrication thereof
US6897111B2 (en) * 2003-07-28 2005-05-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method using quasi-planar double gated fin field effect transistor process for the fabrication of a thyristor-based static read/write random-access memory
US6998298B1 (en) 2003-08-11 2006-02-14 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor semiconductor memory device and method of manufacture
US6891774B1 (en) 2003-09-03 2005-05-10 T-Ram, Inc. Delay line and output clock generator using same
US7464282B1 (en) 2003-09-03 2008-12-09 T-Ram Semiconductor, Inc. Apparatus and method for producing dummy data and output clock generator using same
US7089439B1 (en) 2003-09-03 2006-08-08 T-Ram, Inc. Architecture and method for output clock generation on a high speed memory device
US6947349B1 (en) 2003-09-03 2005-09-20 T-Ram, Inc. Apparatus and method for producing an output clock pulse and output clock generator using same
US7195959B1 (en) 2004-10-04 2007-03-27 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor-based semiconductor device and method of fabrication
US7592642B1 (en) 2003-09-25 2009-09-22 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor-based semiconductor device with indium-carbon implant and method of fabrication
US6944051B1 (en) 2003-10-29 2005-09-13 T-Ram, Inc. Data restore in thryistor based memory devices
US7268373B1 (en) 2003-11-12 2007-09-11 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor-based memory and its method of operation
US7304327B1 (en) 2003-11-12 2007-12-04 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor circuit and approach for temperature stability
US7109532B1 (en) 2003-12-23 2006-09-19 Lee Zachary K High Ion/Ioff SOI MOSFET using body voltage control
US7081378B2 (en) * 2004-01-05 2006-07-25 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Horizontal TRAM and method for the fabrication thereof
US8253196B2 (en) 2004-01-29 2012-08-28 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8212316B2 (en) 2004-01-29 2012-07-03 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US7230302B2 (en) * 2004-01-29 2007-06-12 Enpirion, Inc. Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8253195B2 (en) 2004-01-29 2012-08-28 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8212317B2 (en) 2004-01-29 2012-07-03 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8212315B2 (en) 2004-01-29 2012-07-03 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8253197B2 (en) 2004-01-29 2012-08-28 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
KR100527559B1 (ko) * 2004-02-05 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 직렬 다이오드 셀을 이용한 불휘발성 메모리 장치
KR100709463B1 (ko) * 2004-02-16 2007-04-18 주식회사 하이닉스반도체 나노 튜브 셀을 이용한 메모리 장치
KR100709462B1 (ko) * 2004-02-16 2007-04-18 주식회사 하이닉스반도체 다층 나노 튜브 셀을 이용한 메모리 장치
KR100694426B1 (ko) * 2004-02-16 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 나노 튜브 셀 및 이를 이용한 메모리 장치
US7054191B1 (en) 2004-06-03 2006-05-30 T-Ram, Inc. Method and system for writing data to memory cells
US7229886B2 (en) * 2004-08-23 2007-06-12 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7195981B2 (en) * 2004-08-23 2007-03-27 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit employable with a power converter
US7232733B2 (en) * 2004-08-23 2007-06-19 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7335948B2 (en) * 2004-08-23 2008-02-26 Enpirion, Inc. Integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7190026B2 (en) * 2004-08-23 2007-03-13 Enpirion, Inc. Integrated circuit employable with a power converter
US7145186B2 (en) 2004-08-24 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Memory cell with trenched gated thyristor
US7326969B1 (en) 2004-12-02 2008-02-05 T-Ram Semiconductor, Inc. Semiconductor device incorporating thyristor-based memory and strained silicon
US20110143506A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Sang-Yun Lee Method for fabricating a semiconductor memory device
US8455978B2 (en) 2010-05-27 2013-06-04 Sang-Yun Lee Semiconductor circuit structure and method of making the same
US8367524B2 (en) * 2005-03-29 2013-02-05 Sang-Yun Lee Three-dimensional integrated circuit structure
US7573077B1 (en) 2005-05-04 2009-08-11 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor-based semiconductor memory device with back-gate bias
US8093107B1 (en) 2005-06-22 2012-01-10 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor semiconductor memory and method of manufacture
US7460395B1 (en) 2005-06-22 2008-12-02 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor-based semiconductor memory and memory array with data refresh
US7894256B1 (en) 2005-06-22 2011-02-22 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor based memory cell
US7894255B1 (en) 2005-06-22 2011-02-22 T-Ram Semiconductor, Inc. Thyristor based memory cell
US7379381B1 (en) 2005-07-05 2008-05-27 T-Ram Semiconductor, Inc. State maintenance pulsing for a memory device
US7319622B1 (en) 2005-07-05 2008-01-15 T-Ram Semiconductor, Inc. Bitline shielding for thyristor-based memory
US7381999B1 (en) 2005-07-21 2008-06-03 T-Ram Semiconductor, Inc. Workfunction-adjusted thyristor-based memory device
JP2007067133A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sony Corp 半導体装置
US7606066B2 (en) 2005-09-07 2009-10-20 Innovative Silicon Isi Sa Memory cell and memory cell array having an electrically floating body transistor, and methods of operating same
US7209384B1 (en) 2005-12-08 2007-04-24 Juhan Kim Planar capacitor memory cell and its applications
US7786505B1 (en) 2005-12-16 2010-08-31 T-Ram Semiconductor, Inc. Reduction of charge leakage from a thyristor-based memory cell
US20070189067A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Francis Goodwin Dynamic memory
US7554130B1 (en) 2006-02-23 2009-06-30 T-Ram Semiconductor, Inc. Reducing effects of parasitic transistors in thyristor-based memory using an isolation or damage region
US8174046B1 (en) 2006-02-23 2012-05-08 T-Ram Semiconductor, Inc Reducing effects of parasitic transistors in thyristor-based memory using local thinning or implanting
US8354311B2 (en) 2006-04-04 2013-01-15 Micron Technology, Inc. Method for forming nanofin transistors
US8734583B2 (en) * 2006-04-04 2014-05-27 Micron Technology, Inc. Grown nanofin transistors
US20070228491A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Micron Technology, Inc. Tunneling transistor with sublithographic channel
US7425491B2 (en) 2006-04-04 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Nanowire transistor with surrounding gate
US7491995B2 (en) 2006-04-04 2009-02-17 Micron Technology, Inc. DRAM with nanofin transistors
US20070257326A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Chien-Li Kuo Integrated circuit structure and method of manufacturing a memory cell
US7781797B2 (en) * 2006-06-29 2010-08-24 International Business Machines Corporation One-transistor static random access memory with integrated vertical PNPN device
JP2008041734A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101277402B1 (ko) 2007-01-26 2013-06-20 마이크론 테크놀로지, 인코포레이티드 게이트형 바디 영역으로부터 격리되는 소스/드레인 영역을 포함하는 플로팅-바디 ｄｒａｍ 트랜지스터
WO2009031052A2 (en) 2007-03-29 2009-03-12 Innovative Silicon S.A. Zero-capacitor (floating body) random access memory circuits with polycide word lines and manufacturing methods therefor
JP2008263133A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Toshiba Microelectronics Corp 半導体記憶装置およびその駆動方法
US8064274B2 (en) 2007-05-30 2011-11-22 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having voltage generation circuitry for memory cell array, and method of operating and/or controlling same
WO2009039169A1 (en) 2007-09-17 2009-03-26 Innovative Silicon S.A. Refreshing data of memory cells with electrically floating body transistors
US7738274B1 (en) 2007-10-15 2010-06-15 T-Ram Semiconductor, Inc. Content-addressable memory architecture
US8059459B2 (en) 2007-10-24 2011-11-15 Zeno Semiconductor, Inc. Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating
US8035126B2 (en) * 2007-10-29 2011-10-11 International Business Machines Corporation One-transistor static random access memory with integrated vertical PNPN device
US8536628B2 (en) 2007-11-29 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same
US8773933B2 (en) 2012-03-16 2014-07-08 Micron Technology, Inc. Techniques for accessing memory cells
WO2009110049A1 (ja) * 2008-02-15 2009-09-11 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 半導体装置とその製造方法
WO2009110050A1 (ja) * 2008-02-15 2009-09-11 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2009101704A1 (ja) * 2008-02-15 2009-08-20 Unisantis Electronics (Japan) Ltd. 半導体装置の製造方法
US7940560B2 (en) * 2008-05-29 2011-05-10 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cells, memory devices and integrated circuits incorporating the same
US7947543B2 (en) 2008-09-25 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation
US8710566B2 (en) 2009-03-04 2014-04-29 Micron Technology, Inc. Techniques for forming a contact to a buried diffusion layer in a semiconductor memory device
US8748959B2 (en) 2009-03-31 2014-06-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device
JP2010245196A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Elpida Memory Inc 半導体装置およびその製造方法
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8384426B2 (en) 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8754533B2 (en) 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US8405420B2 (en) 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US9711407B2 (en) 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
JP4577592B2 (ja) * 2009-04-20 2010-11-10 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US8139418B2 (en) 2009-04-27 2012-03-20 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device
US8508994B2 (en) 2009-04-30 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with floating gate and electrically floating body
US8498157B2 (en) 2009-05-22 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8537610B2 (en) 2009-07-10 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9076543B2 (en) 2009-07-27 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8017998B1 (en) 2009-09-08 2011-09-13 T-Ram Semiconductor, Inc. Gettering contaminants for integrated circuits formed on a silicon-on-insulator structure
JP5524547B2 (ja) * 2009-09-14 2014-06-18 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体記憶装置
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8294159B2 (en) 2009-10-12 2012-10-23 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
WO2011058852A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8174881B2 (en) 2009-11-24 2012-05-08 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing disturbance in a semiconductor device
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574982B2 (en) * 2010-02-25 2013-11-05 International Business Machines Corporation Implementing eDRAM stacked FET structure
US8507966B2 (en) 2010-03-02 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor cells, arrays, devices and systems having a buried conductive line and methods for forming the same
US8288795B2 (en) 2010-03-02 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Thyristor based memory cells, devices and systems including the same and methods for forming the same
US8513722B2 (en) 2010-03-02 2013-08-20 Micron Technology, Inc. Floating body cell structures, devices including same, and methods for forming same
US9646869B2 (en) * 2010-03-02 2017-05-09 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including a diode structure over a conductive strap and methods of forming such semiconductor devices
US9608119B2 (en) * 2010-03-02 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures
US8576631B2 (en) 2010-03-04 2013-11-05 Micron Technology, Inc. Techniques for sensing a semiconductor memory device
KR20130007609A (ko) 2010-03-15 2013-01-18 마이크론 테크놀로지, 인크. 반도체 메모리 장치를 제공하기 위한 기술들
US8314001B2 (en) 2010-04-09 2012-11-20 International Business Machines Corporation Vertical stacking of field effect transistor structures for logic gates
US8411524B2 (en) * 2010-05-06 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Techniques for refreshing a semiconductor memory device
US8723335B2 (en) 2010-05-20 2014-05-13 Sang-Yun Lee Semiconductor circuit structure and method of forming the same using a capping layer
US20110298052A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 International Business Machines Corporation Vertical Stacking of Field Effect Transistor Structures for Logic Gates
US8535992B2 (en) 2010-06-29 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Thyristor random access memory device and method
KR101134819B1 (ko) 2010-07-02 2012-04-13 이상윤 반도체 메모리 장치의 제조 방법
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
US8492220B2 (en) 2010-08-09 2013-07-23 International Business Machines Corporation Vertically stacked FETs with series bipolar junction transistor
JP5075959B2 (ja) * 2010-09-14 2012-11-21 株式会社東芝 抵抗変化メモリ
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US8582359B2 (en) 2010-11-16 2013-11-12 Zeno Semiconductor, Inc. Dual-port semiconductor memory and first-in first-out (FIFO) memory having electrically floating body transistor
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
KR101105712B1 (ko) 2010-12-13 2012-01-17 서울대학교산학협력단 커패시터리스 디램의 메모리 셀 구조
US8598621B2 (en) 2011-02-11 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory arrays, methods of forming memory cells, and methods of forming a shared doped semiconductor region of a vertically oriented thyristor and a vertically oriented access transistor
US8952418B2 (en) 2011-03-01 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Gated bipolar junction transistors
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8519431B2 (en) 2011-03-08 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Thyristors
US8957458B2 (en) 2011-03-24 2015-02-17 Zeno Semiconductor, Inc. Asymmetric semiconductor memory device having electrically floating body transistor
US8531878B2 (en) 2011-05-17 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9559216B2 (en) 2011-06-06 2017-01-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device and method for biasing same
CN102832221B (zh) * 2011-06-16 2016-10-26 三星电子株式会社 具有竖直装置和非竖直装置的半导体装置及其形成方法
KR101893848B1 (ko) 2011-06-16 2018-10-04 삼성전자주식회사 수직 소자 및 비-수직 소자를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
US8772848B2 (en) 2011-07-26 2014-07-08 Micron Technology, Inc. Circuit structures, memory circuitry, and methods
US8609492B2 (en) * 2011-07-27 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Vertical memory cell
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9343142B2 (en) * 2012-01-05 2016-05-17 Globalfoundries Inc. Nanowire floating gate transistor
SG11201404871TA (en) 2012-02-16 2014-09-26 Zeno Semiconductor Inc Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating
US9230651B2 (en) 2012-04-08 2016-01-05 Zeno Semiconductor, Inc. Memory device having electrically floating body transitor
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
CN104396013A (zh) * 2012-07-27 2015-03-04 惠普发展公司，有限责任合伙企业 存储具有负微分电阻材料的存储器
US8962465B2 (en) 2012-10-15 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods of forming gated devices
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US20140159130A1 (en) 2012-11-30 2014-06-12 Enpirion, Inc. Apparatus including a semiconductor device coupled to a decoupling device
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
FR3001571B1 (fr) * 2013-01-30 2016-11-25 Commissariat Energie Atomique Procede de programmation d'un dispositif memoire a commutation bipolaire
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US9281022B2 (en) 2013-07-10 2016-03-08 Zeno Semiconductor, Inc. Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices
US9673192B1 (en) 2013-11-27 2017-06-06 Altera Corporation Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same
US10020739B2 (en) 2014-03-27 2018-07-10 Altera Corporation Integrated current replicator and method of operating the same
US9536938B1 (en) 2013-11-27 2017-01-03 Altera Corporation Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US20150333068A1 (en) 2014-05-14 2015-11-19 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Thyristor random access memory
US9209187B1 (en) 2014-08-18 2015-12-08 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of gated devices
US9224738B1 (en) 2014-08-18 2015-12-29 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of gated devices
US9673054B2 (en) 2014-08-18 2017-06-06 Micron Technology, Inc. Array of gated devices and methods of forming an array of gated devices
US9564199B2 (en) 2014-09-25 2017-02-07 Kilopass Technology, Inc. Methods of reading and writing data in a thyristor random access memory
US20160093624A1 (en) 2014-09-25 2016-03-31 Kilopass Technology, Inc. Thyristor Volatile Random Access Memory and Methods of Manufacture
US9530482B2 (en) 2014-09-25 2016-12-27 Kilopass Technology, Inc. Methods of retaining and refreshing data in a thyristor random access memory
US9741413B2 (en) 2014-09-25 2017-08-22 Kilopass Technology, Inc. Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells
US9449669B2 (en) 2014-09-25 2016-09-20 Kilopass Technology, Inc. Cross-coupled thyristor SRAM circuits and methods of operation
US9613968B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Kilopass Technology, Inc. Cross-coupled thyristor SRAM semiconductor structures and methods of fabrication
EP3149740A4 (en) * 2014-09-25 2017-11-01 Kilopass Technology, Inc. Thyristor volatile random access memory and methods of manufacture
US9564441B2 (en) 2014-09-25 2017-02-07 Kilopass Technology, Inc. Two-transistor SRAM semiconductor structure and methods of fabrication
US9460771B2 (en) * 2014-09-25 2016-10-04 Kilopass Technology, Inc. Two-transistor thyristor SRAM circuit and methods of operation
WO2016133930A1 (en) * 2015-02-17 2016-08-25 Kilopass Technology, Inc. Mtp-thyristor memory cell circuits and methods of operation
US10103627B2 (en) 2015-02-26 2018-10-16 Altera Corporation Packaged integrated circuit including a switch-mode regulator and method of forming the same
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
CN107924943B (zh) 2015-06-17 2021-04-13 英特尔公司 用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
CN108401468A (zh) 2015-09-21 2018-08-14 莫诺利特斯3D有限公司 3d半导体器件和结构
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US9502407B1 (en) 2015-12-16 2016-11-22 International Business Machines Corporation Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
WO2018089559A1 (en) * 2016-11-08 2018-05-17 Kilopass Technology, Inc. Vertical thyristor cell and memory array with silicon germanium base regions
US10269652B2 (en) 2017-03-22 2019-04-23 International Business Machines Corporation Vertical transistor top epitaxy source/drain and contact structure
US10332874B2 (en) 2017-05-03 2019-06-25 International Business Machines Corporation Indirect readout FET
CN108806742B (zh) * 2017-05-04 2022-01-04 汤朝景 随机存取存储器并且具有与其相关的电路、方法以及设备
US20200202918A1 (en) * 2017-09-14 2020-06-25 Intel Corporation Thyristors
WO2019066821A1 (en) * 2017-09-27 2019-04-04 Intel Corporation MEMORY BASED ON NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE
KR102425306B1 (ko) * 2017-12-08 2022-07-26 한양대학교 산학협력단 2단자 수직형 1t-디램 및 그 제조 방법
US10593771B2 (en) * 2017-12-11 2020-03-17 International Business Machines Corporation Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact
US10748903B2 (en) 2018-04-19 2020-08-18 Tc Lab, Inc. Multi-layer random access memory and methods of manufacture
EP3719847A1 (en) * 2019-04-01 2020-10-07 IMEC vzw A method for forming vertical nanowire or nanosheet field-effect transistors simultaneous with horizontal field-effect transistors
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
KR102223019B1 (ko) 2019-10-15 2021-03-05 성균관대학교산학협력단 다중 부성미분 전달전도 특성 소자 및 그 제조방법
KR102658645B1 (ko) * 2021-10-14 2024-04-18 고려대학교 산학협력단 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5526698A (en) * 1978-08-10 1980-02-26 Siemens Ag Thyristor
JPS57208177A (en) * 1981-06-17 1982-12-21 Nec Corp Semiconductor negative resistance element
JPH0661454A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH0799311A (ja) * 1993-05-12 1995-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1092954A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS509156B1 (ja) 1970-10-09 1975-04-10
US3831187A (en) * 1973-04-11 1974-08-20 Rca Corp Thyristor having capacitively coupled control electrode
US3863229A (en) * 1973-06-25 1975-01-28 Ibm Scr (or scs) memory array with internal and external load resistors
FR2288372A1 (fr) 1974-10-18 1976-05-14 Thomson Csf Element de memoires a semi-conducteurs et memoires formees de matrices de tels elements
US3918033A (en) 1974-11-11 1975-11-04 Ibm SCR memory cell
JPS5710511B2 (ja) * 1974-12-27 1982-02-26
JPS5267532A (en) 1975-12-03 1977-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory unit
FR2334170A1 (fr) * 1975-12-05 1977-07-01 Honeywell Bull Soc Ind Memoire morte integree
US4090254A (en) 1976-03-01 1978-05-16 International Business Machines Corporation Charge injector transistor memory
US4032955A (en) 1976-08-09 1977-06-28 General Electric Company Deep diode transistor
US4103415A (en) 1976-12-09 1978-08-01 Fairchild Camera And Instrument Corporation Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain
US4353086A (en) 1980-05-07 1982-10-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Silicon integrated circuits
DE3380004D1 (en) 1982-03-30 1989-07-06 Fujitsu Ltd Semiconductor memory device
JPS602784B2 (ja) 1982-12-20 1985-01-23 富士通株式会社 半導体記憶装置
US4590589A (en) 1982-12-21 1986-05-20 Zoran Corporation Electrically programmable read only memory
EP0157937B1 (de) 1984-04-11 1987-09-02 Siemens Aktiengesellschaft Elektronischer Schalter
US4672410A (en) 1984-07-12 1987-06-09 Nippon Telegraph & Telephone Semiconductor memory device with trench surrounding each memory cell
JPS6156493A (ja) 1984-08-28 1986-03-22 日本電気株式会社 多層回路基板の電源配線構造
KR950008676B1 (ko) * 1986-04-23 1995-08-04 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 메모리 장치 및 그의 결함 구제 방법
CA1271549A (en) * 1986-12-22 1990-07-10 Kenichi Kasahara Pnpn thyristor
DE3855922T2 (de) * 1987-02-26 1998-01-02 Toshiba Kawasaki Kk An-Steuertechnik für Thyristor mit isolierter Steuerelektrode
JPS6431134A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Nec Corp Driving method for pnpn optical thyristor
US4868138A (en) 1988-03-23 1989-09-19 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming a self-aligned source/drain contact for an MOS transistor
US5106776A (en) 1988-06-01 1992-04-21 Texas Instruments Incorporated Method of making high performance composed pillar dRAM cell
JPH0727968B2 (ja) 1988-12-20 1995-03-29 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US5252845A (en) 1990-04-02 1993-10-12 Electronics And Telecommunications Research Institute Trench DRAM cell with vertical transistor
JPH0834257B2 (ja) 1990-04-20 1996-03-29 株式会社東芝 半導体メモリセル
US5321285A (en) 1990-05-07 1994-06-14 Micron Technology, Inc. Carrier injection dynamic random access memory having stacked depletion region in Mesa
US5099300A (en) * 1990-06-14 1992-03-24 North Carolina State University Gated base controlled thyristor
US4997790A (en) 1990-08-13 1991-03-05 Motorola, Inc. Process for forming a self-aligned contact structure
US5381026A (en) * 1990-09-17 1995-01-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Insulated-gate thyristor
TW260816B (ja) 1991-12-16 1995-10-21 Philips Nv
US5288949A (en) 1992-02-03 1994-02-22 Ncr Corporation Connection system for integrated circuits which reduces cross-talk
US5324966A (en) 1992-04-07 1994-06-28 Toyo Denki Seizo Kabushiki Kaisha MOS-controlled thyristor
US5412598A (en) 1992-04-27 1995-05-02 The University Of British Columbia Bistable four layer device, memory cell, and method for storing and retrieving binary information
US5532853A (en) 1993-03-04 1996-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line
US5390145A (en) 1993-04-15 1995-02-14 Fujitsu Limited Resonance tunnel diode memory
US5396454A (en) 1993-09-24 1995-03-07 Vlsi Technology, Inc. Static random access memory cell utilizing a gated diode load element
JP3298385B2 (ja) 1995-04-05 2002-07-02 富士電機株式会社 絶縁ゲート型サイリスタ
US5910738A (en) 1995-04-07 1999-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Driving circuit for driving a semiconductor device at high speed and method of operating the same
JP3397516B2 (ja) 1995-06-08 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体記憶装置及び半導体集積回路装置
KR0169790B1 (ko) * 1995-12-15 1999-01-15 김광호 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP3141769B2 (ja) 1996-02-13 2001-03-05 富士電機株式会社 絶縁ゲート型サイリスタ及びその製造方法
JPH09246523A (ja) 1996-03-13 1997-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5587944A (en) 1996-03-18 1996-12-24 Motorola High density multistate SRAM and cell
JPH09260543A (ja) 1996-03-22 1997-10-03 Toshiba Corp 窒化アルミニウム配線基板およびその製造方法
JP3214343B2 (ja) 1996-03-25 2001-10-02 富士電機株式会社 絶縁ゲート型サイリスタ
DE19651108C2 (de) * 1996-04-11 2000-11-23 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung des Gategrabentyps mit hoher Durchbruchsspannung und ihr Herstellungsverfahren
JPH10125896A (ja) 1996-10-16 1998-05-15 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート型サイリスタ
US6225165B1 (en) * 1998-05-13 2001-05-01 Micron Technology, Inc. High density SRAM cell with latched vertical transistors
US6545297B1 (en) * 1998-05-13 2003-04-08 Micron Technology, Inc. High density vertical SRAM cell using bipolar latchup induced by gated diode breakdown
US6229161B1 (en) * 1998-06-05 2001-05-08 Stanford University Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches
KR20020017752A (ko) * 2000-08-31 2002-03-07 박종섭 다이리스터형 에스램 및 그의 제조 방법
US6713791B2 (en) * 2001-01-26 2004-03-30 Ibm Corporation T-RAM array having a planar cell structure and method for fabricating the same
US6391689B1 (en) * 2001-06-06 2002-05-21 United Microelectronics Corp. Method of forming a self-aligned thyristor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5526698A (en) * 1978-08-10 1980-02-26 Siemens Ag Thyristor
JPS57208177A (en) * 1981-06-17 1982-12-21 Nec Corp Semiconductor negative resistance element
JPH0661454A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH0799311A (ja) * 1993-05-12 1995-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1092954A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007536737A (ja) * 2004-05-06 2007-12-13 マイクロン テクノロジー， インク． ラテラルサイリスタ及びトラッピング層を有するシリコン‐オン‐インシュレータ読み取り‐書き込み不揮発性メモリ
JP4915592B2 (ja) * 2004-05-06 2012-04-11 マイクロン テクノロジー， インク． ラテラルサイリスタ及びトラッピング層を有するシリコン‐オン‐インシュレータ読み取り‐書き込み不揮発性メモリ
JP2007049113A (ja) * 2005-07-15 2007-02-22 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4696964B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-08 ソニー株式会社 メモリ用の半導体装置
JP4893971B2 (ja) * 2005-10-31 2012-03-07 マイクロン テクノロジー， インク． 溝形チャネルの負性微分抵抗をベースとするメモリセル
JP2008028353A (ja) * 2006-06-22 2008-02-07 Sony Corp 半導体装置およびその駆動方法
JP2009087459A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sony Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6653174B1 (en) 2003-11-25
EP1082764B1 (en) 2004-02-11
US6727529B2 (en) 2004-04-27
DE69914746D1 (de) 2004-03-18
KR20010071384A (ko) 2001-07-28
US20040159853A1 (en) 2004-08-19
US6229161B1 (en) 2001-05-08
US20060011940A1 (en) 2006-01-19
US20020096689A1 (en) 2002-07-25
WO1999063598A1 (en) 1999-12-09
DE69914746T2 (de) 2004-07-15
US6967358B2 (en) 2005-11-22
JP4763889B2 (ja) 2011-08-31
US20020096690A1 (en) 2002-07-25
KR100636777B1 (ko) 2006-10-20
US7365373B2 (en) 2008-04-29
US6448586B1 (en) 2002-09-10
EP1082764A1 (en) 2001-03-14
ATE259545T1 (de) 2004-02-15
US6528356B2 (en) 2003-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4763889B2 (ja) 半導体装置
US9899389B2 (en) Two-transistor SRAM semiconductor structure and methods of fabrication
US9741413B2 (en) Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells
US9748223B2 (en) Six-transistor SRAM semiconductor structures and methods of fabrication
US10056389B2 (en) Cross-coupled thyristor SRAM semiconductor structures and methods of fabrication
US10283185B2 (en) Write assist thyristor-based SRAM circuits and methods of operation
US6187618B1 (en) Vertical bipolar SRAM cell, array and system, and a method for making the cell and the array
US6666481B1 (en) Shunt connection to emitter
US10068909B1 (en) Layout pattern of a memory device formed by static random access memory
EP3149736A1 (en) Write assist sram circuits and methods of operation
JPS61290755A (ja) 半導体記憶装置
JPH01157567A (ja) 半導体メモリ集積回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060530

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100330

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100617

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100624

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110325

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110506

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110513

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110610

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees