JP2010245196A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1に形成された第1導電型のウェル2内に、ウェル給電用素子Xと縦型MOSトランジスタYとが備えられ、ウェル給電用素子Xは、ウェル2と同じ導電型のボディ領域からなるピラー部P1を有し、ピラー部P1の上部には、第1導電型のウェル2の濃度よりも高い濃度を有する第1導電型の第1不純物拡散層13を備え、縦型MOSトランジスタYは、ウェル2と同じ導電型のボディ領域からなるピラー部P2を有し、かつ縦型MOSトランジスタYのピラー部P2の上部には、第2導電型の第2不純物拡散層7を備えることを特徴とする半導体装置を採用する。
【選択図】図2
Description
その際には、ウェルの電位がフローティングとなって半導体装置が誤動作を起こすのを防止するために、ウェルにウェル電位固定用のコンタクトプラグを接続して、所定の電位を給電することが行われている(特許文献1)。
縦型MOSトランジスタを用いてCMOS回路構成とする場合にも、ウェルの形成および、ウェル電位の固定が必要である。
P型の半導体基板51には、素子分離領域53とN型のウェル52が設けられている。素子分離領域53は活性領域55、56を区画しており、活性領域は、N型のウェル52の内部に配置されている。P0は縦型MOSトランジスタのボディ領域からなるピラー部で、活性領域のN型ウェル52をピラー形状に残すようにエッチングして形成されている。符号54はピラー部P0の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜である。符号58はゲート電極で、ピラー部P0の側面部分を囲み、ゲート絶縁膜54を介してボディ領域の表面と対向して形成されている。符号55は、P型不純物拡散層で、トランジスタのソース又はドレインとして機能する。ピラー部P0の上部には、ドレイン又はソースとして機能するP型不純物拡散層57が設けられている。ピラー部P0の内部は、N型ウェル52と導通している。符号60はピラー部P0を覆うように形成された層間絶縁層である。符号61、62はP型不純物拡散層55、57に接続するコンタクトプラグで、ソース又はドレインへの給電を行う。ゲート電極58へ給電を行うためのコンタクトプラグは記載を省略した。
第1に、ウェル電位固定のためには、ウェルの導電型と同じ導電型の不純物を高濃度に導入した不純物拡散層56を縦型MOSトランジスタに隣接して配置する必要がある。ところが不純物拡散層56は、縦型MOSトランジスタのソース及びドレインを形成する不純物拡散層領域と導電型が反対となるため、ウェル電位固定の不純物拡散層56とソース及びドレインの不純物拡散層55との間には素子分離用の領域53を配置する必要がある。従って、素子分離用の領域(図17のS)の配置が必要となり、半導体素子の面積が大きくなる。この面積の増大は、独立したウェルを複数配置する場合には特に顕著となり、縦型MOSトランジスタをプレーナ型から縦型に置き換えて、半導体素子の面積を小さくしようとする場合の阻害要因となる。
図1は本実施形態の半導体装置のレイアウトを示す平面図であり、図2は、図1のA−A’線断面図を示す。なお、簡略化のため、一部の要素は図2にのみ記載し、平面図への記載は省略した。
さらに、深いN型のウェル2を形成するためには、エネルギーを変更した複数回のイオン注入を実施する必要がある。浅いN型のウェル2とする場合には、イオン注入回数が削減できるので、製造工程のコスト低減と言う効果も得られる。
図4において、シリコンからなるP型の半導体基板1にリン等のN型不純物をイオン注入により導入することによりN型のウェル2を形成する。次に、STI(Shallow Trench Isolation)法を用い、活性領域Kを囲むようにパターニング形成した溝内にシリコン酸化層等の絶縁層を充填することで、活性領域Kを区画する素子分離用の埋込絶縁層3を形成する。N型のウェル2の底面2aは、埋込絶縁層3の底面3aより深く形成する。尚、埋込絶縁層3は、N型のウェル2よりも先に形成してもよい。また、トランジスタのしきい値電圧調整のため、あらかじめN型のウェル2の凸部(ピラー部に相当する領域)にイオン注入を実施してN型不純物濃度の調整を行っておいてもよい。
また、図2に示したように、P型不純物拡散層5と接続するコンタクトプラグ12を形成する。各コンタクトプラグ11、12、14は、同時に形成してもかまわない。ウェル給電用素子のピラー部P1には、ゲート電極8に接続するコンタクトプラグを設ける必要は無い。この後に、各コンタクトプラグに接続する配線層11a、12a、14aをアルミ(Al)または銅(Cu)等で形成して、半導体装置が完成する。
Claims (12)
- 半導体基板に形成された第1導電型のウェル内に、ウェル給電用素子と縦型MOSトランジスタとが備えられ、
前記ウェル給電用素子は、前記ウェルと同じ導電型のボディ領域からなるピラー部を有し、前記ピラー部の上部には、第1導電型の前記ウェルの濃度よりも高い濃度を有する第1導電型の第1不純物拡散層を備え、
前記縦型MOSトランジスタは、前記ウェルと同じ導電型のボディ領域からなるピラー部を有し、かつ前記縦型MOSトランジスタの前記ピラー部の上部には、第2導電型の第2不純物拡散層を備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
半導体基板に形成された第1導電型のウェルと、
前記半導体基板に形成された素子分離用の埋込絶縁層と、
前記埋込絶縁層によって前記第1導電型のウェル内に区画して形成された活性領域と、
前記活性領域内に形成されたウェル給電用素子及び縦型MOSトランジスタとを備え、
前記ウェル給電用素子は、前記第1導電型のウェルから突出して形成されたボディ領域からなる凸形状のピラー部を有し、
前記縦型MOSトランジスタは、前記第1導電型のウェルから突出して形成されたボディ領域からなる凸形状のピラー部を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記ウェル給電用素子の前記ピラー部は、前記ウェルの濃度よりも高い濃度を有する第1導電型の第1不純物拡散層をその上部に備え、前記縦型MOSトランジスタの前記ピラー部は、第2導電型の第2不純物拡散層をその上部に備えることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1不純物拡散層に、第1導電型の前記ウェルの電位を固定するコンタクトプラグが接続されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1導電型のウェル内に設けた前記活性領域の表面に第2導電型の第3不純物拡散領域を備えることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記縦型MOSトランジスタの前記ピラー部が、前記第1導電型のウェルに複数形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記半導体基板内において、第1導電型の前記ウェルの底面が、前記埋込絶縁層の底面よりも深い位置に形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記半導体基板内において、第1導電型の前記ウェルの底面が、前記埋込絶縁層の底面よりも浅い位置に形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記半導体基板がSOI基板であり、SOI基板を構成する半導体層によって前記ウェルが構成されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記埋込絶縁層が、前記SOI基板を構成する絶縁膜に接していることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 半導体基板に第1導電型のウェルを形成する工程と、
前記第1導電型のウェルの領域内に素子分離用の埋込絶縁層を設け、該埋込絶縁層によって区画された活性領域を形成する工程と、
前記第1導電型のウェルの一部をエッチングで除去することにより、前記第1導電型のウェルの領域内にウェル給電用素子のピラー部と、縦型MOSトランジスタのピラー部とを形成する工程と、
前記ウェル給電用素子の第1導電型のピラー部の上部に第1導電型の不純物を前記第1導電型のウェルの濃度より高濃度に拡散させて第1不純物拡散層を形成する工程と、
前記縦型MOSトランジスタのピラー部の上部に第2導電型の不純物を拡散させて第2不純物拡散層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウェル給電用素子のピラー部と、縦型MOSトランジスタのピラー部とを形成する工程の後に、
前記1導電型のウェルの領域内において、前記ウェル給電用素子のピラー部および前記縦型MOSトランジスタのピラー部を除く前記活性領域の表面に第2導電型の不純物を拡散させて第3不純物拡散層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040682A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Unisantis Electronics Japan Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5614915B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2014-10-29 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置、半導体装置の製造方法並びにデータ処理システム |
JP2011040421A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011103339A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013206932A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014022386A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置 |
US9318487B2 (en) * | 2013-07-09 | 2016-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High performance power cell for RF power amplifier |
JP2015053354A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体装置及びその製造方法 |
US9087897B1 (en) | 2014-01-31 | 2015-07-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures |
US9406793B2 (en) * | 2014-07-03 | 2016-08-02 | Broadcom Corporation | Semiconductor device with a vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers |
US9299835B1 (en) | 2014-12-04 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Vertical field effect transistors |
FR3056010B1 (fr) * | 2016-09-09 | 2018-10-26 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Procede de fabrication de transistors, en particulier des transistors de selection pour des memoires non-volatiles, et dispositif correspondant. |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199721A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Nissan Motor Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2000124450A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2000315792A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003142684A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子及び半導体装置 |
JP2004274039A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 双方向素子およびその製造方法、半導体装置 |
JP2007201454A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008305896A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0510604A3 (en) * | 1991-04-23 | 2001-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2748072B2 (ja) * | 1992-07-03 | 1998-05-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH098290A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6034389A (en) * | 1997-01-22 | 2000-03-07 | International Business Machines Corporation | Self-aligned diffused source vertical transistors with deep trench capacitors in a 4F-square memory cell array |
US6229161B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-05-08 | Stanford University | Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches |
DE10024480B4 (de) * | 2000-05-18 | 2006-02-16 | Infineon Technologies Ag | Kompensationsbauelement mit verbesserter Robustheit |
DE10038728A1 (de) * | 2000-07-31 | 2002-02-21 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicher-Zellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10125967C1 (de) * | 2001-05-29 | 2002-07-11 | Infineon Technologies Ag | DRAM-Zellanordnung mit vertikalen MOS-Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung |
US6610575B1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-08-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Forming dual gate oxide thickness on vertical transistors by ion implantation |
US6794699B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-09-21 | Micron Technology Inc | Annular gate and technique for fabricating an annular gate |
US6943407B2 (en) * | 2003-06-17 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Low leakage heterojunction vertical transistors and high performance devices thereof |
US7241655B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-07-10 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a vertical wrap-around-gate field-effect-transistor for high density, low voltage logic and memory array |
US7326611B2 (en) * | 2005-02-03 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | DRAM arrays, vertical transistor structures and methods of forming transistor structures and DRAM arrays |
WO2007022359A2 (en) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | The Regents Of The University Of California | Vertical integrated silicon nanowire field effect transistors and methods of fabrication |
KR100800469B1 (ko) * | 2005-10-05 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 매몰 비트 라인에 접속된 수직형 트랜지스터를 포함하는회로 소자 및 제조 방법 |
TWI291733B (en) * | 2006-01-17 | 2007-12-21 | Nanya Technology Corp | Memory device and fabrication method thereof |
US7772632B2 (en) * | 2006-08-21 | 2010-08-10 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods of fabricating memory arrays |
US7646041B2 (en) * | 2006-12-04 | 2010-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices including vertical channels, methods of operating, and methods of fabricating the same |
US7528035B2 (en) * | 2007-03-20 | 2009-05-05 | International Business Machines Corporation | Vertical trench memory cell with insulating ring |
JP2008300623A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法、並びに、データ処理システム |
KR100929635B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-12-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직형 트랜지스터 및 그의 형성방법 |
JP2009141110A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8188537B2 (en) * | 2008-01-29 | 2012-05-29 | Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Semiconductor device and production method therefor |
US7910971B2 (en) * | 2008-08-07 | 2011-03-22 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming vertical field effect transistors, vertical field effect transistors, and dram cells |
WO2010102106A2 (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | Innovative Silicon Isi Sa | Techniques for forming a contact to a buried diffusion layer in a semiconductor memory device |
-
2009
- 2009-04-02 JP JP2009090456A patent/JP2010245196A/ja active Pending
-
2010
- 2010-03-31 US US12/662,127 patent/US8378417B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199721A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Nissan Motor Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2000124450A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2000315792A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003142684A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 半導体素子及び半導体装置 |
JP2004274039A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 双方向素子およびその製造方法、半導体装置 |
JP2007201454A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008305896A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040682A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Unisantis Electronics Japan Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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