JP2002328643A - 表示装置の駆動回路 - Google Patents

表示装置の駆動回路

Info

Publication number
JP2002328643A
JP2002328643A JP2001133431A JP2001133431A JP2002328643A JP 2002328643 A JP2002328643 A JP 2002328643A JP 2001133431 A JP2001133431 A JP 2001133431A JP 2001133431 A JP2001133431 A JP 2001133431A JP 2002328643 A JP2002328643 A JP 2002328643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential
transistor
power supply
display device
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001133431A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4785271B2 (ja
JP2002328643A5 (ja
Inventor
Munehiro Asami
宗広 浅見
Sho Nagao
祥 長尾
Yoshifumi Tanada
好文 棚田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2001133431A priority Critical patent/JP4785271B2/ja
Priority to TW91106722A priority patent/TW544737B/zh
Priority to SG200202130A priority patent/SG119148A1/en
Priority to DE60229810T priority patent/DE60229810D1/de
Priority to EP20020008653 priority patent/EP1253718B1/en
Priority to MYPI20021416 priority patent/MY128512A/en
Priority to US10/123,251 priority patent/US6975142B2/en
Priority to CN021185042A priority patent/CN1384546B/zh
Priority to KR20020022921A priority patent/KR100844105B1/ko
Priority to CN201110283679.6A priority patent/CN102446488B/zh
Priority to CN201110283660.1A priority patent/CN102419961B/zh
Publication of JP2002328643A publication Critical patent/JP2002328643A/ja
Priority to US11/270,647 priority patent/US7586478B2/en
Publication of JP2002328643A5 publication Critical patent/JP2002328643A5/ja
Priority to US12/552,718 priority patent/US7903079B2/en
Priority to US13/039,378 priority patent/US8284151B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4785271B2 publication Critical patent/JP4785271B2/ja
Priority to US13/619,655 priority patent/US8659532B2/en
Priority to US14/180,415 priority patent/US9136385B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01—Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01714—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by bootstrapping, i.e. by positive feed-back
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01—Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01721—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0289—Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一導電型のＴＦＴのみを用いて回路を構成す
ることにより工程削減が可能であり、かつ出力信号の電
圧振幅が正常に得られる表示装置の駆動回路を提供す
る。 【解決手段】 出力ノードに接続されているＴＦＴ２０
３のゲート−ソース間に容量２０５を設け、ＴＦＴ２０
１、２０２からなる回路は、ノードαを浮遊状態とする
機能を有する。ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５
によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量結合を利
用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、こ
れによって、ＴＦＴのしきい値に起因する振幅減衰が生
ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った
出力信号を得ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置の駆動回
路に関する。さらに本発明は、前記表示装置の駆動回路
を用いて作製された電子機器を含む。なお本明細書中、
表示装置とは、画素に液晶素子を用いてなる液晶表示装
置および、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子
を始めとした自発光素子を用いてなる発光表示装置を含
むものとする。駆動回路とは、表示装置に配置された画
素に映像信号を入力し、映像の表示を行うための処理を
行う回路を指し、シフトレジスタ等を始めとするパルス
回路や、アンプ等を始めとする増幅回路を含むものとす
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、絶縁体上、特にガラス基板上に半
導体薄膜を形成した表示装置、特に薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと表記）を用いたアクティブマトリクス
型表示装置の普及が顕著となっている。ＴＦＴを使用し
たアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に
配置された数十万から数百万の画素を有し、各画素に配
置されたＴＦＴによって各画素の電荷を制御することに
よって映像の表示を行っている。
【０００３】さらに最近の技術として、画素を構成する
画素ＴＦＴの他に、画素部の周辺領域にＴＦＴを用いて
駆動回路を同時形成するポリシリコンＴＦＴに関する技
術が発展してきており、装置の小型化、低消費電力化に
大いに貢献し、それに伴って、近年その応用分野の拡大
が著しいモバイル情報端末の表示部等に、表示装置は不
可欠なデバイスとなってきている。
【０００４】表示装置の駆動回路としては、Ｎ型ＴＦＴ
とＰ型ＴＦＴを組み合わせたＣＭＯＳ回路が一般的に使
用されている。ＣＭＯＳ回路の特徴として、論理が変わ
る（Ｈｉ電位からＬｏ電位へ、あるいはＬｏ電位からＨ
ｉ電位へ）瞬間にのみ電流が流れ、ある論理の保持中に
は電流が流れない（実際には微小なリーク電流の存在が
ある）ため、回路全体での消費電流を低く抑えることが
可能な点や、高速駆動に有利な点が挙げられる。
【０００５】液晶や自発光素子を用いた表示装置の需要
は、モバイル電子機器の小型化、軽量化に伴って急速に
その需要が増加しているが、歩留まり等の面から、その
製造コストを十分に低く抑えることが難しい。今後の需
要はさらに急速に増加することは容易に予測され、その
ため表示装置をより安価に供給できるようにすることが
望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】絶縁体上に駆動回路を
作製する方法としては、複数のフォトマスクを用いて、
活性層、配線等のパターンを露光、エッチングを行って
作りこんでいく方法が一般的であるが、このときの工程
数の多さが製造コストに直接影響しているため、可能な
限り少ない工程数で製造することが理想的である。そこ
で、従来ＣＭＯＳ回路によって構成されていた駆動回路
を、Ｎ型もしくはＰ型のいずれか一方の導電型のみのＴ
ＦＴを用いて構成する。この方法により、イオンドーピ
ング工程の一部を省略することが出来、さらにフォトマ
スクの枚数も削減することが出来る。
【０００７】
【本発明以前の技術の問題点】図９（Ａ）は、従来一般
的に用いられているＣＭＯＳインバータ（I）と、一極
性のみのＴＦＴを用いて構成したインバータ（II）（II
I）の例を示している。（II）はＴＦＴ負荷型のインバ
ータ、（III）は抵抗負荷型のインバータである。以下
に、それぞれの動作について述べる。
【０００８】図９（Ｂ）は、インバータに入力する信号
の波形を示している。ここで、入力信号振幅はＶＤＤ−
ＧＮＤ間（ＧＮＤ＜ＶＤＤ）とする。具体的にはＧＮＤ
＝０[Ｖ]として考える。
【０００９】回路動作について説明する。なお、説明を
明確かつ簡単にするため、回路を構成するＮ型ＴＦＴの
しきい値電圧は、そのばらつきがないものとして一律
（ＶｔｈＮ）とする。また、Ｐ型ＴＦＴについても同様
に、一律（ＶｔｈＰ）とする。
【００１０】ＣＭＯＳインバータに図９（Ｂ）のような
信号が入力されると、入力信号の電位がＨｉ（ＶＤＤ）
のとき、Ｐ型ＴＦＴ９０１はＯＦＦし、Ｎ型ＴＦＴ９０
２がＯＮすることにより、出力ノードの電位はＬｏ（Ｇ
ＮＤ）となる。逆に、入力信号の電位がＬｏのとき、Ｐ
型ＴＦＴ９０１がＯＮし、Ｎ型ＴＦＴ９０２がＯＦＦす
ることにより、出力ノードの電位はＨｉとなる（図９
（Ｃ））。
【００１１】続いて、ＴＦＴ負荷型インバータ（II）の
動作について説明する。同じく図９（Ｂ）に示すような
信号が入力される場合を考える。まず、入力信号がＬｏ
のとき、Ｎ型ＴＦＴ９０４はＯＦＦする。一方、負荷Ｔ
ＦＴ９０３は常に飽和動作していることから、出力ノー
ドの電位はＨｉ方向に引き上げられる。一方、入力信号
がＨｉのとき、Ｎ型ＴＦＴ９０４はＯＮする。ここで、
負荷ＴＦＴ９０３の電流能力よりも、Ｎ型ＴＦＴ９０４
の電流能力を十分に高くしておくことにより、出力ノー
ドの電位はＬｏ方向に引き下げられる。
【００１２】抵抗負荷型インバータ（III）についても
同様に、Ｎ型ＴＦＴ９０６のＯＮ抵抗値を、負荷抵抗９
０５の抵抗値よりも十分に低くしておくことにより、入
力信号がＨｉのときは、Ｎ型ＴＦＴ９０６がＯＮするこ
とにより、出力ノードはＬｏ方向に引き下げられる。入
力信号がＬｏのときは、Ｎ型ＴＦＴ９０６はＯＦＦし、
出力ノードはＨｉ方向に引き上げられる。
【００１３】ただし、ＴＦＴ負荷型インバータや抵抗負
荷型インバータを用いる際、以下のような問題点があ
る。図９（Ｄ）は、ＴＦＴ負荷型インバータの出力波形
を示したものであるが、出力がＨｉのときに、９０７で
示す分だけＶＤＤよりも電位が低くなる。負荷ＴＦＴ９
０３において、出力ノード側の端子をソース、電源ＶＤ
Ｄ側の端子をドレインとすると、ゲート電極とドレイン
領域が接続されているので、このときのゲート電極の電
位はＶＤＤである。また、この負荷ＴＦＴがＯＮしてい
るための条件は、（ＴＦＴ９０３のゲート−ソース間電
圧＞ＶｔｈＮ）であるから、出力ノードの電位は、最大
でも（ＶＤＤ−ＶｔｈＮ）までしか上昇しない。つま
り、９０７はＶｔｈＮに等しい。さらに、負荷ＴＦＴ９
０３とＮ型ＴＦＴ９０４の電流能力の比によっては、出
力電位がＬｏ電位のとき、９０８で示す分だけＧＮＤよ
りも電位が高くなる。これを十分にＧＮＤに近づけるた
めには、負荷ＴＦＴ９０３に対し、Ｎ型ＴＦＴ９０４の
電流能力を十分に大きくする必要がある。同様に、図９
（Ｅ）は抵抗負荷型インバータの出力波形を示したもの
であるが、負荷抵抗９０５の抵抗値とＮ型ＴＦＴ９０６
のＯＮ抵抗の比によっては、９０９で示す分だけ電位が
高くなる。つまり、ここに示した一極性のみのＴＦＴを
用いて構成したインバータを用いると、入力信号の振幅
に対し、出力信号の振幅減衰が生ずることになる。駆動
回路を構成するには、振幅が減衰することなく出力が得
られなければならない。
【００１４】本発明は、以上のような課題を鑑見てなさ
れたものであり、一極性のみのＴＦＴを用いて製造工程
を削減することにより低コストで作製が可能であり、か
つ振幅減衰のない出力を得ることが出来る表示装置の駆
動回路を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】先程の図９（Ａ）の（I
I）に示したＴＦＴ負荷型インバータにおいて、出力信
号の振幅が正常にＶＤＤ−ＧＮＤを取るための条件を考
える。第１に、図１（Ａ）のような回路において、出力
信号の電位がＬｏとなるとき、その電位を十分にＧＮＤ
に近づけるためには、電源ＶＤＤ−出力ノード間の抵抗
値に対し、電源ＧＮＤ−出力ノード間の抵抗値が十分に
低くなっていればよい。すなわち、Ｎ型ＴＦＴ１０２が
ＯＮしている期間、Ｎ型ＴＦＴ１０１がＯＦＦしていれ
ばよい。第２に、出力信号の電位がＨｉとなるとき、そ
の電位がＶＤＤに等しくなるには、Ｎ型ＴＦＴ１０１の
ゲート−ソース間電圧の絶対値が、ＶｔｈＮを常に上回
っていればよい。つまり、出力ノードのＨｉ電位がＶＤ
Ｄとなる条件を満たすには、Ｎ型ＴＦＴ１０１のゲート
電極の電位は（ＶＤＤ＋ＶｔｈＮ）よりも高くなる必要
がある。回路に供給される電源はＶＤＤ、ＧＮＤの２種
類のみであるから、ＶＤＤよりも電位の高い第３の電源
がない限り、条件を満たすことは出来ない。
【００１６】そこで、本発明では以下のような手段を講
じた。図１（Ｂ）に示すように、Ｎ型ＴＦＴ１０１のゲ
ート−ソース間に容量１０３を設ける。Ｎ型ＴＦＴ１０
１のゲート電極がある電位をもって浮遊状態となったと
き、出力ノードの電位を上昇させると、この容量１０３
による容量結合によって、出力ノードの電位上昇分に伴
って、Ｎ型ＴＦＴ１０１のゲート電極の電位も持ち上げ
られる。この効果を利用すれば、Ｎ型ＴＦＴ１０１のゲ
ート電極の電位をＶＤＤよりも高く（正確には、ＶＤＤ
＋ＶｔｈＮよりも高く）することが可能となる。よって
出力ノードの電位を十分にＶＤＤまで引き上げることが
可能となる。
【００１７】なお、図１（Ｂ）において示した容量１０
３は、実際に容量部分を作製しても良いし、ＴＦＴ１０
１のゲート−ソース間に寄生する容量を利用するように
しても良い。
【００１８】本発明の構成を以下に記す。
【００１９】請求項１の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、第１の不純物領域が第１の電源と電気
的に接続された、第１のトランジスタと、第１の不純物
領域が第２の電源と電気的に接続された、第２のトラン
ジスタと、第１の不純物領域が第１の電源と電気的に接
続された、第３のトランジスタと、第１の不純物領域が
第２の電源と電気的に接続された、第４のトランジスタ
と、容量とを有する表示装置の駆動回路であって、前記
第１乃至第４のトランジスタはいずれも同一導電型であ
り、前記第１のトランジスタの第２の不純物領域と、前
記第２のトランジスタの第２の不純物領域とはいずれも
前記容量の一方の端子と電気的に接続され、前記第３の
トランジスタの第２の不純物領域と、前記第４のトラン
ジスタの第２の不純物領域と、前記第１のトランジスタ
のゲート電極とは、いずれも前記容量の他の一方の端子
と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲート
電極と、前記第４のトランジスタのゲート電極は、入力
信号線と電気的に接続され、前記第３のトランジスタの
ゲート電極は、前記第１の電源と電気的に接続されてい
ることを特徴としている。
【００２０】請求項２の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、第１の不純物領域が第１の電源と電気
的に接続された、第１のトランジスタと、第１の不純物
領域が第２の電源と電気的に接続された、第２のトラン
ジスタと、第１の不純物領域が第１の電源と電気的に接
続された、第３のトランジスタと、第１の不純物領域が
第２の電源と電気的に接続された、第４のトランジスタ
と、容量とを有する表示装置の駆動回路であって、前記
第１乃至第４のトランジスタはいずれも同一導電型であ
り、前記第１のトランジスタの第２の不純物領域と、前
記第２のトランジスタの第２の不純物領域とはいずれも
前記容量の一方の端子と電気的に接続され、前記第３の
トランジスタの第２の不純物領域と、前記第４のトラン
ジスタの第２の不純物領域と、前記第１のトランジスタ
のゲート電極とは、いずれも前記容量の他の一方の端子
と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲート
電極と、前記第４のトランジスタのゲート電極は、第１
の入力信号線と電気的に接続され、前記第３のトランジ
スタのゲート電極は、第２の入力信号線と電気的に接続
されていることを特徴としている。
【００２１】請求項３の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項２において、前記第２の入力信
号線は、前記第１の入力信号線に入力される信号の反転
信号が入力される信号線であることを特徴としている。
【００２２】請求項４の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項１もしくは請求項２において、
前記容量は、前記第１のトランジスタのゲート電極と、
前記不純物領域のうちいずれか一方との間の容量を用い
ることを特徴としている。
【００２３】請求項５の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項１もしくは請求項２において、
前記容量は、活性層材料、ゲート電極を構成する材料、
あるいは配線材料のうちのいずれか２つの材料を用いて
構成された容量であることを特徴としている。
【００２４】請求項６の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項
において、前記一導電型とは、Ｎチャネル型であること
を特徴としている。
【００２５】請求項７の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項
において、前記一導電型とは、Ｐチャネル型であること
を特徴としている。
【００２６】請求項８の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項６において、前記入力信号がＨ
ｉ電位のときの電位は第３の電源電位に等しく、Ｌｏ電
位のときの電位は第４の電源電位に等しいとき、第２の
電源電位≦第４の電源電位＜第３の電源電位≦第１の電
源電位を満たすことを特徴としている。
【００２７】請求項９の記載によると、本発明の表示装
置の駆動回路は、請求項７において、前記入力信号がＨ
ｉ電位のときの電位は第３の電源電位に等しく、Ｌｏ電
位のときの電位は第４の電源電位に等しいとき、第１の
電源電位≦第４の電源電位＜第３の電源電位≦第２の電
源電位を満たすことを特徴としている。
【００２８】請求項１０の記載によると、本発明の表示
装置の駆動回路は、請求項１乃至請求項９のいずれか１
項において、前記表示装置の駆動回路は、インバータ、
バッファ、あるいはレベルシフタであること、あるいは
インバータ、バッファあるいはレベルシフタの構成要件
となっていることを特徴としている。
【００２９】
【発明の実施の形態】図２（Ａ）は、本発明の表示装置
の駆動回路の１形態を示したものであり、インバータと
して機能する回路である。Ｎ型ＴＦＴ２０１〜２０４お
よび容量２０５によって構成されており、点線枠２０６
で囲われた部分が、図１（Ａ）に示した回路に相当す
る。点線枠２１０で囲われた部分が、出力振幅補償回路
を構成している。出力振幅補償回路２１０は、Ｎ型ＴＦ
Ｔ２０３のゲート電極に浮遊状態を作り出すことを目的
としたものであり、同一の機能を有する限り、図２
（Ａ）の構成に限定しない。
【００３０】図２（Ａ）の回路において、入力信号はＮ
型ＴＦＴ２０２およびＮ型ＴＦＴ２０４のゲート電極に
入力される。Ｎ型ＴＦＴ２０１は負荷として機能し、Ｎ
型ＴＦＴ２０１、２０２によって構成される回路からの
出力（図２（Ａ）中、このノードをαとおく）が、Ｎ型
ＴＦＴ２０３のゲート電極に入力される。
【００３１】回路の動作詳細について順を追って説明す
る。なお、電源電位はＶＤＤおよびＧＮＤ、入力信号の
振幅もＶＤＤ（Ｈｉ）−ＧＮＤ（Ｌｏ）とする。まず、
入力信号の電位がＨｉのとき、Ｎ型ＴＦＴ２０２、２０
４がＯＮする。ここで、Ｎ型ＴＦＴ２０１はゲート電極
とドレイン領域とが接続されているため飽和動作してい
るが、Ｎ型ＴＦＴ２０２の電流能力をＮ型ＴＦＴ２０１
の電流能力よりも十分に高くすることによって、ノード
αの電位はＧＮＤ側に引き下げられる。これにより、Ｎ
型ＴＦＴ２０３がＯＦＦし、出力ノードにはＬｏ電位が
出力される。
【００３２】続いて、入力信号の電位がＬｏのとき、Ｎ
型ＴＦＴ２０２、２０４がＯＦＦする。これにより、ノ
ードαの電位は、ＶＤＤ側に引き上げられ、その電位が
（ＶＤＤ−ＶｔｈＮ）となったところで一旦浮遊状態と
なる。一方、ノードαの電位が上昇を始めると、やがて
Ｎ型ＴＦＴ２０３がＯＮし、出力ノードの電位がＶＤＤ
側に引き上げられる。ノードαが浮遊状態となったと
き、依然出力ノードの電位は上昇を続けているため、Ｎ
型ＴＦＴ２０３のゲート−ソース間容量２０５の存在に
よって、出力ノードの電位上昇に伴い、浮遊状態にある
ノードαの電位も上昇する。これにより、ノードαの電
位が、（ＶＤＤ＋ＶｔｈＮ）よりも高い電位となること
が出来る。よって、出力ノードにはＨｉ電位が出力さ
れ、このときの電位はＶＤＤに等しくなる。
【００３３】以上のような動作により、出力信号の振幅
は、入力信号の振幅に対して減衰なく得られる。このよ
うに、２点間の容量結合を利用して電位を引き上げる方
法をブートストラップ法という。図２（Ｂ）は、図２
（Ａ）に示した回路の入力信号の波形を示したものであ
り、図２（Ｃ）は、ノードαにおける電位の波形を示し
たものであり、図２（Ｄ）は出力信号の波形を示したも
のである。図２（Ｃ）中、２０８で示される電位は、Ｖ
ＤＤよりもＶｔｈＮだけ低下した電位であり、ブートス
トラップによって、２０７で示す分だけ、ノードαの電
位が引き上げられる。結果、図２（Ｄ）に示すように、
出力ノードがＨｉ電位のとき、その電位はＶＤＤまで上
昇し、ＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を有する出力信号を得る
ことが出来る。
【００３４】ところで、本発明の表示装置の駆動回路に
おいては、ブートストラップ法による出力信号の振幅補
償を動作の基本としているが、そのとき、容量結合を利
用するＴＦＴのゲート電極が浮遊状態となっていること
が前提となる。図１０は、ブートストラップ法を利用し
た回路の構成例を挙げているが、図１０（Ａ）は本発明
の表示装置の駆動回路の基本構成を示しているが、ノー
ドαが浮遊状態となっていることにより、ＴＦＴ１００
３のゲート−ソース間の容量１００５を利用してノード
αの電位を引き上げ、それによって出力信号の振幅を補
償する。図１０（Ｂ）は３個のＴＦＴからなる回路を示
しているが、こちらについても同様に、ノードβが浮遊
状態となっていることにより、ＴＦＴ１００７のゲート
−ソース間容量１００９を利用してノードβの電位を引
き上げ、それによって出力信号の振幅を補償する。
【００３５】続いて、入力信号の振幅と電源電位につい
て考える。今、高電位側の電源電位はＶＤＤ、低電位側
の電源電位はＧＮＤであり、入力信号（ｉｎ）の振幅は
ＶＤＤ−ＧＮＤであり、ｉｎｂは入力信号の反転信号で
ある。ここで、ｉｎ、ｉｎｂの振幅がそれぞれＶＤＤ３
−ＧＮＤ（ただし、ＧＮＤ＜ＶｔｈＮ＜ＶＤＤ３＜ＶＤ
Ｄ−ＶｔｈＮ）である場合のノードα、ノードβの状態
について考える。図１０（Ａ）において、ｉｎｂがＨｉ
のとき、Ｎ型ＴＦＴ１００１のゲート電極電位はＶＤＤ
３となる。ＶｔｈＮ＜ＶＤＤ３であるから、Ｎ型ＴＦＴ
１００１はＯＮし、ノードαの電位はＶＤＤ側に引き上
げられ、その電位が（ＶＤＤ３−ＶｔｈＮ）となったと
ころで浮遊状態となる。つまり、ｉｎｂのＨｉ電位がＶ
ｔｈＮを上回っていれば、ノードαは確実に浮遊状態と
なることが出来、ブートストラップによってＮ型ＴＦＴ
１００３のゲート電極電位を引き上げる動作が可能とな
る。一方、図１０（Ｂ）においては、Ｎ型ＴＦＴ１００
６のゲート電極電位は常にＶＤＤであるから、ｉｎｂが
Ｈｉのとき、ノードβの電位はＶＤＤ３まで引き上げら
れる。ただし今、ＶＤＤ３＜ＶＤＤ−ＶｔｈＮであるか
ら、Ｎ型ＴＦＴ１００６は入力信号の電位に関わらず常
にＯＮの状態を取る。よってノードβは浮遊状態とはな
らない。故に、ブートストラップによってノードβの電
位を引き上げることが出来ないことになる。つまり、図
１０（Ｂ）に示した回路の場合、ノードβが浮遊状態と
なるためには、ｉｎｂのＬｏ電位がＧＮＤであるとき、
少なくともＨｉ電位が（ＶＤＤ−ＶｔｈＮ）以上にある
という最低条件があるため、低電圧駆動やＴＦＴの特性
ばらつきの面を考えると不利である。
【００３６】このように、入力信号の振幅が電源電圧よ
りも小さい場合の、ある特定の条件下では、図１０
（Ｂ）のような構成ではノードβに浮遊状態を与えられ
ない可能性が考えられるのに対し、本発明で示した図１
０（Ａ）の構成であれば、確実にノードαを浮遊状態に
出来るメリットがある。
【００３７】
【実施例】以下に、本発明の実施例について記載する。
【００３８】[実施例１]図３（Ａ）は、本発明の表示装
置の駆動回路の一形態であるインバータを複数段接続し
た回路を示している。表示装置の駆動回路等において
は、このような回路をバッファとして用いることが多
い。ここで、図３（Ａ）のような回路を用いる場合、以
下のようなデメリットが挙げられる。
【００３９】図３（Ａ）において、入力信号がＨｉのと
き、Ｎ型ＴＦＴ３０２がＯＮする。ここで、Ｎ型ＴＦＴ
３０１は、ゲート−ドレイン間を短絡した負荷として機
能しており、常に飽和動作しているため、Ｎ型ＴＦＴ３
０２がＯＮすることによって、ＶＤＤ−ＧＮＤ間に貫通
電流が流れる。これは、各段のＴＦＴ３０３、３０４お
よび３０５、３０６においても同様であり、消費電流が
大きくなってしまう。
【００４０】このような問題を回避するための例とし
て、図３（Ｂ）に示すような、２入力型のインバータを
用いる方法が挙げられる。このような回路の場合、ＶＤ
Ｄ−ＧＮＤ間に配置されているＴＦＴは、入力信号の極
性が常に逆であることから、排他的動作をするため、貫
通電流が流れない。
【００４１】ただし、図３（Ｂ）の回路を用いる場合、
入力信号として、反転、非反転の２相の信号を用意する
必要がある。
【００４２】そこで、双方を組み合わせた形として、図
３（Ｃ）に示すように、先頭段には本発明の１入力型イ
ンバータを用い、２段目以降は２入力型インバータを用
いる。２段目の入力は、一方には前段の出力信号を、も
う一方には前段の入力信号を入力すればよい。これによ
り、１入力型であり、かつ貫通電流を最小限に抑えたバ
ッファとして用いることが出来る。
【００４３】[実施例２]本発明の表示装置の駆動回路
は、回路に供給する電源電位として、入力信号の振幅電
位と異なる電位を与えることにより、レベルシフタとし
て機能させることも容易である。以下にその例を示す。
【００４４】まず、電源電位として、ＧＮＤ、ＶＤＤ
１、ＶＤＤ２の３電位を考え、それぞれの大小関係は、
ＧＮＤ＜ＶＤＤ１＜ＶＤＤ２とする。このとき、ＧＮＤ
−ＶＤＤ１間の振幅を有する信号を入力し、ＧＮＤ−Ｖ
ＤＤ２間の振幅に変換して取り出す場合を例として考え
る。
【００４５】図４（Ａ）に例を示す。回路の構成は実施
形態および実施例１と同様で良い。入力信号の振幅がＧ
ＮＤ−ＶＤＤ１間であり、Ｎ型ＴＦＴ４０１、４０３の
不純物領域の一端に接続される電源の電位をＶＤＤ２と
している。
【００４６】回路の動作について説明する。入力信号の
波形を図４（Ｂ）に示す。ＧＮＤ−ＶＤＤ１間の振幅を
もった信号が、Ｎ型ＴＦＴ４０２および４０４のゲート
電極に入力される。入力信号がＨｉ電位であるとき、Ｎ
型ＴＦＴ４０２、４０４がＯＮし、ノードαにおける電
位がＧＮＤ側に引き下げられ、Ｎ型ＴＦＴ４０３はＯＦ
Ｆする。よって出力ノードにおける電位はＬｏ電位とな
る。
【００４７】入力信号がＬｏ電位であるとき、Ｎ型ＴＦ
Ｔ４０２、４０４がＯＦＦし、ノードαにおける電位が
ＶＤＤ２側に引き上げられる。したがってＮ型ＴＦＴ４
０３がＯＮし、出力ノードの電位が上昇する。一方、ノ
ードαにおいては、その電位が（ＶＤＤ２−Ｎ型ＴＦＴ
４０３のしきい値電圧の絶対値）となったところで浮遊
状態となる。その後、出力ノードの電位上昇に伴い、Ｎ
型ＴＦＴ４０３のゲート−ソース間に存在する容量結合
４０５によってノードαの電位はさらに引き上げられ、
ＶＤＤ２よりも高い電位をとる（図４（Ｃ））。よっ
て、出力ノードの電位はＨｉ電位となり、ＧＮＤ−ＶＤ
Ｄ２間の振幅を持った信号が出力される（図４（Ｄ）実
線）。
【００４８】本実施例で示した回路がレベルシフタとし
て容易に扱うことが出来る理由として、高電位側電源
（ＶＤＤ２）に接続されたＴＦＴ４０１、４０３のゲー
ト電極には、低電圧振幅の信号入力がない点が挙げられ
る。図５（Ａ）に示す２入力型の回路において、高電位
側電源（ＶＤＤ２）に接続されたＴＦＴ５０１に低電圧
振幅の信号を入力しても、ノードβの電位はＶＤＤ１付
近までしか上昇することができない。したがってＴＦＴ
５０３もまた、十分にＯＮすることが出来ず、容量結合
を用いてＴＦＴ５０３のゲート電極電位を持ち上げるこ
とが出来ないため、正常動作が望めない。
【００４９】よって、本実施例にて示したレベルシフタ
の直後にかかる負荷が大きく、バッファ等の構成を必要
とする場合には、図５（Ｂ）のように、１入力型の回路
を２段用いて、その後の入力信号の振幅を全て高電圧振
幅とする必要がある。図５（Ｂ）においては、低電圧振
幅の信号が入力されるＴＦＴは、点線枠５０６で囲まれ
た部分のＴＦＴに限られ、１入力型の回路を２段重ねる
ことによって、３段目の２入力（ＴＦＴ５０７、５０８
のゲート電極への入力）はいずれも高電圧振幅の信号が
入力されるため、正常に動作することが出来る。
【００５０】また、振幅変換を行う信号が反転信号を有
している場合、互いの出力信号を、次段の反転入力とし
て用いる構成としても良い。図６に例を示す。入力信号
はｉｎ、ｉｎｂであり、それぞれＴＦＴ６０２、６１４
のゲート電極に入力される。レベルシフタ１段目６５０
の出力は、２段目のＴＦＴ６０６、６１７に入力され、
６６０の出力は、２段目のＴＦＴ６０５、６１８に入力
される。２段目への入力信号は、いずれも高電圧振幅の
信号であるから、以後は正常にバッファとして機能し、
最終段より、出力信号Ｏｕｔ、ｏｕｔｂを得る。
【００５１】[実施例３]本実施例においては、本発明の
表示装置の駆動回路を用いて表示装置を作製した例につ
いて説明する。
【００５２】図７は、表示装置の概略図である。基板７
００上に、ソース信号線駆動回路７０１、ゲート信号線
駆動回路７０２および画素部７０３を一体形成にて作製
している。画素部において、点線枠７１０で囲まれた部
分が１画素である。図の例では、液晶表示装置の画素を
示しており、１個のＴＦＴ（以後、画素ＴＦＴと表記す
る）によって液晶素子の一電極に印加される電荷の制御
を行っている。ソース信号線駆動回路７０１、ゲート信
号線駆動回路７０２への信号入力は、フレキシブルプリ
ント基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）７０４を
介して、外部より供給される。
【００５３】本実施例にて示す表示装置は、本発明の表
示装置の駆動回路を用いて構成することにより、画素部
を含む表示装置全体を構成する駆動回路を、画素ＴＦＴ
と同一の極性を有する一極性のＴＦＴ（例えばＮ型ＴＦ
Ｔ）のみを用いて作製している。これにより、半導体層
にＰ型を付与するイオンドーピング工程を省略すること
が可能となり、製造コストの削減や歩留まり向上等に寄
与することが出来る。
【００５４】なお、本実施例の表示装置を構成したＴＦ
Ｔの極性はＮ型であるが、Ｐ型ＴＦＴのみを用いて駆動
回路および画素ＴＦＴを構成することも、本発明によっ
てもちろん可能となる。この場合は、省略されるイオン
ドーピング工程は、半導体層にＮ型を付与する工程であ
ることを付記する。また、本発明は液晶表示装置のみな
らず、絶縁体上に駆動回路を一体形成して作製する装置
ならばいずれの物にも適用が可能である。
【００５５】[実施例４]本発明の表示装置の駆動回路
は、様々な電子機器に用いられている表示装置の作製に
適用が可能である。このような電子機器には、携帯情報
端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話
等）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコン
ピュータ、テレビ、携帯電話等が挙げられる。それらの
一例を図８に示す。
【００５６】図８（Ａ）は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
であり、筐体３００１、支持台３００２、表示部３００
３等により構成されている。本発明の表示装置の駆動回
路は、表示部３００３の作製に適用が可能である。
【００５７】図８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体３
０１１、表示部３０１２、音声入力部３０１３、操作ス
イッチ３０１４、バッテリー３０１５、受像部３０１６
等により構成されている。本発明の表示装置の駆動回路
は、表示部３０１２の作製に適用が可能である。
【００５８】図８（Ｃ）はノート型のパーソナルコンピ
ュータであり、本体３０２１、筐体３０２２、表示部３
０２３、キーボード３０２４等により構成されている。
本発明の表示装置の駆動回路は、表示部３０２３の作製
に適用が可能である。
【００５９】図８（Ｄ）は携帯情報端末であり、本体３
０３１、スタイラス３０３２、表示部３０３３、操作ボ
タン３０３４、外部インターフェイス３０３５等により
構成されている。本発明の表示装置の駆動回路は、表示
部３０３３の作製に適用が可能である。
【００６０】図８（Ｅ）は音響再生装置、具体的には車
載用のオーディオ装置であり、本体３０４１、表示部３
０４２、操作スイッチ３０４３、３０４４等により構成
されている。本発明の表示装置の駆動回路は表示部３０
４２の作製に適用が可能である。また、本実施例では車
載用オーディオ装置を例に挙げたが、携帯型もしくは家
庭用のオーディオ装置に用いても良い。
【００６１】図８（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体
３０５１、表示部（Ａ）３０５２、接眼部３０５３、操
作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリ
ー３０５６等により構成されている。本発明の表示装置
の駆動回路は、表示部（Ａ）３０５２および表示部
（Ｂ）３０５５の作製に適用が可能である。
【００６２】図８（Ｇ）は携帯電話であり、本体３０６
１、音声出力部３０６２、音声入力部３０６３、表示部
３０６４、操作スイッチ３０６５、アンテナ３０６６等
により構成されている。本発明の表示装置の駆動回路
は、表示部３０６４の作製に適用が可能である。
【００６３】なお、本実施例に示した例はごく一例であ
り、これらの用途に限定しないことを付記する。
【発明の効果】本発明の表示装置の駆動回路によって、
表示装置の駆動回路および画素部を、一導電型のＴＦＴ
のみによって構成することが可能となり、表示装置の作
製工程を削減することによって、低コスト化、歩留まり
の向上に寄与し、より安価に表示装置の供給が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の表示装置の駆動回路の動作原理を
説明する図。
【図２】 本発明の表示装置の駆動回路の基本的一形
態であるインバータとその入出力信号の波形を示す図。
【図３】 本発明の表示装置の駆動回路の基本的一形
態であるインバータを複数段接続して用いる場合の接続
例を示す図。
【図４】 本発明の表示装置の駆動回路の実施例とし
て示したレベルシフタとその入出力信号の波形を示す
図。
【図５】 レベルシフタの動作についての説明図およ
びレベルシフタの構成例を示す図。
【図６】 反転信号を有する場合の２入力型レベルシ
フタの構成例を示す図。
【図７】 本発明を適用して作製した表示装置の概略
図。
【図８】 本発明の表示装置の駆動回路の電子機器へ
の適用例を示す図。
【図９】 従来型ＣＭＯＳインバータと負荷型インバ
ータの構成と、それぞれの入出力信号の波形を示す図。
【図１０】 ４ＴＦＴ型のインバータと３ＴＦＴ型のイ
ンバータおける入力信号と回路動作を説明する図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｆ１１０ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 ５Ｊ０５５ Ｈ０１Ｌ 21/8238 Ｈ０３Ｋ 17/06 Ｃ 27/092 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１４ 29/786 27/08 ３２１Ｌ Ｈ０３Ｋ 17/06 Ｈ０３Ｋ 17/687 Ａ 17/687 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｂ Ｆターム(参考） 2H092 GA59 JA24 PA06 2H093 NA16 NA80 NC13 NC16 NC22 NC23 NC34 NC90 ND36 ND40 ND48 5C006 BB16 BC03 BC06 BC12 BC20 BF03 BF25 BF27 BF46 EB04 EB06 FA26 FA47 GA02 GA04 5C080 AA06 AA10 BB05 DD25 DD26 DD27 DD28 FF11 JJ03 JJ04 JJ06 KK07 5F048 AA01 AB04 AC04 AC10 5F110 AA16 AA30 BB02 NN72 5J055 AX05 AX06 AX63 BX16 CX30 DX20 EZ20 EZ69 FX05 FX12 FX28 GX01

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の不純物領域が第１の電源と電気的に
    接続された、第１のトランジスタと、 第１の不純物領域が第２の電源と電気的に接続された、
    第２のトランジスタと、 第１の不純物領域が第１の電源と電気的に接続された、
    第３のトランジスタと、 第１の不純物領域が第２の電源と電気的に接続された、
    第４のトランジスタと、容量とを有する表示装置の駆動
    回路であって、前記第１乃至第４のトランジスタはいず
    れも同一導電型であり、 前記第１のトランジスタの第２の不純物領域と、前記第
    ２のトランジスタの第２の不純物領域とはいずれも前記
    容量の一方の端子と電気的に接続され、 前記第３のトランジスタの第２の不純物領域と、前記第
    ４のトランジスタの第２の不純物領域と、前記第１のト
    ランジスタのゲート電極とは、いずれも前記容量の他の
    一方の端子と電気的に接続され、 前記第２のトランジスタのゲート電極と、前記第４のト
    ランジスタのゲート電極は、入力信号線と電気的に接続
    され、 前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の電
    源と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置
    の駆動回路。
  2. 【請求項２】第１の不純物領域が第１の電源と電気的に
    接続された、第１のトランジスタと、 第１の不純物領域が第２の電源と電気的に接続された、
    第２のトランジスタと、 第１の不純物領域が第１の電源と電気的に接続された、
    第３のトランジスタと、 第１の不純物領域が第２の電源と電気的に接続された、
    第４のトランジスタと、 容量とを有する表示装置の駆動回路であって、前記第１
    乃至第４のトランジスタはいずれも同一導電型であり、 前記第１のトランジスタの第２の不純物領域と、前記第
    ２のトランジスタの第２の不純物領域とはいずれも前記
    容量の一方の端子と電気的に接続され、 前記第３のトランジスタの第２の不純物領域と、前記第
    ４のトランジスタの第２の不純物領域と、前記第１のト
    ランジスタのゲート電極とは、いずれも前記容量の他の
    一方の端子と電気的に接続され、 前記第２のトランジスタのゲート電極と、前記第４のト
    ランジスタのゲート電極は、第１の入力信号線と電気的
    に接続され、 前記第３のトランジスタのゲート電極は、第２の入力信
    号線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装
    置の駆動回路。
  3. 【請求項３】請求項２において、 前記第２の入力信号線は、前記第１の入力信号線に入力
    される信号の反転信号が入力される信号線であることを
    特徴とする表示装置の駆動回路。
  4. 【請求項４】請求項１もしくは請求項２において、 前記容量は、前記第１のトランジスタのゲート電極と、
    前記不純物領域のうちいずれか一方との間の容量を用い
    ることを特徴とする表示装置の駆動回路。
  5. 【請求項５】請求項１もしくは請求項２において、 前記容量は、活性層材料、ゲート電極を構成する材料、
    あるいは配線材料のうちのいずれか２つの材料を用いて
    構成された容量であることを特徴とする表示装置の駆動
    回路。
  6. 【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか１項にお
    いて、 前記一導電型とは、Ｎチャネル型であることを特徴とす
    る表示装置の駆動回路。
  7. 【請求項７】請求項１乃至請求項５のいずれか１項にお
    いて、 前記一導電型とは、Ｐチャネル型であることを特徴とす
    る表示装置の駆動回路。
  8. 【請求項８】請求項６において、 前記入力信号がＨｉ電位のときの電位は第３の電源電位
    に等しく、Ｌｏ電位のときの電位は第４の電源電位に等
    しいとき、 第２の電源電位≦第４の電源電位＜第３の電源電位≦第
    １の電源電位を満たすことを特徴とする表示装置の駆動
    回路。
  9. 【請求項９】請求項７において、 前記入力信号がＨｉ電位のときの電位は第３の電源電位
    に等しく、Ｌｏ電位のときの電位は第４の電源電位に等
    しいとき、 第１の電源電位≦第４の電源電位＜第３の電源電位≦第
    ２の電源電位を満たすことを特徴とする表示装置の駆動
    回路。
  10. 【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか１項に
    おいて、 前記表示装置の駆動回路は、インバータ、バッファ、あ
    るいはレベルシフタであること、あるいはインバータ、
    バッファあるいはレベルシフタの構成要件となっている
    ことを特徴とする表示装置の駆動回路。
  11. 【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか１項
    に記載の表示装置の駆動回路を用いたことを特徴とする
    電子機器。
JP2001133431A 2001-04-27 2001-04-27 液晶表示装置、電子機器 Expired - Fee Related JP4785271B2 (ja)

Priority Applications (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001133431A JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2001-04-27 液晶表示装置、電子機器
TW91106722A TW544737B (en) 2001-04-27 2002-04-03 Semiconductor device
SG200202130A SG119148A1 (en) 2001-04-27 2002-04-11 Semiconductor device
EP20020008653 EP1253718B1 (en) 2001-04-27 2002-04-17 Driving circuit and display device using the same
MYPI20021416 MY128512A (en) 2001-04-27 2002-04-17 Semiconductor device
US10/123,251 US6975142B2 (en) 2001-04-27 2002-04-17 Semiconductor device
DE60229810T DE60229810D1 (de) 2001-04-27 2002-04-17 Ansteuerschaltung und diese verwendende Anzeigevorrichtung
CN201110283679.6A CN102446488B (zh) 2001-04-27 2002-04-26 半导体器件
CN021185042A CN1384546B (zh) 2001-04-27 2002-04-26 半导体器件
CN201110283660.1A CN102419961B (zh) 2001-04-27 2002-04-26 半导体器件
KR20020022921A KR100844105B1 (ko) 2001-04-27 2002-04-26 반도체장치
US11/270,647 US7586478B2 (en) 2001-04-27 2005-11-10 Semiconductor device
US12/552,718 US7903079B2 (en) 2001-04-27 2009-09-02 Semiconductor device
US13/039,378 US8284151B2 (en) 2001-04-27 2011-03-03 Semiconductor device
US13/619,655 US8659532B2 (en) 2001-04-27 2012-09-14 Semiconductor device
US14/180,415 US9136385B2 (en) 2001-04-27 2014-02-14 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001133431A JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2001-04-27 液晶表示装置、電子機器

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010191767A Division JP4860765B2 (ja) 2010-08-30 2010-08-30 半導体装置及び電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002328643A true JP2002328643A (ja) 2002-11-15
JP2002328643A5 JP2002328643A5 (ja) 2007-06-28
JP4785271B2 JP4785271B2 (ja) 2011-10-05

Family

ID=18981294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001133431A Expired - Fee Related JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2001-04-27 液晶表示装置、電子機器

Country Status (9)

Country Link
US (6) US6975142B2 (ja)
EP (1) EP1253718B1 (ja)
JP (1) JP4785271B2 (ja)
KR (1) KR100844105B1 (ja)
CN (3) CN1384546B (ja)
DE (1) DE60229810D1 (ja)
MY (1) MY128512A (ja)
SG (1) SG119148A1 (ja)
TW (1) TW544737B (ja)

Cited By (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002335153A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd パルス出力回路、シフトレジスタ、および表示装置
JP2004226429A (ja) * 2003-01-17 2004-08-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
WO2004093035A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-28 Ds Enterprise, Inc. An instruction plate and signage using photo luminescent porcelain enamel
JP2005017969A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2005031522A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Sony Corp フラットディスプレイ装置
JP2005143068A (ja) * 2003-10-16 2005-06-02 Sony Corp インバータ回路および表示装置
JP2005294815A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタ及び半導体装置
US7034571B2 (en) 2003-06-17 2006-04-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Level converting circuit efficiently increasing an amplitude of a small-amplitude signal
JP2006148269A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Nec Corp ブートストラップ回路及びその駆動方法並びにシフトレジスタ回路、論理演算回路、半導体装置
KR100658616B1 (ko) 2004-05-31 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US7202863B2 (en) 2002-12-25 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
JP2007151092A (ja) * 2005-10-18 2007-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ、半導体装置、表示装置及び電子機器
JP2008268261A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US7474284B2 (en) 2003-06-30 2009-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Shift register for driving display
JP2009077415A (ja) * 2001-05-29 2009-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2009188749A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Sony Corp インバータ回路、シフトレジスタ回路、否定論理和回路、否定論理積回路
JP2009188748A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Sony Corp インバータ回路、シフトレジスタ回路、否定論理和回路、否定論理積回路
JP2010049791A (ja) * 2009-11-16 2010-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、シフトレジスタ、電子機器
US7705819B2 (en) 2006-02-20 2010-04-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
US7932888B2 (en) 2006-10-17 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
US8049684B2 (en) 2005-09-15 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd Organic electroluminescent display device
CN102568415A (zh) * 2006-06-02 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和具有其的电子设备
JP2012142582A (ja) * 2004-03-12 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8289234B2 (en) 2005-08-16 2012-10-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display (OLED)
JP2012209858A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp インバータ回路および表示装置
KR20120127268A (ko) 2011-05-13 2012-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20130035910A (ko) 2011-09-30 2013-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8415665B2 (en) 2009-12-11 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2013130802A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
WO2013161184A1 (ja) * 2012-04-25 2013-10-31 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 レベル変換回路、及びそれを用いた液晶表示装置
JPWO2012029872A1 (ja) * 2010-09-02 2013-10-31 シャープ株式会社 信号処理回路、インバータ回路、バッファ回路、レベルシフタ、フリップフロップ、ドライバ回路、表示装置
JPWO2012029874A1 (ja) * 2010-09-02 2013-10-31 シャープ株式会社 信号処理回路、インバータ回路、バッファ回路、ドライバ回路、レベルシフタ、表示装置
JP2014186789A (ja) * 2012-02-29 2014-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8872299B2 (en) 2011-12-05 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981376B2 (en) 2012-08-02 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015515642A (ja) * 2012-02-29 2015-05-28 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 アレイ基板行駆動ユニット、アレイ基板行駆動回路及び表示装置
JP2015111865A (ja) * 2006-01-07 2015-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
JP2015179556A (ja) * 2015-04-03 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016028368A (ja) * 2015-09-09 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016212945A (ja) * 2016-05-31 2016-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9536903B2 (en) 2006-09-29 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9583513B2 (en) 2006-09-29 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017103479A (ja) * 2017-02-08 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及びその作製方法
JP2017216033A (ja) * 2017-06-20 2017-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018063747A (ja) * 2009-09-16 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018139164A (ja) * 2018-03-02 2018-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019197607A (ja) * 2019-05-22 2019-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020076964A (ja) * 2019-09-26 2020-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10804489B2 (en) 2009-05-21 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP2021052195A (ja) * 2015-09-18 2021-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021061082A (ja) * 2020-12-01 2021-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20210106470A (ko) 2018-12-20 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 단극성 트랜지스터를 사용하여 구성된 논리 회로, 및 반도체 장치
JP2022068138A (ja) * 2020-12-01 2022-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023022069A (ja) * 2014-11-26 2023-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11777502B2 (en) 2019-03-29 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Families Citing this family (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
SG148032A1 (en) * 2001-07-16 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100940342B1 (ko) 2001-11-13 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동방법
JP4397555B2 (ja) 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
US7327169B2 (en) * 2002-09-25 2008-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clocked inverter, NAND, NOR and shift register
TW558873B (en) * 2002-10-25 2003-10-21 Toppoly Optoelectronics Corp Voltage level shifter with pure p-type transistor
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP3962953B2 (ja) * 2003-12-26 2007-08-22 カシオ計算機株式会社 レベルシフト回路及び該レベルシフト回路を備えた信号出力回路
JP4869569B2 (ja) * 2004-06-23 2012-02-08 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
EP1610292B1 (en) * 2004-06-25 2016-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method thereof and electronic device
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
KR100608249B1 (ko) * 2004-11-19 2006-08-02 재단법인서울대학교산학협력재단 능동행렬 디스플레이 패널 내 데이터 드라이버 집적을위한 아날로그 버퍼회로
KR100696280B1 (ko) * 2004-11-30 2007-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 ｅｌ 디스플레이 패널의 구동방법
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
EP2688058A3 (en) 2004-12-15 2014-12-10 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
TW200707376A (en) 2005-06-08 2007-02-16 Ignis Innovation Inc Method and system for driving a light emitting device display
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US7432737B2 (en) * 2005-12-28 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
JP5164857B2 (ja) 2006-01-09 2013-03-21 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド アクティブマトリクスディスプレイ回路の駆動方法および表示システム
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
TWI430234B (zh) 2006-04-05 2014-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，顯示裝置，和電子裝置
TW200746022A (en) 2006-04-19 2007-12-16 Ignis Innovation Inc Stable driving scheme for active matrix displays
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
GB2446842A (en) * 2007-02-20 2008-08-27 Seiko Epson Corp Organic TFT Inverter Arrangement
EP2369571B1 (en) * 2007-03-08 2013-04-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and its driving method
US8552948B2 (en) 2007-04-05 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising threshold control circuit
JP5042077B2 (ja) * 2007-04-06 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8013633B2 (en) * 2007-06-20 2011-09-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor logic
KR101526475B1 (ko) 2007-06-29 2015-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
JP5141192B2 (ja) * 2007-11-02 2013-02-13 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
EP2221973B1 (en) * 2007-12-20 2014-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Buffer and display device
CN102057418B (zh) 2008-04-18 2014-11-12 伊格尼斯创新公司 用于发光器件显示器的系统和驱动方法
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
JP4582216B2 (ja) * 2008-07-12 2010-11-17 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
JP5012728B2 (ja) * 2008-08-08 2012-08-29 ソニー株式会社 表示パネルモジュール、半導体集積回路、画素アレイ部の駆動方法及び電子機器
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
US8872751B2 (en) 2009-03-26 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
TWI642043B (zh) 2009-09-10 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
US9171640B2 (en) 2009-10-09 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
WO2011043215A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
TWI430282B (zh) * 2009-12-08 2014-03-11 Innolux Corp 移位暫存器、閘極驅動器以及電子系統
US8154322B2 (en) * 2009-12-21 2012-04-10 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for HDMI transmission
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
KR102386149B1 (ko) 2010-02-23 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101706292B1 (ko) 2010-03-02 2017-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108345A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
JP5581263B2 (ja) 2010-05-13 2014-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 バッファ回路
KR20230173747A (ko) 2010-05-21 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
JP5581261B2 (ja) 2011-04-27 2014-08-27 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置、表示装置および電子機器
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
EP3547301A1 (en) 2011-05-27 2019-10-02 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
JP2014522506A (ja) 2011-05-28 2014-09-04 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド ディスプレイのピクセルの速い補償プログラミングためのシステムと方法
US8878589B2 (en) * 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20240063195A (ko) 2011-07-22 2024-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
KR20130073669A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전기주식회사 전원 스위칭 구동 장치, 이를 갖는 역률 보정 장치 및 전원 공급 장치
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US8994439B2 (en) 2012-04-19 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, image display device, storage device, and electronic device
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
JP6228753B2 (ja) 2012-06-01 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
TWI587261B (zh) 2012-06-01 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
TWI600022B (zh) 2012-07-20 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置
US9171842B2 (en) 2012-07-30 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sequential circuit and semiconductor device
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US8723581B1 (en) * 2013-01-30 2014-05-13 Via Technologies, Inc. Input buffers
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
EP2779147B1 (en) 2013-03-14 2016-03-02 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays
CN105144361B (zh) 2013-04-22 2019-09-27 伊格尼斯创新公司 用于oled显示面板的检测系统
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9214475B2 (en) 2013-07-09 2015-12-15 Pixtronix, Inc. All N-type transistor inverter circuit
CN107452314B (zh) 2013-08-12 2021-08-24 伊格尼斯创新公司 用于要被显示器显示的图像的补偿图像数据的方法和装置
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
KR102658554B1 (ko) 2013-12-27 2024-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
CN103888127A (zh) * 2014-03-28 2014-06-25 中国电子科技集团公司第二十四研究所 提高线性度的输入缓冲器
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
CN104092448B (zh) * 2014-06-18 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 比较器、显示基板和显示装置
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CN104599620B (zh) * 2014-12-10 2017-09-26 华南理工大学 栅极集成驱动电路的反相器、栅极集成驱动器及驱动方法
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
JP6023833B2 (ja) * 2015-03-12 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
JP6167133B2 (ja) * 2015-05-18 2017-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10032921B2 (en) * 2015-07-31 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
US10297331B2 (en) 2015-10-30 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6205014B2 (ja) * 2016-06-03 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017173833A (ja) * 2017-04-21 2017-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
FR3074605B1 (fr) 2017-12-05 2020-01-17 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Procede de detection d'un amincissement eventuel d'un substrat d'un circuit integre par sa face arriere, et dispositif associe
JP2019110505A (ja) * 2017-12-20 2019-07-04 株式会社村田製作所 送信ユニット
CN107958656B (zh) * 2018-01-08 2019-07-02 武汉华星光电技术有限公司 Goa电路
CN108122529B (zh) * 2018-01-25 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 栅极驱动单元及其驱动方法和栅极驱动电路
CN111210766B (zh) * 2020-02-24 2021-04-06 厦门天马微电子有限公司 反相器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
JP2022152996A (ja) 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びブートストラップ回路
CN117176138A (zh) * 2022-05-27 2023-12-05 华为技术有限公司 逻辑门电路、集成电路及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506851A (en) * 1966-12-14 1970-04-14 North American Rockwell Field effect transistor driver using capacitor feedback
JPH05303354A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
JPH11502355A (ja) * 1996-01-11 1999-02-23 トムソン−エルセデ 同じ極性を有するｍｉｓトランジスタを用いるシフトレジスタの改良

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3774055A (en) * 1972-01-24 1973-11-20 Nat Semiconductor Corp Clocked bootstrap inverter circuit
US3898479A (en) * 1973-03-01 1975-08-05 Mostek Corp Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage
JPS5135272A (ja) 1974-09-20 1976-03-25 Hitachi Ltd
JPS52119160A (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Nec Corp Semiconductor circuit with insulating gate type field dffect transisto r
JPS5526930A (en) 1978-08-14 1980-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Drying controller
JPS55156427A (en) * 1979-05-23 1980-12-05 Sharp Corp Bootstrap buffer circuit
JPS5694838A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Driving circuit
DE3026951A1 (de) * 1980-07-16 1982-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Treiberstufe in integrierter mos-schaltkreistechnik mit grossem ausgangssignalverhaeltnis
JPS609370B2 (ja) 1980-12-24 1985-03-09 富士通株式会社 バッファ回路
JPS57171840A (en) 1981-04-16 1982-10-22 Toshiba Corp Driving circuit
JPS5916424A (ja) 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp 半導体回路
JPS59161921A (ja) 1983-03-07 1984-09-12 Oki Electric Ind Co Ltd 非同期型ブ−ト・ストラツプ・バツフア回路装置
JPS60140924A (ja) * 1983-12-27 1985-07-25 Nec Corp 半導体回路
JPS63204815A (ja) 1987-02-20 1988-08-24 Hitachi Ltd 半導体論理回路
US4804870A (en) * 1987-08-07 1989-02-14 Signetics Corporation Non-inverting, low power, high speed bootstrapped buffer
US4959697A (en) * 1988-07-20 1990-09-25 Vtc Incorporated Short channel junction field effect transistor
JPH03165171A (ja) 1989-11-24 1991-07-17 Ricoh Co Ltd 密着型イメージセンサー
JPH04207416A (ja) 1990-11-30 1992-07-29 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタによる論理回路
JPH05224629A (ja) 1992-02-18 1993-09-03 Sharp Corp アクティブマトリクス表示装置の駆動回路
JPH0698081A (ja) 1992-09-14 1994-04-08 Hitachi Ltd 固体撮像素子
KR960008735B1 (en) * 1993-04-29 1996-06-29 Samsung Electronics Co Ltd Mos transistor and the manufacturing method thereof
TW264575B (ja) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5467038A (en) * 1994-02-15 1995-11-14 Hewlett-Packard Company Quick resolving latch
JP3402400B2 (ja) * 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
JP3067949B2 (ja) 1994-06-15 2000-07-24 シャープ株式会社 電子装置および液晶表示装置
JP3092506B2 (ja) 1995-03-27 2000-09-25 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびこれを用いた表示駆動装置
US5694061A (en) * 1995-03-27 1997-12-02 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device having same conductive type MIS transistors, a simple circuit design, and a high productivity
JP3272209B2 (ja) * 1995-09-07 2002-04-08 アルプス電気株式会社 Ｌｃｄ駆動回路
JP3436629B2 (ja) * 1996-01-08 2003-08-11 シャープ株式会社 表示および撮像のための装置
US5949398A (en) * 1996-04-12 1999-09-07 Thomson Multimedia S.A. Select line driver for a display matrix with toggling backplane
JPH09330059A (ja) 1996-06-13 1997-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2921510B2 (ja) * 1996-10-07 1999-07-19 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
US5952991A (en) * 1996-11-14 1999-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display
KR100218506B1 (ko) * 1996-12-14 1999-09-01 윤종용 액정 표시 장치용 레벨 시프트 회로
KR100235590B1 (ko) * 1997-01-08 1999-12-15 구본준 박막트랜지스터 액정표시장치의 구동방법
JP4036923B2 (ja) * 1997-07-17 2008-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその駆動回路
US6268842B1 (en) * 1998-04-13 2001-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor circuit and semiconductor display device using the same
JP2000106617A (ja) 1998-09-29 2000-04-11 Canon Inc 読取装置および読取システム
US6501098B2 (en) * 1998-11-25 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
EP1041641B1 (en) * 1999-03-26 2015-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A method for manufacturing an electrooptical device
JP3609977B2 (ja) * 1999-07-15 2005-01-12 シャープ株式会社 レベルシフト回路および画像表示装置
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4651785B2 (ja) 1999-07-23 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
EP1129446A1 (en) * 1999-09-11 2001-09-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
JP4359368B2 (ja) 1999-10-29 2009-11-04 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
KR100327374B1 (ko) * 2000-03-06 2002-03-06 구자홍 액티브 구동 회로
TW577241B (en) * 2000-03-28 2004-02-21 Sanyo Electric Co Display device
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
JP2002176162A (ja) 2000-08-10 2002-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置
US7030551B2 (en) * 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
JP4954404B2 (ja) 2000-09-14 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW546615B (en) * 2000-11-22 2003-08-11 Hitachi Ltd Display device having an improved voltage level converter circuit
JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) * 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
SG148032A1 (en) * 2001-07-16 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) * 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
JP4425547B2 (ja) * 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
JP2007011139A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100873072B1 (ko) * 2006-08-31 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 발광제어구동부 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치
KR101152445B1 (ko) * 2006-08-31 2012-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 발광제어구동부 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치
JP5116277B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4932415B2 (ja) * 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI427602B (zh) * 2006-10-17 2014-02-21 Semiconductor Energy Lab 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
WO2012157463A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506851A (en) * 1966-12-14 1970-04-14 North American Rockwell Field effect transistor driver using capacitor feedback
JPH05303354A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
JPH11502355A (ja) * 1996-01-11 1999-02-23 トムソン−エルセデ 同じ極性を有するｍｉｓトランジスタを用いるシフトレジスタの改良

Cited By (209)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002335153A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd パルス出力回路、シフトレジスタ、および表示装置
US9105520B2 (en) 2001-05-11 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US10109368B2 (en) 2001-05-11 2018-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US9496291B2 (en) 2001-05-11 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US8786533B2 (en) 2001-05-11 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US20130057161A1 (en) 2001-05-11 2013-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse Output Circuit, Shift Register and Display Device
US8264445B2 (en) 2001-05-11 2012-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US9812218B2 (en) 2001-05-11 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US10424390B2 (en) 2001-05-11 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US10916319B2 (en) 2001-05-11 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
US7710384B2 (en) 2001-05-11 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and display device
JP2009077415A (ja) * 2001-05-29 2009-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9024930B2 (en) 2001-05-29 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
US9590632B2 (en) 2001-05-29 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
US10304399B2 (en) 2001-05-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
JP2009232480A (ja) * 2002-12-25 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および表示装置
KR101019135B1 (ko) * 2002-12-25 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 이것을 사용한 표시장치 및 전자기기
JP2016106448A (ja) * 2002-12-25 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 デジタル回路、半導体装置及び電子機器
US10867576B2 (en) 2002-12-25 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US9190425B2 (en) 2002-12-25 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
CN100385476C (zh) * 2002-12-25 2008-04-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和使用了它的显示装置以及电子装置
JP2015181244A (ja) * 2002-12-25 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640135B2 (en) 2002-12-25 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US7202863B2 (en) 2002-12-25 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
JP2017143523A (ja) * 2002-12-25 2017-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 デジタル回路、半導体装置及び電子機器
US7786985B2 (en) 2002-12-25 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US9881582B2 (en) 2002-12-25 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
JP2014212524A (ja) * 2002-12-25 2014-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016146637A (ja) * 2002-12-25 2016-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11217200B2 (en) 2002-12-25 2022-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
KR101037728B1 (ko) 2002-12-25 2011-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 표시장치
US8044906B2 (en) 2002-12-25 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US8823620B2 (en) 2002-12-25 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US8059078B2 (en) 2002-12-25 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
KR101123095B1 (ko) 2002-12-25 2012-03-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 이것을 사용한 표시장치 및 전자기기
KR101123096B1 (ko) 2002-12-25 2012-03-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그것을 사용한 표시장치
US10373581B2 (en) 2002-12-25 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
JP2014053891A (ja) * 2002-12-25 2014-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置、及び電子機器
US10121448B2 (en) 2002-12-25 2018-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US8456402B2 (en) 2002-12-25 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same
US8798226B2 (en) 2003-01-17 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register and electronic equipment
JP2004226429A (ja) * 2003-01-17 2004-08-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
WO2004093035A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-28 Ds Enterprise, Inc. An instruction plate and signage using photo luminescent porcelain enamel
DE102004027183B4 (de) * 2003-06-17 2010-05-12 Mitsubishi Denki K.K. Pegelumwandlungsschaltung, die effizient eine Amplitude eines Signals kleiner Amplitude erhöht
US7034571B2 (en) 2003-06-17 2006-04-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Level converting circuit efficiently increasing an amplitude of a small-amplitude signal
JP4565816B2 (ja) * 2003-06-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 表示装置
JP2005017969A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7474284B2 (en) 2003-06-30 2009-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Shift register for driving display
JP2005031522A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Sony Corp フラットディスプレイ装置
JP2005143068A (ja) * 2003-10-16 2005-06-02 Sony Corp インバータ回路および表示装置
JP2012142582A (ja) * 2004-03-12 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2005294815A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタ及び半導体装置
US8884300B2 (en) 2004-03-12 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a transistor including an even number of channel formation regions
KR100658616B1 (ko) 2004-05-31 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US7545351B2 (en) 2004-05-31 2009-06-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device and display panel and driving method thereof
JP2006148269A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Nec Corp ブートストラップ回路及びその駆動方法並びにシフトレジスタ回路、論理演算回路、半導体装置
JP4617840B2 (ja) * 2004-11-17 2011-01-26 日本電気株式会社 ブートストラップ回路及びその駆動方法並びにシフトレジスタ回路、論理演算回路、半導体装置
US7518407B2 (en) 2004-11-17 2009-04-14 Nec Corporation Bootstrap circuit and driving method thereof
US8289234B2 (en) 2005-08-16 2012-10-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display (OLED)
US8049684B2 (en) 2005-09-15 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd Organic electroluminescent display device
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9646714B2 (en) 2005-10-18 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US12002529B2 (en) 2005-10-18 2024-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
JP2007151092A (ja) * 2005-10-18 2007-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ、半導体装置、表示装置及び電子機器
US11699497B2 (en) 2005-10-18 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US11011244B2 (en) 2005-10-18 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US10311960B2 (en) 2005-10-18 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US11563037B2 (en) 2006-01-07 2023-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US9406699B2 (en) 2006-01-07 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US10325932B2 (en) 2006-01-07 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
JP2015111865A (ja) * 2006-01-07 2015-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US11133335B2 (en) 2006-01-07 2021-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US12027532B2 (en) 2006-01-07 2024-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US7705819B2 (en) 2006-02-20 2010-04-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
JP2015029283A (ja) * 2006-06-02 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014060732A (ja) * 2006-06-02 2014-04-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2016116229A (ja) * 2006-06-02 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP2013017201A (ja) * 2006-06-02 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2017076975A (ja) * 2006-06-02 2017-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102568415A (zh) * 2006-06-02 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和具有其的电子设备
US9842861B2 (en) 2006-09-29 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US12107092B2 (en) 2006-09-29 2024-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11967598B2 (en) 2006-09-29 2024-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10930683B2 (en) 2006-09-29 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9583513B2 (en) 2006-09-29 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10978497B2 (en) 2006-09-29 2021-04-13 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10062716B2 (en) 2006-09-29 2018-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9536903B2 (en) 2006-09-29 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10297618B2 (en) 2006-09-29 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10134775B2 (en) 2006-09-29 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10685987B2 (en) 2006-09-29 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10553618B2 (en) 2006-09-29 2020-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7932888B2 (en) 2006-10-17 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
US8508459B2 (en) 2006-10-17 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
US8766901B2 (en) 2006-10-17 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
US9064753B2 (en) 2006-10-17 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, shift register, and display device
JP2008268261A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2009188749A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Sony Corp インバータ回路、シフトレジスタ回路、否定論理和回路、否定論理積回路
JP2009188748A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Sony Corp インバータ回路、シフトレジスタ回路、否定論理和回路、否定論理積回路
US11005071B2 (en) 2009-05-21 2021-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US10804489B2 (en) 2009-05-21 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US12004369B2 (en) 2009-05-21 2024-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US11690245B2 (en) 2009-05-21 2023-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module
US10910597B2 (en) 2009-05-21 2021-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US11637267B2 (en) 2009-05-21 2023-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR102361978B1 (ko) 2009-09-16 2022-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP2020160453A (ja) * 2009-09-16 2020-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20200037184A (ko) * 2009-09-16 2020-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR102288621B1 (ko) 2009-09-16 2021-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR20210098426A (ko) * 2009-09-16 2021-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10902814B2 (en) 2009-09-16 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic appliance
JP2018063747A (ja) * 2009-09-16 2018-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20180044861A (ko) * 2009-09-16 2018-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP2019124945A (ja) * 2009-09-16 2019-07-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10446103B2 (en) 2009-09-16 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic appliance
US11545105B2 (en) 2009-09-16 2023-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic appliance
US10181304B2 (en) 2009-09-16 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic appliance
KR20190118544A (ko) * 2009-09-16 2019-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR102099713B1 (ko) 2009-09-16 2020-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US11984093B2 (en) 2009-09-16 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic appliance
KR102034075B1 (ko) * 2009-09-16 2019-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP2010049791A (ja) * 2009-11-16 2010-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、シフトレジスタ、電子機器
US9735180B2 (en) 2009-12-11 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US8415665B2 (en) 2009-12-11 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9171868B2 (en) 2009-12-11 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10312267B2 (en) 2009-12-11 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10854641B2 (en) 2009-12-11 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10002888B2 (en) 2009-12-11 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9349757B2 (en) 2009-12-11 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10600818B2 (en) 2009-12-11 2020-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US11961843B2 (en) 2009-12-11 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JPWO2012029874A1 (ja) * 2010-09-02 2013-10-31 シャープ株式会社 信号処理回路、インバータ回路、バッファ回路、ドライバ回路、レベルシフタ、表示装置
JPWO2012029872A1 (ja) * 2010-09-02 2013-10-31 シャープ株式会社 信号処理回路、インバータ回路、バッファ回路、レベルシフタ、フリップフロップ、ドライバ回路、表示装置
JP2012209858A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp インバータ回路および表示装置
KR20230025421A (ko) 2011-05-13 2023-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8698551B2 (en) 2011-05-13 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a circuit configured to hold an offset voltage
KR20220054776A (ko) 2011-05-13 2022-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014200093A (ja) * 2011-05-13 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示モジュール及び電子機器
US11295649B2 (en) 2011-05-13 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012257211A (ja) * 2011-05-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10559606B2 (en) 2011-05-13 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device employing N-channel type transistors
KR20150090006A (ko) 2011-05-13 2015-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US9508301B2 (en) 2011-05-13 2016-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20210022607A (ko) 2011-05-13 2021-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9106224B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2023071734A (ja) * 2011-05-13 2023-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20190060736A (ko) 2011-05-13 2019-06-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20200103604A (ko) 2011-05-13 2020-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US11682332B2 (en) 2011-05-13 2023-06-20 Semionductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016129338A (ja) * 2011-05-13 2016-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20120127268A (ko) 2011-05-13 2012-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10062717B2 (en) 2011-05-13 2018-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7222037B2 (ja) 2011-09-30 2023-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 シフトレジスタ回路
US11257853B2 (en) 2011-09-30 2022-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2023052851A (ja) * 2011-09-30 2023-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20200092296A (ko) 2011-09-30 2020-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9432016B2 (en) 2011-09-30 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10916571B2 (en) 2011-09-30 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11901377B2 (en) 2011-09-30 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7453439B2 (ja) 2011-09-30 2024-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10304872B2 (en) 2011-09-30 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20190093532A (ko) 2011-09-30 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20220029625A (ko) 2011-09-30 2022-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2020205602A (ja) * 2011-09-30 2020-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11557613B2 (en) 2011-09-30 2023-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130035910A (ko) 2011-09-30 2013-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20240081469A (ko) 2011-09-30 2024-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8941416B2 (en) 2011-09-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8736315B2 (en) 2011-09-30 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9806107B2 (en) 2011-09-30 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021168516A (ja) * 2011-09-30 2021-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 シフトレジスタ回路
US10497723B2 (en) 2011-09-30 2019-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20220104134A (ko) 2011-09-30 2022-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8872299B2 (en) 2011-12-05 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9245909B2 (en) 2011-12-05 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013130802A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US11017871B2 (en) 2012-02-29 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10777290B2 (en) 2012-02-29 2020-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2018077929A (ja) * 2012-02-29 2018-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9608010B2 (en) 2012-02-29 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014186789A (ja) * 2012-02-29 2014-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US11538542B2 (en) 2012-02-29 2022-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11600348B2 (en) 2012-02-29 2023-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015515642A (ja) * 2012-02-29 2015-05-28 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 アレイ基板行駆動ユニット、アレイ基板行駆動回路及び表示装置
US10297332B2 (en) 2012-02-29 2019-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9036766B2 (en) 2012-02-29 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013161184A1 (ja) * 2012-04-25 2013-10-31 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 レベル変換回路、及びそれを用いた液晶表示装置
US8981376B2 (en) 2012-08-02 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9917115B2 (en) 2012-08-02 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode
US9461178B2 (en) 2012-08-02 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode
JP7558236B2 (ja) 2014-11-26 2024-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023022069A (ja) * 2014-11-26 2023-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015179556A (ja) * 2015-04-03 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016028368A (ja) * 2015-09-09 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7364715B2 (ja) 2015-09-18 2023-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022069455A (ja) * 2015-09-18 2022-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7026759B2 (ja) 2015-09-18 2022-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021052195A (ja) * 2015-09-18 2021-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016212945A (ja) * 2016-05-31 2016-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017103479A (ja) * 2017-02-08 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及びその作製方法
JP2017216033A (ja) * 2017-06-20 2017-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018139164A (ja) * 2018-03-02 2018-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12040795B2 (en) 2018-12-20 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device
KR20210106470A (ko) 2018-12-20 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 단극성 트랜지스터를 사용하여 구성된 논리 회로, 및 반도체 장치
US11777502B2 (en) 2019-03-29 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor
JP2019197607A (ja) * 2019-05-22 2019-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020076964A (ja) * 2019-09-26 2020-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021061082A (ja) * 2020-12-01 2021-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022068138A (ja) * 2020-12-01 2022-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4785271B2 (ja) 2011-10-05
CN1384546B (zh) 2011-11-16
CN102419961A (zh) 2012-04-18
DE60229810D1 (de) 2008-12-24
CN102446488B (zh) 2015-06-17
US20020158666A1 (en) 2002-10-31
US7903079B2 (en) 2011-03-08
US7586478B2 (en) 2009-09-08
US8659532B2 (en) 2014-02-25
US9136385B2 (en) 2015-09-15
MY128512A (en) 2007-02-28
US20140159045A1 (en) 2014-06-12
CN1384546A (zh) 2002-12-11
US20130063328A1 (en) 2013-03-14
CN102446488A (zh) 2012-05-09
KR20020083482A (ko) 2002-11-02
CN102419961B (zh) 2014-12-03
US20110149189A1 (en) 2011-06-23
SG119148A1 (en) 2006-02-28
EP1253718B1 (en) 2008-11-12
KR100844105B1 (ko) 2008-07-04
EP1253718A1 (en) 2002-10-30
US20060061384A1 (en) 2006-03-23
TW544737B (en) 2003-08-01
US20090322716A1 (en) 2009-12-31
US6975142B2 (en) 2005-12-13
US8284151B2 (en) 2012-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4785271B2 (ja) 液晶表示装置、電子機器
JP6685361B2 (ja) 半導体装置
JP4439761B2 (ja) 液晶表示装置、電子機器
JP4860765B2 (ja) 半導体装置及び電子機器
JP5493023B2 (ja) 表示装置
JP5719956B2 (ja) 表示装置
JP6167133B2 (ja) 表示装置
JP5847969B2 (ja) 表示装置
JP2017173833A (ja) 半導体装置
JP6628837B2 (ja) 電子機器
JP5690870B2 (ja) 表示装置
JP6205014B2 (ja) 表示装置
JP6691185B2 (ja) 半導体装置
JP6584701B2 (ja) 半導体装置
JP6584705B2 (ja) 液晶表示装置
JP2019071671A (ja) 半導体装置
JP6434176B2 (ja) 半導体装置
JP2010061800A (ja) パルス出力回路、表示装置
JP2012078839A (ja) 表示装置の駆動回路
JP2018129112A (ja) 半導体装置
JP2012042961A (ja) 半導体装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070510

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101019

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110705

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4785271

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees