JP4860765B2 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents
半導体装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4860765B2 JP4860765B2 JP2010191767A JP2010191767A JP4860765B2 JP 4860765 B2 JP4860765 B2 JP 4860765B2 JP 2010191767 A JP2010191767 A JP 2010191767A JP 2010191767 A JP2010191767 A JP 2010191767A JP 4860765 B2 JP4860765 B2 JP 4860765B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- source
- transistor
- drain
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
図9(A)は、従来一般的に用いられているCMOSインバータ(I)と、一極性のみのTFTを用いて構成したインバータ(II)(III)の例を示している。(II)はTFT負荷型のインバータ、(III)は抵抗負荷型のインバータである。以下に、それぞれの動作について述べる。
の構成に限定しない。
ここで、N型TFT301は、ゲート−ドレイン間を短絡した負荷として機能しており、常に飽和動作しているため、N型TFT302がONすることによって、VDD−GND間に貫通電流が流れる。これは、各段のTFT303、304および305、306においても同様であり、消費電流が大きくなってしまう。
入力信号の振幅がGND−VDD1間であり、N型TFT401、403の不純物領域の一端に接続される電源の電位をVDD2としている。
レベルシフタ1段目650の出力は、2段目のTFT606、617に入力され、660の出力は、2段目のTFT605、618に入力される。2段目への入力信号は、いずれも高電圧振幅の信号であるから、以後は正常にバッファとして機能し、最終段より、出力信号Out、outbを得る。
3052および表示部(B)3055の作製に適用が可能である。
Claims (8)
- 第1のトランジスタ乃至第8のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタの各々の導電型は同じであり、
前記第1のトランジスタは、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているゲートと、
第1の出力端子に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第2のトランジスタは、
前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されているゲートと、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第3のトランジスタは、
第1の入力端子と電気的に接続されているゲートと、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第4のトランジスタは、
第2の入力端子と電気的に接続されているゲートと、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第5のトランジスタは、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているゲートと、
第2の出力端子に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第6のトランジスタは、
前記第8のトランジスタのゲートに電気的に接続されているゲートと、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第7のトランジスタは、
前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続されているゲートと、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第8のトランジスタは、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているゲートと、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第1の電位は、前記第2の電位よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記導電型は、Nチャネル型であることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ乃至第8のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタ乃至前記第8のトランジスタの各々の導電型は同じであり、
前記第1のトランジスタは、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているゲートと、
第1の出力端子に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第2のトランジスタは、
前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されているゲートと、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第3のトランジスタは、
第1の入力端子と電気的に接続されているゲートと、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第4のトランジスタは、
第2の入力端子と電気的に接続されているゲートと、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第5のトランジスタは、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているゲートと、
第2の出力端子に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第6のトランジスタは、
前記第8のトランジスタのゲートに電気的に接続されているゲートと、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第7のトランジスタは、
前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続されているゲートと、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第1の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第8のトランジスタは、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているゲートと、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されているソース又はドレインの一方と、
前記第2の電位が印加される機能を有するソース又はドレインの他方とを有し、
前記第2の電位は、前記第1の電位よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記導電型は、Pチャネル型であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタのゲートと、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方との間に容量素子を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第5のトランジスタのゲートと、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方との間に容量素子を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置と操作スイッチとを有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010191767A JP4860765B2 (ja) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | 半導体装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010191767A JP4860765B2 (ja) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | 半導体装置及び電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001133431A Division JP4785271B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 液晶表示装置、電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011188436A Division JP2012042961A (ja) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | 半導体装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011059682A JP2011059682A (ja) | 2011-03-24 |
JP4860765B2 true JP4860765B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=43947302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010191767A Expired - Fee Related JP4860765B2 (ja) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | 半導体装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4860765B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015156042A (ja) * | 2015-05-18 | 2015-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016186644A (ja) * | 2016-06-03 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017173833A (ja) * | 2017-04-21 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5947099B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI573014B (zh) * | 2011-08-29 | 2017-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3506851A (en) * | 1966-12-14 | 1970-04-14 | North American Rockwell | Field effect transistor driver using capacitor feedback |
JPS55156427A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-05 | Sharp Corp | Bootstrap buffer circuit |
JP2999328B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2000-01-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
-
2010
- 2010-08-30 JP JP2010191767A patent/JP4860765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015156042A (ja) * | 2015-05-18 | 2015-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016186644A (ja) * | 2016-06-03 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017173833A (ja) * | 2017-04-21 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011059682A (ja) | 2011-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4785271B2 (ja) | 液晶表示装置、電子機器 | |
JP4439761B2 (ja) | 液晶表示装置、電子機器 | |
JP4860765B2 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
JP5493023B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5719956B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6167133B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5847969B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5690870B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2017173833A (ja) | 半導体装置 | |
JP5025714B2 (ja) | 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 | |
JP6628837B2 (ja) | 電子機器 | |
JP6205014B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4963314B2 (ja) | 半導体装置、シフトレジスタ、電子機器 | |
JP2012078839A (ja) | 表示装置の駆動回路 | |
JP5504367B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6691185B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019071671A (ja) | 半導体装置 | |
JP6584705B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP6584701B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6434176B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6159043B1 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
JP2012042961A (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
JP6106227B2 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
JP5799150B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5648113B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |