JP2000054134A - 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法 - Google Patents

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法

Info

Publication number
JP2000054134A
JP2000054134A JP11034413A JP3441399A JP2000054134A JP 2000054134 A JP2000054134 A JP 2000054134A JP 11034413 A JP11034413 A JP 11034413A JP 3441399 A JP3441399 A JP 3441399A JP 2000054134 A JP2000054134 A JP 2000054134A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reactant
thin film
substrate
chamber
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11034413A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4057184B2 (ja
Inventor
Eikan Kin
榮 寛 金
Sang-In Lee
相 忍 李
Chang-Soo Park
昌 洙 朴
Sang-Min Lee
相 ▲みん▼ 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2000054134A publication Critical patent/JP2000054134A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4057184B2 publication Critical patent/JP4057184B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02183—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing tantalum, e.g. Ta2O5
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02145—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】原子層蒸着法で膜密度が高くて、優秀な化学量
論的な薄膜を得ることができる薄膜製造方法。 【解決手段】基板がローディングされたチャンバに第１
反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、
チャンバをパージしたりポンピングして（Ｐして）、化
学吸着された第１反応物上に物理吸着された第１反応物
を取り除き、チャンバに再び第１反応物を注入して基板
上に第１反応物を稠密するように化学吸着させ、Ｐして
稠密するように化学吸着された第１反応物上に物理吸着
された第１反応物を取り除き、チャンバに第２反応物を
注入して基板の表面に化学吸着させ、Ｐして稠密するよ
うに化学吸着された第１反応物及び第２反応物上に物理
吸着された第２反応物を取り除き、チャンバに再び第２
反応物を注入して基板上に第２反応物を稠密するように
吸着させて化学置換によって原子単位厚さに固体薄膜を
形成する方法。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は薄膜製造方法に係
り、特に原子層蒸着法（Atomic Layer Deposition:以
下、"ALD法"と称する）による薄膜製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】一般
的に、薄膜は半導体素子の誘電体（dielectric）、液晶
表示素子の透明な導電体（transparent conductor）及
び電子発光薄膜表示素子の保護層等で多様に使われる。
前記薄膜は蒸気法、化学気相蒸着法、ＡＬＤ法等によっ
て形成される。 【０００３】この中から、前記ＡＬＤ法は表面調節工程
であり２次元的な層間（layer by layer）蒸着を用い
る。このようなＡＬＤ法は吸着が常に表面運動領域でな
されるので非常に優秀な段差被覆性を有する。また、熱
分解ではない各反応物の周期的供給を通した化学置換で
反応物を分解するので膜密度が高くて優秀な化学量論的
な膜を得ることができる。また、工程中発生する化学置
換による副産物は全て気体であるから除去が容易でチャ
ンバの洗浄が容易であり、温度のみ工程変数であるから
工程調節と維持が容易である。 【０００４】しかし、従来のＡＬＤ法は基板表面に反応
物を十分に吸着させられなくて薄膜内にピンホールなど
の欠陥が発生して薄膜の物理的特性、例えば膜密度が落
ちる問題点がある。また、従来のＡＬＤ法は化学配位子
などが完全に取り除かれなくて優秀な化学量論的な薄膜
を得られない問題点がある。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、
原子層蒸着法で膜密度が高くて、優秀な化学量論的な薄
膜を得ることができる薄膜製造方法を提供することにあ
る。 【０００６】 【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するための本発明による薄膜製造方法は、基板がローデ
ィングされたチャンバに第１反応物を注入して前記基板
上に前記第１反応物を化学吸着させる段階を含む。続い
て、前記化学吸着された第１反応物上に物理吸着された
第１反応物を取り除く。次に、前記チャンバに再び前記
第１反応物を注入して前記基板上に稠密するように化学
吸着させた後、前記稠密するように化学吸着された第１
反応物上に物理吸着された第１反応物を取り除く。続い
て、前記チャンバに第２反応物を注入して前記基板の表
面に化学吸着させた後、前記稠密するように化学吸着さ
れた第１反応物と第２反応物上に物理吸着された第２反
応物を取り除く。次に、前記チャンバに再び前記第２反
応物を注入して前記基板上に前記第２反応物を稠密する
ように吸着させて化学置換によって固体薄膜を形成す
る。 【０００７】本発明の薄膜製造方法は前記第２反応物を
稠密するように吸着させた後、物理吸着された第２反応
物と前記化学置換時生成される残留物を取り除くことも
できる。ここに、前記した物理吸着された反応物を取り
除くには、チャンバを不活性ガス等でパージしたりまた
は減圧にポンピングすることにより達成することができ
る。そして、前記第１反応物注入から物理吸着された第
１反応物の除去を順次的に２回以上反復して実施でき
る。また、前記第２反応物注入から物理吸着された第２
反応物及び残留物の除去を順次的に２回以上反復して実
施することもできる。前記基板は（１００）のシリコン
基板で構成できる。前記第１反応物及び第２反応物は各
々前記固体薄膜を構成する元素と化学配位子で構成され
る。 【０００８】前記固体薄膜は単原子、単原子酸化物、複
合酸化物、単原子窒化物または複合窒化物である。 【０００９】前記単原子の例としてはＭｏ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ又はＡｇ
を挙げることができる。前記単原子酸化物の例としては
Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｎ
ｂ2Ｏ5、ＣｅＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＲｕＯ
2又はＩｒＯ2を挙げることができる。 【００１０】前記複合酸化物の例としてはＳｒＴｉ
Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、（Ｂ
ａ、Ｓｒ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｐｂ、
Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｓｒ、Ｃａ）ＲｕＯ3、Ｓ
ｎがドーピングされたＩｎ2 Ｏ3、Ｆｅがドーピングさ
れたＩｎ2Ｏ3又はＺｒがドーピングされたＩｎ2Ｏ3を挙
げることができる。前記単原子窒化物の例としてはＳｉ
Ｎ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｙａ3Ｎ5、Ａｌ
Ｎ、ＧａＮ、ＷＮ又はＢＮを挙げることができる。前記
複合窒化物の例としてはＷＢＮ、ＷＳｉＮ、ＴｉＳｉ
Ｎ、ＴａＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ又はＡｌＴｉＮを挙げるこ
とができる。 【００１１】このように本発明は第１反応物及び第２反
応物を稠密するように吸着させて不純物を、例えば減圧
にポンピングまたは不活性ガス等のパージによって完全
に取り除くので膜密度が高くて優秀な化学量論的な薄膜
を得ることができる。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施例を詳しく説明する。 【００１３】図１乃至図８は本発明による原子層蒸着法
を用いた薄膜を製造する過程を説明するために示した図
面である。図１乃至図８で、蒸着しようとする薄膜をＡ
とＢでなされる２成分化合物とする時、第１反応物をＡ
Ｒｎ（ｇ）として第２反応物をＢＰｎ（ｇ）という。こ
こで、Ｒｎはｎ個のＲという基で形成された化学配位子
であり、Ｐｎはｎ個のＰという基で形成された化学配位
子である。ｇはガス状態であることを示す。 【００１４】図１を参照すると、ＡＲｎ（ｇ）という第
１反応物を基板１がローディングされたチャンバ（図示
せず）に注入して基板１、例えば（１００）のシリコン
基板の表面に第１反応物を化学吸着及び物理吸着させ
る。前記第１反応物は基板の表面に吸着されたことは化
学吸着されていることであり、前記化学吸着された第１
反応物上に吸着されたことは物理吸着されていることで
ある。ところが、ＡＲｎ（ｇ）という第１反応物は一度
注入されたので化学吸着を起こすことができる空間が物
理吸着されたＡＲｎによって遮られてあって基板上に空
き空間３が形成されている。 【００１５】図２を参照すると、前記化学吸着及び物理
吸着された第１反応物が形成されたチャンバを不活性ガ
ス等でパージしたり減圧にポンピングして物理吸着され
た第１反応物をすべて取り除く。このようになると、基
板１の表面には化学吸着されている第１反応物が形成さ
れる。前記化学吸着された第１反応物は固体状態のＡＲ
ｎ（ｓ）であり、基板１の表面は露出されている部分が
多くある。ここで、ｓは固体状態を示す。 【００１６】図３を参照すると、固体状態のＡＲｎ
（ｓ）が形成された基板１を含むチャンバに再びＡＲｎ
（ｇ）という第１反応物を注入して前記基板１の表面に
第１反応物を稠密するように化学吸着及び物理吸着させ
る。このようになると、図１で示された空き空間３に第
１反応物が化学吸着及び物理吸着される。ここでも図１
と同じく基板１の表面には第１反応物が化学吸着され、
化学吸着された第１反応物上に物理吸着された第１反応
物が形成される。 【００１７】図４を参照すると、前記化学吸着された第
１反応物が形成された基板１を含むチャンバを減圧にポ
ンピングしたり不活性ガス等をパージして物理吸着され
た第１反応物をすべて取り除く。このように第１反応物
の注入及び物理吸着された第１反応物の除去過程を二回
経るようになると、基板１の表面には稠密するように化
学吸着されている第１反応物、すなわち固体状態のＡＲ
ｎ（ｓ）のみ残っているようになって化学配位子などの
不純物が完全に取り除かれる。ここで、ｓは固体状態を
示す。本実施例で、前記図１乃至図４の過程を２回以上
反復することもある。 【００１８】図５を参照すると、稠密するように化学吸
着された第１反応物が形成された基板１を含むチャンバ
にＢＰｎ（ｇ）という第２反応物を注入して化学吸着及
び物理吸着させる。前記基板の表面に吸着されている第
２反応物は化学吸着されていることであり、前記化学吸
着された第２反応物上に吸着された第２反応物は物理吸
着されているものである。このようになると、前記化学
吸着された第１反応物と第２反応物は化学置換方法によ
ってＡ及びＢ原子でなされた原子層単位の稠密しない単
一層を形成するようになる。この時、化学配位子である
ＲｎとＰｎは蒸気圧が高い状態で取り除かれる。ところ
が、図５の第２反応物は図１の第１反応物と同じく基板
の表面に稠密するように化学吸着されないため、前記第
２反応物は第１反応物と十分に化学置換されなくて単一
層内に不純物が発生したり化学量論的な組成比が合わな
くなる。 【００１９】図６を参照すると、前記稠密しない単一層
及び物理吸着された第２反応物が形成された基板を含む
チャンバを減圧にポンピングしたり不活性ガス等をパー
ジして物理吸着された第２反応物を取り除く。このよう
になると、基板の表面には化学吸着されている固体状態
の単一層が形成される。ところが、図６の固体状態の単
一層はＡＲｎＢＰｎ（ｓ）形態になってＲｎＰｎ（ｓ）
の不純物が残っているため化学量論的な組成比が合わな
くて膜密度が低下される。ここで、ｓは固体状態を示
す。 【００２０】図７を参照すると、前述した化学量論的な
組成比と膜密度を向上させるために、固体状態の稠密し
ない単一層が形成された基板を含むチャンバに再びＢＰ
ｎ（ｇ）という第２反応物を注入して前記基板の表面に
第２反応物を化学吸着及び物理吸着させる。前記基板の
表面に吸着されている第２反応物は化学吸着されている
ことであり、前記化学吸着された第２反応物上に吸着さ
れた第２反応物は物理吸着されていることである。この
ようになると、前記化学吸着された第１反応物と第２反
応物は化学置換方法によってＡ及びＢ原子でなされた、
原子層単位の厚さを有する稠密した単一層を形成するよ
うになる。この時、化学配位子であるＲｎとＰｎは蒸気
圧が高い気体状態で取り除かれる。 【００２１】ところが、図７の第２反応物は図５で稠密
するように化学吸着されない基板の表面に化学吸着され
るために、前記第２反応物は稠密した第１反応物と十分
に化学置換されて単一層内に不純物を減少させ化学量論
的な組成比も合うようになる。 【００２２】図８を参照すると、前記稠密した単一層と
物理吸着された第２反応物が形成された基板を含むチャ
ンバを不活性ガス等でパージしたり減圧にポンピングし
て物理吸着された第２反応物をすべて取り除く。このよ
うになると、基板の表面には稠密するように化学吸着さ
れている固体状態の稠密した単一層、すなわちＡＢ
（ｓ）のみ残るようになる。ここで、ｓは固体状態を示
す。本実施例で、前記図５乃至図８の過程を２回以上反
復することもできる。 【００２３】一方、図８では基板の表面上にＡとＢが形
成されてＡＢ（ｓ）という化合物が形成されている。し
かし、本発明の原子層蒸着法を適用すると図９の９ａの
ように基板の表面にＡが形成され、Ａ上にＢが形成され
てＡＢ（ｓ）という化合物が形成されたり、図９の９ｂ
のように基板の表面にＡ及びＢが形成されて前記Ａ及び
Ｂ上に各々Ｂ及びＡが形成されて全体的にＡＢ（ｓ）と
いう化合物が形成されることができる。 【００２４】ここで、本発明の薄膜製造方法を用いて薄
膜を形成する過程を説明する。 【００２５】図１０は本発明の薄膜製造方法に利用され
た薄膜製造装置を説明するために示した概略図であり、
図１１は本発明の薄膜製造方法を説明するために示した
流れ図である。 【００２６】まず、チャンバ３０に基板１、例えば（１
００）のシリコン基板をローディングさせた後、ヒータ
ー５を用いて前記基板を１５０乃至３７５℃、望ましく
は３００℃の温度に維持する（ステップ１００）。この
時、前記基板を３００℃に維持するためにはヒーター５
の温度は約４５０℃に維持する。 【００２７】続いて、前記チャンバ３０を１５０乃至３
７５℃の工程温度に維持した状態で第１バブラ１２中に
ある第１反応物１１、例えばトリメチルアルミニウム
（Ａｌ（ＣＨ3）3：ＴＭＡ）を前記チャンバ３０に１ｍ
秒乃至１０秒間、望ましくは０．５秒間注入する（ステ
ップ１０５）。 【００２８】ここで、前記第１反応物１１の注入はバブ
リング方式を用いるが、ガスソース１９のアルゴンガス
１００ｓｃｃｍをキャリアガスとして２０乃至２２℃に
維持された第１バブラ１２に注入して前記液体状態の第
１反応物１１をガス形態に変更させた後、バルブ９を選
択的に作動させて第１ガスライン１３及びシャワーヘッ
ド１５を通して注入する。そして、前記第１反応物１１
の注入時前記第１反応物１１の流速の向上及び稀釈のた
めに前記ガスソース１９の窒素ガスを第２ガスライン１
８及びシャワーヘッド１５を通して４００ｓｃｃｍ注入
する。結果的に、第１反応物１１の注入時チャンバ３０
に提供されるガスの量は５００ｓｃｃｍであり、この時
チャンバの圧力は１乃至２Ｔｏｒｒに維持する。このよ
うになると、基板１の表面に原子大きさ程度で第１反応
物１１が化学吸着され、前記化学吸着された第１反応物
１１上に物理吸着第１反応物１１が形成される。 【００２９】次に、前記１５０乃至３７５℃の工程温度
と１乃至２Ｔｏｒｒの工程圧力を維持した状態で、チャ
ンバ３０に選択的にバルブ９を作動させて第１ガスライ
ン１３または第２ガスライン１８を用いてガスソース１
９の窒素ガス４００ｓｃｃｍを０．１乃至１０秒間、望
ましくは１秒間パージして物理吸着された第１反応物を
取り除く（ステップ１１０）。本実施例では前記物理吸
着された第１反応物をパージして除去したが、パージし
なくて前記チャンバを真空状態にポンピングして物理吸
着された第１反応物を取り除くこともできる。 【００３０】次に、前記物理吸着された第１反応物が取
り除かれたチャンバ３０にステップ１０５のように第１
反応物１１を再び注入する（ステップ１１５）。この
時、前記ステップ１１５の第１反応物の注入時間はステ
ップ１０５の第１反応物の注入時間より同じであったり
短くする。続いて、前記チャンバ３０にステップ１１０
のように物理吸着された第１反応物を取り除く（ステッ
プ１２０）。この時、前記ステップ１２０の物理吸着さ
れた第１反応物の除去時間はステップ１１０の第１反応
物の除去時間より同じであったり短くする。このように
第１反応物の注入、第１パージ過程を再び反復的に実施
すると、基板上に稠密するように化学吸着された第１反
応物が形成される。本実施例では前記第１反応物の注入
及び物理吸着された第１反応物除去過程を順次的に各々
２回実施したが、さらに実施することもある。 【００３１】次に、稠密するように化学吸着された第１
反応物が形成された基板が含まれたチャンバに前記１５
０乃至３７５℃の工程温度と１乃至２Ｔｏｒｒの工程圧
力を維持した状態で、第２バブラ１４中にある第２反応
物１７、例えば純水をバルブ１０を選択的に作動させて
ガスライン１６及びシャワーヘッド１５を通して１ｍ秒
乃至１０秒間、望ましくは０．５秒間注入する（ステッ
プ１２５）。 【００３２】ここで、前記第２反応物１７の注入方法は
第１反応物の注入と同一にバブリング方式を用いる。す
なわち、ガスソース１９のアルゴンガス１００ｓｃｃｍ
をキャリアガスとして２０乃至２２℃に維持された第２
バブラ１４に注入して前記液体状態の第２反応物１７を
ガス形態に変更させた後、第３ガスライン１６及びシャ
ワーヘッド１５を通して注入する。そして、前記第２反
応物１７の注入時前記第２反応物１７の流速の向上及び
稀釈のために、前記ガスソース１９の窒素ガスを第２ガ
スライン１８及びシャワーヘッド１５を通して４００ｓ
ｃｃｍ注入する。結果的に、第２反応物１７の注入時チ
ャンバ３０に提供されるガスの量は５００ｓｃｃｍであ
り、この時チャンバ３０の圧力は１乃至２Ｔｏｒｒに維
持する。このようになると、稠密するように化学吸着さ
れた第１反応物が形成された基板１上に第２反応物が化
学吸着され、前記化学吸着された第２反応物と第１反応
物上に第２反応物が物理吸着される。そして、前記稠密
するように化学吸着された第１反応物と稠密するように
化学吸着されない第２反応物は化学置換方法によって原
子層単位の稠密しないアルミニウム酸化膜を形成させ
る。 【００３３】次に、前記１５０乃至３７５℃の工程温度
と１乃至２Ｔｏｒｒの工程圧力を維持した状態で稠密し
ない原子層単位のアルミニウム酸化膜が形成された基板
を含むチャンバ３０に選択的にバルブ１０を作動させて
第２ガスライン１８または第３ガスライン１６を用いて
ガスソース１９の窒素ガス４００ｓｃｃｍを０．１乃至
１０秒間、望ましくは１秒間パージして物理吸着された
第２反応物を取り除く（ステップ１３０）。本実施例で
は前記物理吸着された第２反応物をパージして除去した
が、パージしなくて前記チャンバを真空状態にポンピン
グして物理吸着された第２反応物を取り除くこともあ
る。 【００３４】次に、前記物理吸着された第２反応物が取
り除かれたチャンバ３０にステップ１２５のように第２
反応物１１を再び注入する（ステップ１３５）。この
時、前記ステップ１３５の第２反応物の注入時間はステ
ップ１２５の第２反応物の注入時間より同じであったり
短くする。続いて、前記チャンバ３０に段階１３０のよ
うに物理吸着された第２反応物を取り除く（ステップ１
４０）。このように第２反応物の注入、物理吸着された
第２反応物の除去過程を再び反復的に実施すると、基板
上に稠密するように化学吸着された第２反応物が形成さ
れる。結果的に、前記稠密するように化学吸着された第
１反応物と稠密するように化学吸着された第２反応物は
化学置換方法によって原子層単位の稠密したアルミニウ
ム酸化膜を形成するようになる。本実施例では前記第２
反応物の注入及び物理吸着された第２反応物除去過程を
順次的に各々２回実施したが、さらに実施することもあ
る。 【００３５】以後に、前記したような原子層大きさの薄
膜を形成する段階、すなわち第１反応物注入段階（ステ
ップ１０５）から物理吸着された第２反応物除去段階
（ステップ１４０）までを周期的に反復遂行して適正厚
さ、例えば１０Å乃至１０００Å程度の薄膜が形成され
たのかを確認する（ステップ１４５）。適正厚さになる
と前記サイクルを反復しなくてチャンバの工程温度と工
程圧力を常温及び常圧に維持することによって薄膜製造
過程を完了する（ステップ１５０）。 【００３６】前記図１１で、第１反応物及び第２反応物
を各々トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3：ＴＭ
Ａ）及び純水を用いてアルミニウム酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）
を形成したが、第１反応物と第２反応物を各々ＴｉＣｌ
4とＮＨ3を用いればＴｉＮ膜を形成することができる。
そして、第１反応物及び第２反応物としてＭｏＣｌ5と
Ｈ2を用いればＭｏ膜を形成することができる。 【００３７】さらに、本発明の薄膜製造方法によると前
記アルミニウム酸化膜、ＴｉＮ膜、Ｍｏ膜以外の、単原
子の固体薄膜、単原子酸化物、複合酸化物、単原子窒化
物または複合窒化物を形成することができる。前記単原
子の固体薄膜の例としてはＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐ
ｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、ＷまたはＡｇを挙げることがで
き、単原子酸化物の例としてはＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＯ2、Ｙ2Ｏ
3、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＲｕＯ2又はＩｒＯ2等を挙げる
ことができ、複合酸化物の例としてはＳｒＴｉＯ3、Ｐ
ｂＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、（Ｂａ、Ｓ
ｒ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｐｂ、Ｌａ）
（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｓｒ、Ｃａ）ＲｕＯ3、Ｓｎがド
ーピングされたＩｎ2Ｏ3、ＦｅがドーピングされたＩｎ
2Ｏ3又はＺｒがドーピングされたＩｎ 2Ｏ3を挙げること
ができる。また、前記単原子窒化物の例としてはＳｉ
Ｎ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｙａ3Ｎ5、Ａｌ
Ｎ、ＧａＮ、ＷＮ又はＢＮを挙げることができ、前記複
合窒化物の例としてはＷＢＮ、ＷＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、
ＴａＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ又はＡｌＴｉＮを挙げることが
できる。 【００３８】以上のように本発明の薄膜製造方法は工程
温度と工程圧力を一定に維持した状態で、第１反応物注
入、物理吸着された第１反応物の除去を反復的に遂行し
た後、第２反応物注入及び物理吸着された第２反応物の
除去を反復的に遂行する。このようになると、基板上に
第１反応物が稠密するように蒸着された状態で稠密する
ように蒸着される第２反応物と化学置換によって反応す
るので、薄膜の膜密度が高くて優秀な化学量論的な薄膜
を得ることができる。 【００３９】図１２は本発明による薄膜製造方法によっ
て製造されたアルミニウム酸化膜のサイクル当厚さを示
したグラフである。 【００４０】具体的に、Ｘ軸はサイクル数を示す。ここ
で、一つのサイクルは図１１に説明されたように第１反
応物注入、物理吸着された第１反応物の除去、第１反応
物注入、物理吸着された第１反応物除去、第２反応物注
入及び物理吸着された第２反応物の除去、第２反応物注
入、物理吸着された第２反応物を取り除く段階を示す。
また、Ｙ軸はアルミニウム酸化膜の厚さを示す。図１２
に示されたように本発明の薄膜製造方法によると、アル
ミニウム酸化膜がサイクル当１．１Åの厚さに成長さ
れ、これは理論値と類似な値を示す。 【００４１】図１３は本発明による薄膜製造方法によっ
て製造されたアルミニウム酸化膜の基板内均一度を説明
するために示したグラフである。 【００４２】具体的に、Ｘ軸は８インチ基板の中央点、
前記中央点を中心に１．７５インチの半径を有する円で
９０度間隔で４点、前記中央点を中心に３．５インチの
半径を有する円で９０度間隔で４点を合せて総９点の測
定位置を示す。Ｙ軸はアルミニウム酸化膜の厚さを示
す。図１３に示されたように８インチ基板内で均一度が
非常に優秀なことが分かる。 【００４３】図１４及び図１５は各々本発明及び従来方
法によって製造されたアルミニウム酸化膜の波長による
屈折率を示したグラフである。Ｘ軸は４００乃至８００
ｎｍの波長を示し、Ｙ軸は屈折率を示す。 【００４４】具体的に、本発明によって製造されたアル
ミニウム酸化膜の屈折率は波長４００乃至８００ｎｍの
範囲で約１．６７乃至１．７３を示し、本発明では、波
長４００乃至８００ｎｍの範囲で約１．６７乃至１．７
３であることが好ましく、より好ましくは約１．６８９
乃至１．７１０である。特に、図１４及び図１５に示さ
れたように本発明によって製造されたアルミニウム酸化
膜の屈折率が５００ｎｍ波長で１．６９８であり、従来
方法アルミニウム酸化膜の屈折率１．６４９より大きく
て膜密度が高いことがわかる。また、本発明によって製
造されたアルミニウム酸化膜の屈折率は一般的な方法に
よって製造されたアルミニウム酸化膜を８５０℃で３０
分間アニーリングした後に測定した屈折率と類似し、本
発明のアルミニウム酸化膜はアニーリング工程が不要に
なる。 【００４５】 【発明の効果】前述したように本発明の薄膜製造方法に
よると、原子層蒸着法を用いるため段差被覆性と均一度
が優秀な薄膜を得ることができる。また、本発明の薄膜
製造方法によると、工程温度と工程圧力を一定に維持し
た状態でそれぞれの反応物を注入した後、パージまたは
ポンピングして不純物を完全に取り除く過程を反復的に
遂行することにより、基板上に反応物を稠密するように
化学吸着させることができる。このようになると、膜密
度が高く、優秀な化学量論的な薄膜を得ることができ
る。 【００４６】以上、実施例を通して本発明を具体的に説
明したが、本発明はこれに限らず、本発明の技術的思想
内で当分野で通常の知識でその変形や改良が可能であ
る。
【図面の簡単な説明】 【図１】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図２】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図３】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図４】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図５】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図６】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図７】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図８】本発明による原子層蒸着法を用いた薄膜を製造
する過程を説明するために示した図面である。 【図９】図９において９ａ及び９ｂは、本発明による原
子層蒸着法を用いて薄膜を製造した時、図８と異なるよ
うに形成された例を示した図面である。 【図１０】本発明の薄膜製造方法に利用された薄膜製造
装置を説明するために示した概略図である。 【図１１】本発明の薄膜製造方法を説明するために示し
た流れ図である。 【図１２】本発明による薄膜製造方法によって製造され
たアルミニウム酸化膜のサイクル当厚さを示したグラフ
である。 【図１３】本発明による薄膜製造方法によって製造され
たアルミニウム酸化膜の基板内均一度を説明するために
示したグラフである。 【図１４】本発明によって製造されたアルミニウム酸化
膜の波長による屈折率を示したグラフである。 【図１５】従来方法によって製造されたアルミニウム酸
化膜の波長による屈折率を示したグラフである。 【符号の説明】 １ 基板 ５ ヒーター ９ バルブ １２、１４ バブラ １９ ガスソース ３０ チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 昌 洙 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘１洞167 −17番地 宇宙タウン11棟101號 (72)発明者 李 相 ▲みん▼ 大韓民国ソウル特別市江南區新沙洞524− 28番地

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （Ａ）基板がローディングされたチャン
    バに第１反応物を注入して前記基板上に前記第１反応物
    を化学吸着させる段階と、 （Ｂ）前記化学吸着された第１反応物上に物理吸着され
    た第１反応物を取り除く段階と、 （Ｃ）前記チャンバに再び前記第１反応物を注入して前
    記基板上に稠密するように化学吸着させる段階と、 （Ｄ）前記稠密するように化学吸着された第１反応物上
    に物理吸着された第１反応物を取り除く段階と、 （Ｅ）前記チャンバに第２反応物を注入して前記基板の
    表面に化学吸着させる段階と、 （Ｆ）前記稠密するように化学吸着された第１反応物と
    第２反応物上に物理吸着された第２反応物を取り除く段
    階と、 （Ｇ）前記チャンバに再び前記第２反応物を注入して前
    記基板上に前記第２反応物を稠密するように吸着させて
    化学置換によって固体薄膜を形成することを特徴とする
    薄膜製造方法。 【請求項２】 前記（Ｇ）段階後、 （Ｈ）物理吸着された第２反応物と前記（Ｇ）段階の化
    学置換時生成される残留物を取り除く段階をさらに含ん
    でなされることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造
    方法。 【請求項３】 前記（Ｂ）、（Ｄ）および（Ｆ）におけ
    る取り除く段階が、前記チャンバのパージまたはポンピ
    ングによることを特徴とする請求項１記載の薄膜膜製造
    方法。 【請求項４ 】 前記取り除く段階が、前記チャンバの
    パージまたはポンピングによることを特徴とする請求項
    ２記載の得る膜製造方法。 【請求項５】 前記（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）及び（Ｈ）
    段階の第２反応物注入及び物理吸着された第２反応物及
    び残留物の除去を順次的に２回以上反復して実施するこ
    とを特徴とする請求項２または４に記載の薄膜製造方
    法。 【請求項６】 前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）段
    階の第１反応物注入及び物理吸着された第１反応物の除
    去を順次的に２回以上反復して実施することを特徴とす
    る請求項１に記載の薄膜製造方法。 【請求項７】 前記（Ｃ）段階の第１反応物の注入時間
    は（Ａ）段階の第１反応物の注入時間と同じであったり
    短いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 【請求項８】 前記（Ｇ）段階の第２反応物の注入時間
    は（Ｅ）段階の第２反応物の注入時間と同じであったり
    短いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 【請求項９】 前記基板は（１００）のシリコン基板で
    あることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 【請求項１０】 前記第１反応物及び第２反応物は各々
    前記固体薄膜を構成する元素と化学配位子で構成されて
    いることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 【請求項１１】 前記固体薄膜は単原子、単原子酸化
    物、複合酸化物、単原子窒化物及び複合窒化物でなされ
    た一群から選択されたいずれか一つで形成されることを
    特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。 【請求項１２】 前記単原子はＭｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔ
    ｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ及びＡｇでなさ
    れた一群から選択されたいずれか一つであることを特徴
    とする請求項１１に記載の薄膜製造方法。 【請求項１３】 前記単原子酸化物はＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ
    2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＯ2、
    Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＲｕＯ2及びＩｒＯ2でな
    された一群から選択されたいずれか一つであることを特
    徴とする請求項１１に記載の薄膜製造方法。 【請求項１４】 前記Ａｌ2Ｏ3でなされた膜の屈折率は
    ４００乃至８００ｎｍの波長範囲で１．６７乃至１．７
    ３であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜製造
    方法。 【請求項１５】 前記複合酸化物はＳｒＴｉＯ3、Ｐｂ
    ＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ 3、ＣａＲｕＯ3、（Ｂａ、Ｓｒ）
    ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚ
    ｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｓｒ、Ｃａ）ＲｕＯ3、Ｓｎがドーピ
    ングされたＩｎ 2Ｏ3、ＦｅがドーピングされたＩｎ2Ｏ3
    及びＺｒがドーピングされたＩｎ2Ｏ3でなされた一群か
    ら選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求
    項１１に記載の薄膜製造方法。 【請求項１６】 前記単原子窒化物はＳｉＮ、ＮｂＮ、
    ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｙａ3Ｎ5、ＡｌＮ、ＧａＮ、
    ＷＮ及びＢＮでなされた一群から選択されたいずれか一
    つであることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜製造
    方法。 【請求項１７】 前記複合窒化物はＷＢＮ、ＷＳｉＮ、
    ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ及びＡｌＴｉＮで
    なされた一群から選択されたいずれか一つであることを
    特徴とする請求項１１に記載の薄膜製造方法。
JP03441399A 1998-08-07 1999-02-12 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法 Expired - Fee Related JP4057184B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR98P32139 1998-08-07
KR1019980032139A KR100275738B1 (ko) 1998-08-07 1998-08-07 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000054134A true JP2000054134A (ja) 2000-02-22
JP4057184B2 JP4057184B2 (ja) 2008-03-05

Family

ID=19546659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03441399A Expired - Fee Related JP4057184B2 (ja) 1998-08-07 1999-02-12 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6270572B1 (ja)
JP (1) JP4057184B2 (ja)
KR (1) KR100275738B1 (ja)
CN (1) CN1200135C (ja)
DE (1) DE19853598B4 (ja)
GB (1) GB2340508B (ja)
TW (1) TW432119B (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250823A (ja) * 2000-03-08 2001-09-14 Ulvac Japan Ltd 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置
JP2002060947A (ja) * 2000-07-07 2002-02-28 Asm Internatl Nv 原子層のｃｖｄ
JP2002075989A (ja) * 2000-06-30 2002-03-15 Hynix Semiconductor Inc ジルコニウム酸化膜の製造方法
WO2002045175A1 (fr) * 2000-11-29 2002-06-06 Sony Corporation Mémoire non-volatile et procédé de fabrication
JP2002313951A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2002367982A (ja) * 2001-05-07 2002-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 多成分系薄膜及びその形成方法
JP2003526218A (ja) * 2000-03-07 2003-09-02 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 傾斜薄膜
JP2005229129A (ja) * 2000-06-08 2005-08-25 Genitech Inc 薄膜形成方法
JP2006524434A (ja) * 2003-04-23 2006-10-26 ジーナス インコーポレーテッド 短時促進原子層堆積
US7157359B2 (en) 2000-12-29 2007-01-02 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming a metal gate in a semiconductor device using atomic layer deposition process
JP2008053326A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
JP2008174842A (ja) * 1999-10-06 2008-07-31 Samsung Electronics Co Ltd 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
JP2009076542A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
JP2009212303A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP2009278131A (ja) * 2000-09-18 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd 絶縁体の成膜方法
JP2010090413A (ja) * 2008-10-04 2010-04-22 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
US7981791B2 (en) 2000-03-07 2011-07-19 Asm International N.V. Thin films
US8169013B2 (en) 2001-06-13 2012-05-01 Renesas Electronics Corporation Metal-insulator-metal (MIM) capacitor having capacitor dielectric material selected from a group consisting of ZRO2, HFO2, (ZRX, HF1-X)O2 (0<x<1), (ZRy, Ti (O<y<1), (Hfz, Ti-z)O2 (O<z<1) and (Zrk, Ti1, Hfm)O2 (O<K, 1, m<1, K+1+m=1)
JP2013542580A (ja) * 2010-08-02 2013-11-21 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド サイクリック薄膜の蒸着方法
US9466478B2 (en) 2013-03-29 2016-10-11 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
US11784044B2 (en) 2020-09-24 2023-10-10 Kokusai Electric Corporation Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Families Citing this family (612)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
KR20010042649A (ko) 1999-02-12 2001-05-25 베리 아이클스 텅스텐 질화물의 화학기상증착
US6200893B1 (en) * 1999-03-11 2001-03-13 Genus, Inc Radical-assisted sequential CVD
US6391785B1 (en) * 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
US6511539B1 (en) 1999-09-08 2003-01-28 Asm America, Inc. Apparatus and method for growth of a thin film
US6576053B1 (en) 1999-10-06 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming thin film using atomic layer deposition method
DE10049257B4 (de) * 1999-10-06 2015-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Verfahren zur Dünnfilmerzeugung mittels atomarer Schichtdeposition
US6727169B1 (en) 1999-10-15 2004-04-27 Asm International, N.V. Method of making conformal lining layers for damascene metallization
KR100363084B1 (ko) * 1999-10-19 2002-11-30 삼성전자 주식회사 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법
US6780704B1 (en) 1999-12-03 2004-08-24 Asm International Nv Conformal thin films over textured capacitor electrodes
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
US6319766B1 (en) 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
US20010052752A1 (en) * 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US6759325B2 (en) 2000-05-15 2004-07-06 Asm Microchemistry Oy Sealing porous structures
US6482733B2 (en) 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Protective layers prior to alternating layer deposition
US6878628B2 (en) 2000-05-15 2005-04-12 Asm International Nv In situ reduction of copper oxide prior to silicon carbide deposition
US6679951B2 (en) 2000-05-15 2004-01-20 Asm Intenational N.V. Metal anneal with oxidation prevention
KR100775159B1 (ko) 2000-05-15 2007-11-12 에이에스엠 인터내셔널 엔.붸. 집적회로의 생산 공정
US7494927B2 (en) 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
KR20010114050A (ko) * 2000-06-20 2001-12-29 박종섭 반도체 소자의 알루미늄 산화막 형성 방법
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6458416B1 (en) * 2000-07-19 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Deposition methods
US7192888B1 (en) 2000-08-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Low selectivity deposition methods
US7112503B1 (en) * 2000-08-31 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Enhanced surface area capacitor fabrication methods
US6420230B1 (en) * 2000-08-31 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Capacitor fabrication methods and capacitor constructions
US7094690B1 (en) 2000-08-31 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Deposition methods and apparatuses providing surface activation
US7217615B1 (en) * 2000-08-31 2007-05-15 Micron Technology, Inc. Capacitor fabrication methods including forming a conductive layer
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
GB0026868D0 (en) 2000-11-03 2000-12-20 Isis Innovation Control of deposition and other processes
KR100385947B1 (ko) * 2000-12-06 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법
KR100539963B1 (ko) * 2000-12-27 2005-12-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 유전체막 형성 방법
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
AU2002306436A1 (en) 2001-02-12 2002-10-15 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
WO2002071506A1 (en) * 2001-02-15 2002-09-12 Emagin Corporation Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7491634B2 (en) 2006-04-28 2009-02-17 Asm International N.V. Methods for forming roughened surfaces and applications thereof
US9139906B2 (en) 2001-03-06 2015-09-22 Asm America, Inc. Doping with ALD technology
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
KR100853903B1 (ko) * 2001-03-20 2008-08-25 맷슨 테크놀로지, 인크. 비교적 높은 유전율을 갖는 코팅을 기판 상에 증착하는 방법
US6812101B2 (en) 2001-04-02 2004-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacture thereof
DE10121132A1 (de) 2001-04-30 2002-10-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer metallischen oder metallhaltigen Schicht unter Verwendung eines Präkursors auf einer silizium- oder germaniumhaltigen Schicht, insbesondere eines elektronischen Bauelements
US6528430B2 (en) * 2001-05-01 2003-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3
US6596643B2 (en) * 2001-05-07 2003-07-22 Applied Materials, Inc. CVD TiSiN barrier for copper integration
KR100474847B1 (ko) * 2001-05-07 2005-03-08 삼성전자주식회사 다성분계 박막 및 그 형성 방법
US6759081B2 (en) * 2001-05-11 2004-07-06 Asm International, N.V. Method of depositing thin films for magnetic heads
JP2002339071A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Ａｌｃｖｄシステムにおける処理ガス供給機構
US6828218B2 (en) * 2001-05-31 2004-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a thin film using atomic layer deposition
US6391803B1 (en) * 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US6656835B2 (en) * 2001-06-21 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Process for low temperature atomic layer deposition of Rh
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
JP2005518088A (ja) * 2001-07-16 2005-06-16 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド タングステン複合膜の形成
US20030198754A1 (en) * 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
EP1421606A4 (en) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS
US7368014B2 (en) * 2001-08-09 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Variable temperature deposition methods
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
TW589684B (en) * 2001-10-10 2004-06-01 Applied Materials Inc Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
US6461436B1 (en) * 2001-10-15 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance
DE60204043T2 (de) * 2001-10-15 2006-01-19 Micron Technology, Inc. Vorrichtung und verfahren zur abscheidung von atomaren schichten
US7204886B2 (en) 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
JP4711624B2 (ja) * 2001-10-26 2011-06-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 銅電極形成アプリケーションのためのａｌｄ窒化タンタル及びアルファ相タンタルの集積
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
KR100760291B1 (ko) * 2001-11-08 2007-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
US6821891B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US7426067B1 (en) 2001-12-17 2008-09-16 Regents Of The University Of Colorado Atomic layer deposition on micro-mechanical devices
US6939801B2 (en) * 2001-12-21 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material
US6809026B2 (en) 2001-12-21 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a metal film
KR100449247B1 (ko) * 2001-12-26 2004-09-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 커패시터의 Ｉｒ／Ｉｒ02 전극 제조방법
KR100443350B1 (ko) * 2001-12-29 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 스트론튬루테늄산화물의 단원자층 증착 방법
US20030129446A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-10 Memscap Le Parc Technologique Des Fontaines Multilayer structure used especially as a material of high relative permittivity
FR2842830B1 (fr) * 2002-07-25 2004-08-27 Memscap Structure multicouche utilisee notamment en tant que materiau de forte permittivite
FR2834242B1 (fr) * 2001-12-31 2004-07-02 Memscap Structure multicouche, utilisee notamment en tant que materiau de forte permittivite relative
CN1643179B (zh) * 2002-01-17 2010-05-26 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6926572B2 (en) * 2002-01-25 2005-08-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6787185B2 (en) 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US6893506B2 (en) * 2002-03-11 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition apparatus and method
US6825134B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
WO2003088334A2 (en) * 2002-04-09 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Deposition of gate metallization and passivation layers for active matrix liquid crystal display (amlcd) applications
US7279432B2 (en) * 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US6861094B2 (en) * 2002-04-25 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces
KR100468729B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-29 삼성전자주식회사 Ｈｃｄ 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법
WO2003092166A1 (en) * 2002-04-25 2003-11-06 Kashya Israel Ltd. An apparatus for continuous compression of large volumes of data
KR100472730B1 (ko) * 2002-04-26 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 원자층증착법을 이용한 반도체 소자의 금속전극 형성방법
US20030215570A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon nitride
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7041335B2 (en) * 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
KR100469126B1 (ko) * 2002-06-05 2005-01-29 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법
US20030232501A1 (en) 2002-06-14 2003-12-18 Kher Shreyas S. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
US7067439B2 (en) * 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US6858547B2 (en) * 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
KR100505668B1 (ko) * 2002-07-08 2005-08-03 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US20040013803A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7066194B2 (en) * 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US7150789B2 (en) * 2002-07-29 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US20050084610A1 (en) * 2002-08-13 2005-04-21 Selitser Simon I. Atmospheric pressure molecular layer CVD
US7186630B2 (en) 2002-08-14 2007-03-06 Asm America, Inc. Deposition of amorphous silicon-containing films
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6890596B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Deposition methods
US6753271B2 (en) * 2002-08-15 2004-06-22 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US7425493B2 (en) * 2002-08-17 2008-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming dielectric structures and capacitors
US6673701B1 (en) * 2002-08-27 2004-01-06 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US7540920B2 (en) * 2002-10-18 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Silicon-containing layer deposition with silicon compounds
US20040074438A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Novel method to reduce resistivity of atomic layer tungsten chemical vapor depositon
US7553686B2 (en) * 2002-12-17 2009-06-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices
WO2004064147A2 (en) 2003-01-07 2004-07-29 Applied Materials, Inc. Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials
US20040134427A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Derderian Garo J. Deposition chamber surface enhancement and resulting deposition chambers
US6753248B1 (en) 2003-01-27 2004-06-22 Applied Materials, Inc. Post metal barrier/adhesion film
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US7084076B2 (en) * 2003-02-27 2006-08-01 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming silicon dioxide film using siloxane
US20040177813A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
WO2004113585A2 (en) 2003-06-18 2004-12-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US7440255B2 (en) * 2003-07-21 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Capacitor constructions and methods of forming
US20050045092A1 (en) * 2003-09-03 2005-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Method of multi-element compound deposition by atomic layer deposition for IC barrier layer applications
US7235482B2 (en) * 2003-09-08 2007-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a contact interconnection layer containing a metal and nitrogen by atomic layer deposition for deep sub-micron semiconductor technology
US20050067103A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US7166528B2 (en) 2003-10-10 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US20050109276A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US7087497B2 (en) * 2004-03-04 2006-08-08 Applied Materials Low-thermal-budget gapfill process
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US6987063B2 (en) * 2004-06-10 2006-01-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method to reduce impurity elements during semiconductor film deposition
US7241686B2 (en) * 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
US20060019032A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Yaxin Wang Low thermal budget silicon nitride formation for advance transistor fabrication
US20060084283A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
US7312128B2 (en) * 2004-12-01 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Selective epitaxy process with alternating gas supply
US7560352B2 (en) * 2004-12-01 2009-07-14 Applied Materials, Inc. Selective deposition
US7682940B2 (en) 2004-12-01 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Use of Cl2 and/or HCl during silicon epitaxial film formation
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US7235492B2 (en) * 2005-01-31 2007-06-26 Applied Materials, Inc. Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces
US7687383B2 (en) * 2005-02-04 2010-03-30 Asm America, Inc. Methods of depositing electrically active doped crystalline Si-containing films
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US8025922B2 (en) 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
WO2006098565A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Ips Ltd. Method of depositing thin film using ald process
US7651955B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7648927B2 (en) 2005-06-21 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US20060286774A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-21 Applied Materials. Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US20070054048A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Suvi Haukka Extended deposition range by hot spots
US20070082507A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the low temperature deposition of doped silicon nitride films
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US8993055B2 (en) * 2005-10-27 2015-03-31 Asm International N.V. Enhanced thin film deposition
US7850779B2 (en) 2005-11-04 2010-12-14 Applied Materisals, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
GB2432363B (en) * 2005-11-16 2010-06-23 Epichem Ltd Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition
US8060713B1 (en) 2005-12-21 2011-11-15 Emc (Benelux) B.V., S.A.R.L. Consolidating snapshots in a continuous data protection system using journaling
US7849361B2 (en) * 2005-12-22 2010-12-07 Emc Corporation Methods and apparatus for multiple point in time data access
KR20080089403A (ko) * 2005-12-22 2008-10-06 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 도핑된 반도체 물질들의 에피택시 증착
KR101522725B1 (ko) * 2006-01-19 2015-05-26 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 고온 원자층 증착용 인렛 매니폴드
KR101379015B1 (ko) 2006-02-15 2014-03-28 한국에이에스엠지니텍 주식회사 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 루테늄 막 증착 방법 및고밀도 루테늄 층
US7674337B2 (en) * 2006-04-07 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Gas manifolds for use during epitaxial film formation
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7501355B2 (en) * 2006-06-29 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Decreasing the etch rate of silicon nitride by carbon addition
US7588980B2 (en) * 2006-07-31 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Methods of controlling morphology during epitaxial layer formation
JP5090451B2 (ja) 2006-07-31 2012-12-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 炭素含有シリコンエピタキシャル層の形成方法
US7521379B2 (en) 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
US8268409B2 (en) * 2006-10-25 2012-09-18 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition of metal carbide films
US8092695B2 (en) * 2006-10-30 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US20080099436A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US7611751B2 (en) 2006-11-01 2009-11-03 Asm America, Inc. Vapor deposition of metal carbide films
US7692222B2 (en) * 2006-11-07 2010-04-06 Raytheon Company Atomic layer deposition in the formation of gate structures for III-V semiconductor
US20080145536A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Applied Materials, Inc. METHOD AND APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE AND LOW K SiBN DEPOSITION
US20080171436A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Asm Genitech Korea Ltd. Methods of depositing a ruthenium film
US7598170B2 (en) * 2007-01-26 2009-10-06 Asm America, Inc. Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films
US7595270B2 (en) * 2007-01-26 2009-09-29 Asm America, Inc. Passivated stoichiometric metal nitride films
US8821637B2 (en) 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
DE102007004867B4 (de) 2007-01-31 2009-07-30 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Erhöhen der Zuverlässigkeit von kupferbasierten Metallisierungsstrukturen in einem Mikrostrukturbauelement durch Anwenden von Aluminiumnitrid
US7713874B2 (en) * 2007-05-02 2010-05-11 Asm America, Inc. Periodic plasma annealing in an ALD-type process
KR20090018290A (ko) * 2007-08-17 2009-02-20 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US7759199B2 (en) 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
US7678298B2 (en) 2007-09-25 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes
US7585762B2 (en) 2007-09-25 2009-09-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials
US7824743B2 (en) 2007-09-28 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum
KR101544198B1 (ko) 2007-10-17 2015-08-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 루테늄 막 형성 방법
US7939447B2 (en) * 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US7655564B2 (en) 2007-12-12 2010-02-02 Asm Japan, K.K. Method for forming Ta-Ru liner layer for Cu wiring
KR101609396B1 (ko) * 2007-12-17 2016-04-05 라이프 테크놀로지스 코포레이션 무기 코팅된 중합체 표면에서 결함을 검출하는 방법
US20130020507A1 (en) 2010-06-17 2013-01-24 Life Technologies Corporation Methods for Detecting Defects in Inorganic-Coated Polymer Surfaces
US7655543B2 (en) * 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
US8041940B1 (en) 2007-12-26 2011-10-18 Emc Corporation Offloading encryption processing in a storage area network
US7860836B1 (en) 2007-12-26 2010-12-28 Emc (Benelux) B.V., S.A.R.L. Method and apparatus to recover data in a continuous data protection environment using a journal
US7958372B1 (en) 2007-12-26 2011-06-07 Emc (Benelux) B.V., S.A.R.L. Method and apparatus to convert a logical unit from a first encryption state to a second encryption state using a journal in a continuous data protection environment
US7840536B1 (en) 2007-12-26 2010-11-23 Emc (Benelux) B.V., S.A.R.L. Methods and apparatus for dynamic journal expansion
CN101215692B (zh) * 2008-01-04 2010-06-02 清华大学 多反应腔原子层沉积装置和方法
US7799674B2 (en) 2008-02-19 2010-09-21 Asm Japan K.K. Ruthenium alloy film for copper interconnects
US9501542B1 (en) 2008-03-11 2016-11-22 Emc Corporation Methods and apparatus for volume synchronization
US8545936B2 (en) 2008-03-28 2013-10-01 Asm International N.V. Methods for forming carbon nanotubes
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
KR101540077B1 (ko) 2008-04-16 2015-07-28 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 알루미늄 탄화수소 화합물들을 이용한 금속 카바이드 막들의 원자층 증착법
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
US7666474B2 (en) 2008-05-07 2010-02-23 Asm America, Inc. Plasma-enhanced pulsed deposition of metal carbide films
KR101436564B1 (ko) * 2008-05-07 2014-09-02 한국에이에스엠지니텍 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법
US7719443B1 (en) 2008-06-27 2010-05-18 Emc Corporation Compressing data in a continuous data protection environment
US8108634B1 (en) 2008-06-27 2012-01-31 Emc B.V., S.A.R.L. Replicating a thin logical unit
US8084104B2 (en) 2008-08-29 2011-12-27 Asm Japan K.K. Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US8060714B1 (en) 2008-09-26 2011-11-15 Emc (Benelux) B.V., S.A.R.L. Initializing volumes in a replication system
US7882286B1 (en) 2008-09-26 2011-02-01 EMC (Benelux)B.V., S.A.R.L. Synchronizing volumes for replication
US8133555B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Asm Japan K.K. Method for forming metal film by ALD using beta-diketone metal complex
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US7927942B2 (en) 2008-12-19 2011-04-19 Asm International N.V. Selective silicide process
US9379011B2 (en) 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
US8486191B2 (en) 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US8329569B2 (en) 2009-07-31 2012-12-11 Asm America, Inc. Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
US8392680B1 (en) 2010-03-30 2013-03-05 Emc International Company Accessing a volume in a distributed environment
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US20110256734A1 (en) 2010-04-15 2011-10-20 Hausmann Dennis M Silicon nitride films and methods
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8524612B2 (en) 2010-09-23 2013-09-03 Novellus Systems, Inc. Plasma-activated deposition of conformal films
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US8433869B1 (en) 2010-09-27 2013-04-30 Emc International Company Virtualized consistency group using an enhanced splitter
US8478955B1 (en) 2010-09-27 2013-07-02 Emc International Company Virtualized consistency group using more than one data protection appliance
US8335771B1 (en) 2010-09-29 2012-12-18 Emc Corporation Storage array snapshots for logged access replication in a continuous data protection system
US8694700B1 (en) 2010-09-29 2014-04-08 Emc Corporation Using I/O track information for continuous push with splitter for storage device
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
US8335761B1 (en) 2010-12-02 2012-12-18 Emc International Company Replicating in a multi-copy environment
US8647993B2 (en) 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9256605B1 (en) 2011-08-03 2016-02-09 Emc Corporation Reading and writing to an unexposed device
US8898112B1 (en) 2011-09-07 2014-11-25 Emc Corporation Write signature command
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
TWI586828B (zh) * 2012-02-10 2017-06-11 財團法人國家同步輻射研究中心 原子層沈積之摻雜方法
US8728955B2 (en) 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
US9223659B1 (en) 2012-06-28 2015-12-29 Emc International Company Generating and accessing a virtual volume snapshot in a continuous data protection system
US10235145B1 (en) 2012-09-13 2019-03-19 Emc International Company Distributed scale-out replication
US9336094B1 (en) 2012-09-13 2016-05-10 Emc International Company Scaleout replication of an application
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20140256966A1 (en) 2013-03-08 2014-09-11 Wisconsin Alumni Research Foundation Method to stabilize base metal catalysts by overcoating via atomic layer deposition and resulting product
US9412602B2 (en) 2013-03-13 2016-08-09 Asm Ip Holding B.V. Deposition of smooth metal nitride films
US8846550B1 (en) 2013-03-14 2014-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silane or borane treatment of metal thin films
US9110914B1 (en) 2013-03-14 2015-08-18 Emc Corporation Continuous data protection using deduplication-based storage
US8841182B1 (en) 2013-03-14 2014-09-23 Asm Ip Holding B.V. Silane and borane treatments for titanium carbide films
US9696939B1 (en) 2013-03-14 2017-07-04 EMC IP Holding Company LLC Replicating data using deduplication-based arrays using network-based replication
US9383937B1 (en) 2013-03-14 2016-07-05 Emc Corporation Journal tiering in a continuous data protection system using deduplication-based storage
US8996460B1 (en) 2013-03-14 2015-03-31 Emc Corporation Accessing an image in a continuous data protection using deduplication-based storage
US9081842B1 (en) 2013-03-15 2015-07-14 Emc Corporation Synchronous and asymmetric asynchronous active-active-active data access
US9244997B1 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Emc Corporation Asymmetric active-active access of asynchronously-protected data storage
US9152339B1 (en) 2013-03-15 2015-10-06 Emc Corporation Synchronization of asymmetric active-active, asynchronously-protected storage
JP6245643B2 (ja) 2013-03-28 2017-12-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US9069709B1 (en) 2013-06-24 2015-06-30 Emc International Company Dynamic granularity in data replication
US9087112B1 (en) 2013-06-24 2015-07-21 Emc International Company Consistency across snapshot shipping and continuous replication
US9146878B1 (en) 2013-06-25 2015-09-29 Emc Corporation Storage recovery from total cache loss using journal-based replication
US9367260B1 (en) 2013-12-13 2016-06-14 Emc Corporation Dynamic replication system
US9405765B1 (en) 2013-12-17 2016-08-02 Emc Corporation Replication of virtual machines
US9158630B1 (en) 2013-12-19 2015-10-13 Emc Corporation Testing integrity of replicated storage
US9394609B2 (en) 2014-02-13 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of aluminum fluoride thin films
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9189339B1 (en) 2014-03-28 2015-11-17 Emc Corporation Replication of a virtual distributed volume with virtual machine granualarity
US10643925B2 (en) 2014-04-17 2020-05-05 Asm Ip Holding B.V. Fluorine-containing conductive films
US10082980B1 (en) 2014-06-20 2018-09-25 EMC IP Holding Company LLC Migration of snapshot in replication system using a log
US9274718B1 (en) 2014-06-20 2016-03-01 Emc Corporation Migration in replication system
US9619543B1 (en) 2014-06-23 2017-04-11 EMC IP Holding Company LLC Replicating in virtual desktop infrastructure
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US10324798B1 (en) 2014-09-25 2019-06-18 EMC IP Holding Company LLC Restoring active areas of a logical unit
US10101943B1 (en) 2014-09-25 2018-10-16 EMC IP Holding Company LLC Realigning data in replication system
US10437783B1 (en) 2014-09-25 2019-10-08 EMC IP Holding Company LLC Recover storage array using remote deduplication device
US9910621B1 (en) 2014-09-29 2018-03-06 EMC IP Holding Company LLC Backlogging I/O metadata utilizing counters to monitor write acknowledgements and no acknowledgements
US9529885B1 (en) 2014-09-29 2016-12-27 EMC IP Holding Company LLC Maintaining consistent point-in-time in asynchronous replication during virtual machine relocation
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10002936B2 (en) 2014-10-23 2018-06-19 Asm Ip Holding B.V. Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9600377B1 (en) 2014-12-03 2017-03-21 EMC IP Holding Company LLC Providing data protection using point-in-time images from multiple types of storage devices
US10496487B1 (en) 2014-12-03 2019-12-03 EMC IP Holding Company LLC Storing snapshot changes with snapshots
US9405481B1 (en) 2014-12-17 2016-08-02 Emc Corporation Replicating using volume multiplexing with consistency group file
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9632881B1 (en) 2015-03-24 2017-04-25 EMC IP Holding Company LLC Replication of a virtual distributed volume
US10296419B1 (en) 2015-03-27 2019-05-21 EMC IP Holding Company LLC Accessing a virtual device using a kernel
US9411535B1 (en) 2015-03-27 2016-08-09 Emc Corporation Accessing multiple virtual devices
US9678680B1 (en) 2015-03-30 2017-06-13 EMC IP Holding Company LLC Forming a protection domain in a storage architecture
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9941157B2 (en) * 2015-06-26 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Porogen bonded gap filling material in semiconductor manufacturing
US10853181B1 (en) 2015-06-29 2020-12-01 EMC IP Holding Company LLC Backing up volumes using fragment files
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
TWI564425B (zh) * 2015-07-21 2017-01-01 Atomic layer oxidation and reduction of material modification process
CN105668622B (zh) * 2015-07-30 2018-01-30 四川大学 一种气相原子沉积钛白粉包膜的方法
US9607842B1 (en) 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
US9941425B2 (en) 2015-10-16 2018-04-10 Asm Ip Holdings B.V. Photoactive devices and materials
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9684576B1 (en) 2015-12-21 2017-06-20 EMC IP Holding Company LLC Replication using a virtual distributed volume
US10235196B1 (en) 2015-12-28 2019-03-19 EMC IP Holding Company LLC Virtual machine joining or separating
US10133874B1 (en) 2015-12-28 2018-11-20 EMC IP Holding Company LLC Performing snapshot replication on a storage system not configured to support snapshot replication
US10067837B1 (en) 2015-12-28 2018-09-04 EMC IP Holding Company LLC Continuous data protection with cloud resources
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10235087B1 (en) 2016-03-30 2019-03-19 EMC IP Holding Company LLC Distributing journal data over multiple journals
US10152267B1 (en) 2016-03-30 2018-12-11 Emc Corporation Replication data pull
US10579282B1 (en) 2016-03-30 2020-03-03 EMC IP Holding Company LLC Distributed copy in multi-copy replication where offset and size of I/O requests to replication site is half offset and size of I/O request to production volume
US10235060B1 (en) 2016-04-14 2019-03-19 EMC IP Holding Company, LLC Multilevel snapshot replication for hot and cold regions of a storage system
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10146961B1 (en) 2016-09-23 2018-12-04 EMC IP Holding Company LLC Encrypting replication journals in a storage system
US10235090B1 (en) 2016-09-23 2019-03-19 EMC IP Holding Company LLC Validating replication copy consistency using a hash function in a storage system
US10019194B1 (en) 2016-09-23 2018-07-10 EMC IP Holding Company LLC Eventually consistent synchronous data replication in a storage system
US10235091B1 (en) 2016-09-23 2019-03-19 EMC IP Holding Company LLC Full sweep disk synchronization in a storage system
US10210073B1 (en) 2016-09-23 2019-02-19 EMC IP Holding Company, LLC Real time debugging of production replicated data with data obfuscation in a storage system
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) * 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN106449907B (zh) * 2016-11-18 2019-04-12 电子科技大学 一种p型指数掺杂结构GaN光电阴极材料的生长方法
US10186420B2 (en) 2016-11-29 2019-01-22 Asm Ip Holding B.V. Formation of silicon-containing thin films
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180079908A (ko) * 2017-01-03 2018-07-11 한전케이피에스 주식회사 터빈 블레이드 링 정렬장치
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR20180107806A (ko) 2017-03-22 2018-10-04 삼성전자주식회사 막 형성 방법, 및 이를 이용한 가변 저항 메모리 소자의 제조방법
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
JP7249952B2 (ja) 2017-05-05 2023-03-31 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 酸素含有薄膜の制御された形成のためのプラズマ増強堆積プロセス
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
TWI761636B (zh) 2017-12-04 2022-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 電漿增強型原子層沉積製程及沉積碳氧化矽薄膜的方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP2019145589A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
CN108588680A (zh) * 2018-05-21 2018-09-28 中国科学院西安光学精密机械研究所 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
CN108588679A (zh) * 2018-05-21 2018-09-28 中国科学院西安光学精密机械研究所 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
DE102018211499A1 (de) 2018-07-11 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN114127890A (zh) 2019-05-01 2022-03-01 朗姆研究公司 调整的原子层沉积
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5693139A (en) * 1984-07-26 1997-12-02 Research Development Corporation Of Japan Growth of doped semiconductor monolayers
US4767494A (en) * 1986-07-04 1988-08-30 Nippon Telegraph & Telephone Corporation Preparation process of compound semiconductor
JPH042699A (ja) * 1990-04-18 1992-01-07 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長方法
US5480818A (en) * 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
JP3118083B2 (ja) * 1992-06-26 2000-12-18 理化学研究所 縦型超格子の形成方法
JP3262623B2 (ja) * 1993-02-17 2002-03-04 東京エレクトロン株式会社 減圧処理方法及び装置
JPH0714784A (ja) * 1993-06-25 1995-01-17 Res Dev Corp Of Japan サブ原子層単位で制御した結晶薄膜の製造法
US5851849A (en) * 1997-05-22 1998-12-22 Lucent Technologies Inc. Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008174842A (ja) * 1999-10-06 2008-07-31 Samsung Electronics Co Ltd 原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
JP5016767B2 (ja) * 2000-03-07 2012-09-05 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． 傾斜薄膜の形成方法
US7981791B2 (en) 2000-03-07 2011-07-19 Asm International N.V. Thin films
JP2003526218A (ja) * 2000-03-07 2003-09-02 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 傾斜薄膜
JP2001250823A (ja) * 2000-03-08 2001-09-14 Ulvac Japan Ltd 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置
JP4505098B2 (ja) * 2000-03-08 2010-07-14 株式会社アルバック 絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置
JP4684706B2 (ja) * 2000-06-08 2011-05-18 ジニテック インク． 薄膜形成方法
JP2010280991A (ja) * 2000-06-08 2010-12-16 Genitech Inc 薄膜形成方法
JP2005229129A (ja) * 2000-06-08 2005-08-25 Genitech Inc 薄膜形成方法
JP2005277426A (ja) * 2000-06-08 2005-10-06 Genitech Inc 薄膜形成方法
JP4704618B2 (ja) * 2000-06-30 2011-06-15 株式会社ハイニックスセミコンダクター ジルコニウム酸化膜の製造方法
JP2002075989A (ja) * 2000-06-30 2002-03-15 Hynix Semiconductor Inc ジルコニウム酸化膜の製造方法
JP2002060947A (ja) * 2000-07-07 2002-02-28 Asm Internatl Nv 原子層のｃｖｄ
JP2009278131A (ja) * 2000-09-18 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd 絶縁体の成膜方法
WO2002045175A1 (fr) * 2000-11-29 2002-06-06 Sony Corporation Mémoire non-volatile et procédé de fabrication
US7157359B2 (en) 2000-12-29 2007-01-02 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming a metal gate in a semiconductor device using atomic layer deposition process
JP2002313951A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2002367982A (ja) * 2001-05-07 2002-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 多成分系薄膜及びその形成方法
US8169013B2 (en) 2001-06-13 2012-05-01 Renesas Electronics Corporation Metal-insulator-metal (MIM) capacitor having capacitor dielectric material selected from a group consisting of ZRO2, HFO2, (ZRX, HF1-X)O2 (0<x<1), (ZRy, Ti (O<y<1), (Hfz, Ti-z)O2 (O<z<1) and (Zrk, Ti1, Hfm)O2 (O<K, 1, m<1, K+1+m=1)
US8212299B2 (en) 2001-06-13 2012-07-03 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having a thin film capacitor of a MIM (metal-insulator-metal) structure
US8815678B2 (en) 2001-06-13 2014-08-26 Renesas Electronics Corporation Method for fabricating a metal-insulator-metal (MIM) capacitor having capacitor dielectric layer formed by atomic layer deposition (ALD)
JP2006524434A (ja) * 2003-04-23 2006-10-26 ジーナス インコーポレーテッド 短時促進原子層堆積
US7576016B2 (en) 2006-08-23 2009-08-18 Elpida Memory, Inc. Process for manufacturing semiconductor device
JP2008053326A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
JP2009076542A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
JP2009212303A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP2010090413A (ja) * 2008-10-04 2010-04-22 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及び成膜装置
JP2013542580A (ja) * 2010-08-02 2013-11-21 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド サイクリック薄膜の蒸着方法
US9466478B2 (en) 2013-03-29 2016-10-11 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
US11784044B2 (en) 2020-09-24 2023-10-10 Kokusai Electric Corporation Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
GB9826781D0 (en) 1999-01-27
KR100275738B1 (ko) 2000-12-15
GB2340508B (en) 2003-03-12
JP4057184B2 (ja) 2008-03-05
DE19853598B4 (de) 2013-04-18
CN1200135C (zh) 2005-05-04
CN1244598A (zh) 2000-02-16
GB2340508A (en) 2000-02-23
DE19853598A1 (de) 2000-02-10
KR20000013329A (ko) 2000-03-06
US6270572B1 (en) 2001-08-07
TW432119B (en) 2001-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4057184B2 (ja) 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
JP6916297B2 (ja) 強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物
KR100297719B1 (ko) 박막제조방법
KR100385947B1 (ko) 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법
JP3670628B2 (ja) 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法
KR101379015B1 (ko) 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 루테늄 막 증착 방법 및고밀도 루테늄 층
US6800567B2 (en) Method for forming polyatomic layers
US6465371B2 (en) Method for manufacturing zirconium oxide film for use in semiconductor device
US7135207B2 (en) Chemical vapor deposition method using alcohol for forming metal oxide thin film
JP3476801B2 (ja) トリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
KR101427142B1 (ko) 금속 규산염 막의 원자층 증착
US6162501A (en) Method for manufacturing thin films of multi-element group oxide or nitride
US20080072819A1 (en) Metal oxide films
JP6920457B2 (ja) 強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物
US20060078678A1 (en) Method of forming a thin film by atomic layer deposition
US20200263297A1 (en) Deposition of oxides and nitrides
US7273822B2 (en) Methods and apparatus for forming thin films for semiconductor devices
KR100319880B1 (ko) 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법
KR100675893B1 (ko) 원자층증착방법을 이용한 하프늄지르코늄옥사이드막형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20060718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees