JP2000030995A - Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ - Google Patents
Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハInfo
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Abstract
て有用な、良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れた厚
膜SOI層を有するSOIウエーハを提供する。 【解決手段】 二枚の単結晶シリコンウエーハのうち、
少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリ
コンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオン
を注入してイオン注入層を形成させた後、該イオンを注
入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハ
と密着させ、次いで熱処理を加えて該イオン注入層を劈
開面として一方のシリコンウエーハを薄膜状に分離して
SOI層を有するSOIウエーハを作製した後、該SO
I層上にエピタキシャル層を成長させて厚膜SOI層を
形成させるSOIウエーハの製造方法とこの製法により
製造された膜厚均一性の高い厚膜SOI層を有するSO
Iウエーハ。
Description
エーハを結合および分離してSOI(Silicon OnInsula
tor)ウエーハを製造する方法(水素イオン剥離法、ス
マートカット法と呼ばれる技術)で得られるSOI構造
ウエーハのSOI層を厚くする方法並びにこの方法で作
製されるSOIウエーハに関する。
な一手法として、2枚の鏡面研磨したシリコンウエーハ
を酸化膜を介して接着剤を用いることなく結合し、熱処
理(通常1000℃〜1200℃)を行って結合強度を
高めた後、片方のウエーハを薄膜化する、いわゆるウエ
ーハ結合法がある。このウエーハ結合法では、結合され
た2枚のウエーハのうち片方のウエーハを研削やエッチ
ングによりある程度薄膜化した後、更にその表面をメカ
ノケミカル研磨することにより、目的とするSOI層厚
に仕上げることが行なわれている。
SOI層の結晶性や埋め込み酸化膜の信頼性が通常のシ
リコンウエーハ並みに高いという利点があるが、この製
造方法ではSOI層の膜厚の均一性に限界があり、高精
度の加工手法を用いても目標膜厚に対して高々±0.3
μm程度の面内均一性しか得られないという欠点があ
る。また、2枚のシリコンウエーハから1枚のSOIウ
エーハを得ることしかできず、コスト高になるという問
題がある。
して、イオン注入したウエーハを他のウエーハと結合し
た後に熱処理することにより、イオン注入層で剥離する
方法(水素イオン剥離法、スマートカット法と呼ばれる
技術)が特開平5−211128号に提案されている。
この方法は、2枚のシリコンウエーハのうち、少なくと
も一方に酸化膜を形成し、一方のウエーハの一主面に水
素イオンまたは希ガスイオンを注入し、ウエーハ内部に
微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオンを注入
した方の面と他方のシリコンウエーハの一主面とを酸化
膜を介して密着させ、その後500℃以上の熱処理を加
えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状
に分離し、さらに高温の熱処理を加えて強固に結合して
SOIウエーハを作製する技術である。そして、この方
法では膜厚均一性が±0.01μm以下のSOIウエー
ハが比較的容易に得られている。
10μmのいわゆる厚膜SOIウエーハは、バイポーラ
デバイスやパワーデバイス用として極めて有用であり、
今後の成長も大いに期待されている。従来、厚膜SOI
ウエーハを作製するには、前記ウエーハ結合法により、
先ず酸化膜付きウエーハとベアウエーハとを貼り合わ
せ、1100℃で結合熱処理を行なう。その後、研削お
よび研磨処理して所望の膜厚を持つ厚膜SOIウエーハ
を作製することになるが、その際、ウエーハ周辺部には
未結合部が生じるため、研磨前に未結合部を除去するエ
ッジ処理工程を行なわなければならず、工程が複雑にな
り、コスト高となってしまう。また、研磨工程だけでは
SOI層の膜厚の均一性を良くすることができず、特開
平5−160074号公報に開示されているPACE
(Plasma Assisted Chemical
Etching)法と呼ばれる気相エッチング処理に
より膜厚を均一化し、鏡面研磨によりヘイズ等の除去を
行っていたが、このように気相エッチング後に研磨を行
うと却ってSOI層の膜厚の均一性が悪化したり、潜傷
やダメージ層が導入され、結晶性が劣化し易いという欠
点がある上に、加工コストが高くなってしまうことに変
わりがない。
ハ結合法では不可欠であったエッジ処理工程が不要であ
るため、生産性やコスト面で大きなメリットを有する。
しかし、イオン注入装置の加速電圧がイオンの注入深さ
を決め、これがSOI層の膜厚を決定することになるの
で、量産機として通常使用されている大電流のイオン注
入装置では、装置上の制限により200keV程度の加
速電圧が限度であるため、せいぜい2μm程度の膜厚を
持つSOI層しか作製できなかった。従って、水素イオ
ン剥離法によりこれ以上の膜厚を有するSOI層を形成
するためには、より高加速電圧が得られる大電流のイオ
ン注入装置が必要とされるが、200keVを超えるよ
うな高加速電圧が得られる装置では大電流を得ることが
難しく、所定の注入量を得るために時間を要することに
なり、結果的にコストアップに繋がるため、量産レベル
での実用化はされていなかった。また、剥離後のSOI
表面の面粗さを改善するために研磨等の工程が必要であ
るという点においては、PACE法と同様の問題点があ
った。
ような問題点に鑑みなされたもので、水素イオン剥離法
で得られたSOI層上にシリコン膜を形成させて、良好
な膜厚均一性を有する厚膜SOIウエーハを生産性よ
く、低コストで提供することを主たる目的とする。
本発明の請求項1に記載した発明は、二枚の単結晶シリ
コンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成す
ると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオ
ンまたは希ガスイオンを注入してイオン注入層を形成さ
せた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他
方のシリコンウエーハと密着させ、次いで熱処理を加え
て該イオン注入層を劈開面(剥離面)として一方のシリ
コンウエーハを薄膜状に分離してSOI層を有するSO
Iウエーハを作製した後、該SOI層上にエピタキシャ
ル層を成長させて厚膜SOI層を形成させることを特徴
とするSOIウエーハの製造方法である。
られたSOI層を有するSOIウエーハを作製した後、
SOI層の劈開面を研磨することなく、該SOI層上に
エピタキシャル層を成長させれば、膜厚均一性の良好
な、厚膜SOIウエーハを歩留り良く、高い生産性で製
造することができる。しかも、エピタキシャル成長前の
昇温時にSOIウエーハが水素雰囲気に曝されることに
より、SOI表面の面粗さが改善されるので、エピタキ
シャル層成長後の厚膜SOI表面の面粗さも良好なもの
となる。
SOI層の剥離面には、イオン注入によるダメージ層が
多少残ったままエピタキシャル層が形成されるので、請
求項7のようにエピタキシャル層下部のSOI層中にダ
メージ層を有する厚膜SOIウエーハを形成することが
でき、このダメージ層は重金属等の不純物をデバイス活
性層から除去するゲッタリングサイトとして利用でき
る。
ピタキシャル層成長前のSOIウエーハに、水素を含む
還元性雰囲気もしくは塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処
理を行えば、SOI層の剥離面に残るダメージ層が除去
され、剥離面の面粗さが改善されてからエピタキシャル
層を成長することができるので、結晶結晶が極めて少な
く、膜厚均一性および表面粗さが良好な高品質の厚膜S
OI層を有するSOIウエーハを製造することができ
る。
り製造されたシリコンウエーハを用いて作製したSOI
ウエーハの場合、SOI層中にCOP(Crystal
Originated Particle)と呼ばれ
る0.1〜0.2μm程度の大きさの空洞型の欠陥が存
在するので、SOI層がCOPの大きさより薄いと、エ
ピタキシャル成長工程で使用される水素ガスがCOPを
貫通し、埋め込み酸化膜をエッチングしてしまい、結果
としてSOIウエーハの特性を劣化してしまう。
タキシャル層成長前のSOIウエーハのSOI層の膜厚
が0.2μm以上にすることにより、エピタキシャル成
長工程中の埋め込み酸化膜がエッチングされるのを確実
に防ぐことができる。
ピタキシャル成長後の厚膜SOI層の膜厚を2μmを超
えるものとすることが望ましい。このようにして、厚膜
のSOI層を形成すると、バイポーラデバイスやパワー
デバイス用として極めて有用な膜厚均一性の良好な、厚
膜SOI層を生産性よく、低コストで作製することがで
きる。
は、前記請求項1ないし請求項4に記載した製造方法に
より製造されたことを特徴とするSOIウエーハであ
る。このようなSOIウエーハは、膜厚均一性が良好な
SOIウエーハであり、バイポーラデバイスやパワーデ
バイス用として極めて有用な電気特性に優れたSOIウ
エーハとなる。
は、前記請求項1ないし請求項4に記載した製造方法に
おいて、副生する剥離ウエーハを再処理してシリコンウ
エーハとして再利用することを特徴とする剥離ウエーハ
を再利用する方法である。このように、本発明の水素イ
オン剥離法においても、副生した剥離ウエーハに適切な
再処理を施して、シリコンウエーハとして再利用するこ
とができるので、結果として高品質の厚膜SOI層を有
するSOIウエーハの歩留り、生産性の向上とコストダ
ウンを図ることができる。
を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図1はエピタキシャル成長工
程を含むイオン注入したウエーハを結合及び分離してS
OIウエーハを製造する方法によるSOIウエーハの製
造工程の一例を示すフロー図である。この水素イオン剥
離法には、例えば処理工程順序の違いから大きく分けて
A法とB法とがあり、先ずA法から、本発明の厚い膜厚
のSOIウエーハを製造する方法を説明する。
2枚のシリコン鏡面ウエーハを準備するものであり、デ
バイスの仕様に合ったウエーハ20、21を準備する。
工程2では、そのうちの少なくとも一方のウエーハ、こ
こではウエーハ20を熱酸化し、その表面に約0.1μ
m〜2.0μm厚の酸化膜30を形成する。図では、表
面側にのみ酸化膜が形成されているが、ウエーハ20の
全体の表面に酸化膜を形成しても良い。
面に対して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、イ
オンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層
(封入層)40を形成させるもので、この注入温度は2
5〜450℃が好ましい。ここでは、イオン注入装置の
加速電圧がイオンの注入深さを決め、これが剥離後のS
OI層の膜厚を決めることになるが、イオン注入装置の
加速電圧には装置上の制限があるので、現状では200
keV程度の加速電圧で例えば水素イオンの場合、2μ
m程度の膜厚が上限である。
21の水素イオン注入面にウエーハ20の酸化膜30の
面を重ね合せて密着させる工程であり、常温の清浄な雰
囲気下で2枚のウエーハの表面同士を接触させることに
より、接着剤等を用いることなくウエーハ同士が接着す
る。
て上部シリコン(剥離ウエーハ)28と下部SOIウエ
ーハ10(SOI層25+埋込み酸化膜26+ベースウ
エーハ27)に分離する剥離熱処理工程で、不活性ガス
雰囲気下約500℃以上の温度で熱処理を加えれば、結
晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハと下部
SOIウエーハに分離される。このように本発明では、
工程5において剥離ウエーハ28が副生される。
程で密着させたウエーハ同士の結合力では、そのままデ
バイス工程で使用するには弱いので、SOIウエーハ1
0に熱処理を施し結合強度を十分なものとする必要があ
るが、この熱処理は不活性ガス雰囲気下、または酸化性
ガス雰囲気下、1050℃〜1200℃で30分から2
時間の範囲で行うことが好ましい。
工程6の結合熱処理を連続的に実施しても構わないし、
また、工程5の剥離熱処理と工程6の結合熱処理を同時
に兼ねるものとして行ってもよい。 ここまでの工程
は、通常の水素イオン剥離法によるSOIウエーハの製
造方法と変わりがない。
て得られたSOI層25の表面である劈開面50の上に
エピタキシャル層を成長させてSOI層の膜厚を2μm
を超えて所望の膜厚まで成長させる工程である。尚、A
法の場合、剥離熱処理後のSOIウエーハ10の外周部
には、酸化膜30(埋め込み酸化膜26)が露出してい
る領域(未結合部)があるので、エピタキシャル成長前
に予めフッ酸水溶液等により除去しておく必要がある。
エピタキシャル層成長後、最終的に得られたSOIウエ
ーハ10は、総膜厚が数μm〜数10μmの厚膜SOI
層60と埋込み酸化膜26とベースウエーハ27から構
成されたものとなっている。
いるCVD法により、例えば、1100〜1200℃で
SiCl4 、あるいはSiHCl3 、SiH2 Cl2 、
SiH4 等を水素還元してSiを析出させ、用いたシリ
コンウエーハの結晶方位どうりにエピタキシャル成長さ
せればよい。或は分子線エピタキシー法(MBE法)に
より、超高真空(10-8〜10-11)下、600〜90
0℃の低温でエピタキシャル成長させてもよい。
・工程7の順序を工程5・工程7・工程6の順序に変え
ることもできる。また、工程6の結合熱処理と工程7の
エピタキシャル成長を連続的に行なうか、あるいは同時
に兼ねるものとして行なってもよい。例えば、通常のエ
ピタキシャル成長工程は、前記したように、ほぼ100
%水素雰囲気中で1000〜1200℃まで昇温した
後、反応ガスを流してエピタキシャル層を堆積するの
で、これだけでもエピタキシャル成長と同時に結合強度
が高められる結果となるし、あるいは反応温度付近の温
度まで昇温してから水素雰囲気中または塩化水素ガスを
混合した雰囲気中で一定時間保持してSOI表面のダメ
ージ層をエッチングした後、連続的にエピタキシャル層
の堆積を行っても、結果的に結合強度は高められる。こ
の場合、工程6と工程7は、同一のエピタキシャル装置
で連続的あるいは同時に実施することになり、生産性や
コスト面で非常に有利である。
られたSOI層の劈開面にシリコンのエピタキシャル成
長を行えば、SOI層として総膜厚数μm〜数10μm
の厚膜SOI層が比較的容易に得ることができると共
に、膜厚の均一性が良好で、結晶欠陥の殆どない電気特
性に優れたSOIウエーハ、あるいはSOI層にゲッタ
リングサイトを有し、重金属汚染に強いSOIウエーハ
を作製することができる。
法を述べる。B法の工程1では、2枚のシリコン鏡面ウ
エーハを準備するものであり、デバイスの仕様に合った
ウエーハ22、23を準備する。工程2では、そのうち
の少なくとも一方のウエーハを熱酸化し、その表面に約
0.1μm〜2.0μm厚の酸化膜31を形成する。工
程3では、ウエーハ23の酸化膜31面に対して水素イ
オンまたは希ガスイオンを注入し、イオンの平均進入深
さにおいて表面に平行な微小気泡層(封入層)41を形
成させる。この注入温度は25〜450℃が好ましい。
3の水素イオン注入面である酸化膜31の面にシリコン
ウエーハ22を重ね合せる工程であり、常温の清浄な雰
囲気下で2枚のウエーハの表面同士を接触させることに
より、接着剤等を用いることなくウエーハ同士が接着す
る。次に、工程5から工程7までは、A法と同様の処理
工程を経て、膜厚の均一性が良好で結晶欠陥がなく、厚
膜SOI層を有するSOIウエーハが得られる。
再利用の工程であり、工程5の剥離熱処理工程で副生し
た剥離ウエーハ28をシリコンウエーハとして再利用す
る工程である。A法或はB法のいずれの方法で副生した
ものでも再利用することができる。この再利用工程は、
剥離ウエーハの品質によって適切な再処理工程が編成さ
れるもので、例えば、剥離ウエーハの外周に未結合部と
酸化膜による段差が残っている場合或はダメージ層が残
存している場合には、剥離面を研磨する研磨工程が組み
込まれることになる。また、表面のダメージ層を除去
し、表面粗さを改善するために、水素を含む還元性雰囲
気下の熱処理を行うようにしてもよい。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 (実施例1)導電型がp型で抵抗率が10Ω・cm、直
径150mm、結晶軸<100>、厚さ625μmのC
Zシリコン鏡面ウエーハを2枚準備し、図1に示したB
法の工程1〜8に従って先ず、水素イオン剥離法により
SOI層の厚さが0.5μmのSOIウエーハを作製
し、次いでCVD法によりエピタキシャル成長させて総
膜厚2.0μmの厚膜SOI層を有するSOIウエーハ
を製造した。
次の通りである。 a)工程2の酸化膜厚:80nm b)工程3の水素注入条件:H+ イオン、注入エネルギ
ー:67keV 注入線量:8×1016/cm2 c)工程5の剥離熱処理条件:N2 ガス雰囲気下、50
0℃、30分、 d)工程6の結合熱処理:なし(工程7と兼ねる)、 e)工程7のCVD法エピタキシャル成長工程:H2 ベ
ーク(H2 雰囲気、1110℃、60秒)、エピタキシ
ャル層デポジション(SiHCl3 +H2 、1110
℃、60秒)。
より、0.5μm厚さのSOI層が形成され、工程7で
は、CVD法により1.5μmエピタキシャル成長させ
て総膜厚2.0μmの厚膜SOI層を形成した。
まのSOIウエーハのSOI層の膜厚均一性と表面粗さ
を求めた。膜厚測定は反射分光法で行ない、SOIウエ
ーハの面内を外周から10mmを除いて、2mmピッチ
で数千点測定し、RMS値(自乗平均平方根値)で表し
た。その結果、剥離熱処理後のSOI層の膜厚のシグマ
(標準偏差)は、0.6nmであり、従って、膜厚均一
性(3シグマ)は±1.8nmであった。表面粗さは、
原子間力顕微鏡により1μm角で測定したところ、RM
S値(自乗平均平方根粗さ)で、約7.6nmであっ
た。一方、工程7のエピタキシャル成長後のSOI層の
膜厚分布を測定したところ、膜厚のシグマ(標準偏差)
は、18.4nmであり、従って、膜厚均一性(3シグ
マ)は±55.4nmで、エピタキシャル成長により膜
厚の均一性は若干悪化したが、通常のウエーハ結合法の
±0.3μmと比べると、極めて良好であることがわか
った。また、表面粗さはRMS値で約0.29nmと極
めて良好であった。
4分割し、SOI層中の深さ方向の欠陥密度を測定し
た。測定方法は、4分割したウエーハをKOH水溶液に
よるエッチングで表面からそれぞれ1.5、1.0、
0.5、0μmのエッチングをした後、これらをH.G
asselらにより開示された四段セコエッチング法
(J.Electrochem.Soc.,140,p
p1713,1993)を行った後、顕微鏡観察して、
その表面に存在するピット密度をカウントすることによ
って測定した。その結果、どの深さにおいても欠陥密度
は102 /cm2 以下であり、通常のバルクウエーハと
同等以下の極めて良好な値を示した。
を6.5μmとし、H2 ベーク(ほぼ100%水素雰囲
気での熱処理)をせずに、エピタキシャル層を堆積した
以外は、実施例1と同様の条件で総膜厚7.0μmのS
OIウエーハを作製した。エピタキシャル層の表面粗さ
はRMS値で約0.33nmと極めて良好であった。
常の選択エッチング(セコエッチング)により表面から
1μmエッチングして顕微鏡観察し、表面の欠陥密度を
測定したが、積層欠陥等の欠陥は観察されなかった。残
りの3枚は、実施例1と同様の方法で、SOI層中の深
さ方向の欠陥密度を測定した。ただし、KOH水溶液に
よるエッチング除去量は、5.0、6.0、6.5μm
とした。その結果、エッチング量が5.0、6.0μm
の2枚については実施例1と同様に欠陥密度は102 /
cm2 以下であったが、エッチング量が6.5μm(エ
ピタキシャル層の成長界面までエッチング)のウエーハ
は、7×103 /cm2の欠陥密度があった。これは、
エピタキシャル層の成長界面下部のSOI層に水素イオ
ン注入時のダメージが残っていることを示しており、こ
のダメージ層を、重金属等の不純物をデバイス活性層か
ら除去するゲッタリングサイトとして利用できることが
わかった。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
バイポーラデバイスやパワーデバイス用として有用な、
SOI層の膜厚の均一性が良好で、結晶性と電気特性に
優れた厚膜SOI層を有するSOIウエーハ、あるいは
SOI層内にゲッタリングサイトを有し、重金属汚染に
強いSOIウエーハを比較的容易に低コストで製造する
ことができる。また、薄膜化や、面粗さを改善するため
の研磨工程が不要となり、水の使用量の低減や、研磨ス
ラリ等の産業廃棄物が低減されるため、環境への悪影響
を抑制できる。また、ウエーハ周辺の未結合部を除去す
る工程もなくなったので生産性と歩留りが向上し、大幅
なコストダウンが可能となった。さらに副生される剥離
ウエーハをシリコンウエーハとして再利用することが可
能となり、一層コストダウンが図られる。
すフロー図である。
のウエーハを酸化する工程、3…水素イオンを注入する
工程、4…水素イオン注入面に他のウエーハを重ね合せ
密着させる工程、5…剥離熱処理工程、6…ウエーハ結
合熱処理工程、7…エピタキシャル成長工程、8…再利
用工程、10…SOIウエーハ、20、21、22、2
3…鏡面研磨シリコンウエーハ、25…SOI層、26
…埋め込み酸化膜、27…ベースウエーハ、28…剥離
ウエーハ、30、31…酸化膜、40、41…水素イオ
ン注入微小気泡層(封入層)、50…劈開面、60…厚
膜SOI層。
Claims (7)
- 【請求項1】 二枚の単結晶シリコンウエーハのうち、
少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリ
コンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオン
を注入してイオン注入層を形成させた後、該イオンを注
入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハ
と密着させ、次いで熱処理を加えて該イオン注入層を劈
開面として一方のシリコンウエーハを薄膜状に分離して
SOI層を有するSOIウエーハを作製した後、該SO
I層上にエピタキシャル層を成長させて厚膜SOI層を
形成させることを特徴とするSOIウエーハの製造方
法。 - 【請求項2】 前記エピタキシャル層成長前のSOIウ
エーハに、水素を含む還元性雰囲気もしくは塩化水素ガ
スを含む雰囲気で熱処理を行うことを特徴とする請求項
1に記載したSOIウエーハの製造方法。 - 【請求項3】 前記エピタキシャル層成長前のSOIウ
エーハのSOI層の膜厚が0.2μm以上であることを
特徴とする請求項1または請求項2に記載したSOIウ
エーハの製造方法。 - 【請求項4】 前記エピタキシャル成長後の厚膜SOI
層の膜厚を2μm以上とすることを特徴とする請求項1
ないし請求項3のいずれか1項に記載したSOIウエー
ハの製造方法。 - 【請求項5】 前記請求項1ないし請求項4に記載した
製造方法により製造されたことを特徴とするSOIウエ
ーハ。 - 【請求項6】 前記請求項1ないし請求項4に記載した
製造方法において、副生する剥離ウエーハを再処理して
シリコンウエーハとして再利用することを特徴とする剥
離ウエーハを再利用する方法。 - 【請求項7】 SOI層上にエピタキシャル層を成長さ
せた厚膜SOIウエーであって、該エピタキシャル層下
部のSOI層中にダメージ層を有することを特徴とする
厚膜SOIウエーハ。
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