JP2007287965A - Soiウェーハの製造方法 - Google Patents
Soiウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007287965A JP2007287965A JP2006114268A JP2006114268A JP2007287965A JP 2007287965 A JP2007287965 A JP 2007287965A JP 2006114268 A JP2006114268 A JP 2006114268A JP 2006114268 A JP2006114268 A JP 2006114268A JP 2007287965 A JP2007287965 A JP 2007287965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soi
- layer
- wafer
- soi layer
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】少なくとも、絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製し、該SOI層の上にエピタキシャル層を成長させて、絶縁体上にSOI層、エピタキシャル層を形成したSOIウェーハを製造する方法であって、少なくとも、前記絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製した後、前記エピタキシャル層を成長させる前に、前記基板をHFで処理し、その後、前記SOI層の上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
【選択図】図1
Description
また、CZウェーハには、酸素が溶解しており、熱処理により酸素析出物となり、これを核にして、エピ欠陥が生じる。
これに対して、本発明では、絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製した後、エピタキシャル層を成長させる前に、基板をHFで処理する。これにより、SOI層の表面に露出したCOPの内壁酸化膜及び酸素析出物を除去する(請求項8)。そして、その後、該SOI層の上にエピタキシャル層を成長させる。このため、SOI層の上に、COPの内壁酸化膜や酸素析出物に起因するエピ欠陥の発生を防止して、より確実に高品質のエピタキシャル層を成長させることができる。
前述のように、SOI層上へエピタキシャル層を成長させる場合、エピタキシャル層に結晶欠陥が発生するなどし、エピタキシャル層の品質が劣化するという問題が多発していた。そこで、本発明者は、エピタキシャル層に結晶欠陥が発生する原因を解明すべく鋭意調査を行った。
SOIウェーハの製造には、一般的に、チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶が利用されている。このチョクラルスキー法によるシリコン単結晶からなる基板には、COPと呼ばれる結晶欠陥が多かれ少なかれ存在することは周知の事実である。
この内壁酸化膜7が形成されたCOPは、表面近傍バルク中に存在するものであり、薄膜化してSOI層とする前には、基板中に完全に埋没している。ところが、この状態で、研削・研磨等により薄膜化しSOI層を形成すると、COPの内壁酸化膜7が、研磨面8に露出する。
図2は、本発明の方法で製造したSOIウェーハの一例を示す概略断面図である。
このSOIウェーハは、ベースウェーハ5上の絶縁体3の上にSOI層2、エピタキシャル層1を形成したものである。そして、SOI層2の上のエピタキシャル層1は、エピ欠陥がほとんどなく、非常に高品質である。このため、このSOIウェーハを用いることで、高品質のデバイスを高い歩留りで製造することができる。
尚、高濃度拡散層のヒ素、アンチモン等の濃度は、規格に応じて適宜選択される。
先ず、絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製する(図1(a)参照)。
このSOI基板中のSOI層は、チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶から形成する。この基板を作製した直後のSOI層表面には、前述のように、COPの内壁酸化膜が露出している。
このHF処理により、SOI層の表面に露出したCOPの内壁酸化膜と酸素析出物を除去する。
HF処理に用いるHFの濃度は、COPの内壁酸化膜と酸素析出物を十分に除去することができれば、特に制限されない。ただし、0.1容量%以上とすれば、エッチング速度が十分に速くなり、比較的短時間でHF処理を終えることができる。一方、10容量%以下とすれば、SOI層の表面あれを効果的に抑制することができる。
また、HF処理の時間も、COPの内壁酸化膜と酸素析出物を十分に除去することができれば、特に制限されない。ただし、生産性の観点から、HF処理の時間は、短ければ短いほど好ましい。一方、SOI層の表面あれを効果的に抑制するという観点から、24時間以内とするのが好ましい。
これにより、絶縁体上にSOI層、エピタキシャル層を形成したSOIウェーハを製造することができる。
上記のようにHF処理により、SOI層表面に露出したCOPの内壁酸化膜と酸素析出物を除去することにより、内壁酸化膜や酸素析出物が原因で生じていた結晶欠陥の発生を効果的に抑制することができるので、SOI層の上に、より確実にエピ欠陥のない高品質のエピタキシャル層を成長させることができる。
先ず、支持基板となるベースウェーハ5とSOI層となるボンドウェーハ4を用意する(図3(a)参照)。
ベースウェーハ5、ボンドウェーハ4としては、例えば、シリコン単結晶からなるものを用いる。
ボンドウェーハの薄膜化を、研削・研磨により行うことで、結晶性の良好なSOI層をより確実に形成することができる。研削・研磨の方法としては、通常用いられるいずれの方法を用いることもできるが、研削としては、平面研削が良く、研磨としては、通常の鏡面研磨ウェーハの製造工程と同様の機械化学研磨(CMP)による鏡面研磨が好ましい。
すなわち、ボンドウェーハの片面に対して水素イオンを注入し、イオンの平均進入深さにおいて表面に平行なイオン注入層を形成する。このときの注入温度は例えば25〜450℃とすることができる。なお、水素イオンのほかに、例えば希ガスイオンあるいは、これらの両方を注入することもできる。
その後、所定の結合強度を得るために、熱処理(結合熱処理)を施す。
これにより、絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製する。
(実施例1)
先ず、導電型N型、直径150mm、結晶方位<100>であるシリコン単結晶ウェーハを、ベースウェーハとボンドウェーハとして用意した(図3(a)参照)。なお、このウェーハをN型にするためのドーパントとしてリンを用いた。
次に、ボンドウェーハを酸化炉に投入し、パイロ雰囲気下で1.5ミクロンの酸化膜を形成した(図3(b)参照)。
次に、酸化膜付きボンドウェーハを、もう一枚のウェーハ(ベースウェーハ)と貼り合わせた(図3(c)参照)。その後結合熱処理として、1100℃ / パイロ雰囲気下で処理を行なった。
次に、ボンドウェーハ側を研削・研磨し、膜厚を1ミクロンのSOI層(活性層)2とし、酸化膜6は絶縁体3とした(図3(d)参照)。
次に、このSOI層の上にエピタキシャル層を成長させた。エピタキシャル層の厚さは、5ミクロンとした。また、導電型はリンドープのN型とし、抵抗率を5Ω・cmとした。
このようにして、絶縁体(シリコン酸化膜)上にSOI層、エピタキシャル層を形成したSOIウェーハを製造した。
先ず、導電型N型、直径150mm、結晶方位<100>であるシリコン単結晶ウェーハを、ベースウェーハとボンドウェーハとして用意した(図3(a)参照)。なお、このウェーハをN型にするためのドーパントとしてリンを用いた。
次に、ボンドウェーハを酸化炉に投入し、パイロ雰囲気下で1.5ミクロンの酸化膜を形成した(図3(b)参照)。
次に、酸化膜付きボンドウェーハを、もう一枚のウェーハ(ベースウェーハ)と貼り合わせた(図3(c)参照)。その後結合熱処理として、1100℃ / パイロ雰囲気下で処理を行なった。
次に、ボンドウェーハ側を研削・研磨し、SOI層(活性層)の膜厚を1ミクロンとした(図3(d)参照)。
次に、このSOI層の上にエピタキシャル層を成長させた。エピタキシャル層の厚さは、5ミクロンとした。また、導電型はリンドープのN型とし、抵抗率を5Ω・cmとした。
このようにして、絶縁体(シリコン酸化膜)上にSOI層、エピタキシャル層を形成したSOIウェーハを製造した。
5…ベースウェーハ、 6…シリコン酸化膜、 7…COPの内壁酸化膜、
8…研磨面、 9…結晶欠陥。
Claims (8)
- 少なくとも、絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製し、該SOI層の上にエピタキシャル層を成長させて、絶縁体上にSOI層、エピタキシャル層を形成したSOIウェーハを製造する方法であって、少なくとも、前記絶縁体上にSOI層を形成した基板を作製した後、前記エピタキシャル層を成長させる前に、前記基板をHFで処理し、その後、前記SOI層の上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
- 前記絶縁体上に形成したSOI層を、不純物を導入したものとすることを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記絶縁体上にSOI層を形成した基板の作製を、少なくとも、支持基板となるベースウェーハとSOI層となるボンドウェーハを貼り合わせて、該ボンドウェーハを薄膜化してSOI層とする貼り合わせ法により行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記ボンドウェーハの薄膜化を、研削・研磨により行うことを特徴とする請求項3に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記ボンドウェーハの薄膜化を、少なくとも、前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、該ウェーハのイオン注入した側の面を前記ベースウェーハと貼り合わせて、該貼り合わされたウェーハに対して熱処理を施し、前記イオン注入層を境界として剥離させるイオン注入剥離法により行うことを特徴とする請求項3に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記イオン注入剥離法により薄膜化を行った後、SOI層の表面を鏡面研磨することを特徴とする請求項5に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記絶縁体を、シリコン酸化膜とすることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記SOI層を、チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶からなるものとし、前記HF処理により、前記SOI層の表面に露出したCOPの内壁酸化膜及び酸素析出物を除去することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のSOIウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006114268A JP5124973B2 (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | Soiウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006114268A JP5124973B2 (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | Soiウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007287965A true JP2007287965A (ja) | 2007-11-01 |
JP5124973B2 JP5124973B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=38759442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006114268A Active JP5124973B2 (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | Soiウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5124973B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014220364A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体基板の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11100299A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ |
JPH11307455A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Sony Corp | 基板およびその製造方法 |
JP2000030995A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
JP2004281805A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの平坦化処理方法 |
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2006114268A patent/JP5124973B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11100299A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ |
JPH11307455A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Sony Corp | 基板およびその製造方法 |
JP2000030995A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
JP2004281805A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの平坦化処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014220364A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5124973B2 (ja) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3762144B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP2006216826A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JP5706391B2 (ja) | Soiウエーハの製造方法 | |
JP2000082679A (ja) | 半導体基板とその作製方法 | |
JP5532680B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ | |
JP2002305292A (ja) | Soiウエーハおよびその製造方法 | |
KR101066315B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
KR20090081335A (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP4419147B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
KR101071509B1 (ko) | 접합 웨이퍼 제조 방법 | |
JP5183958B2 (ja) | Soiウエーハの製造方法 | |
US20090004825A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor substrate | |
JP5865057B2 (ja) | 半導体基板の再生方法、及びsoi基板の作製方法 | |
JP2006165061A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JP5625239B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP5124973B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JP2012129347A (ja) | 貼り合わせsoiウエーハの製造方法 | |
JP2011029594A (ja) | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ | |
JP5766901B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP2009289948A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
WO2019239763A1 (ja) | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法及び貼り合わせsoiウェーハ | |
JP5710429B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
KR100327339B1 (ko) | 어닐링을 수반한 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체 소자의 제조방법 | |
JP5597915B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
KR101032564B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5124973 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |