DE69907537T2 - Hybrid-Halbleitermodul aus vergossenem Kunstharz und Verfahren zuseiner Herstellung - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Aufbau, bei dem Schaltungselemente einschließlich einer Schalthalbleitervorrichtung in ein Harzformteil eingeschlossen sind.
  • Leistungshalbleitervorrichtungen dieser Art wurden bisher in der JP-B-3-63822 und der JP-B-6-80748 beschrieben. Eine Schalthalbleitervorrichtung wird mit vorgegebenen Freiräumen auf einem Bleirahmen angeordnet, und der Bleirahmen wird wiederum auf einem aus Metall gefertigten Kühlkörper angeordnet. Zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird Harz zum einstückigen Einschließen des gesamten äußeren Teils einschließlich der Freiräume eingefüllt. Da sich bei dieser Konstruktion eine Harzschicht zwischen einer Leiterschicht, auf der die Halbleitervorrichtung befestigt ist, und dem Kühlkörper befindet, können mehrere Halbleitervorrichtungen montiert werden, und da die Anzahl der Komponenten gering ist, ist die Zuverlässigkeit hoch. Nichtsdestotrotz ist diese Konstruktion nicht frei von den folgenden Problemen.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird bei dem Verfahren das Harz in die Freiräume gepackt, in denen die Vorrichtungen vorab angeordnet werden. Daher besteht die Wahrscheinlichkeit, daß beim Gießen Bläschen eingeschlossen werden und die Dicke der Harzschicht schwankt. Im allgemeinen ist die Wärmeübertragungsrate einer Harzschicht dieser Art extrem gering, und selbst ein kleiner Fehler der Schichtdicke führt zu einer großen Veränderung des Wärmewiderstands. Dementsprechend kann in Massenproduktionsanlagen nur schwer eine stabile Qualität erzielt werden. Aus dem gleichen Grund ist es schwierig, den Wärmewiderstand durch eine erhebliche Verringerung der Dicke der Isolierschicht (beispielsweise auf nicht mehr als 0,1 mm) zu verringern.
  • Ein weiteres Problem besteht darin, daß eine Miniaturisierung nur schwer zu erreichen ist, weil die Leiterverdrahtung von dem Bleirahmen gebildet wird. Es ist beispielsweise sehr schwierig, eine Verdrahtung mit einer komplizierten und sehr feinen Form zur Montage beispielsweise eines Mikrocomputers zur Steuerung einer Treiber-IC zu erzeugen.
  • In der EP 0 774 782 A2 ist ein Halbleiterleistungsmodul offenbart, bei dem eine Basisplatte aus Aluminium mit einer hitzebeständigen Isolierschicht aus Epoxid bedeckt ist, die auf einer Dichtungsabdeckung aus Harz erzeugt wird, die das Leistungsmodul bedeckt. Die Leistungshalbleiter werden auf eine Metallfolie gelötet.
  • In der JP 8-298299 ist ein Schaltungsmodul offenbart, bei dem Schaltungselemente auf einem Substrat vorgesehen sind, das als Abdeckung des gesamten Schaltkreises geformt wird.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leistungshalbleitervorrichtung von geringer Größe zu schaffen, durch die die Schwierigkeiten der vorstehend beschriebenen Verfahren gelöst werden und die einen geringen Wärmewiderstand, aber eine hohe funktionale Leistung aufweist. Anders ausgedrückt wird durch die vorliegende Erfindung eine kompakte Leistungshalbleitervorrichtung geschaffen, bei der eine Isolierschicht mit einer geringen, gleichmäßigen und stabilen Schichtdicke erzeugt werden kann und die einen geringen Wärmewiderstand aufweist. Die Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Die abhängigen Ansprüche betreffen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung.
  • Eine vorzugsweise vorgeformte, plattenartige Harzisolierschicht, die aus einem anderen Harzmaterial als dem Material einer äußeren Harzform gefertigt ist, wird zwischen einem Bleirahmen und einem als Basissubstrat dienenden Kühlkörper angeordnet.
  • 1 ist eine Schnittansicht des Aufbaus einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1;
  • 2 ist eine schematische, perspektivische Ansicht der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1;
  • 3 ist eine Schnittansicht des Aufbaus einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 2;
  • 4 ist eine Draufsicht des Aufbaus der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 2;
  • 5 ist eine Schnittansicht des Aufbaus einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 3;
  • 6 ist eine Schnittansicht des Aufbaus einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 4;
  • 7 ist ein Blockschaltungsdiagramm eines Luftinvertermoduls;
  • 8 ist ein Blockschaltungsdiagramm einer Klimaanlage; und
  • 9 ist ein Blockschaltungsdiagramm der Schalteinheit einer Klimaanlage.
  • Die Ausführungsformen werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen genauer beschrieben.
  • Ausführungsform 1
  • 1 zeigt eine Schnittansicht des Aufbaus der Ausführungsform 1, und 2 zeigt sie in einer schematischen, perspektivischen Ansicht. Eine Halbleiterschaltvorrichtung 11, wie ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, bipolarer Isolierschichttransistor) ist durch eine Lotschicht 12 an einer Elektrodenplatte 13 eines Bleirahmens befestigt. Die übrige Oberfläche der unmittelbar unter der Halbleiter vorrichtung angeordneten Elektrodenplatte 13 des Bleirahmens ist durch eine Isolierschicht 18 Harz mit einem Basissubstrat 15 verbunden. Die Halbleiterschaltvorrichtung 11 ist über einen Drahtverbindungsabschnitt 16 aus Aluminium elektrisch mit der Elektrodenplatte 13 des Bleirahmens oder mit einem Bleianschluß 17 verbunden, und der Bleianschluß 17 als Teil des Bleirahmens erstreckt sich als Hauptanschluß zur Oberfläche eines Harzformteils 30, wodurch ein Hauptschaltungsteil gebildet wird. Andererseits sind eine integrierte Steuerschaltungsvorrichtung 22 und Paketbauteile 23, wie passive Komponenten, auf einem gedruckten Substrat 21 montiert, und die integrierte Steuerschaltungsvorrichtung 22 ist durch einen Drahtverbindungsabschnitt 24 aus dünnen Au-Drähten, etc. elektrisch mit dem gedruckten Substrat 21 verbunden. Die Steueranschlüsse 25, die sich aus dem Harzformteil 30 erstrecken, sind mit einem Teil des gedruckten Substrats 21 verbunden, wodurch ein Steuerschaltungsteil gebildet wird. Der Steuerschaltungsteil und der Hauptschaltungsteil sind durch einen Drahtverbindungsabschnitt 16 elektrisch verbunden, und das gesamte System ist einstückig von einem äußeren Harzformteil 30 umschlossen.
  • Eine Leistungshalbleitervorrichtung mit diesem Aufbau wird mittels der folgenden Prozeßschritte gefertigt. Zunächst wird ein Leitermuster mit der gewünschten Form auf beiden Oberflächen des gedruckten Substrats 21 erzeugt. Bei dieser Ausführungsform wird im wesentlichen die gesamte Oberfläche der Rückseite des gedruckten Substrats 21 als Leiterschicht für die Verbindung mit einer Erdungsschicht verwendet. Eine Trägerchiptreiber-IC mit einer Größe von 3 mm·4 mm wird durch ein Epoxidharz als integrierte Steuerschaltungsvorrichtung 22 mit der gegenüberliegenden Oberfläche verbunden und ausgehärtet. Als nächstes werden die integrierte Steuerschaltungsvorrichtung 22 und das gedruckte Substrat 21 durch Au- Drähte mit einem Drahtdurchmesser von 20 μm miteinander verbunden, und die integrierte Steuerschaltungsvorrichtung 22 und der Drahtverbindungsabschnitt 34 werden, wo immer es erforderlich ist, im Zusammenhang mit den nachfolgenden Prozeßschritten lokal mit einem Vergußharz bedeckt. Paketbauteile 23, wie Chipkondensatoren, Widerstände, etc. werden durch Löten angeschlossen, wodurch ein Steuerschaltungsteil gebildet wird. Die elektrischen Eigenschaften werden in diesem Zustand untersucht, und geprüfte Produkte werden ausgewählt. Als nächstes wird ein Bleirahmen zur Erzeugung eines Steueranschlusses 25 durch Löten mit dem gedruckten Substrat verbunden. Andererseits wird provisorisch eine nicht ausgehärtete Harzplatte zur Erzeugung einer Harzisolierschicht 18 bei 120°C unter Druck mit einer der Oberflächen des Basissubstrats 15 verbunden. Der Bleirahmen 13 wird auf der oberen Oberfläche dieser Harzplatte angeordnet, bei 150°C aufgedrückt und anschließend 15 Minuten lang bei 180°C ausgehärtet. Als nächstes wird ein IGBT-Chip mit einer Größe von 7 mm·7 mm als Halbleiterschaltvorrichtung 11 durch Löten mit einer vorgegebenen Position des Bleirahmens 13 verbunden. Die Vorrichtung 11 wird durch den Drahtverbindungsabschnitt 16 elektrisch mit dem Bleirahmen 13 verbunden. Der Leiter auf der Rückseite des gedruckten Substrats 21, der wie vorstehend beschreiben vorab ausgewählt wurde und auf dem der Steueranschluß 25 befestigt wird, und die Erdungsschicht des Bleirahmens 13 werden zum Zeitpunkt der Lötverbindung durch Löten gleichzeitig verbunden und integriert.
  • Eine in einer Folge von vorstehend beschriebenen Schritten hergestellte Reihe von Schaltungen wird in einem Formteil angeordnet, und ein Harzformteil 30 wird geformt, indem bei einer vorgegebenen Temperatur und einem vorgegebenen Druck Harz in die Form gepackt wird. Bei dieser Ausführungsform werden die in Tabelle 1 aufgelisteten Mischmaterialien als Material für das Harzformteil 30 verwendet. Das Mischungsverhältnis gemäß Tabelle 1 repräsentiert das Gewichtsverhältnis.
  • Tabelle 1
    Figure 00060001
  • Da dieses Material eine große Menge an Siliciumoxid als Füllmaterial enthält, hat es einen hohen Young'schen Modul von 1800 kgf/mm2 und eine ausreichende Starrheit zum Schutz des Inneren. Da sein linearer Ausdehnungskoeffizient einen geringen Wert von ca. 12 bis 15 ppm/°C aufweist, beträgt die Wölbung des Basissubstrats 15 nach dem Formen und Aushärten nur ca. 40 μm, wobei dieser Wert in der Praxis kein Problem darstellt.
  • Nach dem Formen des Formharzes erfolgt gegebenenfalls ein Nachhärten zur Unterstützung des Aushärtens des Formharzes. Als nächstes wird der aus dem Harzformteil 30 ragende Teil des Bleirahmens abgeschnitten oder geformt, und eine Halbleitervorrichtung mit einem Hauptanschluß 17 und einem Steueranschluß 25 mit einer gewünschten Form kann hergestellt werden.
  • Obwohl diese Ausführungsform eine IGBT-Vorrichtung als Beispiel für eine Halbleiterschaltvorrichtung 11 betrifft, kann die Vorrichtung auch eine andere exothermische Vorrichtung, wie ein MOS-Transistor sein.
  • Obwohl bei dieser Ausführungsform, wie in Tabelle 1 gezeigt, Siliciumoxid als in dem Harzformteil 30 enthaltenes Füllmittel verwendet wird, kann das Füllmittel auch ein anderes Material, wie Berylliumoxid, Zirconiumoxid, Siliciumnitrid, Aluminiumnitrid, Siliciumcarbid, etc. sein.
  • Das Merkmal dieser Ausführungsform mit der unter Verwendung des nicht gehärteten Harzmaterials, das in Plattenform gebracht wird, als Ausgangsmaterial hergestellten Harzisolierschicht 18 kann auf Vorrichtungen angewendet werden, die einen geringen Wärmewiderstand und eine relativ hohe Stromkapazität haben.
  • Ausführungsform 2
  • 3 zeigt eine weitere Ausführungsform mit im wesentlichen dem gleichen Aufbau wie die Ausführungsform 1. Der Unterschied zwischen dieser Ausführungsform und der Ausführungsform 1 ist der folgende. Ein Teil des Bleirahmens wird für den Steueranschluß 25 verwendet, und der Drahtverbindungsabschnitt 16 verbindet den Steueranschluß 25 elektrisch mit dem gedruckten Substrat 21. Die Ausführungsform hat einen Aufbau, bei dem sich der Hauptanschluß 17 und der Steueranschluß 25 aus der unteren Oberfläche des Harzformteils 30 erstrecken.
  • 4 zeigt eine Draufsicht des Aufbaus dieser Ausführungsform. Ein Mikrocomputer 22b ist am Steuerschaltungsteil angeordnet, und es sind Befestigungsbohrungen 31 zur Befestigung des Hauptkörpers des Harzformteils 30 ausgebildet. Bei dem Aufbau gemäß dieser Ausführungsform werden die Steueranschlüsse 25 unter Verwendung des einstückigen Bleirahmens gemeinsam erzeugt. Daher erübrigt sich der Verarbeitungsschritt des Lötens der Steueranschlüsse 25. Da sich der Hauptanschluß 17 und die Steueranschlüsse 25 zur oberen Oberfläche des Harzformteils erstrecken, können ein ausreichender Abstand zwischen dem Isolierungsfreiraum und der Erdungsschicht und ein ausreichender Isolationskriechabstand sichergestellt werden.
  • Ausführungsform 3
  • 5 zeigt eine weitere Ausführungsform mit im wesentlichen dem gleichen Aufbau wie die Ausführungsform 2. Der Unterschied zwischen dieser Ausführungsform und der Ausführungsform 2 ist wie folgt. Auf beiden Oberflächen des gedruckten Substrats 21 werden gewünschte Leitermuster erzeugt, und beide Oberflächen werden durch Einrichtungen, wie Durchgangsbohrungen, elektrisch miteinander verbunden. Die Rückseite des gedruckten Substrats 21 wird durch einen isolierenden Harzklebstoff fest verbunden.
  • Durch den Aufbau dieser Ausführungsform, bei der ein gedrucktes Substrat 21 mit gewünschten Leitermustern auf beiden Oberfläche des Substrats verwendet wird, kann eine kompliziertere und weiter miniaturisierte Schaltung hergestellt werden, und die un bedeckte Chiptreiber-IC 22a, die integrierte Steuerschaltungsvorrichtung, wie der Mikrocomputer 22b, und verschiedene andere Schutzschaltungen können montiert werden. Daher bietet diese Ausführungsform das Merkmal, daß leichter eine höhere funktionale Leistung erzielt werden kann.
  • Ausführungsform 4
  • 6 zeigt eine Schnittansicht des Aufbaus einer weiteren Ausführungsform. Der Hauptunterschied zwischen dieser Ausführungsform und den Ausführungsformen 1 bis 3 ist wie folgt. Ein durch Harz isoliertes Metallsubstrat 19 wird als Basissubstrat 15 verwendet, und der Steuerschaltungsteil wird direkt auf diesem Metallsubstrat 19 erzeugt. Der Aufbau dieser Ausführungsform wird durch die folgenden Verarbeitungsschritte erreicht. Zunächst wird eine Isolierschicht aus Harz auf den Oberflächen eines Metallsubstrats, wie eines Al-Substrats, erzeugt, und ein gewünschtes Leitermuster wird auf der Oberfläche der Isolierschicht aus Harz erzeugt, um ein durch Harz isoliertes Metallsubstrat 19 als Bauteil zu erhalten. Die integrierte Steuerschaltungsvorrichtung 22, die Paketkomponenten 23, etc. werden durch den gleichen Prozeßschritt wie bei der Ausführungsform 1 auf der Oberfläche des Substrats 19 montiert. Der Bleirahmen, der Hauptanschluß 17 und die Steueranschlüsse 25 werden gleichzeitig mit den Paketkomponenten 23 oder in einem separaten Schritt mit dem Metallsubstrat 19 verbunden. Die Auswahl des Steuerschaltungsteils erfolgt in diesem Zustand.
  • Als nächstes werden die Halbleiterschaltvorrichtung 11, das gedruckte Substrat 21 und der Bleirahmen über den Al-Drahtverbindungsabschnitt 16 elektrisch verbunden. Eine Reihe von durch diese Schritte hergestellten Schaltungen wird einstückig in das Harzformteil eingefügt, wodurch die gewünschte Halbleitervorrichtung erhalten wird.
  • Das Merkmal dieser Ausführungsform, bei der ein isoliertes Metallsubstrat 19 verwendet wird, liegt in der verbundenen Verwendung des Bleirahmens mit einem großen, zulässigen Strom. Anders ausgedrückt, kann auf dem isolierten Metallsubstrat eine Miniaturleiterverdrahtung erzeugt werden, und die integrierte Steuerschaltung kann leicht montiert werden. Andererseits kann aufgrund des dicken Bleirahmens 13 ein großer Strom durch die Hauptschaltung fließen, und gleichzeitig kann die von der Halbleiterschaltvorrichtung 11 erzeugte Wärme in horizontaler Richtung abgeleitet werden. Dadurch kann ein geringerer Wärmewiderstand des gesamten Systems erreicht werden.
  • Ausführungsform 5
  • 7 zeigt ein durch direktes Befestigen eines Wechselrichters, der eine auf die gleiche Weise wie gemäß der Ausführungsform 1 hergestellte Leistungshalbleitervonichtung verwendet, an einem Drei-Phasen-Induktionsmotor sowie ihre Integration hergestelltes System. Der Aufbau der elektrischen Schaltung stimmt mit dem in dem Blockdiagramm gemäß 7 gezeigten Aufbau überein. Die Halbleitervorrichtung gemäß dieser Ausführungsform hat einen geringen Wärmewiderstand und ist hoch zuverlässig, da der Steuerschaltungsteil in der Nähe der Schalthalbleitervorrichtung 11 angeordnet ist. Daher kann dieser Wechselrichter einstückig mit den Motoren kombiniert werden, die unter harten Bedingungen verwendet werden, beispielsweise für Kompressoren für Zimmerklimaanlagen und verschiedene Motoren, wie Motoren für Förderanlagen. Wenn der Wechselrichter und der Motor integriert sind, können eine Verringerung der Gesamtgröße und eine hohe Zuverlässigkeit der jeweiligen Vorrichtungen erreicht werden.
  • Ausführungsform 6
  • 8 zeigt ein Blockschaltungsdiagramm einer Heimklimaanlage, für die die Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 verwendet wird. Bei der in der Zeichnung gezeigten Klimaanlage wird die Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 für einen Motor zum Antreiben eines Kompressors verwendet. 9 zeigt einen Schaltkreisabschnitt und einen Motorabschnitt im Einzelnen. Gemäß der Zeichnung sind der P- und der N-Anschluß mit einem Stromquellenschaltungsteil verbunden. Für eine Klimaanlage mit diesem Aufbau kann ein Schaltkreis mit einer geringen Größe und einem geringen Wärmewiderstand verwendet werden. Daher kann der Motor mit hoher Wärmeeffizienz angetrieben werden, und eine energiesparende Klimaanlage kann hergestellt werden.
  • Energiesparende Elektrogeräte können ebenso durch die Verwendung des Aufbaus gemäß dieser Ausführungsform für verschiedene andere Elektrogeräte mit Motoren für den häuslichen oder industriellen Gebrauch, wie Kühlschränke, Pumpen, Förderanlagen, etc., hergestellt werden.
  • Wie vorstehend erläutert, bieten die oben beschriebenen Halbleitervorrichtungen die nachstehend aufgelisteten Eigenschaften.
    • 1. Der Hauptschaltungsteil wird durch Befestigen der Halbleiterschaltvorrichtung auf dem Bleirahmen und Anordnen des Basissubstrats durch die Isolierschicht aus Harz hergestellt. Andererseits wird der Steuerschaltungsteil durch Anordnen der Steuerschaltung auf dem gedruckten Substrat hergestellt, auf dem eine Miniaturverdrahtung ausgebildet sein und verschiedene Schutzschaltungen zum Verhindern einer übermäßigen Temperatur, eines Überstroms, eines Spannungsabfall, etc. sowie der Mikrocomputer im Steuerschaltungsteil montiert werden können. Beide Schaltungsteile sind nebeneinander angeordnet und elektrisch miteinander verbunden, und das System als Ganzes wird durch das Harzformteil verstärkt. Daher kann diese Konstruktion gleichzeitig einen niedrigen Wärmewiderstand und eine hohe Zuverlässigkeit bieten.
    • 2. Die Treiber-IC und der Mikrocomputer als integrierte Steuerschaltungsvorrichtungen sind in der Nähe der Schaltvorrichtung angeordnet. Daher ist die Reaktionsgeschwindigkeit bei einem Steuervorgang hoch, und es kann leichter eine hohe Zuverlässigkeit sichergestellt werden.
    • 3. Der Ertrag an Produkten kann durch Verwenden des ausgewählten Steuerschaltungsteils verbessert werden, und die Zuverlässigkeit des gesamten Systems kann verbessert werden.
    • 4. Die vorgeformte, nicht ausgehärtete Harzplatte wird bei der Erzeugung der Harzisolierschicht aufgebracht. Dadurch kann eine Harzisolierschicht mit einer geringeren und gleichmäßigen Dicke erzeugt werden.
    • 5. Der Hauptanschluß und der Steueranschluß erstrecken sich auf der oberen Oberfläche des Harzformteils. Daher können der Abstand zwischen dem Isolierungsfreiraum und der Erdungsschicht und der Isolationskriechabstand leichter sichergestellt werden.
    • 6. Da der Motor von der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung mit geringerem Wärmewiderstand angetrieben wird, können zu niedrigeren Produktionskosten energiesparende Elektrogeräte hergestellt werden.

Claims (5)

  1. Halbleitervorrichtung mit einem Hauptleistungsschaltungsteil, einem Steuerungsschaltungsteil, einem äußeren Kunststoffteil (30) und einem Hauptanschluss (17) und einem Steuerungsanschluss (25), der sich aus der Oberfläche des äußeren Kunststoffteils (30) heraus erstreckt, wobei – das Hauptleistungsschaltungsteil einen Aufbau hat, bei dem eine Leistungshalbleitervorrichtung (11) auf einer Elektrodenplatte (13) über einem Basissubstrat (15) befestigt ist, wobei eine Kunststoffschicht (18) als elektrisch isolierende Schicht zwischen die Elektrodenplatte (13) und das Basissubstrat (15) geklemmt ist, – der Steuerungsschaltungsteil zumindest eine integrierte Schaltungsvorrichtung (22) auf einem gedruckten Substrat (21) über dem Basissubstrat aufweist, wobei die integrierte Schaltungsvorrichtung (22) und ein Leitungsmuster auf dem gedruckten Substrat (21) elektrisch miteinander verbunden sind, – der Hauptleistungsschaltungsteil und der Steuerungsschaltungsten elektrisch miteinander verbunden sind, – zumindest ein Teil des Basissubstrats (15) an der äußeren Oberfläche des äußeren Kunststoffteils (30) freiliegt, und – der Hauptanschluss (17) und der Steuerungsanschluss (25) mit der Leistungsvorrichtung (11) und der integrierten Schaltungsvorrichtung (22) jeweils durch leitende Verbindungen verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass – alle nicht freiliegenden Bereiche des Basissubstrats innig vom äußeren Kunststoffteil (30) umgeben sind, und – die Elektrodenplatten (13) und die Anschlüsse (17, 25) Teil eines Leitungsrahmens (13) sind, mit dem die Leistungshalbleitervorrichtung (11) elektrisch verbunden ist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die integrierte Schaltungsvorrichtung (22) zumindest einen Treiber-IC (22a) aufweist zum Treiben der Halbleitervorrichtung (11), und einen Mikrocomputer (22b) zum Steuern des Treiber-IC (22a).
  3. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Hauptleistungsschaltungsteil, einem Steuerungsschaltungsteil und einem Hauptanschluss und einem Steuerungsanschluss, der sich aus der Oberfläche eines äußeren Kunststoffteils heraus erstreckt, mit den Schritten: Befestigen einer Leistungshalbleitervorrichtung (11) als das Hauptleistungsschaltungsteil an einem Leitungsrahmen (13), der auch den Hauptanschluss und den Steuerungsanschluss aufweist; Anbringen zumindest einer integrierten Schaltungsvorrichtung (22) als Steuerungsschaltungsteil auf einem gedruckten Steuerungssubstrat (21); elektrisches Verbinden der integrierten Schaltungsvorrichtung (22) und eines Leitungsmusters auf dem gedruckten Substrat (21) durch leitende Bahnen (24); Bilden einer Kunststoffschicht (18) auf einer der Oberflächen eines Basissubstrats (15); Anbringen des Leitungsrahmens (13) auf der Kunststoffschicht und Anbringen des gedruckten Steuerungssubstrats über dem Basissubstrat; elektrisches Verbinden des Hauptleistungsschaltungsteiles und des Steuerungsschaltungsteiles; Verbinden der Leistungshalbleitervorrichtung direkt mit einer Leitung des Leitungsrahmens durch eine leitende Bahn, und inniges Umgeben der Bestandteile durch einen Kunststoff, so dass zumindest ein Teil des Basissubstrats an der Oberfläche des Kunststoffteils freiliegt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Kunststoffschicht (18) durch Einklemmen eines nicht ausgehärteten Kunststoffharz, das vorab gegossen wurde, durch den Leitungshahn (13) und das Basissubstrat (15).
  5. Elektrische Vorrichtung mit zumindest einem Motor und einer Halbleitervorrichtung zum Ansteuern des Motors, wobei die Halbleitervorrichtung eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2 aufweist.
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