DE102006049949B3 - Halbleitermodul mit Halbleiterchips auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und Verfahren zur Herstelllung desselben - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (1) mit Halbleiterchips (3, 4) auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dabei weist das Halbleitermodul (1) mindestens einen Halbleiterchip (3) mit Elektroden (5, 6) auf seiner Oberseite (7) und mit einer Rückseitenelektrode (8) auf. Ferner weist das Halbleitermodul (1) mindestens einen Steuerchip (4) auf. Der Halbleiterchip (3) und der Steuerchip (4) liegen auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und sind auf einer gemeinsamen Flachleiterchipinsel (9) angeordnet. Die Flachleiterchipinsel (9) weist einen elektrisch leitenden Teilbereich (10) und eine Isolationsschicht (11) auf. Der Halbleiterchip (3) ist auf dem elektrisch leitenden Teilbereich (10) der Flachleiterchipinsel (9) angeordnet, während auf der Isolationsschicht (11) der Steuerchip (4) stoffschlüssig fixiert ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul mit Halbleiterchips auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Einer der Halbleiterchips weist Elektroden auf seiner Oberseite und eine Rückseitenelektrode auf. Ferner weist das Halbleiterbauelement einen Steuerchip auf, wobei die Elektroden des Halbleiterchips großflächiger sind als sie Signal- und Versorgungselektroden auf der Oberseite des Steuerchips.
- Unter großflächig bzw. großflächiger wird in diesem Zusammenhang verstanden, dass Leistungsversorgungselektroden bzw. Leistungsausgangselektroden des Halbleiterchips nahezu eine gesamte Seite des Halbleiterchips bedecken und für eine hohe beispielsweise vertikale Stromführung vorgesehen sind. Hingegen beanspruchen kleinflächige Steuerelektroden, die beispielsweise Signale zur Steuerung des Leistungshalbleiterchips oder zur Taktgebung an einen in dem Halbleitermodul vorgesehenen Schaltungsknoten übertragen, lediglich einen Bruchteil einer Seite eines Halbleiterchips. Dabei ist für Leistungshalbleiterchips des MOSFET-Typs oder des IGBT-Typs (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor) kennzeichnend, dass eine Leistungsausgangselektrode und eine Steuerelektrode auf einer gemeinsamen Oberseite und eine Leistungsversorgungselektrode auf einer Rückseite als Rückseitenelektrode des Leistungshalbleiterchips angeordnet sind.
- Zur Ansteuerung des Halbleiterchips beispielsweise in einem Bordnetz werden integrierte Schaltungen als Gate-Treiber ein gesetzt. Ein derartiger Steuerchip mit integrierter Schaltung, der gegenüber dem Halbleiterchip ein unterschiedliches Versorgungspotential erfordert, wie es die Druckschrift
DE 10 2005 031 8364 A1 - 1. Der Steuerchip ist in seiner flächigen Erstreckung auf die flächige Erstreckung der Oberseite des Leistungshalbleiterchips begrenzt;
- 2. Das Design der Oberseite des Leistungshalbleiterchips muss für den gestapelten Steuerchip angepasst sein;
- 3. Es besteht die Gefahr der Beschädigung des Leistungshalbleiterchips im Bereich der Klebstofffuge;
- 4. Es besteht die Gefahr der Beeinträchtigung der Bondflachen der Elektroden auf der Oberseite des Leistungshalbleiterchips durch den elektrisch isolierenden Klebstoff;
- 5. Die Höhe des Halbleiterchipstapels muss beträchtlich geringer sein als die maximale Dicke der Kunststoffgehäusemasse über der Halbleiterchipinsel.
- Aus der Druckschrift
DE 197 16 674 A1 ist als Halbleitermodul ein Halbleiterbauteil vorgesehen, das zumindest zwei Halbleiterchips aufweist, die auf jeweils voneinander getrennten Halbleiterchipinseln angeordnet sind, so dass sie auf unterschiedlichen Potentialen liegen können. Diese Lösung hat den Nachteil, dass für das Anlegen unterschiedlicher Potentiale kein standardisierter Flachleiterrahmen mit einer einzigen zentralen Halbleiterchipinsel eingesetzt werden kann und teure Sonderfertigungen für Flachleiterrahmen vorzusehen sind. - Derartige Halbleitermodule weisen derart ungünstige Außenkontaktanordnungen oder sogenannte "foot-prints" auf, dass der Umverdrahtungsaufwand durch entsprechende Leiterbahnführung auf einer übergeordneten Schaltungsplatine erheblich ist und Platinenfläche benötigt, die für kompakte Anwendungen zur Strom- und Spannungsversorgung in Bordnetzen und/oder in Mobilfunkgeräten mit AC/DC- und/oder DC/DC-Konvertern von Nachteil ist.
- Ein ähnliches Modul ist auch aus der
WO 2006/012110 A2 bekannt. Bei diesem Modul sind mehrere MOSFETs auf ein gemeinsames Substrat montiert, wobei das Substrat jeweils eigene Kontaktflächen für die einzelnen Halbleiterchips aufweist. - Die
DE 10 2004 035 746 A1 offenbart ein Leistungshalbleiternmodul mit einer wärmeleitenden Bodenplatte aus einem elektrisch isolierenden Material. Die Bodenplatte bewirkt dabei die elektrische Isolierung der Baugruppen mit Leistungshalbleiterchips gegenüber einem gemeinsamen Kühlkörper. - Aufgabe der Erfindung ist es, ein räumlich verkleinertes Halbleitermodul anzugeben, das elektrische Leistungen schalten kann und eine Außenkontaktanordnung aufweist, die flächensparend einsetzbar ist und einen Zugriff auf einzelne Elektroden der Halbleiterchips auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen ermöglicht sowie die Nachteile im Stand der Technik überwindet.
- Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Erfindungsgemäß wird ein Halbleitermodul mit Halbleiterchips auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und ein Verfahren zur Herstellung desselben angegeben. Dabei weist das Halbleitermodul mindestens einen Halbleiterchip mit Elektroden auf seiner Oberseite und mit einer Rückseitenelektrode auf. Ferner weist das Halbleitermodul mindestens einen Steuerchip auf. Der Halbleiterchip und der Steuerchip liegen auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen und sind auf einer gemeinsamen Flachleiterchipinsel angeordnet. Die Flachleiterchipinsel weist einen elektrisch leitenden Teilbereich und eine Isolationsschicht auf. Der Halbleiterchip ist auf dem elektrisch leitenden Teilbereich der Flachleiterchipinsel an geordnet, während auf der Isolationsschicht der Steuerchip stoffschlüssig fixiert ist.
- Ein Vorteil dieses Halbleitermoduls ist, dass der Steuerchip mit seiner integrierten Schaltung durch ein elektrisch isolierendes Medium auf der gleichen Halbleiterchipinsel wie der Halbleiterchip fixiert ist, so dass es selbst bei angelegten Spannungen von weit über 100 Volt nicht zu elektrischen Durchschlägen in den Steuerchip kommt. Diese Lösung bietet gegenüber den so genannten "Chip-auf-Chip-Aufbauten" den Vorteil, dass auch Gehäuse verwendet werden können, deren Kunststoffgehäusemassedicke über dem Leistungshalbleiterchip nicht groß genug ist, um einen darauf aufgebrachten Steuerchip komplett zu umhüllen. Weiterhin wird in dem erfindungsgemäßen Aufbau durch den Steuerchip keine mechanische Beanspruchung auf den Halbleiterchip ausgeübt. Außerdem ist für den Halbleiterchip die Anordnung der Kontaktflächen der Elektroden weniger restriktiv, da auf der Oberseite des Halbleiters keine Klebefläche für einen Steuerchip auszusparen ist, wie es bei Halbleitermodulen mit gestapelten Halbleiterchips erforderlich ist.
- Gegenüber Gehäusen mit speziell ausgestanzten getrennten Halbleiterchipinseln auf dem Flachleiterrahmen für den Steuerchip und für den Halbleiterchip besteht der Vorteil, dass im Fall des erfindungsgemäßen Aufbaus kein spezieller Flachleiterrahmen notwendig wird, sondern dass Standard-Flachleiterrahmen des jeweiligen Gehäusetyps verwendet werden können. Mit der vorliegenden Erfindung wird somit erreicht, dass mehrere Halbleiterchips mit ein oder mehreren Logikbauteilen auf derselben Chipinsel elektrisch voneinander getrennt angeordnet werden können. Somit können auch ein oder mehrere Leistungshalbleiterchips mit einem vertikalen Stromfluss elekt risch leitfähig aufgebracht werden. Die elektrische Isolationsfestigkeit der Isolationsschicht aus einem Verbindungsmedium wird derart hoch gewählt, dass eine Spannungsfestigkeit besteht, die höher ist, als die Sperrspannung des Halbleiterchips bzw. der Leistungshalbleiterchips.
- Vorzugsweise weist der Halbleiterchip auf seiner Rückseite eine großflächige Leistungsversorgungselektrode zum Anlegen eines Versorgungspotentials und auf seiner Oberseite eine großflächige Leistungsausgangselektrode zum Übertragen eines Ausgangsstroms an Leistungsausgänge des Halbleitermoduls sowie eine kleinflächige Steuerelektrode auf. Wird ein Signal an die Steuerelektrode gelegt, schaltet der Leistungshalbleiterchip durch und es fließt vorzugsweise ein vertikaler Durchlassstrom von der Leistungsversorgungselektrode bzw. der Rückseitenelektrode über die großflächige Leistungsausgangselektrode auf der Oberseite des Halbleiterchips zu den Leistungsausgängen des Halbleitermoduls in Form von Flachleitern. Dazu weisen geeignete Leistungsflachleiter einen entsprechend großen, an die Strombelastung angepassten Querschnitt auf.
- Der Steuerchip, der monolithisch von dem Halbleiterchip getrennt ist, weist auf seiner Oberseite sowohl Versorgungselektroden als auch Eingangssignal- und/oder Steuersignalelektroden auf und steht mit der Steuerelektrode des Halbleiterchips in Wirkverbindung. Dazu kann der Steuerchip einen integrierten Gate-Treiber aufweisen. Die Eingangssignal- und/oder Steuersignalelektroden des Steuerchips stehen über Verbindungselemente mit Signalflachleitern des Halbleitermoduls elektrisch in Verbindung, wobei die Signalflachleiter einen geringeren Querschnitt aufweisen als die Leistungsflachleiter, die mit den Leistungselektroden des Halbleiterchips in Verbindung stehen.
- Während der Halbleiterchip über seine Rückseitenelektrode und über die Chipinsel mit einem Versorgungspotential verbunden ist, weist das Halbleitermodul in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zusätzliche Versorgungsflachleiter auf, die über entsprechende Verbindungselemente mit den Versorgungselektroden auf der Oberseite des Steuerchips elektrisch verbunden sind.
- Da der Halbleiterchip auf seiner Oberseite eine Leistungselektrode aufweist, ist ein Hochstromverbindungselement erforderlich, das diese Leistungselektrode auf der Oberseite des Halbleiterchips mit einem entsprechenden Leistungsflachleiter des Halbleitermoduls elektrisch verbindet. Ein derartiges Hochstromverbindungselement kann durch einen Verbindungsbügel in Form eines sogenannten Clips oder durch mehrere Bondbänder oder durch mehrere entsprechend dicke Aluminiumbanddrähte realisiert werden. Als Verbindungselemente für Signal-Steuer- und Versorgungselektroden und der Halbleiterchips untereinander oder mit entsprechenden Flachleitern werden hingegen dünnere Bonddrähte oder Bondbänder eingesetzt.
- Die Chipinsel, die sowohl den Halbleiterchip als auch den auf einer Isolationsschicht angeordneten Steuerchip aufnimmt, ist vorzugsweise aus einer Kupferlegierung hergestellt, mit der die Rückseitenelektrode des Halbleiterchips elektrisch in Verbindung steht. Außerdem kann diese Chipinsel zusätzlich mit einem oder mehreren Leistungsflachleitern versehen sein, welche die Chipinsel während des Fertigungsprozesses mit dem Flachleiterrahmen verbinden und in Position halten und Leistungsanschlüsse mit Außenkontaktflächen des Halbleitermoduls bilden.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das Halbleitermodul einen Versorgungsflachleiter für ein Massepotential auf, auf dem ein MOSFET mit seiner Drainelektrode oder ein IGBT mit seiner Kollektorelektrode angeordnet sind. Durch den direkten elektrischen Kontakt der Drainelektrode bzw. der Kollektorelektrode mit dem Versorgungsflachleiter des Halbleitermoduls wird gewährleistet, dass eine niederohmige Verbindung zu den Außenkontaktflächen des Halbleitermoduls hergestellt wird. Außerdem ist es vorgesehen, auf der gleichen Halbleiterchipinsel mehrere Leistungshalbleiterchips des MOSFET-Typs und/oder des IGBT-Typs anzuordnen. Auch können auf der gleichen Chipinsel weitere signalverarbeitende Halbleiterchips vorgesehen werden, die mit kleinflächigen Elektroden ausgestattet sind.
- Vorzugsweise ist zwischen dem Halbleiterchip und der Chipinsel eine Diffusionslotschicht angeordnet. Das Diffusionslotmaterial der Diffusionslotschicht ermöglicht es, dass die Leistungsversorgungselektroden der Leistungshalbleiterchips bei einer Diffusionslottemperatur unter einem vorgegebenen Anpressdruck auf die Versorgungsflachleiter aufgebracht werden können. Dabei entstehen intermetallische Phasen, welche einen höheren Schmelzpunkt aufweisen als die Diffusionslöttemperatur. Die Diffusionslöttemperatur liegt zwischen 180°C und 450°C. Somit sind dann die Leistungshalbleiterchips auch für die nachfolgenden Prozesstemperaturen stabil auf den Versorgungsflachleitern fixiert. Als Diffusionslotmaterial wird vorzugsweise ein Material aus der Gruppe AuSn, AgSn, CuSn oder AgIn verwendet. Dabei verbindet die Diffusionslotschicht innerhalb des Halbleitermoduls mindestens eine großflächige Leistungsversorgungselektrode eines Leistungshalbleiterchips elektrisch und mechanisch mit einem Versorgungsflachleiter.
- Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der einmal mittels Diffusionslotschicht fixierte Halbleiterchip während der Aushärtetemperaturen zum Aufbringen von aushärtbaren Klebstoffmaterialien und Stoffen, wie Epoxydharz, Acrylharz, Silikonharz, Polyimid, Hochleistungsthermoplasten oder Mischungen derselben, für den zusätzlich auf der Chipinsel anzuordnenden Steuerchip nicht beeinträchtigt wird. Als Isolationsschicht bzw. isolierende Klebschicht zwischen der Chipinsel und dem Steuerchip kann auch ein Kunststofffilm aus Epoxydharz, Acrylharz, Silikonharz, Polyimid, Hochleistungsthermoplasten oder Mischungen derselben angeordnet werden. Derartige Kunststofffilme haben den Vorteil, dass sie in ihrer flächigen Erstreckung exakt auf den Bereich begrenzt werden können, der von dem Steuerchip auf der gemeinsamen Halbleiterchipinsel benötigt wird.
- Die isolierenden Stoffe der Klebstoffschicht können ungefüllt sein oder mit isolierenden Partikeln aus der Gruppe SiO2, BN, Al2O3, AlN, Diamant oder PTFE gefüllt sein. Derartige Füllungen haben den Vorteil, dass sie den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Klebstoffschicht an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleitermaterials anpassen können.
- Um einen Zugriff auf die Elektroden der Halbleiterchips des Halbleitermoduls zu gewährleisten, weisen die Flachleiter oberflächenmontierbare Außenkontaktflächen auf. Dazu können die Außenkontaktflächen Oberflächen von Beschichtungen aus lötbaren Materialien sein. Das hat zusätzlich den Vorteil, dass das Halbleitermodul mit diesen oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen auf entsprechende "foot prints" einer übergeordneten Schaltungsplatine fixiert werden kann.
- Schließlich weist das Halbleitermodul vorzugsweise ein Kunststoffgehäuse auf, in dessen Kunststoffgehäusemasse der Halbleiterchip, der Steuerchip, Verbindungselemente und Innenabschnitte der Flachleiter sowie der Chipinsel eingebettet sind, wobei Außenabschnitte der Flachleiter von Kunststoffgehäusemasse freigehalten bleiben. Dabei ist von besonderem Vorteil, dass ein derartiges Halbleitermodul eine Dicke aufweist, wie es für Standardbauelementgehäuse normiert ist, und keine Sonderanfertigungen für beispielsweise Spritzgussgehäuse von gestapelte Halbleiterchips erforderlich werden.
- Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitermodulen mit jeweils mindestens einem Halbleiterchip und einem Steuerchip auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden Halbleiterchips mit einer Versorgungselektrode auf ihren Rückseiten und Elektroden auf ihren Oberseiten hergestellt. Danach werden Steuerchips mit Versorgungselektroden und Signaleingangs- sowie Steuersignalausgangselektroden auf ihren Oberseiten bereitgestellt. Schließlich wird ein Flachleiterrahmen bereitgestellt, der Halbleitermodulpositionen aufweist, die ihrerseits Flachleiter mit Innen- und Außenabschnitten besitzen, wobei die Flachleiter eine Flachleiterchipinsel umgeben.
- Nachdem diese drei Komponenten hergestellt oder bereitgestellt sind, werden in den Halbleiterchippositionen jeweils Halbleiterchips auf einen elektrisch leitenden Teilbereich der Chipinsel aufgebracht. Danach erfolgt ein selektives Aufbringen einer Isolationsschicht auf einen weiteren Teilbereich der Flachleiterchipinsel und/oder auf die Rückseiten der Steuerchips. Schließlich werden die Steuerchips auf den isolierenden Teilbereich der Chipinsel bzw. auf den Teilbereich, der für die Steuerchips reserviert ist, in jeder der Halbleitermodulpositionen aufgebracht. Danach erfolgt ein Anbringen von Verbindungselementen zwischen den Flachleitern und den Elektroden der Halbleiterchips sowie zwischen den Elektroden der Halbleiterchips untereinander.
- Ein derartiges Verfahren hat den Vorteil, dass parallel mehrere Halbleitermodule auf einem Flachleiterrahmen hergestellt werden können. Dazu müssen lediglich nach dem Aufbringen von Verbindungselementen noch die nachfolgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden. Dazu gehört ein Einbetten der Halbleiterchips, der Verbindungselemente und der Innenabschnitte der Flachleiter des Flachleiterrahmens in eine Kunststoffgehäusemasse unter Freilassen von Außenabschnitten der Flachleiter. Danach kann ein Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne Halbleitermodule erfolgen.
- Vorzugsweise wird als Halbleiterchip ein Leistungshalbleiterchip eingesetzt und es werden auf die Leistungsversorgungselektrode des Leistungshalbleiterchips Diffusionslotschichten aus einem Diffusionslotmaterial aufgebracht. Diffusionslotschichten weisen Stoffe der Gruppe AuSn, AgSn, CuSn und/oder InAg auf und bilden intermetallische Phasen beim Diffusionslöten, wobei der Schmelzpunkt derartiger intermetallischer Phasen höher ist als eine Diffusionslöttemperatur.
- Für das Diffusionslöten wird der Halbleiterchip und der Versorgungsflachleiter auf eine Diffusionslöttemperatur TD zwischen 180°C ≤ TD ≤ 450 °C aufgeheizt. In den Halbleitermodulpositionen eines Flachleiterrahmens kann dazu ein MOSFET mit vertikaler Driftstrecke und vertikaler Trenchgatestruktur sowie mit Sourceelektrode auf seiner Oberseite und einer Drainelektrode auf seiner Rückseite aufgebracht werden, wobei die Drainelektrode auf den Versorgungsflachleiter diffusionsgelö tet wird. Die andere Leistungsausgangselektrode auf der Oberseite kann dann entweder über ein Verbindungselement mit einem Leistungsausgangsflachleiter über einen Verbindungsbügel oder mehrere Bondbänder oder mehrere dicke Aluminiumbonddrähte verbunden werden. Beim Diffusionslöten wird vorzugsweise ein Anpressdruck ausgeübt, um eine Kontaktgabe während des Aufheizens auf Diffusionslottemperatur sicherzustellen. Es kann jedoch anstelle eines Lötens auch ein Aufkleben mit Hilfe eines Leitklebers erfolgen. Für den Steuerchip ist es hingegen vorgesehen, diesen auf der Chipinsel mit einem isolierenden Klebstoff zu fixieren.
- Zum Herstellen von Flachleiterrahmen können vorzugsweise ebene Kupferplatten strukturiert werden, indem eine ebene Metallplatte gestanzt wird oder nass bzw. trocken geätzt wird.
- Anstelle einer Strukturierung einer Metallplatte ist es auch möglich, den Flachleiterrahmen dadurch herzustellen, dass die Flachleiterrahmenstruktur galvanisch auf einem Hilfsträger abgeschieden und anschließend der Hilfsträger von dem entstandenen Flachleiterrahmen entfernt wird.
- Zum Verpacken der Halbleitermodule aus mindestens einem Halbleiterchip und einem Steuerchip sowie den Verbindungselementen werden diese mittels Spritzgusstechnik in eine Kunststoffgehäusemasse unter Freilassen von Außenkontaktflächen der Flachleiter auf der Unterseite des Halbleitermoduls eingebettet.
- Das Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne Halbleitermodule kann schließlich mit einer Lasertrenntechnik, mit einem Ätzverfahren oder mit einem Säge- oder Stanzverfahren erfolgen.
- Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
-
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitermodul einer ersten Ausführungsform der Erfindung; -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitermodul einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; -
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Halbleitermodul gemäß2 . -
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitermodul1 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Das Halbleitermodul1 weist in einem Kunststoffgehäuse38 aus einer Kunststoffgehäusemasse39 ein Halbleiterbauteil auf, das als Schaltungsträger Flachleiter37 und eine Flachleiterchipinsel9 aufweist. Während die Flachleiterchipinsel9 innerhalb der Kunststoffgehäusemasse39 eingebettet ist, ragen die Flachleiter37 auf der rechten Seite der1 mit einem Leistungsflachleiter31 und auf der linken Seite der1 mit einem Versorgungsflachleiter29 in Form von Außenabschnitten43 der Flachleiter37 heraus. - Auf den Unterseiten der Außenabschnitte
43 der Flachleiter sind oberflächenmontierbare Außenkontaktflächen36 angeordnet, die aus einer lötbaren Beschichtung bestehen. Die Innenabschnitte42 dieser Flachleiter37 sind von der Kunststoffgehäusemasse39 umgeben und weisen auf ihren Oberseiten Kontaktanschlussflächen44 auf, auf denen ein Verbindungselement in Form eines Verbindungsbügels32 bzw. ein Verbindungselement in Form eines Bonddrahts28 fixiert sind. - Auf der Flachleiterchipinsel
9 sind ein Halbleiterchip3 mit Leistungselektroden5 und8 angeordnet und ein Steuerchip4 mit einer integrierten Schaltung, der über einen Bonddraht28 mit einer Steuerelektrode6 auf der Oberseite7 des Halbleiterchips3 elektrisch in Verbindung steht. Während eine Leistungsversorgungselektrode14 als Rückseitenelektrode8 auf der Rückseite13 des Halbleiterchips3 über eine Diffusionslotschicht34 mit einem elektrisch leitenden Teilbereich10 in Verbindung steht, ist der Steuerchip4 mit seiner Rückseite40 auf einer Isolationsschicht11 angeordnet, die eine isolierende Klebstoffschicht35 darstellt und eine Spannungsfestigkeit von größer als 100 Volt gegenüber dem Potential der Flachleiterchipinsel9 gewährleistet. - Somit sind auf der Flachleiterchipinsel
9 zwei Halbleiterchips3 und4 für unterschiedliche Potentiale angeordnet, ohne dass es erforderlich ist, getrennte Halbleiterchipinseln für das Halbleitermodul1 zur Verfügung zu stellen. Während die Rückseitenelektrode8 des Leistungshalbleiterchips3 als Leistungsversorgungselektrode14 dient, bildet die Leistungselektrode5 auf der Oberseite7 des Leistungshalbleiterchips3 eine Leistungsausgangselektrode15 , welche über den Verbindungsbügel32 , der auch "CLIP" genannt wird und einen für hohe Ströme geeigneten Querschnitt aufweist, mit dem Leistungsflachleiter31 über die Kontaktanschlussfläche44 in Verbindung steht. - Der Steuerchip
4 kann mehrere Signalelektroden20 und/oder Versorgungselektroden18 auf seiner Oberseite17 aufweisen, während der Leistungshalbleiterchip3 dieser Ausführungsform des Halbleitermoduls lediglich eine Steuerelektrode6 in Form einer Gateelektrode aufweist. - Beim Anlegen einer Versorgungsspannung an den Versorgungsflachleiter
29 wird über die Kontaktanschlussfläche44 des Innenabschnitts42 des Versorgungsflachleiters29 der Steuerchip4 über die Versorgungselektrode18 mit einer Spannung versorgt und kann ein Schaltsignal über die Signalelektrode20 und die Bonddrahtverbindung28 zu der Steuerelektrode6 auf der Oberseite7 des Leistungshalbleiterchips3 geben, so dass der Leistungshalbleiterchip3 einen vertikalen Strompfad durchschaltet, woraufhin ein Durchlassstrom zwischen der Rückseitenelektrode8 , die als Leistungsversorgungselektrode14 arbeitet, zu der Leistungsausgangselektrode15 auf der Oberseite7 des Halbleiterchips fließt. Dieser Durchlassstrom wird über den Verbindungsbügel32 und die Kontaktanschlussfläche44 des Innenabschnitts42 des Leistungsflachleiters31 an die oberflächenmontierbare Außenkontaktfläche36 weitergegeben. Somit dient der Steuerchip4 in dieser Ausführungsform der Erfindung als Gate-Treiber für den Leistungshalbleiterchip3 und ist mit dem Leistungshalbleiterchip3 auf einer gemeinsamen Flachleiterinsel9 trotz unterschiedlicher Versorgungspotentiale angeordnet. -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitermodul2 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Umriss des Kunststoffgehäuses, wie er noch in1 mit einer strichpunktierten Linie gezeigt wird, wurde hier weggelassen. Außerdem zeigt diese zweite Ausführungsform der Erfindung, dass es möglich ist, nicht nur einen Steuerchip4 auf der Halbleiterchipinsel9 auf einer Isolationsschicht11 anzuordnen, sondern dass auch ein weiterer signalverarbeitender Halbleiterchip33 mit seiner Rückseite41 über eine weitere Isolationsschicht12 auf der Flachleiterchipinsel9 angeordnet werden kann. Dabei liegt die Flachleiterchipinsel9 auf einem Drainpotential eines MOSFET-Halbleiterchips3 , der mit seinem Rückseitenkontakt8 über eine Lotverbindung34 mit dem elektrisch leitenden Teilbereich10 der Flachleiterchipinsel9 elektrisch verbunden ist. Die weitere Anordnung von Flachleitern und Verbindungselementen wird in3 gezeigt. -
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Halbleitermodul2 gemäß2 . Dieses Halbleitermodul2 weist für jedes der signalverarbeitenden Halbleiterchip4 bzw.33 Versorgungsflachleiter29 bzw.30 auf, die an die Versorgungselektroden19 auf der Oberseite17 der signalverarbeitenden Halbleiterchips4 bzw.33 gelegt werden, während die zweite Versorgungselektrode18 jeweils über einen Bonddraht28 auf das Drainpotential des Leistungshalbleiterchips3 gelegt wird. Die weiteren Signalflachleiter24 bis27 stehen über Bonddrähte28 mit den Signalelektroden20 bis23 auf den Oberseiten17 der signalverarbeitenden Halbleiterchips4 bzw.33 elektrisch in Verbindung. - Dabei sind die Versorgungsflachleiter
30 und29 sowie die Signalflachleiter24 bis27 für die beiden signalverarbeitenden Halbleiterchips4 und33 auf gegenüber liegenden Seiten des Halbleitermoduls2 aus dem Kunststoffgehäuse38 , dessen Kontur mit einer strichpunktierten Linie gekennzeichnet ist, herausgeführt. Die signalverarbeitenden Halbleiterchips4 und33 stehen auch über Bonddrahtverbindungen28 mit der Steuerelektrode6 des Leistungshalbleiterchips3 elektrisch in Verbindung. Diese Steuerelektrode6 ist über eine weitere Ver bindungsleitung mit einem Gate-Flachleiter G auf dem oberen Rand des Gehäuses28 verbunden. Ferner werden über Bondbandverbindungen32 die Leistungsausgänge S1 bis S4 mit den Leistungsflachleitern31 verbunden, während der elektrisch leitende Teilbereich10 der Flachleiterchipinsel9 , auf dem die Drainelektrode des Leistungshalbleiterchips3 angeordnet ist, mit fünf Flachleitern D1 bis D5 aus dem Kunststoffgehäuse herausgeführt ist. - Wie die Draufsicht auf dieses Halbleitermodul
2 zeigt, wäre es auch möglich, noch einen weitern Leistungshalbleiterchip auf dieser Standard-Flachleiterchipinsel9 in dem Bereich der unteren linken Ecke der Flachleiterchipinsel9 zu positionieren. Eine mit Doppelpunkt und Strichen gekennzeichnete Linie A-A zeigt den Verlauf der Schnittebene für den in2 gezeigten Querschnitt. Die nicht transparente Kunststoffgehäusemasse ist sowohl in2 als auch in3 weggelassen worden, um die Anordnung der Halbleiterchips3 ,4 und33 in einem elektrisch leitenden Teilbereich10 bzw. in einem isolierten Teilbereich der Flachleiterchipinsel9 zu zeigen. -
- 1
- Halbleitermodul (erste Ausführungsform)
- 2
- Halbleitermodul (zweite Ausführungsform)
- 3
- Halbleiterchip bzw. Leistungschip
- 4
- Steuerchip
- 5
- Elektrode bzw. Leistungselektrode auf der Oberseite des Halbleiterchips
- 6
- Elektrode bzw. Steuerelektrode auf der Oberseite des Halbleiterchips
- 7
- Oberseite des Halbleiterchips bzw. des Leistungshalbleiterchips
- 8
- Rückseitenelektrode bzw. Leistungselektrode
- 9
- Flachleiterchipinsel
- 10
- elektrisch leitender Teilbereich
- 11
- Isolationsschicht
- 12
- Isolationsschicht
- 13
- Rückseite des Halbleiterchips
- 14
- Leistungsversorgungselektrode
- 15
- Leistungsausgangselektrode
- 17
- Oberseite des Steuerchips
- 18
- Versorgungselektrode
- 19
- Versorgungselektrode
- 20
- Signalelektrode
- 21
- Signalelektrode
- 22
- Signalelektrode
- 23
- Signalelektrode
- 24
- Signalflachleiter
- 25
- Signalflachleiter
- 26
- Signalflachleiter
- 27
- Signalflachleiter
- 28
- Verbindungselement bzw. Bonddraht
- 29
- Versorgungsflachleiter
- 30
- Versorgungsflachleiter
- 31
- Leistungsflachleiter
- 32
- Verbindungselement bzw. Verbindungsbügel bzw. Bondband
- 33
- signalverarbeitender Halbleiterchip
- 34
- Diffusionslotschicht
- 35
- isolierende Klebstoffschicht
- 36
- oberflächenmontierbare Außenkontaktfläche
- 37
- Flachleiter
- 38
- Kunststoffgehäuse
- 39
- Kunststoffgehäusemasse
- 40
- Rückseite des Steuerchips s
- 41
- Rückseite des signalverarbeitenden Halbleiterchips
- 42
- Innenabschnitt eines Flachleiters
- 43
- Außenabschnitt eines Flachleiters
- 44
- Kontaktanschlussfläche
- D1
- Leistungsflachleiter
- D2
- Leistungsflachleiter
- D3
- Leistungsflachleiter
- D4
- Leistungsflachleiter
- D5
- Leistungsflachleiter
- G
- Gate-Flachleiter
- S1
- Leistungsausgang
- S2
- Leistungsausgang
- S3
- Leistungsausgang
- S4
- Leistungsausgang
Claims (31)
- Halbleitermodul aufweisend – mindestens einen Halbleiterchip (
3 ) mit – Elektroden (5 ,6 ) auf seiner Oberseite (7 ) und – einer Rückseitenelektrode (8 ), – mindestens einen Steuerchip (4 ), wobei der Halbleiterchip (3 ) und der Steuerchip (4 ) auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen liegen; – Flachleiter, die Außenanschlüsse aufweisen und – eine Flachleiterchipinsel (9 ), wobei die Flachleiterchipinsel (9 ) einen elektrisch leitenden Teilbereich (10 ) und eine Isolationsschicht (11 ) aufweist, – wobei der Halbleiterchip (3 ) auf dem elektrisch leitenden Teilbereich (10 ) der Flachleiterchipinsel (9 ) angeordnet ist und auf der Isolationsschicht (11 ) der Steuerchip (49 ) stoffschlüssig fixiert ist. - Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (
3 ) auf seiner Rückseite (13 ) eine großflächige Leistungsversorgungselektrode (14 ) zum Anlegen eines Versorgungspotentials und auf seiner Oberseite (7 ) eine großflächige Leistungsausgangselektrode (15 ) zum Übertragen eines Ausgangsstroms an Leistungsausgänge (S1 bis S4) des Halbleitermoduls (1 ,2 ) sowie eine kleinflächige Steuerelektrode (6 ) aufweist. - Halbleitermodul nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerchip (
4 ) auf seiner Oberseite (17 ) Versorgungselektroden (18 ,19 ), Eingangssignal- und/oder Steuersignalelektroden (20 bis23 ) aufweist und mit der Steuerelektrode (6 ) des Halbleiterchips (3 ) in Wirkverbindung steht. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) Signalflachleiter (24 bis27 ) aufweist, die über Verbindungselemente (28 ) mit den Eingangssignal- und/oder Steuersignalelektroden (20 bis23 ) des Steuerchips (4 ) und/oder des Halbleiterchips (3 ) elektrisch in Verbindung stehen. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) Versorgungsflachleiter aufweist, die über Verbindungselemente (28 ) mit den Versorgungselektroden auf der Oberseite (17 ) des Steuerchips (4 ) elektrisch in Verbindung stehen. - Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) mindestens einen Leistungsflachleiter (31 ) aufweist, der über ein Verbindungselement (32 ) mit einer Leistungselektrode (5 ) auf der Oberseite (7 ) des Leistungshalbleiterchips (3 ) elektrisch in Verbindung steht. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) als Verbindungselemente (28 ) für Signal-, Steuer- und Versorgungselektroden (18 bis23 ) des Steuerchips (4 ) und der Halbleiterchips (3 ) untereinander oder mit entsprechenden Flachleitern (24 bis27 ) Bonddrähte (28 ) oder Bondbänder (32 ) aufweist. - Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) als Verbindungselement (32 ) für eine oberflächenseitige Leistungselektrode (5 ) einen Verbindungsbügel in Form eines Clips aufweist. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Chipinsel (
9 ) und die Flachleiter (24 bis27 ) eine Kupferlegierung aufweisen. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Chipinsel (
9 ) zusätzlich mit einem Leistungsflachleiter (D1 bis D5) elektrisch in Verbindung steht. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) einen Versorgungsflachleiter für ein Massepotential aufweist, auf dem ein MOSFET mit seiner Drainelektrode oder ein IGBT mit seiner Kollektorelektrode angeordnet sind. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) auf der Isolationsfläche der Chipinsel (9 ) einen weiteren signalverarbeitenden Halbleiterchip (33 ) vorzugsweise als integrierten Gate-Treiber aufweist. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Diffusionslotschicht (
34 ) zwischen dem Halbleiterchip (3 ) und der Chipinsel (9 ) angeordnet ist. - Halbleitermodul nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionslotschicht (
34 ) eine intermetallische Phase aus der Gruppe AuSn, AgSn, CuSn oder AgIn aufweist. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine isolierende Klebstoffschicht (
35 ) zwischen der Chipinsel (9 ) und dem Steuerchip (4 ) angeordnet ist, die einen der nachfolgenden Stoffe aufweist, Epoxydharz, Acrylharz, Silikonharz, Polyimid, Hochleistungsthermoplasten oder Mischungen derselben oder einen Kunststofffilm aus diesen Stoffen. - Halbleitermodul nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Stoffe der isolierenden Klebstoffschicht (
35 ) ungefüllt sind oder mit isolierenden Partikeln aus der Gruppe SiO2, BN, Al2O3, AlN, Diamant oder PTFE gefüllt sind. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiter (
37 ) oberflächenmontierbare Außenkontaktflächen (36 ) aufweisen. - Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermodul (
1 ,2 ) ein Kunststoffgehäuse (38 ) aufweist, in dessen Kunststoffgehäusemasse (39 ), der Halbleiterchip (3 ), der Steuerchip (4 ), Verbindungsele mente (28 ,32 ) und Innenabschnitte der Flachleiter (37 ) sowie der Chipinsel (9 ) eingebettet sind, und wobei Außenabschnitte der Flachleiter (37 ) von Kunststoffgehäusemasse (39 ) freigehalten sind. - Verfahren zur Herstellung von Halbleitermodulen (
1 ,2 ) mit jeweils mindestens einem Halbleiterchip (3 ) und einem Steuerchip (4 ) auf unterschiedlichen Versorgungspotentialen, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen von Halbleiterchips (3 ) mit einer Versorgungselektrode (6 ) auf ihren Rückseiten (13 ) und Elektroden (5 ,6 ) auf ihren Oberseiten (7 ); – Herstellen von Steuerchips (4 ) mit Versorgungselektroden und Signaleingangs- sowie Steuersignalausgangselektroden (18 bis23 ) auf ihren Oberseiten (17 ); – Bereitstellen eines Flachleiterrahmens mit Halbleitermodulpositionen, die Flachleiter (37 ) mit Innen- und Außenabschnitten aufweisen, wobei die Flachleiter (37 ) eine Flachleiterchipinsel (9 ) umgeben; – Aufbringen von einem der Halbleiterchips (3 ) auf einen elektrisch leitenden Teilbereich (10 ) der Chipinsel (9 ) in einer Halbleitermodulposition; – selektives Aufbringen einer Isolationsschicht (11 ) auf einen Teilbereich der Flachleiterchipinsel (9 ) und/oder auf die Rückseiten (40 ,41 ) der Steuerchips (11 ,12 ); – Aufbringen von einem der Steuerchips (11 ,12 ) auf den isolierenden Teilbereich der Chipinsel (9 ) in einer Halbleitermodulposition; – Anbringen von Verbindungselementen (28 ,32 ) zwischen den Flachleitern (37 ) und den Elektroden der Halbleiterchips (11 ,12 ) sowie zwischen den Elektroden der Halbleiterchips (3 ,4 ,33 ) untereinander. - Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Anbringen von Verbindungselementen (
28 ,32 ) nachfolgende Verfahrensschritte durchgeführt werden: – Einbetten der Halbleiterchips (3 ,4 ,33 ), der Verbindungselemente (28 ,32 ) und der Innenabschnitte (42 ) der Flachleiter (37 ) des Flachleiterrahmens in eine Kunststoffgehäusemasse (39 ) unter Freilassen von Außenabschnitten (43 ) der Flachleiter (37 ); – Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne Halbleitermodule (1 ,2 ). - Verfahren nach Anspruch 19 oder Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (
3 ) ein Leistungshalbleiterchip ist und auf die Leistungsversorgungselektrode des Leistungshalbleiterchips (3 ) Diffusionslotschichten aus einem Diffusionslotmaterial aufgebracht werden, die mindestens einen der Stoffe AuSn, AgSn, CuSn und/oder InAg aufweisen und intermetallische Phasen bei einem Diffusionslöten bilden, deren Schmelzpunkte höher sind als eine Diffusionslöttemperatur. - Verfahren nach Anspruch 20 oder Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass beim Diffusionslöten eine Diffusionslöttemperatur TD mit 180°C ≤ TD ≤ 450 °C eingesetzt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass als Halbleiterchip (
3 ) ein MOSFET oder ein IGBT auf die Chipinsel (9 ) gelötet oder mit einem Leitkleber fixiert wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerchip (
4 ) auf die Chipinsel (9 ) mit einem isolierenden Klebstoff geklebt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen eines Flachleiterrahmens eine Metallplatte vorzugsweise eine ebene Kupferplatte strukturiert wird.
- Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass zum Strukturieren die ebene Metallplatte gestanzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Strukturieren die ebene Metallplatte nass oder trocken geätzt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen eines Flachleiterrahmens die Flachleiterrahmenstruktur galvanisch auf einem Hilfsträger abgeschieden und anschließend von dem Hilfsträger abgenommen wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass zum Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne Halbleitermodule (
1 ,2 ) eine Lasertrenntechnik eingesetzt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass zum Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne Halbleitermodule (
2 ) ein Ätzverfahren eingesetzt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftrennen des Flachleiterrahmens in einzelne Halbleitermodule (
1 ,2 ) mittels Sägetechnik oder Stanztechnik erfolgt.
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