JP5099243B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
該リードフレームに電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子に電気的に接続された複数の電子部品と、
上記リードフレームの少なくとも一部と上記スイッチング素子と上記電子部品とを封止する封止部材とを備え、
上記電子部品は、上記リードフレームの主面に実装されており、
上記電子部品は一対の接続端子を備え、該一対の接続端子のうち一方の接続端子と、上記スイッチング素子とが、同一の上記リードフレーム上に配置され、
上記電子部品は2個の上記リードフレーム間に接続され、上記一対の接続端子は、それぞれ別の上記リードフレームの上記主面上に配置されており、
上記電子部品は、上記スイッチング素子に並列接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるサージを吸収するスナバコンデンサまたは、上記スイッチング素子と接地端子との間に接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるコモンモードノイズを吸収するラインバイパスコンデンサであり、
上記電子部品として上記スナバコンデンサと上記ラインバイパスコンデンサとを両方とも備え、
上記複数のリードフレームのうち一部のリードフレームには、その主面に、上記スイッチング素子が実装されると共に、上記スナバコンデンサの上記一方の接続端子と、上記ラインバイパスコンデンサの上記一方の接続端子とが、それぞれ配置されていることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項1)。
上記半導体モジュールにおいて、上記電子部品は一対の接続端子を備え、該一対の接続端子のうち一方の接続端子と、上記スイッチング素子とが、同一の上記リードフレーム上に配置されている。
したがって、スイッチング素子と電子部品とが同一のリードフレーム上に配置されているため、これらを別々のリードフレーム上に配置してワイヤ等で接続した場合と比べて、スイッチング素子と電子部品との間のインダクタンスを低減できる。そのため、スイッチング素子の動作時に生じるサージを、より低減することができる。
したがって、2個のリードフレームのうち、一方のリードフレームの主面上に、電子部品の一方の接続端子が配置されているため、これら一方のリードフレームと電子部品との間のインダクタンスを低減できる。また、他方のリードフレームの主面上に、電子部品の他方の接続端子が配置されているため、これら他方のリードフレームと電子部品との間のインダクタンスも低減できる。これにより、2個のリードフレームの間のインダクタンスを低減することができ、スイッチング素子の動作時に生じるサージを、より低減することが可能になる。
この場合には、中継用リードフレームの主面上に電子部品の一方の接続端子が配置されているため、これら中継用リードフレームと電子部品との間のインダクタンスを低減できる。また、リードフレームの主面上に電子部品の他方の接続端子が配置されているため、これらリードフレームと電子部品との間のインダクタンスを低減できる。これにより、リードフレームと中継用リードフレームとの間のインダクタンスを低減することができ、スイッチング素子の動作時に生じるサージを、より低減することが可能になる。
このように、複数の電子部品を直列接続しておけば、電子部品としてコンデンサや抵抗を用いた場合、これらの電子部品のうち一個の電子部品がショート故障した場合でも、他の電子部品が故障しない限り、正常な動作を維持することが可能になる。そのため、半導体モジュールの信頼性を高めることが可能になる。
また、上記構成によれば、複数の電子部品と中継用リードフレームとによって、2個のリードフレームの間を、ワイヤやリード線を用いることなく接続することが可能になる。そのため、2個のリードフレームの間のインダクタンスを低減でき、スイッチング素子の動作時に生じるサージをより低減しやすくなる。
電子部品として上記スナバコンデンサを設けた場合は、スイッチング素子がオンオフ動作した際にサージが発生しても、スナバコンデンサによってサージを吸収することができる。そのため、耐圧の低いスイッチング素子を使用することができ、電力変換装置の製造コストを下げることが可能になる。また、リードフレームの主面上にスナバコンデンサを実装することにより、これらリードフレームとスナバコンデンサとの間のインピーダンスを低減できるため、スイッチング素子を高速スイッチング動作した時に、スナバコンデンサに電流が流れ込みやすくなる。そのため、ソフトスイッチングを容易に行うことができ、スイッチング素子のスイッチング損失を低減することが可能になる。
また、上記スナバコンデンサ及び上記ラインバイパスコンデンサはチップコンデンサであり、該チップコンデンサの接続端子が上記リードフレームの主面にはんだ付けまたは溶接または導電性接着材により接着されていることが好ましい(請求項3)。
このようにすると、スナバコンデンサとリードフレームの接続部のインダクタンスを更に低減できる。すなわち、仮に、スナバコンデンサとしてリード線を有するコンデンサを用いたとすると、リード線に大きな寄生インダクタンスLが付きやすくなる。そのため、サージ(V=−L・di/dt)が大きくなったり、スイッチング損失が大きくなったりしやすい。しかしながら、スナバコンデンサやラインバイパスコンデンサとしてチップコンデンサを用い、かつはんだ接続等することにより、リード線を用いることなく、スナバコンデンサ等をリードフレームに接続することが可能になる。これにより、スナバコンデンサ等とリードフレームとの間に大きな寄生インダクタンスが付きにくくなり、スイッチング素子の動作時に生じるサージおよびスイッチング損失を容易に低減することができる。
この場合には、上記スイッチング素子群を1単位又は複数単位まとめて1体化するため、スイッチング素子を1個ずつ封止した場合と比較して、集約化することで容易に電子回路を構成することができる。そのため、電子回路をコンパクト化でき、生産性を向上させることができる。
このようにすると、半導体モジュールを用いて、更に容易に電子回路を構成することができる。すなわち、例えば2個のスイッチング素子群を並列接続して一体化した場合には、半導体モジュールをDC−DCコンバータとして使用できる。また、3個のスイッチング素子群を並列接続して一体化した場合には、半導体モジュールをインバータとして使用できる。
このようにすると、4個のスイッチング素子を互いに近くに配置することができ、これら4個のスイッチング素子の間に生じるインダクタンスをより低減しやすくなる。また、4個のスイッチング素子を一直線上に配置した場合と比べて、半導体モジュールをコンパクト化でき、小型化しやすい。
本発明の実施例にかかる半導体モジュールにつき、図1〜図6を用いて説明する。
図1に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、複数のリードフレーム2と、スイッチング素子Tr(Tr1〜Tr4)と、電子部品7と、封止部材3とを備える。
スイッチング素子Trは、リードフレーム2に電気的に接続されている。また、電子部品7は、スイッチング素子Trに電気的に接続されている。封止部材3は、リードフレーム2の一部とスイッチング素子Tr1〜Tr4と電子部品7とを封止している。
そして図1、図2に示すごとく、電子部品7は、リードフレーム2の主面200に実装されている。
スイッチング素子Tr1〜Tr4の、ドレイン電極Dが形成されている面70(図3参照)は、リードフレーム2の主面200にはんだ付けされている。また、スイッチング素子Tr1〜Tr4のソース電極Sは、ワイヤ10によって他のリードフレーム2にボンディングされている。
なお、他のスナバコンデンサC2〜C4も、第1スナバコンデンサC1と同様の構成となっている。
本例では、ラインバイパスコンデンサC6としてチップコンデンサを用いている。図4に示すごとく、接地端子4には、半導体モジュール1の内側に向かって突出した突部40が形成されている。リードフレーム2の主面200と、突部40の主面400とは略面一である。そして、突部40とリードフレーム2aとの間にラインバイパスコンデンサC61が取り付けられている。ラインバイパスコンデンサC61は2個の接続端子13c,13dを備える。一方の接続端子13cは第1リードフレーム2aの主面200に、はんだ15によって接続されている。また、他方の接続端子13dは突部40の主面400にはんだ付けされている。図1に示される他のラインバイパスコンデンサC71,C62,C72も同様の構成となっている。
このようにすると、スイッチング素子Trと電子部品7とが同一のリードフレーム2上に配置されているため、これらを別々のリードフレーム2上に配置してワイヤ等で接続した場合と比べて、スイッチング素子Trと電子部品7との間のインダクタンスを低減できる。そのため、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージを、より低減することができる。
このようにすると、2個のリードフレーム2a,2bのうち、一方のリードフレーム2aの主面200上に、電子部品7(スナバコンデンサC1)の一方の接続端子13aが配置されているため、これらリードフレーム2aと電子部品7との間のインダクタンスを低減できる。また、他方のリードフレーム2bの主面200上に、電子部品7(スナバコンデンサC1)の他方の接続端子13bが配置されているため、これらリードフレーム2bと電子部品7との間のインダクタンスも低減できる。これにより、2個のリードフレーム2a,2bの間のインダクタンスを低減することができ、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージを、より低減することが可能になる。
電子部品7としてスナバコンデンサC1〜C5を設けた場合は、スイッチング素子Trがオンオフ動作した際にサージが発生しても、スナバコンデンサC1〜C5によってサージを吸収することができる。そのため、耐圧の低いスイッチング素子Trを使用することができ、電力変換装置の製造コストを下げることが可能になる。また、リードフレーム2の主面200上にスナバコンデンサC1〜C5を実装することにより、これらリードフレーム2とスナバコンデンサC1〜C5との間のインピーダンスを小さくすることができるため、スイッチング素子を高速スイッチング動作したときに、スナバコンデンサC1〜C5に電流が流れ込みやすくなる。そのため、ソフトスイッチングを容易に行うことができ、スイッチング素子Trのスイッチング損失を低減することが可能になる。
このようにすると、スナバコンデンサC1〜C5とリードフレーム2の接続部のインダクタンスを更に低減できる。すなわち、仮に、スナバコンデンサC1〜C5としてリード線を有するコンデンサを用いたとすると、リード線に大きな寄生インダクタンスLが付きやすくなる。そのため、サージ(V=−L・di/dt)が大きくなったり、スイッチング損失が大きくなったりしやすい。しかしながら、上記コンデンサC1〜C7としてチップコンデンサを用い、かつはんだ接続することにより、リード線を用いることなく、コンデンサC1〜C7をリードフレーム2に接続することが可能になる。これにより、コンデンサC1〜C7とリードフレーム2との間に大きな寄生インダクタンスが付きにくくなり、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージおよびスイッチング損失を容易に低減することができる。
なお、チップコンデンサの接続端子13とリードフレーム2の主面200とを、溶接または導電性接着材により接着しても同様の効果を有する。
この場合には、複数個のスイッチング素子群6をまとめて1体化するため、スイッチング素子Trを1個ずつ封止した場合と比較して、少ない半導体モジュール1にて容易に電子回路を構成することができる。そのため、電子回路をコンパクト化でき、生産性を向上させることができる。
このようにすると、半導体モジュール1を用いて、更に容易に電子回路を構成することができる。すなわち、例えば図6に示すごとく、2個のスイッチング素子群6を並列接続して一体化した場合には、半導体モジュール1をDC−DCコンバータとして使用できる。
なお、3個以上のスイッチング素子群6を並列接続して一体化することもできる。3個のスイッチング素子群6を並列接続した場合には、半導体モジュール1をインバータとして使用することができる。
本例は、1つの半導体モジュール1に内蔵するスイッチング素子群6の数を変更した例である。図7に示すごとく、本例では、1個のスイッチング素子群6のみを封止してモジュール化している。
このようにすると、1個のスイッチング素子群6のみを必要とする電子回路に好適に使用できる。すなわち、本例の半導体モジュール1は、複数個のスイッチング素子群6を一体化した場合と比較して、1個のスイッチング素子群6しか含まれていないため、電子回路の製造コストを安くすることができる。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を有する。
本例は、ラインバイパスコンデンサC6,C7と接地端子4との接続方法を変更した例である。図8に示すごとく、本例における接地端子4は突部40(図4参照)が形成されておらず、平板状になっている。また、接地端子4の主面400に金属ブロック41を載置し、はんだ付けまたは溶接してある。リードフレーム2の主面200と金属ブロック41の主面410とは略面一である。そして、リードフレーム2と金属ブロック41との間を跨ぐようにスナバコンデンサC6,C7を載置し、はんだ付け又は溶接している。
その他、実施例1と同様の構成を備える。
その他、実施例1と同様の作用効果を備える。
本例は、ラインバイパスコンデンサC6,C7と接地端子4との接続方法を変更した例である。図9に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、締結用リードフレーム2f,2gを備える。この締結用リードフレーム2f、2gにボルト12を挿入し、収納ケース11に螺合することにより、半導体モジュール1を収納ケース11に固定している。また、第1リードフレーム2aと締結用リードフレーム2gとの間にラインバイパスコンデンサC6が配置され、はんだ付けまたは溶接されている。他のラインバイパスコンデンサC7も同様の構成となっている。
その他、実施例1と同様の構成を備える。
その他、実施例1と同様の作用効果を備える。
本例は、ラインバイパスコンデンサC6と接地端子4との接続方法を変更した例である。図10に示すごとく、本例では、2個のリードフレーム2h,2iの間にラインバイパスコンデンサC6を配置し、はんだ付けまたは溶接している。そして、リードフレーム2hと接地端子4とを、ワイヤ10を使ってボンディングしている。また、別のラインバイパスコンデンサC7(図1参照)も同様の構成となっている。
その他、実施例1と同様の構成を備える。
その他、実施例1と同様の作用効果を備える。
本例は、スイッチング素子Trの配置位置を変更した例である。本例は図11に示すごとく、実施例1と同様に、4個のスイッチング素子Tr1〜Tr4を備える。そして、リードフレーム2の主面200の法線方向(紙面に垂直な方向)から見たときに、4個のスイッチング素子Tr1〜Tr4は、四角形の頂点に相当する位置にそれぞれ配置されている。
その他、実施例1と同様の構成を備える。
その他、実施例1と同様の作用効果を備える。
本例は、スナバコンデンサおよびラインバイパスコンデンサの数を変更した例である。図12に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、スナバコンデンサC51,C52およびラインバイパスコンデンサC61,C62,C71,C72をそれぞれ2個備える。半導体モジュール1には、リードフレーム2から離隔した複数の中継用リードフレーム8が形成されており、この中継用リードフレーム8を使って、2個のラインバイパスコンデンサC61等を直列に接続している。
その他、実施例6と同様の構成を備える。
また、他の電子部品7(ラインバイパスコンデンサC612,C62,C71,C72、スナバコンデンサC51,C52)も同様の構造となっており、同様の作用効果を有する。
このように、複数のラインバイパスコンデンサC611,C612を直列接続しておけば、これらのラインバイパスコンデンサC611,C612のうち一個のラインバイパスコンデンサがショート故障した場合でも、他のラインバイパスコンデンサが故障しない限り、正常な動作を維持することが可能になる。そのため、半導体モジュール1の信頼性を高めることが可能になる。
その他、実施例6と同様の作用効果を備える。
本例は、リードフレーム2の形状を変更した例である。図13に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、第1リードフレーム2aと第3リードフレーム2cとを一体化した共通リードフレーム2coを備える。この共通リードフレーム2coにより、実施例6,7では2個存在していた正極端子P1,P2(図12、図13参照)を、一個の正極端子Pに集約している。
その他、実施例6と同様の構成を備える。
本例では、共通リードフレーム2coと第4リードフレーム2dとの間に、接続部252を跨ぐように、第3スナバコンデンサC3が設けられている。このようにすると、共通リードフレーム2coと第4リードフレーム2dとの間に上記接続部252を介在させつつ、これらのリードフレーム2co,2dの間に第3スナバコンデンサC3を設けることが可能になる。リードフレーム2co,2dの間に接続部252が介在した構造を採用すると、第2リードフレーム2bの搭載部250を、端子部251から離れた位置に設けることができ、半導体モジュール1の設計自由度を上げることが可能になる。また、第3スナバコンデンサC3を設けることにより、第3スイッチング素子Tr3がオンオフ動作した時に生じるサージを、第3スナバコンデンサC3によって吸収することができる。
その他、実施例6と同様の作用効果を備える。
15 接続部(はんだ)
2 リードフレーム
3 封止部材
4 接地端子(放熱板)
5 絶縁部材
7 電子部品
8 中継用リードフレーム
C1〜C5 スナバコンデンサ
C6、C7 ラインバイパスコンデンサ
Tr1〜Tr4 スイッチング素子(MOS−FET)
Claims (6)
- 複数のリードフレームと、
該リードフレームに電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子に電気的に接続された複数の電子部品と、
上記リードフレームの少なくとも一部と上記スイッチング素子と上記電子部品とを封止する封止部材とを備え、
上記電子部品は、上記リードフレームの主面に実装されており、
上記電子部品は一対の接続端子を備え、該一対の接続端子のうち一方の接続端子と、上記スイッチング素子とが、同一の上記リードフレーム上に配置され、
上記電子部品は2個の上記リードフレーム間に接続され、上記一対の接続端子は、それぞれ別の上記リードフレームの上記主面上に配置されており、
上記電子部品は、上記スイッチング素子に並列接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるサージを吸収するスナバコンデンサまたは、上記スイッチング素子と接地端子との間に接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるコモンモードノイズを吸収するラインバイパスコンデンサであり、
上記電子部品として上記スナバコンデンサと上記ラインバイパスコンデンサとを両方とも備え、
上記複数のリードフレームのうち一部のリードフレームには、その主面に、上記スイッチング素子が実装されると共に、上記スナバコンデンサの上記一方の接続端子と、上記ラインバイパスコンデンサの上記一方の接続端子とが、それぞれ配置されていることを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、上記半導体モジュールは、4個の上記スイッチング素子と6個の上記スナバコンデンサとを備え、上記4個のスイッチング素子によってHブリッジ回路が構成されており、上記6個のスナバコンデンサのうち4個の上記スナバコンデンサはそれぞれ上記スイッチング素子に並列接続され、他の2個の上記スナバコンデンサは、直流電源に接続される正極端子と負極端子との間に接続されており、個々の上記スナバコンデンサは6角形の頂点に相当する位置に配置され、上記6個のスナバコンデンサは密集し、その内側に上記ラインバイパスコンデンサ又は上記スイッチング素子が配置されていないことを特徴とする半導体モジュール。
- 請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、上記スナバコンデンサ及び上記ラインバイパスコンデンサはチップコンデンサであり、該チップコンデンサの接続端子が上記リードフレームの主面にはんだ付けまたは溶接または導電性接着剤により接着されていることを特徴とする半導体モジュール。
- 請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、直列接続した2個の上記スイッチング素子と、個々の該スイッチング素子に並列接続された上記スナバコンデンサとを1単位のスイッチング素子群とした場合に、1単位の又は複数単位の上記スイッチング素子群を一体化して封止したことを特徴とする半導体モジュール。
- 請求項4に記載の半導体モジュールにおいて、複数単位の上記スイッチング素子群を互いに並列接続して一体化したことを特徴とする半導体モジュール。
- 請求項5に記載の半導体モジュールにおいて、2単位の上記スイッチング素子群を有し、上記リードフレームの上記主面の法線方向から見たときに、4個の上記スイッチング素子は、四角形の頂点に相当する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
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