JP5564367B2 - 半導体装置及びリードフレーム - Google Patents

Description

この発明は、半導体装置及びその製造に使用するリードフレームに関する。

従来の半導体装置には、例えば特許文献１のように、一対の端子板の各長手方向の一端部（インナーリード部）を半導体チップに電気接続した上で、これら一対のインナーリード部及び半導体チップをモールド樹脂により封止し、さらに、一対の端子板の他端部（アウターリード部）をモールド樹脂から互いに逆向きに突出させたものがある。すなわち、この半導体装置では、一対の端子板がその長手方向に配列されている。なお、この半導体装置では、通電時に半導体チップにおいて生じた熱を効率よく外方に逃がすことができるように、各端子板に折り曲げ加工を施して、インナーリード部をアウターリード部よりも低く位置させている。
また、この種の半導体装置では、例えば図６に示すように、第一端子板２０１のインナーリード部２１１自体に半導体チップ２０３を搭載した上で、導電性を有するボンディングワイヤや接続板等の接続子２０４により半導体チップ２０３と第二端子板２０２のインナーリード部２２１とを電気接続したものも考えられている。なお、図６において、符号２０５はモールド樹脂を示している。

特開２００９−２３８８０４号公報

ところで、このような半導体装置は、その製造に際して一対の端子板２０１，２０２の相対的な位置決め精度が要求されるため、図７（ａ）に示すように、導電性板材に一対の端子板２０１，２０２を一体に形成したリードフレームを用いて製造することが考えられる。
しかしながら、上述した構成の半導体装置では、一対の端子板２０１，２０２がその長手方向に配列されていることから、リードフレームの状態において各端子板２０１，２０２のインナーリード部２１１，２２１をアウターリード部２１２，２２２よりも低く位置させるように各端子板２０１，２０２に折り曲げ加工を施した場合にはリードフレームの性質上、図７（ｂ）に示すように、一対のインナーリード部２１１，２２１間の距離（ピッチ）Ｐ２が長くなってしまう。

この場合、第一端子板２０１のインナーリード部２１１に搭載された半導体チップ２０３と第二端子板２０２のインナーリード部２２１とを接続する接続子２０４の長手寸法が長くなることに伴って接続子２０４の電気抵抗が大きくなり、その結果として、半導体装置を省電力で駆動することが困難となる。
また、一対のアウターリード部２１２，２２２間の距離を基準とした場合、この基準長さに対して、半導体チップ２０３を搭載する第一端子板２０１のインナーリード部２１１の長手寸法が極端に小さくなってしまう。その結果、一対のアウターリード部２１２，２２２間の距離を大きく設定しなければ、大電流ダイオード等のように大型の半導体チップ２０３を搭載することができない、という問題も生じる。

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、省電力で駆動することができ、かつ、大型の半導体チップを設けることが可能な半導体装置、及び、その製造に用いるリードフレームを提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明のリードフレームは、長手方向に一端部及び他端部を有し前記一端部に半導体チップを搭載すると共に該半導体チップと電気接続する一の端子板と、長手方向に一端部及び他端部を有し前記一端部を半導体チップと電気接続する他の端子板と、を一対の端子板とし、前記一の端子板の一端部に前記半導体チップを搭載し、前記一の端子板及び前記他の端子板の各一端部を前記半導体チップに電気接続した上で、前記一の端子板及び前記他の端子板の各一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記一の端子板及び前記他の端子板の各他端部を前記モールド樹脂から互いに逆向きに突出させてなる半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、導電性板材に、前記一の端子板及び前記他の端子板の他端部が前記長手方向に配列された前記一対の端子板と、前記一の端子板及び前記他の端子板の各他端部に接続されて前記一対の端子板を一体に連結する枠体部と、を形成して構成され、前記一の端子板及び前記他の端子板の一端部が、前記導電性板材の面方向に沿って前記長手方向に直交する幅方向に配列されていることを特徴とする。
なお、前記一対の一端部を前記幅方向に配列させるためには、例えば、前記一対の端子板のうち少なくとも一つの端子板の一端部を、前記他端部に対して前記幅方向にずらして位置させればよい。

本発明のリードフレームを用いて半導体装置を製造する際に、各端子板の一端部が他端部よりも低く位置するように各端子板に折り曲げ加工を施したとしても、各端子板の一端部は、他端部に対して端子板の長手方向に移動するだけである。すなわち、各端子板に折り曲げ加工を施しても、端子板の幅方向に配列された一対の端子板の間の距離（ピッチ）は変化しない。

そして、このように折り曲げ加工を施したリードフレームに対し、例えば一の端子板の一端部に半導体チップを搭載した上で、ワイヤー等の接続子の両端を、半導体チップ及び他の端子板の一端部に接合して電気接続した状態では、接続子が端子板の幅方向に延びるように配されることになる。すなわち、接続子の長さを短く設定してその電気抵抗を小さく抑えることができる。その結果として、半導体装置を省電力で駆動することが可能となる。
また、一対の端子板の他端部間の距離を基準長さとした場合、この基準長さに対して、一の端子板の一端部の長手寸法を従来よりも大きく設定できるため、一対の端子板の他端部間の距離を長く設定しなくても、一の端子板の一端部に大型の半導体チップを搭載することが可能となる。

そして、前記リードフレームにおいては、前記一の端子板及び前記他の端子板の一端部が、前記他端部に対して前記幅方向に沿って互いに逆向きにずれて位置していることがより好ましい。
この場合には、一つの端子板の一端部のみを端子板の幅方向にずらす場合と比較して、他端部に対する一端部のずれ量を小さく設定できるため、端子板の幅方向に沿う半導体装置の寸法をより小さく設定することが可能となり、コンパクトな構成の半導体装置を提供することができる。

さらに、前記リードフレームにおいては、前記他の端子板の一端部の前記幅方向の寸法を、前記一の端子板の一端部よりも小さく設定することが好ましい。
この構成では、配置板部における半導体チップの搭載面積を確保しながらも、端子板の幅方向に沿う半導体装置の寸法を小さく設定できるため、コンパクトな構成の半導体装置を提供することが可能となる。

また、前記リードフレームにおいては、前記一端部のうち前記長手方向に沿って前記他端部から離れて位置する先端が、前記モールド樹脂に係合する係合部とされ、当該係合部が前記モールド樹脂に係合した状態で、前記モールド樹脂に対する前記先端の前記長手方向への移動が規制されるとよい。
なお、前記係合部は、例えば、前記一端部の先端に形成されて前記幅方向に窪む凹部によって構成されているとよい。

半導体装置の状態においてモールド樹脂内に埋設される端子板の一端部は、導電性板材とモールド樹脂との熱膨張係数の差に基づいて、端子板の長手方向に伸縮し易い。これに対し、上記リードフレームでは、端子板の一端部の先端が係合部をなしていることで、モールド樹脂に対する端子板の一端部の先端の長手方向への移動が規制される。一方、端子板の一端部の基端側には、前述したように、端子板の一端部を低く位置させる折り曲げ部分が形成されるため、この折り曲げ部分がモールド樹脂内に埋設されることで、端子板の一端部の基端の長手方向への移動が規制される。

すなわち、端子板の長手方向に沿う一端部の両端がモールド樹脂に固定されているため、半導体装置が加熱冷却されても、モールド樹脂に対して端子板の一端部がその長手方向に伸縮することを防止できる。したがって、端子板の一端部に固定される接続子や半導体チップが端子板の一端部から剥離することを防止して、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。

そして、前記リードフレームを用いて製造される本発明の半導体装置は、前記一端部と前記他端部との間に当該一端部を当該他端部よりも低く位置させる折曲部を形成してなる前記一の端子板及び前記他の端子板と、前記一の端子板の一端部に搭載されて電気接続される半導体チップと、当該半導体チップと前記他の端子板の一端部とを電気接続する接続子と、前記一の端子板及び前記他の端子板の各一端部、前記半導体チップ並びに前記接続子を封止するモールド樹脂とを備え、前記半導体チップ及び前記他の端子板の一端部に接合される前記接続子の両端が、前記幅方向に配列されていることを特徴とする。

本発明によれば、複数の端子板を一体に形成したリードフレームを用いて半導体装置を製造しても、半導体装置を省電力で駆動することができ、かつ、大型の半導体チップを設けることも可能となる。

本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す上面図であり、（ａ）は折り曲げ加工前の状態、（ｂ）は折り曲げ加工後の状態を示している。 図１のリードフレームにより半導体装置を製造する工程の一例を示す斜視図である。 図１のリードフレームを用いて製造される半導体装置を示す概略上面図である。 図３のＡ−Ａ矢視断面図である。 図１のリードフレームにより半導体装置を製造する工程の変形例を示す斜視図である。 従来の半導体装置の一例を示す概略断面図である。 図６の半導体装置の製造に用いるリードフレームの一例を示す上面図であり、（ａ）は折り曲げ加工前の状態、（ｂ）は折り曲げ加工後の状態を示している。

以下、図１〜４を参照して本発明の一実施形態について説明する。
この実施形態に係るリードフレームは、図３，４に示すように、ヒートシンク５、絶縁性板材６、複数の端子板２，３、半導体チップ７及びボンディングワイヤ（接続子）８をモールド樹脂９で封止した構成の半導体装置１００の製造に使用するものである。
図１（ａ）に示すように、リードフレーム１は、銅板をはじめとする導電性板材に、複数（図示例では四つ）の端子板２，３、及び、複数の端子板２，３を一体に連結する板状の枠体部４を形成して大略構成されている。このリードフレーム１は、導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施すことで得られる。

なお、図示例のリードフレーム１には、一つの半導体装置１００の製造に要する端子板２，３のユニットが一つだけ形成されているが、例えば、枠体部４を介して複数のユニットが連ねて形成されていてもよい。すなわち、リードフレーム１は、複数の半導体装置１００を同時に製造できるように構成されていてもよい。
枠体部４は、平面視矩形状の内縁を有する外枠部４１、及び、外枠部４１の内縁と複数の端子板２，３とを接続する複数のタイバー４２を備えて構成されている。

各端子板２，３は、平面視した外枠部４１の内縁から内側に延びるように形成されており、タイバー４２に接続される平板状の基端板部（他端部）２１，３１と、基端板部２１，３１に対して外枠部４１内縁の内側に突出した先端板部（一端部）２２，３２とを備えている。
各端子板２，３の先端板部２２，３２は、半導体装置１００において、半導体チップ７に電気接続されると共にモールド樹脂９によって封止されるインナーリード部となる部分である。一方、基端板部２１，３１は、モールド樹脂９から外側に突出して半導体チップ７を外部に電気接続するためのアウターリード部となる部分である。なお、枠体部４のタイバー４２は、この基端板部２１，３１の幅方向（導電性板材の面方向に沿って端子板２，３の長手方向に直交する方向）の両側端に接続されており、これによって、各端子板２，３が外枠部４１に連結されている。

そして、複数の端子板２，３は、一対の端子板２，３がタイバー４２側から互いに近づく方向に延びるように配されている。
一対の端子板２，３の基端板部２１，３１は、端子板２，３の長手方向に配列されている。一方、一対の端子板２，３の先端板部２２，３２は、各々の基端板部２１，３１に対して端子板２，３の幅方向に沿って互いに逆向きにずれて位置している。これにより、一対の端子板２，３の先端板部２２，３２が、端子板２，３の幅方向に間隔をあけて配列されている。

一対の端子板２，３のうち一方（第一端子板２）の先端板部２２は、半導体チップ７を搭載する配置板部をなしている。一方、他方の端子板（第二端子板３）の先端板部３２は、電気接続用のボンディングワイヤ８の一端を接合する接合板部をなしている。この第二端子板３の先端板部３２の幅方向の寸法は、第一端子板２の先端板部２２よりも小さく設定されている。
また、第二端子板３の先端板部３２のうち端子板２，３の長手方向に沿って基端板部３１から離れて位置する先端には、先端板部３２の幅方向に窪む凹部３４が形成されている。この凹部３４を形成した先端板部３２の先端は、半導体装置１００の状態においてモールド樹脂９が凹部３４内に入り込むことでモールド樹脂９に係合する係合部として機能する。

さらに、本実施形態のリードフレーム１においては、第一端子板２及び第二端子板３が、それぞれ二つ形成され、それぞれ端子板２，３の幅方向に間隔をあけて配列されている。また、二つの第一端子板２の基端板部２１同士の間隔は、二つの第二端子板３の基端板部３１同士の間隔と等しくなるように設定されている。
そして、二つの第一端子板２の先端板部２２同士の間隔は、二つの基端板部２１同士の間隔よりも狭く設定されている。すなわち、二つの第一端子板２の先端板部２２は、端子板２，３の幅方向に互いに近づくように、各々の基端板部２１に対して逆向きにずれて位置している。一方。二つの第二端子板３の先端板部３２同士の間隔は、二つの基端板部３１同士の間隔よりも広く設定されている。すなわち、二つの第二端子板３の先端板部３２は、端子板２，３の幅方向に互いに離れるように、各々の基端板部３１に対して逆向きにずれて位置している。
したがって、本実施形態のリードフレーム１では、二つの第一端子板２の先端板部２２が、二つの第二端子板３の先端板部３２の間に位置するように、端子板２，３の幅方向に配列されている。

次に、このリードフレーム１を用いて半導体装置１００を製造する方法の一例について説明する。
半導体装置１００を製造する際には、はじめに、導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施すことで、上記構成のリードフレーム１を用意する（フレーム準備工程）。また、このフレーム準備工程では、各端子板２，３の長手方向の中途部分に折り曲げ加工を施すことで、図１（ｂ），図２に示すように、各端子板２，３の先端板部２２，３２を基端板部２１，３１よりも低く位置させる（折曲工程）。
具体的に説明すれば、各端子板２，３は、基端板部２１，３１と先端板部２２，３２との間に位置してこれらを一体に連結する段差板部２３，３３を備えており、折曲工程では、基端板部２１，３１と段差板部２３，３３との境界、及び、段差板部２３，３３と先端板部２２，３２との境界において端子板２，３を折り曲げる。

これにより、折曲工程後のリードフレーム１では、各端子板２，３の基端板部２１，３１が枠体部４と同一の高さに位置し、段差板部２３，３３が基端板部２１，３１に対して枠体部４の厚さ方向に延びることで、先端板部２２，３２が基端板部２１，３１よりも枠体部４の厚さ方向にずれて低く位置している。すなわち、段差板部２３，３３は、先端板部２２，３２を基端板部２１，３１よりも低く位置させる折曲部をなしている。
なお、図１に示すように、平面視したリードフレーム１では、この折曲工程によって、各端子板２，３の先端板部２２，３２が、基端板部２１，３１に近づくように端子板２，３の長手方向のみに移動する。したがって、端子板２，３の幅方向に配列された一対の先端板部２２，３２間の距離（ピッチ）Ｐ１は、折曲工程の前後で変化しない。

折曲工程後には、図２〜４に示すように、ヒートシンク５の上面５ａに、絶縁性板材６、リードフレーム１を順次重ねて配置し、さらに、第一端子板２の各先端板部２２の上面２２ａに半導体チップ７を重ねて配置する（積層工程）。
この積層工程では、セラミックス等の電気絶縁性を有する絶縁性板材６を接合剤によりヒートシンク５の上面５ａに固定すればよい。なお、ヒートシンク５は、半導体チップ７において生じた熱を効率よく放熱する役割を果たすものである。このヒートシンク５は、少なくとも銅（Ｃｕ）、タングステン、モリブデン等の放熱性の高い材料によって形成されていればよいが、例えばこれに加えてＮｉメッキを施したものでもよい。

さらに、積層工程では、接合剤により複数の先端板部２２，３２の下面２２ｂ，３２ｂを絶縁性板材６の上面６ａに接合して、リードフレーム１を絶縁性板材６の上面６ａに固定すればよい。
なお、ヒートシンク５と絶縁性板材６との接合、及び、絶縁性板材６と複数の先端板部２２，３２との接合に使用する接合剤は、導電性あるいは電気絶縁性のいずれであっても構わない。

また、積層工程では、半田等のように導電性を有する導電性接合剤により、各第一端子板２をなす先端板部２２の上面２２ａに、板状の半導体チップ７をそれぞれ固定すればよい。ここで、半導体チップ７は、上面７ａ及び下面７ｂに電極を有し、ダイオード等のように通電により発熱するものである。このため、半導体チップ７を先端板部２２の上面２２ａに接合した状態では、半導体チップ７が第一端子板２に電気接続されることになる。
なお、この積層工程では、例えば、ヒートシンク５、絶縁性板材６、リードフレーム１及び半導体チップ７を順番に重ねた状態で、リフローにより半田を溶融、固化させることで、ヒートシンク５、絶縁性板材６、リードフレーム１及び半導体チップ７を一体に固定してもよい。

積層工程後には、半導体チップ７の上面７ａと第二端子板３をなす先端板部３２の上面３２ａとの間にボンディングワイヤ８を配して、半導体チップ７と第二端子板３とを電気接続する（接続工程）。この状態においては、半導体チップ７の上面７ａ及び先端板部３２の上面３２ａに接合されるボンディングワイヤ８の両端が、端子板２，３の幅方向に配列されている。言い換えれば、ボンディングワイヤ８は、複数の先端板部２２，３２の配列方向に延びている。

その後、ヒートシンク５の上面５ａ及び側面５ｃ、絶縁性板材６、複数の端子板２，３の先端板部２２，３２及び段差板部２３，３３、半導体チップ７、並びに、ボンディングワイヤ８をモールド樹脂９により封止する（樹脂封止工程）。この状態においては、枠体部４、及び、複数の端子板２，３の基端板部２１，３１が、モールド樹脂９の外側に位置している（図２参照）。また、ヒートシンク５の下面５ｂが、モールド樹脂９によって封止されずに外方に露出している。
最後に、枠体部４を端子板２，３の基端板部２１，３１から切り落とす（切断工程）ことで、半導体装置１００の製造が完了する。この切断工程を実施することで、複数の端子板２，３が互いに電気的に分離されることになる。

以上のようにして製造される半導体装置１００では、ヒートシンク５の上面５ａ及び側面５ｃ、絶縁性板材６、複数の端子板２，３の先端板部２２，３２及び段差板部２３，３３、半導体チップ７、並びに、ボンディングワイヤ８がモールド樹脂９によって封止されている。そして、アウターリード部をなす一対の端子板２，３の基端板部２１，３１が、モールド樹脂から互いに逆向きに突出している。

また、モールド樹脂９内に埋設された複数の端子板２，３の先端板部２２，３２及び段差板部２３，３３は、複数の端子板２，３の間に介在するモールド樹脂９によって互いに電気的に絶縁されている。また、ヒートシンク５と複数の端子板２，３との間に絶縁性板材６が介在していることで、ヒートシンク５と複数の端子板２，３とが電気的に絶縁されている。
さらに、ヒートシンク５の下面５ｂが外側に露出しているため、通電によって半導体チップ７において生じた熱は、主に第一端子板２、絶縁性板材６及びヒートシンク５に伝えられ、ヒートシンク５の下面５ｂから外部に放熱することができる。

また、この半導体装置１００では、第二端子板３の先端板部３２の先端に形成された凹部３４にモールド樹脂９が入り込むことで、この先端板部３２の先端がモールド樹脂９に係合する。この係合状態においては、モールド樹脂９に対する先端板部３２の先端の長手方向への移動が規制されている。一方、第二端子板３の先端板部３２の基端側には、先端板部３２の上面３２ａから突出するように延びる段差板部３３が形成されているため、この段差板部３３がモールド樹脂９内に埋設されることで、第二端子板３の先端板部３２の基端の長手方向への移動が規制されている。これにより、端子板２，３の長手方向に沿う第二端子板３の先端板部３２の両端が、モールド樹脂９に固定されている。

以上のように、本実施形態のリードフレーム１及びこれによって製造される半導体装置１００によれば、半導体チップ７と第二端子板３の先端板部３２とを電気接続するボンディングワイヤ８が、折曲工程の前後でピッチＰ１が変化しない一対の端子板２，３の先端板部２２，３２間に延びるように配されているため、ボンディングワイヤ８の長さを短く設定してその電気抵抗を小さく抑えることができる。その結果として、半導体装置１００を省電力で駆動することが可能となる。

また、一対の端子板２，３の先端板部２２，３２が端子板２，３の幅方向に配列されているため、一対の端子板２，３の基端板部２１，３１間の距離を基準長さとした場合には、この基準長さに対して、半導体チップ７を搭載する第一端子板２の先端板部２２の長手寸法を従来よりも大きく設定できる。したがって、一対の基端板部２１，３１間の距離を長く設定しなくても、第一端子板２の先端板部２２には、大型の半導体チップ７を搭載することが可能となる。

また、本実施形態の半導体装置１００では、一対の先端板部２２，３２が、各々の基端板部２１，３１に対して端子板２，３の幅方向に沿って互いに逆向きにずれて配されているため、一対の端子板２，３のうち一方の先端板部２２，３２のみを幅方向にずらす場合と比較して、基端板部２１，３１に対する先端板部２２，３２のずれ量を小さく設定することができる。したがって、端子板２，３の幅方向に沿う半導体装置１００の寸法をより小さく設定することが可能となる。
さらに、第二端子板３の先端板部３２の幅寸法が、半導体チップ７を搭載する第一端子板２の先端板部２２よりも小さく設定されていることで、第一端子板２の先端板部２２における半導体チップ７の搭載面積を確保しながらも、端子板２，３の幅方向に沿う半導体装置１００の寸法を小さく設定できる。
以上のことから、本実施形態のリードフレーム１によれば、コンパクトな構成の半導体装置１００を提供することが可能となる。

また、第二端子板３の先端板部３２は、端子板２，３の長手方向に延びる細長い短冊状に形成されているため、半導体チップ７等の熱によって加熱冷却された際に、導電性板材とモールド樹脂９との熱膨張係数の差に基づいて端子板２，３の長手方向に伸縮し易い。これに対し、本実施形態の半導体装置１００では、第二端子板３の段差板部３３及び凹部３４によって第二端子板３の先端板部３２の両端がモールド樹脂９に固定されているため、半導体装置１００が加熱冷却されてもモールド樹脂９に対して第二端子板３の先端板部３２がその長手方向に伸縮することを防止できる。したがって、ボンディングワイヤ８が第二端子板３の先端板部３２から剥離することを防止して、半導体装置１００の信頼性向上を図ることができる。

以上、上記実施形態により本発明の詳細を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、半導体チップ７と第二端子板３とは、ボンディングワイヤ８によって電気接続されるとしたが、図５に示すように、導電性を有する帯板状に形成された接続板（接続子）１８によって電気接続されてもよい。この場合には、接続工程において、半田等の導電性接合剤を介して、接続板１８の両端を半導体チップ７の上面７ａ及び第二端子板３をなす先端板部３２の上面３２ａに接合すればよい。なお、接続板１８の両端は、上記実施形態と同様に、端子板２，３の幅方向に配列されている。すなわち、接続板の長手方向が複数の先端板部２２，３２の配列方向に延びている。

また、半導体装置１００は、絶縁性板材６を備えているが、少なくともヒートシンク５と複数の端子板２，３とが電気的に絶縁されていればよいため、特に備えていなくてもよい。この構成では、例えばヒートシンク５の上面５ａと複数の端子板２，３の先端板部２２，３２との間にモールド樹脂９を介在させることで、モールド樹脂９によってヒートシンク５と複数の端子板２，３とを電気的に絶縁させることができる。そして、この構成では、半導体装置の構成部品点数を削減して、半導体装置の製造効率の向上、及び、製造コストの削減を図ることができる。
さらに、半導体装置１００は、ヒートシンクを備えているが、例えば備えていなくても構わない。

また、リードフレーム１では、第二端子板３をなす先端板部３２の長手方向の先端が、先端板部３２の幅方向に窪む凹部３４を形成して構成されているが、少なくともモールド樹脂９に係合する係合部をなしていればよい。したがって、この先端板部３２の先端には、例えば、折り曲げ加工を施した屈曲部、あるいは、先端板部３２の厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されていてもよい。

さらに、リードフレーム１においては、第二端子板３の先端板部３２の先端のみが、モールド樹脂９に係合する係合部をなすとしたが、例えば第一端子板２の先端板部２２の先端が、モールド樹脂９に係合する係合部をなしてもよい。
この構成では、第二端子板３の先端板部３２の場合と同様に、端子板２，３の長手方向に沿う第一端子板２の先端板部２２の両端がモールド樹脂９に固定される。このため、半導体装置１００の加熱冷却によって、モールド樹脂９に対して第一端子板２の先端板部２２がその長手方向に伸縮することを防止できる。したがって、半導体チップ７が第一端子板２の先端板部２２から剥離することを防止して、半導体装置１００の信頼性向上を図ることができる。

また、上記実施形態では、一対の端子板２，３両方の先端板部２２，３２が、各々の基端板部２１，３１に対して端子板２，３の幅方向に沿って互いに逆向きにずれて位置しているが、少なくとも一対の先端板部２２，３２が、端子板２，３の幅方向に配列されていればよい。例えば、第二端子板３の先端板部３２だけが、これに連なる基端板部３１に対して端子板２，３の幅方向にずれて位置していてもよい。
さらに、上記実施形態のリードフレーム１には、一対の端子板２，３が二組形成されているが、例えば一組だけ形成されていてもよいし、三組以上形成されていてもよい。
また、半導体チップ７は、その上面７ａ及び下面７ｂの両方に電極を有するとしたが、少なくとも第一の端子板２の先端板部２２に搭載されればよいため、例えば上面７ａのみに複数の電極を有してもよい。この場合には、例えばボンディングワイヤ８や接続板１８により第一端子板２と半導体チップ７とを電気接続すればよい。

１ リードフレーム
２ 第一端子板（一方の端子板）
２１ 基端板部（他端部）
２２ 先端板部（一端部）
２３ 段差板部（折曲部）
３ 第二端子板（他方の端子板）
３１ 基端板部（他端部）
３２ 先端板部（一端部）
３３ 段差板部（折曲部）
３４ 凹部
４ 枠体部
７ 半導体チップ
８ ボンディングワイヤ（接続子）
９ モールド樹脂
１８ 接続板（接続子）
１００ 半導体装置
Ｐ１ ピッチ

Claims (7)

1. 長手方向に一端部及び他端部を有し前記一端部に半導体チップを搭載すると共に該半導体チップと電気接続する一の端子板と、長手方向に一端部及び他端部を有し前記一端部を半導体チップと電気接続する他の端子板と、を一対の端子板とし、
   前記一の端子板の一端部に前記半導体チップを搭載し、前記一の端子板及び前記他の端子板の各一端部を前記半導体チップに電気接続した上で、前記一の端子板及び前記他の端子板の各一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記一の端子板及び前記他の端子板の各他端部を前記モールド樹脂から互いに逆向きに突出させてなる半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、
   導電性板材に、前記一の端子板及び前記他の端子板の他端部が前記長手方向に配列された前記一対の端子板と、前記一の端子板及び前記他の端子板の各他端部に接続されて前記一対の端子板を一体に連結する枠体部と、を形成して構成され、
   前記一の端子板及び前記他の端子板の一端部が、前記導電性板材の面方向に沿って前記長手方向に直交する幅方向に配列されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記一対の端子板のうち少なくとも一つの端子板の一端部が、前記他端部に対して前記幅方向にずれて位置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記一の端子板及び前記他の端子板の一端部が、前記他端部に対して前記幅方向に沿って互いに逆向きにずれて位置していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
4. 前記他の端子板の一端部の前記幅方向の寸法が、前記一の端子板の一端部よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項１から請求項３に記載のリードフレーム。
5. 前記一端部のうち前記長手方向に沿って前記他端部から離れて位置する先端が、前記モールド樹脂に係合する係合部とされ、
   当該係合部が前記モールド樹脂に係合した状態では、前記モールド樹脂に対する前記先端の前記長手方向への移動が規制されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレーム。
6. 前記係合部が、前記一端部の先端に形成されて前記幅方向に窪む凹部によって構成されていることを特徴とする請求項５に記載のリードフレーム。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のリードフレームを用いて製造される半導体装置であって、
   前記一端部と前記他端部との間に当該一端部を当該他端部よりも低く位置させる折曲部を形成してなる前記一の端子板及び前記他の端子板と、前記一の端子板の一端部に搭載されて電気接続される半導体チップと、当該半導体チップと前記他の端子板の一端部とを電気接続する接続子と、前記一の端子板及び前記他の端子板の各一端部、前記半導体チップ並びに前記接続子を封止するモールド樹脂とを備え、
   前記半導体チップ及び前記他の端子板の一端部に接合される前記接続子の両端が、前記幅方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。
   
   

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