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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein
Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung.
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Aus
den herkömmlichen
Halbleitervorrichtungen, welche mit einem ersten elektronischen
Element und einem zweiten elektronischen Element ausgestattet sind,
welches einen größeren Strom führt als
das erste elektronische Element und damit größere Wärme erzeugt, ist beispielsweise
eine Halbleitervorrichtung bekannt mit einem Steuerelement, beispielsweise
einem Mikrocomputer als erstem elektronischem Element und einem
Leistungselement, welches von dem Steuerelement gesteuert wird,
beispielsweise einem Leistungs-MOS-Element und einem IGBT als zweitem elektronischem
Element.
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Eine
Halbleitervorrichtung mit diesem Steuerelement und diesem Leistungselement
wird zum Betrieb eines Stellglieds, beispielsweise eines Motors, verwendet.
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Die
Anwendung einer Halbleitervorrichtung mit einem Steuerelement und
einem Leistungselement in Form eines HIC (hybrid integrated circuit) zum
Betreiben eines Antriebsmotors für
einen Fensterheber mit einer Einklemm-Verhinderungsfunktion ist
beispielsweise in der offengelegten japanischen Patentanmeldung
Nr. H07-67293 beschrieben.
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Weiterhin
ist ein Verfahren zum Betrieb eines Fensterhebers mit einer Einklemm-Verhinderungsfunktion
beispielsweise in den japanischen Patentanmeldungsveröffentlichungen
Nr. H07-113376 und H07-76973 beschrieben.
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Bei
einer bekannten Halbleitervorrichtung, wie sie oben beschrieben
wird, wird große
wärme an das
Steuerelement über
eine Verdrahtungskarte übertragen,
welche leicht Wärme
von dem Leistungselement überträgt, welches
im Vergleich zu dem Steuerelement einen höheren Stromdurchsatz hat und
höhere
Wärme erzeugt,
so dass das Steuerelement von der Wärme möglicherweise beeinflusst wird.
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Das
Steuerelement ist hinsichtlich Betriebstemperatur begrenzt und hat
für gewöhnlich eine niedrigere
Betriebstemperatur, da es im Vergleich zum Leistungselement einen
empfindlichen Aufbau hat. Somit ist es wichtig, Wärmeeinflüsse von
dem Leistungselement, wie sie oben beschrieben wurden, zu verhindern.
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Einfach
gesagt, es wäre
empfehlenswert, den Abstand zwischen dem Steuerelement und dem Leistungselement
auf der Verdrahtungskarte zu erhöhen,
auf der das Steuerelement und das Leistungselement angeordnet sind,
jedoch ergibt sich in diesem Fall eine erhöhte Vorrichtungsgröße, was nicht
wünschenswert
ist.
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Das
oben beschriebene Problem ist allen Halbleitervorrichtungen gemeinsam,
welche ein erstes elektronisches Element und ein zweites elektronisches
Element haben, welches im Vergleich zu dem ersten Element einen
höheren
Stromdurchfluss hat und damit größere Wärme erzeugt.
Das heißt,
bei einer derartigen Halbleitervorrichtung kann es ein wesentliches
Problem sein, Wärmetransfer
von dem zweiten elektronischen Element auf das erste elektronische
Element zu verhindern.
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Eine
elektronische Vorrichtung, die durch Anordnen eines Heizelements
und eines temperaturbegrenzten Elements auf einer Wärmesenke
und dann durch Vergießen
hiervon derart, dass sie im Gießharz
eingebettet sind, hergestellt wird, ist in der japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung
Nr. H07-67293 beschrieben.
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Eine
elektronische Vorrichtung dieser Art wird für gewöhnlich dadurch hergestellt,
dass ein sich erwärmendes
Element eines elektronischen Elements, welches bei hohem Stromdurchsatz
Wärme erzeugt
und ein temperaturbegrenztes Element als elektronisches Element,
welches in seiner Betriebstemperatur begrenzt ist, auf einer Wärmesenke
angeordnet werden und sie dann mit Gießharz eingegossen werden.
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Das
Heizelement oder sich erwärmende
Element ist ein elektronisches Element oder Bauteil, welches im
Vergleich zu dem temperaturbegrenzten Element einen höheren Stromdurchsatz
oder Stromdurchfluss hat, so dass es größere wärme erzeugt. Ein Beispiel eines
temperaturbegrenzten Elements ist beispielsweise ein Mikrocomputer
als Steuerelement. Beispiele von sich erwärmenden Elementen sind ein
Leistungselement, welches von dem Steuerelement gesteuert wird,
beispielsweise ein Leistungs-MOS, ein IGBT oder ein Widerstand.
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Eine
elektronische Vorrichtung dieser Art mit dem Steuerelement und dem
Leistungselement wird beispielsweise bei einem HIC (hybrid integrated
circuit) zum Betreiben eines Stellglieds, beispielsweise einem Motor
angewendet. Genauer gesagt, eine Anwendung einer elektronischen
Vorrichtung bei einem HIC zum Betrieb eines Antriebsmotors eines
Fensterhebers wurde in der offengelegten japanischen Patentanmeldung
Nr. H07-67293 vorgeschlagen, obgleich die Anwendung der elektronischen
Vorrichtung nicht auf diesen Zweck begrenzt ist.
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Bei
einer herkömmlichen
elektronischen Vorrichtung gemäß obiger
Beschreibung wird große Wärmemenge
an ein temperaturbegrenztes Element von einem sich erwärmenden
Element übertragen, welches
einen größeren Stromwert
führt und
einen höheren
Wärmeerzeugungsbetrag
hat als das temperaturbegrenzte Element, wobei diese Übertragung über eine
Wärmesenke
erfolgt, welche die Wärme leicht übertragen
kann, so dass das temperaturbegrenzte Element gegenüber der
wärme anfällig wird.
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Das
temperaturbegrenzte Element ist hinsichtlich seiner Betriebstemperatur
begrenzt und hat für
gewöhnlich
eine niedrige Betriebstemperatur, da es einen feineren Aufbau hat
als das Heizelement oder sich erwärmende Element, also beispielsweise ein
Leistungselement. Somit ist es, wie oben beschrieben, wichtig, Wärmeeinwirkungen
von dem sich erwärmenden
Element her zu verhindern.
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Einfach
gesagt, es könnte
daran gedacht werden, den Abstand zwischen dem temperaturbegrenzten
Element und dem sich erwärmenden
Element auf der Wärmesenke
zu erhöhen,
auf welchem das temperaturbegrenzte Element und das sich erwärmende Element
angeordnet sind. Dies führt
jedoch zu einer Vergrößerung der
Vorrichtung, was nicht bevorzugt ist.
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Weiterhin
ist im Stand der Technik eine elektronische Vorrichtung vorgeschlagen,
welche einen Steuerungsteil und einen Treiberteil hat, und die in Form
einer elektronischen Vorrichtung vorliegt, welche einen Steuerungsteil
hat, der hauptsächlich Steuerelemente,
beispielsweise einen Mikrocomputer und Steuer-ICs und einen Treiberteil
aufweist, der hauptsächlich
Treiberelemente von Leistungselementen aufweist, beispielsweise
Leistungs-MOS-Elemente und IGBTs.
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Eine
derartige elektronische Vorrichtung wird bei einem HIC (hybrid integrated
circuit) angewendet, um ein Stellglied, beispielsweise einen Motor
anzutreiben und zu steuern. Die Anwendung einer derartigen elektronischen
Vorrichtung mittels einem HIC zum Betrieb eines Antriebsmotors ei nes
Fensterhebers wurde bereits in der offengelegten japanischen Patentanmeldung
Nr. H07-67293 beschrieben.
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In
den letzten Jahren wurde Kraftfahrzeuge hinsichtlich ihrer Funktionalität immer
komplizierter und hochwertiger und verschiedenste Stellglieder müssen auf
Grund dieses Trends verwendet werden. Aus diesem Grund haben elektronische
Vorrichtungen, die zur Steuerung dieser Stellglieder notwendig sind,
zugenommen und die elektronischen Vorrichtungen selbst sind größer geworden.
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Wenn
jedoch unter diesen Umständen
eine elektronische Vorrichtung in ein Stellglied eingebaut wird,
um einen integrierten Zusammenbau zu haben, gibt es die Tendenz,
dass die erhöhte
Größe der elektronischen
Vorrichtung den Einbauraum für
die elektronische Vorrichtung in dem Stellglied erhöht und es schwierig
macht, ausreichend Raum zum Einbau der elektronischen Vorrichtung
zur Verfügung
zu stellen. Aus diesem Grund führt
ein Versuch, die elektronische Vorrichtung mit dem Stellglied zu
integrieren, zu einer Vergrößerung des
Stellglieds.
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Weiterhin
ist eine elektronische Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen, welche
mit Bonddrähten
verbunden sind und mit externen Teilen durch Löten verbunden sind, allgemein bekannt.
Genauer gesagt, als eine elektronische Vorrichtung in dieser Art
ist eine eingegossene Zündvorrichtung
bekannt.
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Eine
elektronische Vorrichtung dieser Art hat üblicherweise einen Aufbau,
bei dem beispielsweise eine Schaltkreiskarte oder ein IC-Chip elektrisch
mit Verbindungsanschlüssen über Bonddrähte verbunden
ist, welche aus dicken Al-Drähten
(Aluminiumdrähten)
sind.
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Da
hierbei die Bonddrähte
den hohen Strom tolerieren müssen,
der für
Leistungs-MOS-Elemente oder dergleichen verwendet wird, werden dicke Al-Drähte als
Bonddrähte
verwendet und die dicken Al-Drähte
haben einen Drahtdurchmesser von beispielsweise annähernd 250 μm bis 500 μm.
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Weiterhin
werden Verbindungsanschlüsse, welche
durch ein nichtelektrolytisches Platieren eines Leiterrahmens aus
Cu (Kupfer) oder Fe (Eisen) mit Ni gebildet werden, als Verbindungsanschlüsse verwendet.
Hiermit können
die Verbindungsanschlüsse
auf geeignete Weise durch Löten
oder Schweißen
mit externen Teilen verbunden werden.
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Gewöhnlicherweise
wird bei dieser Art von elektronischer Vorrichtung die Verbindung
zwischen den Verbindungsanschlüssen,
durch welche ein hoher Strom läuft,
und einem externen Teil, beispielsweise einem Stellglied, durch
Schweißen
hergestellt, um Einfachheit und Zuverlässigkeit der Verbindung sicherzustellen.
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Hierzu
wurde im Stand der Technik ein Leiterrahmen eines Verbindungsanschlusses
vorgeschlagen, bei dem ein nichtelektrolytischer Ni/Pd/Au-Film im
Bondgebiet ausgebildet ist und ein Lötteil vorhanden ist, um einen
Verbindungsanschluss mit ausgezeichneter Lötbarkeit frei von Pb zu realisieren.
Dies ist beispielsweise in der offengelegten japanischen Patentanmeldung
Nr. 2003-23132 beschrieben. Dieser Verbindungsanschluss kann nur für einen
Au-Bonddraht realisiert werden und wird mit einem externen Teil
durch Löten
verbunden.
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Um
jedoch eine größere Funktionalität zu erreichen,
muss bei einer elektronischen Vorrichtung dieser Art die elektronische
Vorrichtung mit Steuerelementen versehen werden, beispielsweise
einem Mikrocomputer und einem Speicherelement. Wenn die elektronische
Vorrichtung mit derartigen Steuerelementen versehen wird, führt die
elektronische Vorrichtung zu einer erhöhten Anzahl von Verbindungsanschlüssen, d.
h. einer Vielzahl von Stiften.
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Wenn
eine elektronische Vorrichtung eine Vielzahl von Stiften haben muß und wenn
dicke Al-Drähte
als Bonddrähte
verwendet werden, müssen
die Abstände
zwischen den Verbindungsanschlüssen
vergrößert werden
oder die Bondteile der Bondanschlüsse müssen größer gemacht werden, was zu
einer Vergrößerung der
Vorrichtung und auf Grund der Verlängerung zu erhöhten Kosten
führt. Für den Fall,
dass ein Element klein gebaut ist und dennoch eine Vielzahl von
Drahtverbindungen benötigt,
ist es schwierig, diese Drahtverbindungen unter Verwendung von dicken
Al-Drähten
herzustellen.
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Um
dieses Problem zu lösen,
ist es bekannt, dass an Stelle der dicken Al-Drähte beispielsweise dünne Au-Drähte (Golddrähte) mit
einem Durchmesser von annähernd
20 μm bis
30 μm verwendet
werden. Dünne
Au-Drähte
können
jedoch keinen hohen Strom führen.
Weiterhin bringen dünne
Au-Drähte das
Problem mit sich, dass für
gewöhnlich
dünne Au-Drähte nicht
an einem Verbindungsanschluss angebondet werden können, der
nichtelektrolytisch mit Ni platiert ist.
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Wenn
die Oberfläche
eines Verbindungsanschlusses nicht nichtelektrolytisch mit Ni platiert
ist, sondern mit Ni elektroplatiert ist, wobei weiterhin hierauf
Ag aufplatiert ist, kann ein dünner
Au-Draht auf die mit Ag platierte Oberfläche gebondet werden.
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Es
gibt eine erprobte Kombination bei einem monolithischen IC, bei
dem die Oberfläche
des Verbindungsanschlusses mit Ni elektroplatiert ist und dann weiterhin
mit Ag elektroplatiert ist. Mit diesem Aufbau kann ein Au-Draht
problemlos an die mit Ag platierte Oberfläche gebondet werden.
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Wenn
jedoch, wie oben beschrieben, die Oberfläche des Verbindungsanschlusses
nicht nichtelektrolytisch mit Ni platiert ist, kann die Lötbarkeit
in der Verbindung zwischen dem Verbindungsanschluss und dem externen
Teil nicht sichergestellt werden. weiterhin ist das Bondieren des
Al-Drahtes an dem
mit Ni elektroplatierten Verbindungsanschluss schwierig dahingehend,
eine Flachheit im Vergleich zur Bondierung des Al-Drahtes mit einem mit
Ni nichtelektrolytisch platierten Verbindungsanschluss sicherzustellen
und kann somit nicht problemlos durchgeführt werden.
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Weiterhin
ist es bei einer elektronischen Vorrichtung dieser Art wesentlich,
dass die Oberfläche von
einem Verbindungsanschluss nichtelektrolytisch mit Ni platiert ist,
und dieses nichtelektrolytische Platieren nicht weggelassen werden
kann.
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Weiterhin
enthält
eine elektronische Vorrichtung nach dem Stand der Technik eine Wärmesenke, wobei
elektronische Elemente auf der Oberfläche der Wärmesenke angeordnet sind, sowie
einen Leiterrahmen, der um die elektronischen Elemente herum angeordnet
ist, wobei ein Gießharz
praktisch die gesamte Vorrichtung derart eingießt, dass die Bodenfläche der
Wärmesenke
frei bleibt. Bekannt ist auch ein Verfahren zur Herstellung dieser
elektronischen Vorrichtung.
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Genauer
gesagt, die elektronische Vorrichtung dieser Art wird auf folgende
weise hergestellt: elektronische Elemente werden auf der oberen
Oberfläche
einer Wärmesenke
angeordnet; ein Leiterrahmen wird um die elektronischen Elemente
herum angeordnet; und der Leiterrahmen wird mit den elektronischen
Elementen verbunden.
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Zusätzlich wird
die Wärmesenke
an Leitern des Leiterrahmens angeheftet. Auf diese Weise wird ein
integriertes Teil, bei dem die Wärmesenke
die elektronischen Elemente und der Leiterrahmen integriert sind,
auf den unteren Teil einer Gussform gesetzt und dann wird ein oberer
Teil der Gussform mit dem unteren Teil zusammengebracht. Somit ist
das integrierte Teil in dem Gusshohlraum angeordnet.
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Dies
Harz wird dann in den Hohlraum eingeführt, um die Wärmesenke,
die elektronischen Elemente und den Leiterrahmen mit dem Gießharz derart
einzubetten, dass die Oberfläche
der Wärmesenke
frei bleibt. Auf diese Weise ist die elektronische Vorrichtung vollständig.
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Bei
einem herkömmlichen
Herstellungsverfahren dieser Art wird ein Teil einer oberen Oberfläche der
Wärmesenke,
d. h. ein Teil einer Anordnungsoberfläche, auf der die elektronischen
Elemente in der Wärmesenke
angeordnet sind, durch einen Druckabschnitt der Form unter Druck
gesetzt.
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Aus
diesem Grund wird der von dem Druckabschnitt niedergehaltene Abschnitt
der Anordnungsoberfläche
auf der Wärmesenke
gewissermaßen
ein Totraum, wo kein elektronisches Element anordenbar ist. Dies
verhindert eine hohe Packungsdichte und erhöht Größe und Kosten der Vorrichtung.
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In
diesem Zusammenhang wird auch angedacht, einen solchen Bondabschnitt
der Wärmesenke
und den Leiter, welche nicht zugehörig ist, in den Raum zum Anordnen
des elektronischen Elements in der Wärmesenke einzupressen. In diesem
Fall gibt es jedoch die Möglichkeit,
dass der Bondabschnitt durch die Presskraft verschoben wird, so
dass der Leiterrahmen gegenüber
der Wärmesenke
verschoben wird. Bei dem herkömmlichen
Verfahren wird daher ein Teil der oberen Oberfläche der Wärmesenke durch den Pressabschnitt
gepresst.
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Andererseits
wird bei einem Verfahren zum Gießen einer harzvergossenen Halbleitervorrichtung mit
einer Wärmesenke an
der Bodenfläche
eines Formkissens eine Vorgehensweise vorgeschlagen, bei der das
Harz eingegossen wird, während
die Bodenfläche
des Gesenkkissens an unteren Form durch Ansaugung über eine
Ansaugöffnung
festgelegt wird, die in der unteren Gussform der Gesamtgussform
ausgebildet ist, um die Harzrücken
oder -grate an der Bodenfläche
des Gesenkkissens zu vermeiden. Dies ist beispielsweise in der offengelegten
japanischen Patentanmeldung Nr. H05-55280 beschrieben.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren drückt eine Form nicht auf die
Oberfläche
einer Wärmesenke,
auf der elektronische Elemente angeordnet sind, so dass kein Totraum
vorhanden ist. Dieses Verfahren macht jedoch eine Herstellungsmaschine notwendig,
welche mit einer Ansaugeinheit versehen ist, so dass sich das Problem
ergibt, dass die Maschine vergrößert und
die Kosten erhöht
werden.
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Angesichts
des obigen Problems ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, welche eine geeignete wärmeabstrahleigenschaft
hat.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung
zu schaffen, welche geringe Größe hat,
so dass die Vorrichtung problemlos in ein Stellglied einbaubar ist.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung
bereitzustellen, bei der ein hoher Strom durch Verbindungsanschlüsse geführt werden
kann, wobei eine große
Anzahl von Verbindungsanschlüssen
vorhanden ist.
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Erfindungsgemäß wird eine
elektronische Vorrichtung geschaffen, mit: ein ersten elektrischen Element;
einem zweiten elektrischen Element, welches in der Lage ist, einen hohen
Strom zu führen,
so dass in dem zweiten elektrischen Element wärme erzeugt wird; einer Wärmesenke;
und einer ersten Verdrahtungskarte und einer zweiten Verdrahtungskarte, welche
auf einer Seite der Wärmesenke
angeordnet sind, wobei der hohe Strom in dem zweiten elektrischen
Element größer als
der in dem ersten elektrischen Element ist; die erste Verdrahtungskarte
und die zweite Verdrahtungskarte voneinander getrennt sind; das
erste elektrische Element auf der ersten Verdrahtungskarte angeordnet
ist; und das zweite elektrische Element auf der zweiten Verdrahtungskarte
angeordnet ist.
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In
der obigen Vorrichtung liegen das erste elektrische oder elektronische
Element und das zweite elektrische oder elektronische Element auf
unterschiedlichen Verdrahtungskarten, welche auf der Wärmesenke
angeordnet sind. In dem zweiten elektrischen Element erzeugte Wärme wird
daher daran gehindert, auf das erste elektrische Element merklich übertragen
zu werden, ohne dass ein Abstand zwischen den ersten und zweiten
elektrischen Elementen vorhanden ist. Damit hat die Vorrichtung
geeignete Wärmeabstrahleigenschaften.
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Bevorzugt
weist die Wärmesenke
einen Teil auf, der zwischen der ersten Verdrahtungskarte und der
zweiten Verdrahtungskarte angeordnet ist und dieser Teil der Wärmesenke
ist aus einem Material, das Eisen aufweist oder enthält. In diesem
Fall ist somit Teil der Wärmesenke
aus Eisen gemacht, welches geringe Wärmeleitfähigkeit und große Wärmekapazität hat. Damit
wird die Wärmespeicherleistung der
Wärmesenke
verbessert, so dass in dem zweiten elektrischen Element erzeugte
Wärme nicht
auf das erste elektrische Element übertragen wird.
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Bevorzugt
weist die Wärmesenke
einen Teil auf, der zwischen der ersten Verdrahtungskarte und der
zweiten Verdrah tungskarte angeordnet ist, wobei der Teil der Wärmesenke
durch eine Kerbe gebildet ist. In diesem Fall hat der Teil der Wärmesenke
einen großen
Wärmewiderstand.
Damit wird die Wärmeleitfähigkeit
zwischen den ersten und zweiten Verdrahtungskarten niedriger, so
dass in dem zweiten elektrischen Element erzeugte Wärme nicht
auf das erste elektrische Element übertragen wird.
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Bevorzugt
weist die Wärmesenke
weiterhin eine Seite mit einem Vorsprung auf, wobei der Vorsprung
in den Harzverguss eingebettet ist. In diesem Fall begrenzt der
Vorsprung eine Trennung zwischen der Wärmesenke und dem Harzverguss.
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Bevorzugt
weist der Harzverguss zwischen Oberflächen der ersten und zweiten
elektrischen Elemente und einer Oberfläche des Harzvergusses in einer
Laminierrichtung eine Dicke auf, wobei die Laminierrichtung geschaffen
wird durch Laminieren der ersten und zweiten elektrischen Elemente,
der ersten und zweiten Verdrahtungskarte und der Wärmesenke
in dieser Reihenfolge und die Wärmesenke
in Laminierrichtung eine Dicke hat, wobei die Dicke der Wärmesenke
gleich der Dicke des Harzvergusses ist. In diesem Fall ist die thermische
Ausdehnung des Harzvergusses und die thermische Ausdehnung der Wärmesenke
in Laminierrichtung geeignet ausbalanciert.
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Bevorzugt
hat der Harzverguss eine Einfriertemperatur ("glass transition temperature"), welche höher als
eine Maximaltemperatur der Leistungsvorrichtung ist. Wenn die Temperatur
des Harzvergusses die Einfriertemperatur übersteigt, steigt der thermische
Ausdehnungskoeffizient des Harzvergusses rapide an. Somit wird der
Unterschied im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Harzverguss
und der Wärmesenke
größer, so
dass eine thermische Belastung zwischen ihnen größer wird. Damit kann sich der
Harzverguss leicht von der Wärmesenke
abtrennen. wenn je doch die Einfriertemperatur des Harzvergusses
höher als
die maximale Betriebstemperatur der Leistungsvorrichtung ist, steigt
der thermische Ausdehnungskoeffizient des Harzvergusses nicht rapide
an. Somit wird der Harzverguss daran gehindert, sich von der Wärmesenke zu
lösen.
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Bevorzugt
weist die Leistungsvorrichtung eine Mehrzahl von Leistungsteilen
auf, wobei eines der Leistungsteile und ein benachbartes der Leistungsteile,
welches dem einen der Leistungsteile am nächsten ist, eine Beziehung
zueinander derart haben, dass, wenn das eine der Leistungsteile
einschaltet, dann das benachbarte Leistungsteil abschaltet. In diesem
Fall ist die im zweiten elektrischen Element erzeugte Wärme nicht örtlich begrenzt,
so dass die Vorrichtung geeignete Wärmeabstrahleigenschaften hat.
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Bevorzugt
sind die erste Verdrahtungskarte und die zweite Verdrahtungskarte
aus einer Keramik. In diesem Fall nähert sich der thermische Ausdehnungskoeffizient
der ersten und zweiten Verdrahtungskarten dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten
des ersten und zweiten elektrischen Elements aus Silizium und dem
thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Wärmesenke aus Eisen an. Damit wird
der Bondzustand zwischen ihnen verbessert.
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Bevorzugt
weist das zweite elektrische Element eine Mehrzahl von elektrischen
Teilen auf, welche ein Halbleiterrelais aufweisen. In diesem Fall
ist auf der Halbleitervorrichtung ein Relais ausgebildet, so dass
das Relais in einem Schritt zusammen mit dem ersten elektrischen
Element aufgenommen werden kann. Damit werden die Abmessungen der
Vorrichtung verringert. Obgleich das Halbleiterrelais wärme erzeugt,
kann die Vorrichtung diese Wärme
geeignet abstrahlen.
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Bevorzugt
weist die Vorrichtung weiterhin einen Signalanschluss auf, der auf
einer Seite der Vergussform angeordnet ist, wobei: das erste elektrische Element,
das zweite elektrische Element, die erste Verdrahtungskarte, die
zweite Verdrahtungskarte und die Wärmesenke in dem Harzverguss
eingegossen sind; die Wärmesenke
eine andere Seite aufweist, welche gegenüber der einen Seite der Wärmesenke
ist; die andere Seite der Wärmesenke
frei von dem Harzverguss ist; die Wärmesenke mit dem Signalanschluss
mittels eines Aufhängeleiters
des Signalanschlusses verbunden ist; die Gussform ein oberes Teil
und ein unteres Teil aufweist; der obere Teil der Vergussform auf
der einen Seite der Wärmesenke
liegt, so dass der obere Teil oberhalb des Aufhängeleiters angeordnet ist und
der untere Teil der Vergussform auf der anderen Seite der Wärmesenke
angeordnet ist, so dass der untere Teil unterhalb des Aufhängeleiters
angeordnet ist; und der untere Teil der Vergussform gegenüber dem
oberen Teil der Vergussform vorsteht. In diesem Fall wird zwischen
Wärmesenke,
erster Verdrahtungskarte und zweiter Verdrahtungskarte kein Totraum
gebildet. Das die Vorrichtung bildende Material wird in der Gussform
angeordnet, so dass keine zusätzliche
Ausstattung zur Herstellung der Vorrichtung notwendig ist. Die Herstellungskosten
für die
Vorrichtung steigen somit nicht merklich an.
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Bevorzugt
weist die Vorrichtung weiterhin auf: einen Signalanschluss, der
auf einer Seite des Harzvergusses angeordnet ist; und einen Überprüfungsanschluss,
der an einer anderen Seite des Harzvergusses angeordnet ist, wobei
der Signalanschluss sich in einer Erstreckungsrichtung parallel
zu der einen Seite der Wärmesenke
erstreckt und der Überprüfungsanschluss
sich in einer Richtung senkrecht zur Erstreckungsrichtung des Signalanschlusses
erstreckt. Allgemein wird eine hohe Spannung von beispielsweise
12 V an den Signalanschluss angelegt und eine niedrige Spannung
von 5 V an den Überprüfungsanschluss.
Der Überprüfungsanschluss muss
von größerem elektrischen
Rauschen geschützt
werden. Bei der obigen Vorrichtung liegt der Überprüfungsanschluss weit genug vom
Signalanschluss entfernt, so dass kein merkliches Rauschen in den Überprüfungsanschluss
eindringt.
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Bevorzugt
weist das erste elektrische Element eine erste Temperaturerfassungsdiode
auf, so dass das erste elektrische Element auf der Grundlage einer
Temperatur des ersten elektrischen Elements gesteuert wird, welche
von der Diode erkannt wird, und wobei das zweite elektrische Element
eine zweite Temperaturerfassungsdiode aufweist, so dass das zweite
elektrische Element auf der Grundlage einer Temperatur des zweiten
elektrischen Elements gesteuert wird, welche von der Diode erkannt
wird. Wenn in diesem Fall die Temperatur der Vorrichtung anormal
ansteigt, erkennt die Temperaturerfassungsdiode diese anormale Temperatur.
Somit werden die ersten und zweiten elektrischen Elemente auf der
Basis des Signals von der Temperaturerfassungsdiode geeignet gesteuert.
Damit kann die Vorrichtung vor einem anormalen Temperaturanstieg
geschützt
werden.
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Bevorzugt
werden das erste elektrische Element und das zweite elektrische
Element durch Halbleitervorrichtungen gebildet, wobei die ersten
und die zweiten Temperaturerfassungsdioden auf den ersten und zweiten
elektrischen Elementen mittels Oxidfilmen derart angeordnet sind,
dass die ersten und zweiten Temperaturerfassungsdioden von den ersten und
zweiten elektrischen Elementen elektrisch isoliert sind. In diesem
Fall wird der parasitäre
Betrieb der Diode verringert. Damit wird ein Betriebsfehler der
Diode verhindert, so dass die Diode die Temperatur der Vorrichtung
mit hoher Genauigkeit erkennen kann. weiterhin wird Störrauschen
von der Diode nicht auf andere Teile der Vorrichtung übertragen.
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Bevorzugt
hat das erste elektrische Element hinsichtlich seiner Betriebstemperatur
eine Begrenzung, wobei die ersten und zweiten elektrischen Elemente
an der Wärmesenke über die
ersten und zweiten Verdrahtungskarten in einer Anordnungsrichtung derart
angeordnet sind, dass die ersten und zweiten elektrischen Elemente
Seite an Seite liegen; die Wärmesenke
eine erste Breite eines ersten Teils und eine zweite Breite eines
zweiten Teils beinhaltet; der erste Teil der Wärmesenke zwischen den ersten
und zweiten elektrischen Elementen angeordnet ist; der zweite Teil
der Wärmesenke
unter dem zweiten elektrischen Element angeordnet ist; und die erste
Breite schmäler
als die zweite Breite ist. In diesem Fall kann der Abstand zwischen
dem ersten elektrischen Element und dem zweiten elektrischen Element
kürzer gemacht
werden, wodurch unterbunden wird, dass Wärme vom zweiten elektrischen
Element auf das erste elektrische Element übertragen wird. Damit hat die
Vorrichtung geeignete Wärmeabstrahleigenschaften.
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Bevorzugt
weist die Wärmesenke
weiterhin eine dritte Breite eines dritten Teils auf, wobei der
dritte Teil der Wärmesenke
unter dem ersten elektrischen Element angeordnet ist und die dritte
Breite schmäler
als die zweite Breite ist, so dass die Wärmesenke T-förmigen Grundriss
hat. Oder die dritte Breite wird schmäler als die zweite Breite gemacht, so
dass die Wärmesenke
eine L-Form hat. In diesem Fall wird ein Raum um das zweite elektrische
Element herum geeignet ausgebildet, so dass andere Teile, beispielsweise
ein Leiterrahmen, in dem Raum aufgenommen werden können.
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Der
erste Teil der Wärmesenke
ist bevorzugt durch einen Schlitz gebildet, so dass die erste Breite schmäler als
die zweite Breite ist. In diesem Fall verschließt der Schlitz die Wärmeübertragung
zwischen dem ersten und dem zweiten elektrischen Element.
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Erfindungsgemäß wird eine
weitere elektrische Vorrichtung geschaffen, mit: einem Steuerelement;
einem Treiberelement, welches von dem Steuerelement gesteuert wird;
und einem Leiterrahmen mt einem Inselteil, einem ersten Leitungsanschluss und
einem zweiten Leitungsanschluss, wobei: das Steuerelement und das
Treiberelement an einer Befestigungsoberfläche des Inselteils angeordnet
sind; das Steuerelement mit dem ersten Leitungsanschluss über einen
Bonddraht verbunden ist; das Treiberelement mit dem zweiten Leitungsanschluss über einen
anderen Bonddraht verbunden ist; das Steuerelement, das Treiberelement,
die Bonddrähte, der
Inselteil und die ersten und zweiten Leitungsanschlüsse mit
einem Harzverguss eingegossen sind, wobei der erste Leitungsanschluss
sich in einer ersten Richtung parallel zur Befestigungsoberfläche des Inselteils
erstreckt, der zweite Leitungsanschluss sich in einer zweiten Richtung
parallel zur Befestigungsoberfläche
des Inselteils erstreckt, der erste Leitungsanschluss ein äußeres Ende
hat, welches von dem Harzverguss vorsteht, und der zweite Leitungsanschluss
ein äußeres Ende
hat, welches von dem Harzverguss vorsteht.
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Bei
der obigen Vorrichtung werden das Steuerelement, das Treiberelement,
die Bonddrähte,
der Inselteil und die ersten und zweiten Leiteranschlüsse mit
einem (Kunst)Harzverguss eingegossen, so dass sie zusammengefasst
sind. Damit werden die Abmessungen der Vorrichtung verringert. Allgemein
gesagt, die Vorrichtung wird mit einem externen Schaltkreis derart
verbunden, dass der erste Leitungsanschluss, der in Verbindung mit
dem Steuerelement steht, über
einen Verbinder oder dergleichen mit einer Energiequelle verbunden
ist. Der zweite Leiteranschluss, der in Verbindung mit dem Treiberelement steht,
wird mit einem Stellglied, beispielsweise einem Motor verbunden.
Die ersten und zweiten Leiteranschlüsse stehen von der Vorrichtung
in Dickenrichtung, d. h. einer Vertikalrichtung der Vorrichtung
nicht vor. Damit sind die Abmessungen der Vorrichtung verringert.
Weiterhin kann die Vorrichtung mit dem externen Schaltkreis über die
Anschlüsse
passend angeschlossen werden. Damit hat die Vorrichtung geringe
Größe, so dass
die Vorrichtung problemlos in ein Stellglied einbaubar ist.
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Die
erste Verdrahtungskarte ist bevorzugt eine mehrschichtige Verdrahtungskarte
und die zweite Verdrahtungskarte ist bevorzugt eine einschichtige Verdrahtungskarte.
In diesem Fall wird eine Steuerung durch die mehrschichtige Verdrahtungskarte
geschaffen, so dass eine Verdrahtung in der Steuerung dreidimensional
ausgebildet ist. Da weiterhin die zweite Verdrahtungskarte aus einer
einschichtigen Verdrahtungskarte gebildet ist, werden die Herstellungskosten
der Vorrichtung geeignet verringert.
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Der
zweite Leitungsanschluss weist bevorzugt eine Mehrzahl von Anschlüssen auf,
welche unterschiedliche Anschlussbreiten haben. In diesem Fall hat
der Anschluss eine geeignete Breite, wenn der Anschluss die Fähigkeit
hat, einen hohen Strom zu führen.
Einige Anschlüsse
haben jedoch geringe Breite, da diese Anschlüsse keine hohen Ströme führen müssen. Damit
können
die Abmessungen der Vorrichtung verringert werden.
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Erfindunsgemäß wird eine
weitere elektrische Vorrichtung geschaffen, mit: einer Mehrzahl
von Anschlüssen,
welche mit Bonddrähten
verbunden sind, wobei die Bonddrähte
einen Golddraht und einen Aluminiumdraht aufweisen, der Aluminiumdraht einen
Durchmesser größer als
derjenige des Golddrahtes hat, die Anschlüsse einen ersten Anschluss und
einen zweiten Anschluss aufweisen, der erste Anschluss in Verbindung
mit dem Golddraht ist und der zweite Anschluss in Verbindung mit
dem Aluminiumdraht ist, der erste Anschluss eine Nickelschicht aufweist,
welche auf eine Ober fläche
des ersten Anschlusses aufgebracht ist, der erste Anschluss weiterhin
eine Silberschicht aufweist, welche auf die Nickelschicht aufgebracht
ist und an einem Kontaktabschnitt zwischen dem ersten Anschluss
und dem Golddraht liegt, und der zweite Anschluss eine Nickelschicht
aufweist, welche auf eine Oberfläche
des zweiten Anschlusses aufgebracht ist. In diesem Fall sind die
ersten und zweiten Anschlüsse
mit der Nickelschicht bedeckt, so dass die Anschlüsse problemlos
mit externen Drähten
gebondet und geschweißt
werden können.
Weiterhin ist ein Verbindungsteil des ersten Anschlusses mit der
Silberschicht bedeckt, so dass der erste Anschluss problemlos mit
dem Golddraht verbunden werden kann. Weiterhin ist der zweite Anschluss
mit der Nickelschicht bedeckt, so dass der zweite Anschluss problemlos
mit dem Aluminiumdraht gebondet werden kann.
-
Somit
weist die Vorrichtung den ersten Anschluss für den Golddraht und den zweiten
Anschluss für
den Aluminiumdraht auf. Der erste Anschluss ist in der Lage, eine
Mehrzahl von Stiften auszubilden, und der zweite Anschluss ist in
der Lage, einen hohen Strom zu führen.
Somit kann die Vorrichtung durch die Verbindungsanschlüsse einen
hohen Strom führen
und hat eine hohe Anzahl von Verbindungsanschlüssen.
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Erfindungsgemäß wird eine
weitere elektrische Vorrichtung geschaffen, mit: einem ersten Schaltkreis;
einem zweiten Schaltkreis; und einer Mehrzahl von Anschlüssen, die
mittels Bonddrähten mit
den ersten und zweiten Schaltkreisen in Verbindung sind, wobei der
zweite Schaltkreis in der Lage ist, einen elektrischen Strom zu
führen,
der zweite Schaltkreis eine Stromkapazität hat, welche größer als
diejenige des ersten Schaltkreises ist, die Anschlüsse einen
ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss aufweisen, die Bonddrähte einen
Golddraht und einen Aluminiumdraht aufweisen, der Aluminiumdraht
einen Durchmesser größer als
derje nige des Golddrahtes hat, der erste Anschluss in Verbindung
mit dem ersten Schaltkreis über
den Golddraht ist und der zweite Anschluss in Verbindung mit dem
zweiten Schaltkreis über
den Aluminiumdraht ist, der erste Anschluss eine Nickelschicht aufweist, welche
auf eine Oberfläche
des ersten Anschlusses aufgebracht ist, der erste Anschluss weiterhin
eine Silberschicht aufweist, welche auf die Nickelschicht aufgebracht
ist und an einem Kontaktabschnitt zwischen dem ersten Anschluss
und dem Golddraht liegt, und der zweite Anschluss eine Nickelschicht aufweist,
welche auf eine Oberfläche
des zweiten Anschlusses aufgebracht ist. Die Vorrichtung weist den ersten
Anschluss für
den Golddraht und den zweiten Anschluss für den Aluminiumdraht auf. Der
erste Anschluss ist in der Lage, eine Mehrzahl von Stiften auszubilden,
und der zweite Anschluss ist in der Lage, einen hohen Strom zu führen. Somit
kann die Vorrichtung durch die Verbindungsanschlüsse einen hohen Strom führen und
hat eine große
Anzahl von Verbindungsanschlüssen.
-
Erfindungsgemäß wird eine
weitere elektrische Vorrichtung geschaffen, mit: einer Wärmesenke;
einer elektrischen Vorrichtung, die auf der Wärmesenke angeordnet ist; einem
Leiterrahmen, der um die elektrische Vorrichtung herum angeordnet
ist; und einem Harzverguss, der die Wärmesenke, die elektrische Vorrichtung
und den Leiterrahmen derart eingießt, dass ein Boden der Wärmesenke
frei von dem Harzverguss ist, wobei der Leiterrahmen einen Aufhängeleiter
in Verbindung mit der Wärmesenke aufweist,
der Harzverguss einen oberen Abschnitt und einen unteren Abschnitt
aufweist, der obere Abschnitt des Harzvergusses oberhalb des Aufhängeleiters
angeordnet ist, der untere Abschnitt des Harzvergusses unterhalb
des Aufhängeleiters
angeordnet ist, und der untere Abschnitt gegenüber dem oberen Abschnitt vorsteht.
In diesem Fall wird ein Totraum um die obere Oberfläche der
Wärmesenke
herum passend verringert. Damit hat die Vorrichtung eine geringe
Größe, so dass
die Vorrichtung problemlos in ein Stellglied einbaubar ist.
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Ein
erfindungsgemäßes Verfahren
zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung weist die folgenden
Schritte auf: Anordnen eines elektrischen Elements an einer oberen
Oberfläche
einer Wärmesenke;
Anordnen eines Leiterrahmens um das elektrische Element herum; Verbinden
der Wärmesenke mit
einem Aufhängeleiter
des Leiterrahmens; und Eingießen
der Wärmesenke,
des elektrischen Elements und des Leiterrahmens mit einem Harzverguss
unter Verwendung einer Gussform derart, dass ein Boden der Wärmesenke
frei von dem Harzverguss ist, wobei der Schritt des Eingießens mit
dem Harzverguss die folgenden Schritte aufweist: Niederdrücken des
Aufhängeleiters
mit einem oberen Formteil der Form; Drücken des Bodens der Wärmesenke gegen
ein unteres Formteil der Form; und Einbringen von flüssigem Harz
in den Hohlraum der Form. Das Verfahren schafft eine elektrische
Vorrichtung, welche auf der oberen Oberfläche der Wärmesenke, d. h. der Befestigungsoberfläche der
Wärmesenke,
auf der das elektrische Element angeordnet oder befestigt wird,
keinen Totraum hat. Weiterhin ist keine zusätzliche Ausstattung, beispielsweise
eine Ansaugvorrichtung bei dem obigen Verfahren notwendig, so dass
die Herstellungskosten der Vorrichtung nicht erhöht sind.
-
Weitere
Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben
sich besser aus der folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme
auf die beigefügte
Zeichnung.
-
Es
zeigt:
-
1A eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfin dung und 1B eine
Schnittdarstellung durch die Vorrichtung entlang Linie IB-IB in 1A;
-
2 eine
schematische Darstellung eines Wärmewiderstandsmodells
in der Vorrichtung gemäß der ersten
Ausführungsform;
-
3A bis 3D Schnittdarstellungen durch
unterschiedliche Wärmesenken
gemäß einer ersten
Abwandlung der ersten Ausführungsform;
-
4 eine
Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Abwandlung
der ersten Ausführungsform;
-
5 ein
Schaltkreisdiagramm eines Schaltkreises der Vorrichtung zum Betrieb
eines Motors eines Fensterhebers in einem Kraftfahrzeug gemäß der ersten
Ausführungsform;
-
6A bis 6D Darstellungen
zur Erläuterung
eines Ein/Aus-Zustandes eines jeden Leistungs-MOS-Transistors in
unterschiedlichen Betriebsbedingungen bei der ersten Ausführungsform;
-
7A eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung
gemäß einer
dritten Abwandlung der ersten Ausführungsform, 7B eine Schnittdarstellung durch die Vorrichtung
entlang Linie VIIB-VIIB in 7B und 7C eine Schnittdarstellung zur Erläuterung
eines Vergussprozesses bei einem Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
gemäß der dritten Abwandlung;
-
8 eine
Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Abwandlung
der ersten Ausführungsform;
-
9A eine Draufsicht auf eine Befestigungskonstruktion
einer Halbleitervorrichtung bei einem Vergleich zur ersten Ausführungsform
und 9B eine Schnittdarstellung
durch den Aufbau entlang Linie IXB-IXB in 9A;
-
10 eine graphische Darstellung einer Beziehung
zwischen Zeit und Wärmewiderstand
bei unterschiedlichen Adhäsionsdicken
bei der ersten Ausführungsform;
-
11A eine Draufsicht auf einen Befestigungsaufbau
der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten
Ausführungsform
und 11B eine Schnittdarstellung
durch den Aufbau entlang Linie XIB-XIB in 11A;
-
12A eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung
gemäß einer
zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung und 12B eine Schnittdarstellung
der Vorrichtung entlang Linie XIIB-XIIB in 12A;
-
13A eine Schnittdarstellung durch eine Temperaturerfassungsdiode
eines Steuerelements in der Vorrichtung und 13B eine
Schnittdarstellung durch eine Temperaturerfassungsdiode eines Leistungs-MOS-Transistors
in der Vorrichtung gemäß der zweiten
Ausführungsform;
-
14 ein Schaltkreisdiagramm für ein Temperaturerfassungssignal
in der Vorrichtung gemäß der zweiten
Ausführungsform;
-
15 ein Schaltkreisdiagramm eines Steuerschaltkreises
für ein
Temperaturerfassungssignal in einem Leistungs-MOS-Transistor der
ersten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
-
16 ein Schaltkreisdiagramm eines Steuerschaltkreises
für ein
Temperaturerfassungssignal in einem Steuer-IC gemäß einer zweiten Abwandlung
der zweiten Ausführungsform;
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17 ein Schaltkreisdiagramm zur Erläuterung
eines Temperaturerfassungssignals einer Halbleitervorrichtung bei
einer dritten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
-
18 ein Schaltkreisdiagramm, das einen Steuerschaltkreis
des Temperaturerfassungssignals des Steuer-ICs und einen Mikrocomputer
gemäß einer
vierten Abwandlung der zweiten Ausführungsform erläutert;
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19 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
dritten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
20 eine Schnittdarstellung durch die Vorrichtung
von 19 gemäß der dritten Ausführungsform;
-
21 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
vierten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
22 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
fünften
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
23 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
sechsten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
24 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
siebten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
25 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
mit einem Steuerelement und einem Treiberelement gemäß einer
achten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
-
26 eine Schnittdarstellung durch die Vorrichtung
der achten Ausführungsform;
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27A eine Vorderansicht auf eine Antriebseinrichtung
für einen
Fensterheber in einem Kraftfahrzeug mit der elektrischen Vorrichtung
und 27B eine Seitenansicht der
Vorrichtung gemäß der achten
Ausführungsform;
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28 ein Schaltkreisdiagramm der Vorrichtung gemäß der achten
Ausführungsform;
-
29A bis 29B Darstellungen
eines Ein/Aus-Zustandes eines jeden Leistungs-MOS-Transistors in
unterschiedlichen Betriebsbedingungen bei der achten Ausführungsform;
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30 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
mit einem Steuerelement und einem Treiberelement gemäß einer
neunten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
-
31 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
zehnten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
32 eine Schnittdarstellung durch die Vorrichtung
gemäß der zehnten
Ausführungsform;
-
33A eine vergrößerte Teilschnittdarstellung
des ersten Verbindungsanschlusses der Vorrichtung und 33B eine vergrößerte Teilschnittdarstellung
des zweiten Verbindungsanschlusses der Vorrichtung bei der zehnten
Ausführungsform;
-
34A eine Teilschnittdarstellung der ersten Verdrahtungskarte
der Vorrichtung und 34B eine Teil schnittdarstellung
der zweiten Verdrahtungskarte der Vorrichtung bei der zehnten Ausführungsform;
-
35 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
elften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
-
36 eine Draufsicht auf eine elektrische Vorrichtung
gemäß einer
zwölften
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
37A eine Schnittdarstellung durch eine elektrische
Vorrichtung und 37B eine Draufsicht auf die
Vorrichtung gemäß der dreizehnten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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38A eine Schnittdarstellung zur Erläuterung
eines Vergussprozesses bei einem Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
und 38B eine Draufsicht zur Erläuterung
des Vergussprozesses einer dreizehnten Ausführungsform; und
-
39A eine Schnittdarstellung zur Erläuterung
eines Vergussprozesses bei einem Verfahren zur Herstellung einer
elektrischen Vorrichtung und 39B eine
Draufsicht zur Erläuterung
des Vergussprozesses im Vergleich zur dreizehnten Ausführungsform.
-
<Erste Ausführungsform>
-
Eine
erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung,
welche mit einem ersten elektrischen oder elektronischen Element,
beispielsweise einem Steuerelement und einem zweiten elektrischen
oder elektronischen Element, beispielsweise einem Leistungselement, ausgestattet
ist, welches einen höheren
Stromdurchlauf im Vergleich zu dem ersten elektronischen Element
hat, um somit größere wärme zu erzeugen,
und welche zum Betrieb eines Stellglieds, beispielsweise einem Motor,
verwendet wird.
-
Die
Erfinder haben das Problem untersucht, welches nachfolgend dargestellt
wird und im Fall einer Halbleitervorrichtung nach dem Stand der
Technik vorhanden ist.
-
5 ist
ein Schaltkreisblockdiagramm, welches den typischen Schaltkreisaufbau
einer Halbleitervorrichtung, beispielsweise einer HIC zum Betreiben
des Antriebsmotors eines Fensterhebers in einem Fahrzeug zeigt.
Insbesondere ist 5 ein Schaltkreisblockdiagramm
zur Veranschaulichung des Schaltkreisaufbaus der Halbleitervorrichtung
als HIC zum Betreiben eines Antriebsmotors eines Fensterhebers in
einem Kraftfahrzeug mit einer Einklemmsicherungsfunktion.
-
In 5 ist
ein Steuerelement 10 als erstes elektronisches Element
aufgebaut aus einem Mikrocomputer 11, einem Steuerschaltkreis 13,
einem Treiberschaltkreis 14, einem Komparator 15 etc.
Ein Leistungselement als zweites elektronisches Element ist aus
einem Leistungs-MOS-Element 20 aufgebaut. Weiterhin sind
das Steuerelement 10 und das Leistungs-MOS-Element 20 auf
einer gemeinsamen Verdrahtungskarte angeordnet.
-
Das
Leistungs-MOS-Element 20 ist aus vier Leistungs-MOS-Elementen 21, 22, 23 und 24 aufgebaut,
welche einen H-Brücken-Schaltkreis
bilden. Weiterhin ist diese Halbleitervorrichtung im Nahbereich
eines Motors 80 zum Antreiben des Fensterglases (der Fensterscheibe)
und einer Energiequelle oder Energieversorgung 81 für die Vorrichtung
angeordnet.
-
Bei
einer derartigen Halbleitervorrichtung wird ein Signal von einem
Mikrocomputer (nicht gezeigt) über
eine ent sprechende Kommunikationsmöglichkeit (beispielsweise LIN)
dem Mikrocomputer 11 übertragen,
und der Mikrocomputer 11 steuert die jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 über den
Steuerschaltkreis 13 und den Treiberschaltkreis 14 abhängig von
den Anweisungen vom Mikrocomputer 11. Der Ausgang des Treiberschaltkreis 14 wird den
Gates der jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 eingegeben.
-
Die
Ein/Aus-Zustände
der Gateeingänge
der jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente in einem Zustand, in dem der
Motor 80 arbeitet, sind in den 6A bis 6C gezeigt.
Wie oben erwähnt,
ist es der Motor 80, der die Fensterscheibe eines Fahrzeugs
nach oben und unten bewegt und die Zustände der Gateeingänge, wenn
der Motor angehalten ist, die Fensterscheibe nach oben bewegt wird
und die Fensterscheibe nach unten bewegt wird, sind in den 6A bis 6D gezeigt.
Wenn der Motor gestoppt wird, werden alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den Zustand AUS gebracht, und wenn die Fensterscheibe nach oben
(oder unten) bewegt wird, werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21, 32 in
den Zustand EIN gebracht (Zustand AUS, wenn die Fensterscheibe nach
unten bewegt ist) und die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24 werden
in den Zustand AUS gebracht (Zustand EIN, wenn die Fensterscheibe
nach unten bewegt wird).
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Ein
HIC mit einer Klemmverhinderungsfunktion kann drei Betriebsabläufe durchführen, nämlich das Öffnen eines
Fensterglases, das Schließen
des Fensterglases und das Verhindern eines Einklemmens. Genauer
gesagt, die Einklemm-Verhinderungsfunktion ist wie folgt:
Wenn
beispielsweise die Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23 den
Zustand EIN halten, wenn die Fensterscheibe nach oben bewegt wird
und sich maximal nach oben bewegt hat, läuft ein überhoher Strom durch den Motor 80,
was den Motor 80 veranlasst, ein hohes Drehmoment zu erzeugen,
was die Fensterscheibe in einen Fangzustand oder Haltezustand versetzt.
-
Hierbei
wird beispielsweise durch einen Hall-Sensor oder dergleichen die
Drehung des Motors 80 erkannt und der Komparator 15 vergleicht
den erkannten Drehzustand des Motors 80 mit dem Befehl
vom Mikrocomputer 11, um zu bestimmen, dass die Fensterscheibe
in den Fangzustand gebracht ist. Dann schaltet der Steuerschaltkreis 13 ein
Signal derart, dass ein PWM-Betrieb (Pulsbreitenmodulationssteuerung)
durchgeführt
wird, um den Strom zum Motor 80 wiederholt zu unterbrechen
und freizugeben.
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Mit
anderen Worten, für
gewöhnlich
werden, wenn die Fensterscheibe nach oben bewegt wird, wie durch "Bewegung nach oben" in den 6A bis 6D gezeigt,
Gateeingangssignale an die jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 angelegt. Wenn
jedoch bestimmt wird, dass die Fensterscheibe in einen verfangenen
Zustand gebracht worden ist, werden die Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 von einem
Zustand EIN in einen Zustand gebracht, wo die Zustände EIN
und AUS wiederholt sind, d. h. in einen PWM-Steuerungszustand.
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Hiermit
wird das Drehmoment des Motors 80 verringert, um zu verhindern,
dass ein Passagier von dem Fensterglas erfasst und verletzt wird.
Wenn der Fangzustand über
eine bestimmte Zeitdauer hinweg anhält, werden die Gateeingänge der
jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
einen Zustand gebracht, dass der Motor 80 angehalten wird,
um den Stromlauf zu dem Motor 80 zu unterbrechen.
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Bei
diesem Betrieb sind, wenn die Fensterscheibe nach oben bewegt und
nach unten bewegt wird, die Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 EIN
und die Spannung zwischen Source und Drain in dem Leistungs-MOS-Element
(D-zu-S-Spannung) wird ausreichend klein und der Energieverbrauch
wird ebenfalls klein. Zum Zeitpunkt der PWM-Steuerung wird jedoch,
wenn die Leistungs-MOS-Elemente 21 bei 24 wiederholt
EIN- und AUS-geschaltet werden, die D-zu-S-Spannung extrem hoch
und der Energieverbrauch wird hoch.
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Wenn
die Fensterscheibe auf und ab bewegt wird, ist beispielsweise, wenn
ein Strom von 1 A bei einer Spannung von 0,3 V fließt, der
Energieverbrauch 0,3 W. Zum Zeitpunkt der PWM-Steuerung ist jedoch,
wenn beispielsweise ein Strom von 0,2 A bei einer durchschnittlichen
Spannung von 7 V fließt,
der Energieverbrauch 1,4 W, was mehr als das Vierfache des vorherigen
Energieverbrauchs beträgt.
Diese numerischen Werte sind nur Beispiele, in der Realität besteht
jedoch die Tendenz, dass der Energieverbrauch oder Leistungsverbrauch
zum Zeitpunkt der PWM-Steuerung größer wird.
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Auf
diese Weise wird in der zugehörigen Halbleitervorrichtung
viel Wärme
von dem Leistungselement 20, welches einen höheren Strombetrag führt und
mehr Wärme
als das Steuerelement 10 erzeugt, auf das Steuerelement 10 übertragen,
so dass das Steuerelement 10 dieser Wärme oder Hitze ausgesetzt ist.
-
Insbesondere
ist eine Vorrichtung zur Durchführung
der oben beschriebenen PWM-Steuerung erheblich einer Wärmeübertragung
seitens des Leistungselements 20 ausgesetzt.
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Bei
einer Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik, wie sie
oben beschrieben worden ist, wird viel wärme über eine Verdrahtungskarte,
welche problemlos Wärme
von dem Leistungselement 20 übertragen kann, welches im
Vergleich zu dem Steuerelement 10 einen höheren Stromdurchfluss hat
und viel wärme
erzeugt, übertragen,
so dass das Steuerelement 10 von dieser Wärme beeinflusst
werden kann.
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Das
Steuerelement 10 ist hinsichtlich seiner Betriebstemperatur
eingeschränkt
und hat üblicherweise
eine geringere Betriebstemperatur, da es im Vergleich zum Leistungselement 20 empfindlicheren Aufbau
hat. Somit ist es wichtig, Wärmeeinflüsse von dem
Leistungselement 20 zu verhindern, wie oben beschrieben.
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Am
einfachsten wäre
es möglich,
den Abstand zwischen dem Steuerelement 10 und dem Leistungselement 20 auf
der Verdrahtungskarte zu erhöhen,
auf der das Steuerelement 10 und das Leistungselement 20 angeordnet
sind, jedoch führt
dies zu einer vergrößerten Vorrichtung,
was nicht wünschenswert
ist.
-
Angesichts
dieses Problems wird eine Halbleitervorrichtung gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bereitgestellt.
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Die 1A und 1B sind
Darstellungen, um den allgemeinen Aufbau einer Halbleitervorrichtung 100 zu
zeigen, welche mit dem ersten elektronischen Element 10 und
dem zweiten elektronischen Element 20 gemäß der ersten
Ausführungsform
ausgestattet ist. 1A ist eine Draufsicht und 1B ist eine Schnittdarstellung entlang Linie IB-IB
in 1A.
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In
dieser Ausführungsform
erfolgt die Beschreibung unter der Annahme, dass die Halbleitervorrichtung 100 bei
einem HIC zum Betrieb des Antriebsmotors eines Fensterhebers eines
Fahrzeugs verwendet wird, wie es bei der Vorrichtung von 5 der
Fall ist, obgleich nicht beabsichtigt ist, die Erfindung hierauf
zu beschränken.
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[Vorrichtungsaufbau]
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In
dieser Ausführungsform
ist das erste elektronische Element 10 aufgebaut aus einem
Mikrocomputer 11 als Steuerelement und einem Steuer-IC 12.
Diese sind aus Bauteilen wie einem Transistor gebildet, der auf
einem Halbleitersubstrat (Halbleiterchip) ausgebildet ist, also
einem Siliziumhalbleiter, der unter Verwendung eines Halbleiterprozesses
bearbeitet wird.
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Weiterhin
hat das zweite elektronische Element 20 einen höheren Stromdurchlauf
oder -verbrauch im Vergleich zu dem ersten elektronischen Element,
wodurch große
Wärmemengen
erzeugt werden, und es ist aus einem Leistungselement gebildet,
beispielsweise einem Leistungs-MOS-Element und einem IGBT-Element.
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In
dieser Ausführungsform
ist das zweite elektronische Element 20 aufgebaut aus vier
Leistungs-MOS-Elementen 20 (21, 22, 23 und 24),
welche als Leistungselemente dienen. Diese Leistungs-MOS-Elemente 20 werden
von dem Steuerelement 10 gesteuert und sind als Treiberelemente
zum Betrieb des oben beschriebenen Motors ausgelegt.
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Weiterhin
ist die Halbleitervorrichtung 100 mit einer Wärmesenke 30 ausgestattet.
Diese Wärmesenke 30 hat
die Form einer rechteckigen Platte und in dieser Ausführungsform
ist die Wärmesenke 30 der 1A und 1B quadratisch
mit einer Kantenlänge
von 50 mm und die Dicke TH (siehe 1B)
der Wärmesenke 30 beträgt annähernd 1,5 mm.
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In
dieser Ausführungsform
ist die Wärmesenke 30 aus
einem Metall auf Eisenbasis und im konkreten Beispiel aus reinem
Eisen (Fe). Wie in 1B ist ein vorstehender Abschnitt 31,
der als sogenannte Prägung
bezeichnet wird, zwischen der oberen Oberfläche und der Bodenfläche der
Wärmesenke 30 an
den Seitenoberflächen
ausgebildet.
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Die
erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42,
welche voneinander getrennt sind, sind auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 angeordnet.
Diese ersten und zweiten Verdrahtungskarten 41 und 42 sind
an der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 beispielsweise durch
einen Kleber (nicht gezeigt) aus einem Harz befestigt, der elektrische
Isolation und ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit hat.
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Hierbei
kann eine keramische laminierte Karte mit zwei oder mehr Keramikschichten
mit Verdrahtungen oder eine gedruckte Schaltkreiskarte als erste Verdrahtungskarte 41 verwendet
werden. Weiterhin kann eine dicke Verdrahtungskarte aus einer einschichtigen
oder zwei- oder mehrschichtigen dicken Verdrahtungskarte als zweite
Verdrahtungskarte 42 verwendet werden.
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Genauer
gesagt, die Verdrahtungskarten 41 und 42 sind
bevorzugt Karten aus Aluminiumoxid. In dieser Ausführungsform
kann eine laminierte Verdrahtungskarte aus Aluminiumoxid als erste
Verdrahtungskarte 41 verwendet werden und eine einschichtige
Verdrahtungskarte aus Aluminiumoxid kann als zweite Verdrahtungskarte 42 verwendet
werden.
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Die
Steuerelemente 10 als erstes elektronisches Element sind
auf der ersten Verdrahtungskarte 41 angeordnet und die
Leistungs-MOS-Elemente 20 als zweites elektronisches Element
sind auf der zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet. Hierbei
sind die Steuerelemente 10 und die Leistungs-MOS-Elemente 20 an
den Verdrahtungskarten 41 bzw. 42 beispielsweise
durch ein (nicht gezeigtes) Lot befestigt. wie weiterhin in den 1A und 1B gezeigt,
ist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen 51 um die Steuerelemente 10 am
Außenumfang
der Wärmesenke 30 angeordnet
und eine Mehrzahl von Stromanschlüssen 52 ist um die
Leistungs-MOS-Elemente 20 herum angeordnet. Diese Leitungsteile 51 und 52,
d. h. die Signalanschlüsse 51 und
die Stromanschlüsse 52 können unter
Verwendung eines Leiterrahmens aus beispielsweise Cu oder einer 42-Legierung
gebildet werden.
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Die
Signalanschlüsse 51 sind
mit dem Mikrocomputer 11 und dem Steuer-IC elektrisch verbunden,
welche die Steuerelemente 10 sind, und die Stromanschlüsse 52 sind
elektrisch mit den jeweiligen Leistungs-MOS-Elementen 20 verbunden,
welche die Leistungselemente sind.
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Diese
Anschlüsse 51 und 52 und
die Elemente 10 und 20 werden miteinander durch
Bonddrähte 60 verbunden,
so dass sie elektrisch miteinander verbunden sind, wie in 1B gezeigt. Die Bonddrähte 60 sind in 1A weggelassen.
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Die
Steuerelemente 10, die Leistungs-MOS-Elemente 20,
die erste Verdrahtungskarte 41, die zweite Verdrahtungskarte 42,
die Bonddrähte 60,
Verbindungsabschnitte, wo die Anschlüsse 51 und 52 mit
dem Bonddraht 60 verbunden sind, und die Wärmesenke 30 werden
mit einem Harz 70 eingegossen.
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Dieses
Harz 70 ist ein gegossenes Harzmaterial, welches üblicherweise
für eine
Halbleiterpackung verwendet wird, beispielsweise ein Harz auf Epoxybasis,
und es wird durch ein Pressspritzverfahren unter Verwendung einer
Gußform
oder dergleichen gegossen.
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Hierbei
liegt gemäß 1B die Bodenfläche gegenüber der
oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30,
auf der die elektronischen Elemente 10 und 20 und
die Verdrahtungskarten 41 und 42 angeordnet sind,
von dem Harz 70 frei vor. Der oben beschriebene vorstehende
Abschnitt 31 der Wärmesenke 30 gräbt sich
in das Harz 70 ein.
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Weiterhin
ist diese Halbleitervorrichtung 100 auf einem Gehäuse 200 angeordnet,
wie in 1B gezeigt. Dieses Ge häuse 200 ist
ein Motorgehäuse, in
welchem ein Motor 80 (siehe 5) zum
Antrieb des oben beschriebenen elektrisch betriebenen Fensters aufgenommen
ist.
-
Die
Halbleitervorrichtung 100 steht mit dem Gehäuse 200 beispielsweise
durch ein Fett oder Gel oder dergleichen in Verbindung, welches
elektrisch isolierend ist und ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit
hat und zwischen der Bodenfläche
der Wärmesenke 30 und
dem Gehäuse 200 liegt.
Die Halbleitervorrichtung 100 ist dafür ausgelegt, ihre Wärme über die
Wärmesenke 30 an
das Gehäuse 200 abzugeben.
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Die
Halbleitervorrichtung 100 mit diesem Aufbau kann auf folgende
weise hergestellt werden: beispielsweise werden die erste Verdrahtungskarte 41 mit
dem Steuerelement 10 hierauf und die zweite Verdrahtungskarte 42 mit
dem Leistungselement 20 hierauf auf der Wärmesenke 30 angeordnet;
die Leitungsteile 51 und 52 werden um sie herum
angeordnet; die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42 werden
durch Drähte
mit den Leitungsteilen 51 und 52 verbunden (gebondet)
und dann werden all diese Teile durch ein Harz eingegossen.
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[Schaltkreisaufbau und
-betrieb]
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Der
Schaltkreisaufbau der Halbleitervorrichtung 100 dieser
Ausführungsform
ist gleich demjenigen von 5. Obgleich
möglichst
wenig wiederholende Beschreibung erfolgen soll, sei der Schaltkreisaufbau
der Halbleitervorrichtung 100 in dieser Ausführungsform
kurz unter Bezug auf die 5 und 6A bis 6D beschrieben.
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Wie
in 5 gezeigt, ist in dieser Ausführungsform der Halbleitervorrichtung 100 das
Steuerelement 10 als erstes elektronisches Element aus dem
Mikrocomputer 11 und dem Steuer-IC 12 aufgebaut,
der den Steuerschaltkreis 13, den Treiberschaltkreis 14 und
den Komparator 15 aufweist. Ein Leistungselement als zweites
Halbleiterelement ist aus vier Leistungs-MOS-Elementen 20 (21 bis 24) aufgebaut.
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Die
vier Leistungs-MOS-Elemente 21, 22, 23 und 24 bilden
einen H-Brücken-Schaltkreis.
Weiterhin gibt es bei dieser Halbleitervorrichtung 100 den oben
beschriebenen Motor 80 zum Bewegen des Fensterglases und
die Energieversorgung 81 der Vorrichtung.
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Bei
der Halbleitervorrichtung 100 wird eine Anweisung von einem
Mikrocomputer (nicht gezeigt) über
eine Verbindung (beispielsweise LIN) an den Mikrocomputer 11 übertragen
und der Mikrocomputer 11 steuert die jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 über den
Steuerschaltkreis 13 und den Treiberschaltkreis 14 abhängig von
dieser Anweisung. Der Ausgang des Treiberschaltkreises 14 wird
den Gates der jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 eingegeben.
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Der
Motor 80 bewegt die Fensterscheibe des Fahrzeugs nach oben
und unten und die Zustände der
Gateeingänge
zu den Zeitpunkten, zu denen der Motor angehalten ist, zu denen
die Fensterscheibe nach oben bewegt wird und zu denen die Fensterscheibe
nach unten bewegt wird, sind in den 6A bis 6D gezeigt.
-
Das
heißt,
gemäß den 6A bis 6D werden,
wenn der Motor angehalten ist, alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den Zustand AUS gebracht und wenn die Fensterscheibe nach oben bewegt
wird, werden die beiden Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23,
welche auf einer Diagonalen des H-Brücken-Schaltkreises
liegen, in die Zustände
EIN gebracht, während
die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24, die
auf der anderen Diagonale liegen, in den Zustand AUS gebracht werden.
-
Wenn
weiterhin die Fensterscheibe nach unten bewegt wird, werden die
beiden Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23, die auf
einer Diagonalen des H-Brücken-Schaltkreises
liegen, in den Zustand AUS gebracht, wohingegen die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24,
die auf der anderen Diagonalen liegen, in den Zustand EIN gebracht
worden. Mit anderen Worten, wenn das Fenster nach oben bewegt wird
und wenn das Fenster nach unten bewegt wird, wird ein durch den
Motor 80 fließender Strom
von dem H-Brücken-Schaltkreis
umgekehrt und somit wird der Motor 80 reversierend betrieben.
-
Bei
dieser Halbleitervorrichtung 100 ist eine Einklemmverhinderungsfunktion
wie folgt: wenn die Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23 den
Zustand EIN halten und die Fensterscheibe nach oben bewegt wird
und gegen ein Hindernis aufläuft,
läuft ein überhoher
Strom durch den Motor 80, so dass in dem Motor 80 ein
hohes Drehmoment erzeugt wird, was die Fensterscheibe in einen verfangenen
Zustand versetzt.
-
Zu
diesem Zeitpunkt erkennt beispielsweise ein Hall-Sensor (nicht gezeigt) oder dergleichen
die Drehung des Motors 80 und der Komparator 15 vergleicht
den erkannten Rotationszustand des Motors 80 mit der Anweisung
des Mikrocomputers 11, um zu bestimmen, dass die Fensterscheibe
in einem verfangenen Zustand ist. Sodann schaltet der Steuerschaltkreis 13 ein
Signal derart, dass ein PWM-Betrieb (Pulsbreitenmodulationssteuerung)
durchgeführt
wird, wobei der Durchlass des Stroms zum Motor 80 unterbrochen
und wiederholt freigegeben wird.
-
Dieser
PWM-Betrieb verringert das Drehmoment des Motors 80 und
kann somit verhindern, dass ein Benutzer von dem Fensterglas ergriffen
und verletzt wird. wenn ein bestimmter Verfangzustand über eine
bestimmte Zeit hinweg fortdauert, werden die Gattereingänge der
jeweiligen Leistungs- MOS-Elemente 21 bis 24 in
einen Zustand versetzt, in dem der Motor angehalten wird, um die
Zufuhr von Strom an den Motor 80 zu stoppen.
-
Bei
dem oben beschriebenen Betrieb ist, wenn die Fensterscheibe nach
oben und unten bewegt wird, eine D-zu-S-Spannung im Leistungs-MOS-Element 20 klein
und der Leistungsverbrauch ist ebenfalls klein. Zum Zeitpunkt der PWM-Steuerung wird jedoch
die D-zu-S-Spannung sehr hoch und der Energieverbrauch wird ebenfalls hoch.
-
[Effekte]
-
Auf
diese Weise wird bei dieser Halbleitervorrichtung 100 viel
Wärme vom
Leistungselement 20, welches einen äußeren Strombetrag führt und welches
mehr Wärme
als das Steuerelement 10 erzeugt, an das Steuerelement 10 übertragen.
-
Insbesondere
ist bei der Halbleitervorrichtung 100 die Dauer der PWM-Steuerung
mit großem Energieverbrauch
und damit die Auswirkung von Übergangswärme von
dem Leistungselement 20 bei der oben beschriebenen PWM-Steuerung
größer als im
Normalbetrieb.
-
Wie
oben beschrieben, gibt es bei dieser Ausführungsform die Tendenz, dass
Auswirkungen von übergehender
Wärme,
welche vom Leistungselement 20 bei der oben beschriebenen
PWM-Steuerung erzeugt wird, größer ist
als Auswirkungen der normalen Wärmeerzeugung.
Aus diesem Grund ist bei dieser Ausführungsform eine Anordnung zum
Sicherstellen einer vorübergehenden
thermischen Speicherung (d. h. ein Widerstand gegen thermische Spitzen)
geeigneter als eine Anordnung, bei der die gesamte Wärmeabstrahlung
sichergestellt ist (d. h. ein gleichförmiger oder gleichmäßiger thermischer widerstand).
-
Bei
der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 100 wird eine
hohe Wärmemenge
von dem Leistungselement 20, welches einen höheren Stromdurchgang
im Vergleich zu dem Steuerelement 10 hat, an das Steuerelement 10 übertragen.
-
Da
ein LSI, der den Mikrocomputer 11 etc. als Steuerelement 10 bildet,
einen kleinen logischen Treiberstrom hat, kann ein geringer Leckstrom
bewirken, dass der LSI in Hochtemperaturumgebungen fehlerhaft arbeitet,
wes es schwierig macht, komplexe Betriebsabläufe sicherzustellen.
-
Aus
diesem Grund ist im Steuerelement 10 eine Betriebsgarantietemperatur
bei hohen Temperaturen auf eine niedrigere Temperatur im Vergleich zum
Leistungselement 20 gesetzt. Daher ist es wichtig, Wärmeeinwirkungen
von dem Leistungselement 20 auf das Steuerelement 10 zu
verhindern, wie oben beschrieben.
-
Um
Auswirkungen von Wärme
von dem Leistungselement 20 auf das Steuerelement 10 zu
verhindern, wie oben beschrieben, und um geeignete Wärmeabstrahleigenschaften
zu realisieren, ist in dieser Ausführungsform wie oben beschrieben
die Halbleitervorrichtung 100 mit dem Steuerelement 10 und
dem Leistungselement 20, welches von dem Steuerelement 10 gesteuert
wird, ausgestattet und zeichnet sich dadurch aus, dass die Vorrichtung
die Wärmesenke 30 und
die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42 hat,
welche auf einer Oberfläche
der Wärmesenke 30 und
getrennt voneinander angeordnet sind, wobei das Steuerelement 10 auf
der ersten Verdrahtungskarte 41 und das Leistungselement 20 auf
der zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet ist.
-
Somit
sind das Steuerelement 10 und das Leistungselement 20 auf
den Verdrahtungskarten 41 und 42 angeordnet, welche
separat voneinander liegen und auf der Wärmesenke 30 angeordnet
sind. Selbst wenn somit der Abstand L zwischen dem Steuerelement
und dem Leistungselement 20 (siehe 1B)
nicht allzu groß ist,
ist es möglich,
eine Wärmeübertragung
von dem Leistungselement 20 zu dem Steuerelement 10 schwierig
zu machen. Somit ist es bei dieser Ausführungsform bei der Halbleitervorrichtung 100 mit
dem Steuerelement 10 und dem Leistungselement 20,
welches im Vergleich zum Steuerelement einen höheren Stromdurchfluss hat und
viel Wärme
erzeugt, möglich,
eine Größenzunahme
der Vorrichtung so weit als möglich
zu minimieren und geeignete Wärmeabstrahleigenschaften zu
realisieren.
-
Insbesondere
ist in dieser Ausführungsform das
Leistungselement 20 als zweites elektronisches Element
ausgelegt und das Steuerelement 10 zur Steuerung des Leistungselements 20 ist
als erstes elektronisches Element ausgelegt.
-
Aus
diesem Grund ist es bei dieser Ausführungsform wie oben beschrieben
möglich,
das Steuerelement 10 mit der niedrigen Betriebsgarantietemperatur,
das im Vergleich zum Leistungselement 20 unter einer Hochtemperaturumgebung
arbeiten muss, vor hohen thermischen Spitzen zu schützen, welche
vom Leistungselement 20 erzeugt werden.
-
Weiterhin
ist in dieser Ausführungsform
die Wärmesenke 30 aus
Metall auf Eisenbasis, um eine Wärmeübertragung
vom Leistungselement 20 auf das Steuerelement 10 so
gut als möglich
zu verhindern. Das Metall auf Eisenbasis wird unter der Berücksichtigung
verwendet, dass es wichtig ist, der Wärmesenke 30 Wärmekapazität und nicht
thermische Leitfähigkeit
zu verleihen, um auf Temperaturspitzen reagieren zu können, welche
von dem oben beschriebenen Leistungselement 20 erzeugt
werden, und um einer Vergrößerung des
Schaltkreises entgegenwirken zu können.
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Ein
Metall auf Eisenbasis hat niedrige thermische Leitfähigkeit
und hohe Wärmekapazität im Vergleich
zu einem üblichen
Wärmesenkenmaterial,
beispielsweise Cu, und verbessert somit die thermische Speicherung
der Wärmesenke 30,
so dass Wärme vom
Leistungselement 20 kaum auf das Steuerelement 10 übertragen
werden kann.
-
Betrachtet
man hierbei die speziellen Eigenschaften von Cu und Fe, so hat Cu
beispielsweise eine Dichte von 0,00889 g/mm3,
eine molare spezifische Hitze von 24,5 J/mol·K, eine spezifische Wärme von
0,38 J/g·K,
ein Produkt aus Dichte und spezifischer wärme (d. h. Wärmekapazität) von 0,0034 J/m3·K,
eine thermische Leitfähigkeit
von 0,391 W/mm·K
und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten α von 17 × 10–6/°C.
-
Weiterhin
hat Fe eine Dichte von 0,00785 g/mm3, eine
molare spezifische Wärme
von 25,2 J/mol·K,
eine spezifische Wärme
von 0,46 J/g·K,
ein Produkt aus Dichte und spezifischer Wärme (d. h. Wärmekapazität) von 0,0036
J/m3·K,
eine thermische Leitfähigkeit
von 0,071 W/mm·K
und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten α von 12 × 10–6/°C.
-
Auf
diese Weise hat Fe geringere thermische Leitfähigkeit und höhere Wärmekapazität als Cu,
so dass, wenn die Wärmesenke 30 aus
Fe ist, die thermische Speicherung oder Wärmespeicherung erhöht werden
kann.
-
Mit
anderen Worten, bei der Halbleitervorrichtung 100 dieser
Ausführungsform
kann durch Trennen der Verdrahtungskarten 41 und 42 und durch
Ausbilden der Wärmesenke 30 aus
Fe die Wärmesenke 30 so
gebaut werden, dass sie geringere thermische Leitung und höhere Wärmekapazität hat, so
dass Wärme
vom Leistungselement 20 nur schwierig auf das Steuerelement 10 übertragen
werden kann.
-
2 ist
eine Darstellung zur Erläuterung
eines thermischen Widerstandsmodells in der Halbleitervorrichtung 100 dieser
Ausführungsform.
Wie oben beschrieben, ist Fe hinsichtlich thermischer Leitfähigkeit
Cu unterlegen, ist jedoch gegenüber
Cu gleich oder größer in einer
physikalischen Eigenschaft des Produkts aus Dichte und spezifischer
Wärme (d.
h. Wärmekapazität).
-
Die
Wärme oder
Hitze vom Leistungselement 20, welches quasi ein Heizkörper ist, überträgt sich
auf das Steuerelement 10 über die zweite Verdrahtungskarte 42 und
die Wärmesenke 30 und
weiterhin über
die erste Verdrahtungskarte 41.
-
Da
jedoch der Aufbau verwendet wird, bei dem die Aluminiumoxidkarte 42 mit
dem Leistungselement 20 von der Aluminiumoxidkarte 41 mit
dem Steuerelement 10 hierauf getrennt ist, ist eine thermische
Leitung über
die Aluminiumoxidkarten 41 und 42 gering.
-
Weiterhin,
wenn die thermischen Widerstände
zwischen den jeweiligen Teilen relativ mit dem thermischen Widerstandsmodell
von 2 verglichen werden, ist der thermische Widerstand
Rj des Harzes 70 ausreichend hoch und der thermische Widerstand
Rh der Wärmesenke 30 ist
vergleichsweise hoch und auch die Wärmekapazität HC der Wärmesenke 30 gegenüber dem
Gehäuse 200 ist
vergleichsweise hoch.
-
Aus
diesem Grund ist es schwierig, wärme von
dem Leistungselement 20 auf das Steuerelement 10 zu übertragen
und sie wird tatsächlich
in der Wärmesenke 30 gespeichert
und tatsächlich
auf das Gehäuse 200 abgestrahlt.
Auf diese Weise wird in dieser Ausführungsform eine vorübergehende
Hitze- oder Wärmeerzeugung
vom Leistungselement 20, welches eine Heizquelle darstellt,
von der Aluminiumoxidkarte 42 gespeichert, welche direkt
unterhalb des Leistungselements 20 liegt, sowie von der
Wärmesenke 30,
so dass eine Wärme übertragung
insbesondere von Wärmespitzen
auf das Steuerelement 10 verhindert ist.
-
Angesichts
eines derartigen thermischen Widerstandsmodells ist es ein Mittel
der Wahl, die Wärmesenke 30 aus
Fe zu bauen, welche physikalische Eigenschaften von thermischer
Speicherung hat, bei der Fe etwas besser als Cu ist, sowie thermischer Leitung
hat, bei der Fe erheblich schlechter als Cu ist, nämlich annähernd 1/5
von Cu hat.
-
Weiterhin,
wie oben beschrieben, beträgt
die Größe in Draufsicht
der Wärmesenke 30 50
mm2, wohingegen die Dicke TH der Wärmesenke 30 (siehe 1B) höchstens
1,5 mm beträgt.
Aus diesem Grund ist der Beitrag zum thermischen Widerstand der
Wärmesenke 30,
wenn Wärme
auf das Gehäuse (Motorgehäuse) unter
der Wärmesenke 30 übertragen
wird, ausreichend gering.
-
Der
Abstand L zwischen dem Steuerelement und dem Leistungselement 20 (siehe 1B) muss jedoch beispielsweise 10 mm oder mehr
betragen, um die Bonddrähte 60 anschließen zu können etc.
-
Was
den Beitrag zum thermischen Widerstand betrifft, so ist die thermische
Leitung vom Leistungselement 20 zum Steuerelement 10 annähernd zehnmal
die thermische Leistung vom Leistungselement 20 zum Gehäuse 200.
Selbst wenn daher die Wärmesenke 30 aus
Fe gemacht ist, um die thermische Leitung der Wärmesenke auf ein Fünftel der thermischen
Leitfähigkeit
zu senken, wenn die Wärmesenke 30 aus
Cu wäre,
trägt viel
des Effekts auf Grund der Wärmesenke 30 aus
Fe zur Verringerung der thermischen Leitung vom Leistungselement 20 auf
das Steuerelement 10 bei.
-
Weiterhin
zeichnet sich diese Ausführungsform
gemäß den 1A und 1B dadurch
aus, dass das Steuerelement 10, welches das erste elektronische
Element ist, das Leistungselement 20, welches das zweite
elektronische Element ist, die erste Verdrahtungskarte 41,
die zweite Verdrahtungskarte 42 und die Wärmesenke 30 durch
das Harz 70 eingegossen sind, und weiterhin, dass die Bodenfläche (andere
Oberfläche)
der Wärmesenke 30 von
dem Harz 70 vorsteht oder hiervon nicht bedeckt ist.
-
Bei
dieser Anordnung liegt somit die Bodenfläche gegenüber der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30,
auf der die beiden elektronischen Elemente 10 und 20 und
die beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 angeordnet
sind, von dem Harz 70 frei vor, so dass an die Wärmesenke 30 geleitete
wärme auf
geeignete Weise nach außen
hin zu dem Gehäuse 200 abgestrahlt
wird.
-
[Verbesserung des Widerstandes
gegenüber
Wärmezyklus]
-
Bei
einem Pressspritzgießen
großen
Maßstabs
mit eingebautem Steuerelement 10 und Leistungselement 20,
also beispielsweise wie bei der Halbleitervorrichtung 100 dieser
Ausführungsform, ist
eine thermische Belastung, welche zu dem Widerstand gegenüber Wärmezyklen
beiträgt,
eine Aufgabe, welche gelöst
werden muss.
-
Mit
anderen Worten, die Halbleitervorrichtung 100 dieser Ausführungsform
wird ein Schaltkreis großen
Maßstabs
und mit einer großen
Packung und muss somit hinsichtlich thermischer Belastungen zum
Zweck der Verbesserung der Widerstandsfähigkeit gegenüber Wärmezyklen
verbessert werden.
-
Bei
dieser Ausführungsform
gibt es daher verschiedene Anordnungen, welche nachfolgend beschrieben
werden, und welche Maßnahmen
gegenüber
thermischen Belastungen sind, die hier die Widerstandsfähigkeit
gegenüber
Wärmezyklen
beeinflussen.
-
Wie
oben beschrieben, ist es bei dieser Ausführungsform bevorzugt, wenn
die Wärmesenke 30 aus
Fe gebaut ist. Der thermische Ausdehnungskoeffizient α von Si,
aus welchem das Steuerelement 10 und das Leistungselement 20 gebaut
sind, beträgt annähernd 4 × 10–6/°C. Wie oben
beschrieben, ist der thermische Ausdehnungskoeffizient α von Cu annähernd 17 × 10–6/°C und der
thermische Ausdehnungskoeffizient α von Fe beträgt annähernd 12 × 10–6/°C, so dass
Fe näher
als Si als Cu hinsichtlich des thermischen Ausdehnungskoeffizienten
liegt.
-
In
dieser Ausführungsform
ist es bevorzugt, wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient α des Harzes 70 annähernd 11 × 10–6/°C beträgt, was
nahe an dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten α von Fe liegt.
Unter Berücksichtigung
einer Zusammenziehung beim Aushärten
und der Aushärttemperatur
des Harzes 70 ist es bevorzugt, dass der thermisch Ausdehnungskoeffizient
des Harzes 70 nahezu gleich oder etwas kleiner als der
thermische Ausdehnungskoeffizient α von Fe ist.
-
Wenn
die thermischen Ausdehnungskoeffizienten der jeweiligen Teile der
Halbleitervorrichtung 100 nahe aneinander herangebracht
werden, kann ein Unterschied in der thermischen Ausdehnung zwischen
den Teilen, beispielsweise zwischen dem Harz 70 und der
Wärmesenke 20 verringert
werden, was eine Maßnahme
zur Verhinderung ist, dass sich das Harz 70 durch Wärmezyklen
ablöst.
-
In
diesem Zusammenhang kann bei dieser Ausführungsform ein Harz auf Epoxybasis
mit Siliziumoxidfüllstoff
als Harz 70 verwendet werden. Bei diesem Harz 70 wird
der thermische Ausdehnungskoeffizient α des Harzes 70 durch
Steuerung der Menge an Siliziumoxidfüllstoff steuerbar. Genauer gesagt,
Harz mit einer thermischen Leitfähigkeit
von 0,0006 W/mm·K und
einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten α von annähernd 11 × 10–6/°C kann als
Harz 70 vorteilhaft verwendet werden.
-
Weiterhin
ist es bei dieser Ausführungsform, wie
oben beschrieben, bevorzugt, wenn die erste Verdrahtungskarte 41 und
die zweite Verdrahtungskarte 42 Karten aus Aluminiumoxid
sind.
-
Dies
deshalb, als Aluminiumoxid einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten α zwischen
demjenigen von Si und Fe hat und somit wirksam dahingehend ist,
eine thermische Ausdehnung zwischen der Wärmesenke 30, den Verdrahtungskarten 41 und 42 und
den jeweiligen Elementen 10 und 20 auszubalancieren
und zu verhindern, dass sich das Harz 70 ablöst. weiterhin
st von Vorteil dass Aluminiumoxid eine vergleichsweise gute thermische
Leitfähigkeit
hat.
-
Beispielsweise
kann für
die beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 eine Aluminiumoxidkarte
verwendet werden, welche eine Dichte von 0,0035 g/mm3,
eine molare spezifische wärme
von 79 J/mol·K,
eine spezifische Wärme
von 0,77 J/g·K,
ein Produkt aus Dichte und spezifischer Wärme (d. h. Wärmekapazität) von 0.0027
J/mm3·K,
eine thermische Leitfähigkeit
von 0,021 W/mm·K
und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten α von 7 × 10–6 °C hat.
-
Weiterhin
ist es in dieser Ausführungsform bevorzugt,
wenn die Einfriertemperatur, d. h. der Einfriertemperaturpunkt (Tg-Punkt)
des Harzes 70 höher als
die Maximaltemperatur Tjmax ist, bei der das Leistungselement 20 arbeitet.
-
Diese
Temperatur Tjmax ist eine Si-Übergangstemperatur
und entspricht der Maximaltemperatur, bei der die Halbleitervorrichtung 100 tatsächlich arbeitet.
Beispielsweise kann bei dieser Ausführungsform der Tg-Punkt annähernd 165°C betragen und
die Temperatur Tjmax kann annähernd
150°C betragen.
-
Allgemein
nimmt bei einem Harz die Elastizität rasch ab und der thermische
Ausdehnungskoeffizient α nimmt
rasch zu, wenn eine Hochtemperaturumgebung höher als der Tg-Punkt vorliegt.
Mit anderen Worten, ein Wendepunkt in der Temperaturcharakteristik
der Elastizität
und des thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Harz ist der Tg-Punkt.
-
Wenn
der Tg-Punkt kleiner als die Maximaltemperatur Tjmax ist, bei der
die Halbleitervorrichtung 100 arbeiten kann, wird der thermische
Ausdehnungskoeffizient α des
Harzes 70 bei hoher Temperatur extrem hoch. Somit wird
die Auswirkung einer thermischen Belastung hoch und somit wird eine Fehlanpassung
im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Wärmesenke 30 aus
Fe und dem Harz 70 hoch. Im Ergebnis bewirkt dies ein Ablösen des
Harzes 70, so dass die Zuverlässigkeit der Vorrichtung abnimmt.
-
Beispielsweise
ist in dem in dieser Ausführungsform
verwendeten Harz 70, wenn die Temperatur der Tg-Punkt oder
geringer ist (beispielsweise 165°C
oder weniger), der thermische Ausdehnungskoeffizient α des Harzes
70 11 × 10–6/°C, wohingegen,
wenn die Temperatur beim Tg-Punkt oder höher ist, der thermische Ausdehnungskoeffizient α 48 × 10–6/°C beträgt, was
annähernd
das Vierfache ist.
-
Wenn
die Umgebungstemperatur des Leistungselements 20 höher als
der Tg-Punkt ist, wird der thermische Ausdehnungskoeffizient α des Harzes 70 um
das Leistungselement 20 herum hoch, was eine Inbalance
in dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten α zwischen dem Harz 70 und
der Wärmesenke 30 und
damit thermische Belastungen erhöht.
-
Um
dies zu vermeiden, ist es bei dieser Ausführungsform vorteilhaft und
wünschenswert,
dass eine Beziehung von Tg > Tjmax
aufrechterhalten wird. Hierzu wird Tjmax durch eine Überstrombegrenzung
und eine Temperaturerkennungsfunktion sichergestellt.
-
Durch
Aufrechterhalten der Beziehung von Tg > Tjmax ist es dann möglich, zu verhindern, dass sich
der thermische Ausdehnungskoeffizient α des Harzes 70 drastisch ändert, wenn
die Halbleitervorrichtung 100 arbeitet. Dies ist vorteilhaft
dahingehend, dass ein Ablösen
des Harzes 70 von der Wärmesenke 30 verhindert
werden kann.
-
Weiterhin
ist in dieser Ausführungsform
gemäß 1B der vorspringende Abschnitt 31 an
der Seitenfläche
zwischen einer Oberfläche
und der anderen Oberfläche
der Wärmesenke 30 ausgebildet und
gräbt sich
in das Harz 70 ein. Dies ist auch eine der Maßnahmen
gegen thermische Belastungen, die zur Widerstandsfähigkeit
bei Wärmezyklen
beiträgt.
-
Anders
gesagt, der vorstehende Abschnitt 31 an der Wärmesenke 30 gräbt sich
in das Harz 70 ein. Dies verbessert den Eingriff zwischen
dem Harz 70 und der Wärmesenke 30,
so dass Feuchtigkeitseintritt verhindert wird und ein Ablösen des
Harzes 70 verhindert wird, was eine Widerstandsfähigkeit
gegenüber
Wärmezyklen
verbessert.
-
Das
Harz 70 enthält
Materialien, welche unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten α haben, also
die jeweiligen Elemente 10 und 20 aus Si und die
jeweiligen Verdrahtungskarten 41 und 42 aus Aluminiumoxid.
Aus diesem Grund gibt es die Möglichkeit,
dass, selbst wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient α des Harzes 70 mit
demjenigen der Wärmesenke 30 abgestimmt
wird, wie oben beschrieben, diese Abstimmung nicht ausreichend als Maßnahme sein kann,
ein Ablösen
des Harzes 70 auf Grund von Wärmezyklen zu verhindern.
-
Somit
ist es bevorzugt, ein Ablösen
des Harzes 70 dadurch zu verhindern, dass eine Konstruktion
angewendet wird, bei der die Wärmesenke 30 mit dem
vorstehenden Abschnitt 31 auf obenstehende Weise ausgestattet
ist.
-
Weiterhin
ist es in dieser Ausführungsform gemäß 1B bevorzugt, wenn eine Dicke TJ des Harzes 70 über den
beiden elektronischen Elementen 10 und 20 in einer
Richtung, in der die elektronischen Elemente 10 und 20,
die beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 und die
Wärmesenke 30 laminiert sind,
d. h. in Dickenrichtung der Halbleitervorrichtung 100 im
Wesentlichen gleich der Dicke TH der Wärmesenke 30 ist.
-
Mit
dieser Anordnung ist es möglich,
die Balance in der thermischen Ausdehnung zwischen dem Harz 70 und
der Wärmesenke 30 in
Laminatrichtung zu verbessern und damit die Wärmezyklusbeständigkeit
zu verbessern. Genauer gesagt, es ist möglich, thermische Belastungen
in den jeweiligen Teilen der Vorrichtung aneinander anzugleichen
und somit Verwerfungen zu verhindern, welche durch Ausdehnungen
und Zusammenziehungen während
eines Wärmezyklus
erzeugt werden. Im Ergebnis ist es möglich, Spannungsbelastungen
zwischen den unterschiedlichen Materialarten, beispielsweise zwischen der
Wärmesenke 30 und
dem Harz 70 zu verringern.
-
Diese
Maßnahmen
gegen thermische Belastungen, welche zu der Widerstandsfähigkeit
gegenüber
Wärmezyklen
beitragen, sind wichtig bei ernsthaften Temperaturbedingungen einer
solchen Vorrichtung, da die Halbleitervorrichtung 100 einen
eingebauten Mikrocomputer hat, somit intelligent wird und gleichzeitig
mit einem Motor (Stellglied) zusammenwirken muss bzw. in diesen
eingebaut ist.
-
Weiterhin
wird, wie in dieser Ausführungsform,
bei einem Aufbau, bei dem das Steuerelement 10 eine niedrige
Temperaturumgebung benötigt,
so dass der Betrieb bei niedrigen Temperaturen sichergestellt ist,
und das Leistungselement 20 vergleichsweise hohe Umgebungstemperatur
hat und dann diese beiden Elemente in der gleichen Vorrichtung gepackt
und zusammengefasst sind, eine Ausgestaltung des Aufbaus, bei der
der Wärme
Beachtung geschenkt wird, wichtig.
-
Als
ein Beispiel der Verkleinerung einer Halbleitervorrichtung 100 gilt
als Leitsatz, wenn die gesamte Dicke der Halbleitervorrichtung 100 5
mm beträgt,
dass TJ = TH ≅ annähernd 1,5
mm. Weiterhin kann bei einer solchen Vorrichtung die Dicke bei einer
Vorrichtung größer gemacht
werden, welche große
Wärmekapazität benötigt, und
die Dicke kann bei einer Vorrichtung kleiner gemacht werden, bei
der eine Baugrößenverringerung
angestrebt wird.
-
Weiterhin
werden, wie oben beschrieben, in der Halbleitervorrichtung 100 dieser
Ausführungsform,
wenn der Motor angehalten wird, alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24,
welche den H-Brücken-Schaltkreis
bilden, in den Zustand AUS gebracht, und wenn die Fensterscheibe
aufwärts
(oder abwärts)
bewegt wird, werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23 in
den Zustand EIN gebracht (in den Zustand AUS, wenn sich die Fensterscheibe
nach unten bewegt) und zwei Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24 werden
in den Zustand AUS gebracht (in den Zustand EIN, wenn die Fensterscheibe
nach unten bewegt wird).
-
Bei
diesen Betriebsbedingungen sind bei dieser Halbleitervorrichtung 100 gemäß 1A vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 so
angeordnet, dass einander benachbarte Leistungselemente nicht gleichzeitig
in den Zustand EIN gebracht werden.
-
Mit
anderen Worten, wie in 1A gezeigt, werden
Leistungs-MOS-Elemente in den Zustand EIN (Zustand AUS) gebracht,
wenn das Fenster aufwärts
bewegt wird (wenn das Fenster abwärts bewegt wird) und die Leistungs-MOS-Elemente
werden in einen Zustand AUS gebracht (Zustand EIN gebracht), wenn
das Fenster aufwärts
bewegt wird (wenn das Fenster abwärts bewegt wird); diese jeweiligen
Leistungs-MOS-Elemente
sind alternierend angeordnet.
-
Weiterhin
sind unter Bezug auf die Anordnung der Leistungs-MOS-Elemente in
dieser Ausführungsform
die vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 so angeordnet,
dass, wenn wenigstens eines der vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den Zustand EIN gebracht wird, gleichzeitig eines der benachbarten
Leistungs-MOS-Elemente in den Zustand EIN gebracht wird und das
andere in den Zustand AUS gebracht wird.
-
Mit
dieser Anordnung werden einander benachbarte Leistungs-MOS-Elemente
aus den vier Leistungs-MOS-Elementen 21 bis 24 nicht
gleichzeitig in den Zustand EIN gebracht, so dass eine örtliche Ansammlung
von Wärme
so weit als möglich
verhindert werden kann. Dies kann weiterhin in bevorzugter Weise
eine Konstruktion möglich
machen, bei der die Wärme
der Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 auf der zweiten
Verdrahtungskarte 42 breit verteilt ist und dann an die
Wärmesenke 30 abgegeben
wird.
-
[Abwandlungen]
-
Nachfolgend
werden verschiedene Abwandlungen dieser ersten Ausführungsform
beschrieben. Die 3A bis 3D sind
schematische Schnittdarstellungen verschiedener Beispiele einer
Wärmesenke 30,
welche bei dieser Ausführungs form
abweichend von der Wärmesenke 30 der 1A und 1B anwendbar
sind.
-
In
den jeweiligen Wärmesenken 30 gemäß den 3A bis 3D wird,
wie im Fall der Wärmesenke 30 der 1A und 1B eine
thermische Trennung des Steuerelements 10 vom Leistungselement 20 und
eine thermische Ableitung auf das Gehäuse 200 berücksichtigt.
-
Die
Wärmesenke 30 der 1A und 1B ist
vollständig
aus Fe gefertigt und in Form einer rechteckförmigen Platte ausgebildet.
Was die Wärmesenke 30 dieser
Ausführungsform
betrifft, ist es gemäß den 3A, 3B und 3C lediglich notwendig,
dass wenigstens der zwischen der ersten Verdrahtungskarte 41 und
der zweiten Verdrahtungskarte 42 liegende Abschnitt aus
einem Metall auf Eisenbasis gefertigt ist.
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Bei
der Wärmesenke 30 gemäß 3A ist ein Abschnitt der Wärmesenke 30 unterhalb
der zweiten Verdrahtungskarte 42, d. h. unterhalb in dem Leistungselement 20 aus
zwei Schichten eines Fe-Konstruktionsabschnittes 30a aus
Fe und einem Cu-Konstruktionsabschnitt 30b aus Cu gebildet.
-
Die
so gebildete Wärmesenke 30 kann
unter Verwendung eines platierten Materials aus Fe und Cu gebildet
werden. Bei dieser Wärmesenke 30 hat der
Cu-Konstruktionsabschnitt 30b der unteren Schicht eine
ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit zu
dem Gehäuse 200 und
ist nicht in Kontakt mit dem Harz 70. Auf diese Weise wird
eine Ablösung
auf Grund einer Inbalance in der thermischen Ausdehnung berücksichtigt.
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In
der Wärmesenke 30 von 3B hat ein Abschnitt unterhalb des Leistungselements 20 der Wärmesenke 30 einen
Aufbau, bei dem der Cu-Konstruktionsabschnitt 30b in den
Fe-Konstruktionsabschnitt 30a eingebettet ist. Diese Kon struktion
verbessert die thermische Leitung in Längsrichtung im unteren Abschnitt
des Leistungselements 20 der Wärmesenke 30.
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Bei
der Wärmesenke 30 von 3C hat auch ein Abschnitt unterhalb des Steuerelementes 19 in
der Wärmesenke 30 wie
in 3B einen Aufbau, bei dem der Cu-Konstruktionsabschnitt 30b in den
Fe-Konstruktionsabschnitt 30a eingebettet ist.
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Bei
den Wärmesenken 30 gemäß den 3A bis 3D ist
der Abschnitt, der zwischen der ersten Verdrahtungskarte 41 und
der zweiten Verdrahtungskarte 42 in der Wärmesenke 30 liegt, aus
einem Metall auf Eisenbasis mit einer niedrigeren thermischen Leitfähigkeit
und einer größeren Wärmekapazität als ein übliches
Wärmesenkenmaterial, beispielsweise
Cu.
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Aus
diesem Grund ist bei diesen Wärmesenken 30 die
thermische Speicherungsfähigkeit
der Wärmesenke 30 in
diesem Abschnitt verbessert und somit ist es wie im Fall der Wärmesenke 30 der 1A und 1B schwierig,
dass Wärme
vom Leistungselement 20 auf das Steuerelement 10 übertragen
wird.
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Bei
der Wärmesenke 30 gemäß 3B ist ein Abschnitt zwischen der ersten Verdrahtungskarte 41 und
der zweiten Verdrahtungskarte 42 mit einem Ausschnitt 32 versehen.
Hiermit wird der Abschnitt zwischen den beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 der
Wärmesenke 30 dünner als
die verbleibenden Abschnitte der Wärmesenke 30.
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Bei
dieser Wärmesenke 30 kann
der thermische Widerstand des Abschnittes zwischen der Verdrahtungskarte 41 und
der Verdrahtungskarte 42 in der Wärmesenke 30, d. h.
in dem Ausschnitt 32 erhöht werden, um die thermische
Leitung zwi schen den beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 zu
verringern, so dass es schwierig wird, dass wärme vom Leistungselement 20 auf
das Steuerelement 10 übertragen
wird.
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Aus
diesem Grund kann die Wärmesenke 30 von 3B aus Cu gefertigt werden. Es versteht sich jedoch,
dass diese Wärmesenke 30 auch
aus Fe gemacht werden kann.
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4 ist
eine schematische Draufsicht auf eine zweite Abwandlung, wobei die
Anordnung in Draufsicht gegenüber
der bisher beschriebenen Halbleitervorrichtung abgewandelt ist.
Die Halbleitervorrichtung von 4 verwendet
einen Aufbau in Draufsicht, bei dem eine Balance der thermischen Belastungen
in ebener Richtung der Vorrichtung berücksichtigt wird, d. h. in der
Ebenenrichtung der Wärmesenke 30.
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In 4 ist
eine Anordnung geschaffen, bei der die erste Verdrahtungskarte 41 und
die zweite Verdrahtungskarte 42 in Draufsicht größenmäßig zueinander
gleich sind, wobei Leitungsteile wie Signalanschlüsse 51 und
Stromanschlüsse 52 an
den jeweiligen vier Seiten der rechteckförmigen Wärmesenke 30 angeordnet
sind. Diese Konstruktion verbessert die Konstruktionssymmetrie der
Halbleitervorrichtung und ermöglicht
somit eine ausgezeichnete Balance bei den thermischen Belastungen.
-
Weiterhin
ist es bevorzugt, dass die Halbleitervorrichtung der Ausführungsform
gemäß 1A so aufgebaut ist, dass eine Mehrzahl von Leistungselementen 20 vorgesehen
ist, welche Relaiselemente 20 auf Halbleiterbasis beinhalten.
Im Fall der Verwendung einer solchen Konstruktion werden wenigstens
vier Relaiselemente auf Halbleiterbasis auf der Halbleitervorrichtung
angeordnet.
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Bei
einer herkömmlichen
Vorrichtung werden Relaiselemente diskreter Elemente auf einer gedruckten
Schaltkreiskarte oder dergleichen angeordnet, was zu einer erheblichen
Vergrößerung der
Abmessungen der Vorrichtung führt.
wenn jedoch die Relaiselemente aus Halbleitermaterial gebildet werden,
wie in dieser Ausführungsform
gezeigt, werden die Relaiselemente nicht auf einer gedruckten Schaltkreiskarte
oder dergleichen angeordnet, sondern sie können zusammen mit dem Steuerelement 10 in
einer Halbleitervorrichtung 100 angeordnet werden, was
die Vorrichtung insgesamt kleiner macht. Allerdings stellt die Ausbildung
der Relaiselemente auf Halbleiterbasis ein Problem eines Temperaturanstiegs
durch Wärmeerzeugung
dar. Die Anwendung der in dieser Ausführungsform beschriebenen Struktur
kann jedoch geeignete Wärmeabstrahleigenschaften
realisieren. Damit wird es möglich,
eine Struktur zu realisieren, bei der die Relaiselemente 20 aus
Halbleitermaterial und das Steuerelement 10 in der Halbleitervorrichtung 100 angeordnet
und zusammengefasst sind.
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Weiterhin
sind bei der Halbleitervorrichtung dieser Ausführungsform der 1A das zweite elektronische Element 20 und
die zweite Verdrahtungskarte 42 miteinander durch einen
Kleber verbunden (im Rahmen der Erfindung auch als Bondteil bezeichnet)
und es ist bevorzugt, dass die Dicke dieses Klebers 100 μm oder weniger
beträgt.
Mit diesem Aufbau kann gemäß 10 wärme,
welche von dem Relaiselement 20 aus Halbleitermaterial
erzeugt wird, ausreichend abgestrahlt werden. In 10 stellt eine Kurve XA den Kleber mit einer Dicke
von 100 μm
dar und eine Kurve XB stellt einen Kleber mit einer Dicke von 10 μm dar. 10 zeigt die Beziehung zwischen Wärmewiderstand
und Zeit.
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Die 7A und 7B zeigen
schematische Darstellungen einer dritten Abwandlung im Aufbau der
Halbleitervorrichtung dieser Ausführungsform. 7C ist eine Darstellung, um einen Vergussschritt
beim Gießen
von Harz bei einem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
dieser Ausführungsform
darzustellen.
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Gemäß 7A sind die Wärmesenke 30 und
ein Aufhängeleiter 232 an
einem Bondteil 233 miteinander verbunden. Der Aufhängeleiter 232 ist hierbei
auf der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 verstemmt
oder verklemmt, um das Bondteil 233 zu bilden. Genauer
gesagt, der Aufhängeleiter 232 wird
durch ein Verfahren festgeklemmt oder festverstemmt, bei dem die Öffnung des
Aufhängeleiters 232 auf
einen Vorsprung gesetzt wird, der auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 ausgebildet ist,
wonach dann der Vorsprung entsprechend verformt wird.
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Gemäß 7B ist in einem Bereich um den Aufhängeleiter 232 herum
der Endabschnitt des Vergussharzes ein Abschnitt, der direkt oberhalb
des Aufhängeleiters 232 liegt,
als zurückspringender
Abschnitt 234 gebildet, der von einem Abschnitt direkt unterhalb
des Aufhängeabschnittes 232 zurückspringt
oder sich hiervon zurückzieht.
In diesem Zusammenhang kann eine Rücksprunggröße dieses zurückspringenden
Abschnittes 234 beispielsweise gleich oder größer als
die Dicke des Aufhängeleiters 232 (beispielsweise
annähernd
einige Zehntel Millimeter) gemacht werden, und bevorzugt liegt sie
im Bereich von annähernd
1 mm, obgleich sie nicht auf diesen Wert begrenzt ist.
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Ein
Verfahren zur Herstellung dieser Halbleitervorrichtung 100 wird
unter Verwendung von 7C beschrieben.
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Zunächst werden
die erste Verdrahtungskarte 41, die zweite Verdrahtungskarte 42,
die Steuerelemente 10 und die Leistungs-MOS-Elemente 20 auf der
oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 angeordnet
und die jeweiligen Anschlüsse 51 und 52 werden um
die Steuerelemente 10 und die Leistungs- MOS-Elemente 20 herum angeordnet
und die Aufhängeleiter 232 werden
durch Verstemmen oder dergleichen an der Wärmesenke 30 befestigt.
Weiterhin werden die Steuerelemente 10 und die Leistungs-MOS-Elemente 20 mit
den Anschlüssen 51 und 52 jeweils
durch Bonddrähte 60 oder
dergleichen verbunden.
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Auf
diese Weise wird ein integriertes oder zusammengefasstes Teil 101,
in welchem die Wärmesenke 30,
die Steuerelemente 10, die Leistungs-MOS-Elemente 20 und
die jeweiligen Anschlüsse 51, 52 zusammengefasst
sind, in einem Gehäuse,
d. h. einem Gussgehäuse
oder einer Gussform 201 angeordnet. Was hierbei das Gussgehäuse 201 betrifft,
so wird, wenn ein unteres Formteil 210 und ein oberes Formteil 220 zusammengefügt werden,
das Gussgehäuse 201 mit
einem Hohlraum 230 entsprechend der Form des Gießharzes 70 gebildet. Genauer
gesagt, das zusammengefasste Teil 101 wird in dem unteren
Formteil 210 des Gussgehäuses 201 angeordnet
und dann wird das obere Formteil 220 mit dem unteren Formteil 210 zusammengeführt. Somit
wird das zusammengefasste Teil 101 in dem Hohlraum 230 des
Gussgehäuses 201 angeordnet.
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Nachfolgend
wird im Schritt des Gießens
des Gießharzes 70 nur
der Aufhängeleiter 232 von
dem oberen Formteil 220 des Gussgehäuses 201 niedergedrückt, und
die Wärmesenke 30 in
das untere Formteil 210 des Gussgehäuses 201 zu drücken.
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In
dieser Ausführungsform
wird ein Abschnitt zum Drücken
des Aufhängeleiters 232 durch
das obere Formteil 220, d. h. wird ein Druckabschnitt 221 als
vorstehender Abschnitt 221 gebildet, mit welchem ein Abschnitt
des oberen Formteils 220 bezüglich des unteren Formteils 210 in
den Hohlraum 230 vorsteht.
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Eine
Vorstreckungsgröße D (vgl. 7B) dieses vorstehenden Abschnittes 221 entspricht
der Rückziehgröße d des
zurückgezogenen
oder rückspringenden
Abschnittes 234 von 7A und
ist gleich oder größer als
beispielsweise die Dicke (beispielsweise einige Zehntel Millimeter)
des Aufhängeleiters 232 und
kann bevorzugt im Bereich von ungefähr 1 mm liegen.
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Wenn
dieser vorstehende Abschnitt 221 den Aufhängeleiter 232 von
oben in einem Zustand niederdrückt,
in welchem das zusammengefasste Teil 101 in dem Gussgehäuse 201 angeordnet
wird, ist der Boden des Aufhängeleiters 232 nicht
unterstützt, so
dass der Aufhängeleiter 232 leicht
gebogen wird und in der Verlängerung
wird das zusammengefasste Teil 101 nach unten gedrückt.
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Aus
diesem Grund wird die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 des
zusammengefassten Teils 101 auf das untere Formteil 210 des
Gussgehäuses 201 gedrückt und
in engen Kontakt mit dem unteren Formteil 210 gebracht.
Wenn das Gießharz 70 im
geschmolzenen oder flüssigen
Zustand in den Hohlraum 230 eingefüllt wird, wird das zusammengefasste
Teil 201 von dem Gießharz 70 derart
vergossen, dass die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 frei
bleibt.
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Danach
wird das Gießharz 70 gekühlt und ausgehärtet und
dann wird das zusammengefasste Teil 101, welches in dem
Gießharz 70 eingegossen ist,
aus dem Gussgehäuse 201 genommen.
Auf diese Weise wird die Halbleitervorrichtung 100 fertiggestellt.
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Wie
oben beschrieben, wird bei diesem Herstellungsverfahren ein mit
Harz einzugießendes Werkstück in dem
Gussgehäuse 201 festgelegt
und somit wird eine bestimmte Vorrichtung, beispielsweise eine Ansaugvorrichtung
nicht notwendig, was somit einen Kostenanstieg vermeidet. Bei dieser
Ausführungsform
ist es somit möglich,
die Bodenfläche der
Wärmesenke 30 frei
von dem Gießharz 70 zu
halten und gleichzeitig wird ein Totraum über der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 oder
den oberen Oberflächen
der ersten Verdrahtungskarte 41 und der zweiten Verdrahtungskarte 42 nicht
nötig oder verringert.
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8 ist
eine schematische Draufsicht auf eine vierte Abwandlung, bei der
die Anordnung in der Ebene bei der Halbleitervorrichtung der ersten
Ausführungsform
abgewandelt ist.
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Gemäß 8 ist
eine Mehrzahl von Überprüfungsanschlüssen 53 und 54 an
einer Befestigungsoberfläche 30a der
Wärmesenke 30 angeordnet.
Diese Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 sind Anschlüsse, die
zur Überprüfung auf
Anfangsdefekte des Steuerelements 10 und der Leistungs-MOS-Elemente 20 verwendet
werden. Wenn das Produkt verwendet wird, sind die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 nicht
mehr notwendig. Nachdem somit die Überprüfung abgeschlossen ist, werden
die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 soweit
abgeschnitten, dass sie beim späteren
Einbau des Produkts nicht mehr stören. Hierbei zeigt 8 den
Zustand, bei dem die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 bereits abgeschnitten
sind.
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Bei
dieser Ausführungsform
sind die Signalanschlüsse 51 und 52 so
angeordnet, dass sie sich in einer Richtung parallel zur Anordnungsoberfläche 30c der
Wärmesenke 30 erstrecken,
und die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 sind
so angeordnet, dass sie sich in einer Richtung senkrecht zur Erstreckungsrichtung
der Signalanschlüsse 51 und 52 erstrecken.
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Für gewöhnlich sind
die Signalanschlüsse 51 und 52 Anschlüsse, welche
mit einer hohen Spannung (12 V) arbeiten und die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 sind
Anschlüsse,
welche mit einer niedrigen Spannung (5 V) arbeiten und empfindlich
gegenüber
größeren elektrischen
Störungen
oder Störrauschen
sind.
-
Bei
dieser Ausführungsform
sind daher die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 so
angeordnet, dass sie sich in einer Richtung senkrecht zur Erstreckungsrichtung
der Signalanschlüsse 51 und 52 erstrecken,
so dass, selbst wenn die Vorrichtung in ihrer Form nicht geändert und/oder
vergrößert wird,
die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 entfernt
von den Signalanschlüssen 51 und 52 gehalten
werden können.
Damit ist es möglich,
Auswirkungen von elektrischen Störungen
an den Überprüfungsanschlüssen 53 und 54 zu
vermeiden.
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Weiterhin
ist in dieser Ausführungsform
in einem Abschnitt des Harzes 70 ein vertiefter oder zurückspringender
Abschnitt 30d ausgebildet, wo die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 angeordnet
sind und die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 liegen
im Inneren dieses zurückspringenden
Abschnittes 30d. Mit dieser Anordnung kann der Umfangsabschnitt der Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 mit
dem Harz 70 bedeckt werden, so dass es möglich wird,
die Überprüfungsanschlüsse 53 und 54,
welche im Gebrauch oder Betrieb der Vorrichtung nicht mehr nötig sind,
vor elektrischen Störrauschen
von außen
her, vor Berührungen
etc. zu schützen.
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Weiterhin
ist es in dieser Ausführungsform möglich, eine
Halbleitervorrichtung des Typs zu fertigen, bei dem die ersten Signalanschlüsse 51 an
einem von Endabschnitten angeordnet sind, die einander gegenüberliegen
und die zweiten Signalanschlüsse 52 an
dem anderen der Endabschnitte des Harzvergusses 70 angeordnet
sind, wobei die ersten und zweiten Signalanschlüsse 51 und 52 sich
in einer Richtung erstrecken.
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Weiterhin
ist es bei dieser Ausführungsform möglich, die
Halbleitervorrichtung des Typs herzustellen, bei dem die ersten Überprüfungsanschlüsse 53 an
einem von Endabschnitten des Harzvergusses 70 angeordnet
sind, die einan der gegenüberliegen und
die zweiten Überprüfungsanschlüsse 54 an
dem anderen der Endabschnitte angeordnet sind, wobei die ersten
und zweiten Überprüfungsanschlüsse 53 und 54 in
die gleiche Richtung vorstehen. Die 11A und 11B sind schematische Darstellungen, um eine Anordnungsstruktur
dieser Ausführungsform
zu zeigen. Wie in 11A und 11B gezeigt,
wird die oben beschriebene Halbleitervorrichtung 100 durch
Schweißen
mittels der verbinderseitigen Anschlüsse 151 der Halbleitervorrichtung 100 an
Anschlüssen 153 in
einem Verbinder 401 elektrisch angeschlossen, der mit der
Außenseite
in Verbindung steht. Weiterhin wird die Halbleitervorrichtung 100 durch
Schweißen über die
motorseitigen Anschlüsse 152 der
Halbleitervorrichtung 100 mit Anschlüsse 154 elektrisch
angeschlossen, welche in einem Motorantriebsgehäuse 410 vorgesehen sind,
und der Antrieb hiervon erfolgt über
das erste elektronische Element 10 und das zweite elektronische
Element 20.
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Bei
einer Befestigungs- oder Einbaustruktur dieser Art ist es bevorzugt,
dass ein Kondensator 420, der zwischen dem Verbinder 401 und
dem ersten elektronischen Element 10 und dem zweiten elektronischen
Element 20 geschaltet ist, und der Störrauschen von außen her
ausfiltert, direkt an der Oberfläche
des Harzvergusses 70 der Halbleitervorrichtung 100 angeordnet
ist. Weiterhin können
zusätzlich
zu dem Kondensator 420 Bauelemente wie eine Spule 430 direkt
an der Oberfläche
des Harzvergusses 70 der Halbleitervorrichtung 100 angeordnet sein.
-
Wie
in den 9A und 9B gezeigt,
welche schematisch eine Einbaustruktur nach dem Stand der Technik
zeigen, sind ein Steuerelement 310 und ein Leistungs-MOS-Element 320 nach
dem Stand der Technik auf einer gedruckten Schaltkreiskarte 301 zusammen
mit einem Relaiselement 330, einem Elektrolytkondensatorelement 340,
einem Kondensatorelement 350, einer Spule 360 und
einem Chipwiderstand 380 (alles diskrete Bauteile) angeordnet.
Weiterhin ist ein Verbinder 370 an einem Abschnitt der
gedruckten Schaltkreiskarte 301 angeordnet und elektrisch
mit einem Antriebsgehäuse (nicht
gezeigt) beispielsweise eines Motors über einen Kabelbaum oder dergleichen
verbunden.
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Im
Gegensatz zu dieser Einbau- oder Befestigungsstruktur nach dem Stand
der Technik ist bei der Einbau- oder Befestigungsstruktur der erfindungsgemäßen Ausführungsform
das Relaiselement 20 oder sind die Relaiselemente 20 auf
Halbleiterbasis ausgebildet und somit in der Halbleitervorrichtung 100 aufgenommen
und der Kondensator 420 und die Spule 430 sind
direkt auf der Oberfläche
des Harzvergusses 70 der Halbleitervorrichtung 100 angeordnet.
Damit kann die Vorrichtung insgesamt verkleinert werden.
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In
diesem Zusammenhang sei festzuhalten, dass in der oben beschriebenen
Ausführungsform das
erste elektronische Element ein Steuerelement ist und das zweite
elektronische Element ein Leistungselement ist, bei den jeweiligen
elektronischen Elementen der Erfindung ist es jedoch lediglich notwendig,
dass das zweite elektronische Element einen größeren Stromdurchlauf im Vergleich
zu dem ersten elektronischen Element und damit eine größere Wärme erzeugt,
und es ist nicht beabsichtigt, dass die jeweiligen elektronischen
Elemente gemäß der Erfindung
Steuerelemente und Leistungselemente sind.
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Die
Halbleitervorrichtung gemäß der oben beschriebenen
Ausführungsform
verwendet eine Vorrichtungskonstruktion, bei der die Vorrichtung
von dem Harz 70 eingegossen ist; es kann jedoch auch eine
Konstruktion verwendet werden, bei der die Vorrichtung nicht in
Harz eingegossen ist. Beispielsweise kann bei der Halbleitervorrichtung 100 der 1A und 1B eine
Konstruktion verwendet werden, bei der der oben beschriebene Harzverguss 70 weggelassen
ist.
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Insoweit
zusammenfassend stellt die erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung eine Halbleitervorrichtung dar, welche mit dem ersten elektronischen
Element und dem zweiten elektronischen Element ausgestattet ist,
wobei letzteres einen höheren
Stromdurchfluss im Vergleich zu dem ersten elektronischen Element
hat und größere Wärme erzeugt
und zeichnet sich dadurch aus, dass ein Aufbau angewendet wird,
bei dem das erste elektronische Element und das zweite elektronische
Element auf jeweiligen Verdrahtungskarten angeordnet sind, welche
separat voneinander sind, wobei die jeweiligen Verdrahtungskarten
derart auf einer Wärmesenke
angeordnet sind, dass sie separat voneinander verbleiben. Die Erfindung
kann je nach Bedarf abgewandelt und modifiziert werden, wie teilweise
oben erläutert
wurde.
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<Zweite Ausführungsform>
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Die 12A und 12B sind
Darstellungen des schematischen Aufbaus einer Halbleitervorrichtung 200 mit
dem ersten elektronischen Element 10 und dem zweiten elektronischen
Element 20 gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, wobei 12A eine
Draufsicht und 12B eine Schnittansicht entlang
Linie XIIB-XIIB in 12A ist.
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Weiterhin
ist 13A eine schematische Schnittdarstellung
einer Temperaturerfassungsdiode 19 in dem Steuer-IC 12 der
Halbleitervorrichtung 200 der 12A und 12B und 13B ist
eine schematische Schnittdarstellung einer Temperaturerfassungsdiode 90 in
den Leistungs-MOS-Elementen 23 und 24 der Halbleitervorrichtung 200 gemäß den 12A und 12B.
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Auch
in dieser Ausführungsform
ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen mit dem Steuerelement
und dem Lei stungselement 20, welches von dem Steuerelement 10 gesteuert
wird, welche sich dadurch auszeichnet, dass die Vorrichtung mit
der Wärmesenke 30,
der ersten Verdrahtungskarte 41 und der zweiten Verdrahtungskarte 42 versehen
ist, welche auf einer Oberfläche
der Wärmesenke
angeordnet und voneinander getrennt sind; das Steuerelement 10 ist
auf der erste Verdrahtungskarte 41 angeordnet und das Leistungselement 20 ist
auf der zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet.
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Bei
diesem Aufbau ist es wie im Fall der ersten Ausführungsform gemäß obiger
Beschreibung, selbst wenn die Distanz zwischen dem Steuerelement 10 und
dem Leistungselement 20 nicht zu groß ist, möglich, eine Wärmeübertragung
vom Leistungselement 20 auf das Steuerelement 10 zu
verhindern, so dass eine geeignete Wärmeabstrahlung realisierbar
ist, wobei eine Vergrößerung der
Vorrichtung so weit als möglich
verhindert werden kann.
-
Auch
in dieser Ausführungsform
ist darüber hinaus
das Leistungselement 20 als zweites elektronisches Element
ausgelegt und das Steuerelement 10 zur Steuerung des Leistungselements 20 ist
als erstes elektronisches Element ausgelegt, so dass es möglich ist,
das Steuerelement 10, welches eine niedrigere garantierte
Betriebstemperatur im Vergleich zu dem Leistungselement 20 hat,
vor hohen Wärmespitzen
zu schützen,
welche vom Leistungselement 20 erzeugt werden. Weiterhin
ist es in dieser Ausführungsform
bevorzugt, dass die Wärmesenke 30 aus
einem Metall auf Eisenbasis ist. Hiermit kann die Wärmesenke 30 eine
Anordnung haben, welche thermische Leitung verringert und die Wärmekapazität erhöht, was
eine Anordnung schafft, bei der eine Wärmeübertragung vom Leistungselement 20 auf das
Steuerelement 10 schwierig ist.
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Weiterhin
liegt bei dieser Ausführungsform wie
bei der ersten Ausführungsform
gemäß obiger Beschreibung
bei der Wärmesenke 30,
deren Bodenfläche
gegenüber
der oberen Oberfläche
hiervon, auf der die elektronischen Elemente 10 und 20 und
die beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 angeordnet sind,
frei von dem Harz 70 vor. Somit kann auf die Wärmesenke 30 übertragene
Wärme zuverlässig auf das
außenliegende
Gehäuse 200 abgestrahlt
werden.
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Auch
in dieser Ausführungsform
ist es als Gegenmaßnahme,
um eine Abtrennung des Harzes 70 auf Grund von Wärmezyklen
zu verhindern, bevorzugt, wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient α (×10–6/°C) des Harzes 70 gleich
oder etwas kleiner als derjenige von Fe ist.
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Weiterhin
ist es wie im Fall der oben beschriebenen Ausführungsform bevorzugt, dass
die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42 Karten
aus Aluminiumoxid sind, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient α zwischen demjenigen
von Si und Fe liegt.
-
Auch
ist es bei dieser Ausführungsform
bevorzugt, wenn die Einfriertemperatur (Tg-Punkt) des Harzes 70 höher als
die Si-Übergangstemperatur
Tjmax gemäß obiger
Beschreibung gemacht wird, wobei die Wärmesenke 30 den vorstehenden
Abschnitt 31 hat und die Dicke tj des Harzes 70 im
Wesentlichen gleich der Dicke th der Wärmesenke 30 ist (siehe 1B).
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Weiterhin
kann der Aufbau bei der Ausführungsform
angewendet werden, bei der vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 so
angeordnet werden, dass einander benachbarte Leistungselemente nicht
gleichzeitig in den Zustand EIN gesetzt werden. Weiterhin können die
verschiedenen Beispiele von Wärmesenken 30 gemäß der ersten
Ausführungsform
auch bei dieser zweiten Ausführungsform
angewendet werden.
-
Auf
diese Weise wird auch bei dieser Ausführungsform eine Halbleitervorrichtung 200 geschaffen, welche
durch die gleichen verschiedenen Punkte wie die erste Ausführungsform
gemäß obiger
Beschreibung gekennzeichnet ist. Weiterhin zeichnet sich diese Ausführungsform
durch die folgenden Punkte aus:
Die Halbleitervorrichtung 200 dieser
Ausführungsform
zeichnet sich gemäß den 12A und 12B und 13A und 13B dadurch
aus, dass eine Temperaturerfassungsdiode 90 sowohl in das
Steuer-IC 12 als auch die Leistungs-MOS-Elemente 21 und 24 eingebaut
ist, welche aus Halbleitersubstrat sind. Die Temperaturerfassungsdiode 90 ist
eine allgemein bekannte Diode, welche in einem Zustand verwendet
wird, bei dem ein vorbestimmter Strom fließt und wo die Spannung der
Diode abnimmt, wenn die Temperatur ansteigt.
-
Das
Steuer-IC 12 hat gemäß 13A eine SOI-Konstruktion (silicon on insulator),
wobei ein Oxidfilm 15 zwischen zwei Si-Schichten 12a und 12b eingeschlossen
ist. Verschiedene Vorrichtungen (nicht gezeigt), welche das Steuer-IC 12 bilden,
sind in der oberen Si-Schicht 12b ausgebildet.
-
Das
Steuer-IC 12 verwendet somit die SOI-Konstruktion. Bei
einer Anwendung eines Steuer-IC in einem Fahrzeug, wo eine Batteriespannung angelegt
wird, ist ein Fall denkbar, bei dem eine Überspannung an das Steuer-IC
angelegt wird, oder ein Fall ist denkbar, bei dem eine negative
Spannung von 0 V oder weniger an das Steuer-IC angelegt wird. Aus
diesem Grund ist eine SOI-Konstruktion für das Steuer-IC vorteilhaft.
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Gemäß 13A ist bei dem Steuer-IC 12 ein Grabenoxidfilm 12d aus
einem Oxidfilm in einem Graben ausgebildet, der in der oberen Si-Schicht 12b ausgebildet
ist. Die Tem peraturerfassungsdiode 90 in dem Steuer-IC 12 ist
in einem derartigen Bereich der oberen Si-Schicht 12b ausgebildet,
welche von dem Oxidfilm 15 und dem Grabenoxidfilm 12d getrennt
ist.
-
Was
die Temperaturerfassungsdiode 90 des Steuer-IC 12 betrifft,
so ist als Beispiel ein NPN-Transistor gezeigt, bei dem die Anschlüsse für Kollektor
C und Basis B miteinander verbunden sind und eine Diode zur Verwendung
mit dem Anschluss des Emitters E verbinden.
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Bei
dem Steuer-IC 12 aus einem Halbleitermaterial ist die Temperaturerfassungsdiode 90 elektrisch
von den anderen Vorrichtungen auf dem Steuer-IC 12 über die
Oxidfilme 15 und 12d getrennt.
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Dieser
Aufbau beseitigt den parasitären
Betrieb der Temperaturerfassungsdiode 90 und verhindert
eine Fehlfunktion der Temperaturerfassungsdiode 90 bei
hohen Temperaturen, so dass eine Temperaturerfassungscharakteristik
hoher Genauigkeit realisierbar ist. Zusätzlich kann dieser Aufbau in
vorteilhafter Weise Auswirkungen der Temperaturerfassungsdiode 90 auf
andere Vorrichtungen in dem Steuer-IC 12 verringern.
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Andererseits
ist gemäß 13B in den Leistungs-MOS-Elementen 21 und 24 eine
Vorrichtung (nicht gezeigt) auf einem Siliziumsubstrat 20a ausgebildet,
welches diese Leistungs-MOS-Elemente 21 und 24 bildet
und über
dieser Vorrichtung ist ein Oxidfilm 20b ausgebildet.
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Die
Temperaturerfassungsdiode 90 in dem Leistungs-MOS-Element 21 oder 24 ist
eine Polysiliziumdiode, welche auf dem Oxidfilm 20b dieser
Vorrichtung ausgebildet ist und aus Polysilizium des P-Typs und
aus Polysilizium des N-Typs gebildet ist.
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Auf
diese Weise ist in den Leistungs-MOS-Elementen 21 und 24 aus
einem Halbleitermaterial die Temperaturerfassungsdiode 90 elektrisch
von den anderen Vorrichtungen der Leistungs-MOS-Elemente 21 und 24 über den
Oxidfilm 20b getrennt.
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Dieser
Aufbau beseitigt den parasitären
Betrieb der Temperaturerfassungsdiode 90 und verhindert
eine Fehlfunktion der Temperaturerfassungsdiode 90 bei
hohen Temperaturen, so dass eine Temperaturerfassungscharakteristik
mit hoher Genauigkeit realisiert werden kann. Zusätzlich kann
dieser Aufbau bevorzugt Auswirkungen der Temperaturerfassungsdiode 90 auf
andere Vorrichtungen des Steuer-IC 12 verringern.
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Beispielsweise,
selbst wenn eine Spannung nahe an der dielektrischen Festigkeit
an die Temperaturerfassungsdiode 90 der Leistungs-MOS-Elemente 21 und 24 bei
150°C angelegt
wird, und wenn ein hoher Strom von einigen -zig Ampere fließt, bewirkt
die Temperaturerfassungsdiode 90 keine Fehlfunktion. Mit
anderen Worten, die Temperaturerfassungsdiode 90 kann mit
einer hohen Temperatur unmittelbar vor einer Temperatur betrieben
werden, bei der die Temperaturerfassungsdiode 90 auf Grund von
Hitzeeinwirkung durchbricht. Wenn somit der Strom zu diesem Zeitpunkt
unterbrochen werden kann, kann die Steuerbarkeit verbessert werden. wenn
der Betrieb bis zu 175°C
garantiert werden kann, kann der Strom bei 175°C unterbrochen werden.
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In
diesem Zusammenhang kann auch die Temperaturerfassungsdiode 90 des
Steuer-IC 12 in Form einer Polysiliziumdiode wie die Temperaturerfassungsdiode 90 der
Leistungs-MOS-Elemente 21 und 24 gefertigt
werden. Weiterhin können
die Temperaturerfassungsdioden 90 der Leistungs-MOS-Elemen te
innerhalb der Leistungs-MOS-Elemente 22 und 23 angeordnet
werden.
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Auf
diese Weise hat die Halbleitervorrichtung 200 dieser Ausführungsform
einen Aufbau, bei dem die Verdrahtungskarten 41 und 42 positionsmäßig und
temperaturmäßig voneinander
getrennt sind, so dass die Temperaturen der jeweiligen Elemente 12, 21 und 24 mit
hoher Genauigkeit erkannt werden können. Da weiterhin die Temperaturerfassungsdioden 90 in
die Elemente 12, 21 und 24 eingebaut
sind, kann die Temperatur ohne eine Verzögerung auf Grund thermischer
Leitung oder dergleichen erkannt werden.
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14 ist ein Blockdiagramm zur Veranschaulichung
des Steuerungsablaufs, bei dem Aufmerksamkeit auf das Signal der
Temperaturerfassungsdiode 90 gerichtet ist, d. h. auf ein
Temperaturerfassungssignal in der Halbleitervorrichtung 200 dieser
Ausführungsform.
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Ein
Temperaturerfassungssignal in dem Leistungs-MOS-Element 20 (21, 23)
steuert das Gate des Leistungs-MOS-Elements 20 über den
Treiberschaltkreis 14 im Steuer-IC 12 und erkennt
eine Überhitzung
und führt
eine sofortige Stromunterbrechung durch. Mit anderen Worten, das
Leistungs-MOS-Element 20 kann
an einen Erwärmungsgrenzwert
herangefahren werden, indem das Temperaturüberwachungssignal von der Temperaturerfassungsdiode 90 des
Leistungs-MOS-Elements 20 verwendet wird.
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Weiterhin
ist ein Temperaturerfassungssignal im Steuer-IC 12 derart, dass es dem Mikrocomputer 11 zugeschickt
wird und das Gate des Leistungs-MOS-Elements 20 über den
Steuerschaltkreis 13 und den Treiberschaltkreis im Steuer-IC 12 steuert.
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Hierbei
ist angedacht, dass der Strom des Leistungs-MOS-Elements 20 durch das Temperaturerfassungssignal
im Steuer-IC 12 begrenzt und sofort unterbrochen (d. h.
abgeschaltet) wird, jedoch im Wesentlichen wird ein Betrieb durchgeführt, bei
dem die Wärmeerzeugung
verringert wird. weiterhin kann der Betriebstakt des Mikrocomputers 11 heruntergefahren
werden, um die Wärmeerzeugung
zu verringern und eine entsprechende Information kann über eine
LIN-Verbindung an eine Master-ECU geschickt werden, um eine Überhitzungsschutzsteuerung
des gesamten Fahrzeugs durchzuführen.
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Mit
anderen Worten, es ist möglich,
die Wärmeerzeugung
durch Begrenzen des Stroms durch das Leistungs-MOS-Element 20 auf
Grund des Temperaturerfassungssignals von der Temperaturerfassungsdiode 90 des
Steuer-IC 12 zu verhindern und im Ergebnis die Temperaturen
des Steuer-IC 12 und des Mikrocomputers 11 zu
verringern.
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Der
Fluss des Temperaturerfassungssignals wird genauer unter Bezug auf
die 15 und 16 beschrieben.
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15 ist eine Darstellung zur Veranschaulichung
eines Beispiels eines Steuerschaltkreises des Temperaturerfassungssignals
in dem Leistungs-MOS-Element 20 und 16 ist
eine Darstellung zur Veranschaulichung eines Beispiels eines Steuerschaltkreises
für das
Temperaturerfassungssignal im Steuer-IC 12.
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In 15 ist ein Beispiel eines Steuerschaltkreises
gezeigt, der aufgebaut ist aus der Temperaturerfassungsdiode 90 in
dem Leistungs-MOS-Element 20 und einem Verbindungsteil 16 (siehe 14) in dem Steuer-IC 12, das mit der
Temperaturerfassungsdiode 90 verbunden ist.
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Gemäß 15 ist dieses Verbindungsteil 16 aufgebaut
aus einem Komparator 16a, einem Konstantstromschaltkreis 16b und
einer Referenzspannungsquelle 16c. Die Temperaturerfassungsdiode 90 des
Leistungs-MOS-Elements 20 ist elektrisch mit den Eingangsabschnitten
des Konstantstromschaltkreises 16b und des Komparators 16a verbunden.
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Da
eine Temperaturerfassungsdiode 90 hinsichtlich ihrer Empfindlichkeit
verbessert wird, wenn Dioden in wachsender Anzahl in Serienverbindung verbunden
werden, sind bei diesem Beispiel drei Dioden in Serienverbindung
vorgesehen und ein Konstantstrom Ic wird den Dioden von dem Konstantstromschaltkreis 16b zugeführt. Hiermit
kann eine Diodenspannung Vd, welche zu der Temperatur linear ist,
erzeugt werden.
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Die
Spannung Vd als Temperaturerfassungssignal wird im Eingangsabschnitt
(positive Seite) des Komparators 16a angelegt, und wenn
die Spannung Vd gleich oder kleiner als eine vorbestimmte Referenzspannung
Vref ist, wird das Gate des Leistungs-MOS-Elements 20 sofort über den Treiberschaltkreis 14 abgeschaltet.
Hierbei kann die Referenzspannung Vref eine Spannung entsprechend
beispielsweise 150°C
sein.
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16 zeigt ein Beispiel eines Steuerschaltkreises,
der aufgebaut ist aus der Temperaturerfassungsdiode 90 in
dem Steuer-IC 12 und einem Verbindungsteil 17 (siehe 14) in dem Steuer-IC 12, das mit der
Temperaturerfassungsdiode 90 verbunden ist.
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Gemäß 16 ist dieses Verbindungsteil 17 aufgebaut
aus einem Operationsverstärker 17a und einem
Konstantstromschaltkreis 17b. Die Temperaturerfassungsdiode 90 des
Steuer-IC 12 ist elektrisch mit den Eingangsabschnitten
des Konstantstromschaltkreises 17b und des Operationsverstärkers 17a verbunden,
und der Ausgangsabschnitt des Operati onsverstärkers 17a ist mit
dem A/D-Wandlerteil 11a des Mikrocomputers 11 verbunden.
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Dieser
A/D-Wandlerteil (Analog/Digital-Wandler) 11a wandelt ein
Analogsignal in ein Digitalsignal. Weiterhin sind in diesem Beispiel
drei Temperaturerfassungsdioden 90 in Serienverbindung, und
ein Konstantstrom Ic wird den Temperaturerfassungsdioden 90 von
dem Konstantstromschaltkreis 17b zugeführt. Hiermit wird eine Diodenspannung
Vd linear bezüglich
der Temperatur erzeugt.
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Die
Spannung dieser Temperaturerfassungsdiode 90 wird vom Operationsverstärker 17a in eine
Spannung Vd als Temperaturerfassungssignal impedanzgewandelt und
die Spannung Vd wird dem A/D-Wandlerteil 11a zugeführt. Sodann
wird dieses Signal von dem A/D-Wandlerteil 11a in ein digitales Signal
umgewandelt und einem Berechnungsteil 11b zugeführt, und
der Pegel des Signals wird von dem Berechnungsteil 11b bestimmt.
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Ein
vom Berechnungsteil 11b erzeugtes Signal steuert das Gate
des Leistungs-MOS-Elements 20 über den Steuerschaltkreis 13 und
den Treiberschaltkreis 14 im Steuer-IC 12. Die
Steuerung des Temperaturerfassungssignals des Steuer-IC 12 schaltet
nicht nur das Leistungs-MOS-Element 20 ab, wie oben beschrieben,
sondern kann auch das Leistungs-MOS-Element 20 manchmal
in einen Modus mit geringem Energieverbrauch versetzen.
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Wenn
beispielsweise die Temperaturerfassungsdiode 90 des Steuer-IC 12 annähernd 100°C erreicht,
wird die Gatespannung des Leistungs-MOS-Elements 20 verringert
und der Drainstrom wird erhöht,
um die Einschaltspannung zu verringern, den Strom zu begrenzen und
den Takt der PWM zu verringern. Wie weiter oben beschrieben, wird
die Taktfrequenz des Mikrocomputers 11 verringert und das
Schreiben in einen Speicher wird begrenzt. Auf diese Weise zeichnet
sich die Halbleitervorrichtung 110 dadurch aus, dass das
Steuer-IC 12 des ersten elektronischen Elements 10 und
das Leistungs-MOS-Element 20 des
zweiten elektronischen Elements 20 jeweils mit den Temperaturerfassungsdioden 90 ausgestattet
sind, wobei die Betriebe oder Funktionen von Steuer-IC 12 und
Leistungs-MOS-Element 20 in Antwort auf eine Temperatur
gesteuert werden, welche von den Temperaturerfassungsdioden 90 erfasst
werden, was die Halbleitervorrichtung dieser Ausführungsform
auszeichnet.
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Bei
dieser Halbleitervorrichtung 200 kann ein anormaler Zustand
hoher Temperatur von der Temperaturerfassungsdiode 90 erkannt
werden, und der Betrieb des Steuer-IC 12 und des Leistungs-MOS-Elements 20 kann
auf der Grundlage eines Signals von der Temperaturerfassungsdiode 90 gesteuert
werden. Somit kann die Halbleitervorrichtung 200 im Fall
einer anormal hohen Temperatur thermisch geschützt werden.
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Bei
der Halbleitervorrichtung 200 dieser Ausführungsform
sind gemäß den 13A und 13B das
Steuer-IC 12 und das Leistungs-MOS-Element 20 (21, 24)
aus einem Halbleiter und die Temperaturerfassungsdioden 90 sind
elektrisch von den anderen Vorrichtungen in den jeweiligen Elementen 12 und 20 über die
Oxidfilme 15, 12d, 20b in den Elementen 12 und 20 getrennt.
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Dieser
Aufbau beseitigt einen parasitären Betrieb
der Temperaturerfassungsdiode 90 und verhindert eine Fehlfunktion
der Temperaturerfassungsdiode 90 bei hohen Temperaturen,
so dass eine Temperaturerfassungscharakteristik hoher Genauigkeit realisierbar
ist. Zusätzlich
kann dieser Aufbau bevorzugt Auswirkungen der Temperaturerfassungsdiode 90 auf
andere Vorrichtungen in den jeweiligen elektronischen Elementen 12 und 20 verringern.
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In
diesem Zusammenhang sind gemäß 16 das A/D-Wandlerteil 11a und das Berechnungsteil 11b für das Temperaturerfassungssignal
im Mikrocomputer 11 angeordnet, jedoch sind das A/D-Wandlerteil 11a und
das Berechnungsteil 11b für das Temperaturerfassungssignal
auch in dem Steuer-IC 12 anordenbar.
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Da
die Elemente in dem Mikrocomputer 11 feiner ausgestaltet
sind als in dem Steuer-IC 12 (was in vielen Fällen zutrifft)
und eine Softwareverarbeitung im Mikrocomputer 11 einfacher
durchgeführt werden
kann, sind das A/D-wandlerteil 11a und das Berechnungsteil 11b für das Temperaturerfassungssignal
bevorzugt im Mikrocomputer 11 vorgesehen.
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[Abwandlungen]
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Im
in den 12A und 12B gezeigten Beispiel
sind das Steuer-IC 12 und das Leistungs-MOS-Element 20 jeweils
mit den Temperaturerfassungsdioden 90 ausgestattet und
die Betriebe des Steuer-IC 12 und des Leistungs-MOS-Elements 20 werden
jeweils abhängig
von einer Temperatur gesteuert, die von den Temperaturerfassungsdioden 90 ermittelt
wird. Zusätzlich
kann jedoch auch der Mikrocomputer 11 des ersten elektronischen
Elements 10 mit einer Temperaturerfassungsdiode 90 ausgestattet
werden.
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17 ist ein Blockdiagramm, welches den Steuerungsablauf
zeigt, bei dem sich die Aufmerksamkeit auf das Signal der Temperaturerfassungsdiode 90 konzentriert,
d. h. auf ein Temperaturerfassungssignal in der Halbleitervorrichtung,
was eine Abwandlung der Ausführungsform
darstellt.
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In
diesem Beispiel ist der Steuerungsablauf des Temperaturerfassungssignals
im Leistungs-MOS-Element 20 (21, 23) und
der Steuerungsablauf durch das Temperaturerfassungssignal im Steuer-IC 12 gleich
wie in 14.
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Die
Temperaturerfassungsdiode 90 ist hierbei in dem Mikrocomputer 11 angeordnet
und Teil des Schaltkreises des Mikrocomputers 11. Diese
Temperaturerfassungsdiode 90 kann eine Polysiliziumdiode sein,
wie oben beschrieben.
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Wie
im Fall der Temperaturerfassungsdiode 90 des Steuer-IC 12 und
der Temperaturerfassungsdiode 90 des Leistungs-MOS-Elements 20 kann
die Temperaturerfassungsdiode 90 im Mikrocomputer 11 hierbei
von anderen Vorrichtungen über
einen Oxidfilm elektrisch getrennt werden.
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Diese
Abwandlung setzt weiterhin die Temperaturerfassungsdiode 90 parasitär frei von
anderen Vorrichtungen im Mikrocomputer 11, um einen parasitären Betrieb
der Temperaturerfassungsdiode 90 zu beseitigen, so dass
verhindert wird, dass die Temperaturerfassungsdiode 90 bei
hohen Temperaturen Fehlfunktionen bewirkt. Infolgedessen können Temperaturerfassungscharakteristiken
hoher Genauigkeit realisiert werden und Auswirkungen der Temperaturerfassungsdiode 90 auf
andere Vorrichtungen können
verringert werden.
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Dieser
Aufbau ist bevorzugt angesichts der Tatsache, dass, selbst wenn
der Mikrocomputer 11 mit elektrischer Leistung über das
Steuer-IC 12 versorgt wird, es die Möglichkeit einer Fehlfunktion selbst
durch schwache parasitäre
Einwirkungen geben kann.
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Bei
dem Temperaturerfassungssignal im Mikrocomputer 11 wird
beispielsweise, wenn die Temperatur annähernd 80°C beträgt, die Taktfrequenz des Mikrocomputers 11 heruntergefahren
und das Schreiben in einen Speicher wird eingeschränkt, um Schreibfehler
zu vermeiden. Auf diese Weise kann eine Fehlfunktion des Mikrocomputers 11 verhindert werden
und die Steuerbarkeit bei erhöhten
Temperaturen kann verbessert werden.
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18 ist ein Blockdiagramm eines Beispiels eines
Steuerschaltkreises für
das Temperaturerfassungssignal im Mikrocomputer 11 und
des Steuer-ICs 12 einer Abwandlung. Hierbei ist der Steuerschaltkreis
für das
Temperaturerfassungssignal im Steuer-IC 12 gleich wie in 16.
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In
der Abwandlung von 18 sind ein Operationsverstärker 17a und
ein Konstantstromschaltkreis 17b auch im Mikrocomputer 11 vorgesehen.
Im Mikrocomputer 11 sind die Temperaturerfassungsdioden 90 elektrisch
mit dem Eingangsabschnitt des Operationsverstärkers 17a und des
Konstantstromschaltkreises 17b verbunden und der Ausgangsabschnitt
vom Operationsverstärker 17a ist
mit einem anderen A/D-Wandlerteil 11a verbunden.
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In
dieser Abwandlung sind drei Temperaturerfassungsdioden 90 in
Serienschaltung in dem Mikrocomputer 11 angeschlossen und
werden von dem Konstantstromschaltkreis 17b mit einem Konstantstrom
Ic versorgt. Hierdurch kann eine Diodenspannung Vd, welche linear
zur Temperatur ist, erhalten werden.
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Die
Spannung der Temperaturerfassungsdiode 90 wird durch den
Operationsverstärker 17a in eine
Spannung Vd als Temperatursignal impedanzgewandelt und das Temperatursignal
wird an den A/D-Wandlerteil 11a geführt. Dieses Temperatursignal
wird von dem A/D-Wandlerteil 11a in ein digitales Signal
gewandelt und das digitale Signal wird dem Berechnungsteil 11b zugeführt, wobei
der Pegel des Signals von dem Berechnungsteil 11b bestimmt
wird.
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Durch
ein Signal vom Berechnungsteil 11b wird die Taktfrequenz
des Mikrocomputers 11 heruntergefahren und das Schreiben
in einen Speicher wird eingeschränkt,
so dass Schreibfehler oder dergleichen verhindert werden.
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<Dritte Ausführungsform>
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Eine
dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung, die
gebildet wird durch Anordnung eines Heizelements und eines temperaturbegrenzten
Elements auf einer Wärmesenke
und dann durch Vergießen
hiervon derart, dass sie von einem Gießharz eingebettet sind.
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19 ist eine Darstellung des schematischen Aufbaus
in Draufsicht auf eine elektronische Vorrichtung 300 mit
einem Heizelement 20 als zweitem elektronischen Element
und einem temperaturbegrenzten Element 10 als erstem elektronischen Element
gemäß der dritten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Weiterhin
ist 20 eine Darstellung, um im Schnitt
schematisch den Aufbau der elektronischen Vorrichtung 300 von 19 zu zeigen. Hierbei sind in 19 die Bonddrähte 60 weggelassen
und in 20 sind einige der Bonddrähte weggelassen.
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In
dieser Ausführungsform
erfolgt die Beschreibung unter der Annahme, dass die elektronische
Vorrichtung 300 bei einem HIC (Hybrid-IC oder hybrider
integrierter Schaltkreis) angewendet wird, um den Antriebsmotor
eines Fensterhebers eines Fahrzeugs zu betreiben, obgleich eine
Anwendung der elektronischen Vorrichtung 300 hierauf nicht
beabsichtigt ist.
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[Aufbau der Vorrichtung]
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Das
Heizelement 20 ist ein elektronisches Element oder Bauteil,
welches bei einem hohen Betriebsstrom Wärme erzeugt und welches einen
größeren Stromdurchfluss
im Vergleich zu dem temperaturbegrenzten Element 10 hat,
so dass es hohe Wärmemengen
erzeugt. Genauer gesagt, das Heizelement 20 ist beispielsweise
ein Leistungselement, also z. B. ein Leistungs-MOS-Element, ein
IGBT-Element oder ein Widerstand.
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Weiterhin
ist das temperaturbegrenzte Element 10 ein elektronisches
Element oder Bauteil, welches hinsichtlich seiner Betriebstemperatur
begrenzt ist. Genauer gesagt, das temperaturbegrenzte Element 10 ist
beispielsweise ein Mikrocomputer oder ein Steuer-IC. Das Heizelement 20 und
das temperaturbegrenzte Element 10 sind beispielsweise ein
Transistor oder Widerstand, welche z. B. in einem Halbleitersubstrat
(Halbleiterchip) eines Siliziumhalbleiters durch einen Halbleiterbearbeitungsvorgang ausgebildet
werden.
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Wie
in 19 und 20 gezeigt,
sind das Heizelement 20 und das temperaturbegrenzte Element 10 jeweils
auf einer Wärmesenke 30 angeordnet.
Die Wärmesenke 30 ist
beispielsweise aus Cu (Kupfer) oder einem Metall auf Eisenbasis
mit ausgezeichneter Wärmeabstrahlung
und wird durch einen Press- oder Schneidvorgang in einer flachen
Plattenform hergestellt.
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Bei
dieser Ausführungsform
sind die zweite Verdrahtungskarte 42 und die erste Verdrahtungskarte 41 auf
der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 angeordnet.
Diese zweite Verdrahtungskarte 42 und erste Verdrahtungskarte 41 sind
an der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 beispielsweise
durch einen (nicht gezeigten) Kleber angeordnet, der aus einem Harz
mit elektrischer Isolation und ausgezeichneter thermischer Leitfähigkeit
ist.
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Eine
einschichtige Keramikkarte, eine keramische Laminatkarte aus einer
Mehrzahl von laminierten Schichten oder eine gedruckte Schaltkreiskarte
können
als zweite Verdrahtungskarte 42 und erste Verdrahtungskarte 41 verwendet
werden. Das Heizelement 20 ist auf der zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet
und das temperaturbegrenzte Element 10 ist auf der ersten
Verdrahtungskarte 41 angeordnet. Die jeweiligen Elemente 10 und 20 sind
an den entsprechenden Verdrahtungskarten 41 und 42 beispielsweise über eine
Lötung
(nicht gezeigt) oder dergleichen befestigt.
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Mit
anderen Worten, bei dieser Ausführungsform
ist das Heizelement 20 an der zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet
und das temperaturbegrenzte Element 10 ist an oder auf
der ersten Verdrahtungskarte 41 angeordnet, wobei dann
die zweite Verdrahtungskarte 42 und die erste Verdrahtungskarte 41 auf
der Wärmesenke 30 angeordnet
sind.
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Die
ersten und zweiten Verdrahtungskarten 41 und 42 sind
an der Wärmesenke 30 beispielsweise
durch einen Kleber (nicht gezeigt) befestigt, der aus einem Harz
mit elektrischer Isolationseigenschaft und ausgezeichneter thermischer
Leitfähigkeit ist.
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Wie
weiterhin in 19 gezeigt, sind um das Heizelement 20 und
das temperaturbegrenzte Element 10 Anschlussteile 50 herum
angeordnet. Diese Anschlussteile 50 können unter Verwendung eines Leiterrahmens
aus beispielsweise Cu oder einer 42-Legierung gebildet werden.
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Wie
beispielsweise in 20 gezeigt, sind die Anschlussteile 50 auf
der Seite des Heizelements 20 (rechte Seite in 19 und 20)
mit der zweiten Verdrahtungskarte 42 oder dem Heizelement 20 über Bonddrähte 60 aus
Au (Gold) oder Al (Aluminium) in dem Gießharz 70 verbunden.
Diese An schlussteile 50 sind beispielsweise als Stromanschlüsse für das Heizelement 20 ausgelegt.
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Andererseits
sind die Anschlussteile 50 auf der Seite des temperaturbegrenzten
Elements 10 (linke Seite in 19 und 20)
mit der ersten Verdrahtungskarte 41 oder dem temperaturbegrenzten Element 10 durch
Bonddrähte 60 in
dem Gießharz 70 elektrisch
verbunden. Diese Anschlussteile 50 sind beispielsweise
Signalanschlüsse
für das
temperaturbegrenzte Element 10.
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Wie
weiterhin in 20 gezeigt, sind das Heizelement 20 und
die zweite Verdrahtungskarte 42, das temperaturbegrenzte
Element und die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite
Verdrahtungskarte 42 und die erste Verdrahtungskarte 41 oder
das Heizelement 20 und das temperaturbegrenzte Element 10 miteinander
nach Bedarf durch die Bonddrähte 60 oder
dergleichen verbunden und in elektrischem Anschluss miteinander.
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Das
Heizelement 20, das temperaturbegrenzte Element 10,
die zweite Verdrahtungskarte 42, die erste Verdrahtungskarte 41 und
die jeweiligen Bonddrähte 60,
Verbindungsteile, welche mit den Bonddrähten 60 an den jeweiligen
Anschlussteilen 50 verbunden sind, und die Wärmesenke 30 sind
von dem Gießharz 70 umgeben
und eingegossen.
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Abschnitte
der jeweiligen Anschlussteile 50 gehen von dem Gießharz 70 vor
und sind mit externen Teilen verbunden. Weiterhin ist in dieser
Ausführungsform
eine Oberfläche
(Bodenfläche
in 19) gegenüber
einer anderen Oberfläche
(obere Oberfläche
in 19), auf der die Elemente auf der Wärmesenke 30 angeordnet
sind, frei von dem Gießharz 70.
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Hierbei
ist das Gießharz 70 ein
Gießharzmaterial,
beispielsweise ein Epoxyharz, welches üblicherweise für eine Halbleiterpackung
verwendet wird, und es wird durch einen Pressguss unter Verwendung
einer Gußform
gegossen.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 300 wird bei dieser Ausführungsform
die folgende besondere Konstruktion für die Wärmesenke 30 verwendet.
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Eine
Größe der Wärmesenke 30 in
einer Richtung senkrecht zur Anordnungsrichtung des Heizelements 20 und
des temperaturbegrenzten Elements 10 ist als Breite der
Wärmesenke 30 definiert. In 19 und 20 ist
die Anordnungsrichtung des Heizelements 20 und des temperaturbegrenzten
Elements 10 in Richtung von links nach rechts, in der diese
Elemente 10 und 20 angeordnet sind, und die Richtung
senkrecht zu dieser Anordnungsrichtung ist in 19 die Richtung von oben nach unten.
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Wenn
die Breite der Wärmesenke 30 auf
diese Weise definiert ist, zeichnet sich diese Ausführungsform
dadurch aus, dass gemäß 19 in der Wärmesenke 30 die
Breite W1 eines Bereichs zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 kleiner als eine Breite
W2 eines Bereichs ist, auf welchem das Heizelement 20 angeordnet
ist.
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Genauer
gesagt ist bei dieser Ausführungsform
gemäß 19 ein eingezogener Bereich 331, der
in Breitenrichtung der Wärmesenke 30 eingezogen
ist oder zurückspringt,
in einem Bereich der Wärmesenke 30 zwischen
dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 ausgebildet
und die Breite W1 dieses eingezogenen Bereichs 331 ist kleiner
als die Breite W2 des Bereichs, wo das Heizelement 20 angeordnet
ist.
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Weiterhin
ist diese elektronische Vorrichtung 300 auf einer Basis
(d. h. einem Gehäuse) 200 angeordnet,
wie in 2 gezeigt. Diese Basis 200 ist
ein Gehäuse
aus Metall, in welchem ein Motor zum Antrieb des elektrisch betriebenen
Fensters aufgenommen ist, ist eine gedruckte Schaltkreiskarte oder
dergleichen.
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Beispielsweise
ist die Halbleitervorrichtung 300 in Kontakt mit der Basis 200 mittels
eines Fetts oder Gels, welches elektrische Isolation und ausgezeichnete
thermische Leitfähigkeit
hat und zwischen der Bodenfläche
der Wärmesenke 30 und
der Basis 200 liegt. Die Wärme von der Halbleitervorrichtung 300 wird über die
Wärmesenke 30 an
die Basis 200 abgegeben.
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Die
elektronische Vorrichtung 300 gemäß obiger Beschreibung kann
beispielsweise dadurch hergestellt werden, dass die zweite Verdrahtungskarte 42 mit
dem Heizelement 20 hierauf und die erste Verdrahtungskarte 41 mit
dem temperaturbegrenzten Element 10 hierauf auf der Wärmesenke 30 angeordnet
werden; die Anschlussteile 50 werden um die ersten und
zweiten Verdrahtungskarten 41 und 42 herum angeordnet;
das Heizelement 20 und das temperaturbegrenzte Element 10 werden
mittels Drähten mit
den Anschlussteilen 50 verbunden; und diese Teile werden
durch ein Gießharz
eingegossen.
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[Effekte]
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Bei
dieser Ausführungsform
wird eine elektronische Vorrichtung 300 geschaffen, welche
das Heizelement 20, das während des Betriebs wärme oder
Hitze erzeugt, das temperaturbegrenzte Element 10, welches
eine begrenzte Betriebstemperatur hat, die Wärmesenke 30 mit dem
Heizelement 20 und das temperaturbegrenzten Elemen 10 hierauf, das
Gießharz 70 zum
Eingießen
von Heizelement 20, temperaturbegrenztem Element 10 und
Wärmesenke 30 derart,
dass diese Teile eingesiegelt sind, hat, wobei die elektronische
Vorrichtung sich noch durch die folgenden Punkte auszeichnet:
Die
elektronische Vorrichtung 300 zeichnet sich dadurch aus,
dass, wenn eine Größe der Wärmesenke 30 in
einer Richtung senkrecht zur Anordnungsrichtung des Heizelements 20 und
des temperaturbegrenzten Elements 10 als Breite der Wärmesenke 30 definiert
ist, dann in der Wärmesenke 30 die
Breite W1 eines Bereichs zwischen Heizelement 20 und temperaturbegrenztem
Element kleiner als die Breite W2 eines Bereichs ist, auf welchem
das Heizelement 20 angeordnet ist.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 300 dieser Ausführungsform,
welche sich durch diesen obigen Punkt auszeichnet, ist in der Wärmesenke 30 die Breite
W1 des Bereichs zwischen dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten
Element 10 kleiner als die Breite W2 des Bereichs, auf
dem das Heizelement 20 angeordnet ist, so dass es möglich ist, einen
Aufbau bereitzustellen, bei dem die Breite eines Durchlasses für eine Wärmeübertragung
zwischen dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten
Element 10 in der Wärmesenke 30 verengt ist.
Selbst wenn somit der Abstand zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 nicht allzu groß ist, ist
es aus diesem Grund möglich,
es für
die vom Heizelement 20 erzeugte Wärme schwierig zu machen, auf
das temperaturbegrenzte Element 10 überzugehen.
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Bei
dieser Ausführungsform
ist es somit bei der elektronischen Vorrichtung, welche durch Anordnen
des Heizelements 20 und des temperaturbegrenzten Elements 10 auf
der Wärmesenke 30 und dann
durch Eingießen
hiervon durch das Gießharz 70 derart,
dass sie umschlossen sind, gebildet wird, möglich, geeignete Wärmeabstrahleigenschaften
zu realisieren.
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<Vierte Ausführungsform>
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21 ist eine Darstellung des Aufbaus in Draufsicht
auf eine elektronische Vorrichtung 400 mit dem Heizelement 20 als
erstem elektronischen Element und dem temperaturbegrenzten Element 10 als zweiten
elektronischen Element gemäß einer
vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Hierbei sind in 21 die
Bonddrähte 60 weggelassen. Unterschiede
zwischen dieser Ausführungsform
und der soeben beschriebenen Ausführungsform werden nachfolgend
erläutert.
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In
der elektronischen Vorrichtung 300 gemäß der dritten Ausführungsform
von 19 ist der eingezogene Bereich 331,
der in Breitenrichtung zurückspringt,
in der Wärmesenke 30 im
Bereich zwischen dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 ausgebildet.
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Im
Gegensatz hierzu ist bei der elektronischen Vorrichtung 400 gemäß 21 der vierten Ausführungsform die Form der Wärmesenke 30 in Draufsicht
entsprechend der Form des Buchstaben T. Genauer gesagt, in dieser
T-Form ist die Breite W2 eines Bereichs, auf dem das Heizelement 20 angeordnet
ist, größer als
eine Breite W3 des Bereichs, auf dem das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist.
-
Weiterhin
weist die Wärmesenke 30 in T-Form
eine Form derart auf, dass der Bereich, wo das temperaturbegrenzte
Element 10 angeordnet ist, in einer senkrecht zur Breitenrichtung
der Wärmesenke 30 von
einem Abstand nahe der Mitte der Breitenrichtung der Wärmesenke 30 in
dem Bereich vorsteht, wo das Heizelement 20 angeordnet
ist.
-
In
der T-förmigen
Wärmesenke 30 ist
die Breite W3, des Bereichs, wo das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist, annährend
gleich der Breite W1 des Bereichs, der zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 vorliegt.
-
Indem
die Draufsichtform der Wärmesenke 30 auf
diese Weise T-förmig
gemacht wird, ist bei der Wärmesenke 30 die
Breite W3 des Bereichs, wo das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist, kleiner als die Breite W2 des Bereichs, wo das Heizelement 20 angeordnet
ist. Dies kann Raum zur Anordnung eines Leiterrahmens um das temperaturbegrenzte
Element 10 herum schaffen, was die Möglichkeit von Mehrfachstiften
eröffnet.
-
So
sind gemäß 21 um das temperaturbegrenzte Element 10 herum
zusätzlich
zu den Anschlussteilen 50 auf der linken Seite der Zeichnung Anschlussteile 50 zusätzlich an
der oberen Seite und unteren Seite der Zeichnung vorgesehen. Diese
zusätzlichen
Anschlussteile 50 sind ebenfalls elektrisch mit dem temperaturbegrenzten
Element 10 durch in der Zeichnung nicht dargestellte Bonddrähte verbunden.
-
Bei
der elektronischen Vorrichtung 400 in dieser Ausführungsform
ist es wie im Fall der obigen Ausführungsform möglich, einen
Aufbau bereitzustellen, bei dem die Breite eines Durchlasses für die Wärmeübertragung
zwischen dem Heizelement 10 und dem temperaturbegrenzten
Element 10 in der Wärmesenke 30 verengt
oder schmäler
gemacht ist. Selbst wenn der Abstand zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 nicht zu groß ist, ist
es möglich,
es der vom Heizelement 20 erzeugten Wärme schwierig zu machen, auf
das temperaturbegrenzte Element 10 überzugehen.
-
Somit
ist es bei dieser Ausführungsform
in der elektronischen Vorrichtung 400, welche durch Anbringung
des Heizelements 20 und des temperaturbegrenzten Elements 10 auf
der Wärmesenke 30 und
dann durch Vergießen
hiervon durch das Gießharz 70 derart,
dass die Teile eingebettet sind, gebildet wird, möglich, eine
ausreichende Wärmeabstrahleigenschaft
zu realisieren.
-
<Fünfte
Ausführungsform>
-
22 ist eine Darstellung einer schematischen Draufsicht
auf eine elektronische Vorrichtung 500 mit dem Heizelement 20 als
erstem elektronischen Element und dem temperaturbegrenzten Element 10 als
zweitem elektronischen Element gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Hierbei sind in 22 die
Bonddrähte
weggelassen. Unterschiedliche Punkte zwischen dieser Ausführungsform
und den obigen Ausführungsformen
werden nachfolgend erläutert.
-
Gemäß 22 hat bei der elektronischen Vorrichtung 500 dieser
Ausführungsform
die Wärmesenke 30 in
Draufsicht die Form des Buchstaben L. Genauer gesagt, eine Breite
W2 in dem Bereich, wo das Heizelement 20 angeordnet ist,
ist größer als eine
Breite W3 des Bereichs, wo das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist.
-
Weiterhin
ist die L-förmige
Wärmesenke 30 so
ausgebildet, dass der Bereich, wo das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist, in einer Richtung senkrecht zur Breitenrichtung der Wärmesenke 30 von
einem Ende in beiden Richtungen der Wärmesenke 30 in dem
Bereich vorsteht, wo das Heizelement 20 angeordnet ist.
-
Hierbei
ist in der L-förmigen
Wärmesenke 30 die
Breite W3 des Bereichs, wo das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist, nahezu gleich der Breite W1 des Bereichs, der zwischen dem
Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 liegt.
-
Durch
Ausbilden der Wärmesenke 30 in Draufsicht
als L-förmig ist
in der Wärmesenke 30 die Breite
W3 des Bereichs, wo das temperaturbegrenzte Element 10 angeordnet
ist, kleiner als die Breite W2 des Bereichs, wo das Heizelement 20 angeordnet
ist. Dies kann Raum zur Anordnung eines Leiterrahmens um das temperaturbegrenzte
Element 10 schaffen, was zur Ausbildung von Mehrfachstiften geeignet
ist.
-
Hierbei
sind gemäß 22 um das temperaturbegrenzte Element 10 herum
zusätzlich
zu den Anschlussteilen 50 auf der linken Seite der Zeichnung
Anschlussteile 50 zusätzlich
an der oberen Seite in der Zeichnung vorgesehen. Diese zusätzlichen Anschlussteile 50 stehen
ebenfalls mit dem temperaturbegrenzten Element 10 durch
nicht dargestellte Bonddrähte
in Verbindung.
-
Bei
der elektronischen Vorrichtung 500 in dieser Ausführungsform
ist es wie im Fall der oben beschriebenen Ausführungsform möglich, einen
Aufbau bereitzustellen, bei dem die Breite eines Durchlasses für eine Wärmeübertragung
in der Wärmesenke 30 zwischen
dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 verengt
oder schmäler
gemacht ist. Selbst wenn somit die Distanz zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 auf der Wärmesenke 30 nicht sehr
groß ist,
ist es möglich,
es von dem Heizelement 20 erzeugter Wärme schwierig zu machen, auf
das temperaturbegrenzte Element 10 überzugehen.
-
Somit
ist es bei dieser Ausführungsform
bei der elektronischen Vorrichtung 500, welche durch Anordnen
des Heizelements 20 und des temperaturbegrenzten Elements 10 auf
der Wärmesenke 30 dann
durch Vergießen
mit dem Gießharz 70 derart, dass
die Teile eingebettet sind, hergestellt ist, möglich, eine geeignete Wärmeabstrahlcharakteristik
zu realisieren.
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<Sechste Ausführungsform>
-
23 ist eine Darstellung einer schematischen Draufsicht
auf eine elektronische Vorrichtung 600 mit dem Heizelement 20 als
erstem elektronischen Element und dem temperaturbegrenzten Element 10 als
zweitem elektronischen Element gemäß einer sechsten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Hierbei sind in 23 die
Bonddrähte weggelassen.
Unterschiedliche Punkte zwischen dieser Ausführungsform und den obigen Ausführungsformen
werden nachfolgend beschrieben.
-
Gemäß 23 zeichnet sich die elektronische Vorrichtung 600 der
Ausführungsform
dadurch aus, dass ein Schlitz 632 in einem Abschnitt in
der Wärmesenke 30 zwischen
dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 ausgebildet ist.
Dieser Schlitz 632 ist eine Durchgangsöffnung.
-
Durch
Ausbilden des Schlitzes 632 in der Wärmesenke 20 im Bereich
zwischen dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten
Element 10 wird die Breite eines Abschnittes mit Ausnahme
des Schlitzes 632 in diesem Bereich kleiner als die Breite W2
des Bereichs, wo das Heizelement 20 angeordnet ist.
-
Die
Breite des Abschnittes mit Ausnahme des Schlitzes 632 ist
die Summe aus einer Breite W11 und einer Breite W12 in 23 und entspricht der Breite W1 in der Wärmesenke 30,
der zwischen dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 liegt.
Das heißt,
W1 = W11 + W12.
-
Aus
diesem Grund ist es durch Ausbilden des Schlitzes 632 möglich, auf
geeignete Weise die Breite W1 des Bereichs der Wärmesenke 30, der zwischen
dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 liegt,
kleiner als die Breite W2 des Bereichs zu machen, wo das Heizelement 20 angeordnet
ist. Weiterhin ist es durch Ausbilden des Schlitzes 632 möglich, den
Effekt zu erzeugen, dass ein Teil des Durchlasses für eine Wärmeübertragung zwischen
dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 unterbrochen
ist.
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Es
sei festzuhalten, dass bei der Gestaltung der Wärmesenke 30 dieser
Ausführungsform
mit dem Schlitz 632 eine Kombination der ersten bis dritten
Ausführungsformen
erfolgen kann. Mit anderen Worten, in der Wärmesenke 30 der jeweiligen
elektronischen Vorrichtungen in den 19 bis 22 kann
ebenfalls ein Schlitz 632 in dem Bereich zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 ausgebildet werden.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 600 dieser Ausführungsform
kann wie im Fall der oben beschriebenen Ausführungsformen ein Aufbau bereitgestellt
werden, bei dem die Breite eines Durchlasses eine Wärmeübertragung
in der Wärmesenke 30 zwischen
dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten Element 10 verengt
oder schmäler
gemacht ist. Selbst wenn somit die Distanz zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 auf der Wärmesenke 30 nicht
allzu groß ist,
ist es möglich,
es von dem Heizelement 20 erzeugter Wärme schwierig zu machen, auf
das temperaturbegrenzte Element 10 überzugehen.
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Somit
ist es bei dieser Ausführungsform
bei der elektronischen Vorrichtung, die durch Anordnen des Heizelements 20 und
des temperaturbegrenzten Elements 10 auf der Wärmesenke 30 und
dann durch Vergießen
mit dem Gießharz 70 derart,
dass die Teile eingebettet werden, gebildet wird, möglich, eine
geeignete Wärmeabstrahlcharakteristik
zu realisieren.
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<Siebte Ausführungsform>
-
Die
siebte Ausführungsform
der Erfindung ist eine elektronische Vorrichtung, welche bei einem HIC
(hybrider integrierter Schaltkreis) zum Treiben und Steuern eines
Motors bei einem Fensterheber eines Fahrzeugs angewendet wird, und
hat den folgenden Aufbau.
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24 ist eine schematische Draufsicht des Aufbaus
einer elektronischen Vorrichtung 700 mit dem Heizelement 20 als
erstem elektronischen Element und dem temperaturbegrenzten Element 10 als zweitem
elektronischen Element gemäß der siebten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Hierbei sind in 24 die
Bonddrähte
weggelassen.
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[Aufbau der Vorrichtung]
-
Die
elektronische Vorrichtung 700 dieser Ausführungsform
ist aufgebaut aus einem zweiten Schaltkreisteil 720 mit
den Heizelementen 20 und einem ersten Schaltkreisteil 710 mit
den temperaturbegrenzten Elementen 10. Hierbei ist das
zweite Schaltkreisteil 720 als Treiberteil aufgebaut, dessen
Betrieb vom ersten Schaltkreisteil 710 gesteuert wird.
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In
dieser Ausführungsform
hat das zweite Schaltkreisteil 720 die Heizelemente 20 als
Treiberelemente in Form von Leistungs-MOS-Elementen oder IGBT-Elementen
und ist aus diesen Heizelementen 20 und der zweiten Verdrahtungskarte 42 aufgebaut,
auf der diese Heizelemente 20 angeordnet sind.
-
Das
Heizelement 20, welches den zweiten Schaltkreisteil 720 bildet,
ist ein Element, welches einen großen Stromdurchfluss im Vergleich
zu dem temperaturbegrenzten Element 10 hat, welches den ersten
Schaltkreisteil 720 bildet, so dass es große Wärmemengen
erzeugt. Somit hat das zweite Schaltkreisteil 720 einen
größeren Stromdurchfluss
im Vergleich zum ersten Schaltkreisteil 710.
-
In
der dargestellten Ausführungsform
sind die Heizelemente 20, welche den zweiten Schaltkreisteil 720 bilden,
aus vier Leistungs-MOS-Elementen 20 als Leistungselemente
aufgebaut. Diese Leistungs-MOS-Elemente 20 werden von den
Steuerelementen 11 und 12 gesteuert, welche das
temperaturbegrenzte Element 10 darstellen, welche den ersten Schaltkreisteil 710 aufbauen.
-
Der
erste Schaltkreisteil 710 enthält die temperaturbegrenzten
Elemente 10 aus Steuerelementen, beispielsweise den Mikrocomputer 11 und
das Steuer-IC 12, und wird aus diesen temperaturbegrenzten
Elementen 10 und der ersten Schaltkreiskarte 41 aufgebaut,
auf der diese temperaturbegrenzten Elemente 10 angeordnet
sind.
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Die
jeweiligen Elemente 10 und 20, welche die jeweiligen
Schaltkreisteile 710 und 720 bilden, sind auf
den jeweiligen Verdrahtungskarten 41 und 42 durch
Bonddrähte
oder durch ein Busbondmaterial (nicht gezeigt) angeordnet.
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Gemäß 24 sind die zweite Verdrahtungskarte 42 und
die erste Verdrahtungskarte 42 auf der Wärmesenke 30 angeordnet.
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Obgleich
es nicht beabsichtigt ist, die Form der Wärmesenke 30 hierauf
zu beschränken,
hat hier die Wärmesenke 30 die
Form eines T, wie im Fall der zweiten Ausführungsform. Natürlich kann
zusätzlich zu
dieser Form auch eine Form gemäß den jeweiligen
Ausführungsformen
für die
Formen der Wärmesenke 30 dieser
Ausführungsform
angewendet werden.
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Die
jeweiligen Verdrahtungskarten 41 und 42 sind auf
der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 beispielsweise über einen
Kleber (nicht gezeigt) befestigt, der aus einem Harz mit elektrischer
Isolation und ausgezeichneter thermischer Leitfähigkeit ist. Die zweite Verdrahtungskarte 42 und
die erste Verdrahtungskarte 41 sind miteinander über Bonddrähte verbunden
und in elektrischer Verbindung (nicht gezeigt).
-
Für die jeweiligen
Verdrahtungskarten 41 und 42 kann wie im Fall
der obigen Ausführungsform eine
einschichtige Keramikkarte, eine keramische Laminatkarte aus einer
Mehrzahl von laminierten Schichten oder eine gedruckte Schaltkreiskarte
verwendet werden.
-
Insbesondere
kann für
die zweite Schaltkreiskarte 42 eine Dickfilm-Verdrahtungskarte
verwendet werden, welche aus einer einschichtigen Keramikschicht
oder ungefähr
zwei laminierten Keramikschichten gebildet ist. Andererseits kann
als erste Verdrahtungskarte 41 eine laminierte Keramikkarte aus
drei oder mehr laminierten Schichten oder eine gedruckte Schaltkreiskarte
verwendet werden.
-
Weiterhin
ist es bei der elektronischen Vorrichtung 700 dieser Ausführungsform
bevorzugt, dass die zweite Verdrahtungskarte 42 eine einschichtige
Karte ist und dass die erste Verdrahtungskarte 41 eine
mehrschichtige Karte ist. Weiterhin ist es bevorzugt, beide Verdrahtungskarten 41 und 42 aus Aluminiumoxid
mit ausgezeichneter Wärmeabstrahleigenschaft
zu bilden.
-
Bei
dieser elektronischen Vorrichtung 700 ist der erste Schaltkreisteil 710 als
Steuerteil in seinem Aufbau im Vergleich zu dem zweiten Schaltkreisteil 720 als
Treiberteil komplexer. Um die Vorrichtung zu verkleinern, ist es
empfehlenswert, dass eine mehrschichtige Karte, in der Verdrahtungen
etc. dreidimensional aufgebaut werden können, als erste Schaltkreiskarte 41 im
ersten Schaltkreisteil 710 verwendet wird.
-
Wenn
jedoch separate Verdrahtungskarten 41 und 42 für das zweite
Schaltkreisteil 720 und das erste Schaltkreisteil 710 verwendet
werden, führt
die Verwendung von mehrschichtigen Karten für die beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 zu
erhöhten
Kosten.
-
Wenn
daher die erste Schaltkreiskarte 41, die für den ersten
Schaltkreisteil 710 als Steuerteil verwendet wird, aus
der mehrschichtigen Karte gebildet ist und die zweite Verdrahtungskarte 42,
die für den
zweiten Schaltkreisteil 720 als Treiberteil verwendet wird,
eine einschichtige Karte ist, welche billiger als eine mehrschichtige
Karte ist, ergibt sich ein Kostenvorteil.
-
Weiterhin
sind gemäß 24 auch bei der elektronischen Vorrichtung 700 dieser
Ausführungsform
Anschlussteile 50 um die Heizelemente 20 und die
temperaturbegrenzten Elemente 10 herum angeordnet und die
elektrischen Verbindungen zwischen den Heizelementen 20,
den temperaturbegrenzten Elementen 10, den Verdrahtungskarten 41 und 42 und
den jeweiligen Anschlussteilen 50 erfolgen durch (nicht
gezeigte) Bonddrähte.
-
Auch
in dieser Ausführungsform
sind wie im Fall der obigen Ausführungsformen
beispielsweise die Anschlussteile 50 auf Seiten des Heizelements 20 (rechte
Seite in 24) als Stromanschlüsse des Heizelements 20 ausgelegt,
wohingegen die Anschlussteile 50 auf Seiten des temperaturbegrenzten Elements 10 (linke
Seite in 24) als Signalanschlüsse des
temperaturbegrenzten Elements 10 ausgelegt sind.
-
Wie
in 24 gezeigt, sind in der elektronischen Vorrichtung 700 der
zweite Schaltkreisteil 720, der erste Schaltkreisteil 710,
die Bonddrähte,
die Wärmesenke 30 und
Teile der Anschlussteile 50 mit dem Gießharz 70 eingegossen.
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Die
elektronische Vorrichtung 700 ist in der Antriebseinheit
für einen
Fensterheber angeordnet. Beispielsweise sind bei der elektronischen
Vorrichtung 700 Teile der jeweiligen Anschlussteile 50,
welche von dem Gießharz 70 vorstehen,
elektrisch mit einem Verbinder und dem Motor der Antriebseinheit verbunden.
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Die
Verbindungen zwischen den Anschlussteilen 50 und dem Verbinder
und dem Motor erfolgen durch Schweißen oder Löten. Die elektronische Vorrichtung 700,
die in der Antriebseinheit eingebaut ist, betreibt und steuert den
Motor.
-
[Effekte]
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Auch
mit der elektronischen Vorrichtung 700 dieser Ausführungsform
wird eine elektronische Vorrichtung geschaffen, welche ausgestattet
ist mit: dem Heizelement 20; dem temperaturbegrenzten Element 10;
der Wärmesenke 30,
auf der das Heizelement 20 und das temperaturbegrenzte
Element 10 angeordnet sind; und dem Gießharz 70, welches
das Heizelement 20, das temperaturbegrenzte Element 10 und die
Wärmesenke 70 derart
eingießt,
dass diese Teile eingebettet sind, wobei sich die elektronische
Vorrichtung darüber
hinaus dadurch auszeichnet, dass in der Wärmesenke 30 die Breite
W1 eines Bereichs, der zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 liegt, kleiner als
eine Breite W2 eines Bereichs ist, wo das Heizelement 20 angeordnet
ist.
-
Mit
der elektronischen Vorrichtung 700 ist es wie im Fall der
oben beschriebenen Ausführungsformen
möglich,
einen Aufbau bereitzustellen, bei dem die Breite eines Durchlasses
für die
Wärmeübertragung
zwischen dem Heizelement 20 und dem temperaturbegrenzten
Element 10 in der Wärmesenke 30 verengt
oder schmal gemacht ist. Selbst wenn die Distanz zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 auf der Wärmesenke 30 nicht
zu groß ist,
ist es möglich,
es von dem Heizelement 20 erzeugter Hitze schwierig zu
machen, auf das temperaturbegrenzte Element 10 überzugehen.
-
Somit
ist es bei dieser Ausführungsform
in der elektronischen Vorrichtung 700, die durch Anordnen
des Heizelements 20 und des temperaturbegrenzten Elements 10 auf
der Wärmesenke 30 und dann
durch Eingießen
dieser Teile durch das Gießharz 70 so,
dass sie eingebettet werden, hergestellt wird, möglich, geeignete Wärmeabstrahleigenschaften
zu realisieren.
-
Weiterhin
kann auch bei dieser Ausführungsform
wie im Fall der zweiten Ausführungsform
der Effekt erzielt werden, der sich ergibt, wenn die Draufsichtform
der Wärmesenke 30 T-förmig ist.
Wie in 24 gezeigt, sind hierbei die
Anschlussteile 50 ebenfalls an den oberen und unteren Seiten
in der Zeichnung um das temperaturbegrenzte Element 10 herum
angeordnet.
-
[Abwandlungen]
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Es
ist nicht beabsichtigt, die Formen der Wärmesenke auf diejenigen Formen
zu beschränken,
die in den jeweiligen Figuren der Zeichnungen dargestellt sind.
-
Mit
anderen Worten, wenn die Größe der Wärmesenke 30 in
einer Richtung senkrecht zur Anordnungsrichtung des Heiz elements 20 und
des temperaturbegrenzten Elements 10 als Breite der Wärmesenke 30 definiert
ist und wenn in der Wärmesenke 30 die
Breite W1 eines Bereichs zwischen dem Heizelement 20 und
dem temperaturbegrenzten Element 10 kleiner als die Breite
W2 eines Bereichs ist, auf dem das Heizelement 20 angeordnet
ist, kann die Wärmesenke 30 in
einer beliebigen Form ausgebildet werden.
-
Weiterhin
sind in den obigen Ausführungsformen
das Heizelement 20 und das temperaturbegrenzte Element 10 auf
der Wärmesenke 30 jeweils über die
Verdrahtungskarten 41 und 42 angeordnet. Es ist
auch möglich,
dass das Heizelement 20 und das temperaturbegrenzte Element 10 direkt
auf der Wärmesenke 30 ohne
eine Verdrahtungskarte zwischen diesen Elementen 10 und 20 und
der Wärmesenke 30 angeordnet
werden.
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Weiterhin
ist es möglich,
die elektronische Vorrichtung derart aufzubauen, dass sowohl das
Heizelement 20 als auch das temperaturbegrenzte Element 10 nicht über die
Verdrahtungskarten 41 und 42 auf der Wärmesenke 30 angeordnet
sind, sondern vielmehr das Heizelement 20 oder das temperaturbegrenzte
Element 10 auf der Wärmesenke 30 entweder über eine
Verdrahtungskarte 42 oder über eine Verdrahtungskarte 41 angeordnet
ist.
-
Um
diesen Aufbau näher
zu beschreiben, so ist es auch möglich,
die elektronische Vorrichtung derart aufzubauen, dass in den jeweiligen
Figuren der Zeichnung beispielsweise die Heizelemente 20 direkt
auf der Wärmesenke 30 ohne
Verwendung der zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet
werden und dass das temperaturbegrenzte Element 10 auf der
Wärmesenke 30 über die
erste Verdrahtungskarte 41 angeordnet wird.
-
Alternativ
ist es genauso gut möglich,
die elektronische Vorrichtung derart aufzubauen, dass die Heizelemente 20 auf
der Wärmesenke 30 über die
zweite Verdrahtungskarte 42 angeordnet sind und das temperaturbegrenzte
Element 10 direkt auf der Wärmesenke 30 ohne Verwendung
der ersten Verdrahtungskarte 41 angeordnet ist.
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In
den obigen Ausführungsformen
erfolgten die Beschreibungen unter der Annahme, dass die elektronische
Vorrichtung der Erfindung bei dem HIC zum Antrieb des Antriebsmotors
eines elektrisch betriebenen Fensters (Fensterheber) angewendet
wird. Es versteht sich jedoch, dass die Anwendung der elektronischen
Vorrichtung gemäß der Erfindung nicht
auf diesen speziellen Zweck beschränkt ist.
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Wie
oben beschrieben, ist ein wesentlicher Punkt der Erfindung, dass
in der elektronischen Vorrichtung mit dem Heizelement, dem temperaturbegrenzten
Element, der Wärmesenke,
auf der das Heizelement und das temperaturbegrenzte Element angeordnet
sind, und dem Gießharz,
welches das Heizelement, das temperaturbegrenzte Element und die Wärmesenke
derart eingießt,
dass diese Teile eingebettet sind, die Breite W1 eines Bereichs
zwischen dem Heizelement und dem temperaturbegrenzten Element kleiner
als eine Breite W2 eines Bereichs ist, wo sich das Heizelement 20 befindet.
Die Erfindung kann jedoch in den verbleibenden Punkten je nach Bedarf
abgewandelt werden.
-
<Achte Ausführungsform>
-
Eine
achte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung mit
einem Steuerteil und einem Treiberteil, dessen Betrieb von dem Steuerteil
gesteuert wird und insbesondere betrifft sie eine elektronische
Vorrichtung zum Antreiben und Steuern eines Stellglieds.
-
Obgleich
es nicht beabsichtigt ist, die Erfindung auf diesen Anwendungsfall
zu beschränken, wird
nachfolgend eine elektronische Vorrichtung 800 dieser Ausführungsform
unter der Annahme beschrieben, dass diese elektronische Vorrichtung 800 bei
einem Motor 810 (siehe später zu beschreibende 27A, 27B und 28),
der als Betätigungsteil
oder Stellglied bei einem elektrisch betriebenen Fenster eines Fahrzeugs
dient, sowie einem HIC (hybrider integrierter Schaltkreis) zum Antreiben
und Steuern eines Motors angewendet wird.
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25 ist eine schematische Darstellung einer Draufsicht
auf die elektronische Steuervorrichtung 800 mit einem Steuerteil
als erstem elektrischen oder elektronischen Element 10 und
einem Treiberteil als zweitem elektrischen oder elektronischen Element 20 gemäß der achten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. 26 ist
eine Darstellung, die schematisch im Schnitt den Aufbau der elektronischen
Vorrichtung 800 von 25 zeigt.
-
Weiterhin
sind die 27A und 27B Ansichten
von außen
auf den Anbauzustand der elektronischen Vorrichtung 800 an
der Antriebseinheit 801 in einem Fensterheber eines Fahrzeugs.
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27A ist eine Ansicht aus Richtung des Pfeils XXVIIA
in 27B. Hierbei ist in den 27A und 27B die
elektronische Vorrichtung 800 in einem Kupplungsteil 840 der
Antriebseinheit 801 aufgenommen und kann damit von außen her
nicht gesehen werden. Somit ist die elektronische Vorrichtung 800 nicht
mit einer durchgezogenen, sondern mit einer gestrichelten Linie
dargestellt.
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[Aufbau der Vorrichtung]
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Der
Steuerteil 10 weist Steuerelemente, beispielsweise den
Mikrocomputer 11, das Steuer-IC 12 und einen Transistor 813 und
Kondensatoren 814 auf. Der Steuerteil 10 ist aus
diesen elektronischen Elementen 11, 12, 813 und 814,
sowie einer Verdrahtungskarte 40 aufgebaut, welche diese
elektronischen Elemente 11, 12, 813 und 814 trägt.
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Die
Steuerelemente und 813 gemäß obiger Beschreibung sind
hierbei auf einem Halbleitersubstrat (Halbleiterchip) ausgebildet,
beispielsweise einem Siliziumhalbleiter, der durch einen Halbleiterprozess
bearbeitet wird.
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Der
Treiberteil 20 ist ein Teil dessen Betrieb von dem Steuerteil 10 gesteuert
wird. Der Treiberteil 20 weist Treiberelemente auf, beispielsweise
ein Leistungs-MOS-Element und einen IGBT und ist aus diesen Treiberelementen
und der Verdrahtungskarte 40 gebildet, welche diese Elemente
trägt.
-
Für gewöhnlich hat
das oder haben die elektronischen Elemente, welche den Treiberteil 20 als Leistungselement
bilden, einen größeren Stromdurchfluss
im Vergleich zu dem elektronischen Element oder den elektronischen
Elementen, welche den Steuerteil 10 bilden, so dass sie
große
Wärme erzeugen.
In dieser Ausführungsform
sind die den Treiberteil 20 bildenden elektronischen Elemente
vier Leistungs-MOS-Elemente 21, 22, 23 und 24 als
Leistungselemente.
-
Auf
diese weise umfassen in dieser Ausführungsform der Steuerteil 10 und
der Treiberteil 20 die gemeinsame Verdrahtungskarte 40 als
Bauteil.
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Die
jeweiligen elektronischen Elemente 11, 12, 813 und 814 und 21 bis 24,
welche den Steuerteil 10 und den Treiberteil 20 gemäß den 25 und 26 bilden,
sind auf der Verdrahtungskarte 40 durch Bonddrähte 60 aus
Au (Gold) und Al (Aluminium) und ein Bondiermaterial 841,
beispielsweise ein Lot, angeordnet.
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Der
Aufbau der jeweiligen elektronischen Elemente 11, 12, 813 und 814,
sowie 21 bis 24 in dem Steuerteil 10 sowie
dem Treiberteil 20 gemäß 25 ist hierbei nur ein Beispiel und der Aufbau
des Steuerteils 10 und des Treiberteils 20 ist
nicht hierauf beschränkt.
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Weiterhin
ist die Verdrahtungskarte 40 auf einer Befestigungsoberfläche 850a eines
Inselteils 850 eines Leiterrahmens angeordnet. Die Verdrahtungskarte 40 ist
hierbei an der Befestigungsoberfläche 850a des Inselteils 850 mittels
eines Klebers 842 befestigt, der ein Harz mit elektrischer
Isolationseigenschaft und ausgezeichneter thermischer Leitfähigkeit ist.
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Eine
einschichtige Keramikkarte oder eine keramische laminierte Karte
aus einer Mehrzahl von laminierten Schichten oder eine gedruckte
Schaltkreiskarte können
als Verdrahtungskarte 40 verwendet werden.
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Weiterhin
ist eine Mehrzahl von Leitungsteilen als Signalanschlüsse und
Stromanschlüsse 51 und 52 um
den Inselteil 850 des Leiterrahmens herum angeordnet.
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Es
sei hier angenommen, dass die Leiterteile 51, welche über die
Bonddrähte 60 in
elektrischer Verbindung mit dem Steuerteil 10 sind, die
ersten Leiterteile 51 sind (linke Seite in 25) und dass die Leiterteile 52, welche über die
Bonddrähte 60 in
elektrischer Verbindung mit dem Treiberteil 20 sind, die zweiten
Leiterteile 52 sind.
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Die
ersten Leiterteile 51, welche mit dem Steuerteil 10 verbunden
sind, wirken beispielsweise als Signalanschlüsse für die Steuerelemente, also die
Mikrocomputer 11, 12 und 813 und die
zweiten Leiterteile 52, welche mit dem Treiberteil 20 verbunden
sind, wirken als Stromanschlüsse
für die
Treiberelemente und als mit dem Motor 810 verbundene Anschlüsse (siehe 27A, 27B und 28)
zum Betrieb des Motors 810.
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Der
Inselteil 850, die ersten Leiterteile 51 und die
zweiten Leiterteile 52 können auf übliche Weise aus einem Leiterrahmen
gebildet sein, der aus Cu (Kupfer), Fe (Eisen) oder einer 42-Legierung
besteht.
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Gemäß den 25 und 26 sind
bei dieser elektronischen Vorrichtung 800 der Steuerteil 10, der
Treiberteil 20, die jeweiligen Bonddrähte 60, der Inselteil 850 und
die mit den Bonddrähten 60 verbundenen
Verbindungsteile der ersten und zweiten Leiterteile 51 und 52 mit
dem Gießharz 70 vergossen.
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Wie
hierbei in 26 gezeigt, liegt hierbei eine
Bodenfläche
gegenüber
einer oberen Oberfläche,
auf der die Verdrahtungskarte 40 angeordnet ist, d. h.
gegenüber
der Befestigungsoberfläche 850a von
dem Gießharz 70 frei
vor. Das heißt,
in der elektronischen Vorrichtung 800 erzeugte Wärme wird
von diesem freiliegenden Abschnitt des Inselteils 850 nach
außen
hin abgestrahlt, so dass die Wärmeabstrahlung
der Vorrichtung verbessert ist.
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Damit
hat der Inselteil 850 in der elektronischen Vorrichtung 800 die
Funktion einer Wärmesenke.
Der Inselteil 850 kann einstückig mit dem Leiterrahmen ausgebildet
sein, wie in 25 gezeigt, oder kann eine
Wärmesenke
sein, welche separat von dem Leiterrahmen ausgebildet und an dem
Leiterrahmen durch Verstemmen oder dergleichen befestigt ist.
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Was
die elektronische Vorrichtung 800 mit diesem Aufbau auszeichnet,
ist, dass die ersten Leiterteile 51 und die zweiten Leiterteile 52 so
angeordnet sind, dass sie parallel zur Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 verlaufen. Bei dieser Anordnung stehen die
Spitzen der jeweiligen Leiterteile 51 und 52 von
dem Gießharz 70 vor.
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Dies
bedeutet, dass die jeweiligen Leiterteile 51 und 52 in
einer Ebene parallel zur gleichen Oberfläche von 25 verlaufen.
Somit wird ein Aufbau geschaffen, bei dem die jeweiligen Leiterteile 51 und 52 nicht
in Dickenrichtung der elektronischen Vorrichtung 800 vorstehen,
d. h. einer Richtung vertikal zur Zeichenoberfläche von 25.
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Dies
ergibt sich auch klar aus 26.
Mit anderen Worten, die jeweiligen Leiterteile 51 und 52 liegen
innerhalb eines Dickenbereichs der elektronischen Vorrichtung 800,
d. h. innerhalb eines Bereichs zwischen der oberen Oberfläche (obere
Oberfläche des
Gießharzes 70 in 26) und der Bodenfläche (Bodenfläche des
Inselteils 850 in 26)
der elektronischen Vorrichtung 800.
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In
dem Beispiel der 25 und 26 sind die
ersten Leiterteile 51 an einem von Endabschnitten angeordnet,
die an dem Gießharz 70 einander gegenüber liegen,
d. h. einem Endabschnitt des Gießharzes 70 in einer
Links/Rechts-Richtung der Zeichnung und die zweiten Leiterteile 52 sind
an dem anderen Endabschnitt angeordnet. Mit dieser Anordnung stehen
die ersten und zweiten Leiterteile 51 und 52 in
die gleiche Richtung (Links/Rechts-Richtung) vor.
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Obgleich
hier ein Beispiel gezeigt ist, bei dem die ersten und zweiten Leiterteile 51 und 52 in die
gleiche Richtung vorstehen, ist es auch möglich oder vorteilhaft, beispielsweise
einen Aufbau zu verwenden, bei dem die zweiten Leiterteile 52 von
der Bodenseite des Inselteils 850 aus nach unten vorstehen.
Auch in diesem Fall sind die jeweiligen ersten und zweiten Leiterteile 51 und 52 in
einer Ebene parallel zur Zeichenfläche von 25 angeordnet.
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Diese
elektronische Vorrichtung 800 ist gemäß den 27A und 27B in der Antriebseinheit 801 des oben
erwähnten
Fensterhebers angeordnet.
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Diese
Antriebseinheit 801 wird gebildet durch den Antriebsmotor 810,
eine Untersetzung 820, welche vom Motor 810 angetrieben
wird, um die Fensterscheibe oder die Fensterscheibe zu bewegen,
einen Verbinder 830, der mit einer elektrischen Energiequelle 860 (vergleiche 28; wird später beschrieben)
und einem Schalter verbunden ist und einem Kupplungsteil 840 zur
Verbindung dieser Teile 810 bis 830.
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Das
Kupplungsteil 840 dient auch als Gehäuse zur Aufnahme eines Verbindungsteils
zur Verbindung der jeweiligen Teile 810 bis 830.
Die elektronische Vorrichtung 800 ist in diesem Kupplungsteil 840 aufgenommen
und die ersten Leiterteile 51 sind elektrisch mit dem Verbinder 830 verbunden
und die zweiten Leiterteile 52 sind elektrisch mit dem
Motor 810 (dem Stellglied) verbunden.
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Die
Verbindung zwischen den ersten Leiterteilen 51 und dem
Verbinder 830 und die Verbindung zwischen den zweiten Leiterteilen 52 und
dem Motor 810 kann durch Schweißen oder Löten erfolgen. Die elektronische
Vorrichtung 800 in der Antriebseinheit 801 betreibt
und steuert den Motor 810.
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Diese
elektronische Vorrichtung 800 kann beispielsweise dadurch
hergestellt werden, dass die Verdrahtungskarte 40 mit den
jeweiligen elektronischen Elementen 12, 813 und 814,
sowie 21 bis 24 auf der Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 angeordnet wird und die jeweiligen elek tronischen
Elemente 11, 12, 813 und 814,
sowie 21 bis 24 mit den jeweiligen Leiterteilen 51 und 52,
die um den Inselteil 850 herum angeordnet sind, mit Drähten verbunden
werden, wobei dann diese Anordnung vergossen wird.
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[Schaltkreisaufbau und
-betrieb]
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Der
Schaltkreisaufbau und der Betrieb der elektronischen Vorrichtung 800 dieser
Ausführungsform
wird nun unter Bezugnahme auf die 28 und 29A bis 29D beschrieben. 28 ist ein schematischer Schaltkreis der elektronischen
Vorrichtung 800. Die 29A bis 29D zeigen EIN/AUS-Zustände von Gateeingängen der
jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 im
Betriebszustand des Motors in 28.
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Im
Schaltkreisaufbau von 28 ist der Steuerteil 10 im
Wesentlichen aufgebaut aus dem Mikrocomputer 11 und dem
Steuer-IC 12 mit einem Steuerschaltkreis 13, einem
Treiberschaltkreis 14 und einem Komparator 15.
Der Treiberteil 20 ist aus den vier Leistungs-MOS-Elementen 21, 22, 23 und 24 aufgebaut.
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Die
vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 bilden einen
H-Brücken-Schaltkreis.
Weiterhin ist in der elektronischen Vorrichtung 800 der
oben beschriebene Motor 810 zum Antrieb der Fensterscheibe
und die elektrische Energieversorgung 860 der Vorrichtung
vorgesehen.
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Bei
dieser elektronischen Vorrichtung 800 wird ein Befehl von
einem Mikrocomputer (nicht gezeigt) über eine Verbindung (beispielsweise
LIN) an den Mikrocomputer 11 übertragen und der Mikrocomputer 11 steuert
die jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 über den
Steuerschaltkreis 13 und den Treiberschaltkreis 14 abhängig von
dem Befehl. Der Ausgang vom Treiberschaltkreis 14 wird
den Gates der jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 eingegeben.
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Hierbei
bewegt der Motor 810 die Fensterscheibe des Fahrzeugs nach
oben und unten und die Zustände
von Gateeingängen
zu den Zeiten, zu denen der Motor gestoppt ist, zu denen das Fenster nach
oben bewegt wird und zu denen die Fensterscheibe nach unten bewegt
wird, sind in den 29A bis 29D gezeigt.
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Das
heißt,
gemäß den 29A bis 29D werden,
wenn der Motor gestoppt ist, alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den Zustand AUS gebracht und wenn das Fenster nach oben bewegt wird,
werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23,
die auf einer Diagonale des H-Brücken-Schaltkreises
liegen, in den Zustand EIN gebracht, wohingegen die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24,
die auf der anderen Diagonale liegen in den Zustand AUS gebracht
werden.
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Wenn
weiterhin das Fenster nach unten bewegt wird, werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23,
die auf einer Diagonale des H-Brücken-Schaltkreises
liegen, in den Zustand AUS gebracht, wohingegen die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24,
die auf der anderen Diagonale liegen, in den Zustand EIN gebracht
werde. Mit anderen Worten, wenn das Fenster nach oben bewegt wird und
wenn das Fenster nach unten bewegt wird, wird ein durch den Motor 810 laufender
Strom von dem H-Brücken-Schaltkreis
umgekehrt und somit wird auch der Motor 810 entgegengesetzt
gedreht.
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Weiterhin
vergleicht der Komparator 15 die Motordrehinformation,
die beispielsweise von einem (nicht gezeigten) Hall-Sensor kommt,
mit dem Befehl des Mikrocomputers 11 und koppelt ein Signal
abhängig
von den Bedingungen auf den Steuerschaltkreis 13 zurück. Hiermit
kann eine geeignete Steuerung durchgeführt werden.
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[Effekte]
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Mit
dieser Ausführungsform
wird eine elektronische Vorrichtung 800 geschaffen, welche
mit dem ersten Schaltkreisteil 10 und dem zweiten Schaltkreisteil 20 ausgestattet
ist, dessen Betrieb vom Steuerteil 10 gesteuert wird, wobei
sich die elektronische Vorrichtung durch die folgenden Punkte auszeichnet:
Der
Steuerteil 10 und der Treiberteil 20 sind auf
der Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 des Leiterrahmens angeordnet.
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Der
Steuerteil 10 ist in elektrischer Verbindung mit den ersten
Leiterteilen 51 des Leiterrahmens über die Bonddrähte 60 und
der Treiberteil 20 ist mit den zweiten Leiterteilen 52 des
Leiterrahmens über
die Bonddrähte 60 elektrisch
verbunden.
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Der
Steuerteil 10, der Treiberteil 20, die jeweiligen
Bonddrähte 60,
der Inselteil 850, die ersten Leiterteile 51 und
die zweiten Leiterteile 52 sind durch das Gießharz 70 eingegossen,
so dass sie einstückig
zusammengefasst sind.
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Die
ersten Leiterteile 51 und die zweiten Leiterteile 52 sind
so angeordnet, dass sie sich in einer Richtung parallel zur Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 erstrecken und die Spitzen der jeweiligen
Leiterteile 51 und 52 stehen von dem Gießharz 70 vor.
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Somit
ist die elektronische Vorrichtung 800 dieser Ausführungsform
durch diese Punkte ausgezeichnet, der Steuerteil 10 und
der Treiberteil 20 sind auf der Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 des Leiterteils angeordnet und der Steuerteil 10 und
der Treiberteil 20 sind über die Bonddrähte 60 mit
den jeweiligen Leiterteilen 51 und 52 elektrisch verbunden
und diese Teile werden von dem Gießharz 60 vergossen,
so dass sie zu einer Einheit zusammengefasst oder integriert sind.
Damit kann die elektronische Vorrichtung 800 in ihrer Größe verringert werden.
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Weiterhin
ist gemäß obiger
Beschreibung die Verbindung zwischen der elektronischen Vorrichtung 800 und
dem externen Teil, d. h. der Treibereinheit 801 durch Verbinden
der ersten Leiterteile 51 in Verbindung mit dem Steuerteil 10 mit
der elektrischen Energieversorgung 860 und dem Schalter über den Verbinder 830 und
durch Verbinden der zweiten Leiterteile 52 in Verbindung
mit dem Treiberteil 20 mit dem Motor 810 als Stellglied
realisiert.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 800 dieser Ausführungsform
sind die ersten Leiterteile 51 und die zweiten Leiterteile 52 so
angeordnet, dass sie sich in einer Richtung parallel zur Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 erstrecken und die Spitzen der jeweiligen
Leiterteile 51 und 52 stehen von dem Gießharz 70 vor.
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Aus
diesem Grund kann die elektronische Vorrichtung 800 derart
aufgebaut werden, dass die jeweiligen Leiterteile 51 und 52 nicht
in der Dickenrichtung des Inselteils 850 vorstehen, d.
h. in Richtung der Dicke der Vorrichtung. Damit kann die Vorrichtung
kleiner gemacht werden.
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Weiterhin,
wenn die elektronische Vorrichtung 800 in dem Stellglied
oder Motor angeordnet wird, kann die elektronische Vorrichtung 800 geeignet
mit einem externen Teil über
die Spitzen der jeweiligen Leiterteile 51 und 52 verbunden
werden, welche von dem Gießharz 70 vorstehen.
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Somit
ist es bei dieser Ausführungsform
bei der elektronischen Vorrichtung 800 mit dem Steuerteil 10 und
Trei berteil 20 möglich,
die Vorrichtung zu verkleinern und den Befestigungsraum, wo die
Vorrichtung in dem Stellglied anzuordnen ist, besser zugänglich zu
machen.
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Wenn
weiterhin wie oben beschrieben bei der Halbleitervorrichtung 800 dieser
Ausführungsform
der Motor gestoppt wird, werden alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24,
welche die H-Brücke
bilden, in den Zustand AUS gebracht und wenn die Glasscheibe nach
oben (oder unten) bewegt wird, werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23 in den
Zustand EIN gebracht (in den Zustand AUS, wenn die Scheibe nach
unten bewegt wird) und die beiden anderen MOS-Elemente 22 und 24 werden
in den Zustand AUS gebracht (in den Zustand EIN, wenn die Scheibe
nach unten bewegt wird).
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Angesichts
dieser Betriebsbedingungen sind bei der Halbleitervorrichtung 800 gemäß 25 die vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 derart
angeordnet, dass einander benachbarte Leistungs-MOS-Elemente niemals
gleichzeitig in dem EIN-Zustand sind.
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Mit
anderen Worten, wie in 25 gezeigt, sind
die Leistungs-MOS-Elemente, welche in den Zustand EIN (Zustand AUS)
gebracht werden, wenn das Fenster aufwärts bewegt wird (wenn das Fenster abwärts bewegt
wird) und die Leistungs-MOS-Elemente,
welche in den Zustand AUS gebracht werden (Zustand EIN), wenn das
Fenster aufwärts
bewegt wird (abwärts
bewegt wird) alternierend angeordnet.
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Weiterhin
sind bei dieser Anordnung der Leistungs-MOS-Elemente dieser Ausführungsform die vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 so
angeordnet, dass, wenn wenigstens eines der vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den Zustand EIN gebracht wird, gleichzeitig eines der benachbarten Leistungs-MOS-Elemente
in den Zustand EIN und das andere in den Zustand AUS gebracht wird.
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Bei
dieser Anordnung werden somit benachbarte Leistungs-MOS-Elemente
der vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 nicht
gleichzeitig in den EIN-Zustand gebracht. Somit ist es möglich, einen örtlichen
Aufbau oder eine Ansammlung von Wärme so weit als möglich zu
verhindern. Weiterhin ist es bevorzugt möglich, einen Aufbau zu realisieren, bei
dem die Wärme
der Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 weit über die
Verdrahtungskarte 40 verteilt und dann auf den Inselteil 40 abgegeben
werden kann.
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<Neunte Ausführungsform>
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30 zeigt schematisch in Draufsicht eine elektronische
Vorrichtung 900 mit dem Steuerteil und dem Treiberteil 20 gemäß der neunten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Nachfolgend werden unterschiedliche
Punkte zwischen dieser Ausführungsform
und der achten Ausführungsform
näher beschrieben.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung der achten Ausführungsform gemäß den 25 und 26 haben
das Steuerteil 10 und das Treiberteil 20 die gemeinsame
Verdrahtungskarte 40 und diese Verdrahtungskarte 40 ist
auf der Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 angeordnet.
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Im
Gegensatz hierzu haben bei der elektronischen Vorrichtung 900 der
neunten Ausführungsform gemäß 30 das Steuerteil 10 und das Treiberteil 20 unterschiedliche
Verdrahtungskarten 41 bzw. 42.
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Das
heißt,
in dieser Ausführungsform
sind die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42,
welche separat voneinander sind, auf die Befestigungsoberfläche 850a des
Inselteils 850 angeordnet. Das Steuerteil 10 wird
aus der ersten Verdrahtungskarte 41 gebildet und das Treiberteil 20 aus
der zweiten Verdrahtungskarte 42.
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Mit
anderen Worten, bei dieser Ausführungsform
weist das Steuerteil 10 die Steuerelemente, also beispielsweise
den Mikrocomputer 11, das Steuer-IC 12, den Transistor 813 und
die Kondensatoren 814 auf, ist aus diesen elektronischen
Elementen 11, 12, 813 und 814 und
der ersten Verdrahtungskarte 41, welche diese elektronischen
Elemente 11, 12, 813 und 814 trägt, aufgebaut.
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Weiterhin
enthält
der Treiberteil 20 die Treiberelemente, beispielsweise
Leistungs-MOS-Elemente und IGBTs und ist aus diesen Treiberelementen
und der zweiten Verdrahtungskarte 42 mit diesen Treiberelementen
hierauf aufgebaut.
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Gemäß 30 sind die erste Verdrahtungskarte 41,
welche den Steuerteil 10 bildet, und die zweite Verdrahtungskarte 42,
welche den Treiberteil 20 bildet, miteinander über Bonddrähte 60 verbunden
und in elektrischer Verbindung.
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Als
erste Verdrahtungskarte 41 kann hierbei eine keramische
laminierte Karte durch Laminieren von zwei oder mehr Schichten oder
eine gedruckte Schaltkreiskarte verwendet werden. Andererseits kann
eine Dickfilmverdrahtungskarte aus einer einzelnen Keramikschicht
oder durch beispielsweise zwei laminierte Keramikschichten gebildet
als zweite Verdrahtungskarte 42 verwendet werden.
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Weiterhin
ist es bei der elektronischen Vorrichtung 900 dieser Ausführungsform
bevorzugt, wenn die erste Verdrahtungskarte 41 eine Mehrschichtkarte
und die zweite Verdrahtungskarte 42 eine einschichtige
Karte ist. Weiterhin sind diese zweiten Verdrahtungskarten 41 und 42 bevorzugt Alumi niumoxidkarten,
welche eine ausgezeichnete Wärmeabstrahlung
haben.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 900 hat der Steuerteil 10 einen
komplexeren Aufbau im Vergleich zu der H-Brücke
des Treiberteils 20. Zur Verkleinerung der Vorrichtung
ist es bevorzugt, für
die erste Verdrahtungskarte 41 im Steuerteil 10 eine Mehrschichtkarte
zu verwenden, bei der Verdrahtungen etc. dreidimensional aufgebaut
werden können.
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Wenn
jedoch separate Verdrahtungskarten 41 und 42 für das Steuerteil 10 und
das Treiberteil 20 verwendet werden, führt die Verwendung von Mehrschichtkarten
für beide
Verdrahtungskarten 41 und 42 zu erhöhten Kosten.
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Wenn
daher eine Mehrschichtkarte für
die erste Verdrahtungskarte 41 des Steuerteils 10 und eine
einschichtige Karte, welche billiger als die Mehrschichtkarte ist,
für die
zweite Verdrahtungskarte 42 im Treiberteil 20 verwendet
wird, ergibt sich ein Kostenvorteil.
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Weiterhin
sind bei dieser Ausführungsform die
separaten Verdrahtungskarten wie bei der ersten Ausführungsform
verwendet, jedoch erfolg die elektrische Verbindung zwischen den
beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 durch die
Bonddrähte 60,
um den Größenanstieg
auf Grund der Verwendung von separaten Verdrahtungskarten so gering
als möglich zu
halten.
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Weiterhin
sind bei der elektronischen Vorrichtung 900 dieser Ausführungsform
gemäß 30 die zweiten Leiterteile 52 als mehrere
Teile unterschiedlicher Dicke ausgeführt.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 900 dieser Ausführungsform
treibt der Treiberteil 20 den Motor 810 des Stellglieds
und hat somit einen größeren Stromdurchfluss
im Vergleich zum Steuerteil 10. Wenn daher Teile gleicher
Dicke für
die zweiten Leiterteile 52 verwendet werden, müssen von
den zweiten Leiterteilen 52 diejenigen Leiterteile, welche
mit Abschnitten verbunden werden, durch welche hoher Strom fließt, mehrfach
verwendet werden.
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Wenn
gemäß 30 Teile unterschiedlicher Dicke für die zweiten
Leiterteile verwendet werden, können
die vergleichsweise dickeren Leiterteile als die Leiterteile für einen
höheren
Stromfluss verwendet werden. Aus diesem Grund können die Leiterteile für den großen oder
hohen Strom anzahlmäßig verringert
werden, was den Vorteil einer Verkleinerung der Vorrichtung mit
sich bringt.
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Hierbei
sind in 30 Leiterteile 853 entlang der
oberen Seite und der unteren Seite des Inselteils 850 die
Leiterteile für
eine Überprüfung, welche
in keinerlei Verbindung stehen, wenn die Vorrichtung in dem Stellglied
verwendet wird.
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Wenn
weiterhin eine Mehrzahl von Teilen unterschiedlicher Dicke für die zweiten
Leiterteile 52 bei der elektronischen Vorrichtung 800 der
achten Ausführungsform
verwendet wird, ergibt sich der gleiche Vorteil.
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[Abwandlungen]
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In
den obigen Ausführungsformen
erfolgten die Beschreibungen unter der Annahme, dass die elektronische
Vorrichtung der Erfindung bei dem HIC zum Antrieb des Antriebsmotors
für ein
elektrisch betätigtes
Fenster angewendet wird; es ist jedoch nicht beabsichtigt, dass
die Anwendung der elektronischen Vorrichtung der Erfindung auf diesen
Anwendungszweck beschränkt
ist.
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Die
Erfindung in Form der elektronischen Vorrichtung mit dem Steuerteil
und dem Treiberteil zeichnet sich dadurch aus, dass beide Teile
auf der Befestigungsoberfläche
des Inselteils angeordnet sind; der Steuerteil und der Treiberteil
sind elektrisch mit den ersten Leiterteilen und den zweiten Leiterteilen
des Leiterrahmens über
die Bonddrähte
verbunden; der Steuerteil, der Treiberteil, die jeweiligen Bonddrähte, der
Inselteil und die ersten und zweiten Leiterteile sind mit dem Kunstharz
vergossen; und die ersten und zweiten Leiterteile sind so angeordnet, dass
sie sich in eine Richtung parallel zur Befestigungsoberfläche des
Inselteils 850 erstrecken, und ihre Spitzen stehen von
dem Kunstharz vor. Es versteht sich, dass die Erfindung in anderen
Punkten je nach Bedarf abgewandelt werden kann.
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<Zehnte Ausführungsform>
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Eine
zehnte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung mit
einer Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen, die mit Bonddrähten verbunden
sind, und betrifft insbesondere eine elektronische Vorrichtung,
durch welche ein hoher Strom läuft
und bei der die Verbindungsanschlüsse mit externen Teilen durch
Schweißen
verbunden sind.
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Obgleich
die Erfindung bzw. diese Ausführungsform
nicht auf diese Anwendung beschränkt sein
soll, wird nachfolgend eine elektronische Vorrichtung 1000 dieser
Ausführungsform
unter der Annahme beschrieben, dass diese elektronische Vorrichtung 1000 bei
einem HIC (hybrider integrierter Schaltkreis) zum Antreiben und
Steuern eines Motors (vgl. 28)
bei einem Fensterheber eines Fahrzeugs angewendet wird.
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31 ist eine schematisch Draufsicht auf die elektronische
Vorrichtung 1000 gemäß der zehnten
Ausführungsform
der Erfindung. 32 ist eine Darstellung, die
im Schnitt den Aufbau der elektronischen Vorrichtung 1000 von 31 zeigt. weiterhin sind die 33A und 33B vergrößerte Schnittdarstellungen,
um Details von Verbindungsanschlüssen
als Signalanschluss und als Stromanschluss 51, 52 bei
dieser elektronischen Vorrichtung 1000 zu zeigen.
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[Aufbau der Vorrichtung]
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Gemäß 31 weist die elektronische Vorrichtung 100 dieser
Ausführungsform
im wesentlichen den ersten Schaltkreisteil 10, den zweiten Schaltkreisteil 20 und
eine Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52 auf,
welche über
Bonddrähte 60 bzw. 1061 mit
dem ersten Schaltkreisteil als erstem elektrischen Element 10 und
dem zweiten Schaltkreisteil als zweitem elektrischen Element 20 verbunden
sind.
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In
dieser Ausführungsform
ist der erste Schaltkreisteil 10 als Steuerteil aufgebaut.
Dieser erste Schaltkreisteil 10 weist das erste elektronische Element
mit Steuerelementen wie dem Mikrocomputer 11 und dem Steuer-IC 12 auf.
Der erste Schaltkreisteil 10 ist aus diesen ersten elektronischen
Elementen 11 und 12 und der ersten Schaltkreiskarte 41 aufgebaut,
auf der diese elektronischen Elemente 11 und 12 angeordnet
sind.
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Die
Steuerelemente 11 und 12 werden hierbei unter
Verwendung eines Halbleiterherstellungsprozesses auf einer Halbleiterkarte
(Halbleiterchip), beispielsweise einer Siliziumhalbleiterkarte,
ausgebildet.
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Bei
dieser Ausführungsform
ist der zweite Schaltkreisteil 20 als Treiberteil aufgebaut,
der vom ersten Schalt kreisteil 10 als Steuerteil gesteuert
wird. Der zweite Schaltkreisteil 20 weist die zweiten elektronischen
Elemente, Treiberelemente, beispielsweise die Leistungs-MOS-Elemente 21, 22, 23, 24 und IGBTs
auf. Der zweite Schaltkreisteil 20 ist auf diesen zweiten
elektronischen Elementen 21 bis 24 etc. und der
zweiten Verdrahtungskarte 42 aufgebaut, auf der diese Elemente
angeordnet sind. Die zweiten elektronischen Elemente 21 bis 24,
welche den zweiten Schaltkreisteil 20 bilden, sind Leistungselemente, von
denen jedes einen größeren Stromdurchlauf
im Vergleich zu den ersten elektronischen Elementen 11 und 12 hat
und größere Wärme erzeugt.
Aus diesem Grund hat der zweite Schaltkreisteil 20 einen
größeren Stromdurchlauf
oder Stromverbrauch im Vergleich zum ersten Schaltkreisteil 10.
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In
dieser Ausführungsform
sind die zweiten elektronischen Elemente, welche den zweiten Schaltkreisteil 20 aus
vier Leistungs-MOS-Elementen 21, 22, 23 und 24 als
Leistungselemente aufgebaut. Diese Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 als Leistungselemente
und Treiberelemente werden von den Steuerelementen 11 und 12 gesteuert,
welche den ersten Schaltkreisteil 10 bilden.
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Die
jeweiligen elektronischen Elemente 11, 12, 21 bis 24,
welche die jeweiligen Schaltkreisteile 10 und 20 bilden,
wie in den 31 und 32 gezeigt,
sind an den jeweiligen Schaltkreiskarten 41 und 42 über die
Bonddrähte 60 und
(nicht gezeigte) Bondteile befestigt.
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Hierbei
ist der Aufbau der jeweiligen Elemente 11 und 12 sowie 21 bis 24 in
dem ersten Schaltkreisteil 10 bzw. dem zweiten Schaltkreisteil 20 gemäß den 31 und 32 nur
ein Beispiel, und die Aufbauten des ersten Schaltkreisteils 10 und
des zweiten Schaltkreisteils 20 sind nicht auf das in der Zeichnung
dargestellte Beispiel beschränkt.
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Somit
haben bei der elektronischen Vorrichtung 1000 dieser Ausführungsform
der erste Schaltkreisteil 10 und der zweite Schaltkreisteil 20 jeweils unterschiedliche
Verdrahtungskarten 41 und 42. Gemäß den 31 und 32 sind
die erste Schaltkreiskarte 41 und die zweite Schaltkreiskarte 42,
welche voneinander getrennt sind, auf dem Inselteil 850 eines
Leiterrahmens angeordnet.
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Hierbei
sind die jeweiligen Verdrahtungskarten 41 und 42 auf
dem Inselteil 850 über
einen Kleber aus Harz (nicht gezeigt) befestigt, der elektrisch
isolierend ist und ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit
hat. Die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42 sind
miteinander über
Bonddrähte 60 verbunden.
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Als
erst Verdrahtungskarte 41 kann hierbei eine keramische
laminierte Karte aus drei oder mehr laminierten Schichten oder eine
gedruckte Schaltkreiskarte verwendet werden. Als zweit Verdrahtungskarte 42 kann
eine Dickfilmverdrahtungskarte aus einer einzelnen Schicht oder
annähernd
zwei keramischen laminierten Schichten vorteilhaft verwendet werden.
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Weiterhin
ist es bevorzugt, dass in der elektronischen Vorrichtung 1000 dieser
Ausführungsform als
erste Verdrahtungskarte 41, welche den ersten Schaltkreisteil 10 bildet,
eine mehrschichtige Karte verwendet wird und dass als zweite Verdrahtungskarte 42,
welche den zweiten Schaltkreisteil 20 bildet, eine einschichtige
Karte verwendet wird.
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Weiterhin
ist es bevorzugt eine Aluminiumoxidkarte für die ersten und zweiten Verdrahtungskarten 41 und 42 zu
verwenden, welche ausgezeichnete Wärmeabstrahleigenschaften hat.
Insbesondere kann eine Aluminiumoxid-Laminatkarte, welche eine hohe
Packungsdichte haben kann, als erste Verdrahtungskarte 41 verwendet
werden und eine dicke ein schichtige Aluminiumkarte, welche mit vergleichsweise
geringen Kosten hergestellt werden kann, kann als zweite Verdrahtungskarte 42 verwendet
werden.
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Die 34a und 34b sind
schematische Schnittdarstellungen, um den Aufbau der jeweiligen
Verdrahtungskarten 41 und 42 zu zeigen. 34A zeigt die erste Verdrahtungskarte 41 als Mehrschichtkarte
und 34B zeigt die zweite Verdrahtungskarte 42 als
Einzelschichtkarte.
-
In
dieser elektronischen Vorrichtung 1000 hat der erste Schaltkreisteil 10 als
Steuerteil einen komplexeren Aufbau im Vergleich zu dem zweiten Schaltkreisteil 20,
der der Treiberteil ist. Um somit die Vorrichtung zu verkleinern,
ist es bevorzugt, als erste Verdrahtungskarte 41 in dem
ersten Schaltkreisteil 10 eine Mehrschichtkarte zu verwenden,
bei der die Verdrahtungen dreidimensional aufgebaut werden können.
-
Wenn
jedoch separate unterschiedliche Verdrahtungskarten 41 und 42 für den ersten
Schaltkreisteil 10 und den zweiten Schaltkreisteil 20 verwendet
werden, führt
die Verwendung von Mehrschichtkarten für beide Verdrahtungskarten 41 und 42 zu
einem Kostenanstieg.
-
Wenn
somit die erste Verdrahtungskarte 41 zur Verwendung für den ersten
Schaltkreisteil 10 als Steuerteil als Mehrschichtkarte
ausgeführt
ist und die zweite Verdrahtungskarte 42 zur Verwendung
für den zweiten
Schaltkreisteil 20 als Treiberteil als Einschichtkarte
ausgeführt
ist, welche im Vergleich zu einer Mehrschichtkarte preiswerter ist,
ergibt sich ein Kostenvorteil.
-
Während die
separaten Verdrahtungskarten bei dieser Ausführungsform verwendet werden,
sind die beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 durch
die Bonddrähte 60 elektrisch verbunden,
um eine Vergrößerung der
Vorrichtung auf Grund der Verwendung der separaten Verdrahtungskarten
weitestgehend in Grenzen zu halten.
-
Insbesondere
erfolgt bei dieser Ausführungsform
die elektrische Verbindung zwischen den beiden Verdrahtungskarten 41 und 42 durch
vergleichsweise dünne
Bonddrähte 60 aus
Au. Eine Vergrößerung der
Vorrichtung kann hiermit besonders wirksam unterdrückt werden.
-
Wie
weiterhin in den 31 und 32 gezeigt,
ist eine Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52 um
den Inselteil 850 des Leiterrahmens herum angeordnet. Hierbei
können
die Verbindungsanschlüsse 51 und 52 zusammen
mit dem Inselteil 850 unter Verwendung eines üblichen
Leiterrahmens aus Cu (Kupfer), Fe (Eisen) oder einer 42-Legierung gebildet
werden.
-
Es
sei hier angenommen, dass aus der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52 die
Verbindungsanschlüsse 51,
welche aus dem ersten Schaltkreisteil 10 durch die Bonddrähte 60 elektrisch
verbunden sind, die ersten Verbindungsanschlüsse 51 sind und dass
die Verbindungsanschlüsse 52,
welche mit dem zweiten Schaltkreisteil 20 durch die Bonddrähte 1061 elektrisch
verbunden sind, die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 sind.
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Für die ersten
Verbindungsanschlüsse 51 werden
Drähte 60 aus
Au (Gold) als Bonddrähte 60 verwendet,
und für
die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 werden
Drähte 1061 aus
Al (Aluminium) und dicker als die Au-Drähte 60 als Bonddrähte 1061 verwendet.
-
Der
Durchmesser eines Al-Drahtes 1061 liegt beispielsweise
zwischen 250 μm
bis 500 μm, und
der Durchmesser des Au-Drahtes 60 beträgt beispielsweise zwischen
20 μm und
30 μm. Die
Al-Drähte 1061 werden
beispielsweise durch ein Teilbondverfahren ausgebildet, und die
Au-Drähte 60 werden beispielsweise
durch ein Kugelbondverfahren ausgebildet.
-
Bei
der elektronischen Vorrichtung 1000 dieser Ausführungsform
hat gemäß 33A der erste Verbindungsanschluss 51,
der im Vergleich mit dem Au-Draht 60 ist, einen nichtelektrolytisch
Ni-platierten Film 1053 auf seiner gesamten Oberfläche und
einen Ag-platierten Film 1054 als oberste Schicht auf dem nichtelektrolytisch
Ni-platierten Film 1053 an dem Verbindungsteil in Verbindung
mit dem Au-Draht 60.
-
Wie
weiterhin in 33B gezeigt, hat der zweite
Verbindungsanschluss 52, der mit dem Al-Draht 1061 verbunden
ist, auf seiner gesamten Oberfläche
einen nichtelektrolytisch Ni-platierten Film 1053.
-
Wie
oben beschrieben, können
die Verbindungsanschlüsse 51 und 52 aus
einem Leiterrahmen gebildet werden.
-
Als
Basismaterial wird Cu, Fe oder eine 42-Legierung verwendet und verschiedene
platierte Filme 1053 und 1054 gemäß obiger
Beschreibung werden auf der Oberfläche dieses Basismaterials ausgebildet.
-
In
diesem Zusammenhang sind in 31 und
in 32 der nichtelektrolytische platierte Film 1053 nicht
gezeigt, jedoch sind die Ag-platierten Filme 1054 am ersten
Verbindungsanschluss 51 gezeigt. In 31 sind
die Ag-platierten Filme 1054 schraffiert dargestellt, um
ihre Identifikation zu erleichtern, d. h. diese schraffierten Bereiche
zeigen keine Schnitte.
-
Weiterhin
dienen beispielsweise die ersten Verbindungsanschlüsse 51 in
Verbindung mit dem ersten Schaltkreisteil 10 als Signalanschlüsse der Steuerelemente 11 und 12,
und die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 in Verbindung
mit dem zweiten Schaltkreisteil 20 wirken als Stromanschlüsse für die Treiberelemente 21 bis 24 oder
als Verbindungsanschlüsse
in Verbindung mit dem Motor (vgl. 28), um
den Motor anzutreiben.
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Wie
weiterhin in 34A gezeigt, ist in der ersten
Verdrahtungskarte 41 als Mehrschichtkarte, beispielsweise
als laminierte Aluminiumoxidkarte, ein Kissen 1043 in Verbindung
mit dem Au-Draht 60 auf einer Verdrahtung 1044 ausgebildet,
welche auf der ersten Verdrahtungskarte 41 ausgebildet
und aus Cu gemacht ist. Dieses Kissen 1043 ist ein Au-platierter Film,
der auf der Verdrahtung 1044 ausgebildet worden ist. Dieser
Aufbau des Bondens des Kissens 1043 aus dem Au-platierten
Film an den Au-Draht 60 liefert eine hohe Bondzuverlässigkeit.
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Wie
weiterhin in 34b gezeigt, ist in der zweiten
Verdrahtungskarte 42 als einschichtiger Karte beispielsweise
als dicker einschichtiger Aluminiumoxidkarte, ein Kissen 1045 in
Verbindung mit dem Au-Draht 60 auf einem Ag-Pt-Film (Legierung
aus Silber und Platin) ausgebildet, der wiederum auf der zweiten
Verdrahtungskarte 42 ausgebildet ist.
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Wie
in 34B gezeigt, ist bei der zweiten Verdrahtungskarte 42 weiterhin
ein Kissen 1047 in Verbindung mit dem Al-Draht 1061 auf
einem leitfähigen
Film aus Ag-Pt oder Ag-Pd (Legierung aus Silber und Palladium) ausgebildet.
Dieses Kissen 1047 ist hierbei auf einem Film ausgebildet,
der gebildet wird durch Laminieren eines Ag-Pt-Films 1048 und
eines Ag-Pd-Films 1046 nacheinander auf der zweiten Verdrahtungskarte 42.
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Die
Verbindung zwischen dem leitfähigen Ag-Pt-Film
oder dem leitfähigen
Ag-Pd-Film und dem nichtelektrolytisch Ni-platierten Film ist eine Struktur, welche
für eine
Al-Dick drahtbondierung geeignet ist und einen hohen Stromdurchlauf
sicherstellen kann.
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Auf
diese Weise kann bei den jeweiligen Verdrahtungskarten 41 und 42 die
Anwendung der oben beschriebenen Aufbauten der Kissen ein geeignetes Bonden
der Kissen 1043, 1045 und 1047 an die Au-Drähte 60 und
die Al-Drähte 1061 sicherstellen.
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Wie
in den 31 und 32 gezeigt,
sind bei der elektronischen Vorrichtung 1000 die Verbindungsteile
zu den Bonddrähten 60 und 1061 im
ersten Schaltkreisteil 10, dem zweiten Schaltkreisteil 20, die
jeweiligen Bonddrähte 60, 1061,
der Inselteil 850 und die ersten und zweiten Verbindungsanschlüsse 51 und 52 durch
das Gießharz 70 eingegossen.
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Hierbei
ist gemäß 32 an dem Inselteil 850 eine Bodenfläche gegenüber einer
oberen Oberfläche
mit den beiden Schaltkreisteilen 10 und 20 hierauf,
d. h. gegenüber
der Befestigungsoberfläche frei
von dem Gießharz 70.
Mit diesem Aufbau wird in der elektronischen Vorrichtung 1000 erzeugte
Wärme von
diesem frei liegenden Abschnitt des Inselteils 850 nach
außen
hin abgestrahlt, so dass die Wärmeabstrahlung
der Vorrichtung verbessert werden kann.
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Das
Inselteil 850 der elektronischen Vorrichtung 1000 hat
somit die Funktion einer Wärmesenke.
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Hierbei
ist dieser Inselteil 850 einstückig mit dem Leiterrahmen ausbildbar,
wie in 31 gezeigt, kann jedoch auch
durch Bereitstellen einer zum Leiterrahmen separaten Wärmesenke
und durch Befestigen der Wärmesenke
an dem Leiterrahmen durch Verstemmen oder Schweißen oder dergleichen gebildet
werden.
-
Das
heißt,
der Inselteil 850 dieser Ausführungsform weist auch eine
Wärmesenke
oder Wärmeabstrahlplatte
aus Cu, Fe oder Al auf, welche üblicherweise
für eine
Halbleitervorrichtung verwendet wird.
-
Dieser
Inselteil, die Wärmesenke
und die Wärmeabstrahlplatte
des Leiterrahmens dienen nicht nur als Befestigungsbauteil für die Teile
der Vorrichtung, sondern auch als Wärmeabstrahlteil.
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Diese
elektronische Vorrichtung 1000 wird in der Angriffseinheit
des Fensterhebers angeordnet. Beispielsweise sind bei der elektronischen
Vorrichtung 1000 die erste Verdrahtungskarte 41 und
die zweite Verdrahtungskarte 42, deren Anschlüsse von dem
Gießharz 70 vorstehen,
elektrisch mit dem Verbinder und dem Motor der Antriebsvorrichtung
(siehe 28) verbunden.
-
Die
Verbindung zwischen dem ersten Verbindungsanschluss 51 und
dem Verbinder und die Verbindung zwischen dem zweiten Verbindungsanschluss 52 und
dem Motor erfolgen durch Schweißen oder
Löten.
Auf diese Weise wird die elektronische Vorrichtung 1000 in
die Antriebseinheit eingesetzt und betreibt und steuert den Motor.
-
Die
elektronische Vorrichtung 1000 kann wie folgt hergestellt
werden: Bereitstellung eines Leiterrahmens mit den wie oben beschriebenen
Materialplatierungen; Anordnung der jeweiligen Verdrahtungskarten 41 und 42,
die die jeweiligen elektronischen Elemente 11, 12 und 21 bis 24 tragen,
auf der Befestigungsoberfläche
des Inselteils 850; Bonden der jeweiligen elektronischen
Elemente 11, 12 und 21 bis 24 mit
den Verbindungsanschlüssen 51 und 52, die
um den Inselteil 850 herum angeordnet sind mit den Au-Drähten 60 und
den Al-Drähten 1061 und Vergießen dieser
Anordnung mit Harz.
-
[Schaltkreisaufbau und
-betrieb]
-
Der
Schaltkreisaufbau und der Betrieb der elektronischen Vorrichtung 1000 dieser
Ausführungsform
wird nun unter Bezugnahme auf die 28 und 29A bis 29D beschrieben. 28 ist ein schematischer Schaltkreis der elektronischen
Vorrichtung 800. Die 29A bis 29D zeigen EIN/AUS-Zustände von Gateeingängen der
jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 im
Betriebszustand des Motors in 28.
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Im
Schaltkreisaufbau von 28 ist der erste Schaltkreisteil 10 als
Steuerteil im Wesentlichen aufgebaut aus dem Mikrocomputer 11 und
dem Steuer-IC 12 mit einem Steuerschaltkreis 13,
einem Treiberschaltkreis 14 und einem Komparator 15.
Der zweite Schltkreisteil 20 als Treiberteil ist aus den
vier Leistungs-MOS-Elementen 21, 22, 23 und 24 aufgebaut.
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Die
vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 bilden einen
H-Brücken-Schaltkreis.
Weiterhin ist in der elektronischen Vorrichtung 1000 der
oben beschriebene Motor 810 zum Antrieb der Fensterscheibe
und die elektrische Energieversorgung 860 der Vorrichtung
vorgesehen.
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Bei
dieser elektronischen Vorrichtung 1000 wird ein Befehl
von einem Mikrocomputer (nicht gezeigt) über eine Verbindung (beispielsweise
LIN) an den Mikrocomputer 11 übertragen und der Mikrocomputer 11 steuert
die jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 über den
Steuerschaltkreis 13 und den Treiberschaltkreis 14 abhängig von
dem Befehl. Der Ausgang vom Treiberschaltkreis 14 wird
den Gates der jeweiligen Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 eingegeben.
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Hierbei
bewegt der Motor 810 die Fensterscheibe des Fahrzeugs nach
oben und unten und die Zustände
von Gateein gängen
zu den Zeiten, zu denen der Motor gestoppt ist, zu denen das Fenster nach
oben bewegt wird und zu denen die Fensterscheibe nach unten bewegt
wird, sind in den 29A bis 29D gezeigt.
-
Das
heißt,
gemäß den 29A bis 29D werden,
wenn der Motor gestoppt ist, alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den Zustand AUS gebracht und wenn das Fenster nach oben bewegt wird,
werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23,
die auf einer Diagonale des H-Brücken-Schaltkreises
liegen, in den Zustand EIN gebracht, wohingegen die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24,
die auf der anderen Diagonale liegen in den Zustand AUS gebracht
werden.
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Wenn
weiterhin das Fenster nach unten bewegt wird, werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23,
die auf einer Diagonale des H-Brücken-Schaltkreises
liegen, in den Zustand AUS gebracht, wohingegen die beiden Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24,
die auf der anderen Diagonale liegen, in den Zustand EIN gebracht
werde. Mit anderen Worten, wenn das Fenster nach oben bewegt wird und
wenn das Fenster nach unten bewegt wird, wird ein durch den Motor 810 laufender
Strom von dem H-Brücken-Schaltkreis
umgekehrt und somit wird auch der Motor 810 entgegengesetzt
gedreht.
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Weiterhin
vergleicht der Komparator 15 die Motordrehinformation,
die beispielsweise von einem (nicht gezeigten) Hall-Sensor kommt,
mit dem Befehl des Mikrocomputers 11 und koppelt ein Signal
abhängig
von den Bedingungen auf den Steuerschaltkreis 13 zurück. Hiermit
kann eine geeignete Steuerung durchgeführt werden.
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[Effekte]
-
Bei
dieser Ausführungsform
wird die elektronische Vorrichtung 1000 geschaffen, welche
ausgestattet ist mit dem ersten Schaltkreisteil 10, dem zweiten
Schaltkreisteil 20 und der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52,
welche über
die Bonddrähte 60 und 1061 mit
dem ersten Schaltkreisteil 10 und dem zweiten Schaltkreisteil 20 verbunden sind;
diese elektronische Vorrichtung zeichnet sich in den folgenden Punkten
aus:
Aus der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52 werden
für die
ersten Verbindungsanschlüsse 51,
die mit dem ersten Schaltkreisteil 10 verbunden sind, die
Au-Drähte 60 als
Bonddrähte
verwendet und für
die zweiten Verbindungsanschlüsse 52,
welche mit dem zweiten Schaltkreisteil 20 verbunden sind,
werden die Al-Drähte 1061,
welche dicker als die Au-Drähte 60 sind,
als Bonddrähte
verwendet.
-
Jeder
der ersten Verbindungsanschlüsse 51 hat
den nichtelektrolytisch Ni-platierten Film auf der Oberfläche und
den Ag-platierten Film als oberste Schicht auf dem nichtelektrolytisch
Ni-platierten Film des Verbindungsteils, der mit dem Au-Draht 60 in Verbindung
ist. Jeder der zweiten Verbindungsanschlüsse 52 hat auf der
Oberfläche
den nichtelektrolytisch Ni-platierten Film.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 1000 dieser Ausführungsform
mit den obigen Punkten haben die ersten Verbindungsanschlüsse 51 und
die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 auf
ihren Oberflächen den
nichtelektrolytisch Ni-platierten Film und können somit durch Schweißen auf
geeignete Weise mit externen Teilen verbunden werden.
-
Weiterhin
ist in jedem der ersten Verbindungsanschlüsse 51 die Oberfläche des
Verbindungsteils in Verbindung mit dem Au-Draht 60 mit
Ag platiert und somit kann der Au-Draht 60 geeignet mit der
Oberfläche
gebondet werden. In jedem der zweiten Verbindungsanschlüsse 52 ist
die Oberfläche nichtelektrolytisch
mit Ni platiert und somit kann der Al-Draht 1061 geeignet mit dieser
Oberfläche
gebondet werden.
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Zur
Verbindung der ersten Verbindungsanschlüsse 51 können die
vergleichsweise dünnen Au-Drähte 60 verwendet
werden, welche problemlos für
die Mehrzahl von Anschlussstiften verwendet werden können, da
vergleichsweise kleine Ströme fließen und
somit die Verbindung zum ersten Schaltkreisteil herstellbar ist.
Die vergleichsweise dicken Al-Drähte 1061 können zur
Verbindung der zweiten Verbindungsanschlüsse 52 mit dem zweiten
Schaltkreisteil 20 verwendet werden, wobei hier die relativ großen Ströme fließen. Mit
anderen Worten, es ist möglich,
einen Aufbau von Verbindungsanschlüssen entsprechend der Verwendung
der Drähte
zu ermöglichen.
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Bei
dieser Ausführungsform
ist es bei der elektronischen Vorrichtung mit der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52,
welche mit den Bonddrähten 60 und 1061 verbunden
sind und mit den externen Teilen durch Schweißen verbunden sind, möglich, den
Strom zu erhöhen
und die Anzahl der Verbindungsanschlüsse zu erhöhen, so dass eine Mehrfachstiftanordnung
auf geeignete Weise möglich
ist, wenn diese notwendig sein sollte.
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Weiterhin
werden bei dieser Ausführungsform
der dünne
Au-Draht 60 und der dicke Al-Draht 1061 passend
gemäß dem Verwendungszweck
eingesetzt, so dass es möglich
ist, den Einbauraum wirksam auszunutzen.
-
Da
weiterhin Materialien zur Platierung des Leiterrahmens zum Zeitpunkt
der Ausbildung der Verbindungsanschlüsse 51 und 52 geeignet
verwendet werden können,
ist es möglich,
einen Anstieg der Einzelteilezahl zu verhindern.
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Weiterhin,
was das Bonden der Al-Drähte 1061 und
der Au-Drähte 60 an
die Verbindungsanschlüsse
betrifft, so werden die dicken Al-Drähte 61 an die nichtelektrolytisch
Ni-platierten Filme
gebondet, so dass die Höhenlage
des Bondens der Al-Drähte 1061 zu
den Verbindungsanschlüssen gleich
und nicht niedriger als sonst ist.
-
Da
weiterhin die dünnen
Au-Drähte
an die Ag-platierten Filme gebondet werden, wird die Höhenlage
der Bondierung der Al-Drähte 1061 an
den Verbindungsanschlüssen
gleich wie bei einem herkömmlichen
monolithischen IC und nicht niedriger.
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Weiterhin
ist, wie oben beschrieben, bei der elektronischen Vorrichtung 1000 dieser
Ausführungsform
der zweite Schaltkreisteil 20 mit den zweiten elektronischen
Elementen 21, 22, 23 und 24 versehen,
von denen jedes einen größeren Stromdurchfluss
hat im Vergleich zu den ersten elektronischen Elementen 11 und 12,
welche den ersten Schaltkreisteil 10 bilden, so dass größere Wärme von
ihnen erzeugt wird.
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Genauer
gesagt, die ersten elektronischen Elemente sind Steuerelemente 11 und 12 und
die zweiten elektronischen Elemente sind Treiberelemente 21 bis 24,
welche von den Steuerelementen 11 und 12 gesteuert
werden. Hiermit hat der zweite Schaltkreisteil 20 einen
größeren Stromdurchlass oder
Stromdurchfluss im Vergleich zum ersten Schaltkreisteil 10.
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Wie
weiterhin oben beschrieben, zeichnet sich diese Ausführungsform
auch dadurch aus, dass: der erste Schaltkreisteil 10 und
der zweite Schaltkreisteil 20 entsprechend mit den ersten
Verdrahtungskarten 41 und den zweiten Verdrahtungskarten 42 versehen
sind, welche separat und zueinander unterschiedlich sind; die ersten
elektronischen Ele mente 11 und 12 sind auf der
ersten Verdrahtungskarte 41 angeordnet; und die zweiten
elektronischen Elemente 21 bis 24 sind auf der
zweiten Verdrahtungskarte 42 angeordnet.
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Bei
dieser Ausführungsform
sind die erste Verdrahtungskarte 41 und die zweite Verdrahtungskarte 42 entsprechend
auf dem Inselteil 850 angeordnet. Wie weiterhin oben beschrieben
wurde, ist die erste Verdrahtungskarte 41 eine Mehrschichtkarte und
die zweite Verdrahtungskarte 42 ist eine Einschichtkarte,
was hinsichtlich der Kartenkosten einen Vorteil bringt.
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Wie
weiterhin oben beschrieben worden ist, kann bei der elektronischen
Vorrichtung 1000 dieser Ausführungsform der Durchmesser
des Al-Drahtes 1061 zwischen 250 μm und 500 μm liegen, und der Durchmesser
des Au-Drahtes 60 kann zwischen 20 μm und 30 μm liegen. Drähte dieser Größe werden als
der Al-Dickdraht und der Au-Dünndraht
verwendet.
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Wie
weiterhin oben beschrieben wurde, werden bei der Halbleitervorrichtung 1000 dieser
Ausführungsform,
wenn der Motor gestoppt wird, alle vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24,
welche den H-Brücken-Schaltkreis
bilden, in den Zustand AUS gebracht, und wenn die Fensterscheibe
aufwärts (oder
abwärts)
bewegt wird, werden zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 23 in
den Zustand EIN gesetzt (Zustand AUS, wenn die Fensterscheibe abwärts bewegt
wird) und zwei Leistungs-MOS-Elemente 22 und 24 werden
in den Zustand AUS versetzt (Zustand EIN, wenn die Fensterscheibe
abwärts
bewegt wird).
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Angesichts
dieser Betriebsbedingungen sind bei dieser Halbleitervorrichtung 1000 gemäß 31 vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 so
angeordnet, dass einander benachbarte Leistungselemente niemals
gleichzeitig in den EIN-Zustand gebracht werden.
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Mit
anderen Worten, gemäß 31 werden die Leistungs-MOS-Elemente, welche in den EIN-Zustand
(AUS-Zustand) gebracht werden, wenn das Fenster nach oben bewegt
(wenn das Fenster nach unten bewegt) und die Leistungs-MOS-Elemente, welche
in den AUS-Zustand (EIN-Zustand) gebracht werden, wenn das Fenster
aufwärts
bewegt wird (wenn das Fenster abwärts bewegt wird) abwechselnd
angeordnet.
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Weiterhin
sind unter Bezug auf diese Anordnung der Leistungs-MOS-Elemente
bei dieser Ausführungsform
vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 so angeordnet,
dass: wenn wenigstens eines der vier Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 in
den EIN-Zustand gebracht wird, dann gleichzeitig eines der benachbarten
Leistungs-MOS-Elemente in den EIN-Zustand und das andere in den
AUS-Zustand gebracht wird.
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Mit
dieser Anordnung sind die benachbarten Leistungs-MOS-Elemente aus den vier Leistungs-MOS-Elementen 21 bis 24 niemals
gleichzeitig in den EIN-Zustand versetzt. Damit ist es möglich, die örtliche
Ansammlung von Wärme
so weit als möglich zu
vermeiden. weiterhin ist es möglich,
einen Aufbau zu realisieren, bei dem die Wärme der Leistungs-MOS-Elemente 21 bis 24 breitflächig auf
der zweiten Verdrahtungskarte 42 verteilt und an den Inselteil 850 abgegeben
werden kann.
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<Elfte Ausführungsform>
-
35 zeigt schematisch die Draufsicht auf eine elektronische
Vorrichtung 1100 gemäß einer
elften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Nachfolgend werden unterschiedliche
Punkte zwischen dieser Ausführungsform
und der zehnten Ausführungsform
näher beschrieben.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 1000 der zehnten Ausführungsform
haben gemäß den 31 und 32 der
erste Schaltkreisteil 10 und der zweite Schaltkreisteil 20 separate
unterschiedliche Verdrahtungskarten 41 bzw. 42 und
diese Verdrahtungskarten 41 und 42 sind auf der
Befestigungsoberfläche des
Inselteils 850 angeordnet.
-
Im
Gegensatz hierzu haben bei der elektronischen Vorrichtung 1100 dieser
Ausführungsform
der erste Schaltkreisteil und der zweite Schaltkreisteil 20 eine
gemeinsame Verdrahtungskarte 40 und diese Verdrahtungskarte 40 ist
auf der Befestigungsoberfläche
des Inselteils 850 angeordnet. Die ersten elektronischen
Elemente 11 und 12 und die zweiten elektronischen
Elemente 21 bis 24 sind auf der Verdrahtungskarte 40 angeordnet.
-
Die
Verdrahtungskarte 40 ist weiterhin an der Befestigungsoberfläche des
Inselteils 850 über
einen Kleber aus einem Harz mit elektrischer Isolierung und ausgezeichneter
thermischer Leitfähigkeit
befestigt. Als Verdrahtungskarte 40 kann eine keramische
laminierte Karte in Form einer Einzelschicht oder es kann eine Mehrzahl
von laminierten Schichten oder es kann eine gedruckte Schaltkreiskarte
verwendet werden.
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Bei
dieser Ausführungsform
besteht der erste Schaltkreisteil 10 im Wesentlichen aus
den ersten elektronischen Elementen 11 und 12 und
die Verdrahtungskarte 40 trägt diese elektronischen Elemente 11 und 12.
Der zweite Schaltkreisteil 20 besteht im Wesentlichen aus
den zweiten elektronischen Elementen 21 und 22 und
die Verdrahtungskarte 40 trägt diese elektronischen Elemente 21 und 22.
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Auch
in dieser Ausführungsform
sind wie im Fall der elektronischen Vorrichtung der ersten Ausführungsform
vier Leistungs-MOS-Elemente angeordnet, welche einen H-Brücken- Schaltkreis bilden. Jedoch
sind in 35 zwei Leistungs-MOS-Elemente 21 und 24 der
vier Elemente gezeigt, und die verbleibenden zwei Elemente sind
nicht gezeigt.
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Weiterhin
kann bei dieser Ausführungsform als
Konstruktion von Verbindungsteilen, welche mit Drähten 60 und 1061 bei
dieser gemeinsamen Verdrahtungskarte 40 verwendet werden,
die Anordnung von Kissen gemäß den 34A und 34B verwendet
werden, wenn diese Verdrahtungskarte 40 eine Mehrschichtkarte
ist oder wenn die Verdrahtungskarte 40 eine Einzelschichtkarte
ist.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 1100 dieser Ausführungsform
ist es wie im Fall der elektronischen Vorrichtung 1000 der
zehnten Ausführungsform
bei der elektronischen Vorrichtung mit der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52,
welche in Verbindung mit den Bonddrähten 60 und 1061 und mit
externen Teilen durch Schweißen
verbunden sind, möglich,
den Strom zu erhöhen
und die Anzahl der Verbindungsanschlüsse zu erhöhen, d. h. Mehrfachverbindungsstifte
können
auf geeignete Weise vorgesehen werden, wenn dies notwendig ist.
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<Zwölfte
Ausführungsform>
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Bei
den obigen Ausführungsformen
der 31 und 35 wurden
Anwendungen der Erfindung bei einer elektronischen Vorrichtung mit
einer Mehrzahl von Elementen 11 und 12 sowie 21 bis 24 beschrieben.
-
Die
Erfindung kann genauso gut bei einer elektronischen Vorrichtung
angewendet werden, welche mit einem Element ausgestattet ist, d.
h. einer sogenannten elektronischen Einzelchipvorrichtung.
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36 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine
elektronische Vorrichtung 1200 gemäß einer zwölften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Nachfolgend werden Punkte unterschiedlich zu den jeweiligen
Ausführungsformen
näher erläutert.
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Bei
dieser elektronischen Vorrichtung 1200 ist nur ein elektronisches
Element 1290 auf der Befestigungsoberfläche des Inselteils 850 angeordnet. Als
elektronisches Element 1290 kann beispielsweise ein intelligentes
Leistungs-MOSFET-Element
verwendet werden, bi dem ein Schaltkreisteil auf einem Halbleiterchip
hoch integriert ist.
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Der
erste Verbindungsanschluss 51 und der zweite Verbindungsanschluss 52 sind
um dieses elektronische Element 1290 herum angeordnet und Au-Drähte 60 sind
an die ersten Verbindungsanschlüsse 51 angebondet
und Al-Drähte 1061 sind
an die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 angebondet.
-
Was
nebenbei gesagt für
diese Ausführungsform
und die jeweiligen Ausführungsformen
gemeinsam gesagt werden kann, ist, dass in den elektronischen Vorrichtungen 1000, 1100, 1200,
von denen jede mit der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52 versehen
ist, welche mit den Bonddrähten 60, 1061 verbunden
sind, elektronische Vorrichtungen 1000, 1100 und 1200 geschaffen
sind, welche sich durch die folgenden Punkte auszeichnen:
Die
Bonddrähte 60 und 1061 sind
aus Au-Drähten 60 und
Al-Drähten 1061,
welche dicker als die Au-Drähte 60 sind.
Die Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52 wird
gebildet aus den ersten Verbindungsanschlüssen 51, die mit den
Au-Drähten 60 verbunden
sind, und den zweiten Verbindungsanschlüssen 52, die mit den
Al-Drähten 1061 verbunden
sind.
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Jeder
der ersten Verbindungsanschlüsse 51 hat
den nichtelektrolytisch Ni-platierten Film auf seiner Oberfläche und
den Ag-platierten Film als oberste Schicht auf dem nichtelektrolytisch
Ni-platierten Film an dem Verbindungsteil in Verbindung mit dem Au-Draht 60.
Jeder der zweiten Verbindungsanschlüsse 52 hat auf seiner
Oberfläche
den nichtelektrolytisch Ni-platierten Film (siehe 33A und 33B).
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Bei
den elektronischen Vorrichtungen 1000, 1100 und 1200,
welche sich durch diese Punkte auszeichnen, haben die ersten Verbindungsanschlüsse 51 und
die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 jeweils
auf den Oberflächen
die nichtelektrolytisch Ni-platierten Filme und können somit
mit externen Teilen durch Schweißen geeignet verbunden werden.
-
Weiterhin
ist in jedem der ersten Verbindungsanschlüsse 51 die Oberfläche des
Verbindungsteils, welche mit dem Au-Draht 60 zu verbinden ist,
mit Ag platiert, und somit kann der Au-Draht 60 geeignet
mit dieser Oberfläche
gebondet werden. Jeder der zweiten Verbindungsanschlüsse 52 hat
den nichtelektrolytisch Ni-platierten Film im wesentlichen auf der
gesamten Oberfläche,
und somit kann der Al-Draht 1061 geeignet an diese Oberfläche angebondet
werden.
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Auf
jeden Fall gibt es bei dieser Ausführungsform wie im Fall der
obigen Ausführungsformen die
ersten Verbindungsanschlüsse 51 für die Au-Drähte 60,
welche vergleichsweise dünn
und für eine
Mehrfachschichtbelegung geeignet sind, und die zweiten Verbindungsanschlüsse 52 für die Al-Drähte 1061,
welche vergleichsweise dick und geeignet für die Führung von hohem Strom sind.
Somit ist es möglich,
den Aufbau von Verbindungsanschlüssen
entsprechend dem Verwendungszweck der Drähte zu realisieren.
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Damit
ist es bei dieser Ausführungsform
bei der elektronischen Vorrichtung mit der Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen 51 und 52,
welche mit den Bonddrähten 60 und 1061 verbunden
sind und mit externen Teilen durch Schweißen verbunden sind, möglich, den
Strom zu erhöhen
und auch die Verbindungsanschlüsse
zahlenmäßig zu vergrößern, d.
h., eine Mehrfachstiftausgestaltung auf geeignete Weise bei Bedarf
zu ermöglichen.
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[Abwandlungen]
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Bei
den obigen Ausführungsformen
ist der erste Schaltkreisteil der Steuerteil und der zweite Schaltkreisteil
ist der Treiberteil, der vom ersten Schaltkreisteil gesteuert wird,
es ist jedoch lediglich notwendig, dass der zweite Schaltkreisteil
einen höheren
Stromdurchlauf im Vergleich zum ersten Schaltkreisteil hat.
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Weiterhin
kann, wie es in der zwölften
Ausführungsform
gezeigt ist, wenn die elektronische Vorrichtung aus einem Chip gebildet
ist, bei der Ausgestaltung der elektronischen Vorrichtung mit Bonddrähten, welche
aus vergleichsweise dünnen Au-Drähten und
den vergleichsweise dicken Al-Drähten
bestehen, bei der Verwendung von Verbindungsanschlüssen, welche
aus den ersten Verbindungsanschlüssen
für die
Au-Drähte und
den zweiten Verbindungsanschlüssen
für die
Al-Drähte bestehen,
dann die Erfindung angewendet werden.
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Obgleich
weiterhin die elektronische Vorrichtung gemäß der Erfindung in den jeweiligen
Ausführungsformen
unter der Annahme beschrieben wurde, dass die Vorrichtung für den HIC
zum Betrieb des Antriebsmotors eines elektrischen Fensterhebers
angewendet wird, versteht sich, dass die Anwendung der elektronischen
Vorrichtung gemäß der Erfindung nicht
auf den HIC beschränkt
ist.
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Die
Erfindung stellt sich als elektronische Vorrichtung mit einer Mehrzahl
von Verbindungsanschlüssen
dar, welche mit Bonddrähten
verbunden sind, und welche sich dadurch auszeichnen, dass: die Bonddrähte sind
gebildet aus Au-Drähten und Al-Drähten, die
dicker als die Au-Drähte
sind; die Mehrzahl von Verbindungsanschlüssen ist aufgebaut oder gebildet
aus ersten Verbindungsanschlüssen
in Verbindung mit den Au-Drähten
und zweiten Verbindungsanschlüssen
in Verbindung mit den Al-Drähten; jeder
der ersten Verbindungsanschlüsse
hat einen nichtelektrolytisch Ni-platierten Film auf seiner Oberfläche und
einen Ag-platierten Film als oberste Schicht auf dem nichtelektrolytisch
Ni-platierten Film an einem Verbindungsteil in Verbindung mit dem Au-Draht; und jeder
der zweiten Verbindungsanschlüsse
hat einen nichtelektrolytisch Ni-platierten Film auf seiner Oberfläche. Die
Erfindung kann selbstverständlich
in anderen Punkten je nach Bedarf abgewandelt werden.
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<Dreizehnte Ausführungsform>
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Eine
dreizehnte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung
mit einer Wärmesenke,
elektronischen Elementen, die auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke angeordnet
sind, einem Leiterrahmen, der um die elektronischen Elemente herum
angeordnet ist, und einem Gießharz,
welches annähernd
die gesamte Vorrichtung derart eingießt, dass die Bodenfläche der Wärmesenke
frei liegt, sowie weiterhin ein Verfahren zur Herstellung dieser
elektronischen Vorrichtung.
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Die 39A und 39B sind
Ansichten zur Darstellung eines Gießprozesses unter Verwendung
eines Gehäuses 200 als
Gußform
bei einem Herstellungsverfahren eines Vergleichsbeispiels. 39A ist eine schematische Schnittdarstellung und 39B ist eine Draufsicht auf 39A. Hierbei ist in 39B,
was das obere Formteil 220 betrifft, nur ein Teil des oberen
Formteils dargestellt, d. h. ein Druckabschnitt 1352a.
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Gemäß den 39A und 39B passt
in der Gussform oder dem Gussgehäuse 201 ein
oberes Formteil 220 mit einem unteren Formteil zusammen,
um einen Hohlraum 230 entsprechend der Form des Harzvergusses
zu bilden.
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In
diesem Hohlraum 230 wird ein integriertes Teil 101 eingelegt,
welches durch Anordnen von elektronischen Elementen 20 auf
der oberen Oberfläche einer
Wärmesenke 30 und
durch Anordnen eines Leiterrahmens 1330 um die elektronischen
Elemente 20 herum und durch Bonden der Wärmesenke 30 an Aufhängeleiter 1332 des
Leiterrahmens 1330 gebildet wird.
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Der
Bondabschnitt 1311 zum Bonden der Wärmesenke 30 an die
Aufhängeleiter 1332 wird durch
Stemmen oder Schweißen
gebildet, bevorzugt wird jedoch die Wärmesenke 30 mit dem
Leiterrahmen 1330 einstückig
gebildet, um die Bondabschnitte 1311 auszubilden.
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Weiterhin
liegt die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 nach
dem Vergießen
des Harzes von dem Gießharz
vor, um die Wärmeabstrahlung
der elektronischen Vorrichtung zu verbessern.
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Um
die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 freizulegen
oder frei zu halten, hat in dem Hohlraum 230 das obere
Formteil 220 der Gussform 201 den Druckabschnitt 1352a und
der Druckabschnitt 1352a drückt einen Teil der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 nieder,
so dass die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 gegen
das untere Formteil 210 in der Gussform 201 gedrückt wird.
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Das
Gießharz
wird in den Hohlraum 230 eingebracht, so dass in diesem
Zustand verhindert wird, dass das Harz die Bodenfläche der
Wärmesenke 30 erreicht,
so dass nach dem Gießvorgang
die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 frei
von dem Gießharz
ist.
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Bei
dem vergleichsweisen Herstellungsverfahren dieser Art wird ein Teil
der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30,
d. h. ein Teil der Befestigungsoberfläche, wo die elektronischen
Elemente 20 auf der Wärmesenke 30 angeordnet
werden, von dem Druckabschnitt 1352 der Gussform 201 niedergedrückt.
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Aus
diesem Grund ist der von dem Druckabschnitt 1352a niedergedrückte oder
niedergehaltene Abschnitt der Befestigungsoberfläche der Wärmesenke 30 ein Totraum,
so dass der Raum zur Anordnung der elektronischen Elemente 20 begrenzt
ist. Dies verhindert eine hohe Packungsdichte und erhöht Größe und Kosten
der Vorrichtung.
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Es
wird auch angedacht, einen Bondabschnitt 1311 der Wärmesenke 30 und
den Aufhängeleiter 1332 niederzudrücken, da
diese Teile nicht den Raum zur Anordnung von elektronischen Elementen 20 auf
der Wärmesenke 30 betreffen.
In diesem Fall gibt es jedoch die Möglichkeit, dass sich der Bondabschnitt 1311 durch
die Druckkraft zum Niederdrücken
oder Niederhalten des Leiterrahmens 1330 bezüglich der
Wärmesenke 30 verschiebt.
Somit wird bei dem herkömmlichen
Verfahren ein Teil der oberen Oberfläche der Wärmesenke 30 durch den
Druckabschnitt 1352a niedergedrückt oder niedergehalten.
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Angesichts
dieses Problems wurde die elektronische Vorrichtung 1300 gemäß der dreizehnten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung vorgeschlagen.
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Die 37A und 37B sind
Darstellungen zur Erläuterung
des schematischen Aufbaus der elektronischen Vorrich tung 1300 gemäß der dreizehnten
Ausführungsform. 37A ist eine schematische Schnittdarstellung und 37B eine Draufsicht auf 37A.
Dabei sind in den 37A und 37B die
Bonddrähte
weggelassen. In 37B ist die Außenform
des Gießharzes 70 gestrichelt
dargestellt.
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Obgleich
die vorliegenden Erfindung nicht auf diesen Anwendungsfall beschränkt werden
soll, kann die elektronische Vorrichtung 1300 dieser Ausführungsform
bei einem HIC (hybrider integrierter Schaltkreis; Hybrid-IC) zum
Betreiben des Antriebsmotors eines Fensterhebers in einem Kraftfahrzeug angewendet
werden.
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[Aufbau der Vorrichtung]
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Bei
dieser elektronischen Vorrichtung 1300 ist die Wärmesenke 30 aus
beispielsweise Cu (Kupfer) oder einem Metall auf Eisenbasis mit
ausgezeichneter Wärmeabstrahlleistung
und wird durch Pressen oder Formschneiden in Form einer flachen Platte
gebildet.
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Auf
der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 werden
elektronische Elemente 20 angeordnet. Im Beispiel von 37B sind sieben elektronische Elemente 20 vorgesehen.
Diese elektronischen Elemente 20 sind Halbleiterchips,
beispielsweise ein Heizelement und ein temperaturbegrenztes Element oder
andere oberflächenangeordnete
Bauteile, obgleich die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt sein
soll.
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Das
Heizelement ist hierbei ein elektronisches Element, welches auf
Grund eines hohen Betriebsstroms Wärme erzeugt und im Vergleich
zu dem temperaturbegrenzten Element einen höheren Stromdurchlauf oder höheren Stromverbrauch
hat, so dass es Wärme
erzeugt. Insbesondere umfasst das Heizelement ein Leistungselement,
beispielsweise ein Leistungs-MOS-Element oder einen IGBT (bipolaren
Transistor mit isoliertem Gate) oder einen Widerstand. Das temperaturbegrenzte
Element ist ein elektronisches Bauteil, dessen Betriebstemperatur
begrenzt ist. Insbesondere weist das temperaturbegrenzte Element
einen Mikrocomputer oder ein Steuer-IC auf. Dieses Heizelement und
das temperaturbegrenzte Element sind auf einem Halbleitersubstrat
(Halbleiterchip) ausgebildet, beispielsweise einem Siliziumalbleiter,
der durch einen Halbleiterbearbeitungsprozess bearbeitet wird, und
liegen in Form von Bauelementen und Verdrahtungen, also beispielsweise
als Transistoren und Widerstände
vor.
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Diese
elektronischen Elemente werden auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 durch
einen Kleber aus Harz mit elektrischer Isoliereigenschaft und ausgezeichneter
thermischer Leitfähigkeit oder
durch ein Bondmaterial, beispielsweise eine Silberpaste befestigt.
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Hierbei
können
die elektronischen Elemente 20 nicht nur direkt auf der
oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 angeordnet
werden, sondern es kann auch ein Fall angewendet werden, bei dem
die elektronischen Elemente 20 auf einer Verdrahtungskarte
angeordnet werden und diese Verdrahtungskarte wiederum auf der oberen
Oberfläche
der Wärmesenke 30 angeordnet
wird.
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In
diesem Fall kann beispielsweise eine keramische Verdrahtungskarte
in Form einer Einzelschicht oder in Form einer Mehrzahl von laminierten Schichten
oder eine gedruckte Schaltkreiskarte als Verdrahtungskarte angewendet
werden, obgleich nicht beabsichtigt ist, die Ausgestaltung der Verdrahtungskarte
auf diese Beispiele zu begrenzen.
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Wie
weiterhin in 37B gezeigt, ist eine Mehrzahl
von Leiterteilen 50 eines Leiterrahmens 1330 (siehe
später
zu beschreibende 38A und 38B)
um die elektronischen Elemente 20 herum angeordnet. Dieser
Leiterrahmen 1330 ist beispielsweise aus Cu oder einer
42-Legierung.
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Obgleich
nicht gezeigt, sind die Leiterteile 50 des Leiterrahmens 1330 und
in manchen Fällen
auch die elektronischen Elemente elektrisch miteinander durch Bonddrähte aus
Au (Gold) oder Al (Aluminium) in dem Gießharz 70 verbunden.
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Weiterhin
ist die Wärmesenke 30 an
den Aufhängeleitern 1332 des
Leiterrahmens 1330 an den Bondabschnitten 1311 befestigt.
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Die
Aufhängeleiter 1332 sind
an der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30 verstemmt,
um die Bonddrähte 1311 zu
bilden. Genauer gesagt, die Aufhängeleiter 1332 werden
durch ein Verfahren fest verstemmt, bei dem eine Öffnung des
Aufhängeleiters 1332 auf
einen Vorsprung gesetzt wird, der an der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 ausgebildet
ist, wonach dann der Vorsprung verstemmt oder verformt wird.
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Dann
werden gemäß 37A und 37B die
elektronischen Elemente 20, die Bonddrähte (nicht gezeigt), die Verbindungsteile
(d. h. die inneren Leiter), die mit den Bonddrähten an den jeweiligen Leiterteilen 50 verbunden
sind, die Aufhängeleiter 1332 und
die Wärmesenke 30 in
das Gießharz 70 eingegossen
und eingekapselt.
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Hierbei
steht ein Abschnitt eines jeden Leiterteils 50, d. h. ein äußerer Leiter
von dem Gießharz 70 vor,
und dieser vorstehende Abschnitt wird mit einem externen Verdrahtungsteil
oder dergleichen verbunden. Weiterhin ist eine Bodenfläche gegenüber der
oberen Oberfläche,
d. h. gegenüber
der Bauelementanordnungsoberfläche
der Wärmesenke 30 frei von
Gießharz 70.
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Das
Gießharz 70 ist
aus einem Vergussmaterial, wie einem Harz auf Epoxybasis, wie es üblicherweise
für eine
Halbleiterpackung verwendet wird, und wird durch ein geeignetes
Gießverfahren, beispielsweise
ein Pressspritzverfahren unter Verwendung der Gußform 201 vergossen,
wie nachfolgend beschrieben wird.
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Bei
der elektronischen Vorrichtung 1300 dieser Ausführungsform
wird der folgende besondere Aufbau für das Gießharz 70 verwendet.
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Genauer
gesagt, wie in den 37A und 37B gezeigt,
ist in einem Bereich um den Aufhängeleiter 1332 des
Endabschnitts des Gießharzes 70 herum
ein Abschnitt, der unmittelbar oberhalb des Aufhängeleiters 1332 liegt,
als eingezogener Bereich 1341 ausgebildet, der von einem
Teil aus gesehen, der direkt unterhalb des Aufhängeleiters 1332 liegt, zurückspringt
oder eingezogen ist.
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Eine
Zurückziehgröße d dieses
eingezogenen Bereichs 1341 (vgl. 37A)
kann beispielsweise gleich oder größer als die Dicke des Aufhängeleiters 1332 sein
(beispielsweise einige Zehntel Millimeter) und beträgt bevorzugt
ungefähr
1 mm, obgleich keine Beschränkung
auf diesen Bereich vorliegen soll.
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Weiterhin
ist diese elektronische Vorrichtung 1300 auf einer Basiskarte
(nicht gezeigt) angeordnet. Diese Basiskarte ist beispielsweise
ein Gehäuse
aus Metall, in welchem ein Motor zum Betrieb des Fensterhebers aufgenommen
ist oder eine gedruckte Schaltkreiskarte.
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Genauer
gesagt, die Halbleitervorrichtung 1300 wird auf der Basiskarte
mit einem Fett angeordnet, welches elektrische Isolation und ausgezeichnete
thermische Leitfähigkeit
hat, und zwischen die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 und
die Basiskarte eingebracht wird. Die wärme der Halbleitervorrichtung 1300 wird über die
Wärmesenke 30 auf
die Basiskarte abgegeben.
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[Herstellungsverfahren]
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Nachfolgend
wird ein Herstellungsverfahren für
diese elektronische Vorrichtung 1300 beschrieben.
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Die 38A und 38B sind
Darstellungen zur Beschreibung des Schritts des Harzvergießens bei
diesem Herstellungsverfahren. 38A ist eine
schematische Schnittdarstellung zur Veranschaulichung des Zustands,
bei dem ein isoliertes Teil 101 als Arbeitsstück in der
Gußform 201 angeordnet
wird. 38B ist eine Draufsicht auf 38A.
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In
den 38A und 38B sind
die Bonddrähte
weggelassen. In 38B ist von der Gußform 201 das
gesamte untere Formteil 210 und ein Teil des oberen Formteils 220,
d. h. ein vorstehender Abschnitt 221 als Druckabschnitt
gezeigt.
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Zunächst werden
die elektronischen Elemente 20 auf die obere Oberfläche der
Wärmesenke 30 angeordnet
und der Leiterrahmen 1330 wird um die elektronischen Elemente 20 herum
angeordnet und die Wärmesenke 30 wird
mit den Aufhängeleitern 1332 des
Leiterrahmens 1330 durch Verstemmen oder dergleichen verbunden.
weiterhin werden die elektronischen Elemente 20 elektrisch
mit den Leiterteilen 50 des Leiterrahmens durch Bonddrähte oder
dergleichen verbunden (nicht gezeigt).
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Auf
diese Weise kann ein integriertes Teil 101, in welchem
die Wärmesenke 30,
die elektronischen Elemente 20 und der Leiterrahmen 1330 zusammengefasst
sind, in der Gußform 201 angeordnet.
wie in den 38A und 38B gezeigt,
hat die Gußform 201,
wenn das untere Formteil 210 mit dem oberen Formteil 220 zusammengefügt wird,
einen Hohlraum 230 entsprechend der hierin auszubildenden
Form des Gießharzes 70.
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Genauer
gesagt, das integrierte Teil 101 wird auf den Boden des
unteren Formteils 210 gesetzt und das obere Formteil 220 wird
mit dem unteren Formteil 210 zusammengefügt. Hiermit
ist das integrierte Teil 101 in dem Hohlraum 230 der
Gußform 201 angeordnet.
Dieser Zustand ist in den 38A und 38B gezeigt.
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Beim
Schritt des Eingießens
des Kunstharzes 70 wird nur der Aufhängeleiter 1332 von
dem oberen Formteil 220 der Gussform 201 niedergehalten,
so dass die Wärmesenke 30 auf
die Oberfläche des
unteren Formteils 210 gedrückt wird.
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Hierbei
ist in dieser Ausführungsform
gemäß den 38A und 38B ein
Abschnitt zum Niederhalten oder Niederdrücken des Aufhängeleiters 1332 durch
das obere Formteil 220, d. h. ein Niederdrückabschnitt 221 als
vorstehender Abschnitt 221 ausgebildet, in welchem ein
Teil des oberen Formteils 220 in den Hohlraum 230 bezüglich des
unteren Formteils 210 vorsteht.
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Eine
Vorspringgröße d (siehe 38A) dieses vorstehenden Abschnitts 221 entspricht
der Zurückziehgröße d des
eingezogenen Bereiches 1341 gemäß 37A und
ist gleich oder größer als
beispielsweise die Dicke (annähernd
einige Zehntel Millimeter) des Aufhängeleiters 1332 und
kann bevorzugt innerhalb von 1 mm liegen.
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Wenn
dieser vorstehende Abschnitt 221 den Ausführungsform
1332 von oben her in einem Zustand niederhält oder niederdrückt, in
dem das integrierte Teil 101 in der Gußform 201 angeordnet
ist, ist hierbei der Boden des Aufhän geleiters 1332 oder dessen
Unterseite nicht abgestützt,
so dass der Aufhängeleiter 1332 leicht
verbogen wird und hiermit das integrierte Teil 101 nach
unten gedrückt
wird.
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Aus
diesem Grund wird die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 des
integrierten Teils 101 gegen das untere Formteil 210 der
Gußform 201 gedrückt und gelangt
in engen Kontakt mit den unteren Formteil 210. Wenn das
geschmolzene Gießharz 70 in
diesem Zustand in den Hohlraum 230 eingefüllt wird
und diesen ausfüllt,
wird das integrierte Teil 101 von dem Gießharz 70 derart
eingegossen, dass die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 frei
bleibt.
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Danach
wird das Gießharz 70 abgekühlt und ausgehärtet und
dann wird das von dem Gießharz 70 eingegossene
integrierte Teil 101 aus der Form 201 genommen.
Auf diese weise ist die elektronische Vorrichtung 1300 fertiggestellt.
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[Effekte]
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Bei
dieser Ausführungsform
weist somit ein Verfahren zur Herstellung der elektronischen Vorrichtung 1300 die
folgenden Schritte auf: Anordnen der elektronischen Elemente 20 auf
der oberen Oberfläche
der Wärmesenke 30;
Anordnen des Leiterrahmens 1330 um die elektronischen Elemente 20 herum;
Bonden der Wärmesenke 30 an
die Aufhängeleiter 1332 des
Leiterrahmens 1330; und Eingießen der Wärmesenke 30, der elektronischen
Elemente 20 und des Leiterrahmens 1330 durch das
Gießharz 70 unter
Verwendung der Form 201, wobei dieses Herstellungsverfahren
sich durch die folgenden Punkte auszeichnet:
Bei dem Herstellungsverfahren
dieser Ausführungsform
zeichnet sich der Schritt des Gießens oder Eingießens des
Vergussharzes 70 dadurch aus, dass das Harz 70 in
den Hohlraum, 230 der Form 201 in einem Zustand
eingebracht wird, in dem die Bodenfläche der Wärmesenke 30 auf das
untere Formteil 210 der Form 201 gefügt wird,
indem nur die Aufhängeleiter 1332 vom
oberen Formteil 220 in der Form 201 niedergedrückt oder
niedergehalten werden.
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Bei
dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform, welches sich wie
oben auszeichnet, wird beim Schritt des Eingießens des Gießharzes 70 die
Bodenfläche
der Wärmesenke 30 gegen
das untere Formteil 210 der Form 201 allein durch
Niederdrücken
der Aufhängeleiter 1332 mittels
des oberen Formteils 220 der Form 201 niedergehalten.
Somit gibt es auf der oberen Oberfläche der Wärmesenke 30, d. h.
der Oberfläche,
auf der die elektronischen Elemente 20 angeordnet werden,
keinen Totraum.
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Weiterhin
wird bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform das durch das Harz
einzugießende
Werkstück
in der Form 201 festgelegt. Aus diesem Grund beseitigt
dies die Notwendigkeit, eine besondere Einheit, beispielsweise eine
Ansaugeinheit, wie oben bzw. eingangs beschrieben, bereitstellen
zu müssen,
so dass es keine oder nur eine unwesentliche Kostenerhöhung gibt.
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Somit
ist es bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform möglich, die
Bodenfläche der
Wärmesenke 30 frei
von Gießharz 70 zu
lassen und gleichzeitig den Totraum auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 zu
verringern oder zu beseitigen.
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Somit
ist es bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform möglich, den
Bereich der Elementanordnungsoberfläche der Wärmesenke 30 zu vergrößern und
somit mehr elektronische Elemente 20 als bisher anordnen
zu können.
Bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform können somit
die elektronischen Elemente mit hoher Dichte angeord net werden,
ohne die elektronische Vorrichtung vergrößern zu müssen, was zu einer Kostenverringerung
etc. beiträgt.
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Beispielsweise
können
gemäß 39B fünf elektronische
Elemente 20 auf der Wärmesenke 30 angeordnet
werden. Bei der soeben beschriebenen Ausführungsform gemäß 38B ist jedoch der Totraum nicht notwendig, so
dass, selbst wenn die Größe der Wärmesenke 30 nicht
geändert
wird, die Elementeanordnungsoberfläche sich erhöht, so dass sieben
elektronische Elemente 20 auf der Wärmesenke 30 angeordnet
werden können.
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Weiterhin
werden bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform nur die Aufhängeleiter 1332 niedergedrückt, so
dass sich auch der Vorteil ergibt, dass die Wahrscheinlichkeit beseitigt
wird, dass die Wärmesenke 30 sich
bezüglich
des Leiterrahmens 1330 verschiebt.
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Wie
oben beschrieben, wird bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform
der Abschnitt des Aufhängeleiters 1332,
der das obere Formteil 220 niederdrückt, als vorstehender Abschnitt 221 ausgebildet,
der gegenüber
dem unteren Formteil 210 in den Hohlraum 230 vorsteht.
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Wenn
der Vorstehbetrag d (38A)
dieses vorstehenden Abschnittes 221 gleich oder größer als die
Dicke (beispielsweise einige Zehntel Millimeter) des Aufhängeleiters 1332 gemacht
wird und bevorzugt innerhalb von ungefähr 1 mm liegt, wird die Zurückziehgröße d des
eingezogenen Bereichs 1341 von der 37A ebenfalls
so klein wie der Vorstehbetrag oder die Vorspringgröße d.
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Aus
diesem Grund hat die fertige elektronische Vorrichtung 1300 auch
den Vorteil, dass sich die äußere Form
des Gießharzes 70 im
Vergleich zu einer herkömmlichen
Vorrichtung nur unwesentlich ändert,
sich die Wasserdichtigkeit des Harzvergusses 70 nicht verschlechtert
und die Positionierfunktion des Harzvergusses 70 unverändert bleibt.
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Wie
weiterhin oben beschrieben, wird bei dem Herstellungsverfahren dieser
Ausführungsform das
Befestigen der Wärmesenke 30 an
den Aufhängeleitern 1332 durch
Verstemmen durchgeführt, kann
jedoch auch durch andere Vorgehensweisen durchgeführt werden,
beispielsweise durch Schweißen
oder Löten.
weiterhin kann die Wärmesenke 30 einstückig mit
dem Leiterrahmen 1330 ausgebildet werden.
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Weiterhin
wird bei dieser Ausführungsform eine
elektronische Vorrichtung 1300 geschaffen, welche aufweist:
die Wärmesenke 30;
die elektronischen Elemente 20, die auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 angeordnet
sind; den Leiterrahmen 1330, der um die elektronischen
Elemente 20 herum angeordnet ist; die Aufhängeleiter 1332 des
Leiterrahmens 1330 in Verbindung mit der Wärmesenke 30;
und das Gießharz 70,
welches die Wärmesenke 30,
die elektronischen Elemente 20, den Leiterrahmen 1330 eingießt, so dass
die Bodenfläche
der Wärmesenke 30 frei
bleibt, wobei die Besonderheit darin liegt, dass in einem Bereich,
der um den Aufhängeleiter 1332 des
Endabschnitts des Gießharzes 70 herum
liegt, ein direkt oberhalb des Aufhängeleiters 1332 liegender
Abschnitt gegenüber
einem Abschnitt zurückspringt,
der direkt unterhalb des Aufhängeleiters 1332 liegt.
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Die
elektronische Vorrichtung 1300 dieser Ausführungsform
kann durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren
gemäß obiger
Beschreibung auf geeignete weise hergestellt werden und die oben beschriebenen
Effekte ergeben sich.
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Mit
anderen Worten, auch bei dieser elektronischen Vorrichtung ist es
möglich,
die Bodenfläche der
Wärmesenke 30 frei
von Gießharz 70 zu
halten und gleichzeitig den Totraum auf der oberen Oberfläche der
Wärmesenke 30 zu
verringern oder zu beseitigen.
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[Abwandlungen]
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Die
Form der Wärmesenke 30 sei
nicht auf die Form beschränkt,
die in den jeweiligen Figuren der Zeichnung dargestellt ist. Beispielsweise
kann die Wärmesenke 30 in
Draufsicht die in den 37A und 37B gezeigte Kreuzform haben, kann jedoch auch
rechteckig oder in sonstiger Form sein.
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Weiterhin
sind die Positionen und die Anzahl der Bondabschnitte 1311,
wo die Wärmesenke 30 mit den
Aufhängeleitern 1332 in
Verbindung ist, nach Bedarf geändert
werden. Beispielsweise ist in den 37A und 37B ein Bondabschnitt 1311 an jedem von
zwei gegenüberliegenden
Enden der Wärmesenke 30 angeordnet,
d. h. insgesamt zwei Bondabschnitte 1311 sind vorgesehen
und damit sind zwei vorstehende Abschnitte 221 gebildet.
Es ist jedoch auch möglich,
dass zwei Bondabschnitte 1311 an jedem Ende vorliegen,
d. h., dass insgesamt vier Bondabschnitt 1311 und damit
vier vorstehende Abschnitte vorgesehen sind.
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Weiterhin
können
die Bondabschnitte 1311 an jeder Seite der Wärmesenke 30 vorgesehen
werden. Damit kann eine beliebige Anzahl von beispielsweise 6, 8
oder mehr Bondabschnitten und damit Niederdrückabschnitten bzw. vorstehenden
Abschnitten geschaffen werden. Zusätzlich ist die Anzahl von Bondabschnitten
nicht notwendigerweise gleich der Anzahl von vorstehenden Abschnitten:
beispielsweise kann die Anzahl von Bondabschnitten 4 betragen, wohingegen
die Anzahl von Niederdrückabschnitten
oder vorstehenden Abschnitten 221 2 beträgt.
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Weiterhin
erfolgte in den Ausführungsformen die
Beschreibung im Wesentlichen unter der Annahme, dass die elektronische
Vorrichtung der Erfindung bei dem HIC zum Betrieb des Antriebsmotors
des Fensterhebers angewendet wird. Die Anwendung in einer elektronischen
Vorrichtung der Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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Die
wesentlichen Punkte der Erfindung liegen u. a. im Herstellungsverfahren,
welches die folgenden Schritte aufweist: Anordnen der elektronischen
Elemente auf der oberen Oberfläche
der Wärmesenke;
Bereitstellen des Leiterrahmens um die elektronischen Elemente herum;
Bonden oder Verbinden der Wärmesenke
mit den Aufhängeleitern
des Leiterrahmens; und Vergießen
dieser Teile durch das Gießharz
unter Verwendung der Form, wobei sich dieses Verfahren dadurch auszeichnet,
dass beim Schritt des Eingießens
der Teile durch das Harz nur die Aufhängeleiter von dem oberen Formteil
der Gußform
niedergedrückt
werden, um die Bodenfläche
der Wärmesenke
gegen das untere Formteil der Gußform zu drücken; ein weiterer wesentlicher
Punkt der Erfindung ist eine durch dieses Herstellungsverfahren
hergestellte elektronische Vorrichtung. Die Erfindung kann je nach
Bedarf in anderen Punkten sowohl hinsichtlich des Herstellungsverfahrens
als auch der elektronischen Vorrichtung abgewandelt werden.
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Derartige Änderungen
liegen im Rahmen und Umfang der vorliegenden Erfindung, wie er durch die
beigefügten
Ansprüche
und deren Äquivalente definiert
ist.