JPH11340459A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
- Publication number
- JPH11340459A JPH11340459A JP10145609A JP14560998A JPH11340459A JP H11340459 A JPH11340459 A JP H11340459A JP 10145609 A JP10145609 A JP 10145609A JP 14560998 A JP14560998 A JP 14560998A JP H11340459 A JPH11340459 A JP H11340459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- mos transistor
- temperature
- circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成でありながら半導体回路の近傍の
温度を正確に検出できる回路を提供する。 【解決手段】 ＭＯＳトランジスタ１のドレインとゲー
トとの間に保護回路２が設けられている。保護回路２
は、そのアノードがＭＯＳトランジスタ１のドレインに
接続されるダイオードＤ２、およびそのアノードがＭＯ
Ｓトランジスタ１のゲートに接続され且つそのカソード
がダイオードＤ２のカソードに接続されるツェナーダイ
オードＺＤから構成される。ダイオードＤ２は、ＭＯＳ
トランジスタ１の近傍に設けられる。温度検出部４は、
ダイオードＤ２の順方向電圧に基づいて温度を検出す
る。
温度を正確に検出できる回路を提供する。 【解決手段】 ＭＯＳトランジスタ１のドレインとゲー
トとの間に保護回路２が設けられている。保護回路２
は、そのアノードがＭＯＳトランジスタ１のドレインに
接続されるダイオードＤ２、およびそのアノードがＭＯ
Ｓトランジスタ１のゲートに接続され且つそのカソード
がダイオードＤ２のカソードに接続されるツェナーダイ
オードＺＤから構成される。ダイオードＤ２は、ＭＯＳ
トランジスタ１の近傍に設けられる。温度検出部４は、
ダイオードＤ２の順方向電圧に基づいて温度を検出す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体回路の近傍
の温度を検出する技術、およびその温度検出に付随して
上記半導体回路を保護する技術に係わる。
の温度を検出する技術、およびその温度検出に付随して
上記半導体回路を保護する技術に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路を電力制御用に利用すること
が広く行われている。例えば、近年、電気自動車等の開
発が進むに連れて、モータを制御するためのスイッチン
グ素子として大電流を流すことができるＭＯＳトランジ
スタなどの半導体素子が利用されている。
が広く行われている。例えば、近年、電気自動車等の開
発が進むに連れて、モータを制御するためのスイッチン
グ素子として大電流を流すことができるＭＯＳトランジ
スタなどの半導体素子が利用されている。
【０００３】半導体回路は、一般に、電流が流れること
によって発熱する。特に、上述のような大電流を流す半
導体素子や、集積度が非常に高い半導体素子において
は、その発熱量は相当なものである。
によって発熱する。特に、上述のような大電流を流す半
導体素子や、集積度が非常に高い半導体素子において
は、その発熱量は相当なものである。
【０００４】その一方で、半導体素子は、安定的に使用
できる温度範囲が決まっている。したがって、上述のよ
うな自己発熱の場合も含めて、半導体素子の周囲の温度
が高温状態になることが予想される場合には、半導体素
子の近傍の温度を測定し、その測定結果に従って半導体
素子の動作を制御するようなことがしばしば行われてい
る。
できる温度範囲が決まっている。したがって、上述のよ
うな自己発熱の場合も含めて、半導体素子の周囲の温度
が高温状態になることが予想される場合には、半導体素
子の近傍の温度を測定し、その測定結果に従って半導体
素子の動作を制御するようなことがしばしば行われてい
る。
【０００５】半導体素子の周囲の温度を検出する場合に
は、たとえば、(1) 対象となる半導体素子を含む半導体
モジュールの近傍に温度センサを設け、その温度センサ
の出力を監視する手法、或いは、(2) 半導体モジュール
内に温度センサを設け、その温度センサの出力を監視す
る手法が一般的である。
は、たとえば、(1) 対象となる半導体素子を含む半導体
モジュールの近傍に温度センサを設け、その温度センサ
の出力を監視する手法、或いは、(2) 半導体モジュール
内に温度センサを設け、その温度センサの出力を監視す
る手法が一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した手
法により温度検出を実現しようとすると、必然的に、そ
のための部品（すなわち、温度センサ）を新たに設けな
ければならない。したがって、回路が複雑になったり、
あるいはコストが上昇するなどの問題があった。また、
半導体モジュールの外に温度センサを設ける構成では、
半導体素子とその温度センサとの間の距離が大きくなる
ので、対象となる半導体素子の近傍の温度を正確に検出
できないこともあった。
法により温度検出を実現しようとすると、必然的に、そ
のための部品（すなわち、温度センサ）を新たに設けな
ければならない。したがって、回路が複雑になったり、
あるいはコストが上昇するなどの問題があった。また、
半導体モジュールの外に温度センサを設ける構成では、
半導体素子とその温度センサとの間の距離が大きくなる
ので、対象となる半導体素子の近傍の温度を正確に検出
できないこともあった。
【０００７】本発明の課題は、簡単な構成でありながら
半導体回路の近傍の温度を正確に検出できる回路を提供
することである。
半導体回路の近傍の温度を正確に検出できる回路を提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の温度検出回路
は、スイッチング素子と、そのスイッチング素子の近傍
に設けられたダイオードを含みそのスイッチング素子を
保護するための保護回路と、を含む回路の近傍の温度を
検出する構成であって、 上記ダイオードの両端電圧に
基づいて上記スイッチング素子の近傍の温度を検出す
る。スイッチング素子は、例えばトランジスタであり、
保護回路は、例えばスナバ回路である。
は、スイッチング素子と、そのスイッチング素子の近傍
に設けられたダイオードを含みそのスイッチング素子を
保護するための保護回路と、を含む回路の近傍の温度を
検出する構成であって、 上記ダイオードの両端電圧に
基づいて上記スイッチング素子の近傍の温度を検出す
る。スイッチング素子は、例えばトランジスタであり、
保護回路は、例えばスナバ回路である。
【０００９】ダイオードの特性、特にその順方向電圧
は、一般に、温度依存性を有する。したがって、ダイオ
ードの両端電圧をモニタすることにより、その周囲の温
度を検出することができる。
は、一般に、温度依存性を有する。したがって、ダイオ
ードの両端電圧をモニタすることにより、その周囲の温
度を検出することができる。
【００１０】上記構成によれば、スイッチング素子を安
全に使用するために用いられる保護回路の一部であるダ
イオードを利用して温度検出を実現しているので、温度
検出のために新たな部品を設ける必要がない。
全に使用するために用いられる保護回路の一部であるダ
イオードを利用して温度検出を実現しているので、温度
検出のために新たな部品を設ける必要がない。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施形態の温度検出回
路が適用された回路である。ここでは、温度測定の対象
となる半導体素子をＭＯＳトランジスタとしている。
路が適用された回路である。ここでは、温度測定の対象
となる半導体素子をＭＯＳトランジスタとしている。
【００１３】ＭＯＳトランジスタ１は、制御回路３から
そのゲートに印加されるスイッチング信号に従ってオン
／オフ状態が制御される。また、ＭＯＳトランジスタ１
のソースとドレインとの間には、このＭＯＳトランジス
タ１がオフ状態となったときにソースからドレインに向
かう方向に電流を流すためのダイオードＤ１が接続され
ている。
そのゲートに印加されるスイッチング信号に従ってオン
／オフ状態が制御される。また、ＭＯＳトランジスタ１
のソースとドレインとの間には、このＭＯＳトランジス
タ１がオフ状態となったときにソースからドレインに向
かう方向に電流を流すためのダイオードＤ１が接続され
ている。
【００１４】保護回路２は、ＭＯＳトランジスタ１のド
レイン・ソース間に印加される過電圧を防ぐことを目的
として設けられている。この種の保護回路の一例は、ス
ナバ回路である。本実施形態の保護回路２は、そのアノ
ードがＭＯＳトランジスタ１のドレインに接続されたダ
イオードＤ２と、そのアノードがＭＯＳトランジスタ１
のゲートに接続され且つそのカソードがダイオードＤ２
のカソードに接続されたツェナーダイオードＺＤから構
成されている。
レイン・ソース間に印加される過電圧を防ぐことを目的
として設けられている。この種の保護回路の一例は、ス
ナバ回路である。本実施形態の保護回路２は、そのアノ
ードがＭＯＳトランジスタ１のドレインに接続されたダ
イオードＤ２と、そのアノードがＭＯＳトランジスタ１
のゲートに接続され且つそのカソードがダイオードＤ２
のカソードに接続されたツェナーダイオードＺＤから構
成されている。
【００１５】ＭＯＳトランジスタ１と保護回路２とは、
互いに近接して設けることが望ましい。特に、ダイオー
ド２Ｄは、ＭＯＳトランジスタ１に近接して設ける必要
がある。少なくとも、ＭＯＳトランジスタ１をモジュー
ル化する際には、ダイオードＤ２をそのモジュール内に
設ける。このような構成とすることにより、ダイオード
Ｄ２は、ＭＯＳトランジスタ１と実質的に同じ環境下
（同じ周囲温度）に置かれることになる。なお、ツェナ
ーダイオードＺＤは、必ずしもＭＯＳトランジスタ１の
近傍に設ける必要はない。
互いに近接して設けることが望ましい。特に、ダイオー
ド２Ｄは、ＭＯＳトランジスタ１に近接して設ける必要
がある。少なくとも、ＭＯＳトランジスタ１をモジュー
ル化する際には、ダイオードＤ２をそのモジュール内に
設ける。このような構成とすることにより、ダイオード
Ｄ２は、ＭＯＳトランジスタ１と実質的に同じ環境下
（同じ周囲温度）に置かれることになる。なお、ツェナ
ーダイオードＺＤは、必ずしもＭＯＳトランジスタ１の
近傍に設ける必要はない。
【００１６】ダイオードＤ２は、市販されているチップ
ダイオードを用いることができる。この場合、ダイオー
ドＤ２は、たとえば、ＭＯＳトランジスタ１が形成され
ている基板上の所定の位置にボンディング或いはハンダ
等により接続される。また、ダイオードＤ２は、ＭＯＳ
トランジスタ１が形成される半導体基板上のＰ型半導体
領域およびＮ型半導体領域として実現してもよい。この
場合、ＭＯＳトランジスタ１の各半導体領域を形成する
工程とダイオードＤ２の各半導体領域を形成する工程と
をできる限り共通化することが望ましい。
ダイオードを用いることができる。この場合、ダイオー
ドＤ２は、たとえば、ＭＯＳトランジスタ１が形成され
ている基板上の所定の位置にボンディング或いはハンダ
等により接続される。また、ダイオードＤ２は、ＭＯＳ
トランジスタ１が形成される半導体基板上のＰ型半導体
領域およびＮ型半導体領域として実現してもよい。この
場合、ＭＯＳトランジスタ１の各半導体領域を形成する
工程とダイオードＤ２の各半導体領域を形成する工程と
をできる限り共通化することが望ましい。
【００１７】制御回路３は、ＭＯＳトランジスタ１のオ
ン／オフ状態を制御するためのスイッチング信号を生成
する。制御方式は、例えばＰＷＭ制御である。この場
合、スイッチング信号は、ＭＯＳトランジスタ１をオン
状態にするための信号状態（例えば、「Ｈ」レベル）の
期間とＭＯＳトランジスタ１をオフ状態にするための信
号状態（例えば、「Ｌ」レベル）の期間との比率が所定
の条件に従って制御されたパルス信号であるる。
ン／オフ状態を制御するためのスイッチング信号を生成
する。制御方式は、例えばＰＷＭ制御である。この場
合、スイッチング信号は、ＭＯＳトランジスタ１をオン
状態にするための信号状態（例えば、「Ｈ」レベル）の
期間とＭＯＳトランジスタ１をオフ状態にするための信
号状態（例えば、「Ｌ」レベル）の期間との比率が所定
の条件に従って制御されたパルス信号であるる。
【００１８】温度検出部４は、保護回路２に設けられて
いるダイオードＤ２の両端の電位が入力されており、そ
の電位差に基づいてＭＯＳトランジスタ１の近傍の温度
を検出する。なお、制御回路３は、ＭＯＳトランジスタ
１を制御するためのスイッチング信号を生成する際、温
度検出部４によって検出された温度を１つのパラメータ
とする。すなわち、制御回路３は、ＭＯＳトランジスタ
１の近傍の温度を考慮しながらＭＯＳトランジスタ１を
制御する。
いるダイオードＤ２の両端の電位が入力されており、そ
の電位差に基づいてＭＯＳトランジスタ１の近傍の温度
を検出する。なお、制御回路３は、ＭＯＳトランジスタ
１を制御するためのスイッチング信号を生成する際、温
度検出部４によって検出された温度を１つのパラメータ
とする。すなわち、制御回路３は、ＭＯＳトランジスタ
１の近傍の温度を考慮しながらＭＯＳトランジスタ１を
制御する。
【００１９】保護回路２の動作を簡単に説明する。ＭＯ
Ｓトランジスタ１は、制御回路３からそのゲートに
「Ｈ」が印加されると、オン状態になり、そのドレイン
電圧は低下する。したがって、このとき、ダイオードＤ
２には順方向電圧は印加されないので、そこを介しては
電流が流れない。この後、制御回路３からゲートに
「Ｌ」が印加されると、ＭＯＳトランジスタはオフ状態
になり、そのドレイン電圧は上昇してゆく。そして、ド
レイン電圧が上昇することによってダイオードＤ２に所
定値以上の順方向電圧が印加されると、ダイオードＤ２
を介して電流が流れるようになる。
Ｓトランジスタ１は、制御回路３からそのゲートに
「Ｈ」が印加されると、オン状態になり、そのドレイン
電圧は低下する。したがって、このとき、ダイオードＤ
２には順方向電圧は印加されないので、そこを介しては
電流が流れない。この後、制御回路３からゲートに
「Ｌ」が印加されると、ＭＯＳトランジスタはオフ状態
になり、そのドレイン電圧は上昇してゆく。そして、ド
レイン電圧が上昇することによってダイオードＤ２に所
定値以上の順方向電圧が印加されると、ダイオードＤ２
を介して電流が流れるようになる。
【００２０】ここで、一般に、ＭＯＳトランジスタ１の
周辺にはインダクタンス成分が存在する。このため、Ｍ
ＯＳトランジスタ１がターンオフされると、ドレインに
はサージ電圧が印加されることになる。そして、このサ
ージ電圧がツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧を越
えると、保護回路２は、ＭＯＳトランジスタ１のドレイ
ンからゲートに向かう方向に電流を流す。この結果、も
し、ＭＯＳトランジスタ１のゲートに実質的に「Ｈ」に
相当する電圧が印加されると、ＭＯＳトランジスタ１は
再びオン状態になり、ドレイン電圧は低下する。上記構
成において、ツェナー電圧をＭＯＳトランジスタ１の耐
圧よりも小さく設定しておけば、ＭＯＳトランジスタ１
にその耐圧を越える電圧が印加されることが回避され
る。
周辺にはインダクタンス成分が存在する。このため、Ｍ
ＯＳトランジスタ１がターンオフされると、ドレインに
はサージ電圧が印加されることになる。そして、このサ
ージ電圧がツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧を越
えると、保護回路２は、ＭＯＳトランジスタ１のドレイ
ンからゲートに向かう方向に電流を流す。この結果、も
し、ＭＯＳトランジスタ１のゲートに実質的に「Ｈ」に
相当する電圧が印加されると、ＭＯＳトランジスタ１は
再びオン状態になり、ドレイン電圧は低下する。上記構
成において、ツェナー電圧をＭＯＳトランジスタ１の耐
圧よりも小さく設定しておけば、ＭＯＳトランジスタ１
にその耐圧を越える電圧が印加されることが回避され
る。
【００２１】次に、温度検出方法について説明する。本
実施形態では、上述したように、温度検出部４がダイオ
ードＤ２の順方向電圧に基づいて温度を検出する。ここ
で、一般に、ダイオードの特性は、図２(a) および(b)
に示すように、温度に依存して変化する。すなわち、ダ
イオードの順方向電圧は、温度の上昇に伴って低くなる
傾向を持っている。そして、温度検出部４は、このダイ
オードの順方向電圧の温度依存性を利用してその周辺の
温度を検出する。
実施形態では、上述したように、温度検出部４がダイオ
ードＤ２の順方向電圧に基づいて温度を検出する。ここ
で、一般に、ダイオードの特性は、図２(a) および(b)
に示すように、温度に依存して変化する。すなわち、ダ
イオードの順方向電圧は、温度の上昇に伴って低くなる
傾向を持っている。そして、温度検出部４は、このダイ
オードの順方向電圧の温度依存性を利用してその周辺の
温度を検出する。
【００２２】図３(a) は、温度検出部の一例を示す図で
ある。この回路は、ダイオード２のアノードおよびカソ
ードの電位をそれぞれ分圧抵抗を用いて分圧し、それら
各分圧点（点Ａおよび点Ｂ）の電位をそれぞれＣＰＵ１
１に入力するものである。ここで、ダイオードＤ２の順
方向電圧は、上述したように、温度に従って変化するの
で、ＣＰＵ１１は、入力される２つの電位の電位差に基
づいて温度を検出できる。なお、ＣＰＵ１１により実行
されるプログラムは、ダイオードの特性、および分圧抵
抗の特性および分圧比等に関連づけられて記述されてい
る。
ある。この回路は、ダイオード２のアノードおよびカソ
ードの電位をそれぞれ分圧抵抗を用いて分圧し、それら
各分圧点（点Ａおよび点Ｂ）の電位をそれぞれＣＰＵ１
１に入力するものである。ここで、ダイオードＤ２の順
方向電圧は、上述したように、温度に従って変化するの
で、ＣＰＵ１１は、入力される２つの電位の電位差に基
づいて温度を検出できる。なお、ＣＰＵ１１により実行
されるプログラムは、ダイオードの特性、および分圧抵
抗の特性および分圧比等に関連づけられて記述されてい
る。
【００２３】ＣＰＵ１１は、検出した温度が予め決めら
れている温度範囲外であった場合、特に、予め決められ
ている温度範囲の上限値よりも高かった場合、保護処理
を実行する。保護処理は、たとえば、ＭＯＳトランジス
タ１のオン時間を制限する動作、ＭＯＳトランジスタ１
を強制的にオフ状態にする動作、あるいは温度異常が発
生したことを示す信号を出力する動作などを実行するも
のである。なお、ＣＰＵ１１にこのような保護処理を実
行させるのであれば、ＣＰＵ１１の機能を、ＭＯＳトラ
ンジスタ１のスイッチング動作を制御するためのＣＰＵ
（制御回路３）の機能の一部として実現することが望ま
しい。
れている温度範囲外であった場合、特に、予め決められ
ている温度範囲の上限値よりも高かった場合、保護処理
を実行する。保護処理は、たとえば、ＭＯＳトランジス
タ１のオン時間を制限する動作、ＭＯＳトランジスタ１
を強制的にオフ状態にする動作、あるいは温度異常が発
生したことを示す信号を出力する動作などを実行するも
のである。なお、ＣＰＵ１１にこのような保護処理を実
行させるのであれば、ＣＰＵ１１の機能を、ＭＯＳトラ
ンジスタ１のスイッチング動作を制御するためのＣＰＵ
（制御回路３）の機能の一部として実現することが望ま
しい。
【００２４】温度検出は、上述したように、ダイオード
Ｄ２に順方向電圧が印加されている期間、すなわち、Ｍ
ＯＳトランジスタ１がオフ状態となっている期間に実行
される。ここで、ＭＯＳトランジスタ１のスイッチング
動作は、基本的に、制御回路３により制御されている。
このため、ＣＰＵ１１は、たとえば、制御回路３と連携
することにより、或いは、ＣＰＵ１１の機能をＭＯＳト
ランジスタ１のスイッチング動作を制御するためのＣＰ
Ｕの機能の一部として実現することにより、ＭＯＳトラ
ンジスタ１がオフ状態となっているタイミングを認識で
きる。したがって、ＣＰＵ１１は、ＭＯＳトランジスタ
１がオフ状態となっている期間に入力されたダイオード
Ｄ２の両端電圧（または、その分圧値）をパラメータと
して所定の演算を実行することにより、ＭＯＳトランジ
スタ１の近傍の温度を検出することができる。
Ｄ２に順方向電圧が印加されている期間、すなわち、Ｍ
ＯＳトランジスタ１がオフ状態となっている期間に実行
される。ここで、ＭＯＳトランジスタ１のスイッチング
動作は、基本的に、制御回路３により制御されている。
このため、ＣＰＵ１１は、たとえば、制御回路３と連携
することにより、或いは、ＣＰＵ１１の機能をＭＯＳト
ランジスタ１のスイッチング動作を制御するためのＣＰ
Ｕの機能の一部として実現することにより、ＭＯＳトラ
ンジスタ１がオフ状態となっているタイミングを認識で
きる。したがって、ＣＰＵ１１は、ＭＯＳトランジスタ
１がオフ状態となっている期間に入力されたダイオード
Ｄ２の両端電圧（または、その分圧値）をパラメータと
して所定の演算を実行することにより、ＭＯＳトランジ
スタ１の近傍の温度を検出することができる。
【００２５】図３(b) は、温度検出部の他の例を示す図
である。この構成は、図３(a) に示したＣＰＵ１１の機
能の一部をハードウェアで実現したものである。すなわ
ち、図３(b) に示す構成では、点Ａの電位と点Ｂの電位
との差を差動アンプ１２を用いて増幅し、その出力をコ
ンパレータ１３を用いて参照電圧Ｖref と比較すること
により、ＭＯＳトランジスタ１の近傍の温度が所定の値
を越えているか否かを判断している。
である。この構成は、図３(a) に示したＣＰＵ１１の機
能の一部をハードウェアで実現したものである。すなわ
ち、図３(b) に示す構成では、点Ａの電位と点Ｂの電位
との差を差動アンプ１２を用いて増幅し、その出力をコ
ンパレータ１３を用いて参照電圧Ｖref と比較すること
により、ＭＯＳトランジスタ１の近傍の温度が所定の値
を越えているか否かを判断している。
【００２６】なお、上記実施例では、ドレイン電圧が基
本的にソース電圧よりも高くなる回路を想定しているの
で、ドレインに接続されるダイオードの順方向電圧を利
用して温度を検出しているが、ドレイン電圧が基本的に
ソース電圧よりも低くなる回路においては、ソースに接
続されるダイオードの順方向電圧を利用して温度を検出
することもある得る。
本的にソース電圧よりも高くなる回路を想定しているの
で、ドレインに接続されるダイオードの順方向電圧を利
用して温度を検出しているが、ドレイン電圧が基本的に
ソース電圧よりも低くなる回路においては、ソースに接
続されるダイオードの順方向電圧を利用して温度を検出
することもある得る。
【００２７】また、上記実施例では、ＭＯＳトランジス
タを採り上げて説明したが、他の半導体素子、特に、電
圧制御型のスイッチング素子にも適用できる。
タを採り上げて説明したが、他の半導体素子、特に、電
圧制御型のスイッチング素子にも適用できる。
【００２８】さらに、上記実施例では、ＭＯＳトランジ
スタの保護回路として、ダイオードとツェナーダイオー
ドとを接続した構成を示したが、本発明はこの構成には
限定されるものではなく、スイッチング素子が通常動作
をしている期間の少なくとも一部の時間帯において順方
向電圧が印加されるダイオードを含むものであれば他の
構成であってもよい。
スタの保護回路として、ダイオードとツェナーダイオー
ドとを接続した構成を示したが、本発明はこの構成には
限定されるものではなく、スイッチング素子が通常動作
をしている期間の少なくとも一部の時間帯において順方
向電圧が印加されるダイオードを含むものであれば他の
構成であってもよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の保護回路
の構成要素の１つであるダイオードを利用してその半導
体素子の近傍の温度を測定することができる。このた
め、温度を検出するために新たに部品を追加する必要は
ないので、回路の構成が簡単であり、また、コストの上
昇を抑えることができる
の構成要素の１つであるダイオードを利用してその半導
体素子の近傍の温度を測定することができる。このた
め、温度を検出するために新たに部品を追加する必要は
ないので、回路の構成が簡単であり、また、コストの上
昇を抑えることができる
【図１】本発明の一実施形態の温度検出回路が適用され
た回路である。
た回路である。
【図２】ダイオードの特性の温度依存性を示す図であ
る。
る。
【図３】温度検出部の例を示す図である。
１ ＭＯＳトランジスタ ２ 保護回路 ３ 制御回路 ４ 温度検出部 １１ ＣＰＵ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/088 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６５７Ｇ Ｈ０３Ｋ 17/08 23/56 Ｄ // Ｈ０１Ｌ 23/58
Claims (4)
- 【請求項１】 スイッチング素子と、そのスイッチング
素子の近傍に設けられたダイオードを含みそのスイッチ
ング素子を保護するための保護回路と、を含む回路の近
傍の温度を検出する回路であって、 上記ダイオードの両端電圧に基づいて上記スイッチング
素子の近傍の温度を検出する温度検出回路。 - 【請求項２】 ＭＯＳトランジスタと、そのＭＯＳのド
レインまたはソースにアノードが接続されたダイオード
と、そのダイオードのカソードにカソードが接続される
と共に上記ＭＯＳトランジスタのゲートにアノードが接
続されたツェナーダイオードを含む半導体回路の近傍の
温度を検出する回路であって、 上記ダイオードの順方向電圧に基づいて上記ＭＯＳトラ
ンジスタの近傍の温度を検出する温度検出回路。 - 【請求項３】 上記ＭＯＳトランジスタの少なくとも一
部の半導体領域および上記ダイオードの少なくとも一部
の半導体領域を同一の半導体製造工程で形成する請求項
２に記載の温度検出回路。 - 【請求項４】 上記ＭＯＳトランジスタがオフ状態の期
間の上記ダイオードの順方向電圧に基づいて上記ＭＯＳ
トランジスタの近傍の温度を検出する請求項２に記載の
温度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145609A JPH11340459A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145609A JPH11340459A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 温度検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340459A true JPH11340459A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15389006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10145609A Pending JPH11340459A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340459A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605853B2 (en) | 2000-07-25 | 2003-08-12 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat protection circuits |
| KR100874198B1 (ko) | 2006-09-15 | 2008-12-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 온도검출장치 |
| US7573687B2 (en) | 2006-11-21 | 2009-08-11 | Denso Corporation | Power semiconductor device |
| JP2010263032A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2012116320A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyota Motor Corp | 電動パワーステアリング装置 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP10145609A patent/JPH11340459A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605853B2 (en) | 2000-07-25 | 2003-08-12 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat protection circuits |
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| US8179688B2 (en) | 2004-04-14 | 2012-05-15 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| KR100874198B1 (ko) | 2006-09-15 | 2008-12-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 온도검출장치 |
| US7573687B2 (en) | 2006-11-21 | 2009-08-11 | Denso Corporation | Power semiconductor device |
| JP2010263032A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2012116320A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyota Motor Corp | 電動パワーステアリング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107885270B (zh) | 调节器用半导体集成电路 | |
| US7885048B2 (en) | Semiconductor device and an electronic apparatus incorporating the semiconductor device | |
| US20080198526A1 (en) | Semiconductor device | |
| US7113019B2 (en) | Method and apparatus to remotely sense the temperature of a power semiconductor | |
| US10116296B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and electronic device | |
| US9537303B2 (en) | Semiconductor device and electric control device | |
| US6351360B1 (en) | Apparatus for selective shutdown of devices of an integrated circuit in response to thermal fault detection | |
| GB2253709A (en) | Overcurrent detection circuit | |
| JPH0683042B2 (ja) | 出力ドライバ回路 | |
| KR101291367B1 (ko) | 온도 검출 회로 | |
| CN112882525A (zh) | 稳压器用半导体集成电路、车载用电子设备 | |
| US20060289461A1 (en) | Overheat-sensing circuit and semiconductor integrated circuit device having the same | |
| US6650097B2 (en) | Voltage regulator with reduced power loss | |
| US7808762B2 (en) | Semiconductor device performing overheat protection efficiently | |
| JP3509623B2 (ja) | 半導体スイッチ素子チップの温度検出構造および温度検出装置並びに半導体リレー | |
| JPS63229758A (ja) | 半導体装置 | |
| US8493097B2 (en) | Current-sensing circuit | |
| JPH11340459A (ja) | 温度検出回路 | |
| JPH05304450A (ja) | 保護回路を具備する半導体装置および電子システム | |
| JPH0526912A (ja) | 過電流検出回路 | |
| JP3474775B2 (ja) | インバータ制御用半導体装置 | |
| JPH05241671A (ja) | 基準電圧発生装置および過電流防止機能付半導体装置 | |
| US9983067B2 (en) | Overheat detection circuit and semiconductor device | |
| JP7444307B2 (ja) | スイッチング回路とゲート駆動回路 | |
| US11824524B2 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021217 |