JPH0555280A - 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH0555280A JPH0555280A JP3214893A JP21489391A JPH0555280A JP H0555280 A JPH0555280 A JP H0555280A JP 3214893 A JP3214893 A JP 3214893A JP 21489391 A JP21489391 A JP 21489391A JP H0555280 A JPH0555280 A JP H0555280A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- die pad
- heat sink
- semiconductor device
- die
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ヒートシンクをダイパッド裏面に取りつけた構
造をもつ樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法におい
て、ダイパット６の裏面に樹脂バリを発生させることな
く樹脂封止する。 【構成】下キャビティ１０中央部に中心に吸引孔８を備
えた突起状のダイパッド載置部６を設け、吸引孔８によ
りダイパッド５を吸引固着しながら樹脂封止する。 【効果】樹脂バリの発生を防止し、半導体素子３で発生
する熱をダイパッド５からヒートシンクに効率よく放散
することができる。
造をもつ樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法におい
て、ダイパット６の裏面に樹脂バリを発生させることな
く樹脂封止する。 【構成】下キャビティ１０中央部に中心に吸引孔８を備
えた突起状のダイパッド載置部６を設け、吸引孔８によ
りダイパッド５を吸引固着しながら樹脂封止する。 【効果】樹脂バリの発生を防止し、半導体素子３で発生
する熱をダイパッド５からヒートシンクに効率よく放散
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止方法に関し、特にヒートシンクをダイパッド裏
面に取り付けた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に
関する。
樹脂封止方法に関し、特にヒートシンクをダイパッド裏
面に取り付けた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ここ数年来、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装
置の高速，高集積化が要求され、それに伴い、半導体装
置用パッケージは低熱抵抗，多ピン，小型化が求められ
るようになってきた。これまでこの要求に応えられるパ
ッケージとしてセラミックＰＧＡがこの分野をリードし
てきた。しかしながら、このセラミックＰＧＡは高価格
という問題を抱えており、最近になりセラミックＰＧＡ
の低熱抵抗及び樹脂封止型パッケージの低価格という両
者の長所を合わせもつパッケージ、すなわち、ヒートシ
ンクをダイパッド裏面に取り付けた構造の樹脂封止型半
導体装置（以下、ヒートシンク付きモールドＩＣと記
す）が開発されてきた。
置の高速，高集積化が要求され、それに伴い、半導体装
置用パッケージは低熱抵抗，多ピン，小型化が求められ
るようになってきた。これまでこの要求に応えられるパ
ッケージとしてセラミックＰＧＡがこの分野をリードし
てきた。しかしながら、このセラミックＰＧＡは高価格
という問題を抱えており、最近になりセラミックＰＧＡ
の低熱抵抗及び樹脂封止型パッケージの低価格という両
者の長所を合わせもつパッケージ、すなわち、ヒートシ
ンクをダイパッド裏面に取り付けた構造の樹脂封止型半
導体装置（以下、ヒートシンク付きモールドＩＣと記
す）が開発されてきた。
【０００３】ところで、従来、このヒートシンク付きモ
ールドＩＣの樹脂封止は、以下に示すように行なわれて
いた。
ールドＩＣの樹脂封止は、以下に示すように行なわれて
いた。
【０００４】まず、図５に示すように、半導体素子３を
ダイパッド５の表面に搭載したリードフレーム４を下型
７ｂに位置決め載置する。下型７ｂの下キャビティ１０
ｂの中央部には、ダイパッド５の裏面が接するように突
起状のダイパッド載置部６ｂが設けられている。
ダイパッド５の表面に搭載したリードフレーム４を下型
７ｂに位置決め載置する。下型７ｂの下キャビティ１０
ｂの中央部には、ダイパッド５の裏面が接するように突
起状のダイパッド載置部６ｂが設けられている。
【０００５】次に、下型７ｂを上昇させて上型１ｂの下
面と下型７ｂの上面とでリードフレーム４を挟持する。
面と下型７ｂの上面とでリードフレーム４を挟持する。
【０００６】さらに、図６に示すように、トランスファ
ー成形法により上キャビティ９ｂと下キャビティ１０ｂ
内にエポキシ樹脂１２を充填させて半導体素子３を樹脂
封止する。
ー成形法により上キャビティ９ｂと下キャビティ１０ｂ
内にエポキシ樹脂１２を充填させて半導体素子３を樹脂
封止する。
【０００７】最後に、図７に示すように、ヒートシンク
１３をダイパッド５の裏面にシリコン樹脂１４で接着し
て外部リードの切断曲げ加工を行ない、ヒートシンク付
きモールドＩＣが得られる。
１３をダイパッド５の裏面にシリコン樹脂１４で接着し
て外部リードの切断曲げ加工を行ない、ヒートシンク付
きモールドＩＣが得られる。
【０００８】尚、ヒートシンク付きモールドＩＣの作動
時に半導体素子３で発生する熱は、主にダイパッド５を
通り、ヒートシンク１３に伝導することで放熱される。
時に半導体素子３で発生する熱は、主にダイパッド５を
通り、ヒートシンク１３に伝導することで放熱される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この従来のヒートシン
ク付きモールドＩＣの樹脂封止方法では、エポキシ樹脂
１２が上キャビティ９ｂと下キャビティ１０ｂ内に充填
する時に、エポキシ樹脂１２の充填圧力によりダイパッ
ド５が上方に浮いてしまい、ひいては、その状態でエポ
キシ樹脂１２が熱硬化をし、図６に示すように、最大厚
さ部分で０．１〜０．３ｍｍ程度の樹脂バリ１５が凹面
状に形成される。この樹脂バリ１５上にヒートシンク１
３を接着した場合、図７に示すように、ダイパッド５の
裏面とヒートシンク１３との間隙は最低でも樹脂バリ１
５以上となる。熱抵抗は、この厚さに比例して大きくな
るので、熱伝導度の小さいエポキシ樹脂（約１６×１０
-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）とシリコン樹脂（約２２
×１０-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）がダイパッド５の
裏面とヒートシンク１３との間に存在することは、ヒー
トシンク付きモールドＩＣの熱抵抗を大きくし熱放散を
阻害することになる。このことが、消費電力の大きいＩ
Ｃにとっては問題点となっていた。
ク付きモールドＩＣの樹脂封止方法では、エポキシ樹脂
１２が上キャビティ９ｂと下キャビティ１０ｂ内に充填
する時に、エポキシ樹脂１２の充填圧力によりダイパッ
ド５が上方に浮いてしまい、ひいては、その状態でエポ
キシ樹脂１２が熱硬化をし、図６に示すように、最大厚
さ部分で０．１〜０．３ｍｍ程度の樹脂バリ１５が凹面
状に形成される。この樹脂バリ１５上にヒートシンク１
３を接着した場合、図７に示すように、ダイパッド５の
裏面とヒートシンク１３との間隙は最低でも樹脂バリ１
５以上となる。熱抵抗は、この厚さに比例して大きくな
るので、熱伝導度の小さいエポキシ樹脂（約１６×１０
-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）とシリコン樹脂（約２２
×１０-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）がダイパッド５の
裏面とヒートシンク１３との間に存在することは、ヒー
トシンク付きモールドＩＣの熱抵抗を大きくし熱放散を
阻害することになる。このことが、消費電力の大きいＩ
Ｃにとっては問題点となっていた。
【００１０】本発明の目的は、熱放散の優れた樹脂封止
型半導体装置の樹脂封止方法を提供することにある。
型半導体装置の樹脂封止方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒートシンク
をダイパッド裏面に取り付けた構造をもつ樹脂封止型半
導体装置の樹脂封止方法において、下型の下キャビティ
中央部に中心に吸引孔を備えた突起状のダイパッド載置
部を設け、前記吸引孔により前記ダイパッドを吸引固着
しながら樹脂封止する。
をダイパッド裏面に取り付けた構造をもつ樹脂封止型半
導体装置の樹脂封止方法において、下型の下キャビティ
中央部に中心に吸引孔を備えた突起状のダイパッド載置
部を設け、前記吸引孔により前記ダイパッドを吸引固着
しながら樹脂封止する。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は、本発明の第１の実施例に使用する
樹脂封止装置の要部断面図、図２は本発明の第１の実施
例による樹脂封止後のパッケージの断面図、図３は図２
のパッケージにヒートシンクを接着し外部リード成形後
の断面図である。
樹脂封止装置の要部断面図、図２は本発明の第１の実施
例による樹脂封止後のパッケージの断面図、図３は図２
のパッケージにヒートシンクを接着し外部リード成形後
の断面図である。
【００１４】第１の実施例は、まず、図１に示すよう
に、半導体素子３を搭載したダイパッド５の裏面が、下
キャビティ１０の中央部に設けられた中心に吸引孔８を
有する突起状のダイパッド載置部６の上面に位置するよ
うに、リードフレーム４を下型７の上面に載置する。
に、半導体素子３を搭載したダイパッド５の裏面が、下
キャビティ１０の中央部に設けられた中心に吸引孔８を
有する突起状のダイパッド載置部６の上面に位置するよ
うに、リードフレーム４を下型７の上面に載置する。
【００１５】次に、ダイパッド載置部６に設けた吸引孔
８の延長したところに備えた真空ポンプ（図示せず）に
より、ダイパッド５の裏面をダイパッド載置部６の上面
に吸引固着させる。
８の延長したところに備えた真空ポンプ（図示せず）に
より、ダイパッド５の裏面をダイパッド載置部６の上面
に吸引固着させる。
【００１６】次に、下型７を上昇させて、上型１の下面
と下型７の上面とでリードフレーム４を挟持して樹脂封
止し、図２に示すパッケージを得る。
と下型７の上面とでリードフレーム４を挟持して樹脂封
止し、図２に示すパッケージを得る。
【００１７】最後に、図３に示すように、ヒートシンク
１３をシリコン樹脂１４でダイパッド５の裏面に接着
し、リードフレーム４の外部リードの切断曲げ加工を行
ない、図３に示すヒートシンク付きモールドＩＣを得
る。
１３をシリコン樹脂１４でダイパッド５の裏面に接着
し、リードフレーム４の外部リードの切断曲げ加工を行
ない、図３に示すヒートシンク付きモールドＩＣを得
る。
【００１８】図４は本発明の第２の実施例に使用する樹
脂封止装置の要部断面図である。
脂封止装置の要部断面図である。
【００１９】第２の実施例は、図４に示すように、前述
した本発明の第１の実施例との相違点は、ダイパッド載
置部６ａ上面の中心に設けた吸引孔８ａの周囲に樹脂溜
め溝１１を設けた点にある。この樹脂溜め溝１１によ
り、ダイパッド５の裏面をダイパッド載置部６ａの上面
にしっかり吸引固着させるために真空ポンプの吸引力を
強めても、ダイパッド５の裏面とダイパッド載置部６ａ
の上面との界面から吸引孔８ａへ侵入しようとするエポ
キシ樹脂１２の流れを堰止めて、樹脂バリの発生をさら
に確実におさえる効果がある。
した本発明の第１の実施例との相違点は、ダイパッド載
置部６ａ上面の中心に設けた吸引孔８ａの周囲に樹脂溜
め溝１１を設けた点にある。この樹脂溜め溝１１によ
り、ダイパッド５の裏面をダイパッド載置部６ａの上面
にしっかり吸引固着させるために真空ポンプの吸引力を
強めても、ダイパッド５の裏面とダイパッド載置部６ａ
の上面との界面から吸引孔８ａへ侵入しようとするエポ
キシ樹脂１２の流れを堰止めて、樹脂バリの発生をさら
に確実におさえる効果がある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の樹脂封止方
法によると、ヒートシンク付きモールドＩＣのダイパッ
ド裏面に樹脂バリを発生させることなく樹脂封止できる
ので、ダイパッドとヒートシンク間の熱抵抗が大幅に低
下し、半導体素子で発生する熱は熱伝導の主経路である
ダイパッドからヒートシンクに効率よく熱放散すること
になり、低価格で低熱抵抗であるヒートシンク付きモー
ルドＩＣを実現できるという効果を有する。
法によると、ヒートシンク付きモールドＩＣのダイパッ
ド裏面に樹脂バリを発生させることなく樹脂封止できる
ので、ダイパッドとヒートシンク間の熱抵抗が大幅に低
下し、半導体素子で発生する熱は熱伝導の主経路である
ダイパッドからヒートシンクに効率よく熱放散すること
になり、低価格で低熱抵抗であるヒートシンク付きモー
ルドＩＣを実現できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例に使用する樹脂封止装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による樹脂封止後のパッ
ケージの断面図である。
ケージの断面図である。
【図３】図２のパッケージにヒートシンクを接着し外部
リード成形後の断面図である。
リード成形後の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例に使用する樹脂封止装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図５】従来の樹脂封止装置の一例の要部断面図であ
る。
る。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に
よるパッケージの一例の断面図である。
よるパッケージの一例の断面図である。
【図７】図６のパッケージにヒートシンクを接着し外部
リード成形後の断面図である。
リード成形後の断面図である。
１，１ａ，１ｂ 上型 ２ ボンディングワイヤ ３ 半導体素子 ４ リードフレーム ５ ダイパッド ６ ダイパッド載置部 ７，７ａ，７ｂ 下型 ８，８ａ 吸引孔 ９，９ａ，９ｂ 上キャビティ １０，１０ａ，１０ｂ 下キャビティ １１ 樹脂溜め溝 １２ エポキシ樹脂 １３ ヒートシンク １４ シリコン樹脂 １５ 樹脂バリ
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒートシンクをダイパッド裏面に取り付
けた構造をもつ樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に
おいて、下型の下キャビティ中央部に中心に吸引孔を備
えた突起状のダイパッド載置部を設け、前記吸引孔によ
り前記ダイパッドを吸引固着しながら樹脂封止すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214893A JPH0555280A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214893A JPH0555280A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555280A true JPH0555280A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16663310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3214893A Pending JPH0555280A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555280A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787093B2 (en) | 2000-06-26 | 2004-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor resin molding method |
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2011159876A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP3214893A patent/JPH0555280A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787093B2 (en) | 2000-06-26 | 2004-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor resin molding method |
| US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-11-30 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| US8179688B2 (en) | 2004-04-14 | 2012-05-15 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2011159876A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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