DE112022000855T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Yoshizo OSUMI
Hiroaki Matsubara
Tomohira Kikuchi
Taro Nishioka
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist eine Mehrzahl von leitenden Elementen auf, die ein Die-Pad, ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, die jeweils auf dem Die-Pad angeordnet sind, ein isolierendes Element, das mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert, und ein isolierendes Substrat, das zwischen dem Die-Pad und dem isolierenden Element angeordnet ist und an das Die-Pad gebondet ist, aufweisen. Das isolierende Element ist an das isolierende Substrat gebondet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil mit einer Mehrzahl von Halbleiterelementen und einem Isolierelement, das die Halbleiterelemente voneinander isoliert.
  • STAND DER TECHNIK
  • Halbleiterbauteile werden in Wechselrichtervorrichtungen für Elektrofahrzeuge (einschließlich Hybridfahrzeuge) oder elektrische Haushaltsgeräte verwendet. Ein solcher Wechselrichter kann zusätzlich zu einem Halbleiterbauteil Schaltelemente wie IGBTs (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) oder MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) aufweisen. Das Halbleiterbauteil weist einen Controller und einen Gate-Treiber auf. In der Wechselrichtervorrichtung wird ein von außerhalb ausgegebenes Steuersignal in das Steuergerät des Halbleiterbauteils eingegeben. Der Controller wandelt das Steuersignal in ein PWM-(Pulsweitenmodulations-)Steuersignal um und überträgt es an den Gate-Treiber. Basierend auf dem PWM-Steuersignal treibt bzw. steuert der Gate-Treiber z. B. sechs Schaltelemente zu geeigneten Zeitpunkten an. Auf diese Weise wird aus Gleichstrom dreiphasiger Wechselstrom für den Motorantrieb erhalten. Ein Beispiel für ein Halbleiterbauteil (Treiberschaltung), das in einer Motorantriebsvorrichtung verwendet wird, ist in Patentdokument 1 offenbart.
  • In einigen Fällen können sich die an den Controller angelegte Versorgungsspannung und die an den Gate-Treiber angelegte Versorgungsspannung voneinander unterscheiden. In einem Halbleiterbauteil mit einer Mehrzahl von Halbleiterelementen, die in einem einzigen Gehäuse montiert sind, führt dies zu einer Differenz der an die beiden Leitungspfade, d. h. den Leitungspfad zu dem Controller und den Leitungspfad zu dem Gate-Treiber, angelegten Stromversorgungsspannungen. Daher wird ein isolierendes Element zwischen dem Leitungspfad zu dem Controller und dem Leitungspfad zu dem Gate-Treiber angeordnet, um die Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauteils zu verbessern. Ein solches isolierendes Element wird normalerweise zusammen mit dem Controller oder dem Gate-Treiber auf einem Die-Pad montiert. Wenn die an den beiden Leitungspfaden anliegenden Versorgungsspannungen erheblich voneinander abweichen, steigt das Risiko eines dielektrischen Durchschlags des isolierenden Elements. Daher müssen Maßnahmen ergriffen werden, um dies zu verhindern.
  • STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2016-15393
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • Im Lichte der vorstehenden Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das in der Lage ist, die Durchschlagsfestigkeit zwischen einem Die-Pad, auf dem Halbleiterelemente montiert sind, und einem isolierenden Element zu verbessern.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Ein gemäß der vorliegenden Offenbarung vorgesehenes Halbleiterbauteil weist eine Mehrzahl von leitenden Elementen, die ein Die-Pad, ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, die jeweils auf dem Die-Pad angeordnet sind, ein isolierendes Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert, und ein isolierendes Substrat auf, das zwischen dem Die-Pad und dem isolierenden Element angeordnet ist und an das Die-Pad gebondet ist. Das isolierende Element ist an das isolierende Substrat gebondet.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die vorstehend beschriebene Konfiguration der vorliegenden Offenbarung ermöglicht es einem Halbleiterbauteil, eine erhöhte Durchschlagsfestigkeit zwischen einem Die-Pad, auf dem Halbleiterelemente montiert sind, und einem isolierenden Element aufzuweisen.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine Draufsicht entsprechend 1, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 3 ist eine Vorderansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 4 ist eine linke Seitenansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 5 ist eine rechte Seitenansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VI-VI in 2.
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII in 2.
    • 8 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht, in der ein Abschnitt von 2 vergrößert dargestellt ist.
    • 9 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IX-IX in 8.
    • 10 ist eine schematische Ansicht des isolierenden Elements und des isolierenden Substrats, die in 9 gezeigt sind.
    • 11 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Abwandlung der vorliegenden Ausführungsform, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XII-XII in 11.
    • 13 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Abwandlung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 14 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIV-XIV in 13.
    • 15 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 16 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVI-XVI in 15.
    • 17 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 18 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XVIII-XVIII in 17.
    • 19 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht, in der ein Abschnitt von 17 vergrößert ist.
    • 20 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XX-XX in 19.
    • 21 ist eine schematische Ansicht des isolierenden Elements und des isolierenden Substrats, die in 20 gezeigt sind.
    • 22 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 23 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIII-XXIII in 22.
    • 24 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht, in der ein Abschnitt von 23 vergrößert dargestellt ist.
    • 25 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 26 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVI-XXVI in 25.
    • 27 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betrachtet durch ein Dichtungsharz.
    • 28 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXVIII-XXVIII in 27.
  • ART UND WEISE ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen eine Art und Weise zur Ausführung der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
  • Ein Halbleiterbauteil A1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 1 bis 10 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A1 weist ein erstes Halbleiterelement 11, ein zweites Halbleiterelement 12, ein isolierendes Element 13, eine Mehrzahl von leitenden Elementen 20, ein isolierendes Substrat 24, eine erste Bondschicht 25, eine zweite Bondschicht 26, eine Mehrzahl von ersten Drähten 41, eine Mehrzahl von zweiten Drähten 42, eine Mehrzahl von dritten Drähten 43, eine Mehrzahl von vierten Drähten 44 und ein Dichtungsharz 50 auf. Die leitenden Elemente 20 weisen einen Elementträger 21 (ein Die-Pad 21), eine Mehrzahl von ersten Anschlüssen 31 und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen 32 auf. Das Halbleiterbauteil A1 ist dazu ausgebildet, auf einer Leiterplatte einer Wechselrichtervorrichtung z.B. eines Fahrzeugs wie eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs oberflächenmontiert zu werden. Der Gehäusetyp bzw. die Gehäuseform („packaging type“) des Halbleiterbauteils A1 ist SOP (Small Outline Package). Der Gehäusetyp des Halbleiterbauteils A1 ist nicht auf das SOP beschränkt. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 50 in 2 transparent dargestellt. In 2 sind die Umrisse des Dichtungsharzes 50 durch imaginäre Linien (Strichzweipunktlinie) gezeigt.
  • In der Beschreibung des Halbleiterbauteils A1 wird die Dickenrichtung jedes des ersten Halbleiterelements 11, des zweiten Halbleiterelements 12 und des isolierenden Elements 13 als die „Dickenrichtung z“ definiert. Eine orthogonal zu der Dickenrichtung z verlaufende Richtung wird als die „erste Richtung x“ definiert. Die orthogonal zu der Dickenrichtung z und der ersten Richtung x verlaufende Richtung wird als die „zweite Richtung y“ definiert.
  • Das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das isolierende Element 13 sind die Kernkomponenten für die Funktionen des Halbleiterbauteils A1. In dem Halbleiterbauteil A1 sind das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das isolierende Element 13 einzelne bzw. individuelle Elemente. In der ersten Richtung x ist das zweite Halbleiterelement 12 relativ zu dem isolierenden Element 13 auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Halbleiterelements 11 angeordnet. In der Dickenrichtung z betrachtet, weisen das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das isolierende Element 13 jeweils eine rechteckige Form mit der langen Seite in der zweiten Richtung y auf.
  • Das erste Halbleiterelement 11 ist ein Controller (ein Steuerelement) für einen Gate-Treiber, der Schaltelemente wie IGBTs oder MOSFETs ansteuert. Das erste Halbleiterelement 11 weist eine Schaltung zur Umwandlung von z.B. von einer Motorsteuereinheit (ECU) eingegebenen Steuersignalen in PWM-Steuersignale, eine Übertragungsschaltung zur Übertragung der PWM-Steuersignale an das zweite Halbleiterelement 12 und eine Empfangsschaltung zum Empfangen elektrischer Signale von dem zweiten Halbleiterelement 12 auf.
  • Das zweite Halbleiterelement 12 ist ein Gate-Treiber (ein Treiberelement) zum Ansteuern der Schaltelemente. Das zweite Halbleiterelement 12 weist eine Empfangsschaltung zum Empfangen von PWM-Steuersignalen, eine Schaltung zum Ansteuern der Schaltelemente basierend auf den PWM-Steuersignalen und eine Übertragungsschaltung zum Übertragen elektrischer Signale an das erste Halbleiterelement 11 auf. Beispiele der elektrischen Signale weisen ein Ausgangssignal von einem in der Nähe des Motors angeordneten Temperatursensor auf.
  • Das isolierende Element 13 ist ein Element, das PWM-Steuersignale und andere elektrische Signale in einem isolierten Zustand überträgt. In dem Halbleiterbauteil A1 ist das isolierende Element 13 von einem induktiven Typ. Ein Beispiel für ein isolierendes Element 13 des induktiven Typs ist ein Trenntransformator. Ein Trenntransformator weist zwei induktiv gekoppelte Induktoren (Spulen) auf, um die Übertragung von elektrischen Signalen in einem isolierten Zustand zu realisieren. Das isolierende Element 13 weist ein Substrat aus Silizium auf. Auf dem Substrat sind Induktoren aus Kupfer (Cu) ausgebildet. Die Induktoren weisen einen sendeseitigen Induktor und einen empfangsseitigen Induktor auf, die in der Dickenrichtung z gestapelt sind. Zwischen dem sendeseitigen Induktor und dem empfangsseitigen Induktor ist eine dielektrische Schicht, beispielsweise aus Siliziumdioxid (SiO2), angeordnet. Die dielektrische Schicht stellt eine elektrische Isolierung zwischen dem sendeseitigen Induktor und dem empfangsseitigen Induktor bereit. Alternativ kann das isolierende Element 13 von einem kapazitiven Typ sein. Ein Beispiel für ein kapazitives isolierendes Element 13 ist ein Kondensator.
  • In dem Halbleiterbauteil A1 sind die an das erste Halbleiterelement 11 angelegte Spannung und die an das zweite Halbleiterelement 12 angelegte Spannung voneinander verschieden. Somit besteht eine Potentialdifferenz zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12. In dem Halbleiterbauteil A1 ist die an das zweite Halbleiterelement 12 angelegte Versorgungsspannung höher als die an das erste Halbleiterelement 11 angelegte Spannung.
  • In dem Halbleiterbauteil A1 stellt das isolierende Element 13 eine Isolierung zwischen einer ersten Schaltung, die das erste Halbleiterelement 11 als Komponente aufweist, und einer zweiten Schaltung, die das zweite Halbleiterelement 12 als Komponente aufweist, bereit. Das isolierende Element 13 ist elektrisch mit der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung verbunden. Die Komponenten der ersten Schaltung weisen zusätzlich zu dem ersten Halbleiterelement 11 ein erstes Die-Pad 22, die ersten Anschlüsse 31, die ersten Drähte 41 und die dritten Drähte 43 auf, die später beschrieben werden. Die Komponenten der zweiten Schaltung weisen zusätzlich zu dem zweiten Halbleiterelement 12 ein zweites Die-Pad 23, die zweiten Anschlüsse 32, die zweiten Drähte 42 und die vierten Drähte 44 auf, die später beschrieben werden. Die erste Schaltung und die zweite Schaltung weisen unterschiedliche Potentiale auf. In dem Halbleiterbauteil A1 ist das Potenzial der zweiten Schaltung höher als das Potenzial der ersten Schaltung. In diesem Zustand leitet das isolierende Element 13 Signale zwischen der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung weiter. Beispielsweise kann in einer Wechselrichtervorrichtung für ein Elektrofahrzeug oder ein Hybridfahrzeug die an die Masse des zweiten Halbleiterbauteils 12 angelegte Spannung vorübergehend 600 V oder mehr betragen, während die an die Masse des ersten Halbleiterbauteils 11 angelegte Spannung etwa 0 V beträgt.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist das erste Halbleiterelement 11 eine Mehrzahl von ersten Elektroden 111 auf. Die ersten Elektroden 111 sind auf der oberen Oberfläche des ersten Halbleiterelements 11 vorgesehen (d.h. der Oberfläche, die in die gleiche Richtung weist wie eine erste Montagefläche 221A eines ersten Pad-Abschnitts 221 des später beschriebenen ersten Die-Pads 22) . Die Zusammensetzung der ersten Elektroden 111 weist beispielsweise Aluminium (Al) auf. Mit anderen Worten, jede erste Elektrode 111 enthält Aluminium. Die ersten Elektroden 111 sind elektrisch leitend mit der in dem ersten Halbleiterelement 11 gebildeten Schaltung verbunden.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, ist das isolierende Element 13 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem zweiten Halbleiterelement 12 in der ersten Richtung x angeordnet. Wie in den 8 und 9 gezeigt, weist das isolierende Element 13 eine Mehrzahl von ersten Relais-Elektroden 131 und eine Mehrzahl von zweiten Relais-Elektroden 132 auf. Die ersten Relais-Elektroden 131 und die zweiten Relais-Elektroden 132 sind auf der oberen Oberfläche (der Oberfläche, die in die gleiche Richtung weist wie die vorstehend beschriebene erste Montagefläche 221A) des isolierenden Elements 13 angeordnet. Die ersten Relais-Elektroden 131 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet und in der ersten Richtung x näher an dem ersten Halbleiterelement 11 angeordnet als das zweite Halbleiterelement 12. Die zweiten Relais-Elektroden 132 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet und in der ersten Richtung x näher an dem zweiten Halbleiterelement 12 angeordnet als das erste Halbleiterelement 11.
  • Wie in 10 gezeigt, weist das isolierende Element 13 des Weiteren einen ersten Sender/Empfänger 133, einen zweiten Sender/Empfänger 134 und eine Relais-Einheit 135 auf. Der erste Sender/Empfänger 133, der zweite Sender/Empfänger 134 und die Relais-Einheit 135 sind Induktoren. Der erste Sender/Empfänger 133 und der zweite Sender/Empfänger 134 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Der erste Sender/Empfänger 133 ist elektrisch leitend mit den ersten Relais-Elektroden 131 verbunden. Der erste Sender/Empfänger 133 ist über die dritten Drähte 43 auch elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Der zweite Sender/Empfänger 134 ist elektrisch leitend mit den zweiten Relais-Elektroden 132 verbunden. Der zweite Sender/Empfänger 134 ist über die vierten Drähte 44 auch elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden.
  • Wie in 10 gezeigt, ist die Relais-Einheit 135 von dem ersten Sender/Empfänger 133 und dem zweiten Sender/Empfänger 134 in der Dickenrichtung z beabstandet. Zwischen der Relais-Einheit 135 und dem ersten und dem zweiten Sender/Empfänger 133 und 134 ist eine dielektrische Schicht (nicht gezeigt), z. B. aus Siliziumdioxid, angeordnet. Die Relais-Einheit 135 überträgt/empfängt Signale zwischen dem ersten Sender/Empfänger 133 und dem zweiten Sender/Empfänger 134. In der Dickenrichtung z ist die Relais-Einheit 135 näher an dem isolierenden Substrat 24 angeordnet als der erste Sender/Empfänger 133 und der zweite Sender/Empfänger 134. Das Potential der Relais-Einheit 135 nimmt einen Wert zwischen dem Potential des ersten Senders/Empfängers 133 und dem Potential des zweiten Senders/Empfängers 134 an.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist das zweite Halbleiterelement 12 eine Mehrzahl von zweiten Elektroden 121 auf. Die zweiten Elektroden 121 sind auf der oberen Oberfläche des zweiten Halbleiterelements 12 vorgesehen (d. h. auf der Oberfläche, die in die gleiche Richtung weist wie eine zweite Montagefläche 231A eines zweiten Pad-Abschnitts 231 des später beschriebenen zweiten Die-Pad 23). Die zweiten Elektroden 121 können Aluminium enthalten. Die zweiten Elektroden 121 sind elektrisch leitend mit der in dem zweiten Halbleiterelement 12 gebildeten Schaltung verbunden.
  • Die leitenden Elemente 20 bilden Leitungswege zwischen der Leiterplatte, auf der das Halbleiterbauteil A1 montiert ist, und dem ersten Halbleiterelement 11, dem isolierenden Element 13 und dem zweiten Halbleiterelement 12. Die leitenden Elemente 20 sind aus einem gleichen Anschlussrahmen („lead frame“) ausgebildet. Der Anschlussrahmen enthält Kupfer. Wie vorstehend beschrieben, weisen die leitenden Elemente 20 den Elementträger 21 (das Die-Pad 21), die ersten Anschlüsse 31 und die zweiten Anschlüsse 32 auf. In dem Halbleiterbauteil A1 weist der Elementträger 21 (das Die-Pad 21) ein erstes Die-Pad 22 und ein zweites Die-Pad 23 auf.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind das erste Die-Pad 22 und das zweite Die-Pad 23 in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. In dem Halbleiterbauteil A1 sind das erste Halbleiterelement 11 und das isolierende Substrat 24 an das erste Die-Pad 22 gebondet, und das zweite Halbleiterelement 12 ist an das zweite Die-Pad 23 gebondet. Die an das zweite Die-Pad 23 angelegte Spannung unterscheidet sich von der an das erste Die-Pad 22 angelegten Spannung. In dem Halbleiterbauteil A1 ist die an das zweite Die-Pad 23 angelegte Spannung höher als die an das erste Die-Pad 22 angelegte Spannung.
  • Wie in 2 gezeigt, weist das erste Die-Pad 22 den ersten Pad-Abschnitt 221 und zwei erste Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 auf. Das erste Halbleiterelement 11 ist auf dem ersten Pad-Abschnitt 221 angeordnet. Wie in den 6 und 7 gezeigt, weist der erste Pad-Abschnitt 221 eine erste Montagefläche 221A auf, die in die Dickenrichtung z weist. Das erste Halbleiterelement 11 ist über ein nicht gezeigtes leitendes Bondmaterial (z. B. Lot oder Metallpaste) an die erste Montagefläche 221A gebondet. Der erste Pad-Abschnitt 221 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Die Dicke des ersten Pad-Abschnitts 221 ist beispielsweise gleich oder größer als 150 um und gleich oder kleiner als 200 pm.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, ist der erste Pad-Abschnitt 221 mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern 223 ausgebildet. Jedes der Durchgangslöcher 223 durchdringt den ersten Pad-Abschnitt 221 in der Dickenrichtung z und erstreckt sich entlang der zweiten Richtung y. In der Dickenrichtung z betrachtet, ist zumindest eines der Durchgangslöcher 223 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem isolierenden Substrat 24 angeordnet. Die Durchgangslöcher 223 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet.
  • Wie in 2 gezeigt, sind die zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 mit in der zweiten Richtung y gegenüberliegenden Enden des ersten Pad-Abschnitts 221 verbunden. Die zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 weisen jeweils einen abgedeckten Abschnitt 222A und einen freiliegenden Abschnitt 222B auf. Der abgedeckte Abschnitt 222A ist mit dem ersten Pad-Abschnitt 221 verbunden und mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der abgedeckte Abschnitt 222A weist einen sich in der ersten Richtung x erstreckenden Abschnitt auf. Der freiliegende Abschnitt 222B ist mit dem abgedeckten Abschnitt 222A verbunden und liegt von dem Dichtungsharz 50 frei. In der Dickenrichtung z betrachtet, erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 222B entlang der ersten Richtung x. Wie in 3 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 222B in der zweiten Richtung y betrachtet in ein Flügelprofil gebogen. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 222B kann beispielsweise mit Zinn (Sn) plattiert sein.
  • Wie in 2 gezeigt, weist das zweite Die-Pad 23 einen zweiten Pad-Abschnitt 231 und zwei zweite Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 auf. Das zweite Halbleiterelement 12 ist auf dem zweiten Pad-Abschnitt 231 angeordnet. Wie in 6 gezeigt, weist der zweite Pad-Abschnitt 231 eine zweite Montagefläche 231A auf, die in die Dickenrichtung z weist. Das zweite Halbleiterelement 12 ist über ein nicht gezeigtes leitendes Verbindungsmaterial (z. B. Lot oder Metallpaste) an die zweite Montagefläche 231A gebondet. Der zweite Pad-Abschnitt 231 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Die Dicke des zweiten Pad-Abschnitts 231 ist beispielsweise gleich oder größer als 150 um und gleich oder kleiner als 200 um. Die Fläche des zweiten Pad-Abschnitts 231 ist kleiner als die Fläche des ersten Pad-Abschnitts 221 des ersten Die-Pads 22. In der ersten Richtung x betrachtet, überlappt der zweite Pad-Abschnitt 231 mit dem ersten Pad-Abschnitt 221.
  • Wie in 2 gezeigt, erstrecken sich die zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 von gegenüberliegenden Enden des zweiten Pad-Abschnitts 231 aus in der zweiten Richtung y nach außen. Die zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 weisen jeweils einen abgedeckten Abschnitt 232A und einen freiliegenden Abschnitt 232B auf. Der abgedeckte Abschnitt 232A ist mit dem zweiten Pad-Abschnitt 231 verbunden und mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der abgedeckte Abschnitt 232A weist einen sich in der ersten Richtung x erstreckenden Abschnitt auf. Der freiliegende Abschnitt 232B ist mit dem abgedeckten Abschnitt 232A verbunden und liegt von dem Dichtungsharz 50 frei. In der Dickenrichtung z betrachtet, erstreckt sich der freiliegende Abschnitt 232B entlang der ersten Richtung x. Wie in 3 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 232B in der zweiten Richtung y betrachtet in ein Flügelprofil gebogen. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 232B kann beispielsweise mit Zinn plattiert sein.
  • Wie in den 2, 6 und 7 gezeigt, ist das isolierende Substrat 24 an das Die-Pad 21 gebondet. In der Dickenrichtung z betrachtet, ist das isolierende Substrat 24 einwärts von der Peripherie des Die-Pads 21 angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A1 ist das isolierende Substrat 24 an den ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22 gebondet. Das isolierende Substrat 24 ist beispielsweise aus einem Material hergestellt, das Aluminiumoxid (Al2O3) enthält. Das isolierende Substrat 24 ist, in der Dickenrichtung z betrachtet, rechteckig. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Das isolierende Substrat 24 ist zwischen dem Die-Pad 21 (dem ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22) und dem isolierenden Element 13 angeordnet.
  • Wie in 9 gezeigt, ist die erste Bondschicht 25 zwischen dem Die-Pad 21 (dem ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22) und dem isolierenden Substrat 24 angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A1 ist das isolierende Substrat 24 über die erste Bondschicht 25 an die erste Montagefläche 221A des ersten Pad-Abschnitts 221 gebondet. Die Dicke t1 der ersten Bondschicht 25 ist kleiner als die Dicke T des isolierenden Substrats 24. Wie in den 8 und 9 gezeigt, weist in dem Halbleiterbauteil A1 die erste Bondschicht 25 einen Abschnitt auf, der, in der Dickenrichtung z betrachtet, aus der Peripherie 241 des isolierenden Substrats 24 herausragt. Die erste Bondschicht 25 weist eine elektrisch isolierende Eigenschaft auf. Die erste Bondschicht 25 ist beispielsweise aus einem Material hergestellt, das Epoxidharz enthält.
  • Wie in 9 gezeigt, ist die zweite Bondschicht 26 zwischen dem isolierenden Substrat 24 und dem isolierenden Element 13 angeordnet. Das isolierende Element 13 ist über die zweite Bondschicht 26 an das isolierende Substrat 24 gebondet. Die Dicke t2 der zweiten Bondschicht 26 ist kleiner als die Dicke T des isolierenden Substrats 24. In dem Halbleiterbauteil A1, wie in 8 gezeigt, ist, in der Dickenrichtung z betrachtet, die Fläche der zweiten Bondschicht 26 kleiner als die Fläche der ersten Bondschicht 25. Die zweite Bondschicht 26 weist eine elektrisch isolierende Eigenschaft auf. Die zweite Bondschicht 26 ist beispielsweise aus einem Material hergestellt, das Epoxidharz enthält.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind die ersten Anschlüsse 31 auf einer Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Genauer gesagt, sind die ersten Anschlüsse 31 auf der gegenüberliegenden Seite des zweiten Pad-Abschnitts 231 des zweiten Die-Pads 23 relativ zum ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22 in der ersten Richtung x angeordnet. Zumindest einer der ersten Anschlüsse 31 ist über einen dritten Draht 43 elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Die ersten Anschlüsse 31 weisen eine Mehrzahl von ersten Zwischenanschlüssen 31A und zwei erste seitliche Anschlüsse 31B auf. Die zwei ersten seitlichen Anschlüsse 31B flankieren die ersten Zwischenanschlüsse 31A in der zweiten Richtung y. Jeder der zwei ersten seitlichen Anschlüsse 31B ist zwischen einem der zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pads 22 und dem ersten Zwischenanschluss 31A, der dem ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitt 222 in der zweiten Richtung y am nächsten ist, angeordnet.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist jeder der ersten Anschlüsse 31 einen abgedeckten Abschnitt 311 und einen freiliegenden Abschnitt 312 auf. Die abgedeckten Abschnitte 311 sind mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Die Ausdehnung des abgedeckten Abschnitts 311 jedes der zwei ersten seitlichen Anschlüsse 31B in der ersten Richtung x ist größer als die Ausdehnung des abgedeckten Abschnitts 311 jedes der ersten Zwischenanschlüsse 31A in der ersten Richtung x.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind die freiliegenden Abschnitte 312 mit den abgedeckten Abschnitten 311 verbunden und liegen von dem Dichtungsharz 50 frei. In der Dickenrichtung z betrachtet, erstrecken sich die freiliegenden Abschnitte 312 entlang der ersten Richtung x. In der zweiten Richtung y betrachtet, sind die freiliegenden Abschnitte 312 in ein Flügelprofil gebogen. Die Form der freiliegenden Abschnitte 312 ist die gleiche wie die des freiliegenden Abschnitts 222B jedes der beiden ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pads 22. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 312 kann beispielsweise mit Zinn plattiert sein.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, sind die zweiten Anschlüsse 32 auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Genauer gesagt sind die zweiten Anschlüsse 32 auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlüsse 31 relativ zu dem ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22 in der ersten Richtung x angeordnet. Die zweiten Anschlüsse 32 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet. Zumindest einer der zweiten Anschlüsse 32 ist über einen vierten Draht 44 elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Die zweiten Anschlüsse 32 weisen eine Mehrzahl von zweiten Zwischenanschlüssen 32A und zwei zweite seitliche Anschlüsse 32B auf. Die zwei zweiten seitlichen Anschlüsse 32B flankieren die zweiten Zwischenanschlüsse 32A in der zweiten Richtung y. In der zweiten Richtung y ist jeder der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pads 23 zwischen einem der zwei zweiten seitlichen Anschlüsse 32B und dem zweiten Zwischenanschluss 32A, der dem zweiten seitlichen Anschluss 32B am nächsten ist, angeordnet.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, weist jeder der zweiten Anschlüsse 32 einen abgedeckten Abschnitt 321 und einen freiliegenden Abschnitt 322 auf. Die abgedeckten Abschnitte 321 sind mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Die Ausdehnung des abgedeckten Abschnitts 321 eines jeden der zwei zweiten seitlichen Anschlüsse 32B in der ersten Richtung x ist größer als die Ausdehnung des abgedeckten Abschnitts 321 jedes der zweiten Zwischenanschlüsse 32A in der ersten Richtung x.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind die freiliegenden Abschnitte 322 mit den abgedeckten Abschnitten 321 verbunden und liegen von dem Dichtungsharz 50 frei. In der Dickenrichtung z betrachtet, erstrecken sich die freiliegenden Abschnitte 322 entlang der ersten Richtung x. Wie in 3 gezeigt, sind die freiliegenden Abschnitte 322 in der zweiten Richtung y betrachtet in ein Flügelprofil gebogen. Die Form der freiliegenden Abschnitte 322 ist die gleiche wie die des freiliegenden Abschnitts 232B jedes der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pads 23. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 322 kann beispielsweise mit Zinn plattiert sein.
  • Die ersten Drähte 41, die zweiten Drähte 42, die dritten Drähte 43 und die vierten Drähte 44 bilden zusammen mit den leitenden Elementen 20 Leitungswege für das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12 und das isolierende Element 13, um vorbestimmte Funktionen durchzuführen.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind einige der ersten Drähte 41 an die ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 und die bedeckten Abschnitte 311 des ersten Anschlusses 31 gebondet. Somit ist zumindest einer der ersten Anschlüsse 31 elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Zumindest einer der ersten Drähte 41 ist an eine der ersten Elektroden 111 und einen der abgedeckten Abschnitte 222A der zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pads 22 gebondet. Somit ist zumindest einer der zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Bei einer solchen Konfiguration stellt zumindest einer der beiden ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 einen Masseanschluss für das erste Halbleiterelement 11 bereit. Jeder der ersten Drähte 41 enthält Gold (Au). Alternativ kann jeder der ersten Drähte 41 Kupfer enthalten.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind einige der zweiten Drähte 42 an die zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und die abgedeckten Abschnitte 321 der zweiten Anschlüsse 32 gebondet. Somit ist zumindest einer der zweiten Anschlüsse 32 elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Zudem ist zumindest einer der zweiten Drähte 42 an eine der zweiten Elektroden 121 und einen der abgedeckten Abschnitte 232A der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pads 23 gebondet. Somit ist zumindest einer der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Bei einer solchen Konfiguration stellt zumindest einer der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 einen Masseanschluss des zweiten Halbleiterelements 12 bereit. Jeder der zweiten Drähte 42 enthält Gold. Alternativ kann jeder der zweiten Drähte 42 Kupfer enthalten.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind die dritten Drähte 43 an die ersten Relais-Elektroden 131 des isolierenden Elements 13 und an die ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 gebondet. Somit sind das erste Halbleiterelement 11 und das isolierende Element 13 elektrisch leitend miteinander verbunden. Die dritten Drähte 43 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet. Jeder der dritten Drähte 43 enthält Gold.
  • Wie in den 2 und 6 gezeigt, sind die vierten Drähte 44 an die zweiten Relais-Elektroden 132 des isolierenden Elements 13 und an die zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 gebondet. Somit sind das zweite Halbleiterelement 12 und das isolierende Element 13 elektrisch leitend miteinander verbunden. Die vierten Drähte 44 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A1 erstrecken sich die vierten Drähte 44 über den Spalt zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22 und dem zweiten Pad-Abschnitt 231 des zweiten Die-Pads 23. Jeder der vierten Drähte 44 enthält Gold.
  • Wie in 1 gezeigt, bedeckt das Dichtungsharz 50 das erste Halbleiterelement 11, das zweite Halbleiterelement 12, das isolierende Element 13 und einen Teil jedes leitenden Elements 20. Das Dichtungsharz 50 bedeckt auch die ersten Drähte 41, die zweiten Drähte 42, die dritten Drähte 43 und die vierten Drähte 44. Das Dichtungsharz 50 weist eine elektrisch isolierende Eigenschaft auf. Das Dichtungsharz 50 ist beispielsweise aus einem Material hergestellt, das Epoxidharz enthält. Das Dichtungsharz 50 ist, in der Dickenrichtung z betrachtet, rechteckig.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist das Dichtungsharz 50 eine obere Oberfläche 51, eine untere Oberfläche 52, ein Paar erster Seitenoberflächen 53 und ein Paar zweiter Seitenoberflächen 54 auf.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, sind die obere Oberfläche 51 und die untere Oberfläche 52 in der Dickenrichtung z voneinander beabstandet. Die obere Oberfläche 51 und die untere Oberfläche 52 sind in der Dickenrichtung z voneinander abgewandt. Jede von der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 ist flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, ist das Paar der ersten Seitenoberflächen 53 mit der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 verbunden und in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Die freiliegenden Abschnitte 222B der zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pads 22 und die freiliegenden Abschnitte 312 der ersten Anschlüsse 31 liegen von einer des Paars der ersten Seitenoberflächen 53 aus frei, die auf einer Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Die freiliegenden Abschnitte 232B der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pads 23 und die freiliegenden Abschnitte 322 der zweiten Anschlüsse 32 liegen von der anderen der ersten Seitenoberflächen 53 aus frei, die auf der anderen Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist jede des Paares der ersten Seitenoberflächen 53 einen ersten oberen Abschnitt 531, einen ersten unteren Abschnitt 532 und einen ersten Zwischenabschnitt 533 auf. Der erste obere Abschnitt 531 ist auf einer Seite in der Dickenrichtung z mit der oberen Oberfläche 51 und auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z mit dem ersten Zwischenabschnitt 533 verbunden. Der erste obere Abschnitt 531 ist in Bezug auf die obere Oberfläche 51 geneigt. Der erste untere Abschnitt 532 ist auf einer Seite in der Dickenrichtung z mit der unteren Oberfläche 52 verbunden und auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z mit dem ersten Zwischenabschnitt 533 verbunden. Der erste untere Abschnitt 532 ist in Bezug auf die untere Oberfläche 52 geneigt. Der erste Zwischenabschnitt 533 ist auf einer Seite in der Dickenrichtung z mit dem ersten oberen Abschnitt 531 verbunden und auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z mit dem ersten unteren Abschnitt 532 verbunden. Die In-Ebene-Richtung des ersten Zwischenabschnitts 533 kann durch die Dickenrichtung z und die zweite Richtung y definiert sein. Der erste Zwischenabschnitt 533 ist in der Dickenrichtung z betrachtet außerhalb der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 angeordnet. Die freiliegenden Abschnitte 222B der zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pads 22, die freiliegenden Abschnitte 232B der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pads 23, die freiliegenden Abschnitte 312 der ersten Anschlüsse 31 und die freiliegenden Abschnitte 322 der zweiten Anschlüsse 32 liegen von den ersten Zwischenabschnitten 533 des Paares der ersten Seitenoberflächen 53 aus frei.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, ist das Paar der zweiten Seitenoberflächen 54 mit der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 verbunden und in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Wie in 1 gezeigt, sind das erste Die-Pad 22, das zweite Die-Pad 23, die ersten Anschlüsse 31 und die zweiten Anschlüsse 32 von dem Paar der zweiten Seitenoberflächen 54 beabstandet.
  • Wie in den 3 bis 5 gezeigt, weist jede des Paares der zweiten Seitenoberflächen 54 einen zweiten oberen Abschnitt 541, einen zweiten unteren Abschnitt 542 und einen zweiten Zwischenabschnitt 543 auf. Der zweite obere Abschnitt 541 ist auf einer Seite in der Dickenrichtung z mit der oberen Oberfläche 51 und auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z mit dem zweiten Zwischenabschnitt 543 verbunden. Der zweite obere Abschnitt 541 ist in Bezug auf die obere Oberfläche 51 geneigt. Der zweite untere Abschnitt 542 ist auf einer Seite in Dickenrichtung z mit der unteren Oberfläche 52 und auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z mit dem zweiten Zwischenabschnitt 543 verbunden. Der zweite untere Abschnitt 542 ist in Bezug auf die untere Oberfläche 52 geneigt. Der zweite Zwischenabschnitt 543 ist auf einer Seite in der Dickenrichtung z mit dem zweiten oberen Abschnitt 541 und auf der anderen Seite in der Dickenrichtung z mit dem zweiten unteren Abschnitt 542 verbunden. Die In-Ebene-Richtung des zweiten Zwischenabschnitts 543 kann durch die Dickenrichtung z und die erste Richtung x definiert sein. Der zweite Zwischenabschnitt 543 ist in der Dickenrichtung z betrachtet außerhalb der oberen Oberfläche 51 und der unteren Oberfläche 52 angeordnet.
  • Im Allgemeinen ist in Motortreiberschaltungen von Wechselrichtervorrichtungen eine Halbbrückenschaltung konfiguriert, die ein Low-Side-Schaltelement (Low-Potential-Side-Schaltelement) und ein High-Side-Schaltelement (High-Potential-Side-Schaltelement) aufweist. Ein Beispiel, in dem diese Schaltelemente MOSFETs sind, wird im Folgenden beschrieben. In dem Low-Side-Schaltelement liegen die Bezugspotentiale der Source des Schaltelements und des Gate-Treibers, der das Schaltelement ansteuert, beide auf Masse. Andererseits entsprechen in dem High-Side-Schaltelement die Bezugspotentiale der Source des Schaltelements und des Gate-Treibers, der das Schaltelement ansteuert, beide dem Potential an dem Ausgangsknoten der Halbbrückenschaltung. Da sich das Potential an dem Ausgangsknoten als Reaktion auf den Betrieb des High-Side-Schaltelements und der Low-Side-Schaltelemente ändert, ändert sich das Bezugspotential des Gate-Treibers, der das High-Side-Schaltelement ansteuert. Wenn das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, entspricht das Bezugspotenzial der an den Drain des High-Side-Schaltelements angelegten Spannung (z. B. 600 V oder höher). In dem Halbleiterbauteil A1 sind die Masse des ersten Halbleiterelements 11 und die Masse des zweiten Halbleiterelements 12 voneinander getrennt. Somit wird, wenn das Halbleiterbauteil A1 als Gate-Treiber zum Ansteuern des High-Side-Schaltelements verwendet wird, eine Spannung, die der an den Drain des High-Side-Schaltelements angelegten Spannung entspricht, vorübergehend an die Masse des zweiten Halbleiterelements 12 angelegt.
  • Ein Halbleiterbauteil A11 als eine erste Abwandlung des Halbleiterbauteils A1 wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 11 und 12 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A11 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A1 hinsichtlich der Konfiguration der ersten Bondschicht 25 und der zweiten Bondschicht 26.
  • Wie in den 11 und 12 gezeigt, ist in dem Halbleiterbauteil A11 die erste Bondschicht 25 in der Dickenrichtung z betrachtet einwärts von der Peripherie 241 des isolierenden Substrats 24 angeordnet. Wie in 11 gezeigt, ist die Fläche der zweiten Bondschicht 26 in der Dickenrichtung z betrachtet kleiner als die Fläche der ersten Bondschicht 25.
  • Ein Halbleiterbauteil A12 als eine zweite Abwandlung des Halbleiterbauteils A1 wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 13 und 14 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A12 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A1 hinsichtlich der Konfiguration der ersten Bondschicht 25 und der zweiten Bondschicht 26.
  • Wie in den 13 und 14 gezeigt, ist in dem Halbleiterbauteil A12 die erste Bondschicht 25 in der Dickenrichtung z betrachtet einwärts von der Peripherie 241 des isolierenden Substrats 24 angeordnet. Wie in 13 gezeigt, ist die Fläche der ersten Bondschicht 25 in der Dickenrichtung z betrachtet kleiner als die Fläche der zweiten Bondschicht 26.
  • Als Nächstes werden die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A1 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A1 weist die leitenden Elemente 20 einschließlich des Die-Pads 21, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12, die jeweils auf dem Die-Pad 21 angeordnet sind, und das isolierende Element 13, das das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert, auf. Des Weiteren weist das Halbleiterbauteil A1 das isolierende Substrat 24 auf, das zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet und an das Die-Pad 21 gebondet ist. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Ein dielektrischer Durchbruch des isolierenden Elements 13 tritt auf, wenn sich geladene Träger vom Die-Pad 21 zu dem isolierenden Element 13 bewegen. Gemäß der vorliegenden Konfiguration behindert das isolierende Substrat 24 die Bewegung solcher Ladungsträger von der oberen Oberfläche des Die-Pads 21 (der ersten Montagefläche 221A des ersten Die-Pad-Abschnitts 221 des ersten Die-Pads 22) zu der unteren Oberfläche des isolierenden Elements 13, die der oberen Oberfläche zugewandt ist. Hierdurch wird die Wahrscheinlichkeit eines dielektrischen Durchschlags des isolierenden Elements 13 verringert. Somit ist das Halbleiterbauteil A1 in der Lage, die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21, auf dem die Halbleiterelemente (das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12) montiert sind, und dem isolierenden Element 13 zu erhöhen.
  • Das Halbleiterbauteil A1 weist auch die erste Bondschicht 25, die zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Substrat 24 angeordnet ist, und die zweite Bondschicht 26, die zwischen dem isolierenden Substrat 24 und dem isolierenden Element 13 angeordnet ist, auf. Vorzugsweise weisen die erste Bondschicht 25 und die zweite Bondschicht 26 eine elektrisch isolierende Eigenschaft auf. Dadurch wird eine Bewegung von Ladungsträgern von der oberen Oberfläche des Die-Pads 21 zu der unteren Oberfläche des isolierenden Elements 13 wirksam behindert.
  • In dem Halbleiterbauteil A11 ist die erste Bondschicht 25, in der Dickenrichtung z betrachtet, einwärts von der Peripherie 241 des isolierenden Substrats 24 angeordnet. Geladene Träger bewegen sich entlang der Schnittstelle zwischen der ersten Bondschicht 25 und dem Dichtungsharz 50, der Schnittstelle zwischen der zweiten Bondschicht 26 und dem Dichtungsharz 50, und der Schnittstelle zwischen dem isolierenden Substrat 24 und dem Dichtungsharz 50. Die vorliegende Konfiguration vergrößert die Wegstrecke solcher Träger von der oberen Oberfläche des Die-Pads 21 zu der unteren Oberfläche des isolierenden Elements 13, wodurch die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 wirksam verbessert wird. In dem Halbleiterbauteil A12 ist die Fläche der ersten Bondschicht 25 in der Dickenrichtung z betrachtet kleiner als die Fläche der zweiten Bondschicht 26. Durch diese Konfiguration wird die Wegstrecke der vorstehend erwähnten Ladungsträger weiter vergrößert, was zu einer wirksameren Verbesserung der Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 führt.
  • Das isolierende Element 13 weist den ersten Sender/Empfänger 133, den zweiten Sender/Empfänger 134 und die Relais-Einheit 135 auf. In der Dickenrichtung z ist die Relais-Einheit 135 näher an dem isolierenden Substrat 24 angeordnet als der erste Sender/Empfänger 133 und der zweite Sender/Empfänger 134. Eine solche Konfiguration ermöglicht es, die Potentialdifferenz zwischen dem ersten Sender/Empfänger 133 und der Relais-Einheit 135 sowie die Potentialdifferenz zwischen dem zweiten Sender/Empfänger 134 und der Relais-Einheit 135 in dem isolierenden Element 13 klein einzustellen. Dies ermöglicht eine Verbesserung der Durchschlagsfestigkeit des isolierenden Elements 13. Darüber hinaus wird die Potenzialdifferenz zwischen der oberen Oberfläche des Die-Pads 21 und der unteren Oberfläche des isolierenden Elements 13 verringert. Dies führt zu einer wirksameren Verbesserung der Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13.
  • Das isolierende Substrat 24 ist, in der Dickenrichtung z betrachtet, einwärts von der Peripherie des Die-Pads 21 angeordnet. Dadurch wird eine Größenzunahme des Halbleiterbauteils A1 verhindert.
  • In dem Halbleiterbauteil A1 liegt jedes leitende Element 20 teilweise an einer der beiden ersten Seitenoberflächen 53 des Dichtungsharzes 50 frei. Eine solche Konfiguration wird durch Freilegen der zwei ersten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 222 des ersten Die-Pads 22 auf einer Seite des Dichtungsharzes 50 in der ersten Richtung x und durch Freilegen der zwei zweiten Suspensions-Anschluss-Abschnitte 232 des zweiten Die-Pads 23 auf der anderen Seite des Dichtungsharzes 50 in der ersten Richtung x realisiert. Mit einer solchen Konfiguration sind die leitenden Elemente 20 von dem Paar der zweiten Seitenoberflächen 54 des Dichtungsharzes 50 beabstandet. In dem Halbleiterbauteil A1 liegen daher Metallteile zum Tragen bzw. Stützen des Die-Pads 21 auf einem Rahmen während der Herstellung des Halbleiterbauteils A1 nicht an den zweiten Seitenoberflächen 54 frei. Dies ermöglicht eine Verbesserung der Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauteils A1.
  • In dem Halbleiterbauteil A1 ist der erste Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22, der flächenmäßig größer ist als der zweite Pad-Abschnitt 231 des zweiten Die-Pads 23, mit den Durchgangslöchern 223 ausgebildet. Während der Herstellung des Halbleiterbauteils A1 strömt das fluidisierte Dichtungsharz 50 durch diese Durchgangslöcher 223, was eine mangelhafte Verfüllung des Dichtungsharzes 50 verhindert. Dadurch wird die Bildung von Hohlräumen in dem Dichtungsharz 50 wirksam verhindert. Dies verhindert eine Abnahme der Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauteils A1.
  • Ein Halbleiterbauteil A2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 15 und 16 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die gleich oder ähnlich zu denen des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteils A1 sind, durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre Beschreibungen werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 50 in 15 transparent dargestellt. In 15 sind die Umrisse des Dichtungsharzes 50 durch imaginäre Linien gezeigt.
  • Das Halbleiterbauteil A2 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A1 hinsichtlich der Konfigurationen des isolierenden Elements 13 und des isolierenden Substrats 24.
  • Wie in den 15 und 16 gezeigt, ist das isolierende Substrat 24 an die zweite Montagefläche 231A des zweiten Pad-Abschnitts 231 des zweiten Die-Pads 23 gebondet. Somit ist das isolierende Element 13 zusammen mit dem zweiten Halbleiterelement 12 auf dem zweiten Pad-Abschnitt 231 angeordnet. Wie bei dem Halbleiterbauteil A1 ist das isolierende Substrat 24 über die erste Bondschicht 25 auf der zweiten Montagefläche 231A montiert (siehe 9). Wie bei dem Halbleiterbauteil A1 ist auch das isolierende Element 13 über die zweite Bondschicht 26 an das isolierende Substrat 24 gebondet. In dem Halbleiterbauteil A2 erstrecken sich daher die dritten Drähte 43 über den Spalt zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 221 des ersten Die-Pads 22 und dem zweiten Pad-Abschnitt 231. Auf diese Weise kann das isolierende Element 13 auch dann auf dem zweiten Pad-Abschnitt 231 montiert werden, wenn das Potential des zweiten Pad-Abschnitts 231 höher ist als das Potential des ersten Pad-Abschnitts 221.
  • Als Nächstes werden die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A2 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A2 weist die leitenden Elemente 20 einschließlich des Die-Pads 21, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12, die jeweils auf dem Die-Pad 21 angeordnet sind, und das isolierende Element 13 auf, das das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert. Das Halbleiterbauteil A2 weist des Weiteren das isolierende Substrat 24 auf, das zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet und an das Die-Pad 21 gebondet ist. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Somit ist das Halbleiterbauteil A2 ebenfalls in der Lage, die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21, auf dem die Halbleiterelemente (das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12) montiert sind, und dem isolierenden Element 13 zu verbessern. Das Halbleiterbauteil A2 weist eine mit dem Halbleiterbauteil A1 gemeinsame Konfiguration auf, wodurch die gleiche Wirkung wie mit dem Halbleiterbauteil A1 erzielt wird.
  • Ein Halbleiterbauteil A3 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 17 bis 21 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die gleich oder ähnlich zu denen des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteils A1 sind, durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre Beschreibungen werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 50 in 17 transparent dargestellt. In 17 sind die Umrisse des Dichtungsharzes 50 durch imaginäre Linien gezeigt.
  • Das Halbleiterbauteil A3 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A1 hinsichtlich der Konfiguration des isolierenden Elements 13. Das Halbleiterbauteil A3 weist des Weiteren eine Mehrzahl von fünften Drähten 45 auf.
  • Wie in den 17 bis 20 gezeigt, weist das isolierende Element 13 ein erstes isolierendes Element 13A und ein zweites isolierendes Element 13B auf, die voneinander beabstandet sind. In dem Halbleiterbauteil A3 sind das erste isolierende Element 13A und das zweite isolierende Element 13B in der ersten Richtung x derart voneinander beabstandet, dass das erste isolierende Element 13A näher an dem ersten Halbleiterelement 11 ist als das zweite isolierende Element 13B. Das erste isolierende Element 13A und das zweite isolierende Element 13B sind über die zweite Bondschicht 26 an das isolierende Substrat 24 gebondet. Wie in den 19 und 20 gezeigt, ist in dem Halbleiterbauteil A3 die zweite Bondschicht 26 eine einzelne Schicht. Alternativ kann die zweite Bondschicht 26 aus separaten Abschnitten gebildet sein, wie bei dem ersten isolierenden Element 13A und dem zweiten isolierenden Element 13B. In dem Halbleiterbauteil A3 ist das isolierende Substrat 24 über die erste Bond-Schicht 25 an die erste Montagefläche 221A des ersten Pad-Abschnitts 221 des ersten Die-Pads 22 gebondet. Alternativ kann das isolierende Substrat 24 wie bei dem Halbleiterbauteil A2 an die zweite Montagefläche 231A des zweiten Pad-Abschnitts 231 des zweiten Die-Pads 23 gebondet sein.
  • Wie in 19 gezeigt, weist das erste isolierende Element 13A eine Mehrzahl von ersten Relais-Elektroden 131 und eine Mehrzahl von zweiten Relais-Elektroden 132 auf. Die dritten Drähte 43 sind an die ersten Relais-Elektroden 131 und die ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 gebondet. Somit sind die ersten Relais-Elektroden 131 elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden.
  • Wie in 21 gezeigt, weist das erste isolierende Element 13A einen ersten Sender/Empfänger 133 und einen zweiten Sender/Empfänger 134 auf. In dem Halbleiterbauteil A3 sind der erste Sender/Empfänger 133 und der zweite Sender/Empfänger 134 Induktoren. Der erste Sender/Empfänger 133 und der zweite Sender/Empfänger 134 sind in der Dickenrichtung z voneinander beabstandet. In dem ersten isolierenden Element 13A ist zwischen dem ersten Sender/Empfänger 133 und dem zweiten Sender/Empfänger 134 eine dielektrische Schicht (nicht gezeigt) aus z. B. Siliziumdioxid angeordnet. Der erste Sender/Empfänger 133 ist elektrisch leitend mit den ersten Relais-Elektroden 131 verbunden. Somit ist der erste Sender/Empfänger 133 elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden. Der zweite Sender/Empfänger 134 überträgt/empfängt Signale an/von dem ersten Sender/Empfänger 133. Der zweite Sender/Empfänger 134 ist elektrisch leitend mit den zweiten Relais-Elektroden 132 verbunden. In der Dickenrichtung z ist der zweite Sender/Empfänger 134 näher an dem isolierenden Substrat 24 angeordnet als der erste Sender/Empfänger 133.
  • Wie in 19 gezeigt, weist das zweite isolierende Element 13B eine Mehrzahl von dritten Relais-Elektroden 136 und eine Mehrzahl von vierten Relais-Elektroden 137 auf. Die vierten Drähte 44 sind an die vierten Relais-Elektroden 137 und die zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 gebondet. Somit sind die vierten Relais-Elektroden 137 elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden.
  • Wie in 21 gezeigt, weist das zweite isolierende Element 13B einen dritten Sender/Empfänger 138 und einen vierten Sender/Empfänger 139 auf. In dem Halbleiterbauteil A3 sind der dritte Sender/Empfänger 138 und der vierte Sender/Empfänger 139 Induktoren. Der dritte Sender/Empfänger 138 und der vierte Sender/Empfänger 139 sind in der Dickenrichtung z voneinander beabstandet. In dem zweiten isolierenden Element 13B ist zwischen dem dritten Sender/Empfänger 138 und dem vierten Sender/Empfänger 139 eine dielektrische Schicht (nicht gezeigt) aus z. B. Siliziumdioxid angeordnet. Der vierte Sender/Empfänger 139 ist elektrisch leitend mit den vierten Relais-Elektroden 137 verbunden. Somit ist der vierte Sender/Empfänger 139 elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden. Der dritte Sender/Empfänger 138 überträgt/empfängt Signale an/von dem vierten Sender/Empfänger 139. Der dritte Sender/Empfänger 138 ist elektrisch leitend mit den dritten Relais-Elektroden 136 verbunden. In der Dickenrichtung z ist der dritte Sender/Empfänger 138 näher an dem isolierenden Substrat 24 angeordnet als der vierte Sender/Empfänger 139.
  • Wie in den 19 und 20 gezeigt, sind die fünften Drähte 45 an die dritten Relais-Elektroden 136 des zweiten isolierenden Elements 13B und die zweiten Relais-Elektroden 132 des ersten isolierenden Elements 13A gebondet. Jeder der fünften Drähte 45 enthält Gold. Auf diese Weise sind die zweiten Relais-Elektroden 132 und die dritten Relais-Elektroden 136 elektrisch leitend miteinander verbunden. Somit ist der dritte Sender/Empfänger 138 des zweiten isolierenden Elements 13B elektrisch leitend mit dem zweiten Sender/Empfänger 134 des ersten isolierenden Elements 13A verbunden. Daher ist das Potential des dritten Senders/Empfängers 138 gleich dem Potential des zweiten Senders/Empfängers 134. Somit nimmt das Potential des zweiten Senders/Empfängers 134 und des dritten Senders/Empfängers 138 einen Wert zwischen dem Potential des ersten Senders/Empfängers 133 des ersten isolierenden Elements 13A und dem Potential des vierten Senders/Empfängers 139 des zweiten isolierenden Elements 13B an.
  • Als Nächstes werden die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A3 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A3 weist die leitenden Elemente 20 einschließlich des Die-Pads 21, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12, die jeweils auf dem Die-Pad 21 angeordnet sind, und das isolierende Element 13 auf, das das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert. Das Halbleiterbauteil A3 weist des Weiteren das isolierende Substrat 24 auf, das zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet und an das Die-Pad 21 gebondet ist. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Das isolierende Substrat 24 ist zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet. Somit ist das Halbleiterbauteil A3 auch in der Lage, die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21, auf dem die Halbleiterelemente (das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12) montiert sind, und dem isolierenden Element 13 zu verbessern. Das Halbleiterbauteil A3 weist eine mit dem Halbleiterbauteil A1 gemeinsame Konfiguration auf, wodurch die gleiche Wirkung wie mit dem Halbleiterbauteil A1 erzielt wird.
  • Das isolierende Element 13 des Halbleiterbauteils A3 weist das erste isolierende Element 13A und das zweite isolierende Element 13B auf, die voneinander beabstandet sind. Das erste isolierende Element 13A weist den ersten Sender/Empfänger 133 und den zweiten Sender/Empfänger 134 auf. Das zweite isolierende Element 13B weist den dritten Sender/Empfänger 138 und den vierten Sender/Empfänger 139 auf. Der dritte Sender/Empfänger 138 ist elektrisch leitend mit dem zweiten Sender/Empfänger 134 verbunden. In der Dickenrichtung z sind der zweite Sender/Empfänger 134 und der dritte Sender/Empfänger 138 näher an dem isolierenden Substrat 24 angeordnet als der erste Sender/Empfänger 133 und der vierte Sender/Empfänger 139. Eine solche Konfiguration ermöglicht es, die Potentialdifferenz zwischen dem ersten Sender/Empfänger 133 und dem zweiten Sender/Empfänger 134 in dem ersten isolierenden Element 13A klein einzustellen. Auch die Potentialdifferenz zwischen dem dritten Sender/Empfänger 138 und dem vierten Sender/Empfänger 139 kann in dem zweiten isolierenden Element 13B klein eingestellt werden. Das heißt, dass die Potentialdifferenz, die in jedem von dem ersten isolierenden Element 13A und dem zweiten isolierenden Element 13B erzeugt wird, reduziert wird. Darüber hinaus wird auch die Potentialdifferenz zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 verringert. Dies führt zu einer wirksameren Verbesserung der Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13. Im Gegensatz zu dem Halbleiterbauteil A1 braucht das Halbleiterbauteil A3 die Relais-Einheit 135 in dem isolierenden Element 13 nicht vorzusehen.
  • Ein Halbleiterbauteil A4 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 22 bis 24 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die gleich oder ähnlich zu denen des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteils A1 sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre Beschreibungen werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 50 in 22 transparent dargestellt. In 22 sind die Umrisse des Dichtungsharzes 50 durch imaginäre Linien gezeigt.
  • Das Halbleiterbauteil A4 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A1 hinsichtlich der Konfigurationen des zweiten Halbleiterelements 12 und des Die-Pads 21.
  • Wie in den 22 und 23 gezeigt, ist das Die-Pad 21 ein einzelnes Element, das weder das erste Die-Pad 22 noch das zweite Die-Pad 23 aufweist. Das Die-Pad 21 weist einen Pad-Abschnitt 211 und zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 auf. Das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 sind auf dem Pad-Abschnitt 211 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 211 weist eine Montagefläche 211A auf, die in die Dickenrichtung z weist. Das erste Halbleiterelement 11 ist über ein nicht gezeigtes leitendes Bondmaterial (z. B. Lot oder Metallpaste) an die Montagefläche 211A gebondet. Wie in 24 gezeigt, ist das isolierende Substrat 24 über eine erste Bondschicht 25 an die Montagefläche 211A gebondet. Der Pad-Abschnitt 211 ist mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Die Dicke des Pad-Abschnitts 211 ist beispielsweise gleich oder größer als 150 um und gleich oder kleiner als 200 pm.
  • Wie in den 22 und 23 gezeigt, ist der Pad-Abschnitt 211 mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern 213 ausgebildet. Jedes der Durchgangslöcher 213 durchdringt den Pad-Abschnitt 211 in der Dickenrichtung z und erstreckt sich entlang der zweiten Richtung y. In der Dickenrichtung z betrachtet, ist zumindest eines der Durchgangslöcher 213 zwischen dem ersten Halbleiterelement 11 und dem isolierenden Substrat 24 angeordnet. Die Durchgangslöcher 213 sind entlang der zweiten Richtung y angeordnet.
  • Wie in 22 gezeigt, sind die zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 mit in der zweiten y-Richtung gegenüberliegenden Enden des Pad-Abschnitts 211 verbunden. Die zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 weisen jeweils einen abgedeckten Abschnitt 212A und einen freiliegenden Abschnitt 212B auf. Der abgedeckte Abschnitt 212A ist mit dem Pad-Abschnitt 211 verbunden und mit dem Dichtungsharz 50 bedeckt. Der abgedeckte Abschnitt 212A weist einen sich in der ersten Richtung x erstreckenden Abschnitt auf. Der freiliegende Abschnitt 212B ist mit dem abgedeckten Abschnitt 212A verbunden und liegt von der einen der paarweisen ersten Seitenoberflächen 53 des Dichtungsharzes 50 aus frei, von der aus die freiliegenden Abschnitte 312 der ersten Anschlüsse 31 freigelegt sind. Der freiliegende Abschnitt 212B erstreckt sich, in der Dickenrichtung z betrachtet, entlang der ersten Richtung x. Der freiliegende Abschnitt 212B ist, in der zweiten Richtung y betrachtet, in ein Flügelprofil gebogen. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 222B kann beispielsweise mit Zinn plattiert sein.
  • Wie in 22 gezeigt, ist zumindest einer der ersten Drähte 41 an eine der ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 und einen der abgedeckten Abschnitte 212A der beiden Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 gebondet. Bei einer solchen Konfiguration stellt zumindest einer der beiden Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 einen Masseanschluss bereit, der elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden ist.
  • As shown in 22 to 24, the second semiconductor element 12 is bonded to the insulating substrate 24 via the second bonding layer 26. Thus, in the semiconductor device A4, the insulating substrate 24 is interposed between the die pad 21 and the second semiconductor element 12 or the insulating element 13, and the second semiconductor element 12 and the insulating element 13 are bonded to the insulating substrate 24. The area of the insulating substrate 24 is larger than the area of the insulating substrate 24 of the semiconductor device A1. As viewed in the thickness direction z, the fourth wires 44 are located inward from the periphery 241 of the insulating substrate 24.
  • Wie in 22 gezeigt, ist zumindest einer der zweiten Drähte 42 an eine der zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und einen der abgedeckten Abschnitte 321 der zwei zweiten seitlichen Anschlüsse 32B (die zweiten Anschlüsse 32) gebondet. Bei einer solchen Konfiguration stellt zumindest einer der beiden zweiten seitlichen Anschlüsse 32B einen Masseanschluss dar, der elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden ist.
  • Als Nächstes werden die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A4 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A4 weist die leitenden Elemente 20 einschließlich des Die-Pads 21, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12, die jeweils auf dem Die-Pad 21 angeordnet sind, und das isolierende Element 13 auf, das das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert. Das Halbleiterbauteil A4 weist des Weiteren das isolierende Substrat 24 auf, das zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet und an das Die-Pad 21 gebondet ist. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Somit ist das Halbleiterbauteil A4 auch in der Lage, die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21, auf dem die Halbleiterelemente (das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12) montiert sind, und dem isolierenden Element 13 zu verbessern. Das Halbleiterbauteil A4 weist eine mit dem Halbleiterbauteil A1 gemeinsame Konfiguration auf, wodurch die gleiche Wirkung wie mit dem Halbleiterbauteil A1 erzielt wird.
  • In dem Halbleiterbauteil A4 ist das erste Halbleiterelement 11 an den Pad-Abschnitt 211 des Die-Pads 21 gebondet, und das zweite Halbleiterelement 12 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Eine solche Konfiguration ermöglicht es, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 mittels des isolierenden Elements 13 und des isolierenden Substrats 24 voneinander zu isolieren. Da das Die-Pad 21 ein einzelnes Element ist, kann die Form des Die-Pads 21 vereinfacht werden.
  • Ein Halbleiterbauteil A5 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 25 und 26 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die gleich oder ähnlich zu denen des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteils A1 sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und ihre Beschreibungen werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 50 in 25 transparent dargestellt. In 25 sind die Umrisse des Dichtungsharzes 50 durch imaginäre Linien gezeigt.
  • Das Halbleiterbauteil A5 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A1 hinsichtlich der Konfigurationen des ersten Halbleiterelements 11 und des Die-Pads 21.
  • Wie in den 25 und 26 gezeigt, ist das Die-Pad 21 ein einzelnes Element, das nicht das erste Die-Pad 22 und das zweite Die-Pad 23 aufweist, wie beim Halbleiterbauteil A4. Das Die-Pad 21 weist einen Pad-Abschnitt 211 und zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 auf. Das zweite Halbleiterelement 12 ist über ein nicht gezeigtes leitendes Bondmaterial (z. B. Lot oder Metallpaste) an die Montagefläche 211A des Pad-Abschnitts 211 gebondet. In der Dickenrichtung z betrachtet, ist zumindest eines der Durchgangslöcher 213 zwischen dem isolierenden Substrat 24 und dem zweiten Halbleiterelement 12 angeordnet.
  • Wie in 25 gezeigt, liegen die freiliegenden Abschnitte 212B der zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 von einer der paarweisen ersten Seitenoberflächen 53 des Dichtungsharzes 50 aus frei, von der aus die freiliegenden Abschnitte 322 der zweiten Anschlüsse 32 freigelegt sind.
  • Wie in 25 gezeigt, ist zumindest einer der ersten Drähte 41 an eine der ersten Elektroden 111 des ersten Halbleiterelements 11 und an einen der abgedeckten Abschnitte 311 der zwei ersten seitlichen Anschlüsse 31B (die ersten Anschlüsse 31) gebondet. Bei einer solchen Konfiguration stellt zumindest einer der zwei ersten seitlichen Anschlüsse 31B einen Masseanschluss bereit, der elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterelement 11 verbunden ist.
  • Wie in den 25 bis 26 gezeigt, ist das erste Halbleiterelement 11 an das isolierende Substrat 24 gebondet. Wie bei dem zweiten Halbleiterelement 12 des Halbleiterbauelements A4 ist das erste Halbleiterelement 11 über die zweite Bondschicht 26 an das isolierende Substrat 24 gebondet (siehe ). Somit ist in dem Halbleiterbauteil A5 das isolierende Substrat 24 zwischen dem Die-Pad 21 und dem ersten Halbleiterelement 11 oder dem isolierenden Element 13 angeordnet, und das erste Halbleiterelement 11 und das isolierende Element 13 sind an das isolierende Substrat 24 gebondet. Die dritten Drähte 43 sind, in der Dickenrichtung z betrachtet, einwärts von der Peripherie 241 des isolierenden Substrats 24 angeordnet.
  • Wie in 22 gezeigt, ist zumindest einer der zweiten Drähte 42 an eine der zweiten Elektroden 121 des zweiten Halbleiterelements 12 und einen der abgedeckten Abschnitte 212A der zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 gebondet. Bei einer solchen Konfiguration stellt zumindest einer der zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte 212 einen Masseanschluss bereit, der elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterelement 12 verbunden ist.
  • Als Nächstes werden die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A5 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A5 weist die leitenden Elemente 20 einschließlich des Die-Pads 21, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12, die jeweils auf dem Die-Pad 21 angeordnet sind, und das isolierende Element 13 auf, das das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert. Das Halbleiterbauteil A5 weist des Weiteren das isolierende Substrat 24 auf, das zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet und an das Die-Pad 21 gebondet ist. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Somit ist das Halbleiterbauteil A5 auch in der Lage, die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21, auf dem die Halbleiterelemente (das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12) montiert sind, und dem isolierenden Element 13 zu verbessern. Das Halbleiterbauteil A5 weist eine mit dem Halbleiterbauteil A1 gemeinsame Konfiguration auf, wodurch die gleiche Wirkung wie mit dem Halbleiterbauteil A1 erzielt wird.
  • In dem Halbleiterbauteil A5 ist das zweite Halbleiterelement 12 an den Pad-Abschnitt 221 des Die-Pads 21 gebondet, und das erste Halbleiterelement 11 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Eine solche Konfiguration ermöglicht es, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 mittels des isolierenden Elements 13 und des isolierenden Substrats 24 voneinander zu isolieren. Da das Die-Pad 21 aus einem einzelnen Element besteht, kann außerdem die Form des Die-Pads 21 vereinfacht werden.
  • Ein Halbleiterbauteil A6 gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die 27 und 28 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die gleich oder ähnlich denen des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteils A1 sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre Beschreibungen werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 70 in 25 transparent dargestellt. In 27 sind die Umrisse des Dichtungsharzes 50 durch imaginäre Linien gezeigt.
  • Das Halbleiterbauteil A6 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A4 hinsichtlich der Konfigurationen des isolierenden Elements 13. Das Halbleiterbauteil A6 weist des Weiteren eine Mehrzahl von fünften Drähten 45 auf.
  • Wie in den 27 und 28 gezeigt, weist das isolierende Element 13 ein erstes isolierendes Element 13A und ein zweites isolierendes Element 13B auf, die voneinander beabstandet sind. Die Konfigurationen des ersten isolierenden Elements 13A, des zweiten isolierenden Elements 13B und der fünften Drähte 45 sind die gleichen wie die des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauteils A3. Daher wird auf Erläuterungen zu dem ersten isolierenden Element 13A, dem zweiten isolierenden Element 13B und den fünften Drähten 45 verzichtet. In dem Halbleiterbauteil A6 ist das erste Halbleiterelement 11 an den Pad-Abschnitt 211 des Die-Pads 21 gebondet, und das zweite Halbleiterelement 12, das erste Isolierelement 13A und das zweite Isolierelement 13B sind an das isolierende Substrat 24 gebondet. Alternativ kann, wie bei dem Halbleiterbauteil A5, das zweite Halbleiterelement 12 an den Pad-Abschnitt 211 gebondet sein, und das erste Halbleiterelement 11, das erste isolierende Element 13A und das zweite isolierende Element 13B können an das isolierende Substrat 24 gebondet sein.
  • Als Nächstes werden die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A6 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A6 weist die leitenden Elemente 20 einschließlich des Die-Pads 21, das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12, die jeweils auf dem Die-Pad 21 angeordnet sind, und das isolierende Element 13 auf, das das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12 voneinander isoliert. Das Halbleiterbauteil A6 weist des Weiteren ein isolierendes Substrat 24 auf, das zwischen dem Die-Pad 21 und dem isolierenden Element 13 angeordnet und an das Die-Pad 21 gebondet ist. Das isolierende Element 13 ist an das isolierende Substrat 24 gebondet. Somit ist das Halbleiterbauteil A6 auch in der Lage, die Durchschlagsfestigkeit zwischen dem Die-Pad 21, auf dem die Halbleiterelemente (das erste Halbleiterelement 11 und das zweite Halbleiterelement 12) montiert sind, und dem isolierenden Element 13 zu verbessern. Das Halbleiterbauteil A6 erzielt die gleiche Wirkung wie das Halbleiterbauteil A3.
  • Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die vorgenannten Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Konfiguration jedes Teils der vorliegenden Offenbarung kann auf vielfältige Weise in der Gestaltung variiert werden.
  • Die vorliegende Offenbarung weist die in den folgenden Klauseln beschriebenen Ausführungsformen auf.
  • Klausel 1.
  • Halbleiterbauteil, aufweisend:
    • eine Mehrzahl von leitenden Elementen, die ein Die-Pad aufweisen;
    • ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, die jeweils auf dem Die-Pad angeordnet sind;
    • ein isolierendes Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert; und
    • ein isolierendes Substrat, das zwischen dem Die-Pad und dem isolierenden Element angeordnet und an das Die-Pad gebondet ist,
    • wobei das isolierende Element an das isolierende Substrat gebondet ist.
  • Klausel 2.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei das Die-Pad ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad aufweist, die voneinander beabstandet sind;
    das erste Halbleiterelement an das erste Die-Pad gebondet ist, und
    das zweite Halbleiterelement an das zweite Die-Pad gebondet ist.
  • Klausel 3.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das isolierende Substrat an das erste Die-Pad gebondet ist.
  • Klausel 4.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das isolierende Substrat an das zweite Die-Pad gebondet ist.
  • Klausel 5.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, des Weiteren aufweisend:
    • eine erste Bondschicht, die zwischen dem Die-Pad und dem isolierenden Substrat angeordnet ist; und
    • eine zweite Bondschicht, die zwischen dem isolierenden Substrat und dem isolierenden Element angeordnet ist, wobei
    • eine Dicke jeder der ersten Bondschicht und der zweiten Bondschicht kleiner ist als eine Dicke des isolierenden Substrats.
  • Klausel 6.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei die erste Bondschicht, in einer Dickenrichtung des isolierenden Elements betrachtet, einwärts von einer Peripherie des isolierenden Substrats angeordnet ist.
  • Klausel 7.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei, in der Dickenrichtung des isolierenden Elements betrachtet, eine Fläche der ersten Bondschicht kleiner ist als eine Fläche der zweiten Bondschicht.
  • Klausel 8.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 5 bis 7, wobei die erste Bondschicht und die zweite Bondschicht eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweisen.
  • Klausel 9.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei das isolierende Substrat zwischen dem Die-Pad und dem ersten Halbleiterelement angeordnet ist, und
    das erste Halbleiterelement an das isolierende Substrat gebondet ist.
  • Klausel 10.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei das isolierende Substrat zwischen dem Die-Pad und dem zweiten Halbleiterelement angeordnet ist, und
    das zweite Halbleiterelement an das isolierende Substrat gebondet ist.
  • Klausel 11.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 11, wobei das isolierende Substrat, in einer Dickenrichtung des isolierenden Elements betrachtet, einwärts von einer Peripherie des Die-Pads angeordnet ist.
  • Klausel 12.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 11, wobei das isolierende Element entweder von einem induktiven Typ oder einem kapazitiven Typ ist.
  • Klausel 13.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 12, wobei das isolierende Element einen ersten Sender/Empfänger, der mit dem ersten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist, einen zweiten Sender/Empfänger, der mit dem zweiten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist, und eine Relais-Einheit, die ein Signal zwischen dem ersten Sender/Empfänger und dem zweiten Sender/Empfänger überträgt/empfängt, aufweist, und
    die Relais-Einheit in der Dickenrichtung des isolierenden Elements näher an dem isolierenden Substrat angeordnet ist als der erste Sender/Empfänger und der zweite Sender/Empfänger.
  • Klausel 14.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 12, wobei das isolierende Element ein erstes isolierendes Element und ein zweites isolierendes Element aufweist, die voneinander beabstandet sind,
    das erste isolierende Element aufweist: einen ersten Sender/Empfänger, der mit dem ersten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist; und einen zweiten Sender/Empfänger, der ein Signal zu/von dem ersten Sender/Empfänger überträgt/empfängt,
    das zweite isolierende Element aufweist: einen dritten Sender/Empfänger, der mit dem zweiten Sender/Empfänger elektrisch leitend verbunden ist; und einen vierten Sender/Empfänger, der mit dem zweiten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist und ein Signal zu/von dem dritten Sender/Empfänger überträgt/empfängt, und
    der zweite Sender/Empfänger und der dritte Sender/Empfänger in der Dickenrichtung des isolierenden Elements näher an dem isolierenden Substrat angeordnet sind als der erste Sender/Empfänger und der vierte Sender/Empfänger.
  • Klausel 15.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 14, wobei eine an das zweite Halbleiterelement angelegte Spannung höher ist als eine an das erste Halbleiterelement angelegte Spannung.
  • Klausel 16.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, das des Weiteren aufweisend ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement, das isolierende Element und mindestens einen Teil jedes der Mehrzahl von leitenden Elementen bedeckt.
  • Klausel 17.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 16, wobei das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement in einer ersten Richtung voneinander beabstandet sind,
    die Mehrzahl von leitenden Elementen eine Mehrzahl von ersten Anschlüssen, die von einer Seite des Dichtungsharzes in der ersten Richtung freiliegen, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen, die von der anderen Seite des Dichtungsharzes in der ersten Richtung freiliegen, aufweist,
    das erste Halbleiterelement mit der Mehrzahl von ersten Anschlüssen elektrisch leitend verbunden ist, und
    das zweite Halbleiterelement mit der Mehrzahl von zweiten Anschlüssen elektrisch leitend verbunden ist.
  • Klausel 18.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 17, wobei die Mehrzahl von ersten Anschlüssen und die Mehrzahl von zweiten Anschlüssen entlang einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung angeordnet sind.
  • Klausel 19.
  • Halbleiterbauteil nach Anspruch 18, wobei das Die-Pad einen Pad-Abschnitt und zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte, die mit in der zweiten Richtung gegenüberliegenden Enden des Pad-Abschnitts verbunden sind, aufweist,
    das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement auf dem Pad-Abschnitt angeordnet sind, und
    die zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte von zumindest einer der gegenüberliegenden Seiten des Dichtungsharzes in der ersten Richtung freiliegen.
  • BEZUGSZEICHEN
  • A1, A2, A3, A4, A5, A6: Halbleiterbauteil 11: Erstes Halbleiterelement 111: Erste Elektrode 12: Zweites Halbleiterelement 121: Zweite Elektrode 13: Isolierendes Element 13A: Erstes isolierendes Element 13B: Zweites isolierendes Element 131: Erste Relais-Elektrode 132: Zweite Relais-Elektrode 133: Erster Sender/Empfänger 134: Zweiter Sender/Empfänger 135: Relais-Einheit 136: Dritte Relais-Elektrode 137: Vierte Relais-Elektrode 138: Dritter Sender/Empfänger 139: Vierter Sender/Empfänger 20: Leitendes Element 21: Die-Pad 211: Pad-Abschnitt 211A: Montagefläche 222: Suspensions-Anschluss-Abschnitt 222A: Abgedeckter Abschnitt 222B: Freiliegender Abschnitt 213: Durchgangsbohrung 22: Erstes Die-Pad 221: Erster Pad-Abschnitt 221A: Erste Montagefläche 222: Erster Suspensions-Anschluss-Abschnitt 222A: Bedeckter Abschnitt 222B: Freiliegender Abschnitt 223: Durchgangsloch 23: Zweites Die-Pad 231: Zweiter Pad-Abschnitt 231A: Zweite Montagefläche 232: Zweiter Suspensions-Anschluss-Abschnitt 232A: Abgedeckter Abschnitt 232B: Freiliegender Abschnitt 24: Isolierendes Substrat 241: Peripherie 25: Erste Bondschicht 26: Zweite Bondschicht 31: Erster Anschluss („terminal“) 31A: Erster Zwischenanschluss 31B: Erster seitlicher Anschluss 311: Abgedeckter Abschnitt 312: Freiliegender Abschnitt 32: Zweiter Anschluss 32A: Zweiter Zwischenanschluss 32B: Zweiter seitlicher Anschluss 321: Abgedeckter Abschnitt 322: Freiliegender Abschnitt 41: Erster Draht 42: Zweiter Draht 43: Dritter Draht 44: Vierter Draht 45: Fünfter Draht 50: Dichtungsharz 51: Obere Oberfläche 52: Untere Oberfläche 53: Erste Seitenoberfläche 531: Erster oberer Abschnitt 532: Erster unterer Abschnitt 533: Erster Zwischenabschnitt 54: Zweite Seitenoberfläche 541: Zweiter oberer Abschnitt 542: Zweiter unterer Abschnitt 543: Zweiter Zwischenabschnitt T, t1, t2: Dicke z: Dickenrichtung x: Erste Richtung y: Zweite Richtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2016015393 A [0004]

Claims (19)

  1. Halbleiterbauteil, aufweisend: eine Mehrzahl von leitenden Elementen, die ein Die-Pad aufweisen; ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, die jeweils auf dem Die-Pad angeordnet sind; ein isolierendes Element, das elektrisch mit dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist und das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement voneinander isoliert; und ein isolierendes Substrat, das zwischen dem Die-Pad und dem isolierenden Element angeordnet und an das Die-Pad gebondet ist, wobei das isolierende Element an das isolierende Substrat gebondet ist.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das Die-Pad ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad aufweist, die voneinander beabstandet sind; das erste Halbleiterelement an das erste Die-Pad gebondet ist, und das zweite Halbleiterelement an das zweite Die-Pad gebondet ist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das isolierende Substrat an das erste Die-Pad gebondet ist.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das isolierende Substrat an das zweite Die-Pad gebondet ist.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, des Weiteren aufweisend: eine erste Bondschicht, die zwischen dem Die-Pad und dem isolierenden Substrat angeordnet ist; und eine zweite Bondschicht, die zwischen dem isolierenden Substrat und dem isolierenden Element angeordnet ist, wobei eine Dicke jeder der ersten Bondschicht und der zweiten Bondschicht kleiner ist als eine Dicke des isolierenden Substrats.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei die erste Bondschicht, in einer Dickenrichtung des isolierenden Elements betrachtet, einwärts von einer Peripherie des isolierenden Substrats angeordnet ist.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei, in der Dickenrichtung des isolierenden Elements betrachtet, eine Fläche der ersten Bondschicht kleiner ist als eine Fläche der zweiten Bondschicht.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die erste Bondschicht und die zweite Bondschicht eine elektrisch isolierende Eigenschaft aufweisen.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das isolierende Substrat zwischen dem Die-Pad und dem ersten Halbleiterelement angeordnet ist, und das erste Halbleiterelement an das isolierende Substrat gebondet ist.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das isolierende Substrat zwischen dem Die-Pad und dem zweiten Halbleiterelement angeordnet ist, und das zweite Halbleiterelement an das isolierende Substrat gebondet ist.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das isolierende Substrat, in einer Dickenrichtung des isolierenden Elements betrachtet, einwärts von einer Peripherie des Die-Pads angeordnet ist.
  12. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das isolierende Element entweder von einem induktiven Typ oder einem kapazitiven Typ ist.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei das isolierende Element einen ersten Sender/Empfänger, der mit dem ersten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist, einen zweiten Sender/Empfänger, der mit dem zweiten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist, und eine Relais-Einheit, die ein Signal zwischen dem ersten Sender/Empfänger und dem zweiten Sender/Empfänger überträgt/empfängt, aufweist, und die Relais-Einheit in der Dickenrichtung des isolierenden Elements näher an dem isolierenden Substrat angeordnet ist als der erste Sender/Empfänger und der zweite Sender/Empfänger.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei das isolierende Element ein erstes isolierendes Element und ein zweites isolierendes Element aufweist, die voneinander beabstandet sind, das erste isolierende Element aufweist: einen ersten Sender/Empfänger, der mit dem ersten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist; und einen zweiten Sender/Empfänger, der ein Signal zu/von dem ersten Sender/Empfänger überträgt/empfängt, das zweite isolierende Element aufweist: einen dritten Sender/Empfänger, der mit dem zweiten Sender/Empfänger elektrisch leitend verbunden ist; und einen vierten Sender/Empfänger, der mit dem zweiten Halbleiterelement elektrisch leitend verbunden ist und ein Signal zu/von dem dritten Sender/Empfänger überträgt/empfängt, und der zweite Sender/Empfänger und der dritte Sender/Empfänger in der Dickenrichtung des isolierenden Elements näher an dem isolierenden Substrat angeordnet sind als der erste Sender/Empfänger und der vierte Sender/Empfänger.
  15. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei eine an das zweite Halbleiterelement angelegte Spannung höher ist als eine an das erste Halbleiterelement angelegte Spannung.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, das des Weiteren aufweisend ein Dichtungsharz, das das erste Halbleiterelement, das zweite Halbleiterelement, das isolierende Element und mindestens einen Teil jedes der Mehrzahl von leitenden Elementen bedeckt.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, wobei das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement in einer ersten Richtung voneinander beabstandet sind, die Mehrzahl von leitenden Elementen eine Mehrzahl von ersten Anschlüssen, die von einer Seite des Dichtungsharzes in der ersten Richtung freiliegen, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen, die von der anderen Seite des Dichtungsharzes in der ersten Richtung freiliegen, aufweist, das erste Halbleiterelement mit der Mehrzahl von ersten Anschlüssen elektrisch leitend verbunden ist, und das zweite Halbleiterelement mit der Mehrzahl von zweiten Anschlüssen elektrisch leitend verbunden ist.
  18. Halbleiterbauteil nach Anspruch 17, wobei die Mehrzahl von ersten Anschlüssen und die Mehrzahl von zweiten Anschlüssen entlang einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung angeordnet sind.
  19. Halbleiterbauteil nach Anspruch 18, wobei das Die-Pad einen Pad-Abschnitt und zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte, die mit in der zweiten Richtung gegenüberliegenden Enden des Pad-Abschnitts verbunden sind, aufweist, das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement auf dem Pad-Abschnitt angeordnet sind, und die zwei Suspensions-Anschluss-Abschnitte von zumindest einer der gegenüberliegenden Seiten des Dichtungsharzes in der ersten Richtung freiliegen.
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