DE112019003540T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil beinhaltet ein leitfähiges Trägerelement, ein Steuerelement, ein isolierendes Element, ein Treiberelement und ein Abdichtungsharz. Das leitfähige Trägerelement beinhaltet einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss. Der erste Anschluss weist einen ersten Pad-Abschnitt auf. Der zweite Anschluss weist einen zweiten Pad-Abschnitt auf. Der zweite Pad-Abschnitt ist in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des ersten Pad-Abschnittes benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt. Das Steuerelement ist auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert. Das isolierende Element ist auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist und ist elektrisch mit dem Steuerelement verbunden. Das Treiberelement ist auf dem zweiten Pad-Abschnitt montiert und ist elektrisch mit dem isolierenden Element verbunden.Das Abdichtungsharz bedeckt den ersten Pad-Abschnitt, den zweiten Pad-Abschnitt, das Steuerelement, das isolierende Element und das Treiberelement. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung weist der erste Pad-Abschnitt einen ersten Rand auf, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt und der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung. Der erste Rand weist ein erstes Ende und ein zweites Ende auf, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung weist der zweite Pad-Abschnitt einen zweiten Rand auf, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem ersten Rand und der sich in der zweiten Richtung erstreckt. Der zweite Rand weist ein drittes Ende und ein viertes Ende auf, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen. Eines von dem dritten Ende und dem vierten Ende ist in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende angeordnet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil, das ein Steuerelement, ein Treiberelement und ein isolierendes Element aufweist, das elektrisch mit dem Steuerelement und mit dem Treiberelement verbunden ist.
  • STAND DER TECHNIK
  • Halbleiterbauteile zum Antreiben bzw. Ansteuern von Schaltelementen wie IGBTs und MOSFETs, sind weit bekannt (als Gate-Treiber). Patentdokument 1 offenbart ein Halbleiterbauteil, das ein Treiberelement, welches eine Gate-Spannung zum Ansteuern eines Schaltelementes ausgibt, ein Steuerelement, welches ein elektrisches Signal, das als eine Basis zum Erzeugen der Gate-Spannung verwendet wird, an das Treiberelement sendet, und ein isolierendes Element aufweist, das elektrisch mit dem Treiberelement und mit dem Steuerelement verbunden ist.
  • Das isolierende Element des Halbleiterbauteils beinhaltet ein Paar von Spulen (Induktoren) . Eine der Spulen wandelt ein elektrisches Signal, das von dem Steuerelement gesendet bzw. übertragen wird, in eine magnetische Kraft. Die andere Spule wandelt die magnetische Kraft in ein elektrisches Signal, das eine größere Potentialdifferenz hat als das elektrische Signal, das von dem Steuerelement übertragen wird. Das resultierende elektrische Signal wird dann zu dem Treiberelement übertragen. Die Source-Spannung, die dem Treiberelement zugeführt wird (etwa 600 Volt und höher) ist signifikant höher als die Source-Spannung, die dem Steuerelement zugeführt wird (etwa 5 Volt). Das isolierende Element ermöglicht die Übertragung von elektrischen Signalen zwischen dem Steuerelement und dem Treiberelement, die elektrisch voneinander isoliert sind, so dass das Steuerelement gegenüber einer relativ hohen Spannung geschützt ist.
  • In jüngeren Jahren sind zur Verwendung in elektrisch angetriebenen Fahrzeugen solche Halbleiterbauteile angestrebt worden, die kompakter sind. Die Halbleiterbauteile werden typischerweise in Harzgehäusen bereitgestellt, die durch Gießen („molding“) gebildet werden. Ein kompakteres Halbleiterbauteil bedeutet, dass ein kleineres Volumen an Abdichtungsharz zwischen der Niedrigspannungssektion, die das Steuerelement beinhaltet, und der Hochspannungssektion vorhanden ist, die das Treiberelement beinhaltet. Dies kann die dielektrische Festigkeit des Halbleiterbauteils verringern. Während der Herstellung des Halbleiterbauteils können zusätzlich hierzu Drähte, die das Steuerelement oder das Treiberelement mit leitfähigen Elementen (Anschlüssen bzw. „leads“) verbinden, durch die Strömung von Kunstharz, das zum Bilden des Abdichtungsharzes eingespritzt wird, gedrückt bzw. mit einer Kraft beaufschlagt werden. Im Ergebnis kann es sein, dass die Drähte zu nahe an dem isolierenden Element angeordnet sind, was ein weiterer Faktor sein kann, der möglicherweise die dielektrische Festigkeit des Halbleiterbauteils verringert.
  • DOKUMENT DES STANDES DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2013-51547
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Technisches Problem
  • Im Hinblick auf die oben beschriebenen Umstände zielt die vorliegende Offenbarung darauf ab, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das kompakter sein kann, ohne die dielektrische Festigkeit zu verringern.
  • Lösung für das Problem
  • Die vorliegende Offenbarung stellt ein Halbleiterbauteil bereit, das aufweist: ein leitfähiges Trägerelement, das einen ersten Anschluss mit einem ersten Pad-Abschnitt und einen zweiten Anschluss mit einem zweiten Pad-Abschnitt benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des ersten Anschlusses beinhaltet; ein Steuerelement, das auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist; ein isolierendes Element, das auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist und das elektrisch mit dem Steuerelement verbunden ist; ein Treiberelement, das auf dem zweiten Pad-Abschnitt montiert ist und das elektrisch mit dem isolierenden Element verbunden ist; und ein Abdichtungsharz, das den ersten Pad-Abschnitt, den zweiten Pad-Abschnitt, das Steuerelement, das isolierende Element und das Treiberelement bedeckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung hat der erste Pad-Abschnitt einen ersten Rand, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt und der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung. Der erste Rand weist ein erstes Ende und ein zweites Ende auf, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen bzw. entgegengesetzt zueinander sind. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung weist der zweite Pad-Abschnitt einen zweiten Rand auf, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem ersten Rand und der sich in der zweiten Richtung erstreckt. Der zweite Rand weist ein drittes Ende und ein viertes Ende auf, die in der zweiten Richtung einander gegenüberliegen. Das dritte Ende oder das vierte Ende ist in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende angeordnet.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich deutlicher aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils der 1, und zwar bei einer Betrachtung durch ein Abdichtungsharz hindurch.
    • 3 ist eine Draufsicht eines Anschlussrahmens, der verwendet wird, um das Halbleiterbauteil der 1 herzustellen.
    • 4 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Teil von 2 zeigt.
    • 5 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Teil von 2 zeigt.
    • 6 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Teil von 2 zeigt.
    • 7 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Teil von 2 zeigt.
    • 8 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils der 1.
    • 9 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils der 1.
    • 10 ist eine linksseitige Ansicht des Halbleiterbauteils der 1.
    • 11 ist eine rechtsseitige Ansicht des Halbleiterbauteils der 1.
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XII-XII in 2.
    • 13 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XIII-XIII in 2.
    • 14 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XIV-XIV in 2.
    • 15 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XV-XV in 2.
    • 16 ist eine Draufsicht eines isolierenden Elementes des Halbleiterbauteils der 1, und zwar bei einer Betrachtung durch einen Spulenschutzfilm hindurch.
    • 17 ist eine Draufsicht des isolierenden Elementes des Halbleiterbauteils der 1 und zeigt eine obere Fläche einer elften isolierenden Schicht.
    • 18 ist eine Draufsicht des isolierenden Elementes des Halbleiterbauteils der 1 und zeigt eine obere Fläche einer vierten isolierenden Schicht.
    • 19 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XIX-XIX in 16.
    • 20 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XX-XX in 16.
    • 21 ist eine Draufsicht, die Vorteile des Halbleiterbauteils der 1 darstellt.
    • 22 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bei einer Betrachtung durch ein Abdichtungsharz hindurch.
    • 23 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Teil von 22 zeigt.
    • 24 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Teil von 22 zeigt.
    • 25 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XXV-XXV von 22.
  • AUSFÜHRUNGSFORM BZW. MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Unter Bezugnahme auf 1 bis 20 wird ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet ein leitfähiges Trägerelement 1, ein Steuerelement 41, ein Treiberelement 42, ein isolierendes Element 50, eine Vielzahl von ersten Drähten 61, eine Vielzahl von zweiten Drähten 62, eine Vielzahl von dritten Drähten 63, eine Vielzahl von vierten Drähten 64 und ein Abdichtungsharz 70. Das leitfähige Trägerelement 1 beinhaltet einen ersten Anschluss 10, einen zweiten Anschluss 20, einen dritten Anschluss 31, einen vierten Anschluss 32, eine Vielzahl von fünften Anschlüssen 33 und eine Vielzahl von sechsten Anschlüssen 34. Aus Gründen der Zweckmäßigkeit zeigt 2 das Abdichtungsharz 70 als Phantom, und zwar durch imaginäre Linien (Zwei-Punkt-Strichlinien). 14 und 15 zeigen Schnitte entlang von Ein-Punkt-Strichlinien in 2. 17 zeigt eine obere Fläche einer elften isolierenden Schicht 52 (nachstehend zu beschreiben), und zwar gezählt ausgehend von einem Halbleitersubstrat 51 (nachstehend zu beschreiben). 18 zeigt eine obere Fläche einer vierten isolierenden Schicht 52, und zwar gezählt ausgehend von dem Halbleitersubstrat 51.
  • Bei der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 wird die Richtung in der Dicke des leitfähigen Trägerelementes 1 (der erste Anschluss 10 etc.) als „Dickenrichtung z“ bezeichnet. Eine Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z wird als „erste Richtung x“ bezeichnet. Der erste Pad-Abschnitt 11 des ersten Anschlusses 10 und der zweite Pad-Abschnitt 21 des zweiten Anschlusses 20 (werden nachstehend beschrieben) sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Die Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z und zu der ersten Richtung x wird als „zweite Richtung y“ bezeichnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstrecken sich Abschnitte des leitfähigen Trägerelementes 1 in der zweiten Richtung y aus dem Abdichtungsharz 70 heraus.
  • Bei dem in 1 gezeigten Beispiel, ist das Halbleiterbauteil A10 ein Gate-Treiber zum Ansteuern bzw. Treiben eines Schaltelementes, das Gleichstromleistung in Wechselstromleistung wandelt. Das Schaltelement kann ein Bipolar-Transistor mit isoliertem Gate („insulated gate bipolar transistor“, IGBT) oder ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET) sein. Bei diesem Beispiel wird das Halbleiterbauteil A10 so beschrieben, dass es einen IGBT ansteuert.
  • Das leitfähige Trägerelement 1 stellt leitende bzw. leitfähige Pfade ausgehend von dem Steuerelement 41 und dem Treiberelement 42 hin zu einer Verdrahtungsplatte bzw. Leiterplatte bereit, auf der das Halbleiterbauteil A10 montiert ist. Das leitfähige Trägerelement 1 ist auch eine Struktur, an der das Steuerelement 41, das Treiberelement 42 und das isolierende Element 50 montiert sind. Wie es in 3 gezeigt ist, ist das leitfähige Trägerelement 1 Teil eines Anschlussrahmens („lead frame“) 80 (nachstehend zu beschreiben), der zum Herstellen des Halbleiterbauteils A10 verwendet wird. In einem Beispiel hat das leitfähige Trägerelement 1 eine Dicke von 200 µm. Das leitfähige Trägerelement 1 ist aus Kupfer (Cu) oder aus einer Kupferlegierung hergestellt. Das leitfähige Trägerelement 1 beinhaltet den ersten Anschluss 10, den zweiten Anschluss 20, den dritten Anschluss 31, den vierten Anschluss 32, die fünften Anschlüsse 33 und die sechsten Anschlüsse 34.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der erste Anschluss 10 den ersten Pad-Abschnitt 11 auf.
  • Wie es in 2 und 15 gezeigt ist, ist der erste Pad-Abschnitt 11 jener, wo das Steuerelement 41 und das isolierende Element 50 montiert sind. Der erste Pad-Abschnitt 11 ist elektrisch mit dem Steuerelement 41 über einen der ersten Drähte 61 verbunden. Der erste Pad-Abschnitt 11 ist von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. Der überwiegende Teil der Fläche des ersten Pad-Abschnittes 11 ist mit einer Metallschicht beschichtet, wie einer Silberbeschichtung (Ag-Beschichtung). Der erste Pad-Abschnitt 11 weist einen ersten Rand 111 auf.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, ist der erste Rand 111 in der ersten Richtung x benachbart zu dem zweiten Pad-Abschnitt 21 (nachstehend zu beschreiben). Der erste Rand 111 erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Der erste Rand 111 weist ein erstes Ende 111A und ein zweites Ende 111B auf. Das erste Ende 111A ist ein Ende des ersten Randes 111 in der zweiten Richtung y. Das zweite Ende 111B ist das andere Ende des ersten Randes 111 in der zweiten Richtung y. D.h., das erste Ende 111A und das zweite Ende 111B sind gegenüberliegende bzw. entgegengesetzte Enden des ersten Rands 111.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der zweite Anschluss 20 den zweiten Pad-Abschnitt 21 auf.
  • Wie es in 2 und 15 gezeigt ist, ist der zweite Pad-Abschnitt 21 dort, wo das Treiberelement 42 montiert ist. Der zweite Pad-Abschnitt 21 ist in der ersten Richtung x benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt 11. Der zweite Pad-Abschnitt 21 ist elektrisch mit dem Treiberelement 42 über einen der zweiten Drähte 62 verbunden. Der zweite Pad-Abschnitt 21 ist von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. Der überwiegende Teil der Fläche des zweiten Pad-Abschnitt 21 ist mit einer Metallschicht beschichtet, wie einer Silberbeschichtung. Der zweite Pad-Abschnitt 21 weist einen zweiten Rand 211 auf.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, ist der zweite Rand 211 in der ersten Richtung x benachbart zu dem ersten Rand 111 des ersten Pad-Abschnittes 11. Der zweite Rand 211 erstreckt sich in der zweiten Richtung y und folglich ist der zweite Rand 211 parallel ausgerichtet zu dem ersten Rand 111. Der zweite Rand 211 weist ein drittes Ende 211A und ein viertes Ende 211B auf. Das dritte Ende 211A ist ein Ende des zweiten Rands 211 in der zweiten Richtung y. Das vierte Ende 211B ist das andere Ende des zweiten Rands 211 in der zweiten Richtung y. D.h., das dritte Ende 211A und das vierte Ende 211B sind gegenüberliegende Enden des zweiten Rands 211.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, ist eines von dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 bzw. das dritte Ende 211A oder das vierte Ende 211B zwischen dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 in der zweiten Richtung y angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A10 dieser Ausführungsform ist das vierte Ende 211B in der zweiten Richtung y zwischen dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B angeordnet.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der erste Pad-Abschnitt 11 auch einen dritten Rand 112, einen fünften Rand 113, eine Vielzahl von ersten Durchgangslöchern 114 und eine Vielzahl von ersten ausgenommenen Vertiefungen 115 auf.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist, weist der dritte Rand 112 ein Segment auf, das sich in der ersten Richtung x erstreckt. Der dritte Rand 112 ist mit einem von dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 verbunden, und zwar jenem, das zwischen dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 des zweiten Pad-Abschnittes 21 in der zweiten Richtung y angeordnet ist. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der dritte Rand 112 mit dem ersten Ende 111A verbunden. Wie es in 4 gezeigt ist, weist der dritte Rand 112 einen Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A auf. Der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A ist mit einem von dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B verbunden. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A mit dem ersten Ende 111A verbunden. Der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A ist konvex hin zu der Außenseite des ersten Pad-Abschnittes 11. Der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A definiert einen Bogen.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, ist der fünfte Rand 113 in der zweiten Richtung y von dem dritten Rand 112 beabstandet und ist mit dem ersten Rand 111 verbunden. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der fünfte Rand 113 mit dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 bzw. des ersten Endes 111A verbunden. Der fünfte Rand 113 beinhaltet ein Segment, das sich in der ersten Richtung x erstreckt. Wie es in 5 gezeigt ist, weist der fünfte Rand 113 einen Fünfter-Rand-Verbindungsabschnitt 113A auf. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der Fünfter-Rand-Verbindungsabschnitt 113A mit dem zweiten Ende 111B verbunden. Der Fünfter-Rand-Verbindungsabschnitt 113A ist konvex hin zu der Außenseite des ersten Pad-Abschnittes 11. Der Fünfter-Rand-Verbindungsabschnitt 113A definiert einen Bogen. Der Fünfter-Rand-Verbindungsabschnitt 113A weist einen Krümmungsradius R1b auf, der kleiner ist als der Krümmungsradius R1a des Dritter-Rand-Verbindungsabschnitts 112A des dritten Rands 112, der in 4 gezeigt ist.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, sind die ersten Durchgangslöcher 114 nahe der Grenze zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 11 und dem ersten Terminal-Abschnitt 12 (nachstehend zu beschreiben) angeordnet und sind in der zweiten Richtung y von dem Steuerelement 41 beabstandet. Jedes erste Durchgangsloch 114 erstreckt sich in der Dickenrichtung z durch den ersten Pad-Abschnitt 11 hindurch. Die ersten Durchgangslöcher 114 sind in der ersten Richtung x aufgereiht bzw. array-artig angeordnet.
  • Wie es in 12 und 15 gezeigt ist, sind die ersten ausgenommenen Vertiefungen 115 ausgehend von der Fläche des ersten Pad-Abschnittes 11 ausgenommen, auf der das Steuerelement 41 und das isolierende Element 50 montiert sind Wie es in 2 gezeigt ist, erstreckt sich jede erste ausgenommene Vertiefung 115 entweder in der ersten Richtung x oder in der zweiten Richtung y. Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet zwei erste ausgenommene Vertiefungen 115, die sich in der ersten Richtung x erstrecken, und drei erste ausgenommene Vertiefungen 115, die sich in der zweiten Richtung y erstrecken. Die zwei ersten ausgenommenen Vertiefungen 115, die sich in der ersten Richtung x erstrecken, sind in der zweiten Richtung y zwischen dem Steuerelement 41 und den ersten Durchgangslöchern 114 angeordnet. Die zwei ersten ausgenommenen Vertiefungen 115 sind in der ersten Richtung x aufgereiht. Die drei ersten ausgenommenen Vertiefungen 115, die sich in der zweiten Richtung y erstrecken, sind in der ersten Richtung x zwischen dem Steuerelement 41 und dem isolierenden Element 50 angeordnet. Die drei ersten ausgenommenen Vertiefungen 115 sind in der zweiten Richtung y aufgereiht. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z sind die vier Seiten des isolierenden Elements 50 von dem ersten Rand 111, dem dritten Rand 112, dem fünften Rand 113 und den drei ersten ausgenommenen Vertiefungen 115 umgeben.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, hat der zweite Pad-Abschnitt 21 zusätzlich einen vierten Rand 212, einen sechsten Rand 213, eine Vielzahl von zweiten Durchgangslöchern 214 und eine Vielzahl von zweiten ausgenommenen Vertiefungen 215.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, beinhaltet der vierte Rand 212 ein Segment, das sich in der ersten Richtung x erstreckt. Der vierte Rand 212 ist mit einem von dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 verbunden, und zwar mit jenem, das zwischen dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 des ersten Pad-Abschnittes 11 in der zweiten Richtung y angeordnet ist. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der vierte Rand 212 mit dem vierten Ende 211B verbunden. Wie es in 5 gezeigt ist, weist der vierte Rand 212 einen Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A auf. Der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A ist mit einem von dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B verbunden. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A mit dem vierten Ende 211B verbunden. Der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A ist konvex in Richtung hin zu der Außenseite des zweiten Pad-Abschnitts 21 ausgebildet. Der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A definiert einen Bogen. Der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A weist einen Krümmungsradius R2a auf, der gleich dem Krümmungsradius R1a des Dritter-Rand-Verbindungsabschnittes 112A des dritten Rands 112 ist, der in 4 gezeigt ist.
  • Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, ist der sechste Rand 213 in der zweiten Richtung y von dem vierten Rand 212 beabstandet und ist mit dem zweiten Rand 211 verbunden. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der sechste Rand 213 mit dem dritten Ende 211A des zweiten Rands 211 verbunden. Der sechste Rand 213 beinhaltet ein Segment, das sich in der ersten Richtung x erstreckt. Wie es in 4 gezeigt ist, weist der sechste Rand 213 einen Sechster-Rand-Verbindungsabschnitt 213A auf. In dem Halbleiterbauteil A10 ist der Sechster-Rand-Verbindungsabschnitt 213A mit dem dritten Ende 211A verbunden. Der Sechster-Rand-Verbindungsabschnitt 213A ist konvex in Richtung hin zu der Außenseite des zweiten Pad-Abschnittes 21 ausgebildet. Der Sechster-Rand-Verbindungsabschnitt 213A definiert einen Bogen. Der Sechster-Rand-Verbindungsabschnitt 213A weist einen Krümmungsradius R2b auf, der kleiner ist als der Krümmungsradius R2a des Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A des vierten Rands 212, der in 5 gezeigt ist.
  • Unter Bezugnahme auf 2 sind die zweiten Durchgangslöcher 214 nahe der Grenze zwischen dem zweiten Pad-Abschnitt 21 und dem zweiten Terminal-Abschnitt 22 (nachstehend zu beschreiben) angeordnet und sind in der zweiten Richtung y von dem Treiberelement 42 beabstandet, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Jedes zweite Durchgangsloch 214 erstreckt sich in der Dickenrichtung z durch den zweiten Pad-Abschnitt 21 hindurch. Die zweiten Durchgangslöcher 214 sind in der ersten Richtung x aufgereiht.
  • Wie es in 13 gezeigt ist, sind die zweiten ausgenommenen Vertiefungen 215 ausgehend von der Fläche des ersten Terminal-Abschnittes 22 ausgenommen, auf der das Treiberelement 42 montiert ist. Wie es in 2 gezeigt ist, erstreckt sich jede zweite ausgenommene Vertiefung 215 in der ersten Richtung x. Die zweiten ausgenommenen Vertiefungen 215 sind in der zweiten Richtung y zwischen dem Treiberelement 42 und den zweiten Durchgangslöchern 214 angeordnet. Die zweiten ausgenommenen Vertiefungen 215 sind in der ersten Richtung x aufgereiht.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der erste Anschluss („lead“) 10 zusätzlich den ersten Terminal-Abschnitt 12 auf. Der erste Terminal-Abschnitt 12 ist mit dem ersten Pad-Abschnitt 11 in der zweiten Richtung y verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 70 frei. Der erste Terminal-Abschnitt 12 ist das Masse-Terminal einer Source-Spannung zum Ansteuern des Steuerelementes 41. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der erste Terminal-Abschnitt 12 eine Streifenform auf, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Wie es in 9 gezeigt ist, ist der erste Terminal-Abschnitt 12 so gebogen, dass er bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine Knickflügelform („gull-wing shape“) definiert. Der erste Terminal-Abschnitt 12 ist mit einer Zinnschicht (Sn-Schicht) beschichtet.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der zweite Anschluss 20 zusätzlich den zweiten Terminal-Abschnitt 22 auf. Der zweite Terminal-Abschnitt 22 ist mit dem zweiten Pad-Abschnitt 21 in der zweiten Richtung y verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 70 frei. Der zweite Terminal-Abschnitt 22 ist das Masse-Terminal einer Source-Spannung zum Ansteuern des Treiberelements 42. Der zweite Terminal-Abschnitt 22 ist elektrisch mit der Emitter-Elektrode des Schaltelementes verbunden, das von dem Halbleiterbauteil A10 angesteuert wird. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der zweite Terminal-Abschnitt 22 eine Streifenform auf, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der zweite Terminal-Abschnitt 22 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus, und zwar in einer entgegengesetzten Richtung zu der Richtung, in der sich der erste Terminal-Abschnitt 12 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus erstreckt. Wie es in 8 gezeigt ist, ist der zweite Terminal-Abschnitt 22 so gebogen, dass er bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine Knickflügelform definiert. Der zweite Terminal-Abschnitt 22 ist mit einer Zinnbeschichtung beschichtet.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der dritte Anschluss 31 einen dritten Pad-Abschnitt 311 und einen dritten Terminal-Abschnitt 312 auf.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, ist der dritte Pad-Abschnitt 311 benachbart zu dem vierten Rand 212 des zweiten Pad-Abschnittes 21, und zwar in der zweiten Richtung y. Der dritte Pad-Abschnitt 311 ist elektrisch mit dem Steuerelement 41 über einen der ersten Drähte 61 verbunden. Der dritte Pad-Abschnitt 311 ist von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. Der dritte Pad-Abschnitt 311 erstreckt sich von dem dritten Terminal-Abschnitt 312 in Richtung hin zu dem ersten Pad-Abschnitt 11. Der überwiegende Teil der Fläche des dritten Pad-Abschnitts 311 ist mit einer Metallschicht beschichtet, wie einer Silberbeschichtung. Der dritte Pad-Abschnitt 311 weist einen Drittes-Pad-Naher-Rand 311A und eine Vielzahl von dritten Durchgangslöchern 311B auf.
  • Unter Bezugnahme auf 6, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, ist der Drittes-Pad-Naher-Rand 311A der dem vierten Rand 212 des zweiten Pad-Abschnittes 21 nächste Rand. Der Drittes-Pad-Naher-Rand 311A erstreckt sich in der ersten Richtung x, und folglich ist der Drittes-Pad-Naher-Rand 311A parallel ausgerichtet zu dem vierten Rand 212. Wie es in 13 gezeigt ist, erstreckt sich jedes dritte Durchgangsloch 311B in der Dickenrichtung z durch den dritten Pad-Abschnitt 311 hindurch.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, ist der dritte Terminal-Abschnitt 312 mit dem dritten Pad-Abschnitt 311 in der zweiten Richtung y verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 70 frei. Der dritte Terminal-Abschnitt 312 ist die positive Elektrode einer Source-Spannung zum Ansteuern des Steuerelementes 41. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der dritte Terminal-Abschnitt 312 eine Streifenform auf, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der dritte Terminal-Abschnitt 312 aus dem Abdichtungsharz 70 in der gleichen Richtung heraus wie sich der erste Terminal-Abschnitt 12 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus erstreckt. Wie es in 8 gezeigt ist, ist der dritte Terminal-Abschnitt 312 gebogen, so dass er bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine Knickflügelform definiert. Der dritte Terminal-Abschnitt 312 ist mit einer Zinnbeschichtung beschichtet.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, weist der vierte Anschluss 32 einen vierten Pad-Abschnitt 321 und einen vierten Terminal-Abschnitt 322 auf.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, ist der vierte Pad-Abschnitt 321 benachbart zu dem dritten Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 in der zweiten Richtung y. Der vierte Pad-Abschnitt 321 ist elektrisch mit dem Treiberelement 42 über einen der zweiten Drähte 62 verbunden. Der vierte Pad-Abschnitt 321 ist von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. Der vierte Pad-Abschnitt 321 erstreckt sich ausgehend von dem vierten Terminal-Abschnitt 322 in Richtung hin zu dem zweiten Pad-Abschnitt 21. Der überwiegende Teil der Fläche des vierten Pad-Abschnittes 321 ist mit einer Metallschicht beschichtet, wie einer Silberbeschichtung. Der vierte Pad-Abschnitt 321 weist ein Viertes-Pad-Naher-Rand 321A und eine Vielzahl von vierten Durchgangslöchern 321B auf.
  • Unter Bezugnahme auf 7, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, ist der Viertes-Pad-Naher-Rand 321A der dem dritten Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 nächste Rand. Der Viertes-Pad-Naher-Rand 321A erstreckt sich in der ersten Richtung x, und folglich ist der Viertes-Pad-Naher-Rand 321A parallel zu dem dritten Rand 112. Wie es in 12 gezeigt ist, erstreckt sich jedes vierte Durchgangsloch 321B in der Dickenrichtung z durch den vierten Pad-Abschnitt 321 hindurch.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, ist der vierte Terminal-Abschnitt 322 mit dem vierten Pad-Abschnitt 321 in der zweiten Richtung y verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 70 frei. Die Source-Spannung zum Ansteuern des Treiberelements 42 wird an den vierten Terminal-Abschnitt 322 angelegt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der vierte Terminal-Abschnitt 322 eine Streifenform auf, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der vierte Terminal-Abschnitt 322 in der gleichen Richtung aus dem Abdichtungsharz 70 heraus wie sich der zweite Terminal-Abschnitt 22 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus erstreckt. Wie es in 9 gezeigt ist, ist der vierte Terminal-Abschnitt 322 gebogen, so dass er bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine Knickflügelform definiert. Der vierte Terminal-Abschnitt 322 ist mit einer Zinnbeschichtung beschichtet.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die fünften Anschlüsse 33 in der ersten Richtung x benachbart zueinander und sind zwischen dem ersten Anschluss 10 und dem dritten Anschluss 31 in der ersten Richtung x angeordnet. Das Halbleiterbauteil A10 hat bei diesem Beispiel zwei fünfte Anschlüsse 33. Jeder fünfte Anschluss 33 weist einen fünften Pad-Abschnitt 331 und einen fünften Terminal-Abschnitt 332 auf.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die fünften Pad-Abschnitte 331 elektrisch mit dem Steuerelement 41 verbunden, und zwar jeweils über einen der ersten Drähte 61. Die fünften Pad-Abschnitte 331 sind von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. Der überwiegende Teil der Flächen der fünften Pad-Abschnitte 331 ist mit einer Metallschicht wie einer Silberbeschichtung beschichtet . Jeder fünfte Pad-Abschnitt 331 weist ein fünftes Durchgangsloch 331A auf. Wie es in 14 gezeigt ist, erstreckt sich das fünfte Durchgangsloch 331A in der Dickenrichtung z durch den fünften Pad-Abschnitt 331 hindurch.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die fünften Terminal-Abschnitte 332 mit dem jeweiligen fünften Pad-Abschnitten 331 in der zweiten Richtung y verbunden und liegen gegenüber dem Abdichtungsharz 70 frei. Die fünften Terminal-Abschnitte 332 sind zwischen dem ersten Terminal-Abschnitt 12 und dem dritten Terminal-Abschnitt 312 angeordnet. Die fünften Terminal-Abschnitte 332 der fünften Anschlüsse 33 empfangen zwei unterschiedliche Pulssignale. Diese Pulssignale werden aus einem Pulsbreitenmodulationssignal („pulse width modulation PWM“) erzeugt, das als die Basis zum Ansteuern des Schaltelementes dient. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z haben die fünften Terminal-Abschnitte 332 eine Streifenform, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstrecken sich die fünften Terminal-Abschnitte 332 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus in der gleichen Richtung wie sich der erste Terminal-Abschnitt 12 und der dritte Terminal-Abschnitt 312 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus erstrecken. Wie es in 14 gezeigt ist, ist jeder fünfte Terminal-Abschnitt 332 gebogen, so dass er bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine Knickflügelform definiert. Die fünften Terminal-Abschnitte 332 sind mit einer Zinnbeschichtung beschichtet.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die sechsten Anschlüsse 34 in der ersten Richtung x benachbart zueinander und sind in der ersten Richtung x zwischen dem zweiten Anschluss 20 und dem vierten Anschluss 32 angeordnet. Die sechsten Anschlüsse 34 sind in der zweiten Richtung y von den fünften Anschlüssen 33 beabstandet. Das Halbleiterbauteil A10 dieses Beispiels weist zwei sechste Anschlüsse 34 auf. Jeder sechste Anschluss 34 weist einen sechsten Pad-Abschnitt 341 und einen sechsten Terminal-Abschnitt 342 auf.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die sechsten Pad-Abschnitte 341 elektrisch mit dem Treiberelement 42 verbunden, und zwar jeweils über einen der zweiten Drähte 62. Die sechsten Pad-Abschnitte 341 sind von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. Der überwiegende Teil der Fläche der sechsten Pad-Abschnitte 341 ist mit einer Metallschicht wie einer Silberbeschichtung beschichtet. Jeder sechste Pad-Abschnitt 341 weist ein sechstes Durchgangsloch 341A auf. Wie es in 14 gezeigt ist, erstreckt sich das sechste Durchgangsloch 341A in der Dickenrichtung z durch den sechsten Pad-Abschnitt 341 hindurch.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die sechsten Terminal-Abschnitte 342 mit den jeweiligen sechsten Pad-Abschnitten 341 in der zweiten Richtung y verbunden und liegen gegenüber dem Abdichtungsharz 70 frei. Die sechsten Terminal-Abschnitte 342 sind zwischen dem zweiten Terminal-Abschnitt 22 und dem vierten Terminal-Abschnitt 322 angeordnet. Die sechsten Terminal-Abschnitte 342 der sechsten Anschlüsse 34 empfangen eine Gate-Spannung zum Ansteuern der Schaltelemente. Einer der sechsten Anschlüsse 34 ist elektrisch an dem sechsten Terminal-Abschnitt 342 mit der Gate-Elektrode des Schaltelementes verbunden, das eine obere Zweigschaltung bildet (hochseitige („high-side“) Sektion). Ein weiterer der sechsten Anschlüsse 34 ist elektrisch an dem sechsten Terminal-Abschnitt 342 mit dem Schaltelement verbunden, das eine untere Zweigschaltung bildet (niedrigseitige („low-side“) Sektion). Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z haben die sechsten Terminal-Abschnitte 342 eine Streifenform, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstrecken sich die sechsten Terminal-Abschnitte 342 aus dem Abdichtungsharz 70 in der gleichen Richtung heraus wie sich der zweite Terminal-Abschnitt 22 und der vierte Terminal-Abschnitt 322 aus dem Abdichtungsharz 70 heraus erstrecken. Wie es in 14 gezeigt ist, ist jeder sechste Terminal-Abschnitt 342 gebogen, so dass er bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x eine Knickflügelform definiert. Die sechsten Terminal-Abschnitte 342 sind mit einer Zinnbeschichtung beschichtet.
  • Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf 3 der Anschlussrahmen 80 beschrieben werden, der zum Herstellen des Halbleiterbauteils A10 verwendet wird.
  • Der Abschnitt des Anschlussrahmens 80, der in 3 gezeigt ist, beinhaltet das leitfähige Trägerelement 1 (der erste Anschluss 10, der zweite Anschluss 20, der dritte Anschluss 31, der vierte Anschluss 32, die fünften Anschlüsse 33 und die sechsten Anschlüsse 34), bei dem es sich um eine Komponente des Halbleiterbauteils A10 handelt. Zusätzlich zu dem leitfähigen Trägerelement 1 beinhaltet der Anschlussrahmen 80 einen Rahmen 81, eine Vielzahl von ersten Bandstegen („tie bars“) 821, eine Vielzahl von zweiten Bandstegen 822 und ein Paar von Dammstegen 83.
  • Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der Rahmen 81 eine rechteckige Form auf. Der Rahmen 81 umgibt das leitfähige Trägerelement 1, die ersten Bandstege 821, die zweiten Bandstege 822 und die Dammstege 83. Die in der ersten Richtung x gegenüberliegenden Enden des leitfähigen Trägerelementes 1 sind mit dem Rahmen 81 verbunden.
  • Die ersten Bandstege 821 erstrecken sich in der ersten Richtung x. Das Halbleiterbauteil A10 dieses Beispiels weist zwei erste Bandstege 821 auf einer Seite des ersten Pad-Abschnittes 11 und des zweiten Pad-Abschnittes 21 auf, und weist zwei weitere Bandstege 821 auf der anderen Seite auf. Die ersten Bandstege 821 kreuzen bzw. schneiden („intersect“) den ersten Terminal-Abschnitt 12, den zweiten Terminal-Abschnitt 22, den dritten Terminal-Abschnitt 312, den vierten Terminal-Abschnitt 322, die fünften Terminal-Abschnitte 332 der fünften Anschlüsse 33 und die sechsten Terminal-Abschnitte 342 der sechsten Anschlüsse 34.
  • Die zweiten Bandstege 822 erstrecken sich in der zweiten Richtung y. Das Halbleiterbauteil A10 dieses Beispiels weist vier zweite Bandstege 822 auf. Jeweils zwei benachbarte erste Bandstege 821 sind an einem ihrer Enden in der ersten Richtung x durch einen der zweiten Bandstege 822 verbunden. Jeder zweite Bandsteg 822 ist an einem Ende in der zweiten Richtung y mit einem der Dammstege 83 verbunden.
  • Das Paar von Dammstegen 83 liegt in der ersten Richtung x auf gegenüberliegenden Seiten des Anschlussrahmens 80. Jeder Dammsteg 83 ist an seinen gegenüberliegenden Enden in der zweiten Richtung y mit dem Rahmen 81 verbunden. Jeder Dammsteg 83 weist einen ausgeschnittenen Abschnitt 831 auf, der in der ersten Richtung x ausgenommen bzw. zurückversetzt ist. Bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 werden die ausgeschnittenen Abschnitte 831 dazu verwendet, um Kanäle bzw. Tore („gates“) zu bilden, durch die hindurch synthetisches Harz bzw. Kunstharz hinein- und herausströmt, und zwar um ein Abdichtungsharz 70 durch Gießen zu bilden.
  • Die imaginären Linien der 3 zeigen die äußeren Ränder des Abdichtungsharzes 70 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Das leitfähige Trägerelement 1 erstreckt sich bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z über die gegenüberliegenden Ränder des Abdichtungsharzes in der zweiten Richtung y hinaus. Im Gegensatz hierzu erstreckt sich bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung die Region des Anschlussrahmens 80, die dem leitfähigen Trägerelement 1 entspricht, in der ersten Richtung X nicht über die gegenüberliegenden Ränder des Abdichtungsharzes 70 hinaus.
  • Wie es in 2 und 15 gezeigt ist, ist das Steuerelement 41 ein Halbleiterelement, das auf dem ersten Pad-Abschnitt 11 montiert ist. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist das Steuerelement 41 eine rechteckige Form auf, die in der zweiten Richtung y länglich bzw. länger („elongated“) ist. Das Steuerelement 41 ist an seiner oberen Fläche mit einer Vielzahl von Elektroden 411 versehen. Die Elektroden 411 beinhalten eine, die mit dem ersten Pad-Abschnitt 11 verbunden ist, eine, die mit dem dritten Pad-Abschnitt 311 verbunden ist, und weitere, die mit den fünften Pad-Abschnitten 331 verbunden sind, und zwar jeweils über einen der ersten Drähte 61. Die ersten Drähte 61 sind beispielsweise aus Gold (Au) hergestellt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der erste Draht 61, der mit dem dritten Pad-Abschnitt 311 verbunden ist, gegenüber dem isolierenden Element 50 nach außen versetzt („offset“) . Das Steuerelement 41 ist auf dem ersten Pad-Abschnitt 11 über eine Bond-Schicht 49 angeordnet. Die Bond-Schicht 49 kann aus einer Silberpaste gebildet sein, die ein Epoxidharz als eine Basiskomponente enthält. Das Steuerelement 41 ist durch die Bond-Schicht 49 an den ersten Pad-Abschnitt 11 gebondet.
  • Wie es in 2 und 15 gezeigt ist, ist das Treiberelement 42 ein Halbleiterelement, das auf den zweiten Pad-Abschnitt 21 montiert ist. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist das Treiberelement 42 eine rechteckige Form auf, die in der zweiten Richtung y länglich ist. Das Treiberelement 42 ist an seiner oberen Fläche mit einer Vielzahl von Elektroden 421 versehen. Die Elektroden 421 beinhalten eine, die mit dem zweiten Pad-Abschnitt 21 verbunden ist, eine, die mit dem vierten Pad-Abschnitt 321 verbunden ist, und weitere, die mit den sechsten Pad-Abschnitten 341 verbunden sind, und zwar jeweils über einen der zweiten Drähte 62. Die zweiten Drähte 62 sind beispielsweise aus Gold hergestellt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich der zweite Draht 62, der mit dem vierten Pad-Abschnitt 321 verbunden ist, quer über eine Region zwischen dem dritten Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 und einer Verlängerungslinie des sechsten Randes 213 des zweiten Pad-Abschnittes 21, und zwar in der zweiten Richtung y. Das Treiberelement 42 ist auf dem zweiten Pad-Abschnitt 21 über eine Bond-Schicht 49 angeordnet. Das Treiberelement 42 ist durch die Bond-Schicht 49 an den zweiten Pad-Abschnitt 21 gebondet.
  • Wie es in 2 und 15 gezeigt ist, ist das isolierende Element 50 ein Halbleiterelement, das auf dem ersten Pad-Abschnitt 11 montiert ist und das benachbart ist zu dem Steuerelement 41. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist das isolierende Element 50 in der ersten Richtung x zwischen dem Steuerelement 41 und dem Treiberelement 42 angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z hat das isolierende Element 50 eine rechteckige Form, die in der zweiten Richtung y länglich ist. Das isolierende Element 50 ist an seiner oberen Fläche mit einer Vielzahl von Niedrigspannungselektroden 53 und einer Vielzahl von Hochspannungselektroden 54 versehen. Jede Niedrigspannungselektrode 53 ist mit einer der Elektroden 411 des Steuerelementes 41 verbunden, und zwar über einen dritten Draht 63. Jede Hochspannungselektrode 54 ist mit einer der Elektroden 421 des Treiberelementes 42 verbunden, und zwar über einen vierten Draht 64. Die dritten Drähte 63 und die vierten Drähte 64 sind beispielsweise aus Gold hergestellt. Das isolierende Element 50 ist auf dem ersten Pad-Abschnitt 11 über eine Bond-Schicht 49 angeordnet. Das isolierende Element 50 ist durch die Bond-Schicht 49 an den ersten Pad-Abschnitt 11 gebondet.
  • Wie es in 12 bis 15 gezeigt ist, bedeckt das Abdichtungsharz 70 das Steuerelement 41, das Treiberelement 42, das isolierende Element 50, die ersten Drähte 61, die zweiten Drähte 62, die dritten Drähte 63 und die vierten Drähte 64. Das Abdichtungsharz 70 ist beispielsweise aus einem Material hergestellt, das Epoxidharz enthält. Wie es in 8 bis 11 gezeigt ist, weist das Abdichtungsharz 70 eine erste Seitenfläche 71, eine zweite Seitenfläche 72, eine dritte Seitenfläche 73 und eine vierte Seitenfläche 74 auf.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die erste Seitenfläche 71 und die zweite Seitenfläche 72 voneinander in der ersten Richtung x beabstandet. Die erste Seitenfläche 71 ist benachbart zu dem zweiten Pad-Abschnitt 21 und dem dritten Pad-Abschnitt 311. Die zweite Seitenfläche 72 ist benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt 11 und dem vierten Pad-Abschnitt 321. Wie es in 2, 8 und 9 gezeigt ist, ist das leitfähige Trägerelement 1 weder an der ersten Seitenfläche 71 noch an der zweiten Seitenfläche 72 freigelegt.
  • Wie es in 8 und 11 gezeigt ist, hat die erste Seitenfläche 71 einen ersten oberen Abschnitt 711, einen ersten unteren Abschnitt 712 und einen ersten mittleren Abschnitt 713. Der erste obere Abschnitt 711 ist mit dem oberen Rand des ersten ersten mittleren Abschnittes 713 verbunden und ist relativ zu der Dickenrichtung z hin zu der zweiten Seitenfläche 72 geneigt. Der erste untere Abschnitt 712 ist mit dem unteren Rand des ersten mittleren Abschnittes 713 verbunden und ist relativ zu der Dickenrichtung z hin zu der zweiten Seitenfläche 72 geneigt. Der erste mittlere Abschnitt 713 ist parallel zu der Dickenrichtung z ausgerichtet und weist eine Streifenform auf, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt.
  • Wie es in 8 gezeigt ist, weist die erste Seitenfläche 71 eine Kanal- bzw. Anschnittmarkierung („gate mark“) 75 auf, die sich teilweise auf dem ersten mittleren Abschnitt 713 und teilweise auf dem ersten unteren Abschnitt 712 befindet. Die erste Kanalmarkierung 75 weist eine höhere Oberflächenrauigkeit auf als der Rest der ersten Seitenfläche 71. Die erste Kanalmarkierung 75 wird als ein Ergebnis davon gebildet, dass das Kunstharz während des Gießens des Abdichtungsharzes 70 hinein- bzw. herausfließt. Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, beinhaltet die erste Kanalmarkierung 75 eine Region, die in der zweiten Richtung y zwischen einer Verlängerungslinie des vierten Randes 212 des zweiten Pad-Abschnittes 21 und einer Verlängerungslinie des fünften Randes 113 des ersten Pad-Abschnittes 11 liegt.
  • Wie es in 9 und 10 gezeigt ist, weist die zweite Seitenfläche 72 einen zweiten oberen Abschnitt 721, einen zweiten unteren Abschnitt 722 und einen zweiten mittleren Abschnitt 723 auf. Der zweite obere Abschnitt 721 ist mit dem oberen Rand des zweiten mittleren Abschnittes 723 verbunden und ist relativ zu der Dickenrichtung z hin zu der ersten Seitenfläche 71 geneigt. Der zweite untere Abschnitt 722 ist mit unteren Rand des zweiten mittleren Abschnittes 723 verbunden und ist relativ zu der Dickenrichtung z hin zu der ersten Seitenfläche 71 geneigt. Der zweite mittlere Abschnitt 723 ist parallel zu der Dickenrichtung z und weist eine Streifenform auf, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt.
  • Wie es in 9 gezeigt ist, weist die zweite Seitenfläche 72 eine zweite Kanalmarkierung 76 auf, die sich teilweise auf dem zweiten mittleren Abschnitt 723 und teilweise auf dem zweiten unteren Abschnitt 722 befindet. Die zweite Kanalmarkierung 76 weist eine höhere Oberflächenrauigkeit auf als andere Regionen der zweiten Seitenfläche 72. Ähnlich wie die erste Kanalmarkierung 75 ist die zweite Kanalmarkierung 76 als ein Ergebnis davon gebildet, das Kunstharz während des Gießens des Abdichtungsharzes 70 hinein- bzw. herausströmt. Wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, beinhaltet die zweite Kanalmarkierung 76 eine Region, die in der zweiten Richtung y zwischen einer Verlängerungslinie des dritten Randes 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 und einer Verlängerungslinie des sechsten Randes 213 des zweiten Pad-Abschnittes 21 liegt. Die erste Kanalmarkierung 75 und die zweite Kanalmarkierung 76 sind voneinander in der zweiten Richtung y beabstandet.
  • Wie es in den 10 und 11 gezeigt ist, haben der erste obere Abschnitt 711 der ersten Seitenfläche 71 und der zweite obere Abschnitt 721 der zweiten Seitenfläche 72 eine Höhe h1, die größer ist als die Höhe h2 des ersten unteren Abschnittes 712 der ersten Seitenfläche 71 und des zweiten unteren Abschnittes 722 der zweiten Seitenfläche 72. Die Höhen h1 und h2 sind Abmessungen, die in der Dickenrichtung z gemessen werden.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind die dritte Seitenfläche 73 und die vierte Seitenfläche 74 in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Sowohl die dritte Seitenfläche 73 als auch die vierte Seitenfläche 74 sind an ihren Enden in der ersten Richtung x mit der ersten Seitenfläche 71 und der zweiten Seitenfläche 72 verbunden. Wie es in den 2 und 10 gezeigt ist, liegen der erste Terminal-Abschnitt 12, der dritte Terminal-Abschnitt 312 und die fünften Terminal-Abschnitte 332 der fünften Anschlüsse 33 an der dritten Seitenfläche 73 frei. Wie es in den 2 und 11 gezeigt ist, liegen der zweite Terminal-Abschnitt 22, der vierte Terminal-Abschnitt 322 und die sechsten Terminal-Abschnitte 342 der sechsten Anschlüsse 34 an der vierten Seitenfläche 74 frei.
  • Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf die 16 bis 20 die innere Struktur des isolierenden Elementes 50 beschrieben. Das isolierende Element 50 beinhaltet ein Halbleitersubstrat 51, eine Vielzahl von isolierenden Schichten 52, eine Vielzahl von Niedrigspannungselektroden 53, eine Vielzahl von Hochspannungselektroden 54, eine Vielzahl von Spulen 55, eine Vielzahl von Niedrigspannungsverdrahtungen 56, eine Vielzahl von Hochspannungsverdrahtungen 57, eine Abschirmschicht 58 und einen Schutzfilm 59. In dem Halbleiterbauteil A10 des vorliegenden Beispiels beinhalten die Niedrigspannungselektroden 53 ein Paar von ersten Elektroden 531 und eine zweite Elektrode 532. Die Hochspannungselektroden 54 beinhalten ein Paar von dritten Elektroden 541 und eine vierte Elektrode 542. Solange nicht Anderes angegeben ist, beziehen sich die obere und die untere Richtung, die in der Beschreibung der internen Struktur des isolierenden Elementes 50 verwendet werden, auf die obere und die untere Richtung in der Dickenrichtung z.
  • Wie es in den 19 und 20 gezeigt ist, ist das Halbleitersubstrat 51 an dem Boden des isolierenden Elementes 50 angeordnet. Das Halbleitersubstrat 51 ist aus Silicium (Si) oder Siliciumcarbid (SiC) hergestellt.
  • Wie es in den 19 und 20 gezeigt ist, sind die isolierenden Schichten 52 elektrisch isolierend und sind auf das Halbleitersubstrat 51 gestapelt. Das Halbleiterbauteil A10 des vorliegenden Beispiels beinhaltet 12 isolierende Schichten 52. Die Anzahl der isolierenden Schichten 52 ist nicht hierauf beschränkt, und es kann jede beliebige Anzahl von isolierenden Schichten bereitgestellt werden, und zwar in Abhängigkeit von der dielektrischen Festigkeit, die für das isolierende Element 50 erforderlich ist. In der nachfolgenden Beschreibung bezieht sich die fünfte isolierende Schicht 52 auf die fünfte der isolierenden Schichten 52, und zwar gezählt ausgehend von dem Halbleitersubstrat 51 in der Dickenrichtung z. Die gleiche Beschreibung lässt sich auf die anderen isolierenden Schichten 52 anwenden. Die erste isolierende Schicht 52 ist aus einen Zwischenschichtfilm 522 gebildet. Der Zwischenschichtfilm 522 kann aus Siliciumdioxid (SiO2) hergestellt sein. Die anderen isolierenden Schichten 52 (die zweite bis zwölfte Schicht) sind jeweils aus einem Ätzstop-Film 521 und einem Zwischenschichtfilm 522 gebildet. In jeder isolierenden Schicht 52 ist der Ätzstop-Film 521 unterhalb des Zwischenschichtfilms 522 angeordnet. Jeder Ätzstop-Film 521 steht in Kontakt mit dem Zwischenschichtfilm 522 der isolierenden Schicht 52, die direkt darunter liegt. Die Ätzstop-Filme 521 sind beispielsweise aus Siliciumnitrid (Si3N4) oder Siliciumcarbid hergestellt.
  • Wie es in den 17 bis 20 gezeigt ist, sind die Spulen 55 innerhalb der isolierenden Schichten 52 angeordnet. Die Spulen 55 beinhalten eine Vielzahl von Paaren, die jeweils aus einer unteren Spule 551 und einer oberen Spule 552 aufgebaut sind. Das Halbleiterbauteil A10 dieses Beispiels beinhaltet zwei Paare von Spulen 55. D.h., bei dem Halbleiterbauteil A10 gemäß diesem Beispiel beinhalten die Spulen 55 zwei untere Spulen 551 und zwei obere Spulen 552. Die unteren Spulen 551 sind unterhalb der oberen Spulen 552 angeordnet. In der Dickenrichtung z sind die unteren Spulen 551 von den oberen Spulen 552 durch die Vielzahl von isolierenden Schichten 52 getrennt. In dem Halbleiterbauteil A10 gemäß diesem Beispiel sind die unteren Spulen 551 innerhalb der vierten isolierenden Schicht 52 angeordnet, und die oberen Spulen 552 sind innerhalb der elften isolierenden Schicht 52 angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappen die zwei unteren Spulen 551 mit den jeweiligen oberen Spulen 552.
  • Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist jede Spule 55 eine oval-förmige Spirale („oval shaped spiral“). Jede Spule 55 erstreckt sich in der Dickenrichtung z durch die entsprechende isolierende Schicht 52 hindurch. Jede Spule 55 ist aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht hergestellt. Die leitfähige Schicht kann aus Kupfer hergestellt sein. Die Barriere-Metallschicht bedeckt die Fläche der leitfähigen Schicht (mit der Ausnahme des oberen Endes der leitfähigen Schicht) . In einem Beispiel beinhaltet die Barriere-Metallschicht eine Tantal-Schicht (Ta-Schicht), eine Tantalnitrid-Schicht (TaN-Schicht), und eine andere Tantal-Schicht, die aufeinanderfolgend auf der leitfähigen Schicht gestapelt sind.
  • Die Niedrigspannungsverdrahtungen 56 stellen leitfähige Pfade zwischen den unteren Spulen 551 und den Niedrigspannungselektroden 53 bereit. Jede Niedrigspannungsverdrahtung 56 ist aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht hergestellt, bei denen es sich um die Gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Wie es in 16 gezeigt ist, beinhalten die Niedrigspannungselektroden 53 ein Paar von ersten Elektroden 531 und eine zweite Elektrode 532. Die zweite Elektrode 532 ist in der zweiten Richtung y zwischen den ersten Elektroden 531 angeordnet.
  • Aus der Vielzahl von Niedrigspannungsverdrahtungen 56, wird im Folgenden ein Paar von Niedrigspannungsverdrahtungen 56 beschrieben, die die unteren Spulen 551 mit den ersten Elektroden 531 elektrisch verbinden. Jede Niedrigspannungsverdrahtung 56 in dem Paar beinhaltet eine Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561, eine Einführ- bzw. Anschluss-Verdrahtung 563 und eine Durchkontaktierungsverdrahtung 564, und zwar als ihre Bestandteile bzw. Komponenten.
  • Wie es in 18 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, erstreckt sich die Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561 in der zweiten Richtung y und ist von dem inneren Rand der unteren Spule 551 umgeben. Die Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561 weist in der zweiten Richtung y ein Ende auf, das mit dem inneren Ende der unteren Spule 551 verbunden ist. Wie es in 19 gezeigt ist, ist die Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561 innerhalb der gleichen vierten isolierenden Schicht 52 wie die untere Spule 551 angeordnet, die die Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561 umgibt.
  • Wie es in den 18 und 19 gezeigt ist, ist die Einführ-Verdrahtung 563 mit der Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561 verbunden und erstreckt sich in der ersten Richtung x zu der Durchkontaktierungsverdrahtung 564. Die Anschluss-Verdrahtung 563 weist einen Hauptabschnitt 563A, einen Verbindungsabschnitt 563B und einen Erdungsabschnitt 563C auf. Der Hauptabschnitt 563A ist innerhalb der zweiten isolierenden Schicht 52 angeordnet und erstreckt sich in der ersten Richtung x. Der Verbindungsabschnitt 563B ist innerhalb der dritten isolierenden Schicht 52 angeordnet und verbindet den Hauptabschnitt 563A elektrisch mit der Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561. Der Erdungsabschnitt 563C ist innerhalb der ersten isolierenden Schicht 52 angeordnet und verbindet den Hauptabschnitt 563A elektrisch mit dem Halbleitersubstrat 51.
  • Wie es in 19 gezeigt ist, erstreckt sich die Durchkontaktierungsverdrahtung 564 in der Dickenrichtung z. Die Durchkontaktierungsverdrahtung 564 ist mit der Anschluss-Verdrahtung 563 verbunden. Die Durchkontaktierungsverdrahtung 564 beinhaltet ein Paar von Streifenabschnitten 564A und eine Vielzahl von Säulenabschnitten 564B. Jeder Streifenabschnitt 564A erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Einer der Streifenabschnitte 564A ist innerhalb der gleichen vierten isolierenden Schicht 52 wie die unteren Spulen 551 angeordnet. Der andere Streifenabschnitt 564A ist oberhalb des unteren Streifenabschnittes 564A innerhalb der gleichen elften isolierenden Schicht 52 wie die oberen Spulen 552 angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt das Paar von Streifenabschnitten 564A miteinander. Die Säulenabschnitte 564B verbinden den Hauptabschnitt 563A der Anschluss-Verdrahtung 563 und das Paar von Streifenabschnitten 564A. Die Säulenabschnitte 564B erstrecken sich durch die dritte isolierende Schicht 52 hindurch und auch durch die fünfte bis zehnte isolierende Schicht 52 hindurch. Die unteren Enden der Säulenabschnitte 564B sind mit dem oberen Ende des Hauptabschnittes 563A verbunden. Die oberen Enden der Säulenabschnitte 564B sind mit dem unteren Ende von dem oberen der zweiten Streifenabschnitte 564A verbunden. Der obere zweite Streifenabschnitt 564A ist an seinem oberen Ende mit einer ersten Elektrode 531 verbunden.
  • Von der Vielzahl von Niedrigspannungsverdrahtungen 56 wird nachfolgend jene Niedrigspannungsverdrahtung 56 beschrieben, die die zwei unteren Spulen 551 mit der zweiten Elektrode 532 elektrisch verbindet. Diese Niedrigspannungsverdrahtung 56 beinhaltet eine Untere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 562, eine Anschluss-Verdrahtung 563 und eine Durchkontaktierungsverdrahtung 564 als ihre Bestandteile. Die Anschluss-Verdrahtung 563 und die Durchkontaktierungsverdrahtung 564 dieser Niedrigspannungsverdrahtung 56 sind ähnlich zu jenen der Niedrigspannungsverdrahtungen 56, die die unteren Spulen 551 mit den ersten Elektroden 531 verbinden, so dass eine Beschreibung hiervon weggelassen wird.
  • Unter Bezugnahme auf 18 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z erstreckt sich die Untere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 562 in der zweiten Richtung y und ist in der zweiten zweiten Richtung y zwischen den zwei unteren Spulen 551 angeordnet. Die Untere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 562 hat in der zweiten Richtung y Enden, die mit den jeweiligen äußeren Enden der unteren Spulen 551 verbunden sind. Wie es in 20 gezeigt ist, ist die Untere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 562 innerhalb der gleichen vierten isolierenden Schicht 52 wie die unteren Spulen 551 angeordnet. Wie es in 20 gezeigt ist, ist die zweite Elektrode 532 mit dem oberen Ende des Streifenabschnittes 564A der Durchkontaktierungsverdrahtung 564 verbunden, der innerhalb der elften isolierenden Schicht 52 angeordnet ist.
  • Die Hochspannungsverdrahtungen 57 stellen leitfähige Pfade zwischen den oberen Spulen 552 und den Hochspannungselektroden 54 bereit. Jede Hochspannungsverdrahtung 57 ist aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht hergestellt, bei denen es sich um die gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Wie es in 16 gezeigt ist, beinhalten die Hochspannungselektroden 54 ein Paar von dritten Elektroden 541 und eine vierte Elektrode 542. Die vierte Elektrode 542 ist in der zweiten Richtung y zwischen den dritten Elektroden 541 angeordnet.
  • Aus der Vielzahl von Hochspannungsverdrahtungen 57 wird im Nachfolgenden ein Paar von Hochspannungsverdrahtungen 57 beschrieben, das die oberen Spulen 552 mit den dritten Elektroden 541 elektrisch verbindet. Jede Hochspannungsverdrahtung 57 in dem Paar beinhaltet eine Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 als einen Bestandteil. Wie es in 17 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, erstreckt sich die Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 in der zweiten Richtung y und ist von dem inneren Rand der oberen Spule 552 umgeben. Die Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 weist in der zweiten Richtung y ein Ende auf, das mit dem inneren Ende der oberen Spule 552 verbunden ist. Wie es in 19 gezeigt ist, ist die Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 innerhalb der gleichen elften isolierenden Schicht 52 wie die obere Spule 552 angeordnet, die die Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 umgibt. Die Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 ist an ihrem oberen Ende mit einer dritten Elektrode 541 verbunden.
  • Von der Vielzahl von Hochspannungsverdrahtungen 57 wird nachfolgend jene Hochspannungsverdrahtung 57 beschrieben, die die zwei oberen Spulen 552 mit der vierten Elektrode 542 elektrisch verbindet. Diese Hochspannungsverdrahtung 57 beinhaltet eine Obere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 572 als einen Bestandteil. Wie es in 17 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist, erstreckt sich die Obere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 572 in der zweiten Richtung y und ist in der zweiten Richtung y zwischen dem Paar von oberen Spulen 552 angeordnet. Die Obere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 572 weist in der zweiten Richtung y Enden auf, die mit den jeweiligen äußeren der oberen Spulen 552 verbunden sind. Wie es in 20 gezeigt ist, ist die Obere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 572 innerhalb der gleichen elften isolierenden Schicht 52 angeordnet wie die oberen Spulen 552. Die Obere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 572 ist an ihrem oberen Ende mit der vierten Elektrode 542 verbunden.
  • Unter Bezugnahme auf 16 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z sind die Niedrigspannungselektroden 53 von den Spulen 55 in der ersten Richtung x beabstandet.
  • Wie es in 19 gezeigt ist, weist jede erste Elektrode 531, bei der es sich um eine Niedrigspannungselektrode 53 handelt, einen Pad-Abschnitt 531A und eine Vielzahl von Verbindungsabschnitten 531B auf. Wie es in 16 gezeigt ist, hat der Pad-Abschnitt 531A zwei Regionen, die in der zweiten Richtung y voneinander getrennt sind, wobei einer der dritten Drähte 63 mit einer der zwei Regionen verbunden ist. Der Pad-Abschnitt 531A ist auf der obersten isolierenden Schicht 52 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 531A kann aus Aluminium (Al) hergestellt sein. Die Verbindungsabschnitte 531B erstrecken sich in der Dickenrichtung z von dem unteren Ende des Pad-Abschnittes 531A. Die Verbindungsabschnitte 531B sind innerhalb der zwölften isolierenden Schicht 52 angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 531B sind aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht aufgebaut, bei denen es sich um die gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Die Verbindungsabschnitte 531B sind an ihren unteren Enden mit dem Streifenabschnitt 564A (angeordnet innerhalb der elften isolierenden Schicht 52) der Durchkontaktierungsverdrahtung 564 verbunden, die elektrisch mit der Untere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 561 verbunden ist.
  • Wie es in 20 gezeigt ist, weist die zweite Elektrode 532, bei der es sich um eine Niedrigspannungselektrode 53 handelt, einen Pad-Abschnitt 532A und eine Vielzahl von Verbindungsabschnitten 532B auf. Wie es in 16 gezeigt ist, hat der Pad-Abschnitt 532A zwei Regionen, die in der zweiten Richtung y voneinander getrennt sind, und einer der dritten Drähte 63 ist mit einer der zwei Regionen verbunden. Der Pad-Abschnitt 532A ist auf der obersten isolierenden Schicht 52 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 532A kann aus Aluminium hergestellt sein. Die Verbindungsabschnitte 532B erstrecken sich in der Dickenrichtung z von dem unteren Ende des Pad-Abschnittes 532A. Die Verbindungsabschnitte 532B sind innerhalb der zwölften isolierenden Schicht 52 angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 532B sind aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht aufgebaut, bei denen es sich um gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Die Verbindungsabschnitte 532B sind an ihren unteren Enden mit dem Streifenabschnitt 564A (angeordnet innerhalb der elften isolierenden Schicht 52) der Durchkontaktierungsverdrahtung 564 verbunden, die elektrisch mit der Untere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 562 verbunden ist.
  • Wie es in 17 gezeigt ist, weist jede Hochspannungselektrode 54 Abschnitte auf, die mit einer Hochspannungsverdrahtung 57 überlappen.
  • Wie es in 19 gezeigt ist, weist jede dritte Elektrode 541, bei der es sich um eine Hochspannungselektrode 54 handelt, einen Pad-Abschnitt 541A und eine Vielzahl von Verbindungsabschnitten 541B auf. Wie es in 16 gezeigt ist, hat der Pad-Abschnitt 541A zwei Regionen, die in der zweiten Richtung y voneinander getrennt sind, und einer der vierten Drähte 64 ist mit einer der zwei Regionen verbunden. Der Pad-Abschnitt 541A ist auf der obersten isolierenden Schicht 52 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 541A kann aus Aluminium hergestellt sein. Die Verbindungsabschnitte 541B erstrecken sich in der Dickenrichtung z von dem unteren Ende des Pad-Abschnittes 541A. Die Verbindungsabschnitte 541B sind innerhalb der zwölften isolierenden Schicht 52 angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 541B sind aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht aufgebaut, bei denen es sich um die gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Die Verbindungsabschnitte 541B sind an ihren unteren Enden mit der Obere-Spule-Inneres-Ende-Verdrahtung 571 verbunden.
  • Wie es in 20 gezeigt ist, weist die vierte Elektrode 542, bei der es sich um eine Hochspannungselektrode 54 handelt, einen Pad-Abschnitt 542A und eine Vielzahl von Verbindungsabschnitten 542B auf. Wie es in 16 gezeigt ist, hat der Pad-Abschnitt 542A zwei Regionen, die in der zweiten Richtung y voneinander getrennt sind, und einer der vierten Drähte 64 ist mit einer der zwei Regionen verbunden. Der Pad-Abschnitt 542A ist auf der obersten isolierenden Schicht 52 angeordnet. Der Pad-Abschnitt 542A kann aus Aluminium hergestellt sein. Die Verbindungsabschnitte 542B erstrecken sich in der Dickenrichtung z von dem unteren Ende des Pad-Abschnittes 542A. Die Verbindungsabschnitte 542B sind innerhalb der zwölften isolierenden Schicht 52 angeordnet. Die Verbindungsabschnitte 542B sind aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht aufgebaut, bei denen es sich um die Gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Die Verbindungsabschnitte 542B sind an ihren unteren Enden mit der Obere-Spule-Äußeres-Ende-Verdrahtung 572 verbunden.
  • Unter Bezugnahme auf die 16 bis 18 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist die Abschirmschicht 58 die Form eines Rahmens auf, der die Spulen 55, die Niedrigspannungsverdrahtungen 56 und die Hochspannungsverdrahtungen 57 umgibt. Die Abschirmschicht 58 ist aus einer leitfähigen Schicht und einer Barriere-Metallschicht aufgebaut, bei denen es sich um die Gleichen handelt wie jene, die in den Spulen 55 verwendet werden. Wie es in den 19 und 20 gezeigt ist, weist die Abschirmschicht 58 einen Rahmenabschnitt 581 und eine Vielzahl von Erdungsabschnitten 582 auf. Der Rahmenabschnitt 581 erstreckt sich in der Dickenrichtung z derart, dass er die Spulen 55, die Niedrigspannungsverdrahtungen 56 und die Hochspannungsverdrahtungen 57 umgibt. Der Rahmenabschnitt 581 erstreckt sich von der zweiten hin zu der elften isolierenden Schicht 52. Die Erdungsabschnitte 582 sind innerhalb der ersten isolierenden Schicht 52 angeordnet und verbinden den Rahmenabschnitt 581 elektrisch mit dem Halbleitersubstrat 51.
  • Wie es in den 19 und 20 gezeigt ist, ist der Schutzfilm 59 auf der obersten isolierenden Schicht 52 angeordnet. Der Schutzfilm 59 beinhaltet einen Passivierungsfilm 591 und einen Spulenschutzfilm 592. Der Passivierungsfilm 591 bedeckt die oberste isolierende Schicht 52, wobei er die Niedrigspannungselektroden 53 und die Hochspannungselektroden 54 unbedeckt belässt. In einem Beispiel ist der Passivierungsfilm 591 aus einem Siliciumdioxidfilm und einem Siliciumnitridfilm aufgebaut, die in dieser Reihenfolge auf der obersten isolierenden Schicht 52 übereinander gestapelt sind. Der Spulenschutzfilm 592 ist auf dem Passivierungsfilm 591 angeordnet. Der Spulenschutzfilm 592 ist so angeordnet, dass er mit den individuellen Spulen 55 überlappt, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Der Spulenschutzfilm 592 ist beispielsweise aus Polyimid hergestellt.
  • Nachstehend werden Operationen bzw. Betriebsweisen des Steuerelementes 41, des Treiberelementes 42 und des isolierendes Element 50 beschrieben, die in dem Halbleiterbauteil A10 enthalten sind.
  • Wenn zwei unterschiedliche Pulssignale in die fünften Terminal-Abschnitte 332 der fünften Anschlüsse 33 eingegeben werden, werden die Signale über die ersten Drähte 61 zu dem Steuerelement 41 übertragen. Die zwei Pulssignale werden von einem Paar von Transistoren und einem Pulsgenerator, der in dem Steuerelement 41 enthalten ist, in ein Niedrigspannungs-Pulssignal von fünf Volt konvertiert (vorausgesetzt, dass die Referenzspannung des Steuerelementes 41 null Volt beträgt). Das resultierende Niedrigspannungs-Pulssignal wird über die dritten Drähte 63 in eine der ersten Elektroden 531 und auch in die zweite Elektrode 532 eingegeben, bei denen es sich sämtlich um Niedrigspannungselektroden 53 handelt.
  • Das Niedrigspannungs-Pulssignal, das in die erste Elektrode 531 und die zweite Elektrode 532 eingegeben wird, wird dann über die Niedrigspannungsverdrahtungen 56 zu den unteren Spulen 551 weitergeleitet und in eine magnetische Kraft umgesetzt bzw. gewandelt. Die magnetische Kraft wird dann von den oberen Spulen 552, die oberhalb der unteren Spulen 551 angeordnet sind, in ein Hochspannungs-Pulssignal von 1.215 Volt konvertiert (vorausgesetzt, dass die Referenzspannung des Treiberelements 42 gleich 1.200 Volt ist) . Das resultierende Hochspannungs-Pulssignal wird über die Hochspannungsverdrahtungen 57 zu einer der dritten Elektroden 541 und auch zu der vierten Elektrode 542 ausgegeben, bei denen es sich sämtlich um Hochspannungselektroden 54 handelt.
  • Das Hochspannungs-Pulssignal, das an die dritte Elektrode 541 und die vierte Elektrode 542 ausgegeben wird, wird über die vierten Drähte 64 zu dem Treiberelement 42 übertragen. Das Hochspannungs-Pulssignal wird dann von dem Treiberelement 42 in eine Gate-Spannung zum Ansteuern der Schaltelemente konvertiert, die entweder die obere Zweigschaltung oder die untere Zweigschaltung bilden. Die Gate-Spannung wird dann über einen der zweiten Drähte 62 zu dem sechsten Terminal-Abschnitt 342 von einem der sechsten Anschlüsse 34 übertragen und von diesem ausgegeben.
  • Wie oben beschrieben, ist das Halbleiterbauteil A10 durch das isolierende Element 50 in eine Niedrigspannungssektion, die das Steuerelement 41 aufweist, und eine Hochspannungssektion, die das Treiberelement 42 aufweist, unterteilt. Dies bedeutet, dass der erste Anschluss 10, der dritte Anschluss 31, die fünften Anschlüsse 33, die ersten Drähte 61 und die dritten Drähte 63, die sämtlich jeweils elektrisch mit dem Steuerelement 41 verbunden sind, zu der Niedrigspannungssektion des Halbleiterbauteil A10 gehören. Ferner gehören der zweite Anschluss 20, der vierte Anschluss 32, die sechsten Anschlüsse 34, die zweiten Drähte 62 und die vierten Drähte 64, die jeweils sämtlich elektrisch mit dem Treiberelement 42 verbunden sind, zu der Hochspannungssektion des Halbleiterbauteils A10.
  • Als Nächstes werden Vorteile des Halbleiterbauteils A10 beschrieben.
  • In dem Halbleiterbauteil A10 ist der zweite Pad-Abschnitt 21 des zweiten Anschlusses 20 benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt 11 des ersten Anschlusses 10, und zwar in der ersten Richtung x. Der zweite Anschluss 20 gehört verglichen mit dem ersten ersten Anschluss 10 zu der Sektion mit höherer Spannung. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der erste Pad-Abschnitt 11 den ersten Rand 111 auf, der in der ersten Richtung x benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt 21 und der sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der zweite Pad-Abschnitt 21 den zweiten Rand 211 auf, der in der ersten Richtung x benachbart ist zu dem ersten Rand 111 und der sich in der zweiten Richtung y erstreckt. In der zweiten Richtung y ist entweder das dritte Ende 211A oder das vierte Ende 211B des zweiten Randes 211 zwischen dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 angeordnet. Wenn bei dieser Konfiguration das Abdichtungsharz 70 bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 gebildet wird, fließt das Kunstharz durch den Strömungskanal F, der eine kurbelartige („crank-like“) Form hat, wie es in 21 gezeigt ist. Vorteilhafterweise ist der Abschnitt des Strömungskanals F zwischen dem ersten Rand 111 und dem zweiten Rand 211 parallel zu der zweiten Richtung y. Dies gewährleistet, dass das resultierende Abdichtungsharz 70 den Raum zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 11 in der Niedrigspannungssektion und dem ersten Terminal-Abschnitt 12 in der Hochspannungssektion eng bzw. vollständig („closely“) ausfüllt, und zwar ohne Leerstellen bzw. Lunker („voids“) zu hinterlassen. Demzufolge kann das Halbleiterbauteil A10 kompakt konfiguriert werden, ohne die dielektrische Festigkeit des Halbleiterbauteils A10 zu verringern.
  • Wie es in 21 gezeigt ist, wenn das Abdichtungsharz 70 bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 gebildet wird, fließt das Kunstharz bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z durch den Strömungskanal F. Durch die Strömung des Kunstharzes wird der erste Draht 61, der das Steuerelement 41, das auf dem ersten Pad-Abschnitt 11 montiert ist, mit dem dritten Pad-Abschnitt 311 des dritten Anschlusses 31 verbindet, in der Richtung eines Pfeils gedrückt, der in 21 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. In Hinblick hieraufwird der erste Draht 61 gegenüber dem isolierenden Element 50, das auf dem ersten Pad-Abschnitt 11 montiert ist, nach außen versetzt, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. In ähnlicher Weise wird der zweite Draht 62, der das Treiberelement 42, das auf dem zweiten Pad-Abschnitt 21 montiert ist, mit dem vierten Pad-Abschnitt 321 des vierten Anschlusses 32 verbindet, in die Richtung des Pfeils gedrückt, der in 21 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Im Hinblick hierauf wird der zweite Draht 62 so angeordnet, dass er sich über die Region zwischen dem dritten Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 und einer Linie erstreckt, die von dem sechsten Rand 213 des zweiten Pad-Abschnittes 21 in der zweiten Richtung y verlängert ist, wie es in 2 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z gezeigt ist. Diese Anordnungen des ersten Drahtes 61 und des zweiten Drahtes 62 gewährleisten, dass diese nicht näher an das isolierende Element 50 herangedrückt werden. Eine Abnahme der dielektrischen Festigkeit des Halbleiterbauteils A10 kann hierdurch vermieden werden.
  • Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der dritte Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 mit einem von dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 verbunden, und zwar jenem, das in der zweiten Richtung y zwischen dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 des zweiten Pad-Abschnittes 21 angeordnet ist. Der vierte Rand 212 des zweiten Pad-Abschnitt 21 ist mit einem von dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 verbunden, und zwar jenem, das in der zweiten Richtung y zwischen dem ersten Ende 111A und dem zweiten Ende 111B des ersten Rands 111 angeordnet ist. Der dritte Rand 112 und der vierte Rand 212 beinhalten beide ein Segment, das sich in der ersten Richtung x erstreckt. Wenn bei dieser Konfiguration das Abdichtungsharz 70 in der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 gebildet wird, wird die Strömung des Kunstharzes veranlasst, enger bzw. näher(„more closely“) dem Strömungskanal F zu folgen, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z. Der oben beschriebene Vorteil wird weiter gesteigert, und die Abnahme der dielektrischen Festigkeit des Halbleiterbauteils A10 kann effizienter verhindert werden.
  • Die erste Seitenfläche 71 und die zweite Seitenfläche 72 des Abdichtungsharzes 70 sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Die erste Seitenfläche 71 weist die erste Kanal-Markierung („gate mark“) 75 auf, die daran gebildet ist. Die erste Kanal-Markierung 75 weist eine Region auf, die in der zweiten Richtung y zwischen einer Linie, die sich von dem vierten Rand 212 des zweiten Pad-Abschnittes 21 erstreckt, und einer Linie liegt, die sich von dem fünften Rand 113 des ersten Pad-Abschnittes 11 erstreckt. Die zweite Seitenfläche 72 weist die zweite Kanal-Markierung 76 auf, die daran gebildet ist. Die zweite Kanal-Markierung 76 weist eine Region auf, die zwischen einer Linie, die sich von dem dritten Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 erstreckt, und einer Linie liegt, die sich von dem sechsten Rand 213 des zweiten Pad-Abschnittes 21 erstreckt. Die Kanal-Markierungen treten als ein Ergebnis davon auf, dass die Kanäle, durch die das Kunstharz hinein- und herausfließt, an Positionen gebildet sind, die den Enden des Strömungskanal F entsprechen, wie es in 21 gezeigt ist, und zwar dann, wenn das Abdichtungsharz 70 bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 gebildet wird.
  • Das Halbleiterbauteil A10 ist so konfiguriert, dass das leitfähige Trägerelement 1 nicht an der ersten Seitenfläche 71 und der zweiten Seitenfläche 72 des Abdichtungsharzes 70 freiliegt. Das Halbleiterbauteil A10 ist daher in der zweiten Richtung y mit einer längeren Isolationsdistanz („insulation distance“) ausgestattet. Dies ist wirksam dahingehend, die Abnahme der dielektrischen Festigkeit des Halbleiterbauteils A10 zu verhindern.
  • Der dritte Rand 112 des ersten Pad-Abschnittes 11 weist den Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A auf, der mit einem von dem ersten Ende 111A und dem zweite Ende 111B des ersten Rands 111 verbunden ist. Der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt 112A ist konvex ausgebildet, und zwar hin zu der Außenseite des ersten Pad-Abschnittes 11. Der vierte Rand 212 des zweiten Pad-Abschnittes 21 weist den Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt 212A auf, der mit einem von dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 verbunden ist. Diese Konfiguration ist wirksamer dahingehend, die Abnahme der dielektrischen Festigkeit zwischen dem ersten Pad-Abschnitt 11 in der Niedrigspannungssektion und dem zweiten Pad-Abschnitt 21 in der Hochspannungssektion zu verhindern.
  • Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der dritte Pad-Abschnitt 311 den Drittes-Pad-Naher-Rand 311A auf, bei dem es sich um den Rand handelt, der dem vierten Rand 212 des zweiten Pad-Abschnittes 21 am nächsten ist. Der Drittes-Pad-Naher-Rand 311A erstreckt sich in der ersten Richtung x. Als ein Ergebnis hiervon ist der Abschnitt des Strömungskanals F, der in 21 gezeigt ist, zwischen dem vierten Rand 212 und dem Drittes-Pad-Naher-Rand 311A mehr parallel zu der ersten Richtung x. Demzufolge wird der Raum zwischen dem dritten Pad-Abschnitt 311 in der Niedrigspannungssektion und dem zweiten Pad-Abschnitt 21 in der Hochspannungssektion enger bzw. dichter mit dem Abdichtungsharz 70 gefüllt, ohne Leerstellen bzw. Lunker („voids“) zu hinterlassen. Dies ist wirksam dahingehend, die Abnahme der dielektrischen Festigkeit dazwischen zu verhindern.
  • Der dritte Pad-Abschnitt 311 erstreckt sich von dem dritten Terminal-Abschnitt 312 des dritten Anschlusses 31 hin zu dem ersten Pad-Abschnitt 11. Demzufolge kann die Länge des ersten Drahtes 61, der den dritten Pad-Abschnitt 311 mit dem Steuerelement 41 verbindet, kürzer gemacht werden. Der kürzere erste Draht 61 wird mit einer geringeren Wahrscheinlichkeit in Richtung hin zu dem isolierenden Element 50 gedrückt.
  • Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der vierte Pad-Abschnitt 321 den Viertes-Pad-Naher-Rand 321A auf, bei dem es sich um den Rand handelt, der am nächsten ist zu dem dritten Rand 112. Der Viertes-Pad-Naher-Rand 321A erstreckt sich in der ersten Richtung x. Als ein Ergebnis hiervon ist der Abschnitt des Strömungskanals F, der in 21 gezeigt ist, zwischen dem dritten Rand 112 und dem Viertes-Pad-Naher-Rand 321A mehr parallel zu der ersten Richtung x. Demzufolge ist der Raum zwischen dem vierten Pad-Abschnitt 321 in der Hochspannungssektion und dem ersten Pad-Abschnitt 11 in der Niedrigspannungssektion enger bzw. dichter mit dem Abdichtungsharz 70 gefüllt, ohne Lunker zu hinterlassen. Dies ist wirksam, um die Abnahme der dielektrischen Festigkeit dazwischen zu verhindern.
  • Der vierte Pad-Abschnitt 321 erstreckt sich von dem vierten Terminal-Abschnitt 322 des vierten Anschlusses 32 hin zu dem zweiten Pad-Abschnitt 21. Demzufolge kann die Länge des zweiten Drahtes 62, der das Treiberelement 42 mit dem vierten Pad-Abschnitt 321 verbindet, kürzer gemacht werden. Der kürzere zweite Draht 62 wird mit einer geringeren Wahrscheinlichkeit hin zu dem isolierenden Element 50 gedrückt.
  • Wie es in 10 und 11 gezeigt ist, haben der erste obere Abschnitt 711 der ersten Seitenfläche 71 und der zweite obere Abschnitt 721 der zweiten Seitenfläche 72 eine Höhe h1, wohingegen der erste untere Abschnitt 712 der ersten Seitenfläche 71 und der zweite untere Abschnitt 722 der zweiten Seitenfläche 72 eine Höhe h2 haben. Die Höhe h1 ist größer als die Höhe h2. Dies bedeutet, dass die größere Minimaldicke des Abdichtungsharzes 70 erhöht wird, so dass sie hinreichend ist, um die ersten Drähte 61, die zweiten Drähte 62, die dritten Drähte 63 und die vierten Drähte 64 zu bedecken. Dies ist wirksam dahingehend, die Verringerung der dielektrischen Festigkeit des Halbleiterbauteils A10 zu verhindern.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Unter Bezugnahme auf die 22 bis 25 wird ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. In diesen Figuren sind Elemente, die ähnlich sind zu jenen des Halbleiterbauteils A10, mit den gleichen Bezugszeichen versehen und eine Beschreibung hiervon wird weggelassen. Aus Gründen der Zweckdienlichkeit zeigt 22 das Abdichtungsharz 70 als Phantom durch imaginäre Linien (Zwei-Punkt-Strich-Linien).
  • Das Halbleiterbauteil A20 unterscheidet sich von den Halbleiterbauteil A10 hinsichtlich der Konfigurationen des dritten Anschlusses 31, des vierten Anschlusses 32, der fünften Anschlüsse 33 und der sechsten Anschlüsse 34.
  • Wie es in 22 und 23 gezeigt ist, hat der dritte Pad-Abschnitt 311 des dritten Anschlusses 31 einen Drittes-Pad-Krümmungsrand („third-pad curved edge“) 311C. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der Drittes-Pad-Krümmungsrand 311C benachbart zu der ersten Kanal-Markierung 75 des Abdichtungsharzes 70, und zwar in der ersten Richtung x. Der Drittes-Pad-Krümmungsrand 311C ist konvex, und zwar hin zu der ersten Kanal-Markierung 75.
  • Wie es in den 23 und 24 gezeigt ist, weist der vierte Pad-Abschnitt 321 des vierten Anschlusses 32 einen Viertes-Pad-Krümmungsrand 321C auf. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der Viertes-Pad-Krümmungsrand 321C benachbart zu der zweiten Kanal-Markierung 76 des Abdichtungsharzes 70, und zwar in der ersten Richtung x. Der Viertes-Pad-Krümmungsrand 321C ist konvex hin zu der zweiten Kanal-Markierung 76.
  • Wie es in 22 gezeigt ist, weist der fünfte Pad-Abschnitt 331 von jedem fünften Anschluss 33 ein fünftes Durchgangsloch 331A auf, das hinsichtlich des Durchmessers größer ist als das fünfte Durchgangsloch 331A des Halbleiterbauteils A10. Wie es in 25 gezeigt ist, ist das fünfte Durchgangsloch 331A mit dem Abdichtungsharz 70 gefüllt.
  • Wie es in 22 gezeigt ist, weist der fünfte Pad-Abschnitt 341 von jedem sechsten Anschluss 34 ein sechstes Durchgangsloch 341A auf, das hinsichtlich des Durchmessers größer ist als das sechste Durchgangsloch 341A des Halbleiterbauteils A10. Wie es in 25 gezeigt ist, ist das sechste Durchgangsloch 341A mit dem Abdichtungsharz 70 gefüllt.
  • Als Nächstes werden Vorteil des Halbleiterbauteils A20 beschrieben.
  • In dem Halbleiterbauteil A20 ist der zweite Pad-Abschnitt 21 des zweiten Anschlusses 20 benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt 11 des ersten Anschlusses 10, und zwar in der ersten Richtung x. Der zweite Anschluss 20 gehört verglichen mit dem ersten Anschluss 10 zu einer Sektion mit einer höheren Spannung. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der erste Pad-Abschnitt 11 den ersten Rand 111 auf, der in der ersten Richtung x benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt 21 und der sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z weist der zweite Pad-Abschnitt 21 den zweiten Rand 211 auf, der in der ersten Richtung x benachbart ist zu dem ersten Rand 111 und der sich in der zweiten Richtung y erstreckt. In der zweiten Richtung y ist entweder das erste Ende 111A oder das zweite Ende 111B des ersten Rands 111 zwischen dem dritten Ende 211A und dem vierten Ende 211B des zweiten Rands 211 angeordnet. Demzufolge kann das Halbleiterbauteil A20 kompakt konfiguriert werden, und zwar ohne eine Abnahme der dielektrischen Festigkeit des Halbleiterbauteils A20.
  • In dem Halbleiterbauteil A20 weist der dritte Pad-Abschnitt 311 des dritten Anschlusses 31 den Drittes-Pad-Krümmungsrand 311C auf. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der Drittes-Pad-Krümmungsrand 311C benachbart zu der ersten Kanal-Markierung 75 des Abdichtungsharzes 70, und zwar in der ersten Richtung x, und ist konvex hin zu der ersten Kanal-Markierung 75. Dies trägt dazu bei, das Abdichtungsharz 70 ohne einen Bruch („crack“) in der Nähe der ersten Kanal-Markierung 75 zu bilden.
  • In dem Halbleiterbauteil A20 weist der vierte Pad-Abschnitt 321 des vierten Anschlusses 32 den Viertes-Pad-Krümmungsrand 321C auf. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der Viertes-Pad-Krümmungsrand 321C benachbart zu der zweiten Kanal-Markierung 76 des Abdichtungsharzes 70, und zwar in der ersten Richtung x, und ist konvex hin zu der zweiten Kanal-Markierung 76. Dies trägt dazu bei, das Abdichtungsharz 70 ohne einen Bruch in der Nähe der zweiten Kanal-Markierung 76 zu bilden.
  • Jeder fünfte Anschluss 33 weist das fünfte Durchgangsloch 331A auf, das sich in der Dickenrichtung z durch den fünften Pad-Abschnitt 331 hindurch erstreckt. Die fünften Pad-Abschnitte 331 sind von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. In dem Halbleiterbauteil A20 füllt das Abdichtungsharz 70 die fünften Durchgangslöcher 331A. Wenn eine Kraft aufgebracht wird, um einen fünften Anschluss 33 aus dem Abdichtungsharz 70 zu ziehen, wirkt der Abschnitt des Abdichtungsharzes 70, der in dem fünften Durchgangsloch 331A vorhanden ist, der Kraft entgegen. Dies verhindert, dass der fünfte Anschluss 33 von dem Abdichtungsharz 70 gelöst bzw. abgetrennt wird.
  • Der sechste Anschluss 34 weist das sechste Durchgangsloch 341A auf, das sich in der Dickenrichtung z durch den sechsten Pad-Abschnitt 341 hindurch erstreckt. Die sechsten Pad-Abschnitte 341 sind von dem Abdichtungsharz 70 bedeckt. In dem Halbleiterbauteil A20 füllt das Abdichtungsharz 70 die sechsten Durchgangslöcher 341A. Wenn eine Kraft aufgebracht wird, um einen sechsten Anschluss 34 aus dem Abdichtungsharz 70 zu ziehen, wirkt der Abschnitt des Abdichtungsharzes 70, der in dem sechsten Durchgangsloch 341A vorhanden ist, der Kraft entgegen. Dies verhindert ein Ablösen des sechsten Anschlusses 34 von dem Abdichtungsharz 70.
  • Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die speziellen Ausführungsformen beschränkt, die oben beschrieben wurden. Die spezielle Konfiguration von jedem Teil des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung kann hinsichtlich der Konstruktion auf viele Arten variiert werden.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung lassen sich gemäß den folgenden Klauseln definieren.
  • Klausel 1. Halbleiterbauteil mit:
    • einem leitfähigen Trägerelement, das einen ersten Anschluss mit einem ersten Pad-Abschnitt und einen zweiten Anschluss mit einem zweiten Pad-Abschnitt benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt in einer ersten Richtung aufweist, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des ersten Anschlusses;
    • einem Steuerelement, das auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist;
    • einem isolierenden Element, das auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist und das elektrisch mit dem Steuerelement verbunden ist;
    • einem Treiberelement, das auf dem zweiten Pad-Abschnitt montiert ist und das elektrisch mit dem isolierenden Element verbunden ist; und
    • einem Abdichtungsharz, das den ersten Pad-Abschnitt, den zweiten Pad-Abschnitt, das Steuerelement, das isolierende Element und das Treiberelement bedeckt,
    • wobei der erste Pad-Abschnitt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung einen ersten Rand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt und der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung,
    • wobei der zweite Pad-Abschnitt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung einen zweiten Rand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem ersten Rand und der sich in der zweiten Richtung erstreckt,
    • wobei der erste Rand ein erstes Ende und ein zweites Ende hat, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen,
    • wobei der zweite Rand ein drittes Ende und ein viertes Ende hat, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen, und
    • wobei eines von dem dritten Ende und dem vierten Ende in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende angeordnet ist.
  • Klausel 2. Halbleiterbauteil nach Klausel 1,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Pad-Abschnitt einen dritten Rand aufweist, der ein Segment beinhaltet, das sich in der ersten Richtung erstreckt,
    wobei der dritte Rand mit einem von dem ersten Ende und dem zweiten Ende verbunden ist, das in der zweiten Richtung zwischen dem dritten Ende und dem vierte Ende angeordnet ist,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Pad-Abschnitt einen vierten Rand aufweist, der ein Segment beinhaltet, das sich in der ersten Richtung erstreckt, und
    wobei der vierte Rand mit dem einen von dem dritten Ende und dem vierten Ende verbunden ist, das in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende angeordnet ist.
  • Klausel 3. Halbleiterbauteil nach Klausel 2,
    wobei das leitfähige Trägerelement ferner einen dritten Anschluss und einen vierten Anschluss aufweist,
    wobei der dritte Anschluss einen dritten Pad-Abschnitt beinhaltet, der in der zweiten Richtung benachbart ist zu dem vierten Rand und der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist,
    wobei der vierte Anschluss einen vierten Pad-Abschnitt aufweist, der in der zweiten Richtung benachbart zu dem dritten Rand ist und der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, und
    wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist:
    • einen ersten Draht, das das Steuerelement und den dritten Pad-Abschnitt verbindet, und
    • einen zweiten Draht, der das Treiberelement und den vierten Pad-Abschnitt verbindet.
  • Klausel 4. Halbleiterbauteil nach Klausel 3,
    wobei das Abdichtungsharz eine erste Seitenfläche und eine zweite Seitenfläche hat, die voneinander in der ersten Richtung beabstandet sind,
    wobei die erste Seitenfläche benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt und dem dritten Pad-Abschnitt,
    wobei die zweite Seitenfläche benachbart ist zu dem ersten Pad-Abschnitt und dem vierten Pad-Abschnitt,
    wobei die erste Seitenfläche eine erste Kanal-Markierung hat, die eine höhere Oberflächenrauigkeit hat als eine andere Region der ersten Seitenfläche, und
    wobei die zweite Seitenfläche eine zweite Kanal-Markierung hat, die eine höhere Oberflächenrauigkeit hat als eine andere Region der zweiten Seitenfläche.
  • Klausel 5. Halbleiterbauteil nach Klausel 4, wobei das leitfähige Trägerelement nicht an der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche freiliegt.
  • Klausel 6. Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei die erste Kanal-Markierung und die zweite Kanal-Markierung in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind.
  • Klausel 7. Halbleiterbauteil nach Klausel 5 oder 6,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Pad-Abschnitt einen fünften Rand mit einem Segment aufweist, das sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der fünfte Rand in der zweiten Richtung von dem dritten Rand beabstandet ist und mit dem ersten Rand verbunden ist, und
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Pad-Abschnitt einen sechsten Rand mit einem Segment aufweist, das sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der sechste Rand in der zweiten Richtung von dem vierten Rand beabstandet ist und mit dem zweiten Rand verbunden ist.
  • Klausel 8. Halbleiterbauteil nach Klausel 7,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung die erste Kanal-Markierung eine Region beinhaltet, die in der zweiten Richtung zwischen einer Verlängerungslinie des vierten Randes und eine Verlängerungslinie des fünften Randes liegt, und
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung die zweite Kanal-Markierung eine Region beinhaltet, die in der zweiten Richtung zwischen einer Verlängerungslinie des dritten Randes und einer Verlängerungslinie des sechsten Randes liegt.
  • Klausel 9. Halbleiterbauteil nach Klausel 8,
    wobei der dritte Rand einen Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt aufweist, der mit einem von dem ersten Ende und dem zweiten Ende verbunden ist,
    wobei der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt konvex hin zu der Außenseite des ersten Pad-Abschnittes ausgebildet ist,
    wobei der vierte Rand einen Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt aufweist, der mit einem von dem dritten Ende und dem vierten Ende verbunden ist, und
    wobei der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt hin zu der Außenseite des zweiten Pad-Abschnittes konvex ausgebildet ist.
  • Klausel 10. Halbleiterbauteil nach Klausel 9,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der dritte Pad-Abschnitt einen Drittes-Pad-Naher-Rand aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der Drittes-Pad-Naher-Rand ein Rand des dritten Pad-Abschnittes ist, der dem vierten Rand am nächsten ist, und
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der vierte Pad-Abschnitt einen Viertes-Pad-Naher-Rand aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der Viertes-Pad-Naher-Rand ein Rand des vierten Pad-Abschnittes ist, der dem dritten Rand am nächsten ist.
  • Klausel 11. Halbleiterbauteil nach Klausel 10,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der dritte Pad-Abschnitt einen Drittes-Pad-Krümmungsrand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu der ersten Kanal-Markierung,
    wobei der Drittes-Pad-Krümmungsrand konvex hin zu der ersten Kanal-Markierung ist,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der vierte Pad-Abschnitt einen Viertes-Pad-Krümmungsrand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu der zweiten Kanal-Markierung, und
    wobei der Viertes-Pad-Krümmungsrand konvex hin zu der zweiten Kanal-Markierung ist.
  • Klausel 12. Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei das isolierende Element in der ersten Richtung zwischen dem Steuerelement und dem Treiberelement angeordnet ist.
  • Klausel 13. Halbleiterbauteil nach Klausel 12,
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Draht nach außen weg von dem isolierenden Element versetzt ist, und
    wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Draht sich über eine Region zwischen dem dritten Rand und einer Verlängerungslinie des sechsten Randes in der zweiten Richtung erstreckt.
  • Klausel 14. Halbleiterbauteil nach Klausel 12 oder 13,
    wobei das Abdichtungsharz eine dritte Seitenfläche und eine vierte Seitenfläche hat, die voneinander in der zweiten Richtung beabstandet sind,
    wobei der erste Anschluss einen ersten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der dritten Seitenfläche freiliegt,
    wobei der zweite Anschluss einen zweiten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der vierten Seitenfläche freiliegt,
    wobei der dritte Anschluss einen dritten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem dritten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der dritten Seitenfläche freiliegt, und
    wobei der vierte Anschluss einen vierten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem vierten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der vierten Seitenfläche freiliegt.
  • Klausel 15. Halbleiterbauteil nach Klausel 14,
    wobei das leitfähige Trägerelement ferner einen fünften Anschluss und einen sechsten Anschluss beinhaltet,
    wobei der fünfte Anschluss einen fünften Pad-Abschnitt aufweist, der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, und einen fünften Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem fünften Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der dritten Seitenfläche freiliegt, wobei der fünfte Terminal-Abschnitt zwischen dem ersten Terminal-Abschnitt und dem dritten Terminal-Abschnitt angeordnet ist,
    wobei der sechste Anschluss einen sechsten Pad-Abschnitt aufweist, der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, und einen sechsten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem sechsten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der vierten Seitenfläche freiliegt, wobei der sechste Terminal-Abschnitt zwischen dem zweiten Terminal-Abschnitt und dem vierten Terminal-Abschnitt angeordnet ist,
    wobei jeder von dem fünften Pad-Abschnitt und dem sechsten Pad-Abschnitt ein Durchgangsloch aufweist, das sich in der Dickenrichtung erstreckt, und
    wobei ein Abschnitt des Abdichtungsharzes in jedem der Durchgangslöcher vorhanden ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2013051547 A [0005]

Claims (15)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem leitfähigen Trägerelement, das einen ersten Anschluss mit einem ersten Pad-Abschnitt und einen zweiten Anschluss mit einem zweiten Pad-Abschnitt benachbart zu dem ersten Pad-Abschnitt in einer ersten Richtung aufweist, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des ersten Anschlusses; einem Steuerelement, das auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist; einem isolierenden Element, das auf dem ersten Pad-Abschnitt montiert ist und das elektrisch mit dem Steuerelement verbunden ist; einem Treiberelement, das auf dem zweiten Pad-Abschnitt montiert ist und das elektrisch mit dem isolierenden Element verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das den ersten Pad-Abschnitt, den zweiten Pad-Abschnitt, das Steuerelement, das isolierende Element und das Treiberelement bedeckt, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Pad-Abschnitt einen ersten Rand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt und der sich in einer zweiten Richtung erstreckt, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Pad-Abschnitt einen zweiten Rand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu dem ersten Rand und der sich in der zweiten Richtung erstreckt, wobei der erste Rand ein erstes Ende und ein zweites Ende hat, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen, wobei der zweite Rand ein drittes Ende und ein viertes Ende hat, die einander in der zweiten Richtung gegenüberliegen, und wobei eines von dem dritten Ende und dem vierten Ende in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende angeordnet ist.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Pad-Abschnitt einen dritten Rand aufweist, der ein Segment beinhaltet, das sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der dritte Rand mit einem von dem ersten Ende und dem zweiten Ende verbunden ist, das in der zweiten Richtung zwischen dem dritten Ende und dem vierte Ende angeordnet ist, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Pad-Abschnitt einen vierten Rand aufweist, der ein Segment beinhaltet, das sich in der ersten Richtung erstreckt, und wobei der vierte Rand mit dem einen von dem dritten Ende und dem vierten Ende verbunden ist, das in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende angeordnet ist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das leitfähige Trägerelement ferner einen dritten Anschluss und einen vierten Anschluss aufweist, wobei der dritte Anschluss einen dritten Pad-Abschnitt beinhaltet, der in der zweiten Richtung benachbart ist zu dem vierten Rand und der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, wobei der vierte Anschluss einen vierten Pad-Abschnitt aufweist, der in der zweiten Richtung benachbart zu dem dritten Rand ist und der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, und wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist: einen ersten Draht, das das Steuerelement und den dritten Pad-Abschnitt verbindet, und einen zweiten Draht, der das Treiberelement und den vierten Pad-Abschnitt verbindet.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei das Abdichtungsharz eine erste Seitenfläche und eine zweite Seitenfläche hat, die voneinander in der ersten Richtung beabstandet sind, wobei die erste Seitenfläche benachbart ist zu dem zweiten Pad-Abschnitt und dem dritten Pad-Abschnitt, wobei die zweite Seitenfläche benachbart ist zu dem ersten Pad-Abschnitt und dem vierten Pad-Abschnitt, wobei die erste Seitenfläche eine erste Kanal-Markierung hat, die eine höhere Oberflächenrauigkeit hat als eine andere Region der ersten Seitenfläche, und wobei die zweite Seitenfläche eine zweite Kanal-Markierung hat, die eine höhere Oberflächenrauigkeit hat als eine andere Region der zweiten Seitenfläche.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, wobei das leitfähige Trägerelement nicht an der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche freiliegt.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei die erste Kanal-Markierung und die zweite Kanal-Markierung in der zweiten Richtung voneinander beabstandet sind.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5 oder 6, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Pad-Abschnitt einen fünften Rand mit einem Segment aufweist, das sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der fünfte Rand in der zweiten Richtung von dem dritten Rand beabstandet ist und mit dem ersten Rand verbunden ist, und wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Pad-Abschnitt einen sechsten Rand mit einem Segment aufweist, das sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der sechste Rand in der zweiten Richtung von dem vierten Rand beabstandet ist und mit dem zweiten Rand verbunden ist.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung die erste Kanal-Markierung eine Region beinhaltet, die in der zweiten Richtung zwischen einer Verlängerungslinie des vierten Randes und eine Verlängerungslinie des fünften Randes liegt, und wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung die zweite Kanal-Markierung eine Region beinhaltet, die in der zweiten Richtung zwischen einer Verlängerungslinie des dritten Randes und einer Verlängerungslinie des sechsten Randes liegt.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, wobei der dritte Rand einen Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt aufweist, der mit einem von dem ersten Ende und dem zweiten Ende verbunden ist, wobei der Dritter-Rand-Verbindungsabschnitt konvex hin zu der Außenseite des ersten Pad-Abschnittes ausgebildet ist, wobei der vierte Rand einen Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt aufweist, der mit einem von dem dritten Ende und dem vierten Ende verbunden ist, und wobei der Vierter-Rand-Verbindungsabschnitt hin zu der Außenseite des zweiten Pad-Abschnittes konvex ausgebildet ist.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der dritte Pad-Abschnitt einen Drittes-Pad-Naher-Rand aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der Drittes-Pad-Naher-Rand ein Rand des dritten Pad-Abschnittes ist, der dem vierten Rand am nächsten ist, und wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der vierte Pad-Abschnitt einen Viertes-Pad-Naher-Rand aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, wobei der Viertes-Pad-Naher-Rand ein Rand des vierten Pad-Abschnittes ist, der dem dritten Rand am nächsten ist.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der dritte Pad-Abschnitt einen Drittes-Pad-Krümmungsrand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu der ersten Kanal-Markierung, wobei der Drittes-Pad-Krümmungsrand konvex hin zu der ersten Kanal-Markierung ist, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der vierte Pad-Abschnitt einen Viertes-Pad-Krümmungsrand aufweist, der in der ersten Richtung benachbart ist zu der zweiten Kanal-Markierung, und wobei der Viertes-Pad-Krümmungsrand konvex hin zu der zweiten Kanal-Markierung ist.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei das isolierende Element in der ersten Richtung zwischen dem Steuerelement und dem Treiberelement angeordnet ist.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der erste Draht nach außen weg von dem isolierenden Element versetzt ist, und wobei bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung der zweite Draht sich über eine Region zwischen dem dritten Rand und einer Verlängerungslinie des sechsten Randes in der zweiten Richtung erstreckt.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12 oder 13, wobei das Abdichtungsharz eine dritte Seitenfläche und eine vierte Seitenfläche hat, die voneinander in der zweiten Richtung beabstandet sind, wobei der erste Anschluss einen ersten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der dritten Seitenfläche freiliegt, wobei der zweite Anschluss einen zweiten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der vierten Seitenfläche freiliegt, wobei der dritte Anschluss einen dritten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem dritten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der dritten Seitenfläche freiliegt, und wobei der vierte Anschluss einen vierten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem vierten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der vierten Seitenfläche freiliegt.
  15. Halbleiterbauteil nach Klausel 14, wobei das leitfähige Trägerelement ferner einen fünften Anschluss und einen sechsten Anschluss beinhaltet, wobei der fünfte Anschluss einen fünften Pad-Abschnitt aufweist, der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, und einen fünften Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem fünften Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der dritten Seitenfläche freiliegt, wobei der fünfte Terminal-Abschnitt zwischen dem ersten Terminal-Abschnitt und dem dritten Terminal-Abschnitt angeordnet ist, wobei der sechste Anschluss einen sechsten Pad-Abschnitt aufweist, der von dem Abdichtungsharz bedeckt ist, und einen sechsten Terminal-Abschnitt aufweist, der mit dem sechsten Pad-Abschnitt verbunden ist und der an der vierten Seitenfläche freiliegt, wobei der sechste Terminal-Abschnitt zwischen dem zweiten Terminal-Abschnitt und dem vierten Terminal-Abschnitt angeordnet ist, wobei jeder von dem fünften Pad-Abschnitt und dem sechsten Pad-Abschnitt ein Durchgangsloch aufweist, das sich in der Dickenrichtung erstreckt, und wobei ein Abschnitt des Abdichtungsharzes in jedem der Durchgangslöcher vorhanden ist.
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