DE112022001675T5 - Halbleiterbauelement - Google Patents

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Takumi Kanda
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Halbleiterbauelement, aufweisend: ein erstes und zweites Die-Pad, die in einer ersten Richtung voneinander beabstandet sind; ein Halbleiterelement, das auf mindestens dem ersten Die-Pad oder dem zweiten Die-Pad angebracht ist; und ein Versiegelungsharz. Das Versiegelungsharz ist in der ersten Richtung länger als in einer zweiten Richtung. Das erste Die-Pad hat eine erste Endfläche, eine zweite Endfläche und eine erste Eckendfläche. Die erste Eckendfläche ist eine ebene Fläche, die von dem Versiegelungsharz bedeckt ist und relativ zu der ersten Endfläche und zu der zweiten Endfläche geneigt ist. Die erste Eckendfläche hat einen ersten Neigungswinkel relativ zu der ersten Endfläche und einen zweiten Neigungswinkel relativ zu der zweiten Endfläche. Der erste Neigungswinkel oder der zweite Neigungswinkel liegt in einem Bereich von jeweils einschließlich 60° bis 85°.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement.
  • HINTERGRUND
  • Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel für ein Halbleiterbauelement, das ein Die-Pad, ein auf dem Die-Pad montiertes Halbleiterelement und ein das Halbleiterelement bedeckendes Versiegelungsharz aufweist. Das Halbleiterelement ist ein Schaltelement wie z. B. ein MOSFET. Das Halbleiterbauelement kann zur Konfiguration einer Leistungsumwandlungsschaltung (Inverter) verwendet werden.
  • Das in der Patentschrift 1 offenbarte Halbleiterbauelement bildet entweder eine Oberarmschaltung oder eine Unterarmschaltung in der Leistungsumwandlungsschaltung. Wenn hingegen ein einzelnes Halbleiterbauelement so konfiguriert ist, dass es eine Oberarmschaltung und eine Unterarmschaltung enthält, müssen zwei Die-Pads vorgesehen werden, damit die Halbleiterelemente auf den jeweiligen Die-Pads montiert werden können. In diesem Fall wird mehr Wärme von den Halbleiterelementen über die beiden Die-Pads auf das Versiegelungsharz übertragen. Infolgedessen ist es wahrscheinlicher, dass das Versiegelungsharz unter einer starken thermischen Spannungskonzentration leidet, was zu Rissen im Versiegelungsharz führen kann.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP 2018-14490 A
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll
  • In Anbetracht der vorgenannten Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Halbleiterbauelement bereitzustellen, das in der Lage ist, die in einem Versiegelungsharz auftretende thermische Spannungskonzentration zu verringern.
  • Mittel zur Lösung der Aufgabe
  • Die vorliegende Offenbarung sieht ein Halbleiterbauelement vor, aufweisend: ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad, die in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung voneinander beabstandet sind; ein Halbleiterelement, das auf mindestens dem ersten Die-Pad oder dem zweiten Die-Pad angebracht ist; und ein Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und mindestens einen Teil sowohl des ersten Die-Pads als auch des zweiten Die-Pads bedeckt. Eine Abmessung des Versiegelungsharzes in der ersten Richtung ist länger als eine Abmessung des Versiegelungsharzes in einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung verläuft. Das erste Die-Pad hat eine erste Endfläche, die in die erste Richtung weist, eine zweite Endfläche, die in die zweite Richtung weist, und eine erste Eckendfläche, die zwischen der ersten Endfläche und der zweiten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt. Die erste Eckendfläche ist eine ebene Fläche, die von dem Versiegelungsharz bedeckt ist und relativ zu der ersten Endfläche und zu der zweiten Endfläche geneigt ist. Der erste Neigungswinkel der ersten Eckendfläche relativ zu der ersten Endfläche oder der zweite Neigungswinkel der ersten Eckendfläche relativ zu der zweiten Endfläche liegt in einem Bereich von jeweils einschließlich 60° bis 85°.
  • Vorteile der Erfindung
  • Gemäß der obigen Konfiguration der vorliegenden Offenbarung kann das Halbleiterbauelement eine in dem Versiegelungsharz auftretende thermische Spannungskonzentration verringern.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Halbleiterbauelement gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 2 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauelement aus 1.
    • 3 ist eine Draufsicht, die 2 entspricht, wobei ein Versiegelungsharz transparent dargestellt ist.
    • 4 ist eine Ansicht von unten, die das Halbleiterbauelement aus 1 zeigt.
    • 5 ist eine Frontansicht des Halbleiterbauelements aus 1.
    • 6 ist eine Ansicht der rechten Seite des Halbleiterbauelements aus 1.
    • 7 ist eine Ansicht von der rechten Seite entsprechend 6, wobei ein Versiegelungsharz transparent dargestellt ist.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VIII-VIII in 3.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX in 3.
    • 10 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 8.
    • 11 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 8.
    • 12 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 8.
    • 13 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 9.
    • 14 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 15 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 16 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 17 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 3.
    • 18 ist eine teilweise vergrößerte Draufsicht, die eine Variante des Halbleiterbauelements von 1 zeigt, bei der ein Versiegelungsharz transparent dargestellt ist.
    • 19 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht der rechten Seite des Halbleiterbauelements von 18, wobei das Versiegelungsharz transparent dargestellt ist.
    • 20 ist eine Draufsicht, die ein Halbleiterbauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt, wobei ein Versiegelungsharz transparent dargestellt ist.
    • 21 ist eine teilweise vergrößerte Querschnittsansicht entlang der Linie XXI-XXI in 20.
    • 22 ist eine teilweise vergrößerte Querschnittsansicht entlang der Linie XXII-XXII in 20.
  • AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Im Folgenden wird ein Halbleiterbauelement A10 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 1 bis 17 beschrieben. Das Halbleiterbauelement A10 weist ein erstes Die-Pad 10A, ein zweites Die-Pad 10B, eine Vielzahl von Anschlussleitern 13, ein Halbleiterelement 21, ein erstes leitendes Element 31, ein zweites leitendes Element 32, ein Paar von Gate-Drähten 41, ein Paar von Detektionsdrähten 42 und ein Versiegelungsharz 50 auf. In 3 und 7 ist das Versiegelungsharz 50 zum besseren Verständnis transparent dargestellt und durch eine imaginäre Linie (Zweipunkt-Kettenlinie) gekennzeichnet. In 3 sind die Zeilen VIII-VIII und IX-IX jeweils durch eine mit einem Punkt versehene Kettenlinie gekennzeichnet.
  • In der Beschreibung des Halbleiterbauelements A10 wird die Dickenrichtung (Richtung in der Dicke) des ersten Die-Pads 10A (oder des zweiten Die-Pads 10B) der Einfachheit halber als „Dickenrichtung z“ bezeichnet. Eine Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung z verläuft, wird als „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung z und zu der ersten Richtung x verläuft, wird als „zweite Richtung y“ bezeichnet.
  • Das Halbleiterbauelement A10 wandelt mit Hilfe des Halbleiterelements 21 die an einem ersten Eingangsanschluss 14 und an einem zweiten Eingangsanschluss 16 der Anschlussleiter 13 anliegende Gleichspannung (Gleichstromquelle) in Wechselspannung (Wechselstromleistung) um. Der durch die Umwandlung gewonnene Wechselstrom wird von einem Ausgangsanschluss 15 der Anschlussleiter 13 einem Ziel (Leistungsverbraucher), wie z. B. einem Motor, zugeführt. Das Halbleiterbauelement A10 wird in einer Leistungsumwandlungsschaltung, z. B. einem Inverter (Wechselrichter), verwendet.
  • Wie in 3 und 8 gezeigt, sind das erste Die-Pad 10A und das zweite Die-Pad 10B in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Das erste Die-Pad 10A wird aus demselben Leiterrahmen gebildet, aus dem auch das zweite Die-Pad 10B und die Anschlussleiter 13 gebildet werden. Der Leiterrahmen kann aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung sein. Dementsprechend enthalten das erste Die-Pad 10A, das zweite Die-Pad 10B und die Anschlussleiter 13 jeweils Kupfer in ihrer Zusammensetzung (d. h. jedes Element enthält Kupfer). Sowohl das erste Die-Pad 10A als auch das zweite Die-Pad 10B haben eine Vorderseite 101 und eine Rückseite 102. Die Vorderseite 101 weist in Dickenrichtung z. Die Vorderseite 101 ist von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Das Halbleiterelement 21 ist auf der Vorderseite 101 angebracht. Dementsprechend ist die Rückseite 102 in Dickenrichtung z von der Stelle, an der sich das Halbleiterelement 21 befindet, abgewandt. Die Rückseite 102 liegt von dem Versiegelungsharz 50 frei. Die Rückseite 102 kann z. B. mit Zinn (Sn) beschichtet sein.
  • Wie in 3 und 7 bis 9 gezeigt, bedeckt das Versiegelungsharz 50 das Halbleiterelement 21, das erste leitende Element 31, das zweite leitende Element 32 und mindestens einen Teil des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B. Das Versiegelungsharz 50 bedeckt außerdem einen Teil jedes Anschlussleiters 13. Das Versiegelungsharz 50 ist elektrisch isolierend. Das Versiegelungsharz 50 kann aus einem Material sein, das z. B. ein schwarzes Epoxidharz enthält. Wie in 2 gezeigt, ist die Abmessung L1 des Versiegelungsharzes 50 in der ersten Richtung x länger als die Abmessung L2 des Versiegelungsharzes 50 in der zweiten Richtung y. Das Versiegelungsharz 50 hat eine obere Fläche 51, eine untere Fläche 52, ein Paar erste Seitenflächen 53, eine zweite Seitenfläche 54, eine dritte Seitenfläche 55, eine Vielzahl von Aussparungen 56 und eine Nut 57.
  • Wie in 8 gezeigt, weist die obere Fläche 51 in Dickenrichtung z auf die gleiche Seite wie die Vorderseiten 101 des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B. Wie in 8 und 9 dargestellt, ist die untere Fläche 52 in Dickenrichtung z von der oberen Fläche 51 abgewandt. Wie in 4 gezeigt, liegen die Rückseite 102 des ersten Die-Pads 10A und die Rückseite 102 des zweiten Die-Pads 10B an der unteren Fläche 52 frei.
  • Wie in 2, 4 und 5 dargestellt, sind die beiden ersten Seitenflächen 53 in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Das Paar der ersten Seitenflächen 53 weist in die erste Richtung x und erstreckt sich in die zweite Richtung y. Das Paar der ersten Seitenflächen 53 ist mit der oberen Fläche 51 und der unteren Fläche 52 verbunden.
  • Wie in 2, 4 und 6 dargestellt, sind die zweite Seitenfläche 54 und die dritte Seitenfläche 55 in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Die zweite Seitenfläche 54 und die dritte Seitenfläche 55 weisen in der zweiten Richtung y voneinander weg und erstrecken sich in der ersten Richtung x. Die zweite Seitenfläche 54 und die dritte Seitenfläche 55 sind mit der oberen Fläche 51 und der unteren Fläche 52 verbunden. Wie in 5 dargestellt, liegen die Anschlussleiter 13 von der dritten Seitenfläche 55 aus frei.
  • Wie in 2, 4 und 5 dargestellt, sind die Aussparungen 56 von der dritten Seitenfläche 55 in der zweiten Richtung y zurückgesetzt und erstrecken sich von der oberen Fläche 51 zu der unteren Fläche 52 in der Dickenrichtung z. In der ersten Richtung x sind die Aussparungen 56 jeweils zwischen dem ersten Eingangsanschluss 14 und einem ersten Detektionsanschluss 181, zwischen dem ersten Eingangsanschluss 14 und dem zweiten Eingangsanschluss 16, zwischen dem Ausgangsanschluss 15 und dem zweiten Eingangsanschluss 16 und zwischen dem Ausgangsanschluss 15 und einem zweiten Detektionsanschluss 182 angeordnet.
  • Wie in 4, 5, 8 und 9 gezeigt, ist die Nut 57 von der unteren Fläche 52 in der Dickenrichtung z zurückgesetzt und erstreckt sich in der zweiten Richtung y (d.h. sie verläuft längs in der zweiten Richtung y). Zwei Seiten der Nut 57 in der zweiten Richtung y sind mit der zweiten Seitenfläche 54 bzw. der dritten Seitenfläche 55 verbunden. In der Dickenrichtung z gesehen, teilt die Nut 57 die Rückseite 102 des ersten Die-Pads 10A und die Rückseite 102 des zweiten Die-Pads 10B voneinander.
  • Wie in 3 und 4 gezeigt, haben sowohl das erste Die-Pad 10A als auch das zweite Die-Pad 10B eine erste Endfläche 111, eine zweite Endfläche 112, eine dritte Endfläche 113 und eine vierte Endfläche 114. Die erste Endfläche 111, die zweite Endfläche 112, die dritte Endfläche 113 und die vierte Endfläche 114 sind von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Die erste Endfläche 111 weist in die erste Richtung x und erstreckt sich in die zweite Richtung y. Die erste Endfläche 111 befindet sich am nächsten zu einer der beiden ersten Seitenflächen 53 des Versiegelungsharzes 50. Die zweite Endfläche 112 weist in die zweite Richtung y und erstreckt sich in die erste Richtung x. Die zweite Endfläche 112 befindet sich am nächsten zu der zweiten Seitenfläche 54 des Versiegelungsharzes 50. Die dritte Endfläche 113 weist in der zweiten Richtung y von der zweiten Endfläche 112 weg und erstreckt sich in der ersten Richtung x. Die dritte Endfläche 113 befindet sich am nächsten zu der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50. Die vierte Endfläche 114 weist in der ersten Richtung x von der ersten Endfläche 111 weg und erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Wie in 8 dargestellt, befindet sich die Nut 57 zwischen der vierten Endfläche 114 des ersten Die-Pads 10A und der vierten Endfläche 114 des zweiten Die-Pads 10B.
  • Wie in 4 und 7 gezeigt, ist der Abstand P2 zwischen der dritten Endfläche 113 und der dritten Seitenfläche 55 größer als der Abstand P1 zwischen der zweiten Endfläche 112 und der zweiten Seitenfläche 54.
  • Wie in 3, 4 und 7 gezeigt, haben sowohl das erste Die-Pad 10A als auch das zweite Die-Pad 10B eine erste Eckendfläche 121. Die erste Eckendfläche 121 befindet sich zwischen der ersten Endfläche 111 und der zweiten Endfläche 112 an einer Ecke entweder des ersten Die-Pads 10A oder des zweiten Die-Pads 10B. Die erste Eckendfläche 121 ist eine ebene Fläche, die von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der ersten Endfläche 111 und der zweiten Endfläche 112 geneigt ist. Wie in 14 dargestellt, hat die erste Eckendfläche 121 einen ersten Neigungswinkel a1 relativ zu der ersten Endfläche 111 und einen zweiten Neigungswinkel α2 relativ zu der zweiten Endfläche 112. Der erste Neigungswinkel a1 oder der zweite Neigungswinkel α2 liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich).
  • Außerdem wird, wie in 14 dargestellt, eine längste Normale Nmax für die erste Eckendfläche 121 festgelegt. Die längste Normale Nmax stellt den Maximalwert der Normalen der ersten Eckendfläche 121 entweder des ersten Die-Pads 10A oder des zweiten Die-Pads 10B dar, wobei sich die Normale von der ersten Eckendfläche 121 zu einer des Paares der ersten Seitenflächen 53 des Versiegelungsharzes 50 hin erstreckt, die näher an der ersten Eckendfläche 121 liegt. Die längste Normale Nmax ist 1,0- bis 1,5-mal größer als die Länge der Schnittlinie C (siehe 14) zwischen der ersten Eckendfläche 121 und der virtuellen Ebene, die durch die erste Richtung x und die zweite Richtung y als Richtungen der Ebene definiert ist.
  • Wie in 3, 4 und 7 gezeigt, haben sowohl das erste Die-Pad 10A als auch das zweite Die-Pad 10B eine zweite Eckendfläche 122. Die zweite Eckendfläche 122 befindet sich zwischen der ersten Endfläche 111 und der dritten Endfläche 113 und an einer Ecke des ersten Die-Pads 10A oder des zweiten Die-Pads 10B. Die zweite Eckendfläche 122 ist eine ebene Fläche, die mit dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der ersten Endfläche 111 und der dritten Endfläche 113 geneigt ist. Wie in 15 dargestellt, hat die zweite Eckendfläche 122 einen dritten Neigungswinkel α3 relativ zu der ersten Endfläche 111 und einen vierten Neigungswinkel α4 relativ zu der dritten Endfläche 113. Der dritte Neigungswinkel α3 oder der vierte Neigungswinkel α4 liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich).
  • Wie in 3 und 4 gezeigt, haben sowohl das erste Die-Pad 10A als auch das zweite Die-Pad 10B eine dritte Eckendfläche 123. Die dritte Eckendfläche 123 befindet sich zwischen der zweiten Endfläche 112 und der vierten Endfläche 114 an einer Ecke des ersten Die-Pads 10A oder des zweiten Die-Pads 10B. Die dritte Eckendfläche 123 ist eine ebene Fläche, die mit dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der zweiten Endfläche 112 und der vierten Endfläche 114 geneigt ist. Wie in 16 dargestellt, hat die dritte Eckendfläche 123 einen fünften Neigungswinkel α5 relativ zu der vierten Endfläche 114 und einen sechsten Neigungswinkel α6 relativ zu der zweiten Endfläche 112. Der fünfte Neigungswinkel α5 oder der sechste Neigungswinkel α6 liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich).
  • Wie in 3 und 4 gezeigt, haben sowohl das erste Die-Pad 10A als auch das zweite Die-Pad 10B eine vierte Eckendfläche 124. Die vierte Eckendfläche 124 befindet sich zwischen der dritten Endfläche 113 und der vierten Endfläche 114 an einer Ecke des ersten Die-Pads 10A oder des zweiten Die-Pads 10B. Die vierte Eckendfläche 124 ist eine ebene Fläche, die mit dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der dritten Endfläche 113 und der vierten Endfläche 114 geneigt ist. Wie in 17 dargestellt, hat die vierte Eckendfläche 124 einen siebten Neigungswinkel α 7 relativ zu der vierten Endfläche 114 und einen achten Neigungswinkel α8 relativ zu der dritten Endfläche 113. Der siebte Neigungswinkel α 7 oder der achte Neigungswinkel α8 liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich).
  • Wie in 12 dargestellt, hat das zweite Die-Pad 10B eine erste Setzfläche 103 und eine erste aufrechte Fläche 104. Die erste Setzfläche 103 weist in Dickenrichtung z auf dieselbe Seite wie die Vorderseite 101 und befindet sich in Dickenrichtung z zwischen der Vorderseite 101 und der Rückseite 102. Die erste Setzfläche 103 ist mit der vierten Endfläche 114 verbunden. Die erste aufrechte Fläche 104 weist in eine Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z und ist mit der ersten Setzfläche 103 und der Vorderseite 101 verbunden. Die erste Setzfläche 103 und die erste aufrechte Fläche 104 bilden eine Stufe bei dem zweiten Die-Pad 10B.
  • Wie in 3 und 8 gezeigt, ist das Halbleiterelement 21 auf mindestens einem der beiden Die-Pads, dem ersten Die-Pad 10A oder dem zweiten Die-Pad 10B, montiert. Bei dem Halbleiterbauelement A10 weist das Halbleiterelement 21 ein erstes Element 21A und ein zweites Element 21B auf. Das erste Element 21A ist auf der Vorderseite 101 des ersten Die-Pads 10A angebracht. Das zweite Element 21B ist auf der Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B angebracht. Das Halbleiterelement 21 ist beispielsweise ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Alternativ kann das Halbleiterelement 21 auch ein Schaltelement wie ein bipolarer Transistor mit isoliertem Gate (IGBT) oder eine Diode sein. Bei der Beschreibung des Halbleiterbauelements A10 ist das Halbleiterelement 21 ein n-Kanal-MOSFET mit einer vertikalen Struktur. Das Halbleiterelement 21 ist ein Verbundhalbleitersubstrat. Das Verbundhalbleitersubstrat weist in seiner Zusammensetzung Siliziumkarbid (SiC) auf. Wie in 10 und 11 dargestellt, weist das Halbleiterelement 21 eine erste Elektrode 211, eine zweite Elektrode 212 und eine Gate-Elektrode 213 auf.
  • Wie in 10 und 11 dargestellt, ist die erste Elektrode 211 in Dickenrichtung z gegenüber der zweiten Elektrode 212 gegenüberliegend angeordnet. Der Strom, der durch die erste Elektrode 211 fließt, entspricht der elektrischen Leistung, die durch das Halbleiterelement 21 umgewandelt wurde. Mit anderen Worten: Die erste Elektrode 211 entspricht der Source-Elektrode des Halbleiterelements 21. Die erste Elektrode 211 weist eine Vielzahl von Metallschichten auf. Die erste Elektrode 211 ist aus einer Nickelschicht (Ni) und einer Goldschicht (Au), die auf der Nickelschicht aufliegt, zusammengesetzt. Alternativ kann die erste Elektrode 211 eine Nickelschicht, eine Palladiumschicht (Pd), die auf der Nickelschicht aufliegt, und eine Goldschicht, die auf der Palladiumschicht liegt, aufweisen.
  • Wie in 10 und 11 gezeigt, ist die zweite Elektrode 212 so vorgesehen, dass sie entweder der Vorderseite 101 des ersten Die-Pad 10A oder der Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B zugewandt ist. Der Strom, der durch die zweite Elektrode 212 fließt, entspricht der elektrischen Leistung, die von dem Halbleiterelement 21 noch umgewandelt werden muss. Mit anderen Worten: Die erste Elektrode 221 entspricht der Drain-Elektrode des Halbleiterelements 21.
  • Wie in 10 und 11 dargestellt, befindet sich die Gate-Elektrode 213 auf der gleichen Seite wie die erste Elektrode 211 in Dickenrichtung z. An der Gate-Elektrode 213 wird eine Gate-Spannung zur Ansteuerung des Halbleiterelements 21 angelegt. In Dickenrichtung z gesehen, ist die Fläche der Gate-Elektrode 213 kleiner als die Fläche der ersten Elektrode 211.
  • Wie in 8, 10 und 11 gezeigt, ist zwischen der zweiten Elektrode 212 des Halbleiterelements 21 (d.h. dem ersten Element 21A und dem zweiten Element 21B) und der Vorderseite 101 des ersten Die-Pads 10A und der Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B eine Die-Bonding-Schicht 23 vorgesehen. Die Die-Bonding-Schicht 23 ist elektrisch leitend. Die Die-Bonding-Schicht 23 ist zum Beispiel Lot. Alternativ kann die Die-Bonding-Schicht 23 auch ein Sintermetall sein. Die Die-Bonding-Schicht 23 verbindet (bondet) die Vorderseite 101 des ersten Die-Pads 10A und die zweite Elektrode 212 des ersten Elements 21A. Folglich ist die zweite Elektrode 212 des ersten Elements 21A elektrisch mit dem ersten Die-Pad 10A verbunden. Die Die-Bonding-Schicht 23 verbindet (bondet) außerdem die Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B und die zweite Elektrode 212 des zweiten Elements 21B. Folglich ist die zweite Elektrode 212 des zweiten Elements 21B elektrisch mit dem zweiten Die-Pad 10B verbunden.
  • Wie in 3 gezeigt, sind die Anschlussleiter 13 relativ zu dem ersten Die-Pad 10A und dem zweiten Die-Pad 10B in einer Richtung der zweiten Richtung y positioniert, die einer anderen Richtung der zweiten Richtung y entgegengesetzt ist, in die die zweiten Endflächen 112 weisen. Mindestens einer der Anschlussleiter 13 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 21 verbunden. Die Anschlussleiter 13 sind nebeneinander in der ersten Richtung x angeordnet. Die Anschlussleiter 13 weisen den ersten Eingangsanschluss 14, den Ausgangsanschluss 15, den zweiten Eingangsanschluss 16, einen ersten Gate-Anschluss 171, einen zweiten Gate-Anschluss 172, den ersten Detektionsanschluss 181 und den zweiten Detektionsanschluss 182 auf.
  • Wie in 3 dargestellt, weist der erste Eingangsanschluss 14 einen Abschnitt, der sich in die zweite Richtung y erstreckt und mit dem ersten Die-Pad 10A verbunden ist, auf. Dementsprechend ist der erste Eingangsanschluss 14 mit der zweiten Elektrode 212 des ersten Elements 21A über das erste Die-Pad 10A elektrisch verbunden. Der erste Eingangsanschluss 14 ist ein P-Anschluss (positive Elektrode), an den die für die Umwandlung bestimmte Gleichspannung (Gleichstromquelle) angelegt wird. Der erste Eingangsanschluss 14 hat einen abgedeckten Abschnitt 14A und einen freiliegenden Abschnitt 14B. Wie in 7 gezeigt, ist der abgedeckte Abschnitt 14A mit der dritten Endfläche 113 des ersten Die-Pads 10A verbunden und von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. In der ersten Richtung x gesehen, ist der abgedeckte Abschnitt 14A gebogen. Wie in 2 bis 5 dargestellt, ist der freiliegende Abschnitt 14B mit dem abgedeckten Abschnitt 14A verbunden und liegt an der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 frei. Der freiliegende Abschnitt 14B erstreckt sich von dem ersten Die-Pad 10A in der zweiten Richtung y weg. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 14B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 3 gezeigt, weist der Ausgangsanschluss 15 einen Abschnitt auf, der sich in der zweiten Richtung y erstreckt und mit dem zweiten Die-Pad 10B verbunden ist. Dementsprechend ist der Ausgangsanschluss 15 mit der zweiten Elektrode 212 des zweiten Elements 21B über das zweite Die-Pad 10B elektrisch verbunden. Die aus der Umwandlung durch das Halbleiterelement 21 resultierende Wechselstromleistung wird an dem Ausgangsanschluss 15 ausgegeben. Der Ausgangsanschluss 15 hat einen abgedeckten Abschnitt 15A und einen freiliegenden Abschnitt 15B. Der abgedeckte Abschnitt 15A ist mit der dritten Endfläche 113 des zweiten Die-Pad 10B verbunden und von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. In der ersten Richtung x gesehen, ist der abgedeckte Abschnitt 15A in der gleichen Weise gebogen wie der abgedeckte Abschnitt 14A des ersten Eingangsanschlusses 14. Wie in 2 bis 5 dargestellt, ist der freiliegende Abschnitt 15B mit dem abgedeckten Abschnitt 15A verbunden und liegt von der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 aus frei. Der freiliegende Abschnitt 15B erstreckt sich vom zweiten Die-Pad 10B in die zweite Richtung y. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 14B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 3 gezeigt, ist der zweite Eingangsanschluss 16 in der zweiten Richtung y von dem ersten Die-Pad 10A und dem zweiten Die-Pad 10B entfernt und in der ersten Richtung x zwischen dem ersten Eingangsanschluss 14 und dem Ausgangsanschluss 15 angeordnet. Der zweite Eingangsanschluss 16 erstreckt sich in die zweite Richtung y. Der zweite Eingangsanschluss 16 ist elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B verbunden. Der zweite Eingangsanschluss 16 ist ein N-Anschluss (negative Elektrode), an die die für die Umwandlung bestimmte Gleichspannung (Gleichstromquelle) angelegt wird. Der zweite Eingangsanschluss 16 hat einen abgedeckten Abschnitt 16A und einen freiliegenden Abschnitt 16B. Wie in 9 dargestellt, ist der abgedeckte Abschnitt 16A von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Wie in 2 bis 5 dargestellt, ist der freiliegende Abschnitt 16B mit dem abgedeckten Abschnitt 16A verbunden und liegt von der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 aus frei. Der freiliegende Abschnitt 16B erstreckt sich von dem ersten Die-Pad 10A und dem zweiten Die-Pad 10B in die zweite Richtung y. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 16B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 13 dargestellt, hat der abgedeckte Abschnitt 16A des zweiten Eingangsanschlusses 16 eine zweite Setzfläche 16C und eine zweite aufrechte Fläche 16D. Die zweite Setzfläche 16C weist in Dickenrichtung z auf dieselbe Seite wie die Vorderseite 101 des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B und ist in 13 unterhalb der oberen Fläche (d.h. der in 13 nach oben weisenden Fläche) des abgedeckten Abschnitts 16A angeordnet. Die zweite aufrechte Fläche 16D weist in eine Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z und ist mit der zweiten Setzfläche 16C und der oberen Fläche des abgedeckten Abschnitts 16A verbunden. Die zweite Setzfläche 16C und die zweite aufrechte Fläche 16D bilden eine Stufe in dem abgedeckten Abschnitt 16A des zweiten Eingangsanschlusses 16.
  • Wie in 3 gezeigt, ist der erste Gate-Anschluss 171 in der zweiten Richtung y von dem ersten Die-Pad 10A entfernt und in einer Richtung der ersten Richtung x positioniert. Wie in 3 gezeigt, ist der zweite Gate-Anschluss 172 in der zweiten Richtung y von dem zweiten Die-Pad 10B entfernt und in der anderen Richtung der ersten Richtung x positioniert. Der erste Gate-Anschluss 171 ist elektrisch mit der Gate-Elektrode 213 des ersten Elements 21A verbunden. Eine Gate-Spannung zur Ansteuerung des ersten Elements 21A wird an den ersten Gate-Anschluss 171 angelegt. Der zweite Gate-Anschluss 172 ist elektrisch mit der Gate-Elektrode 213 des zweiten Elements 21B verbunden. Eine Gate-Spannung zur Ansteuerung des zweiten Elements 21B wird an den zweiten Gate-Anschluss 172 angelegt.
  • Wie in 3 gezeigt, hat der erste Gate-Anschluss 171 einen abgedeckten Abschnitt 171A und einen freiliegenden Abschnitt 171B. Der abgedeckte Abschnitt 171A ist von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Wie in 2 bis 5 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 171B mit dem abgedeckten Abschnitt 171A verbunden und liegt von der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 aus frei. Der freiliegende Abschnitt 171B erstreckt sich vom ersten Die-Pad 10A in die zweite Richtung y. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 171B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 3 gezeigt, hat der zweite Gate-Anschluss 172 einen abgedeckten Abschnitt 172A und einen freiliegenden Abschnitt 172B. Der abgedeckte Abschnitt 172A ist von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Wie in den 2 bis 5 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 172B mit dem abgedeckten Abschnitt 172A verbunden und liegt von dem Versiegelungsharz 50 frei. Der freiliegende Abschnitt 172B erstreckt sich von dem zweiten Die-Pad 10B in die zweite Richtung y. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 172B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 3 gezeigt, ist der erste Detektionsanschluss 181 in der zweiten Richtung y von dem ersten Die-Pad 10A entfernt und in der ersten Richtung x zwischen dem ersten Eingangsanschluss 14 und dem ersten Gate-Anschluss 171 angeordnet. Wie in 3 gezeigt, ist der zweite Detektionsanschluss 182 in der zweiten Richtung y von dem zweiten Die-Pad 10B entfernt und in der ersten Richtung x zwischen dem Ausgangsanschluss 15 und dem zweiten Gate-Anschluss 172 angeordnet. Der erste Detektionsanschluss 181 ist elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A verbunden. Eine Spannung, die dem Strom entspricht, der durch die erste Elektrode 211 des ersten Elements 21A fließt, liegt an dem ersten Detektionsanschluss 181 an. Der zweite Detektionsanschluss 182 ist elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B verbunden. Eine Spannung, die dem Strom entspricht, der durch die erste Elektrode 211 des zweiten Elements 21B fließt, liegt an dem zweiten Detektionsanschluss 182 an.
  • Wie in 3 dargestellt, hat der erste Detektionsanschluss 181 einen abgedeckten Abschnitt 181A und einen freiliegenden Abschnitt 181B. Der abgedeckte Abschnitt 181A ist von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Wie in den 2 bis 5 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 181B mit dem abgedeckten Abschnitt 181A verbunden liegt an der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 frei. Der freiliegende Abschnitt 181B erstreckt sich vom ersten Die-Pad 10A in die zweite Richtung y. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 181B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 3 gezeigt, hat der zweite Detektionsanschluss 182 einen abgedeckten Abschnitt 182A und einen freiliegenden Abschnitt 182B. Der abgedeckte Abschnitt 182A ist von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt. Wie in 2 bis 5 gezeigt, ist der freiliegende Abschnitt 182B mit dem abgedeckten Abschnitt 182A verbunden und liegt von der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 aus frei. Der freiliegende Abschnitt 182B erstreckt sich von dem zweiten Die-Pad 10B in die zweite Richtung y. Die Oberfläche des freiliegenden Abschnitts 182B ist z. B. mit Zinn beschichtet.
  • Wie in 5 gezeigt, haben bei dem Halbleiterbauelement A10 der freiliegende Abschnitt 14B des ersten Eingangsanschlusses 14, der freiliegende Abschnitt 15B des Ausgangsanschlusses 15 und der freiliegende Abschnitt 16B des zweiten Eingangsanschlusses 16 die gleiche Höhe h. Diese freiliegenden Abschnitte haben ferner die gleiche Dicke. In der ersten Richtung x gesehen, überlappt also mindestens ein Abschnitt (freiliegender Abschnitt 16B) des zweiten Eingangsanschlusses 16 mit dem ersten Eingangsanschluss 14 und dem Ausgangsanschluss 15 (siehe 6).
  • Wie in 3 dargestellt, ist das erste leitende Element 31 mit der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A und dem zweiten Die-Pad 10B gebondet. Folglich ist die erste Elektrode 211 des ersten Elements 21A elektrisch mit dem zweiten Die-Pad 10B und der zweiten Elektrode 212 des zweiten Elements 21B verbunden. Das erste leitende Element 31 enthält in seiner Zusammensetzung Kupfer. Bei dem Halbleiterbauelement A10 ist das erste leitende Element 31 eine Metallklammer. Das erste leitende Element 31 hat einen Körper 311, ein Paar erste Bonding-Abschnitte 312 und einen zweiten Bonding-Abschnitt 313.
  • Wie in 3 dargestellt, bildet der Körper 311 einen Hauptteil des ersten leitenden Elements 31. Der Körper 311 erstreckt sich in der ersten Richtung x. Wie in 8 dargestellt, erstreckt sich der Körper 311 über das erste Die-Pad 10A und das zweite Die-Pad 10B.
  • Wie in 3 und 10 gezeigt, ist das Paar der ersten Bonding-Abschnitte 312 mit der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A gebondet. Wie in 3 und 7 gezeigt, sind die beiden ersten Bonding-Abschnitte 312 in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Das Paar der ersten Bonding-Abschnitte 312 ist mit dem Körper 311 verbunden.
  • Wie in den 3 und 12 gezeigt, ist der zweite Bonding-Abschnitt 313 mit der ersten Setzfläche 103 des zweiten Die-Pads 10B gebondet. Der zweite Bonding-Abschnitt 313 erstreckt sich in die zweite Richtung y. Mindestens ein Teil des zweiten Bonding-Abschnitts 313 ist in dem Bereich untergebracht, der durch die erste Setzfläche 103 und die erste aufrechte Fläche 104 des zweiten Die-Pads 10B definiert ist. Der zweite Bonding-Abschnitt 313 ist mit dem Körper 311 verbunden. Der zweite Bonding-Abschnitt 313 ist gegenüber dem Paar der ersten Bonding-Abschnitte 312 angeordnet, wobei der Körper 311 dazwischen liegt.
  • Wie in 8 und 10 dargestellt, enthält das Halbleiterbauelement A10 außerdem eine erste Bonding-Schicht 33. Die erste Bonding-Schicht 33 befindet sich zwischen der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A und dem Paar erster Bonding-Abschnitte 312. Die erste Bonding-Schicht 33 bondet die erste Elektrode 211 des ersten Elements 21A und das Paar der ersten Bonding-Abschnitt 312 miteinander. Die erste Bonding-Schicht 33 ist elektrisch leitend. Die erste Bonding-Schicht 33 ist beispielsweise Lot. Alternativ kann die erste Bonding-Schicht 33 auch ein Sintermetall sein.
  • Die Dicke t jedes der beiden ersten Bonding-Abschnitte 312 beträgt mindestens 0,1 mm und ist nicht größer als das Doppelte der maximalen Dicke Tmax der ersten Bonding-Schicht 33. Die maximale Dicke Tmax der ersten Bonding-Schicht 33 ist größer als die Dicke des ersten Elements 21A.
  • Wie in 8 und 12 dargestellt, weist das Halbleiterbauelement A10 ferner eine zweite Bonding-Schicht 34 auf. Die zweite Bonding-Schicht 34 befindet sich zwischen der ersten Setzfläche 103 des zweiten Die-Pads 10B und dem zweiten Bonding-Abschnitt 313. Die zweite Bonding-Schicht 34 verbindet das zweite Die-Pad 10B und den zweiten Bonding-Abschnitt 313. Die zweite Bonding-Schicht 34 ist elektrisch leitend. Die zweite Bonding-Schicht 34 ist beispielsweise Lot. Alternativ kann die zweite Bonding-Schicht 34 auch ein Sintermetall sein.
  • Wie in 3 gezeigt, ist das zweite leitende Element 32 mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B und dem abgedeckten Abschnitt 16A des zweiten Eingangsanschlusses 16 gebondet. Folglich ist die erste Elektrode 211 des zweiten Elements 21B elektrisch mit dem zweiten Eingangsanschluss 16 verbunden. Das zweite leitende Element 32 enthält in seiner Zusammensetzung Kupfer. Bei dem Halbleiterbauelement A10 ist das zweite leitende Element 32 eine Metallklammer. Das zweite leitende Element 32 hat einen Körper 321, ein Paar dritte Bonding-Abschnitte 322 und einen vierten Bonding-Abschnitt 323.
  • Wie in 3 dargestellt, bildet der Körper 321 einen Hauptteil des zweiten leitenden Elements 32. In der Dickenrichtung z betrachtet, ist der Körper 321 hakenförmig gebogen. In der Dickenrichtung z gesehen, überlappt der Körper 321 mit der Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B.
  • Wie in 3 und 11 gezeigt, ist das Paar der dritten Bonding-Abschnitte 322 mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B gebondet. Wie in 3 und 9 gezeigt, sind die beiden dritten Bonding-Abschnitte 322 in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Die beiden dritten Bonding-Abschnitte 322 sind mit dem Körper 321 verbunden.
  • Wie in 3 und 13 gezeigt, ist der vierte Bonding-Abschnitt 323 mit der zweiten Setzfläche 16C des zweiten Eingangsanschlusses 16 verbunden. Der vierte Bonding-Abschnitt 323 erstreckt sich in der ersten Richtung x. Mindestens ein Teil des vierten Bonding-Abschnitts 323 ist in dem Bereich untergebracht, der durch die zweite Setzfläche 16C und die zweite aufrechte Fläche 16D des zweiten Eingangsanschlusses 16 definiert ist. Der vierte Bonding-Abschnitt 323 ist mit dem Körper 321 verbunden. Der vierte Bonding-Abschnitt 323 ist gegenüber den beiden dritten Bonding-Abschnitten 322 angeordnet, wobei der Körper 321 dazwischen liegt.
  • Wie in 8 und 11 dargestellt, weist das Halbleiterbauelement A10 außerdem eine dritte Bonding-Schicht 35 auf. Die dritte Bonding-Schicht 35 befindet sich zwischen der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B und den beiden dritten Bonding-Abschnitten 322. Die dritte Bonding-Schicht 35 verbindet (bondet) die erste Elektrode 211 des zweiten Elements 21B und die beiden dritten Bonding-Abschnitte 322. Die dritte Bonding-Schicht 35 ist elektrisch leitend. Die dritte Bonding-Schicht 35 ist beispielsweise Lot. Alternativ kann die dritte Bonding-Schicht 35 auch ein Sintermetall sein.
  • Die Dicke t jedes der beiden dritten Bonding-Abschnitte 322 beträgt mindestens 0,1 mm und ist nicht größer als das Doppelte der maximalen Dicke Tmax der dritten Bonding-Schicht 35. Die maximale Dicke Tmax der dritten Bonding-Schicht 35 ist größer als die Dicke des zweiten Elements 21B.
  • Wie in 8 und 13 gezeigt, weist das Halbleiterbauelement A10 ferner eine vierte Bonding-Schicht 36 auf. Die vierte Bonding-Schicht 36 befindet sich zwischen der zweiten Setzfläche 16C des zweiten Eingangsanschlusses 16 und dem vierten Bonding-Abschnitt 323. Die vierte Bonding-Schicht 36 verbindet (bondet) den abgedeckten Abschnitt 16A des zweiten Eingangsanschlusses 16 und den vierten Bonding-Abschnitt 323. Die vierte Bonding-Schicht 36 ist elektrisch leitend. Die vierte Bonding-Schicht 36 ist beispielsweise Lot. Alternativ kann die vierte Bonding-Schicht 36 auch ein Sintermetall sein.
  • Wie in 3 gezeigt, ist einer der beiden Gate-Drähte 41 mit der Gate-Elektrode 213 des ersten Elements 21A und dem abgedeckten Abschnitt 171A des ersten Gate-Anschlusses 171 verbunden, und der andere ist mit der Gate-Elektrode 213 des zweiten Elements 21B und dem abgedeckten Abschnitt 172A des zweiten Gate-Anschlusses 172 verbunden. Folglich ist der erste Gate-Anschluss 171 elektrisch mit der Gate-Elektrode 213 des ersten Elements 21A verbunden. Der zweite Gate-Anschluss 172 ist elektrisch mit der Gate-Elektrode 213 des zweiten Elements 21B verbunden. Die beiden Gate-Drähte 41 enthalten in ihrer Zusammensetzung Gold. Alternativ können die beiden Gate-Drähte 41 auch Kupfer oder Aluminium (Al) enthalten.
  • Wie in 3 gezeigt, ist einer der beiden Detektionsdrähte 42 mit der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A und dem abgedeckten Abschnitt 181A des ersten Detektionsanschluss 181 gebondet, und der andere ist mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B und dem abgedeckten Teil 182A des zweiten Erfassungsanschlusses 182 verbunden. Folglich ist der erste Detektionsanschluss 181 elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A verbunden. Der zweite Detektionsanschluss 182 ist elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B verbunden. Die beiden Detektionsdrähte 42 enthalten in ihrer Zusammensetzung Gold. Alternativ können die beiden Detektionsdrähte 42 auch Kupfer oder Aluminium (Al) enthalten.
  • Als Nächstes wird ein Halbleiterbauelement A11, das eine Variante des Halbleiterbauelements A10 ist, unter Bezugnahme auf 18 und 19 beschrieben. In 18 und 19 ist das Versiegelungsharz 50 zum besseren Verständnis transparent dargestellt und durch eine imaginäre Linie angedeutet.
  • Wie in 18 gezeigt, hat das erste Die-Pad 10A des Halbleiterbauelements A11 einen Traufabschnitt 105. Der Traufabschnitt 105 steht von der zweiten Endfläche 112 in der zweiten Richtung y hervor. Der Traufabschnitt 105 weist zwei Bereiche auf, die in der ersten Richtung x voneinander beabstandet sind. Außerdem beinhaltet der Traufabschnitt 105 die Vorderseite 101. Wie in 19 dargestellt, ist der Traufabschnitt 105 in Dickenrichtung z von der Rückseite 102 entfernt angeordnet. Der Traufabschnitt 105 ist so beschaffen, dass er verhindert, dass das erste Die-Pad 10A von der unteren Fläche 52 des Versiegelungsharzes 50 herunterfällt. Der Traufabschnitt 105 ist nicht auf die obige Konfiguration beschränkt und kann so konfiguriert sein, dass er von mindestens einer der ersten Endfläche 111, der dritten Endfläche 113 und der vierten Endfläche 114 in einer Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z vorsteht. Darüber hinaus kann auch für das zweite Die-Pad 10B eine ähnliche Konfiguration mit einem Traufabschnitt 105 vorgesehen sein.
  • Im Folgenden werden die Vorteile des Halbleiterbauelements A10 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauelement A10 weist das erste Die-Pad 10A und das zweite Die-Pad 10B, die in der ersten Richtung x voneinander beabstandet sind, und das Versiegelungsharz 50 auf, das zumindest einen Teil des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B bedeckt. Das erste Die-Pad 10A hat eine erste Endfläche 111, eine zweite Endfläche 112 und eine erste Eckendfläche 121. Die erste Eckendfläche 121 ist eine ebene Fläche, die von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der ersten Endfläche 111 und der zweiten Endfläche 112 geneigt ist. Entweder der erste Neigungswinkel α1 der ersten Eckendfläche 121 relativ zu der ersten Endfläche 111, der in 14 dargestellt ist, oder der zweite Neigungswinkel α2 der ersten Eckendfläche 121 relativ zu der zweiten Endfläche 112, der ebenfalls in 14 dargestellt ist, liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich). Bei dieser Konfiguration ist die thermische Belastung des Versiegelungsharzes 50 an der Schnittstelle mit der ersten Eckendfläche 121 geringer als in dem Fall, in dem der erste Neigungswinkel a1 und der zweite Neigungswinkel α2 jeweils 45° betragen. Infolgedessen wird die thermische Belastung an der Schnittstelle reduziert. Dadurch kann die thermische Belastung des Versiegelungsharzes 50 im Bereich der Grenze zwischen der ersten Seitenfläche 53 und der zweiten Seitenfläche 54 verringert werden. Dementsprechend kann das Halbleiterbauelement A10 die thermische Spannungskonzentration in dem Versiegelungsharz 50 reduzieren.
  • Die maximale Länge (längste Normale Nmax in 14) der Normalen der ersten Eckendfläche 121, die sich von der ersten Eckendfläche 121 zu der ersten Seitenfläche 53 des Versiegelungsharzes 50 erstreckt, dient als Parameter für die Größe der thermischen Belastung des Versiegelungsharzes 50 an der Schnittstelle zu der ersten Eckendfläche 121. Wenn in 14 die längste Normale Nmax das 1,0- bis 1,5-fache der Schnittlinie C zwischen der ersten Eckendfläche 121 und der virtuellen Ebene, die durch die erste Richtung x und die zweite Richtung y als Richtungen der Ebene definiert ist, ist eine thermische Belastung des Versiegelungsharzes 50 an der Schnittstelle mit der ersten Eckendfläche 121 relativ gering.
  • Das erste Die-Pad 10A hat außerdem die dritte Endfläche 113 und die zweite Eckendfläche 122. Die zweite Eckendfläche 122 ist eine ebene Fläche, die mit dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der ersten Endfläche 111 und der dritten Endfläche 113 geneigt ist. Entweder der dritte Neigungswinkel α3 der zweiten Eckendfläche 122 relativ zu der ersten Endfläche 111, der in 15 dargestellt ist, oder der vierte Neigungswinkel α4 der zweiten Eckendfläche 122 relativ zu der dritten Endfläche 113, der ebenfalls in 15 dargestellt ist, liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich). Auf diese Weise wird, wie bei dem oben beschriebenen Vorteil der ersten Eckendfläche 121, die thermische Belastung des Versiegelungsharzes 50 an der Schnittstelle mit der zweiten Eckendfläche 122 reduziert, was zu einer Verringerung der thermischen Spannung an der Schnittstelle führt. Dadurch kann die thermische Belastung des Versiegelungsharzes 50 im Bereich der Grenze zwischen der ersten Seitenfläche 53 und der dritten Seitenfläche 55 verringert werden. Dementsprechend kann die thermische Spannungskonzentration des Versiegelungsharzes 50 effektiver gemildert werden.
  • Das erste Die-Pad 10A hat außerdem die dritte Eckendfläche 123 und die vierte Eckendfläche 124. Die dritte Eckendfläche 123 ist eine ebene Fläche, die mit dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der zweiten Endfläche 112 und der vierten Endfläche 114 geneigt ist. Die vierte Eckendfläche 124 ist eine ebene Fläche, die mit dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der dritten Endfläche 113 und der vierten Endfläche 114 geneigt ist. Auf diese Weise wird, wie bei dem oben beschriebenen Vorteil der ersten Eckendfläche 121, die thermische Belastung des Versiegelungsharzes 50 an der Schnittstelle mit der dritten Eckendfläche 123 und an der Schnittstelle mit der vierten Eckendfläche 124 reduziert, was zu einer Verringerung der thermischen Spannung an der Schnittstelle führt. Dadurch lässt sich die thermische Spannung des Versiegelungsharzeses 50 im Bereich zwischen dem ersten Die-Pad 10A und dem zweiten Die-Pad 10B verringern.
  • Der Abstand P2 zwischen der dritten Endfläche 113 und der dritten Seitenfläche 55 des Versiegelungsharzes 50 ist größer als der Abstand P1 zwischen der zweiten Endfläche 112 und der zweiten Seitenfläche 54 des Versiegelungsharzes 50. Auf diese Weise kann ein Abschnitt jedes Anschlussleiters 13 von dem Versiegelungsharz 50 mit einem Rand umschlossen werden.
  • Das Versiegelungsharz 50 weist eine Vielzahl von Aussparungen 56 auf, die von der dritten Seitenfläche 55 in der zweiten Richtung y zurückgesetzt sind. Diese Konfiguration gewährleistet eine längere Kriechstrecke des Versiegelungsharzes 50 zwischen zwei beliebigen Anschlussleitern 13 (mit Ausnahme des ersten Gate-Anschlusses 171, des ersten Detektionsanschlusses 181, des zweiten Gate-Anschlusses 172 und des zweiten Detektionsanschlusses 182). Dadurch kann die Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauelements A10 verbessert werden.
  • Das Versiegelungsharz 50 hat eine Nut 57, die von der Bodenfläche 52 zurückgesetzt ist und die die Rückseite 102 des ersten Die-Pads 10A und die Rückseite 102 des zweiten Die-Pads 10B in Dickenrichtung z betrachtet teilt. Diese Konfiguration gewährleistet eine längere Kriechstrecke des Versiegelungsharzes 50 zwischen dem ersten Die-Pad 10A und dem zweiten Die-Pad 10B. Dadurch wird die Durchschlagsfestigkeit des Halbleiterbauelements A10 weiter verbessert. Außerdem kann die thermische Belastung des Versiegelungsharz 50 in der ersten Richtung x gestreut werden. Dadurch wird die Konzentration der thermischen Belastung auf das Paar der ersten Seitenflächen 53 des Versiegelungsharzes 50 gemildert.
  • Mindestens einer der Anschlussleiter 13 ist mit der dritten Endfläche 113 des ersten Die-Pads 10A verbunden. Auf diese Weise kann das erste Die-Pad 10A als leitendes Element verwendet werden, während sich eine Abmessung des Halbleiterbauelements A10 nicht vergrößert.
  • Die Rückseiten 102 des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B liegen von dem Versiegelungsharz 50 frei. Dadurch wird die Wärmeableitung des Halbleiterbauelements A10 verbessert.
  • Sowohl das erste leitende Element 31 als auch das zweite leitende Element 32 enthalten in ihrer Zusammensetzung Kupfer. Dadurch verringert sich der elektrische Widerstand des ersten leitenden Elements 31 und des zweiten leitenden Elements 32 im Vergleich zu einem Draht, der in seiner Zusammensetzung Aluminium enthält. Dies ist geeignet, um einen größeren Strom durch das Halbleiterelement 21 zu führen.
  • Im Folgenden wird ein Halbleiterbauelement A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 20 bis 22 beschrieben. In diesen Figuren sind Elemente, die mit denen des Halbleiterbauelements A10 identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, und eine Beschreibung dieser Elemente wird weggelassen. In 20 ist das Versiegelungsharz 50 zum besseren Verständnis transparent dargestellt und durch eine imaginäre Linie angedeutet.
  • Das Halbleiterbauelement A20 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauelement A10 dadurch, dass bei den Konfigurationen des ersten leitenden Elements 31 und des zweiten leitenden Elements 32 zusätzlich ein Schutzelement 22 vorgesehen ist.
  • Wie in 20 dargestellt, weist das Schutzelement 22 eine erste Diode 22A und eine zweite Diode 22B auf. Die erste Diode 22A ist auf der Vorderseite 101 des ersten Die-Pads 10A angebracht. Die zweite Diode 22B ist auf der Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B angebracht. Das Schutzelement 22 ist z. B. eine Schottky-Diode. Die erste Diode 22A ist parallel zu dem ersten Element 21A geschaltet. Die zweite Diode 22B ist parallel zu dem zweiten Element 21B geschaltet. Bei dem Schutzelement 22 handelt es sich um eine so genannte Freilaufdiode, die einen Stromfluss durch das Schutzelement 22 anstelle des Halbleiterelements 21 ermöglicht, wenn eine Sperrspannung (engl.: reverse bias) an dem Halbleiterelement 21 anliegt. Wie in den 21 und 22 dargestellt, weist das Schutzelement 22 eine obere Elektrode 221 und eine untere Elektrode 222 auf.
  • Wie in 21 und 22 gezeigt, ist die obere Elektrode 221 auf der Seite in Dickenrichtung z vorgesehen, in der die Vorderseiten 101 des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B weisen. Die obere Elektrode 221 entspricht einer Anodenelektrode.
  • Wie in den 21 und 22 dargestellt, ist die untere Elektrode 222 in der Dickenrichtung z der oberen Elektrode 221 gegenüberliegend angeordnet. Die untere Elektrode 222 entspricht einer Kathodenelektrode. Wie in 21 gezeigt, ist die untere Elektrode 222 der ersten Diode 22A über die Die-Bonding-Schicht 23 mit der Vorderseite 101 des ersten Die-Pads 10A verbunden. Dadurch ist die untere Elektrode 222 der ersten Diode 22A mit der zweiten Elektrode 212 des ersten Elements 21A über das erste Die-Pad 10A elektrisch verbunden. Wie in 22 gezeigt, ist die untere Elektrode 222 der zweiten Diode 22B über die Die-Bonding-Schicht 23 mit der Vorderseite 101 des zweiten Die-Pads 10B verbunden. Folglich ist die untere Elektrode 222 der zweiten Diode 22B über das zweite Die-Pad 10B elektrisch mit der zweiten Elektrode 212 des zweiten Elements 21B verbunden.
  • Wie in den 20 und 21 dargestellt, ist einer der beiden ersten Bonding-Abschnitte 312 des ersten leitenden Elements 31 über die erste Bonding-Schicht 33 mit der oberen Elektrode 221 der ersten Diode 22A gebondet. Folglich ist die obere Elektrode 221 der ersten Diode 22A über das erste leitende Element 31 elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des ersten Elements 21A verbunden.
  • Wie in den 20 und 22 gezeigt, ist einer der beiden dritten Bonding-Abschnitte 322 des zweiten leitenden Elements 32 über die dritte Bonding-Schicht 35 mit der oberen Elektrode 221 der zweiten Diode 22B gebondet. Folglich ist die obere Elektrode 221 der zweiten Diode 22B über das zweite leitende Element 32 elektrisch mit der ersten Elektrode 211 des zweiten Elements 21B verbunden.
  • Im Folgenden werden die Vorteile des Halbleiterbauelements A20 beschrieben.
  • Das Halbleiterbauelement A20 weist das erste Die-Pad 10A und das zweite Die-Pad 10B, die in der ersten Richtung x voneinander beabstandet sind, und das Versiegelungsharz 50 auf, das zumindest einen Teil des ersten Die-Pads 10A und des zweiten Die-Pads 10B bedeckt. Das erste Die-Pad 10A hat eine erste Endfläche 111, eine zweite Endfläche 112 und eine erste Eckendfläche 121. Die erste Eckendfläche 121 ist eine ebene Fläche, die von dem Versiegelungsharz 50 bedeckt ist und gegenüber der ersten Endfläche 111 und der zweiten Endfläche 112 geneigt ist. Entweder der erste Neigungswinkel α1 der ersten Eckendfläche 121 relativ zu der ersten Endfläche 111, der in 14 dargestellt ist, oder der zweite Neigungswinkel α2 der ersten Eckendfläche 121 relativ zu der zweiten Endfläche 112, der ebenfalls in 14 dargestellt ist, liegt im Bereich von 60° bis 85° (beide einschließlich). Dementsprechend kann das Halbleiterbauelement A20 auch die thermische Spannungskonzentration in dem Versiegelungsharz 50 reduzieren. Darüber hinaus weist das Halbleiterelement A20 eine ähnliche Konfiguration wie das Halbleiterbauelement A10 auf, wobei das Halbleiterbauelement A20 aufgrund der beschriebenen Konfiguration weitere Vorteile aufweist.
  • Das Halbleiterbauelement A20 weist zusätzlich das Schutzelement 22 auf. Selbst wenn ein größerer Strom durch das Halbleiterbauelement A20 fließt, ist das Halbleiterelement 21 entsprechend vor einer Sperrspannung (engl.: reverse bias) geschützt.
  • Die vorliegende Offenlegung ist nicht auf die obigen Ausführungen beschränkt. Von den spezifischen Konfigurationen der Elemente in der vorliegenden Offenlegung können verschiedene Konstruktionsänderungen abgeleitet werden.
  • Die vorliegende Offenbarung weist ferner die in den folgenden Abschnitten beschriebenen Ausführungsformen auf.
  • Variante 1
  • Halbleiterbauelement, aufweisend:
    • ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad, die in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung voneinander beabstandet sind;
    • ein Halbleiterelement, das auf mindestens dem ersten Die-Pad oder dem zweiten Die-Pad montiert ist; und
    • ein Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und mindestens einen Teil sowohl des ersten Die-Pads als auch des zweiten Die-Pads bedeckt,
    • wobei eine Abmessung des Versiegelungsharzes in der ersten Richtung länger ist als eine Abmessung des Versiegelungsharzes in einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung und senkrecht zu der ersten Richtung verläuft,
    • wobei das erste Die-Pad eine erste Endfläche, die in die erste Richtung weist, eine zweite Endfläche, die in die zweite Richtung weist, und eine erste Eckendfläche aufweist, die zwischen der ersten Endfläche und der zweiten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads angeordnet ist,
    • wobei die erste Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die von dem Versiegelungsharz bedeckt ist und die relativ zu der ersten Endfläche und zu der zweiten Endfläche geneigt ist, und
    • wobei ein erster Neigungswinkel der ersten Eckendfläche in Bezug auf die erste Endfläche oder ein zweiter Neigungswinkel der ersten Eckendfläche in Bezug auf die zweite Endfläche im Bereich von jeweils einschließlich 60° bis 85° liegt.
  • Variante 2
  • Das Halbleiterbauelement nach Klausel 1, wobei die erste Endfläche und die zweite Endfläche von dem Versiegelungsharz bedeckt sind.
  • Variante 3
  • Halbleiterbauelement nach Variante 2, wobei das Versiegelungsharz eine erste Seitenfläche aufweist, die in die erste Richtung weist, und
    wobei die erste Endfläche sich am nächsten an der ersten Seitenfläche befindet.
  • Variante 4
  • Halbleiterbauelement nach Variante 3, wobei eine maximale Länge einer Normalen der ersten Eckendfläche, die sich von der ersten Eckendfläche zu der ersten Seitenfläche erstreckt, 1,0-bis 1,5-mal größer ist als eine Länge einer Schnittlinie zwischen der ersten Eckendfläche und einer virtuellen Ebene, die durch die erste Richtung und die zweite Richtung als Richtungen der Ebene definiert ist.
  • Variante 5
  • Halbleiterbauelement nach Variante 3 oder 4, wobei sowohl das erste Die-Pad als auch das zweite Die-Pad eine Rückseite aufweist, die von der Stelle abgewandt ist, an der sich das Halbleiterelement in der Dickenrichtung befindet, und
    wobei die Rückseite von dem Versiegelungsharz frei liegt.
  • Variante 6
  • Halbleiterbauelement nach Variante 5, ferner aufweisend: eine Vielzahl von Anschlussleitern, die in Bezug auf das erste Die-Pad und das zweite Die-Pad auf einer Seite der zweiten Richtung angeordnet sind, die eine entgegengesetzte Seite der zweiten Richtung ist, in die die zweite Endfläche weist,
    wobei mindestens einer der Anschlussleiter elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden ist, und
    wobei ein Abschnitt jedes Anschlussleiters von dem Versiegelungsharz bedeckt ist.
  • Variante 7
  • Halbleiterbauelement nach Variante 6, wobei die Vielzahl von Anschlussleitern in der ersten Richtung angeordnet sind.
  • Variante 8
  • Halbleiterbauelement nach Variante 6 oder 7, wobei das erste Die-Pad eine dritte Endfläche aufweist, die von der zweiten Endfläche in der zweiten Richtung abgewandt ist, und eine zweite Eckendfläche, die zwischen der ersten Endfläche und der dritten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt,
    wobei die dritte Endfläche und die zweite Eckendfläche von dem Versiegelungsharz bedeckt sind,
    wobei die zweite Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die relativ zu der ersten Endfläche und zu der dritten Endfläche geneigt ist, und
    wobei ein dritter Neigungswinkel der zweiten Eckendfläche in Bezug auf die erste Endfläche oder ein vierter Neigungswinkel der zweiten Eckendfläche in Bezug auf die dritte Endfläche im Bereich von jeweils einschließlich 60° bis 85° liegt.
  • Variante 9
  • Halbleiterbauelement nach Variante 8, wobei das erste Die-Pad eine vierte Endfläche aufweist, die von der ersten Endfläche in der ersten Richtung abgewandt ist, und eine dritte Eckendfläche, die zwischen der zweiten Endfläche und der vierten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt,
    wobei die vierte Endfläche und die dritte Eckendfläche von dem Versiegelungsharz bedeckt sind, und
    wobei die dritte Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die relativ zu der zweiten Endfläche und der vierten Endfläche geneigt ist.
  • Variante 10
  • Halbleiterbauelement nach Variante 9, wobei das erste Die-Pad eine vierte Eckendfläche aufweist, die zwischen der dritten Endfläche und der vierten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt, und
    wobei die vierte Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die von dem Versiegelungsharz bedeckt ist und relativ zu der dritten Endfläche und der vierten Endfläche geneigt ist.
  • Variante 11
  • Halbleiterbauelement nach einem der Variante 8 bis 10, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Seitenfläche und eine dritte Seitenfläche aufweist, die in der zweiten Richtung voneinander abgewandt sind, und
    wobei die zweite Endfläche sich am nächsten an der zweiten Seitenfläche befindet.
  • Variante 12
  • Halbleiterbauelement nach Variante 11, wobei ein Abstand zwischen der dritten Endfläche und der dritten Seitenfläche größer ist als ein Abstand zwischen der zweiten Endfläche und der zweiten Seitenfläche.
  • Variante 13
  • Halbleiterbauelement nach Variante 12, wobei die mehreren Anschlussleiter von der dritten Seitenfläche aus freiliegen.
  • Variante 14
  • Halbleiterbauelement nach Variante 13, wobei einer der mehreren Anschlussleiter mit der dritten Endfläche des ersten Die-Pads verbunden ist.
  • Variante 15
  • Halbleiterbauelement nach einem der Varianten 12 bis 14, wobei das Halbleiterelement ein erstes Element und ein zweites Element aufweist,
    wobei das erste Element auf dem ersten Die-Pad montiert ist, und
    wobei das zweite Element auf dem zweiten Die-Pad montiert ist.
  • Variante 16
  • Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei das erste Element elektrisch mit dem ersten Die-Pad verbunden ist, und
    wobei das zweite Element elektrisch mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist.
  • Variante 17.
  • Halbleiterbauelement nach Variante 6, ferner aufweisend:
    • ein erstes leitendes Element, das mit dem ersten Element und der zweiten Die-Pad gebondet ist; und
    • ein zweites leitendes Element, das mit dem zweiten Die-Pad und einer der mehreren Anschlussleiter gebondet ist,
    • wobei das erste leitende Element und das zweite leitende Element von dem Versiegelungsharz bedeckt sind.
  • BEZUGSZEICHEN
  • A10, A20: Halbleiterbauelement 10A: Erstes Die-Pad 10B: Zweites Die-Pad 101: Vorderseite 102: Rückseite 103: Erste Setzfläche 104: Erste aufrechte Fläche 105: Traufabschnitt 111: Erste Endfläche 112: Zweite Endfläche 113: Dritte Endfläche 114: Vierte Endfläche 121: Erste Eckendfläche 122: Zweite Eckendfläche 123: Dritte Eckendfläche 124: Vierte Eckendfläche 13: Anschlussleiter 14: Erster Eingangsanschluss 14A: Abgedeckter Abschnitt 14B: Freiliegender Abschnitt 15: Ausgangsanschluss 15A: Abgedeckter Abschnitt 15B: Freiliegender Abschnitt 16: Zweiter Eingangsanschluss 16A: Abgedeckter Abschnitt 16B: Freiliegender Abschnitt 16C: Zweite Setzfläche 16D: Zweite aufrechte Fläche 171: Erster Gate-Anschluss 171A: Abgedeckter Abschnitt 171B: Freiliegender Abschnitt 172: Zweiter Gate-Anschluss 172A: Abgedeckter Abschnitt 172B: Freiliegender Abschnitt 181: Erster Detektionsanschluss 181A: Abgedeckter Abschnitt 181B: Freiliegender Abschnitt 182: Zweiter Detektionsanschluss 182A: Abgedeckter Abschnitt 182B: Freiliegender Abschnitt 21: Halbleiterelement 21A: Erstes Element 21B: Zweites Element 211: Erste Elektrode 212: Zweite Elektrode 213: Gate-Elektrode 22: Schutzelement 22A: Erste Diode 22B: Zweite Diode 221: Obere Elektrode 222: Untere Elektrode 23: Die-Bonding-Schicht 31: Erstes leitendes Element 311: Körper 312: Erster Bonding-Abschnitt 313: Zweiter Bonding-Abschnitt 32: Zweites leitendes Element 321: Körper 322: Dritter Bonding-Abschnitt 323: Vierter Bonding-Abschnitt 33: Erste Bonding-Schicht 34: Zweite Bonding-Schicht 35: Dritte Bonding-Schicht 36: Vierte Bonding-Schicht 41: Gate-Draht 42: Detektionsdraht 50: Versiegelungsharz 51: Obere Fläche 52: Untere Fläche 53: Erste Seitenfläche 54: Zweite Seitenfläche 55: Dritte Seitenfläche 56: Aussparung 57: Nut
    L1, L2: Abmessung α1-α8: Erster bis achter Neigungswinkel P1, P2: Abstand z: Dickenrichtung
    x: Erste Richtung y: Zweite Richtung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2018014490 A [0004]

Claims (17)

  1. Halbleiterbauelement, aufweisend: ein erstes Die-Pad und ein zweites Die-Pad, die in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung voneinander beabstandet sind; ein Halbleiterelement, das auf mindestens dem ersten Die-Pad oder dem zweiten Die-Pad montiert ist; und ein Versiegelungsharz, das das Halbleiterelement und mindestens einen Teil sowohl des ersten Die-Pads als auch des zweiten Die-Pads bedeckt, wobei eine Abmessung des Versiegelungsharzes in der ersten Richtung länger ist als eine Abmessung des Versiegelungsharzes in einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung und senkrecht zu der ersten Richtung verläuft, wobei das erste Die-Pad eine erste Endfläche, die in die erste Richtung weist, eine zweite Endfläche, die in die zweite Richtung weist, und eine erste Eckendfläche aufweist, die zwischen der ersten Endfläche und der zweiten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads angeordnet ist, wobei die erste Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die von dem Versiegelungsharz bedeckt ist und die relativ zu der ersten Endfläche und zu der zweiten Endfläche geneigt ist, und wobei ein erster Neigungswinkel der ersten Eckendfläche in Bezug auf die erste Endfläche oder ein zweiter Neigungswinkel der ersten Eckendfläche in Bezug auf die zweite Endfläche in einem Bereich von jeweils einschließlich 60° bis 85° liegt.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Endfläche und die zweite Endfläche von dem Versiegelungsharz bedeckt sind.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei das Versiegelungsharz eine erste Seitenfläche aufweist, die in die erste Richtung weist, und wobei die erste Endfläche sich am nächsten an der ersten Seitenfläche befindet.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, wobei eine maximale Länge einer Normalen der ersten Eckendfläche, die sich von der ersten Eckendfläche zu der ersten Seitenfläche erstreckt, 1,0-bis 1,5-mal größer ist als eine Länge einer Schnittlinie zwischen der ersten Eckendfläche und einer virtuellen Ebene, die durch die erste Richtung und die zweite Richtung als Richtungen der Ebene definiert ist.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3 oder 4, wobei sowohl das erste Die-Pad als auch das zweite Die-Pad eine Rückseite aufweist, die von der Stelle abgewandt ist, an der sich das Halbleiterelement in der Dickenrichtung befindet, und wobei die Rückseite von dem Versiegelungsharz freiliegt.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, ferner aufweisend: eine Vielzahl von Anschlussleitern, die in Bezug auf das erste Die-Pad und das zweite Die-Pad auf einer Seite der zweiten Richtung angeordnet sind, die eine entgegengesetzte Seite der zweiten Richtung ist, in die die zweite Endfläche weist, wobei mindestens einer der Anschlussleiter elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden ist, und wobei ein Abschnitt jedes Anschlussleiters von dem Versiegelungsharz bedeckt ist.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, wobei die Vielzahl von Anschlussleitern in der ersten Richtung angeordnet sind.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6 oder 7, wobei das erste Die-Pad eine dritte Endfläche aufweist, die von der zweiten Endfläche in der zweiten Richtung abgewandt ist, und eine zweite Eckendfläche, die zwischen der ersten Endfläche und der dritten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt, wobei die dritte Endfläche und die zweite Eckendfläche von dem Versiegelungsharz bedeckt sind, wobei die zweite Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die relativ zu der ersten Endfläche und zu der dritten Endfläche geneigt ist, und wobei ein dritter Neigungswinkel der zweiten Eckendfläche in Bezug auf die erste Endfläche oder ein vierter Neigungswinkel der zweiten Eckendfläche in Bezug auf die dritte Endfläche im Bereich von jeweils einschließlich 60° bis 85° liegt.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, wobei das erste Die-Pad eine vierte Endfläche aufweist, die von der ersten Endfläche in der ersten Richtung abgewandt ist, und eine dritte Eckendfläche, die zwischen der zweiten Endfläche und der vierten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt, wobei die vierte Endfläche und die dritte Eckendfläche von dem Versiegelungsharz bedeckt sind, und wobei die dritte Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die relativ zu der zweiten Endfläche und der vierten Endfläche geneigt ist.
  10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, wobei das erste Die-Pad eine vierte Eckendfläche aufweist, die zwischen der dritten Endfläche und der vierten Endfläche an einer Ecke des ersten Die-Pads liegt, und wobei die vierte Eckendfläche eine ebene Fläche ist, die von dem Versiegelungsharz bedeckt ist und relativ zu der dritten Endfläche und zu der vierten Endfläche geneigt ist.
  11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Seitenfläche und eine dritte Seitenfläche aufweist, die in der zweiten Richtung voneinander abgewandt sind, und wobei die zweite Endfläche sich am nächsten an der zweiten Seitenfläche befindet.
  12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei ein Abstand zwischen der dritten Endfläche und der dritten Seitenfläche größer ist als ein Abstand zwischen der zweiten Endfläche und der zweiten Seitenfläche.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, wobei die mehreren Anschlussleiter von der dritten Seitenfläche aus freiliegen.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, wobei einer der mehreren Anschlussleiter mit der dritten Endfläche des ersten Die-Pads verbunden ist.
  15. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Halbleiterelement ein erstes Element und ein zweites Element aufweist, wobei das erste Element auf dem ersten Die-Pad montiert ist, und wobei das zweite Element auf dem zweiten Die-Pad montiert ist.
  16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei das erste Element elektrisch mit dem ersten Die-Pad verbunden ist, und wobei das zweite Element elektrisch mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist.
  17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 16, ferner aufweisend: ein erstes leitendes Element, das mit dem ersten Element und der zweiten Die-Pad gebondet ist; und ein zweites leitendes Element, das mit dem zweiten Die-Pad und einer der mehreren Anschlussleiter gebondet ist, wobei das erste leitende Element und das zweite leitende Element von dem Versiegelungsharz bedeckt sind.
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