DE112019004559T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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gate
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Katsuhiko Yoshihara
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil beinhaltet ein isolierendes Trägerelement, eine erste und eine zweite leitfähige Schicht, ein erstes Halbleiterelement, einen ersten Anschluss, einen ersten Erfassungs-Leiter und einen ersten Gate-Leiter. Die erste und die zweite leitfähige Schicht sind auf einer Vorderfläche des isolierenden Trägerelementes angeordnet. Das erste Halbleiterelement beinhaltet eine erste und eine zweite Elektrode auf der gleichen Seite, und eine dritte Elektrode, die auf der anderen Seite angeordnet und elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist. Der erste Anschluss ist mit der ersten Elektrode und der zweiten leitfähigen Schicht verbunden. Der erste Erfassungs-Leiter ist mit der ersten Elektrode verbunden. Der erste Gate-Leiter ist mit der zweiten Elektrode verbunden. Der erste Erfassungs-Leiter und/oder der erste Gate-Leiter hat bzw. haben ein Ende, das mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist. Das Ende hat einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als jener der ersten leitfähigen Schicht.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil, das mit einem Halbleiterelement ausgestattet ist, und betrifft insbesondere ein Halbleiterbauteil, das mit einem Schaltelement als dem Halbleiterelement ausgestattet ist.
  • STAND DER TECHNIK
  • Halbleiterbauteile mit Schaltelementen wie MOSFETs oder IGBTs sind allgemein bekannt. Ein Beispiel eines Halbleiterbauteils, das einen MOSFET verwendet, ist in dem Patentdokument 1 offenbart. In dem Halbleiterbauteil ist ein Halbleiterelement an einen Anschluss gebondet, der ein Drain-Terminal darstellt. Das Halbleiterbauteil weist ein Metallstück auf, das mit einem Source-Pad des Halbleiterelements und mit einem Anschluss verbunden ist, der ein Source-Terminal darstellt. Das Metallstück, das aus Aluminium hergestellt ist, ermöglicht es, dass ein großer Strombetrag durch das Halbleiterelement fließt. Das Metallstück unterstützt auch eine Wärmeableitung aus dem Halbleiterelement, wodurch ein Einschaltwiderstand („ON-resistance“) reduziert wird.
  • Der Erfinder hat an einem Bauteil, das eine Konfiguration hat, die ähnlich ist zu dem Halbleiterbauteil, das in Patentdokument 1 offenbart ist, einen ΔTj-Leistungszyklustest durchgeführt, und hat herausgefunden, dass in der Bond-Schicht (wie ein Lötmittel), die zwischen dem Source-Pad und dem Metallstück angeordnet ist, ein Bruch bzw. Brüche („cracking“) auftreten kann. Dies liegt an der thermischen Spannung, die erzeugt wird, da der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Metallstücks größer ist, und zwar verglichen mit dem Halbleiterelement. Derartige Brüche in der Bond-Schicht können verhindert werden, indem man das Material für das Metallstück auf Kupfer (dessen Koeffizient der linearen Ausdehnung kleiner ist als der von Aluminium) ändert. Das Ausführen eines ΔTj-Leistungszyklustests an einer derartigen Konfiguration, die Kupfer verwendet, hat jedoch hervorgebracht, dass sich der Gate-Draht, der mit dem Gate-Pad des Halbleiterelements verbunden ist, und ein Erfassungs-Draht, der mit dem Source-Pad verbunden ist, von dem Halbleiterelement lösen können, und zwar aufgrund der Konzentration einer thermischen Spannung.
  • TECHNISCHES DOKUMENT
  • PATENTDOKUMENT
  • Patentdokument 1: JP-A-2008-294384
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösende Probleme:
    • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, ein Halbleiterbauteil anzugeben, das die oben beschriebenen Probleme (Brüche einer Bond-Schicht oder Ablösen eines Drahtes) verringert oder eliminiert und eine hohe Verlässlichkeit bereitstellt. Mittel zum Lösen der Probleme:
  • Das Halbleiterbauteil, das gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist auf: ein isolierendes Trägerelement, das eine Vorderfläche hat; eine erste und eine zweite leitfähige Schicht, die auf der Vorderfläche angeordnet sind; ein erstes Halbleiterelement, das eine erste Seite hat, die zu der Vorderfläche weist, und eine zweite Seite hat, die von der ersten Seite weg weist, und zwar in einer Dickenrichtung des isolierenden Trägerelementes, wobei das erste Halbleiterelement mit einer ersten und einer zweiten Elektrode auf der zweiten Seite und einer dritten Elektrode auf der ersten Seite bereitgestellt ist und wobei die dritte Elektrode zur elektrischen Verbindung an die erste leitfähige Schicht gebondet ist; einen ersten Anschluss („lead“), der mit der ersten Elektrode und der zweiten leitfähigen Schicht verbunden ist; einen ersten Erfassungs-Leiter, der mit der ersten Elektrode verbunden ist; und einen ersten Gate-Leiter, der mit der zweiten Elektrode verbunden ist. Der erste Erfassungs-Leiter und/oder der erste Gate-Leiter hat bzw. haben ein Ende, das mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das Ende einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als ein Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise haben sowohl der erste Erfassungs-Leiter als auch der erste Gate-Leiter einen Kissenteil („pillow part“), der mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil, der mit dem Kissenteil verbunden ist, wobei der Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise weist der Kissenteil auf: eine erste Schicht, die aus einer Legierung hergestellt ist, die Eisen und Nickel enthält; und ein Paar von zweiten Schichten, die aus einem Metall hergestellt sind, das sich von jenem der ersten Schicht unterscheidet, und wobei die erste Schicht in der Dickenrichtung zwischen dem Paar von zweiten Schichten angeordnet ist.
  • Vorzugsweise weist der Kissenteil eine erste Schicht auf, die aus einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und ein Paar von zweiten Schichten auf, die aus einem Metall hergestellt sind, wobei die erste Schicht in der Dickenrichtung zwischen dem Paar von zweiten Schichten angeordnet ist.
  • Vorzugsweise weist der erste Erfassungs-Leiter ein Metallstück auf, wobei der erste Gate-Leiter einen Kissenteil aufweist, der mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil aufweist, der mit dem Kissenteil verbunden ist, wobei sowohl der erste Erfassungs-Leiter als auch der Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung haben, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise weist der erste Erfassungs-Leiter auf: eine erste Schicht, die aus einer Legierung hergestellt ist, die Eisen und Nickel enthält; und ein Paar von zweiten Schichten, die aus einem Metall hergestellt sind, das sich von jenem der ersten Schicht unterscheidet, und wobei die erste Schicht in der Dickenrichtung zwischen dem Paar von zweiten Schichten angeordnet ist.
  • Vorzugsweise weisen sowohl der erste Erfassungs-Leiter als auch der erste Gate-Leiter jeweils ein Metallstück auf, wobei sowohl der erste Erfassungs-Leiter als auch der erste Gate-Leiter einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung haben, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise weist das Halbleiterbauteil ferner eine erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht, mit der der erste Erfassungs-Leiter verbunden ist, und eine erste Gate-Verdrahtungsschicht auf, mit der der erste Gate-Leiter verbunden ist, wobei die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die erste Gate-Verdrahtungsschicht bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit der Vorderfläche überlappen.
  • Vorzugsweise sind die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die erste Gate-Verdrahtungsschicht auf der Vorderfläche angeordnet.
  • Vorzugsweise weist das Halbleiterbauteil ferner eine Isolierschicht auf, die auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist, wobei die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die erste Gate-Verdrahtungsschicht auf der Isolierschicht angeordnet sind.
  • Vorzugsweise weist das Halbleiterbauteil ferner auf: ein zweites Halbleiterelement, das mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer dritten Elektrode ausgestattet ist, wobei die dritte Elektrode zur elektrischen Verbindung an die zweite leitfähige Schicht gebondet ist; einen zweiten Anschluss, der mit der ersten Elektrode des zweiten Halbleiterelements verbunden ist; einen zweiten Erfassungs-Leiter, der mit der ersten Elektrode des zweiten Halbleiterelements verbunden ist; und einen zweiten Gate-Leiter, der mit der zweiten Elektrode des zweiten Halbleiterelementes verbunden ist. Der zweite Erfassungs-Leiter und/oder der zweite Gate-Leiter hat bzw. haben ein Ende, das mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und das Ende hat einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als ein Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise weisen sowohl der zweite Erfassungs-Leiter als auch der zweite Gate-Leiter jeweils einen Kissenteil, der mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil auf, der mit dem Kissenteil verbunden ist, wobei der Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise weist der zweite Erfassungs-Leiter ein Metallstück auf, wobei der zweite Gate-Leiter einen Kissenteil, der mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil aufweist, der mit dem Kissenteil verbunden ist, und wobei sowohl der zweite Erfassungs-Leiter als auch der Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung haben, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise beinhalten sowohl der zweite Erfassungs-Leiter als auch der zweite Gate-Leiter ein Metallstück, wobei sowohl der zweite Erfassungs-Leiter als auch der zweite Gate-Leiter einen Koeffizient der linearen Ausdehnung haben, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  • Vorzugsweise weist das Halbleiterbauteil ferner auf: eine zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht, mit der der zweite Erfassungs-Leiter verbunden ist; und eine zweite Gate-Verdrahtungsschicht, mit der der zweite Gate-Halbleiter verbunden ist, wobei die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die zweite Gate-Verdrahtungsschicht bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit der Vorderfläche überlappen.
  • Vorzugsweise weist das Halbleiterbauteil ferner auf: ein erstes Eingangs-Terminal, das elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist; ein zweites Eingangs-Terminal, das elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; und ein Ausgangs-Terminal, das elektrisch mit der zweiten leitfähigen Schicht verbunden ist, wobei sowohl das erste Eingangs-Terminal als auch das zweite Eingangs-Terminal in einer Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung von dem Ausgangs-Terminal beabstandet sind, und wobei der zweite Anschluss mit dem zweiten Eingangs-Terminal verbunden ist.
  • Vorzugsweise sind das erste Eingangs-Terminal und das zweite Eingangs-Terminal in der Dickenrichtung voneinander beabstandet, und ein Teil des zweiten Eingangs-Terminals überlappt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit dem ersten Eingangs-Terminal.
  • Weitere Merkmale und Vorteile des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung ergeben sich deutlich aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform;
    • 2 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist;
    • 3 ist eine Draufsicht (gesehen durch ein Abdichtungsharz hindurch) des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist;
    • 4 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils, das in 3 gezeigt ist, und zwar gesehen durch ein zweites Eingangs-Terminal, eine Vielzahl von ersten Anschlüssen und eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen hindurch;
    • 5 ist eine Bodenansicht des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist;
    • 6 ist eine rechtsseitige Ansicht des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist;
    • 7 ist eine linksseitige Ansicht des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist;
    • 8 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils, das in 1 gezeigt ist;
    • 9 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie IX-IX in 3;
    • 10 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie X-X in 3;
    • 11 ist eine Ansicht, die einen Teil (bei oder nahe eines ersten Halbleiterelements) von 3 zeigt;
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XII-XII in 11;
    • 13 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XIII-XIII in 11;
    • 14 ist eine Ansicht, die einen Teil (bei oder nahe einem zweiten Halbleiterelement) der 3 zeigt;
    • 15 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XV-XV in 14;
    • 16 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XVI-XVI in 14;
    • 17 ist eine Schnittansicht eines Teils (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement) eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Variation der ersten Ausführungsform;
    • 18 ist eine Schnittansicht eines Teils (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement) des Halbleiterbauteils, das in 17 gezeigt ist;
    • 19 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Variation der ersten Ausführungsform;
    • 20 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XX-XX in 19;
    • 21 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem zweiten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) des Halbleiterbauteils, das in 19 gezeigt ist;
    • 22 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XXII-XXII in 21;
    • 23 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Variation der ersten Ausführungsform;
    • 24 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XXIV-XXIV in 23;
    • 25 ist eine Draufsicht (bei oder nahe einem zweiten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) des Halbleiterbauteils, das in 23 gezeigt ist;
    • 26 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XXVI-XXVI in 25;
    • 27 ist eine Draufsicht (gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform;
    • 28 ist eine Bodenansicht des Halbleiterbauteils, das in 27 gezeigt ist;
    • 29 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XXIX-XXIX in 27;
    • 30 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XXX-XXX in 27;
    • 31 ist eine Ansicht, die einen Teil (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement) von 27 zeigt;
    • 32 ist eine Ansicht, die einen Teil (bei oder nahe einem zweiten Halbleiterelement) von 27 zeigt;
    • 33 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Variation der zweiten Ausführungsform;
    • 34 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem zweiten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) des Halbleiterbauteils, das in 33 gezeigt ist;
    • 35 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem ersten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Variation der zweiten Ausführungsform; und
    • 36 ist eine Draufsicht eines Teils (bei oder nahe einem zweiten Halbleiterelement, und zwar gesehen durch das Abdichtungsharz hindurch) des Halbleiterbauteils, das in 35 gezeigt ist.
  • MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORM ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Verschiedene Ausführungsformen und deren Variationen gemäß der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend auf der Grundlage der Zeichnungen beschrieben.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform wird nachstehend auf der Grundlage der 1-16 beschrieben.
  • Wie es in den 3, 4, 9 und 10 gezeigt ist, beinhaltet das Halbleiterbauteil A10 ein isolierendes Trägerelement (Isoliersubstrat) 10. In dem dargestellten Beispiel ist das isolierende Trägerelement 10 aus zwei Substraten hergestellt, d.h. einem ersten Substrat 10A und einem zweiten Substrat 10B, die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf eine derartige Konfiguration eingeschränkt. Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet auch eine erste leitfähige Schicht 20A, eine zweite leitfähige Schicht 20B, eine erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A, eine erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A, eine Vielzahl von ersten Halbleiterelementen 40A, eine Vielzahl von ersten Anschlüssen 51A, eine Vielzahl von ersten Erfassungs-Leitern 52A und eine Vielzahl von ersten Gate-Leitern 53A. Zusätzlich hierzu beinhaltet das Halbleiterbauteil A10 eine zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B, eine zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B, ein erstes Eingangs-Terminal 31 (siehe 4 und 10), ein zweites Eingangs-Terminal 32 (siehe 3 und 10), ein Ausgangs-Terminal 33 (siehe 3, 4 und 10), ein Paar von Erfassungs-Terminals 34 (siehe 3 und 4), ein Paar von Gate-Terminals 35, eine Vielzahl von Dummy-Terminals 36, eine Vielzahl von zweiten Halbleiterelementen 40B, eine Vielzahl von zweiten Anschlüssen 51B, eine Vielzahl von zweiten Erfassungs-Leitern 52B, eine Vielzahl von zweiten Gate-Leitern 53B, ein Abdichtungsharz 60 und ein Metallsubstrat 69 (siehe 9 und 10). In dem dargestellten Beispiel weist das Metallsubstrat zwei Regionen auf, die dem ersten Substrat 10A bzw. dem zweiten Substrat 10B entsprechen, die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf eine derartige Konfiguration eingeschränkt. Das Halbleiterbauteil A10 ist ein Leistungswandler (Leistungsmodul), in welchem die ersten Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B beispielsweise MOSFETs sind. Das Halbleiterbauteil A10 kann beispielsweise als eine Ansteuerungsquelle eines Motors, als ein Inverterbauteil für verschiedene elektrische Geräte und als ein Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler („DC/DC converter“) verwendet werden. In 3 ist das Abdichtungsharz 60 zum Zwecke des besseren Verständnisses transparent dargestellt. In 4 sind das zweite Eingangs-Terminal 32, die ersten Anschlüsse 51A und die zweiten Anschlüsse 51B, die in 3 dargestellt sind, ebenfalls aus Gründen eines besseren Verständnisses transparent dargestellt. In diesen Figuren sind das Abdichtungsharz 60, die zweiten Eingangs-Terminals 32, die ersten Anschlüsse 51A und die zweiten Anschlüsse 51B durch imaginäre Linien (Zwei-Punkt-Strichlinien) gezeigt.
  • Bei der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 wird die Dickenrichtung des isolierenden Trägerelementes 10 als eine „Dickenrichtung z“ bezeichnet. Eine Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z wird als eine „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung, die orthogonal ist sowohl zu der Dickenrichtung z als auch zu der ersten Richtung x, wird als eine „zweite Richtung y“ bezeichnet. Wie es in den 1 und 2 gezeigt ist, ist das Halbleiterbauteil A10 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, d.h. bei einer Betrachtung in der Draufsicht, rechteckförmig. Die erste Richtung x entspricht der Längsrichtung des Halbleiterbauteils A10. Die zweite Richtung y entspricht der Breitenrichtung des Halbleiterbauteils A10. Ferner wird bei der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 zum Zwecke eines besseren Verständnisses die Seite in der ersten Richtung x, auf der das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 angeordnet sind, als „erste Seite in der ersten Richtung“ bezeichnet. Jene Seite in der ersten Richtung x, auf der das Ausgangs-Terminal 33 angeordnet ist, wird als „zweite Seite in der ersten Richtung x“ bezeichnet. Es ist anzumerken, dass die Begriffe „Dickenrichtung z“, „erste Richtung x“, „zweite Richtung y“, „erste Seite in der ersten Richtung x“ und „zweite Seite in der ersten Richtung“ auf die Beschreibung eines Halbleiterbauteils A20 genauso angewendet werden, die nachstehend erfolgt.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, sind die erste leitfähige Schicht 20A, die zweite leitfähige Schicht 20B und das Metallsubstrat 69 an dem isolierenden Trägerelement 10 angeordnet. Das isolierende Trägerelement 10 ist elektrisch isolierend. Das isolierende Trägerelement 10 ist aus einem Keramikmaterial hergestellt, das eine hohe thermische Leitfähigkeit hat. Aluminiumnitrid (AlN) ist ein Beispiel eines solchen Keramikmaterials.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, beinhaltet das isolierende Trägerelement 10 in dem Halbleiterbauteil A10 zwei Substrate, d.h. das erste Substrat 10A und das zweite Substrat 10B. Das erste Substrat 10A und das zweite Substrat 10B sind voneinander in der ersten Richtung x beabstandet. Das erste Substrat 10A ist hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Das zweite Substrat 10B ist hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z haben sowohl das erste Substrat 10A als auch das zweite Substrat 10B eine rechteckige Form, deren längere Seiten sich entlang der zweiten Richtung y erstrecken. Es ist anzumerken, dass die Konfiguration des isolierenden Trägerelementes 10 nicht hierauf beschränkt ist und aus einem einzelnen Substrat aufgebaut sein kann.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, haben das erste Substrat 10A und das zweite Substrat 10B jeweils eine Vorderfläche 101 und eine Rückfläche 102. Die Vorderfläche 101 weist zu der Seite in der Dickenrichtung z, auf der die erste leitfähige Schicht 20A und die zweite leitfähige Schicht 20B angeordnet sind. Die Rückfläche 102 weist in der Dickenrichtung z von der Vorderfläche 101 weg.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die erste leitfähige Schicht 20A auf der Vorderfläche 101 des ersten Substrats 10A (isolierendes Trägerelement 10) angeordnet. Zusammen mit der zweiten leitfähigen Schicht 20B, dem ersten Eingangs-Terminal 31, dem zweiten Eingangs-Terminal 32 und dem Ausgangs-Terminal 33 bildet die erste leitfähige Schicht 20A einen Leitungspfad, der die Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B mit dem Äußeren des Halbleiterbauteils A10 verbindet. Die erste leitfähige Schicht 20A ist beispielsweise aus einer Metallfolie hergestellt, die aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung hergestellt ist. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z hat die erste leitfähige Schicht 20A eine rechteckige Form, wobei deren längere Seiten sich in der zweiten Richtung y erstrecken. In dem Beispiel des Halbleiterbauteils A10 ist die erste leitfähige Schicht 20A aus einer einzelnen Region gebildet, in einem anderen Beispiel kann die erste leitfähige Schicht jedoch in eine Vielzahl von Regionen unterteilt sein. Die Anzahl der Regionen und die Form der ersten leitfähigen Schicht 20A können frei eingestellt bzw. gewählt werden. Es ist anzumerken, dass die Fläche der ersten leitfähigen Schicht 20A mit Silber (Ag) plattiert sein kann.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A auf der Vorderfläche 101 des ersten Substrats 10A angeordnet. Somit überlappt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A mit der Vorderfläche 101. Die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A ist gegenüber der ersten leitfähigen Schicht 20A hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A ist in der Form eines Streifens ausgebildet, der in der zweiten Richtung y länglich ist. Die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A kann auch beispielsweise aus der gleichen Metallfolie hergestellt sein wie die erste leitfähige Schicht 20A. Es ist anzumerken, dass die Fläche der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A mit Silber plattiert sein kann.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A auf der Vorderfläche 101 des ersten Substrats 10A angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A folglich mit der Vorderfläche 101. Die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A ist in der ersten Richtung x zwischen der ersten leitfähigen Schicht 20A und der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A angeordnet. Die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A liegt in der Form eines Streifens vor, der in der zweiten Richtung länglich ist. Die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A kann aus der gleichen Metallfolie hergestellt sein wie die erste leitfähige Schicht 20A. Es ist anzumerken, dass die Fläche der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A mit Silber plattiert sein kann.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die zweite leitfähige Schicht 20B auf der Vorderfläche 101 des zweiten Substrats 10B (isolierendes Trägerelement 10) angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht 20B ist beispielsweise aus einer Metallfolie hergestellt, die aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt ist. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z hat die zweite leitfähige Schicht 20B eine rechteckige Form, deren längere Seiten sich in der zweiten Richtung y erstrecken. In dem Beispiel des Halbleiterbauteils A10 ist die zweite leitfähige Schicht 20B aus einer einzelnen Region gebildet, in einem anderen Beispiel kann die zweite leitfähige Schicht jedoch in eine Vielzahl von Regionen unterteilt sein. Die Anzahl der Regionen und die Form der zweiten leitfähigen Schicht 20B kann frei eingestellt bzw. gewählt werden. Es ist anzumerken, dass die Fläche der zweiten leitfähigen Schicht 20B mit Silber plattiert sein kann.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B auf der Vorderfläche 101 des zweiten Substrats 10B angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B folglich mit der Vorderfläche 101. Die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B ist gegenüber der zweiten leitfähigen Schicht 20B hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B liegt in der Form eines Streifens vor, der in der zweiten Richtung y länglich ist. Die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B kann beispielsweise aus der gleichen Metallfolie hergestellt sein wie die zweite leitfähige Schicht 20B. Es ist anzumerken, dass die Fläche der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B mit Silber plattiert sein kann.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, ist die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B auf der Vorderfläche 101 des zweiten Substrats 10B angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B folglich mit der Vorderfläche 101. Die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B ist in der ersten Richtung x zwischen der zweiten leitfähigen Schicht 20B und der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B angeordnet. Die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B liegt in der Form eines Streifens vor, der in der zweiten Richtung y länglich ist. Die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B kann aus der gleichen Metallfolie hergestellt sein wie die zweite leitfähige Schicht 20B. Es ist anzumerken, dass die Fläche der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B mit Silber plattiert sein kann.
  • Wie es in den 2-6 gezeigt ist, sind das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Gleichstrom-Leistung (Spannung), bei der es sich um die zu wandelnde bzw. konvertierende Leistung handelt, wird in das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 eingegeben. Das erste Eingangs-Terminal 31 ist die positive Elektrode (P-Terminal). Das zweite Eingangs-Terminal 32 ist die negative Elektrode (N-Terminal). Wie es in 10 gezeigt ist, ist das zweite Eingangs-Terminal 32 in der Dickenrichtung z von sowohl dem ersten Eingangs-Terminal 31, der ersten leitfähigen Schicht 20A und der zweiten leitfähigen Schicht 20B beabstandet. Das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 sind Metallplatten. Das Material für die Metallplatten ist Kupfer oder eine Kupferlegierung.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, hat das erste Eingangs-Terminal 31 einen ersten Verbindungs-Teil 311 und einen ersten Terminal-Teil 312. In dem ersten Eingangs-Terminal 31 ist die Grenze zwischen dem ersten Verbindungs-Teil 311 und dem ersten Terminal-Teil 312 eine Fläche, die sich in der zweiten Richtung y und in der Dickenrichtung z erstreckt und die eine erste Seitenfläche 63A (später beschrieben) des Abdichtungsharzes 60 beinhaltet, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Der gesamte erste Verbindungs-Teil 311 ist mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Ein Teil des ersten Verbindungs-Teils 311, der hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt ist, ist wie Kammzähne geformt. Dieser kammzahn-artige Teil ist zur elektrischen Verbindung an die Fläche der ersten leitfähigen Schicht 20A gebondet. Ein derartiges Bonden wird durch Lötmittel-Bonden oder durch Ultraschall-Bonden durchgeführt, um Beispiele zu nennen. Somit ist das erste Eingangs-Terminal 31 elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht 20A verbunden.
  • Wie es in den 4 und 5 gezeigt ist, erstreckt sich der erste Terminal-Teil 312 ausgehend von dem Abdichtungsharz 60 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der erste Terminal-Teil 312 rechteckförmig. Gegenüberliegende Seiten des ersten Terminal-Teils 312 in der zweiten Richtung y sind mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Andere Abschnitte des ersten Terminal-Teils 312 liegen gegenüber dem Abdichtungsharz 60 frei. Bei einer derartigen Anordnung ist das erste Eingangs-Terminal 31 durch sowohl die erste leitfähige Schicht 20A als auch das Abdichtungsharz 60 gelagert.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, hat das zweite Eingangs-Terminal 32 einen zweiten Verbindungs-Teil 321 und einen zweiten Terminal-Teil 322. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z entspricht die Grenze zwischen dem zweiten Verbindungs-Teil 321 und dem zweiten Terminal-Teil 322 des zweiten Eingangs-Terminals 32 der Grenze zwischen dem ersten Verbindungs-Teil 311 und dem ersten Terminal-Teil 312 des ersten Eingangs-Terminals 31. Der zweite Verbindungs-Teil 321 liegt in der Form eines Streifens vor, der in der zweiten Richtung y länglich ist.
  • Wie es in den 2 und 3 gezeigt ist, erstreckt sich der zweite Terminal-Teil 322 von dem Abdichtungsharz 60 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der zweite Terminal-Teil 322 rechteckförmig. Gegenüberliegende Seiten des zweiten Terminal-Teils 322 in der zweiten Richtung y sind mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Andere Abschnitte des zweiten Terminal-Teils 322 liegen gegenüber dem Abdichtungsharz 60 frei. Wie es in den 3 und 4 gezeigt ist, überlappt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z der zweite Terminal-Teil 322 mit dem ersten Terminal-Teil 312 des ersten Eingangs-Terminals 31. Wie es in 10 gezeigt ist, ist der zweite Terminal-Teil 322 gegenüber dem ersten Terminal-Teil 312 in jenem Sinn bzw. jener Richtung in der Dickenrichtung z versetzt, in die die Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 weist. Es ist anzumerken, dass in dem Beispiel des Halbleiterbauteils A10 die Form des zweiten Terminal-Teils 322 die gleiche ist wie jene des ersten Terminal-Teils 312.
  • Wie es in den 6 und 10 gezeigt ist, ist ein Isolator 39 in der Dickenrichtung z zwischen dem ersten Terminal-Teil 312 des ersten Eingangs-Terminals 31 und dem zweiten Terminal-Teil 322 des zweiten Eingangs-Terminals 32 angeordnet. Der Isolator 39 ist eine flache Platte. Der Isolator 39 ist elektrisch isolierend und ist beispielsweise aus isolierendem Papier hergestellt. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt das erste Eingangs-Terminal 31 vollständig mit dem Isolator 39. In dem zweiten Eingangs-Terminal 32 überlappen ein Teil des zweiten Verbindungs-Teils 321 und der gesamte zweite Terminal-Teil 322 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z mit dem Isolator 39. Diese Abschnitte, die mit dem Isolator 39 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappen, stehen in Kontakt mit dem Isolator 39. Der Isolator 39 isoliert das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 voneinander. Teile des Isolators 39 (Teile auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x) und gegenüberliegende Seiten in der zweiten Richtung y) sind mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt.
  • Wie es in den 3, 4 und 10 gezeigt ist, beinhaltet der Isolator 39 einen Zwischen-Teil 391 und eine Verlängerung 392. Der Zwischen-Teil 391 ist in der Dickenrichtung z zwischen dem Terminal-Teil 312 des ersten Eingangs-Terminals 31 und dem zweiten Terminal-Teil 312 des zweiten Eingangs-Terminals 32 angeordnet. Der Zwischen-Teil 391 ist vollständig sandwich-artig zwischen dem ersten Terminal-Teil 312 und dem zweiten Terminal-Teil 322 angeordnet. Die Verlängerung 392 erstreckt sich von dem Zwischen-Teil 391 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x, und zwar über den ersten Terminal-Teil 312 und den zweiten Terminal-Teil 322 hinaus. Demzufolge ist die Verlängerung 392 gegenüber dem ersten Terminal-Teil 312 und dem zweiten Terminal-Teil 322 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Gegenüberliegende Seiten der Verlängerung 392 in der zweiten Richtung y sind mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt.
  • Wie es in den 2-7 (ausschließlich 6) gezeigt ist, ist das Ausgangs-Terminal 33 auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Die Wechselstrom-Leistung (Spannung), die durch Leistungswandlung mittels der ersten Halbleiterelemente 40A und der zweiten Halbleiterelemente 40B erhalten wird, wird aus dem Ausgangs-Terminal 33 ausgegeben. Das Ausgangs-Terminal 33 ist eine Metallplatte. Das Material für die Metallplatte ist Kupfer oder eine Kupferlegierung. Das Ausgangs-Terminal 33 hat einen Verbindungs-Teil 331 und einen Terminal-Teil 332. Die Grenze zwischen dem Verbindungs-Teil 331 und dem Terminal-Teil 332 ist eine Fläche, die sich entlang der zweiten Richtung y und der Dickenrichtung z erstreckt und die eine erste Seitenfläche 63A (nachstehend beschrieben) des Abdichtungsharzes 60 enthält, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet ist. Der gesamte Verbindungs-Teil 331 ist mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Der Verbindungs-Teil 331 ist mit einem Kammzahnabschnitt 331A auf der der ersten Seite in der ersten Richtung x versehen. Der Kammzahnabschnitt 331A ist zur elektrischen Verbindung an die Fläche der zweiten leitfähigen Schicht 20B gebondet. Ein solches Bonden kann beispielsweise durch Lötmittel-Bonden oder Ultraschall-Bonden durchgeführt werden. Demzufolge ist das Ausgangs-Terminal 33 elektrisch mit der zweiten leitfähigen Schicht 20B verbunden. Wie es in den 2-5 gezeigt ist, erstreckt sich der Terminal-Teil 332 von dem Abdichtungsharz 60 hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist der Terminal-Teil 332 rechteckförmig. Gegenüberliegende Seiten des Terminal-Teils 332 in der zweiten Richtung y sind mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Andere Abschnitte des Terminal-Teils 332 liegen gegenüber dem Abdichtungsharz 60 frei. Bei einer derartigen Anordnung ist das Ausgangs-Terminal 33 sowohl von der zweiten leitfähigen Schicht 20B als auch von dem Abdichtungsharz 60 gelagert.
  • Wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, sind die ersten Halbleiterelemente 40A zur elektrischen Verbindung an die erste leitfähige Schicht 20A gebondet. Die ersten Halbleiterelemente 40A sind entlang der zweiten Richtung y in vorbestimmten Abständen angeordnet. Die ersten Halbleiterelemente 40A bilden eine obere Zweigschaltung des Halbleiterbauteils A10. Ferner, wie es in den 3, 9 und 10 gezeigt ist, sind die zweiten Halbleiterelemente 40B zur elektrischen Verbindung an die zweite leitfähige Schicht 20B gebondet. Die zweiten Halbleiterelemente 40B sind in der zweiten Richtung y mit vorbestimmten Abständen angeordnet. Die zweiten Halbleiterelemente 40B bilden eine untere Zweigschaltung des Halbleiterbauteils A10. Die ersten Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B sind in einer zueinander versetzten bzw. gestaffelten Anordnung angeordnet, und zwar entlang der zweiten Richtung y. In dem dargestellten Beispiel des Halbleiterbauteils A10 beinhaltet das Halbleiterbauteil A10 vier erste Halbleiterelemente 40A und vier zweite Halbleiterelemente 40B. Die Anzahl der ersten Halbleiterelemente 40A und der zweiten Halbleiterelemente 40B ist nicht hierauf beschränkt und kann gemäß der Leistungsfähigkeit variiert werden, die für das Halbleiterbauteil A10 erforderlich ist.
  • Die ersten Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B sind die gleichen Halbleiterelemente. Die Halbleiterelemente können beispielsweise MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sein, die unter Verwendung eines Halbleitermaterials hergestellt sind, das hauptsächlich aus Siliciumcarbid (SiC) zusammengesetzt bzw. aufgebaut ist. Es ist anzumerken, dass die ersten Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B nicht auf MOSFETs beschränkt sind und Feldeffekttransistoren einschließlich von MISFETs (Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder Bipolartransistoren wie IGBTs (Bipolar-Transistoren mit isoliertem Gate) sein können. In der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 wird angenommen, dass die ersten Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B n-Kanal-MOSFETs sind.
  • Wie es in den 11 und 14 gezeigt ist, ist jedes der ersten Halbleiterelemente 40A und der zweiten Halbleiterelemente 40B bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z rechteckförmig (quadratisch in dem Halbleiterbauteil A10) . Wie es in den 11-16 gezeigt ist, beinhaltet jedes der ersten Halbleiterelemente 40A und der zweiten Halbleiterelemente 40B eine Elementvorderfläche 401, eine Elementrückfläche 402, eine erste Elektrode 41, eine zweite Elektrode 42, eine dritte Elektrode 43 und einen Isolierfilm 44. Die Elementvorderfläche 401 und die Elementrückfläche 402 weisen in der Dickenrichtung z voneinander weg. Hiervon weist die Elementvorderfläche 401 hin zu der Seite, zu der die Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 weist.
  • Wie es in den 11-16 gezeigt ist, befindet sich die erste Elektrode 41 auf der Elementvorderfläche 401, d.h. auf der Seite, zu der die Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 in der Dickenrichtung z weist. Ein Source-Strom fließt von einem Inneren des ersten Halbleiterelementes 40A oder des zweiten Halbleiterelementes 40B hin zu der ersten Elektrode 41.
  • Wie es in den 11, 13, 14 und 16 gezeigt ist, befindet sich die zweite Elektrode 42 auf der Elementvorderfläche 401, d.h. auf der Seite, zu der die Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 in der Dickenrichtung z weist. Eine Gate-Spannung zum Ansteuern des ersten Halbleiterelements 40A oder des zweiten Halbleiterelements 40B wird an die zweite Elektrode 42 angelegt. Die Größe der zweiten Elektrode 42 ist kleiner als jene der ersten Elektrode 41. In jedem der ersten Halbleiterelemente 40A ist die zweite Elektrode 42 hin zu einer Seite in der zweiten Richtung y (die Seite, auf der das Paar von Erfassungs-Terminals 34, das Paar von Gate-Terminals 35 und die Dummy-Terminals 36 angeordnet sind) versetzt. In jedem der zweiten Halbleiterelemente 40B ist die zweite Elektrode 42 hin zu der anderen Seite in der zweiten Richtung y versetzt.
  • Wie es in den 12, 13, 15 und 16 gezeigt ist, befindet sich die dritte Elektrode 43 auf der Elementrückfläche 402, d.h. auf der Seite, die in der Dickenrichtung z hin zu der Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 weist. Die dritte Elektrode 43 erstreckt sich über die gesamte Elementrückfläche 402. Ein Drain-Strom fließt durch die dritte Elektrode 43 in das erste Halbleiterelement 40A oder das zweite Halbleiterelement 40B. Die dritte Elektrode 43 von jedem der ersten Halbleiterelemente 40A ist zur elektrischen Verbindung an die erste leitfähige Schicht 20A gebondet, und zwar mittels einer leitfähigen ersten Bond-Schicht 29. Die erste Bond-Schicht 29 ist beispielsweise aus einem bleifreien Lötmittel hergestellt, das hauptsächlich aus Zinn (Sn) zusammengesetzt ist. Demzufolge sind die dritten Elektroden 43 der ersten Halbleiterelemente 40A elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht 20A verbunden. Ferner ist die dritte Elektrode 43 von jedem der zweiten Halbleiterelemente 40B zur elektrischen Verbindung an die zweite leitfähige Schicht 20B gebondet, und zwar mittels einer ersten Bond-Schicht 29. Demzufolge sind die dritten Elektroden 43 der zweiten Halbleiterelemente 40B elektrisch mit der zweiten leitfähigen Schicht 20B verbunden.
  • Wie es in den 11-16 gezeigt ist, befindet sich der Isolierfilm 44 auf der Elementvorderfläche 401. Der Isolierfilm 44 ist elektrisch isolierend. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z umgibt der Isolierfilm 44 jeweils die erste Elektrode 41 und die zweite Elektrode 42. Der Isolierfilm 44 kann beispielsweise aus einer Siliciumdioxid-(SiO2)-Schicht, einer Siliciumnitrid-(Si3N4)-Schicht und einer Polybenzoxazol-(PBO)-Schicht hergestellt sein, die in der genannten Reihenfolge auf der Elementvorderfläche 401 laminiert sind. Es ist anzumerken, dass in dem Isolierfilm 44 eine Polyimidschicht anstelle der Polybenzoxazol-Schicht verwendet werden kann.
  • Wie es in den 3 und 9 gezeigt ist, sind die ersten Anschlüsse 51A mit den ersten Elektroden 41 der ersten Halbleiterelemente 40A und mit der zweiten leitfähigen Schicht 20B verbunden. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z liegt jeder der ersten Anschlüsse 51A in der Form eines Streifens vor, der in der ersten Richtung x länglich ist. Die ersten Anschlüsse 51A sind aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt. Das Ende von jedem ersten Anschluss 51A auf der ersten Seite in der ersten Richtung x ist mit der ersten Elektrode 41 eines jeweiligen ersten Halbleiterelementes 40A mittels einer leitfähigen zweiten Bond-Schicht 49 verbunden. Die zweite Bond-Schicht 49 ist aus einem bleifreien Lötmittel hergestellt, das hauptsächlich aus Zinn (Sn) oder aus gesintertem Silber („baked silver“) zusammengesetzt ist, um Beispiele zu nennen. Das Ende von jedem ersten Anschluss 51A auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x ist mit der zweiten leitfähigen Schicht 20B mittels einer ersten Bond-Schicht 29 verbunden. Demzufolge sind die ersten Elektroden 41 der ersten Halbleiterelemente 40A elektrisch mit der zweiten leitfähigen Schicht 20B verbunden.
  • Wie es in den 3 und 10 gezeigt ist, sind die zweiten Anschlüsse 51B mit den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B und dem zweiten Eingangs-Terminal 32 verbunden. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z liegt jeder der zweiten Anschlüsse 51B in der Form eines Streifens vor, der in der ersten Richtung x länglich ist. Die zweiten Anschlüsse 51B sind aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt. Die Endfläche von jedem zweiten Anschluss 51B auf der ersten Seite in der ersten Richtung x ist direkt mit dem zweiten Verbindungs-Teil 321 des zweiten Eingangs-Terminals 32 verbunden. Demzufolge sind die zweiten Anschlüsse 51B integral bzw. einstückig mit dem zweiten Eingangs-Terminal 32 ausgebildet. Das Ende von jedem zweiten Anschluss 51B auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x ist mit der ersten Elektrode 41 eines jeweiligen zweiten Halbleiterelements 40B verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Demzufolge sind die ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B elektrisch mit dem zweiten Eingangs-Terminal 32 verbunden.
  • Wie es in den 3 und 11 gezeigt ist, sind die ersten Erfassungs-Leiter 52A mit den ersten Elektroden 41 der ersten Halbleiterelemente 40A und der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A verbunden. Demzufolge sind die ersten Elektroden 41 der ersten Halbleiterelemente 40A elektrisch mit der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A verbunden. Wie es in den 11 und 12 gezeigt ist, hat jeder der ersten Erfassungs-Leiter 52A einen Kissenteil („pillow part“) 521 und einen Drahtteil 522.
  • Wie es in 12 gezeigt ist, ist der Kissenteil 521 von jedem ersten Erfassungs-Leiter 52A mit der ersten Elektrode 41 eines jeweiligen ersten Halbleiterelementes 40A verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Wie es in 11 gezeigt ist, ist der Kissenteil 521 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z rechteckförmig. Der Kissenteil 521 weist eine erste Schicht 521A und ein Paar von zweiten Schichten 521B auf. Die erste Schicht 521A ist aus einer Legierung hergestellt, die Eisen (Fe) und Nickel (Ni) enthält. Beispiele der Legierung beinhalten Invar (Fe-36Ni), Super-Invar (Fe-32Ni-5Co) und Kovar. Das Paar von zweiten Schichten 521B ist aus einem Metall hergestellt. Beispiele des Metalls beinhalten Kupfer, eine Kupferlegierung, Aluminium und eine Aluminiumlegierung. Die erste Schicht 521A ist in der Dickenrichtung z sandwich-artig zwischen dem Paar von zweiten Schichten 521B aufgenommen. Auf diese Art und Weise ist der Kissenteil 521 in der Dickenrichtung z ein Laminat einer Vielzahl von Metallschichten. Das Verhältnis der Dicke t1 der ersten Schicht 521A und der Dicke t2 von jeder zweiten Schicht 521B kann beispielsweise t1:t2 = 8:1 betragen. Der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 521 mit einer derartigen Konfiguration liegt in einem Bereich 0 bis 8 x 10-6/°C. Im Gegensatz hierzu beträgt der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht 20A etwa 16 x 10-6/°C. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 521 kleiner als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Es ist anzumerken, dass die erste Schicht 521A aus einem Halbleitermaterial hergestellt sein kann. Als das Halbleitermaterial kann Silicium (Si) verwendet werden, das einen relativ niedrigen elektrischen spezifischen Widerstand („electrical resistivity“) hat. Auch in einem derartigen Fall ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 521 kleiner als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, ist der Drahtteil 522 von jedem ersten Erfassungs-Leiter 52A mit dem Kissenteil 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A und mit der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A verbunden. Der Drahtteil 522 ist in Bezug auf die erste Richtung x unter einem Neigungswinkel α1a geneigt bzw. schräg ausgerichtet. Der Drahtteil 522 kann aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung, aus Kupfer, einer Kupferlegierung oder aus einem Kaschierungsmaterial („clad material“) hergestellt sein, das aus einer Kombination dieser Materialien hergestellt ist.
  • Wie es in den 3 und 14 gezeigt ist, sind die zweiten Erfassungs-Leiter 52B mit den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B und der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B verbunden. Demzufolge sind die ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B elektrisch mit der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B verbunden. Wie es in den 14 und 15 gezeigt ist, hat jeder der zweiten Erfassungs-Leiter 52B einen Kissenteil 521 und einen Drahtteil 522. Der Kissenteil 521 von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B ist mit der ersten Elektrode 41 eines jeweiligen zweiten Halbleiterelementes 40B verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Der Drahtteil 522 von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B ist mit dem Kissenteil 521 des zweiten Erfassungs-Leiters 52B und der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B verbunden. Der Drahtteil 522 des zweiten Erfassungs-Leiters 52B ist in Bezug auf die erste Richtung x unter einem Neigungswinkel α1b geneigt. Andere Konfigurationen des Kissenteils 521 und des Drahtteils 522 von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B sind die gleichen wie jene des Kissenteils 521 bzw. des Drahtteils 522 des ersten Erfassungs-Leiters 52A, so dass die Beschreibung derartiger Konfigurationen weggelassen ist. Es ist anzumerken, dass der Koeffizient der linearen Ausdehnung des zweiten Erfassungs-Leiters 20B generell gleich jenem des ersten Erfassungs-Leiters 20A ist. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 521 kleiner als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B.
  • Wie es in den 3 und 11 gezeigt ist, sind die ersten Gate-Leiter 53A mit den zweiten Elektroden 42 der ersten Halbleiterelemente 40A und der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A verbunden. Demzufolge sind die zweiten Elektroden 42 der ersten Halbleiterelemente 40A elektrisch mit der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A verbunden. Wie es in den 11 und 13 gezeigt ist, hat jeder der ersten Gate-Leiter 53A einen Kissenteil 531 und einen Drahtteil 532.
  • Wie es in 13 gezeigt ist, ist der Kissenteil 531 von jedem ersten Gate-Leiter 53A mit der zweiten Elektrode 42 eines jeweiligen ersten Halbleiterelementes 40A verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Wie es in 11 gezeigt ist, ist der Kissenteil 531 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z rechteckförmig. Der Kissenteil 531 weist eine erste Schicht 531A und ein Paar von zweiten Schichten 531B auf. Die erste Schicht 531A ist aus einer Legierung hergestellt, die Eisen und Nickel enthält. Beispiele der Legierung sind die gleichen wie jene für die erste Schicht 521A des Kissenteils 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A. Das Paar von zweiten Schichten 531B ist aus einem Metall hergestellt. Beispiele des Metalls sind die gleichen wie jene für die zweiten Schichten 521B des Kissenteils 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A. Die erste Schicht 531A ist sandwich-artig zwischen dem Paar von zweiten Schichten 531B angeordnet, und zwar gesehen in der Dickenrichtung z. Auf diese Art und Weise ist der Kissenteil 531 in der Dickenrichtung z ein Laminat einer Vielzahl von Metallschichten. Das Verhältnis der Dicke t1 der ersten Schicht 531A und der Dicke t2 von jeder zweiten Schicht 531B kann beispielsweise t1:t2 = 8:1 betragen. Der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 531, das eine derartige Konfiguration hat, liegt in einem Bereich von 0 bis 8 x 10-6/°C. Im Gegensatz hierzu beträgt der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht 20B etwa 16 x 10-6/°C. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 531 kleiner als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B. Es ist anzumerken, dass die erste Schicht 531A aus einem Halbleitermaterial hergestellt sein kann. Das Beispiel des Halbleitermaterials ist das gleiche wie jenes für die erste Schicht 521A des Kissenteils 521 der ersten Erfassungs-Leiter 52A. Auch in einem solchen Fall ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 531 kleiner als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, ist der Drahtteil 532 von jedem ersten Gate-Leiter 53A mit dem Kissenteil 531 des ersten Gate-Leiters 53A und der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A verbunden. Der Drahtteil 532 des ersten Gate-Leiters 53A ist in Bezug auf die erste Richtung x unter einem Neigungswinkel α2a geneigt. Beispiele des Materials für den Drahtteil 532 sind die gleichen wie jene für den Drahtteil 522 des ersten Erfassungs-Leiters 52A.
  • Wie es in den 3 und 14 gezeigt ist, sind die zweiten Gate-Leiter 53B mit den zweiten Elektroden 42 der zweiten Halbleiterelemente 40B und der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B verbunden. Demzufolge sind die zweiten Elektroden 42 der zweiten Halbleiterelemente 40B elektrisch mit der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B verbunden. Wie es in den 14 und 16 gezeigt ist, weist jeder der zweiten Gate-Leiter 53B einen Kissenteil 531 und einen Drahtteil 532 auf. Der Kissenteil 531 von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 53B ist mit der zweiten Elektrode 42 eines jeweiligen zweiten Halbleiterelements 40B verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Der Drahtteil 532 von jedem zweiten Gate-Leiter 53B ist mit dem Kissenteil 531 des zweiten Gate-Leiters 53B und der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B verbunden. Der Drahtteil 532 des zweiten Gate-Leiters 53B ist in Bezug auf die erste Richtung x unter einem Neigungswinkel α2b geneigt. Andere Konfigurationen des Kissenteils 531 und des Drahtteils 532 von jedem zweiten Gate-Leiter 53B sind die gleichen wie jene des Kissenteils 531 und des Drahtteils 532 von jedem ersten Gate-Leiter 53A, so dass die Beschreibung derartiger Konfigurationen weggelassen ist. Es ist anzumerken, dass der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht 20B generell gleich jenem der ersten leitfähigen Schicht 20A ist. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des Kissenteils 531 kleiner als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, sind das Paar von Erfassungs-Terminals 34, das Paar von Gate-Terminals 35 und die Dummy-Terminals 36 in der zweiten Richtung y benachbart zu dem isolierenden Trägerelement 10. Diese Terminals sind entlang der ersten Richtung x Seite an Seite angeordnet. In dem Halbleiterbauteil A10 sind sämtliche der Erfassungs-Terminals 34, der Gate-Terminals 35 und der Dummy-Terminals 36 aus einem gleichen Anschlussrahmen hergestellt.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist von dem Paar von Erfassungs-Terminals 34 eines benachbart zu dem ersten Substrat 10A und das andere benachbart zu dem zweiten Substrat 10B angeordnet. Die Spannung (entsprechend dem Source-Strom), die an die ersten Elektroden 41 der ersten Halbleiterelemente 40A oder der zweiten Halbleiterelemente 40B angelegt wird, wird von jedem der Erfassungs-Terminals 34 erfasst. Jedes der Erfassungs-Terminals 34 weist einen Verbindungs-Teil 341 und einen Terminal-Teil 342 auf. Der Verbindungs-Teil 341 ist mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Demzufolge sind die Erfassungs-Terminals 34 durch das Abdichtungsharz 60 gelagert. Es ist anzumerken, dass die Fläche des Verbindungs-Teils 341 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminal-Teil 342 ist mit dem Verbindungs-Teil 341 verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 60 frei (siehe 8). Der Terminal-Teil 342 ist bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x L-förmig.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, ist das Paar von Gate-Terminals 35 benachbart zu dem Paar von Erfassungs-Terminals 34 in der ersten Richtung x angeordnet. An jedes der Gate-Terminals 35 wird eine Gate-Spannung zum Ansteuern der ersten Halbleiterelemente 40A oder der zweiten Halbleiterelemente 40B angelegt. Jedes der Gate-Terminals 35 weist einen Verbindungsteil 351 und einen Terminal-Teil 352 auf. Der Verbindungs-Teil 351 ist mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Demzufolge sind die Gate-Terminals 35 von dem Abdichtungsharz 60 gelagert. Es ist anzumerken, dass die Fläche des Verbindungs-Teils 351 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminal-Teil 352 ist mit dem Verbindungs-Teil 351 verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 60 frei (siehe 8). Der Terminal-Teil 352 ist bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x L-förmig.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, sind die Dummy-Terminals 36 in der ersten Richtung x in Bezug auf die Gate-Terminals 35 auf der den Erfassungs-Terminals 34 gegenüberliegenden Seite angeordnet. In dem Beispiel des Halbleiterbauteils A10 sind sechs Dummy-Terminals 36 vorgesehen. Von diesen sind drei Dummy-Terminals 36 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Die verbleibenden drei Dummy-Terminals 36 sind hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt. Es ist anzumerken, dass die Anzahl der Dummy-Terminals nicht hierauf beschränkt ist. Auch kann das Halbleiterbauteil A10 die Dummy-Terminals 36 gar nicht enthalten. Jedes der Dummy-Terminals 36 hat einen Verbindungs-Teil 361 und einen Terminal-Teil 362. Der Verbindungs-Teil 361 ist mit dem Abdichtungsharz 60 bedeckt. Demzufolge sind die Dummy-Terminals 36 durch das Abdichtungsharz 60 gelagert. Es ist anzumerken, dass die Fläche des Verbindungs-Teils 361 beispielsweise mit Silber plattiert sein kann. Der Terminal-Teil 362 ist mit dem Verbindungs-Teil 361 verbunden und liegt gegenüber dem Abdichtungsharz 60 frei (siehe 8) . Wie es in den 6 und 7 gezeigt ist, ist der Terminal-Teil 362 bei einer Betrachtung in der ersten Richtung x L-förmig. Es ist anzumerken, dass die Form der Terminal-Teile 342 der Erfassungs-Terminals 34 und die Form der Terminal-Teile 352 der Gate-Terminals 35 gleich jener der Terminal-Teile 362 sind.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, weist das Halbleiterbauteil A10 ferner ein Paar von ersten Drähten 54A und ein Paar von zweiten Drähten 54B auf. Die ersten Drähte 54A und die zweiten Drähte 54B sind beispielsweise aus Aluminium hergestellt.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, sind die ersten Drähte 54A mit der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A oder der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B und den Erfassungs-Terminals 34 verbunden. In den Erfassungs-Terminals 34 sind die ersten Drähte 54A mit den Flächen der Verbindungs-Teile 341 verbunden. Demzufolge ist eines der Erfassungs-Terminals 34, das benachbart ist zu dem ersten Substrat 10A, elektrisch mit den ersten Elektroden 41 der ersten Halbleiterelemente 40A verbunden, wohingegen das andere der Erfassungs-Terminals 34, das benachbart ist zu dem zweiten Substrat 10B, elektrisch mit den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B verbunden ist.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, sind die zweiten Drähte 54B mit der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A oder der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B und den Gate-Terminals 35 verbunden. In den Gate-Terminals 35 sind die zweiten Drähte 54B mit den Flächen der Verbindungs-Teile 351 verbunden. Demzufolge ist eines der Gate-Terminals 35, das benachbart ist zu dem ersten Substrat 10A, elektrisch mit den zweiten Elektroden 42 der ersten Halbleiterelemente 40A verbunden, wohingegen das andere der Gate-Terminals 35, das benachbart ist zu dem zweiten Substrat 10B, elektrisch mit den zweiten Elektroden 42 der zweiten Halbleiterelemente 40B verbunden ist.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, bedeckt das Abdichtungsharz 60 das isolierende Trägerelement 10, die erste leitfähige Schicht 20A, die zweite leitfähige Schicht 20B, die ersten Halbleiterelemente 40A und die zweiten Halbleiterelemente 40B. Das Abdichtungsharz 60 bedeckt ferner die ersten Anschlüsse 51A, die zweiten Anschlüsse 51B, die ersten Erfassungs-Leiter 52A, die zweiten Erfassungs-Leiter 52B, die ersten Gate-Leiter 53A, die zweiten Gate-Leiter 53B, die ersten Drähte 54A und die zweiten Drähte 54B. Das Abdichtungsharz 60 kann beispielsweise aus einem schwarzen Epoxidharz hergestellt sein. Wie es in den 2 sowie 5-8 gezeigt ist, hat das Abdichtungsharz 60 eine obere Fläche 61, eine Bodenfläche 62, ein Paar von ersten Seitenflächen 63A, ein Paar von zweiten Seitenflächen 63B, eine Vielzahl von dritten Seitenflächen 63C, eine Vielzahl von vierten Seitenflächen 63D, eine Vielzahl von abgeschrägten Teilen 63E und eine Vielzahl von Montagelöchern 64.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, weist die obere Fläche 61 in der Dickenrichtung z hin zu der Seite, zu der die Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 weist. Die Bodenfläche 62 weist in der Dickenrichtung z von der oberen Fläche 61 weg. Wie es in 5 gezeigt ist, liegt das Metallsubstrat 69 an der Bodenfläche 62 frei. Die Bodenfläche 62 weist eine rahmenartige Form auf, die das Metallsubstrat 69 umgibt.
  • Wie es in den 2 sowie 5-7 gezeigt ist, sind das Paar von ersten Seitenflächen 63A mit sowohl der oberen Fläche 61 als auch der unteren Fläche 63 verbunden und weisen in die erste Richtung x. Ausgehend von der ersten Seitenfläche 63A auf der ersten Seite in der ersten Richtung x erstrecken sich der erste Terminal-Teil 312 des ersten Eingangs-Terminals 31 und der zweite Terminal-Teil 322 des zweiten Eingangs-Terminals 32 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x. Ausgehend von der ersten Seitenfläche 63A auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x erstreckt sich der Terminal-Teil 332 des Ausgangs-Terminals 33 hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x. Auf diese Art und Weise liegt ein Teil von sowohl dem ersten Eingangs-Terminal 31 als auch dem zweiten Eingangs-Terminal 32 gegenüber dem Abdichtungsharz 60 auf der ersten Seite in der ersten Richtung x frei. Auch liegt ein Teil des Ausgangs-Terminals 33 gegenüber dem Abdichtungsharz 60 auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x frei.
  • Wie es in den 2 sowie 5-8 gezeigt ist, sind das Paar von zweiten Seitenflächen 63B sowohl mit der oberen Fläche 61 als auch der Bodenfläche 62 verbunden und weisen in die zweite Richtung y. Ausgehend von einer der zweiten Seitenflächen 63B liegen die Terminal-Teile 342 der Erfassungs-Terminals 34, die Terminal-Teile 352 der Gate-Terminals 35 und die Terminal-Teile 362 der Dummy-Terminals 36 frei.
  • Wie es in den 2 sowie 5-7 gezeigt ist, sind die dritten Seitenflächen 63C sowohl mit der oberen Fläche 61 als auch der Bodenfläche 62 verbunden und weisen in die zweite Richtung y. Die dritten Seitenflächen 63C beinhalten ein Paar von dritten Seitenflächen 63C, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, und ein Paar von dritten Seitenflächen 63C, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind. Sowohl auf der ersten Seite als auch auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x weisen die Paare von dritten Seitenflächen 63C jeweils zueinander, und zwar in der zweiten Richtung y. Ferner sind sowohl auf der ersten Seite als auch auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x die Paare von dritten Seitenflächen 63C mit gegenüberliegenden Enden der relevanten bzw. zugeordneten ersten Seitenfläche 63A in der zweiten Richtung y verbunden.
  • Wie es in den 2 sowie 5-8 gezeigt ist, sind die vierten Seitenflächen 63D sowohl mit der oberen Fläche 61 als auch der Bodenfläche 62 verbunden und weisen in die erste Richtung x. In der ersten Richtung x sind die vierten Seitenflächen 63D ausgehend von den ersten Seitenflächen 63A hin zu der Außenseite des Halbleiterbauteils A10 versetzt. Die vierten Seitenflächen 63D beinhalten ein Paar von vierten Seitenflächen 63D, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind, und ein Paar von vierten Seitenflächen 63D, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x angeordnet sind. Sowohl auf der ersten Seite als auch auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x sind die in der zweiten Richtung y gegenüberliegenden Enden der jeweiligen vierten Seitenflächen 63D mit der relevanten bzw. zugehörigen zweiten Seitenfläche 63B bzw. mit der relevanten bzw. zugeordneten dritten Seitenfläche 63C verbunden.
  • Wie es in den 2 und 5 gezeigt ist, ist jeder der abgeschrägten Teile 63E an der Grenze zwischen einer ersten Seitenfläche 63A und einer dritten Seitenfläche 63C angeordnet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z sind die abgeschrägten Teile 63E sowohl in Bezug auf die erste Richtung x als auch in Bezug auf die zweite Richtung y abgeschrägt bzw. geneigt.
  • Wie es in 9 gezeigt ist, durchdringen die Montagelöcher 64 das Abdichtungsharz 60 ausgehend von der oberen Fläche 61 hin zu der Bodenfläche 62 in der Dickenrichtung z. Die Montagelöcher 64 werden dazu verwendet, um das Halbleiterbauteil A10 an einer (nicht gezeigten) Wärmesenke anzubringen. Wie es in den 2 und 5 gezeigt ist, ist der Rand der Montagelöcher 64 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z kreisförmig. Die Montagelöcher 64 sind an den vier Ecken des Abdichtungsharzes 60 angeordnet, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z.
  • Wie es in den 9 und 10 gezeigt ist, ist das Metallsubstrat 69 auf der gesamten Rückfläche 102 des isolierenden Trägerelementes 10 (dem ersten Substrat 10A und dem zweiten Substrat 10B) vorgesehen. Demgemäß beinhaltet das Metallsubstrat 69 zwei Regionen, die in der ersten Richtung x voneinander beabstandet sind. Wie es in 5 gezeigt ist, liegt das Metallsubstrat 69 an der Bodenfläche 62 des Abdichtungsharzes 60 frei. Das Metallsubstrat 69 ist aus einer Metallfolie hergestellt, die beispielsweise aus Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung hergestellt ist. Das Metallsubstrat 69 wird dazu verwendet, um das Halbleiterbauteil A10 an einer Wärmesenke anzubringen, und zwar zusammen mit den Montagelöchern 64 des Abdichtungsharzes 60.
  • [Erste Variation der ersten Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A11, bei dem es sich um die erste Variation des Halbleiterbauteils A10 handelt, wird nachstehend auf der Grundlage der 17 und 18 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A11 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 hinsichtlich der Konfiguration der Kissenteile 521 der ersten Erfassungs-Leiter 52A und der zweiten Erfassungs-Leiter 52B und der der Konfiguration der Kissenteile 531 der ersten Gate-Leiter 53A und der zweiten Gate-Leiter 53B.
  • Wie es in 17 gezeigt ist, hat die erste Schicht 521A des Kissenteils 521 von jedem ersten Erfassungs-Leiter 52A einen unteren Schichtabschnitt 521C, einen oberen Schichtabschnitt 521D und eine Rahmenfläche 521E. Der untere Schichtabschnitt 521C ist auf der unteren Seite der ersten Schicht 521A angeordnet. Die zweite Schicht 521B, die an dem unteren Ende des Kissenteils 521 angeordnet ist, ist benachbart zu dem unteren Schichtabschnitt 521C. Der obere Schichtabschnitt 521D ist mit dem oberen Ende des unteren Schichtabschnittes 521C verbunden. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist die Fläche des oberen Schichtabschnittes 521D größer als jene des unteren Schichtabschnittes 521C. Die zweite Schicht 521B, die an dem oberen Ende des Kissenteils 521 angeordnet ist, ist benachbart zu dem oberen Schichtabschnitt 521D. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z hat die zweite Schicht 521B, die benachbart ist zu dem oberen Schichtabschnitt 521D, folglich eine größere Fläche als die andere zweite Schicht 521B, die benachbart ist zu dem unteren Schichtabschnitt 521C. Der Rahmenabschnitt 521E weist hin zu der ersten Elektrode 41 des ersten Halbleiterelementes 40A. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z umgibt die Rahmenfläche 521E den gesamten Umfang des unteren Schichtabschnittes 521C. Obgleich eine Darstellung weggelassen ist, hat auch die erste Schicht 521A des Kissenteils 521 von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B einen unteren Schichtabschnitt 521C, einen oberen Schichtabschnitt 521D und eine Rahmenfläche 521E. Diese haben die gleichen Konfigurationen wie der untere Schichtabschnitt 521C, der obere Schichtabschnitt 521D und die Rahmenfläche 521E des Kissenteils 521 der ersten Erfassungs-Leiter 52A, so dass deren Beschreibung weggelassen ist.
  • Wie es in 18 gezeigt ist, hat die erste Schicht 531A des Kissenteils 531 von jedem ersten Gate-Leiter 53A einen unteren Schichtabschnitt 531C, einen oberen Schichtabschnitt 531D und eine Rahmenfläche 531E. Der untere Schichtabschnitt 531C ist auf der unteren Seite der ersten Schicht 531A angeordnet. Die zweite Schicht 531B, die an dem unteren Ende des Kissenteils 531 angeordnet ist, ist benachbart zu dem unteren Schichtabschnitt 531C. Der obere Schichtabschnitt 531D ist mit dem oberen Ende des unteren Schichtabschnittes 531C verbunden. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist die Fläche des oberen Schichtabschnittes 531D größer als jene des unteren Schichtabschnittes 531C. Die zweite Schicht 531B, die an dem oberen Ende des Kissenteils 531 angeordnet ist, ist benachbart zu dem oberen Schichtabschnitt 531D. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z hat die zweite Schicht 531B, die benachbart ist zu dem oberen Schichtabschnitt 531D, folglich eine größere Fläche als die andere zweite Schicht 531B, die benachbart ist zu dem unteren Schichtabschnitt 531C. Die Rahmenfläche 531E weist hin zu der zweiten Elektrode 42 des ersten Halbleiterelementes 40A. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z umgibt die Rahmenfläche 531E den gesamten Umfang des unteren Schichtabschnittes 531C. Obgleich eine Darstellung weggelassen ist, hat die erste Schicht 531A des Kissenteils 531 von jedem zweiten Gate-Leiter 53B auch einen unteren Schichtabschnitt 531C, einen oberen Schichtabschnitt 531D und eine Rahmenfläche 531E. Diese haben die gleichen Konfigurationen wie der untere Schichtabschnitt 531C, der obere Schichtabschnitt 531D und die Rahmenfläche 531E des Kissenteils 531 der ersten Gate-Leiter 53A, so dass deren Beschreibung weggelassen ist.
  • [Zweite Variation der ersten Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A12, bei dem es sich um die zweite Variation des Halbleiterbauteils A10 handelt, wird nachstehend auf der Grundlage der 19-22 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A12 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 hinsichtlich der Konfiguration der ersten Erfassungs-Leiter 52A und der zweiten Erfassungs-Leiter 52B.
  • Wie es in 19 gezeigt ist, liegt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z jeder der ersten Erfassungs-Leiter 52A in der Form eines Streifens vor, der in der ersten Richtung x länglich ist. Die Breite B1a der ersten Erfassungs-Leiter 52A ist kleiner als die Breite Ba der ersten Anschlüsse 51A. Jeder erste Erfassungs-Leiter 52A ist aus einem länglichen Metallstück (Metallstreifen) hergestellt. Wie es in 20 gezeigt ist, ist das Ende des ersten Erfassungs-Leiters 52A auf der ersten Seite in der ersten Richtung x mit der ersten Elektrode 41 eines jeweiligen ersten Halbleiterelementes 40A verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Das Ende von jedem ersten Erfassungs-Leiter 52A auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x ist mit der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A verbunden, und zwar mittels einer ersten Bond-Schicht 29.
  • Wie es in 20 gezeigt ist, hat jeder der ersten Erfassungs-Leiter 52A eine erste Schicht 523 und ein Paar von zweiten Schichten 524. Die erste Schicht 523 ist aus einer Legierung hergestellt, die Eisen und Nickel enthält. Beispiele der Legierung sind die gleichen wie jene für die erste Schicht 521A des Kissenteils 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A. Das Paar von zweiten Schichten 524 ist aus einem Metall hergestellt. Beispiele des Metalls sind die gleichen wie jene für das Paar von zweiten Schichten 521B des Kissenteils 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A. Die erste Schicht 523 ist in der Dickenrichtung z sandwich-artig zwischen dem Paar von zweiten Schichten 524 aufgenommen. Auf diese Art und Weise handelt es sich bei dem ersten Erfassungs-Leiter 52A um ein Laminat einer Vielzahl von Metallschichten in der Dickenrichtung z. Das Verhältnis der Dicke t3a der ersten Schicht 523 an dem Ende der ersten Seite in der ersten Richtung x und der Dicke t4a der ersten Schicht 523 an dem Ende der zweiten Seite in der ersten Richtung x kann beispielsweise t3a:t4a = 1:2 sein. Der Koeffizient der linearen Ausdehnung des ersten Erfassungs-Leiters 52A, der eine solche Konfiguration hat, liegt in einem Bereich von 0 bis 8 × 10-6/°C. Im Gegensatz hierzu beträgt der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht 20A etwa 16 × 10-6/°C. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten Erfassungs-Leiter 52A kleiner als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Die erste Schicht 523 des ersten Erfassungs-Leiters 52A hat eine Übergangsfläche 523A. Die Übergangsfläche 523A ist eine gekrümmte Fläche, die an dem Schnitt bzw. der Kreuzung angeordnet ist, wo sich die Dicke der ersten Schicht 523 von der Dicke t3a zu der Dicke t4a ändert.
  • Wie es in 21 gezeigt ist, liegt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z jeder der zweiten Erfassungs-Leiter 52B in der Form eines Streifens vor, der in der ersten Richtung x länglich ist. Die Breite B1b der zweiten Erfassungs-Leiter 52B ist kleiner als die Breite Bb der zweiten Anschlüsse 51B. Jeder zweite Erfassungs-Leiter 52B ist aus einem Metallstück hergestellt. Wie es in 22 gezeigt ist, ist das Ende von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B auf der ersten Seite in der ersten Richtung x mit der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B verbunden, und zwar mittels einer ersten Bond-Schicht 29. Das Ende von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x ist mit der ersten Elektrode 41 eines jeweiligen zweiten Halbleiterelements 40B verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49.
  • Wie es in 22 gezeigt ist, hat jeder der zweiten Erfassungs-Leiter 52B eine erste Schicht 523 und ein Paar von zweiten Schichten 524. Das Verhältnis der Dicke t3b der ersten Schicht 523 an dem Ende auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und der Dicke t4b der ersten Schicht 523 an dem Ende auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x kann beispielsweise t3b:t4b = 2:1 betragen. Andere Konfigurationen der ersten Schicht 523 und der zweiten Schichten 524 von jedem zweiten Erfassungs-Leiter 52B sind die gleichen wie jene der ersten Schicht 523 und der zweiten Schichten 524 von jedem ersten Erfassungs-Leiter 52A, so dass die Beschreibung derartiger Konfigurationen weggelassen wird. Es ist anzumerken, dass der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht 20B generell gleich jenem der ersten leitfähigen Schicht 20A ist. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten Erfassungs-Leiter 52B kleiner als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B. Die erste Schicht 523 des zweiten Erfassungs-Leiters 52B hat eine Übergangsfläche 523A. Die Übergangsfläche 523A ist eine gekrümmte Fläche, die an dem Schnitt bzw. Übergang angeordnet ist, wo sich die Dicke der ersten Schicht 523 von der Dicke t3b auf die Dicke t4b ändert.
  • [Dritte Variation der ersten Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A13, bei dem es sich um die dritte Variation des Halbleiterbauteils A10 handelt, wird nachstehend auf der Grundlage der 23-26 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A13 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 hinsichtlich der Konfiguration der ersten Erfassungs-Leiter 52A, der zweiten Erfassungs-Leiter 52B, der ersten Gate-Leiter 53A und der zweiten Gate-Leiter 53B. Von diesen Leitern haben die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die zweiten Erfassungs-Leiter 52B die gleichen Konfigurationen wie jene in dem Halbleiterbauteil A12, das oben beschrieben wurde, so dass deren Beschreibung weggelassen ist.
  • Wie es in 23 gezeigt ist, liegt bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z jeder der ersten Gate-Leiter 53A in der Form eines Streifens vor, der in der ersten Richtung x länglich ist. Die Breite B2a der ersten Gate-Leiter 53A ist kleiner als die Breite Ba der ersten Anschlüsse 51A. Jeder erste Gate-Leiter 53A ist aus einem Metallstück hergestellt. Wie es in 24 gezeigt ist, ist das Ende von jedem ersten Gate-Leiter 53A auf der ersten Seite in der ersten Richtung x mit der zweiten Elektrode 42 eines jeweiligen ersten Halbleiterelements 40A verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49. Das Ende von jedem ersten Gate-Leiter 53A auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x ist mit der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A verbunden, und zwar mittels einer ersten Bond-Schicht 29.
  • Wie es in 24 gezeigt ist, hat jeder der ersten Gate-Leiter 53A eine erste Schicht 533 und ein Paar von zweiten Schichten 534. Die erste Schicht 533 ist aus einer Legierung hergestellt, die Eisen und Nickel enthält. Beispiele der Legierung sind die gleichen wie jene für die erste Schicht 521A des Kissenteils 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A. Das Paar von zweiten Schichten 534 ist aus einem Metall hergestellt. Beispiele des Metalls sind die gleichen wie jene für das Paar von zweiten Schichten 521B des Kissenteils 521 des ersten Erfassungs-Leiters 52A. Die erste Schicht 533 ist in der Dickenrichtung z sandwich-artig zwischen dem Paar von zweiten Schichten 534 aufgenommen. Auf diese Art und Weise handelt es sich bei dem ersten Gate-Leiter 53A um ein Laminat einer Vielzahl von Metallschichten in der Dickenrichtung z. Das Verhältnis der Dicken t5a der ersten Schicht 533 an dem Ende auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und der Dicke t6a der ersten Schicht 533 an dem Ende auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x kann beispielsweise t5a:t6a =1:2 betragen. Der Koeffizient der linearen Ausdehnung des ersten Gate-Leiters 53A, der eine solche Konfiguration hat, liegt in einem Bereich von 0 bis 8 x 10-6/°C. Im Gegensatz hierzu beträgt der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht 20A etwa 16 x 10-6/°C. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten Gate-Leiter 53A kleiner als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Die erste Schicht 533 des ersten Gate-Leiters 53A weist eine Übergangsfläche 533A auf. Die Übergangsfläche 533A ist eine gekrümmte Fläche, die an dem Schnitt bzw. Übergang angeordnet ist, wo die Dicke der ersten Schicht 533 sich von der Dicke t5a zu der Dicke t6a ändert.
  • Wie es in 25 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, liegt jeder der zweiten Gate-Leiter 53B in der Form eines Streifens vor, der in der ersten Richtung x länglich ist. Die Breite B2b der zweiten Gate-Leiter 53B ist kleiner als die Breite Bb der zweiten Anschlüsse 51B. Jeder zweite Gate-Leiter 53B ist aus einem Metallstück hergestellt. Wie es in 26 gezeigt ist, ist das Ende von jedem zweiten Gate-Leiter 53B auf der ersten Seite in der ersten Richtung x mit der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B verbunden, und zwar mittels einer ersten Bond-Schicht 29. Das Ende von jedem zweiten Gate-Leiter 53B auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x ist mit der zweiten Elektrode 42 eines jeweiligen zweiten Halbleiterelements 40B verbunden, und zwar mittels einer zweiten Bond-Schicht 49.
  • Wie es in 26 gezeigt ist, hat jeder der zweiten Gate-Leiter 53B eine erste Schicht 533 und ein Paar von zweiten Schichten 534. Das Verhältnis der Dicke t5b der ersten Schicht 533 an dem Ende auf der ersten Seite in der ersten Richtung x und der Dicke t6b der ersten Schicht 533 an dem Ende auf der zweiten Seite in der ersten Richtung x kann beispielsweise t5b:t6b = 2:1 betragen. Andere Konfigurationen der ersten Schicht 533 und der zweiten Schichten 534 von jedem zweiten Gate-Leiter 53B sind die gleichen wie jene der ersten Schicht 533 und der zweiten Schichten 534 von jedem ersten Gate-Leiter 53A, so dass die Beschreibung derartiger Konfigurationen weggelassen ist. Es ist anzumerken, dass der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht 20B generell gleich jenem der ersten leitfähigen Schicht 20A ist. Demzufolge ist der Koeffizient der linearen Ausdehnung des zweiten Gate-Leiters 53B kleiner als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B. Die erste Schicht 533 des zweiten Gate-Leiters 53B weist eine Übergangsfläche 533A auf. Die Übergangsfläche 533A ist eine gekrümmte Fläche, die an einem Schnitt bzw. Übergang angeordnet ist, wo sich die Dicke der ersten Schicht 533 von der Dicke t5b zu der Dicke t6b ändert.
  • Die Vorteile des Halbleiterbauteils A10 werden nachstehend beschrieben.
  • Das Halbleiterbauteil A10 weist die ersten Halbleiterelemente 40A auf, die jeweils eine erste Elektrode 41 und eine zweite Elektrode 42 haben und zur elektrischen Verbindung an die erste leitfähige Schicht 20A gebondet sind, weist die ersten Anschlüsse 51A auf, die mit den ersten Elektroden 41 und der zweiten leitfähigen Schicht 20B verbunden sind, und weist die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die zweiten Erfassungs-Leiter 52B bzw. ersten Gate-Leiter 53A auf. Die ersten Erfassungs-Leiter 52A sind mit den ersten Elektroden 41 verbunden. Die ersten Gate-Leiter 53A sind mit den zweiten Elektroden 42 verbunden. Bei wenigstens einem von den ersten Erfassungs-Leitern 52A und den ersten Gate-Leitern 53A haben die Enden, die mit den ersten Halbleiterelementen 40A verbunden sind, einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Eine derartige Anordnung reduziert die thermische Spannung, die zwischen den ersten Elektroden 41 und den ersten Erfassungs-Leitern 52A erzeugt wird, und/oder die thermische Spannung, die zwischen den zweiten Elektroden 42 und den ersten Gate-Leitern 53A erzeugt wird. Als ein Ergebnis hiervon wird die Möglichkeit des Ablösens von den ersten Halbleiterelementen 40A hinsichtlich der ersten Erfassungs-Leiter 52A und/oder der ersten Gate-Leiter 53A reduziert, was die Verlässlichkeit des Halbleiterbauteils A10 gewährleistet.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A10 haben die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die ersten Gate-Leiter 53A Kissenteile 521, 531, die mit den ersten Halbleiterelementen 40A verbunden sind, und Drahtteile 522, 532, die mit den Kissenteilen 521, 531 verbunden sind. Der Koeffizient der linearen Ausdehnung der Kissenteile 521, 531 ist kleiner als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Bei einer derartigen Anordnung haben die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die ersten Gate-Leiter 53A an ihren Enden, die mit den ersten Halbleiterelementen 40A verbunden sind, einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A.
  • Jeder Kissenteil 521, 531 weist eine erste Schicht 521A, 531A auf, die aus einer Legierung hergestellt ist, die Eisen und Nickel enthält, und weist ein Paar von zweiten Schichten 521B, 531B auf, die aus einem Metall hergestellt sind, das sich von der ersten Schicht 521A, 531A unterscheidet. Die erste Schicht 521A, 531A ist in der Dickenrichtung z sandwich-artig zwischen dem Paar von zweiten Schichten 521B, 531B aufgenommen. Bei einer derartigen Anordnung kann der Koeffizient der linearen Ausdehnung der Kissenteile 521, 531 kleiner gemacht werden als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Auch ermöglicht eine derartige Anordnung eine verläßliche Verbindung der Kissenteile 521, 531 sowohl mit den ersten Halbleiterelementen 40A als auch mit den Drahtteilen 522, 532.
  • Die ersten Schichten 521A, 531A der Kissenteile 521, 531 können aus einem Halbleitermaterial hergestellt sein, und zwar anstelle einer Legierung, die Eisen und Nickel enthält. In einem solchen Fall kommt der Koeffizient der linearen Ausdehnung der Kissenteile 521, 531 jenem des ersten Halbleiterelements 40A näher. Dies ermöglicht eine effektivere Reduktion der thermischen Spannung, die zwischen den ersten Elektroden 41 und den ersten Erfassungs-Leitern 52A erzeugt wird, und/oder der thermischen Spannung, die zwischen den zweiten Elektroden 42 und den ersten Gate-Leitern 53A erzeugt wird.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A11 hat die erste Schicht 521A, 531A von jedem Kissenteil 521, 531 einen unteren Schichtabschnitt 521C, 531C und einen oberen Schichtabschnitt 521D, 531D. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z ist die Fläche des oberen Schichtabschnitts 521D, 531D größer als jene des unteren Schichtabschnitts 521C, 531C. Bei einer derartigen Anordnung hat der Kissenteil 521, 531 eine relativ große Fläche zum Verbinden des Drahtteils 522, 532, was die Verbindung des Drahtteils 522, 532 an dem Kissenteil 521, 531 erleichtert.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A12 ist jeder erste Erfassungs-Leiter 52A aus einem Metallstück hergestellt. Der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten Erfassungs-Leiter 52A ist kleiner als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Bei einer derartigen Anordnung haben die ersten Erfassungs-Leiter 52A an ihren Enden, die mit den ersten Halbleiterelementen 40A verbunden sind, einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A.
  • Jeder der ersten Erfassungs-Leiter 52A des Halbleiterbauteils A12 weist eine erste Schicht 523, die aus einer Legierung hergestellt ist, die Eisen und Nickel enthält, und ein Paar von zweiten Schichten 524 auf, die aus einem Metall hergestellt sind, das sich von der ersten Schicht 523 unterscheidet. Die erste Schicht 523 ist in der Dickenrichtung z sandwich-artig zwischen dem Paar von zweiten Schichten 524 aufgenommen. Bei einer derartigen Anordnung kann der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten Erfassungs-Leiter 52A kleiner gemacht werden als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A. Auch ermöglicht eine derartige Anordnung eine verlässliche Verbindung der ersten Erfassungs-Leiter 52A sowohl an dem ersten Halbleiterelement 40A als auch an der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A10 sind die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A und die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A auf der Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10 gebildet. Ein derartiges isolierendes Trägerelement 10, das mit der ersten leitfähigen Schicht 20A, der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A und der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A auf der Vorderfläche 101 gebildet ist, kann leicht unter Verwendung eines DBC-(Marke)-Substrats hergestellt werden.
  • Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet ferner die zweiten Halbleiterelemente 40B, die jeweils eine erste Elektrode 41 und eine zweite Elektrode 42 haben und zur elektrischen Verbindung an die zweite leitfähige Schicht 20B gebondet sind, beinhaltet ferner die zweiten Anschlüsse 51B, die mit den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B verbunden sind, die zweiten Erfassungs-Leiter 52B und die zweiten Gate-Leiter 53B. Die zweiten Erfassungs-Leiter 52B sind mit den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B verbunden. Die zweiten Gate-Leiter 53B sind mit den zweiten Elektroden 42 der zweiten Halbleiterelemente 40B verbunden. In den zweiten Erfassungs-Leitern 52B und/oder in den zweiten Gate-Leitern 53B haben die Enden, die mit den zweiten Halbleiterelementen 40B verbunden sind, einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als jener der zweiten leitfähigen Schicht 20B. Eine derartige Anordnung reduziert die thermische Spannung, die zwischen den ersten Elektroden 41 der zweiten Halbleiterelemente 40B und dem zweiten Erfassungs-Leiter 52B erzeugt wird, und/oder die thermische Spannung, die zwischen den zweiten Elektroden 42 der zweiten Halbleiterelemente 40B und den zweiten Gate-Leitern 53B erzeugt wird. Als ein Ergebnis hiervon wird die Möglichkeit des Ablösens von den zweiten Halbleiterelementen 40B hinsichtlich der zweiten Erfassungs-Leiter 52B und/oder der zweiten Gate-Leiter 53B verringert.
  • Das Halbleiterbauteil A10 beinhaltet ferner das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32. Das erste Eingangs-Terminal 31 ist elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht 20A verbunden. Das zweite Eingangs-Terminal 32 ist elektrisch mit den zweiten Anschlüssen 51B verbunden. Die zweiten Anschlüsse 51B sind mit dem zweiten Eingangs-Terminal 32 verbunden. Demzufolge können das zweite Eingangs-Terminal 32 und die zweiten Anschlüsse 51B als ein integrales Teil bzw. als ein einstückiges Teil gebildet werden, was die Anzahl der Teile des Halbleiterbauteils A10 reduziert.
  • Das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 sind auf der ersten Seite in der ersten Richtung x angeordnet. Das erste Eingangs-Terminal 31 und das zweite Eingangs-Terminal 32 sind in der Dickenrichtung z voneinander beabstandet. Bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z überlappt ein Teil des zweiten Eingangs-Terminals 32 (der zweite Terminal-Teil 322) mit dem ersten Eingangs-Terminal 31. Bei einer derartigen Anordnung reduziert das von dem zweiten Eingangs-Terminal 32 erzeugte Magnetfeld während des Gebrauchs des Halbleiterbauteils A10 die Induktanz des ersten Eingangs-Terminals 31.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform wird nachstehend auf der Grundlage der 27-32 beschrieben. In diesen Figuren sind jene Elemente, die identisch sind oder ähnlich sind zu jenen des Halbleiterbauteils A10, mit den gleichen Bezugszeichen wie jene versehen, die für das Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und werden nicht beschrieben. In 27 ist das Abdichtungsharz 60 zum besseren Verständnis transparent dargestellt. Demzufolge wird das Abdichtungsharz 60 durch imaginäre Linien (Zwei-Punkt-Strichlinien) gezeigt.
  • Das Halbleiterbauteil A20 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 dahingehend, dass das Halbleiterbauteil A20 mit einem Paar von Isolierschichten 23 versehen ist und kein Metallsubstrat 69 enthält. Das Halbleiterbauteil A20 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 auch hinsichtlich der Konfiguration der ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A, der zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B, der ersten Gate-Verdrahtungsschicht 22A, der zweiten Gate-Verdrahtungsschicht 22B, der ersten Halbleiterelemente 40A, der zweiten Halbleiterelemente 40B, der ersten Anschlüsse 51A und der zweiten Anschlüsse 51B.
  • Wie es in den 27, 29 und 30 gezeigt ist, sind das Paar von Isolierschichten 23 auf der ersten leitfähigen Schicht 20Abzw. der zweiten leitfähigen Schicht 20B angeordnet. Die Isolierschichten 23 sind voneinander in der ersten Richtung x beabstandet. Jede der Isolierschichten 23 liegt in der Form eines Streifens vor, der in der zweiten Richtung y länglich ist. Die Isolierschicht 23, die hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt ist, befindet sich auf der ersten leitfähigen Schicht 20A. Die Isolierschicht 23, die hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt ist, befindet sich auf der zweiten leitfähigen Schicht 20B. Die Isolierschichten 23 können beispielsweise aus einem Glasepoxidharz hergestellt sein.
  • Wie es in den 27, 29 und 30 gezeigt ist, sind die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A und die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A auf einer der Isolierschichten 23 angeordnet, die auf der ersten leitfähigen Schicht 20A angeordnet ist. Die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B und die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B sind auf der anderen der Isolierschichten 23 angeordnet, die auf der zweiten leitfähigen Schicht 20B angeordnet ist. Demzufolge überlappen auch bei dem Halbleiterbauteil A20 bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A, die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21B, die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A und die zweite Gate-Verdrahtungsschicht 22B mit der Vorderfläche 101 des isolierenden Trägerelementes 10.
  • Wie es in den 27 und 29 gezeigt ist, sind die ersten Halbleiterelemente 40A ausgehend von der einen der Isolierschichten 23, die sich auf der ersten leitfähigen Schicht 20A befindet, hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt angeordnet. In jedem der ersten Halbleiterelemente 40A ist die zweite Elektrode 42 hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt angeordnet.
  • Wie es in den 27 und 30 gezeigt ist, sind die zweiten Halbleiterelemente 40B ausgehend von der anderen der Isolierschichten 23, die auf der zweiten leitfähigen Schicht 20B vorhanden ist, hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x versetzt angeordnet. In jedem der zweiten Halbleiterelemente 40B ist die zweite Elektrode 42 hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x versetzt angeordnet.
  • Wie es in 27 gezeigt ist, ist die Abmessung von jedem ersten Anschluss 51A in der ersten Richtung x kleiner als jene in dem Halbleiterbauteil A10. Auch die Abmessung von jedem zweiten Anschluss 51B in der ersten Richtung x ist kleiner als jene in dem Halbleiterbauteil A10.
  • Wie es in den 27 und 28 gezeigt ist, nimmt ein Paar von Erfassungs-Terminals 34 die Stelle bzw. den Ort des Paars von Gate-Terminals 35 des Halbleiterbauteils A10 ein. Auch nimmt ein Paar von Gate-Terminals 35 die Stelle bzw. den Platz des Paars von Erfassungs-Terminals 34 des Halbleiterbauteils A10 ein. Wie es in 28 gezeigt ist, liegt die Rückfläche 102 des isolierenden Trägerelementes 10 an der Bodenfläche 62 des Abdichtungsharzes 60 frei.
  • Wie es in 31 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, erstrecken sich die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die ersten Gate-Leiter 53A ausgehend von den ersten Halbleiterelementen 40A hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x. Wie es in 32 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, erstrecken sich die zweiten Erfassungs-Leiter 52B und die zweiten Gate-Leiter 53B ausgehend von den zweiten Halbleiterelementen 40B hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x. Andere Konfigurationen von jedem der ersten Erfassungs-Leiter 52A, der zweiten Erfassungs-Leiter 52B, der ersten Gate-Leiter 53A und der zweiten Gate-Leiter 53B sind die gleichen wie jene in dem Halbleiterbauteil A10, so dass die Beschreibung solcher Konfigurationen weggelassen ist.
  • [Erste Variation der zweiten Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A21, bei dem es sich um die erste Variation des Halbleiterbauteils A20 handelt, wird nachstehend auf der Grundlage der 33 und 34 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A21 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A20 hinsichtlich der Konfiguration der ersten Erfassungs-Leiter 52A und der zweiten Erfassungs-Leiter 52B.
  • Wie es in 33 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, liegt jeder der ersten Erfassungs-Leiter 52A in der Form eines Streifens vor, der sich von dem ersten Halbleiterelement 40Ahin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x erstreckt. Die Breite B1a der ersten Erfassungs-Leiter 52A ist kleiner als die Breite Ba der ersten Anschlüsse 51A. Jeder der ersten Erfassungs-Leiter 52A ist aus einem Metallstück hergestellt. Andere Konfigurationen der ersten Erfassungs-Leiter 52A sind die gleichen wie jene der ersten Erfassungs-Leiter 52A des Halbleiterbauteils A12, so dass die Beschreibung weggelassen wird.
  • Wie es in 34 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, liegt jeder der zweiten Erfassungs-Leiter 52B in der Form eines Streifens vor, der sich ausgehend von dem zweiten Halbleiterelement 40B hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x erstreckt. Die Breite B1b der zweiten Erfassungs-Leiter 52B ist kleiner als die Breite Bb der zweiten Anschlüsse 51B. Jeder zweite Erfassungs-Leiter 52B ist aus einem Metallstück hergestellt. Andere Konfigurationen der zweiten Erfassungs-Leiter 52B sind die gleichen wie jene der zweiten Erfassungs-Leiter 52B des Halbleiterbauteils A12, so dass die Beschreibung weggelassen wird.
  • [Zweite Variation der zweiten Ausführungsform]
  • Ein Halbleiterbauteil A22, bei dem es sich um die zweite Variation des Halbleiterbauteils A20 handelt, wird nachstehend auf der Grundlage der 35 und 36 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A22 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A20 hinsichtlich der Konfiguration der ersten Erfassungs-Leiter 52A, der zweiten Erfassungs-Leiter 52B, der ersten Gate-Leiter 53A und der zweiten Gate-Leiter 53B. Von diesen Leitern haben die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die zweiten Erfassungs-Leiter 52B die gleiche Konfiguration wie jene des Halbleiterbauteils A21, so dass die Beschreibung weggelassen wird.
  • Wie es in 35 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, liegt jeder erste Gate-Leiter 53A in der Form eines Streifens vor, der sich ausgehend von dem ersten Halbleiterelement 40A hin zu der ersten Seite in der ersten Richtung x erstreckt. Die Breite B2a der ersten Gate-Leiter 53A ist kleiner als die Breite Ba der ersten Anschlüsse 51A. Die Länge L2a der ersten Gate-Leiter 53A ist kleiner als die Länge L1a der ersten Erfassungs-Leiter 52A. Jeder erste Gate-Leiter 53A ist aus einem Metallstück hergestellt. Andere Konfigurationen der ersten Gate-Leiter 53A sind die gleichen wie jene der ersten Gate-Leiter 53A des Halbleiterbauteils A13, wobei die Beschreibung hiervon weggelassen wird.
  • Wie es in 36 gezeigt ist, und zwar bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z, liegt jeder der zweiten Gate-Leiter 53B in der Form eines Streifens vor, der sich ausgehend von dem zweiten Halbleiterelement 40B hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x erstreckt. Die Breite B2b der zweiten Gate-Leiter 53B ist kleiner als die Breite Bb der zweiten Anschlüsse 51B. Die Länge L2b der zweiten Gate-Leiter 53B ist kleiner als die Länge L1b der zweiten Erfassungs-Leiter 52B. Jeder zweite Gate-Leiter 52B ist aus einem Metallstück hergestellt. Andere Konfigurationen der zweiten Gate-Leiter 53B sind die gleichen wie jene der zweiten Gate-Leiter 53B des Halbleiterbauteils A13, so dass deren Beschreibung weggelassen wird.
  • Die Vorteile des Halbleiterbauteils A20 werden nachstehend beschrieben.
  • Wie bei dem Halbleiterbauteil A10 beinhaltet das Halbleiterbauteil A20 die ersten Halbleiterelemente 40A, die jeweils eine erste Elektrode 41 und eine zweite Elektrode 42 haben und zur elektrischen Verbindung an die erste leitfähige Schicht 20A gebondet sind, beinhaltet die ersten Anschlüsse 51A, die mit den ersten Elektroden 41 und der zweiten leitfähigen Schicht 20B verbunden sind, die ersten Erfassungs-Leiter 52A und die zweiten Erfassungs-Leiter 52B. Die ersten Erfassungs-Leiter 52A sind mit den ersten Elektroden 41 verbunden. Die ersten Gate-Leiter 53A sind mit den zweiten Elektroden 42 verbunden. In den ersten Erfassungs-Leitern 52A und/oder den ersten Gate-Leitern 53A haben die Enden, die mit den ersten Halbleiterelementen 40A verbunden sind, einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung, der kleiner ist als jener der ersten leitfähigen Schicht 20A, was die Verlässlichkeit des Halbleiterbauteils A20 gewährleistet.
  • Das Halbleiterbauteil A20 ist mit einer Isolierschicht 23 auf der ersten leitfähigen Schicht 20A versehen. Die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht 21A und die erste Gate-Verdrahtungsschicht 22A sind auf der Isolierschicht 23 angeordnet. Eine derartige Anordnung ermöglicht es, die Fläche der ersten leitfähigen Schicht 20A bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung z zu vergrößern und hierdurch die Wärmeableitung von dem Halbleiterbauteil A20 zu unterstützen. Darüber hinaus kann durch das Anordnen der ersten Halbleiterelemente 40A versetzt gegenüber der Isolierschicht 23 hin zu der zweiten Seite in der ersten Richtung x die Abmessung von jedem ersten Anschluss 51A in der ersten Richtung x reduziert werden. Im Ergebnis kann der parasitäre Widerstand des Halbleiterbauteils A20 reduziert werden.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt. Die spezifischen Konfigurationen jedes Teils des Halbleiterbauteils können hinsichtlich der Konstruktion auf vielfache Art und Weise variiert werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2008294384 A [0004]

Claims (17)

  1. Halbleiterbauteil, das aufweist: ein isolierendes Trägerelement, das eine Vorderfläche hat; eine erste und eine zweite leitfähige Schicht, die auf der Vorderfläche angeordnet sind; ein erstes Halbleiterelement, das eine erste Seite hat, die zu der Vorderfläche weist, und eine zweite Seite hat, die von der ersten Seite weg weist, und zwar in einer Dickenrichtung des isolierenden Trägerelementes, wobei das erste Halbleiterelement mit einer ersten und einer zweiten Elektrode auf der zweiten Seite und einer dritten Elektrode auf der ersten Seite bereitgestellt ist und wobei die dritte Elektrode zur elektrischen Verbindung an die erste leitfähige Schicht gebondet ist; einen ersten Anschluss, der mit der ersten Elektrode und der zweiten leitfähigen Schicht verbunden ist; einen ersten Erfassungs-Leiter, der mit der ersten Elektrode verbunden ist; und einen ersten Gate-Leiter, der mit der zweiten Elektrode verbunden ist, wobei der erste Erfassungs-Leiter und/oder der erste Gate-Leiter ein Ende hat bzw. haben, das mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das Ende einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als ein Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei der erste Erfassungs-Leiter und der erste Gate-Leiter jeweils einen Kissenteil, der mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil haben, der mit dem Kissenteil verbunden ist, und wobei der Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei der Kissenteil aufweist: eine erste Schicht, die aus einer Legierung hergestellt ist, die Eisen und Nickel enthält; und ein Paar von zweiten Schichten, die aus einem Metall hergestellt sind, das sich von der ersten Schicht unterscheidet, und wobei die erste Schicht in der Dickenrichtung zwischen dem Paar von zweiten Schichten angeordnet ist.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei der Kissenteil eine erste Schicht, die aus einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und ein Paar von zweiten Schichten aufweist, die aus einem Metall hergestellt sind, und wobei die erste Schicht in der Dickenrichtung zwischen dem Paar von zweiten Schichten angeordnet ist.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei der erste Erfassungs-Leiter ein Metallstück aufweist, wobei der erste Gate-Leiter einen Kissenteil aufweist, der mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil aufweist, der mit dem Kissenteil verbunden ist, und wobei jeder von dem ersten Erfassungs-Leiter und dem Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei der erste Erfassungs-Leiter aufweist: eine erste Schicht, die aus einer Legierung hergestellt ist, die Eisen und Nickel enthält; und ein Paar von zweiten Schichten, die aus einem Metall hergestellt sind, das sich von der ersten Schicht unterscheidet, und wobei die erste Schicht in der Dickenrichtung zwischen dem Paar von zweiten Schichten angeordnet ist.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei jeder von dem ersten Erfassungs-Leiter und dem ersten Gate-Leiter ein Metallstück aufweist, und wobei jeder von dem ersten Erfassungs-Leiter und dem ersten Gate-Leiter einen Koeffizient der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der ersten leitfähigen Schicht.
  8. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 2-7, ferner mit einer ersten Erfassungs-Verdrahtungsschicht, mit der der erste Erfassungs-Leiter verbunden ist, und einer ersten Gate-Verdrahtungsschicht, mit der der erste Gate-Leiter verbunden ist, wobei die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die erste Gate-Verdrahtungsschicht bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit der Vorderfläche überlappen.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, wobei die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die erste Gate-Verdrahtungsschicht auf der Vorderfläche angeordnet sind.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, ferner mit einer Isolierschicht, die auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist, wobei die erste Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die erste Gate-Verdrahtungsschicht auf der Isolierschicht angeordnet sind.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist: ein zweites Halbleiterelement, das mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer dritten Elektrode bereitgestellt ist, wobei die dritte Elektrode zur elektrischen Verbindung an die zweite leitfähige Schicht gebondet ist; einen zweiten Anschluss, der mit der ersten Elektrode des zweiten Halbleiterelements verbunden ist; einen zweiten Erfassungs-Leiter, der mit der ersten Elektrode des zweiten Halbleiterelements verbunden ist; und einen zweiten Gate-Leiter, der mit der zweiten Elektrode des zweiten Halbleiterelementes verbunden ist, wobei der zweite Erfassungs-Leiter und/oder der zweite Gate-Leiter ein Ende hat bzw. haben, das mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, wobei das Ende einen Koeffizient der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als ein Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei jeder von dem zweiten Erfassungs-Leiter und dem zweiten Gate-Leiter einen Kissenteil aufweist, der mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil aufweist, der mit dem Kissenteil verbunden ist, und wobei der Kissenteil einen Koeffizient der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei der zweite Erfassungs-Leiter ein Metallstück aufweist, wobei der zweite Gate-Leiter einen Kissenteil aufweist, der mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist, und einen Drahtteil aufweist, der mit dem Kissenteil verbunden ist, und wobei jeder von dem zweiten Erfassungs-Leiter und dem Kissenteil einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei jeder von dem zweiten Erfassungs-Leiter und dem zweiten Gate-Leiter ein Metallstück aufweist, und wobei jeder von dem zweiten Erfassungs-Leiter und dem zweiten Gate-Leiter einen Koeffizienten der linearen Ausdehnung hat, der kleiner ist als der Koeffizient der linearen Ausdehnung der zweiten leitfähigen Schicht.
  15. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 12 bis 14, ferner mit einer zweiten Erfassungs-Verdrahtungsschicht, mit der der zweite Erfassungs-Leiter verbunden ist; und einer zweiten Gate-Verdrahtungsschicht, mit der der zweite Gate-Leiter verbunden ist, wobei die zweite Erfassungs-Verdrahtungsschicht und die zweite Gate-Verdrahtungsschicht bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit der Vorderfläche überlappen.
  16. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 11 bis 15, wobei das Halbleiterbauteil ferner aufweist: ein erstes Eingangs-Terminal, das elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist; ein zweites Eingangs-Terminal, das elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; und ein Ausgangs-Terminal, das elektrisch mit der zweiten leitfähigen Schicht verbunden ist, wobei jedes von dem ersten Eingangs-Terminal und dem zweiten Eingangs-Terminal in einer Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung von dem Ausgangs-Terminal beabstandet ist, und wobei der zweite Anschluss mit dem zweiten Eingangs-Terminal verbunden ist.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, wobei das erste Eingangs-Terminal und das zweite Eingangs-Terminal voneinander in der Dickenrichtung beabstandet sind, und wobei ein Teil des zweiten Eingangs-Terminals bei einer Betrachtung in der Dickenrichtung mit dem ersten Eingangs-Terminal überlappt.
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