DE112017002605B4 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Leistungshalbleitermodul Download PDF

Info

Publication number
DE112017002605B4
DE112017002605B4 DE112017002605.9T DE112017002605T DE112017002605B4 DE 112017002605 B4 DE112017002605 B4 DE 112017002605B4 DE 112017002605 T DE112017002605 T DE 112017002605T DE 112017002605 B4 DE112017002605 B4 DE 112017002605B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lead frame
semiconductor device
frame portion
control
bonding wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE112017002605.9T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112017002605T5 (de
Inventor
Yusuke Takagi
Takeshi Tokuyama
Shun Kawano
Takahiro Shimura
Akira Matsushita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Astemo Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Astemo Ltd filed Critical Hitachi Astemo Ltd
Publication of DE112017002605T5 publication Critical patent/DE112017002605T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112017002605B4 publication Critical patent/DE112017002605B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012—Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Leistungshalbleitermodul (300), das Folgendes umfasst:eine erste Halbleitervorrichtung (328, 330);eine zweite Halbleitervorrichtung (329, 331), die mit der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) elektrisch parallelgeschaltet ist; undeinen Steuerleitungsrahmen (325), der über einen ersten Bonddraht (324a) mit einer Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbunden ist und über einen zweiten Bonddraht (324b) mit einer Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbunden ist, wobeider Steuerleitungsrahmen (325) einen ersten Leitungsrahmenabschnitt (326), einen gebogenen Abschnitt (371) und einen zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327), der über den gebogenen Abschnitt (371) mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) verbunden ist, enthält,ein Ende des ersten Bonddrahtes (324a) mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbunden ist, das andere Ende des ersten Bonddrahtes (324a) mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) oder dem gebogenen Abschnitt (371) verbunden ist,ein Ende des zweiten Bonddrahtes (324b) mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbunden ist, das andere Ende des zweiten Bonddrahtes (324b) mit dem zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327) verbunden ist,der erste Leitungsrahmenabschnitt (326) sich in einer Richtung, die mit der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) überlappt, vom gebogenen Abschnitt (371) in Richtung einer Seite erstreckt, die der Seite der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) gegenüberliegt, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) sich in einer Richtung, die mit der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt, vom gebogenen Abschnitt (371) in Richtung der Seite der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) erstreckt, wobeider erste Leitungsrahmenabschnitt (326) sich in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) überlappt, undder zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) sich in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt, wobei das Leistungshalbleitermodul (300) mehrere der Steuerleitungsrahmen (325) umfasst, wobeidie erste Halbleitervorrichtung (328, 330) und die zweite Halbleitervorrichtung (329, 331) jeweils mehrere der Steuerelektroden aufweisen, die mit den Steuerleitungsrahmen (325) verbunden sind, unddie Längen von mehreren ersten Bonddrähten, die den ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) oder den gebogenen Abschnitt (371) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbinden, und die Länge von mehreren zweiten Bonddrähten, die den zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) und die Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbinden, alle dieselben sind.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermodul.
  • Hintergrundgebiet
  • Das Leistungshalbleitermodul enthält z. B. eine Leistungshalbleitervorrichtung wie etwa einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (im Folgenden als IGBT bezeichnet), die eine Wechselrichterschaltung oder dergleichen bildet. Eine Leistungshalbleitervorrichtung ist durch ein Bondmaterial wie etwa ein Lötmittel an eine Metallplatte gebondet und derart angebracht, dass die darin erzeugte Wärme abgegeben werden kann. Eine Steuerelektrode der Leistungshalbleitervorrichtung ist durch einen Bonddraht mit einem Steuerleitungsrahmen verbunden und mit einer externen Vorrichtung wie etwa einer Steuerschaltung verbunden.
  • Mehrere Leistungshalbleitervorrichtungen sind elektrisch parallelgeschaltet, derart, dass ein großer Ausgang erzielt werden kann.
  • Um den Bonddraht an den Leitungsrahmen zu bonden, wird in einem Zustand, in dem der Bonddraht gegen den Leitungsrahmen gedrückt wird, eine Funkfrequenzschwingung aufgebracht, und auf den Bonddraht wird Schwingungsenergie aufgebracht, um durch die Reibungswärme, die zwischen dem Bonddraht und dem Leitungsrahmen erzeugt wird, zu bonden.
  • Ein Steuerleitungsrahmen zum parallelen, elektrischen Verbinden von mehreren Leistungshalbleitervorrichtungen weist z. B. eine Struktur mit einem Abzweigrahmenabschnitt auf, der sich von einem Leitungskörper in einer Richtung senkrecht zum Leitungskörper erstreckt. Daraufhin werden der Leitungskörper und der Abzweigleitungsrahmenabschnitt durch Bonddrähte an jede der Leistungshalbleitervorrichtungen gebondet (siehe z. B. 9 in PTL 1). Darüber hinaus offenbart JP 2014 - 022 580 A ein Leistungsmodul-Halbleiterbauelement, das keine Verdrahtungssäulen aufweist, um auf diese Weise dünne und kompakte Leistungsmodule bereitzustellen.
  • Entgegenhaltungsliste
  • Patentliteratur
  • PTL 1: JP 2011 - 216 755 A , PTL 2: JP 2014 - 022 580 A
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technische Problemstellung
  • In der Struktur von PTL 1 wird der Endabschnitt des Bonddrahtes auf der Seite des distalen Endes des Abzweigleitungsrahmenabschnitts angeordnet, um das Bonden des Bonddrahtes an einen Abzweigleitungsrahmenabschnitt eines Leitungsrahmens durchzuführen. Daraufhin wird der Endabschnitt des Bonddrahtes in einer Richtung in Schwingung versetzt, in der die Leistungshalbleitervorrichtung angeordnet ist, mit anderen Worten, in einer Richtung, die zu einer Richtung senkrecht ist, in der sich der Abzweigleitungsrahmenabschnitt erstreckt. Die Richtung, die zu der Richtung senkrecht ist, in der sich der Abzweigleitungsrahmenabschnitt erstreckt, ist eine Richtung, die zur Längsrichtung des Abzweigleitungsrahmenabschnitts senkrecht ist. Da jedoch die Steifigkeit des Abzweigleitungsrahmenabschnitts in dieser Richtung klein ist, neigt der Abzweigleitungsrahmenabschnitt dazu, zusammen mit der Funkfrequenzschwingung zu schwingen, die zur Zeit des Bondens gegeben ist. Daher kann dem Bonddraht und dem Abzweigleitungsrahmenabschnitt keine große Schwingungsenergie verliehen werden, und eine ausreichende Bindungsfestigkeit zum Bonden zwischen dem Bonddraht und dem Abzweigleitungsrahmenabschnitt kann nicht erhalten werden.
  • Lösung der Problemstellung
  • Das Problem wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besondere Ausführungsformen sind in den abhängigen Patentansprüchen beschrieben.
  • Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Bindungsfestigkeit zwischen einem Bonddraht und einem Leitungsrahmen zu verbessern.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
    • 1 ist ein schematisches Diagramm eines Beispiels für eine Schaltung, die in einem Leistungshalbleitermodul der vorliegenden Erfindung enthalten ist.
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform des Leistungshableitermoduls der vorliegenden Erfindung.
    • 3 ist eine perspektivische Einzelteilansicht des Leistungshalbleitermoduls, das in 2 veranschaulicht ist.
    • 4 ist eine vergrößerte Ansicht des Bereichs IV, der in 2 veranschaulicht ist.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Eine Ausführungsform des Leistungshalbleitermoduls der vorliegenden Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Ein Leistungshalbleitermodul, das eine Leistungsumsetzungsschaltung wie etwa eine Wechselrichterschaltung enthält, ist in einem Fahrzeug wie etwa einem Elektrofahrzeug, einem Hybridfahrzeug (HEV) oder einem Steckdosen-Hybridfahrzeug (PHV) angebracht. Ein Dreiphasen-Wechselrichter kann gebildet sein, indem Leistungshalbleitermodule, die Wechselrichterschaltungen enthalten, parallelgeschaltet sind. Die Wechselrichterschaltung ist mit einer Batterie verbunden, und ein Motorgenerator wird als ein Motor betrieben. Ferner kann der Motorgenerator durch die Leistung einer Kraftmaschine betrieben werden, und die Batterie kann über die Wechselrichterschaltung aufgeladen werden.
  • Im Folgenden wird ein Leistungshalbleitermodul, das die Wechselrichterschaltung enthält, als eine Ausführungsform beschrieben.
  • 1 ist ein schematisches Diagramm eines Beispiels für die Schaltung, die im Leistungshalbleitermodul der vorliegenden Erfindung enthalten ist.
  • Wie oben beschrieben ist, enthält ein Leistungshalbleitermodul 300 eine Wechselrichterschaltung zum wechselseitigen Umsetzen von Gleichstromleistung und Wechselstromleistung. Das Leistungshalbleitermodul 300 enthält einen ersten Schaltungskörper 300U, der einen oberen Zweig der Wechselrichterschaltung bildet, und einen zweiten Schaltungskörper 300L, der einen unteren Zweig bildet. Das Leistungshalbleitermodul 300 enthält einen Wechselstromanschluss 159, der eine Wechselstromleistung eingibt und ausgibt. Der Wechselstromanschluss 159 gibt eine von drei Phasen der U-Phase, der V-Phase und der W-Phase an einen Motorgenerator ein und aus.
  • Ferner enthält das Leistungshalbleitermodul 300 einen positiven Gleichstromelektrodenanschluss 157 und einen negativen Gleichstromelektrodenanschluss 158. Der positive Gleichstromelektrodenanschluss 157 und der negative Gleichstromelektrodenanschluss 158 sind jeweils mit einer Batterie und einem Kondensator (nicht veranschaulicht) verbunden, um eine Gleichstromleistung einzugeben und auszugeben. Ferner enthält das Leistungshalbleitermodul 300 eine Leistungshalbleitervorrichtung als ein Schaltelement zum Umsetzen der zugeführten Gleichstromleistung in eine Wechselstromleistung.
  • Das Leistungshalbleitermodul 300 ist mit einem Steuerleitungsrahmen 325 versehen, der ein Steuersignal von einer Ansteuerschaltung (nicht veranschaulicht) empfängt. Die Leistungshalbleitervorrichtung empfängt ein Steuersignal vom Steuerleitungsrahmen 325, führt einen Leitungs- oder Trennvorgang durch und setzt die zugeführte Gleichstromleistung in eine Wechselstromleistung um.
  • Die Leistungshalbleitervorrichtung enthält erste Halbleitervorrichtungen 328 und 330, zweite Halbleitervorrichtungen 329 und 331, dritte Halbleitervorrichtungen 166 und 168 und vierte Halbleitervorrichtungen 167 und 169. Die ersten Halbleitervorrichtungen 328 und 330 und die zweiten Halbleitervorrichtungen 329 und 331 sind z. B. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT). Anstelle des IGBT kann ein Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) verwendet werden.
  • Die dritten Halbleitervorrichtungen 166 und 168 und die vierten Halbleitervorrichtungen 167 und 169 sind z. B. Dioden.
  • Die erste Halbleitervorrichtung 328 und die zweite Halbleitervorrichtung 329, die dritte Hableitervorrichtung 166 und die vierte Halbleitervorrichtung 167 sind mit einer ersten Leitereinheit 342U und einer zweiten Leitereinheit 341U verbunden. Insbesondere ist die erste Halbleitereinheit 342U mit den Kollektorelektroden der ersten Halbleitervorrichtung 328 und der zweiten Halbleitervorrichtung 329 verbunden und außerdem mit den Kathodenelektroden der dritten Halbleitervorrichtung 166 und der vierten Halbleitervorrichtung 167 verbunden. Die zweite Leitereinheit 341U ist mit den Emitterelektroden der ersten Halbleitervorrichtung 328 und der zweiten Halbleitervorrichtung 329 verbunden und außerdem mit den Anodenelektroden der dritten Halbleitervorrichtung 166 und der vierten Halbleitervorrichtung 167 verbunden.
  • Die erste Halbleitervorrichtung 328, die zweite Halbleitervorrichtung 329, die dritte Hableitervorrichtung 166 und die vierte Halbleitervorrichtung 167 bilden den ersten Schaltungskörper 300U einer Wechselrichterschaltung.
  • Ebenso sind die erste Halbleitervorrichtung 330, die zweite Halbleitervorrichtung 331, die dritte Hableitervorrichtung 168 und die vierte Halbleitervorrichtung 169 mit einer dritten Leitereinheit 342L und einer vierten Leitereinheit 341L verbunden. Insbesondere ist die dritte Leitereinheit 342L mit den Kollektorelektroden der ersten Halbleitervorrichtung 330 und der zweiten Halbleitervorrichtung 331 verbunden und außerdem mit den Kathodenelektroden der dritten Halbleitervorrichtung 168 und der vierten Halbleitervorrichtung 169 verbunden. Die vierte Leitereinheit 341L ist mit den Emitterelektroden der ersten Halbleitervorrichtung 330 und der zweiten Halbleitervorrichtung 331 verbunden und mit den Anodenelektroden der dritten Halbleitervorrichtung 168 und der vierten Halbleitervorrichtung 169 verbunden.
  • Die erste Halbleitervorrichtung 330, die zweite Halbleitervorrichtung 331, die dritte Hableitervorrichtung 168 und die vierte Halbleitervorrichtung 169 bilden den zweiten Schaltungskörper 300L der Wechselrichterschaltung.
  • Die erste Leitereinheit 342U ist mit dem positiven Gleichstromelektrodenanschluss 157 verbunden, und die zweite Leitereinheit 341U ist mit einem Zwischenverbindungsabschnitt 310 verbunden.
  • Die vierte Leitereinheit 341L ist mit dem negativen Gleichstromelektrodenanschluss 158 verbunden, und die dritte Leitereinheit 342L ist mit dem Zwischenverbindungsabschnitt 310 verbunden. Die zweite Leitereinheit 341U und die dritte Leitereinheit 342L sind mit dem Zwischenverbindungsabschnitt 310 verbunden. Der Zwischenverbindungsabschnitt 310 ist mit dem Wechselstromanschluss 159 verbunden.
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform des Leistungshalbleitermoduls gemäß der vorliegenden Erfindung. 3 ist eine perspektivische Einzelteilansicht des Leistungshalbleitermoduls, das in 2 veranschaulicht ist.
  • Jeder Elementname und seine Bezugszahl, die in 1 beschrieben sind, sind in 2 und 3 ebenfalls durch denselben Elementnamen und dieselbe Bezugszahl bezeichnet.
  • Der erste Schaltungskörper 300U und der zweite Schaltungskörper 300L, die das Leistungshalbleitermodul 300 bilden, sind zueinander benachbart angeordnet. Der erste Schaltungskörper 300U weist eine Struktur auf, in der die erste und die zweite Halbleitervorrichtung 328 und 329 und die dritte und die vierte Halbleitervorrichtung 166 und 167 zwischen der ersten Leitereinheit 342U und der zweiten Leitereinheit 341U eingebettet sind, die derart angeordnet sind, dass sie einander zugewandt sind, und der erste Schaltungskörper 300U weist eine im Wesentlichen dünne, plattenähnliche, rechtwinklige Parallelepiped-Form auf. Die erste Halbleitervorrichtung 328 und die zweite Halbleitervorrichtung 329 sind jeweils ein plattenförmiges Halbleitersubstrat und sind zueinander benachbart und voneinander beabstandet angeordnet. Außerdem sind die dritte Halbleitervorrichtung 166 und die vierte Halbleitervorrichtung 167 plattenförmige Halbleitersubstrate und sind zueinander benachbart und voneinander beabstandet angeordnet.
  • Ebenso weist der zweite Schaltungskörper 300L eine Struktur auf, in der die erste und die zweite Halbleitervorrichtung 330 und 331 und die dritte und die vierte Halbleitervorrichtung 168 und 169 zwischen der dritten Leitereinheit 342L und der vierten Leitereinheit 341L eingebettet sind, die derart angeordnet sind, dass sie einander zugewandt sind, und ist in einer im Wesentlichen dünnen, plattenähnlichen, rechtwinkligen Parallelepiped-Form ausgebildet. Die erste Halbleitervorrichtung 330 und die zweite Halbleitervorrichtung 331 des zweiten Schaltungskörpers 300L sind jeweils ein plattenförmiges Halbleitersubstratelement wie die erste und die zweite Halbleitervorrichtung 328 und 329 des ersten Schaltungskörpers 300U und sind zueinander benachbart und voneinander beabstandet angeordnet. Ebenso wie die dritte und die vierte Halbleitervorrichtung 166 und 167 des ersten Schaltungskörpers sind die dritte Halbleitervorrichtung 168 und die vierte Halbleitervorrichtung 169 des zweiten Schaltungskörpers plattenförmige Halbleitersubstratelemente und sind zueinander benachbart und voneinander beabstandet angeordnet.
  • Der erste Schaltungskörper 300U und der zweite Schaltungskörper 300L sind derart angeordnet, dass die erste Leitereinheit 342U und die dritte Leitereinheit 342L auf derselben Ebene angeordnet sind und die zweite Leitereinheit 341U und die vierte Leitereinheit 341L auf derselben Ebene angeordnet sind. Wie in 2 veranschaulicht ist, sind die erste Halbleitervorrichtung 328 und die zweite Halbleitervorrichtung 329 des ersten Schaltungskörpers 300U über erste Bonddrähte 324a oder zweite Bonddrähte 324b mit mehreren der Steuerleitungsrahmen 325 verbunden. Ebenso sind die erste Halbleitervorrichtung 330 und die zweite Halbleitervorrichtung 331 des zweiten Schaltungskörpers 300L über die ersten Bonddrähte 324a oder die zweiten Bonddrähte 324b mit mehreren der Steuerleitungsrahmen 325 verbunden.
  • Der positive Gleichstromelektrodenanschluss 157 ist durch Blechbearbeitung oder dergleichen einteilig an die erste Leitereinheit 342U geformt.
  • Ein plattenförmiger negativer Gleichstromelektrodenanschluss 158 ist über der Grenze zwischen der ersten Leitereinheit 342U und der dritten Leitereinheit 342L angeordnet. Der Verbindungsabschnitt 158a für die negative Gleichstromelektrode ist durch Blechbearbeitung oder dergleichen einteilig an die vierte Leitereinheit 341L geformt. Der Verbindungsabschnitt 158a für die negative Gleichstromelektrode erstreckt sich zu einer Position, die dem negativen Gleichstromelektrodenanschluss 158 zugewandt ist, und ist durch ein Bondmaterial 362 wie etwa ein Lötmittel an den negativen Gleichstromelektrodenanschluss 158 gebondet (siehe 3). Eine externe Vorrichtung (nicht veranschaulicht) wie etwa eine Gleichstromenergieversorgung ist mit dem positiven Gleichstromelektrodenanschluss 157 und dem negativen Gleichstromelektrodenanschluss 158 verbunden, und eine elektrische Leistung wird zugeführt.
  • Der Wechselstromanschluss 159 ist durch Blechbearbeitung oder dergleichen einteilig an die dritte Leitereinheit 342L geformt. Der Wechselstromanschluss 159 ist eine Wechselstrom-Eingangs/Ausgangs-Einheit, die mit einer externen Vorrichtung wie etwa einem Elektromotor oder einem elektrischen Generator verbunden ist.
  • Der Zwischenverbindungsabschnitt 310 ist durch Blechbearbeitung oder dergleichen einteilig an die zweite Leitereinheit 341U geformt. Der Zwischenverbindungsabschnitt 310 erstreckt sich zur Seite des zweiten Schaltungskörpers 300L und ist durch ein Bondmaterial 361 wie etwa ein Lötmittel mit der Innenfläche der dritten Leitereinheit 342L verbunden.
  • Die erste Halbleitervorrichtung 328 und die zweite Halbleitervorrichtung 329 weisen jeweils mehrere Steuerelektroden 332 und 333 auf, die auf einer Oberfläche gebildet sind. Eine Oberflächenseite jeweils der ersten Halbleitervorrichtung 328 und der zweiten Halbleitervorrichtung 329 ist über ein Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die zweite Leitereinheit 341U gebondet, wobei die Steuerelektroden 332 und 333 freiliegen. Die Seite der anderen Oberfläche jeweils der ersten Halbleitervorrichtung 328 und der zweiten Halbleitervorrichtung 329 ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die ersten Leitereinheit 342U gebondet. Eine Anodenelektrode ist auf einer Oberflächenseite der dritten und vierten Halbleitervorrichtung 166 und 167 vorgesehen, und jede der Anodenelektroden ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die zweite Leitereinheit 341U gebondet. Auf der Seite der anderen Oberfläche der dritten und vierten Halbleitervorrichtung 166 und 167 sind Kathodenelektroden vorgesehen, und jede der Kathodenelektroden ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die erste Leitereinheit 342U gebondet.
  • Ebenso weisen die erste Halbleitervorrichtung 330 und die zweite Halbleitervorrichtung 331 jeweils auf einer Seite mehrere der Steuerelektroden 332 und 333 auf. Eine Oberflächenseite jeweils der ersten Halbleitervorrichtung 330 und der zweiten Halbleitervorrichtung 331 ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die vierte Leitereinheit 341L gebondet, wobei die Steuerelektrodenanschlüsse 332 und 333 freiliegen. Die Seite der anderen Oberfläche jeweils der ersten Halbleitervorrichtung 330 und der zweiten Halbleitervorrichtung 331 ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die dritte Leitereinheit 342L gebondet. Eine Anodenelektrode ist auf einer Oberflächenseite der dritten und vierten Halbleitervorrichtung 168 und 169 vorgesehen, und jede der Anodenelektroden ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die vierte Leitereinheit 341L gebondet. Auf der Seite der anderen Oberfläche der dritten und vierten Halbleitervorrichtung 168 und 169 ist eine Kathodenelektrode vorgesehen, und jede der Kathodenelektroden ist über das Bondmaterial 360 wie etwa ein Lötmittel an die dritte Leitereinheit 342L gebondet.
  • Der erste Schaltungskörper 300U und der zweite Schaltungskörper 300L sind wie oben beschrieben angebracht und bilden die Wechselrichterschaltung, die in 1 veranschaulicht ist.
  • 4 ist eine vergrößerte Ansicht des Bereichs IV in 2.
  • Wie oben beschrieben ist, sind mehrere der Steuerleitungsrahmen 325 über die ersten und zweiten Bonddrähte 324a und 324b mit der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 330 und 331 des ersten Schaltungskörpers 300U verbunden. Außerdem sind mehrere der Steuerleitungsrahmen 325 über die ersten und zweiten Bonddrähte 324a und 324b mit der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 des zweiten Schaltungskörpers 300L verbunden. im Folgenden werden die Verbindungsstruktur (Verbindungsstruktur des oberen Zweigs) zwischen dem Steuerleitungsrahmen 325 und der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 und die Verbindungsstruktur (Verbindungsstruktur des unteren Zweigs) zwischen dem Steuerleitungsrahmen 325 und der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 330 und 331 beschrieben.
  • Da die Verbindungsstruktur des oberen Zweigs und die Verbindungsstruktur des oberen Zweigs im Wesentlichen dieselben sind, wird unten die Verbindungsstruktur des oberen Zweigs beschrieben.
  • Der Steuerleitungsrahmen 325 wird durch Blechbearbeitung oder dergleichen gebildet und weist einen ersten Leitungsrahmenabschnitt 326, einen zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 und einen gebogenen Abschnitt 371 auf.
  • Der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 ist am gebogenen Abschnitt 371 in Bezug auf den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 mit einem Biegewinkel θ gebogen, der kleiner als 90 Grad ist.
  • Die erste und die zweite Halbleitervorrichtung 328 und 329 weisen jeweils mehrere der Steuerelektroden 332 und 333 auf. Die Steuerelektroden 332 und 333 enthalten eine Gate-Elektrode, eine Kelvin-Emitterelektrode, eine Temperatursensorelektrode und dergleichen. Von der Kelvin-Emitterelektrode wird das Referenzpotential eines Gate-Signals an eine Ansteuerschaltung (nicht veranschaulicht) übertragen. Eine Temperatursensorelektrode ist mit einem Temperatursensor (nicht veranschaulicht) verbunden, der in der ersten Halbleitervorrichtung 328 oder der zweiten Halbleitervorrichtung 329 gebildet ist, und die Temperatur der ersten Hableitervorrichtung 328 oder der zweiten Halbleitervorrichtung 329 wird von der Temperatursensorelektrode an eine Steuerschaltung (nicht veranschaulicht) übertragen.
  • Es sei erwähnt, dass die Emitterelektroden im Wesentlichen auf dem gesamten Bereich einer Oberfläche der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 gebildet sind, mit Ausnahme der Steuerelektroden 332 und 333, und dass die Kollektorelektroden im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der Seite der anderen Oberfläche der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 gebildet sind.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind an der Halbleitervorrichtung 328 bzw. 329 drei Steuerelektroden 332 und 333 vorgesehen, und drei Steuerleitungsrahmen 325 sind ebenfalls angeordnet. Der erste Leitungsrahmenabschnitt 326 jedes Steuerleitungsrahmens 325 ist im Wesentlichen zur Richtung der Anordnung der Steuerelektroden 332 und 333 senkrecht angeordnet. Die Breiten (die Länge in der Links-Rechts-Richtung) der ersten und zweiten Leitungsrahmenabschnitte 326 und 327 sind im Wesentlichen dieselben wie die Breiten der Steuerelektroden 332 und 333. Wenn jedoch ein vorgegebener Spalt zwischen den ersten Leitungsrahmenabschnitten 326 oder zwischen den zweiten Leitungsrahmenabschnitten 327 vorgesehen ist, können die Breiten der ersten und zweiten Leitungsrahmenabschnitte 326 und 327 kleiner oder größer als die Breiten der Steuerelektroden 332 und 333 sein. Die Breite des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 und die Breite des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 können voneinander verschieden sein, und die Breite des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 oder die Breite der zweiten Leitungsrahmenabschnitte 327 können voneinander verschieden sein.
  • Der erste Leitungsrahmenabschnitt 326 erstreckt sich vom gebogenen Abschnitt 371 zu der Seite, die der ersten Halbleitervorrichtung 328 gegenüberliegt, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 erstreckt sich vom gebogenen Abschnitt 371 in Richtung der Seite der ersten Halbleitervorrichtung 328.
  • Die Mittenlinie in der Breitenrichtung jedes ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 verläuft durch die Mitte in der Breitenrichtung der entsprechenden Steuerelektrode 332. Die Mittenlinie in der Breitenrichtungjedes zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 verläuft durch die Mitte in der Breitenrichtung der entsprechenden Steuerelektrode 333. Da der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 in Bezug auf den ersten Leitungsrahmen 326 gebogen ist, ist der Abstand des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 in Bezug auf die Richtung der Anordnung der Steuerelektrode 333 vom Abstand der Steuerelektrode 333 verschieden. Daher ist der Biegewinkel θ des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 in Bezug auf den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 jedes Steuerleitungsrahmens 325 nicht derselbe.
  • Jedoch wird durch Einstellen der Breite und/oder des Abstands des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 bewirkt, dass der Biegewinkel θ des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 in Bezug auf den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 gleich ist, mit anderen Worten, die zweiten Leitungsrahmenabschnitte 327 können parallel zueinander angeordnet sein.
  • Ein metallischer Überzug, der für das Bonden geeignet ist, wie etwa ein Ni-Überzug oder ein Au-Überzug wird auf die Oberflächen jeder der Steuerelektroden 332 und 333 aufgebracht. Die ersten Leitungsrahmenabschnitte 326 jedes Steuerleitungsrahmens 325 und die Steuerelektrode 332 sind durch den ersten Bonddraht 324a verbunden. Das heißt, ein Ende des ersten Bonddrahtes 324a ist an die Steuerelektrode 332 gebondet, und das andere Ende des ersten Bonddrahtes 324a ist an den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 gebondet. Der Verbindungsabschnitt zwischen dem anderen Ende des ersten Bonddrahtes 324a und dem ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 kann der gebogene Abschnitt 371 sein.
  • Außerdem sind der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 jedes Steuerleitungsrahmens 325 und die Steuerelektrode 333 durch einen zweiten Bonddraht 324b verbunden.
  • Die Durchmesser und Längen des ersten Bonddrahtes 324a und des zweiten Bonddrahtes 324b sind im Wesentlichen dieselben.
  • In einer Schaltung in der mehrere Signalübertragungswege, die Abschnitte aufweisen, die durch Bonddrähte in den Wegen verbunden sind, parallelgeschaltet sind, nimmt ein Signal zwischen Halbleitervorrichtungen einen Resonanzzustand an, wenn ein Unterschied der Impedanzen jedes Signalübertragungswegs vorliegt, und das kann eine Fehlfunktion bewirken. Da die Querschnittsfläche des Bonddrahtes kleiner als die Querschnittsfläche des Leitungsrahmens ist, erhöht sich der Anteil, der durch die Impedanz des Bonddrahtes eingenommen wird, zur gesamten Impedanz im Signalübertragungsweg (üblicherweise um das 100-bis 1000-fache). Daher wird durch das Bewirken, dass der Durchmesser und die Länge des Bonddrahtes, der für jeden Signalübertragungsweg verwendet wird, dieselben sind, bewirkt, dass die Impedanz der Signalleitung jeder Halbleitervorrichtung näherungsweise dieselbe ist, Resonanz, Schwingung, usw. der Halbleitervorrichtung werden unterdrückt. Daher wird bevorzugt, dass alle ersten Bonddrähte 324a und alle zweiten Bonddrähte 324b denselben Durchmesser und dieselbe Länge aufweisen.
  • Wie oben beschrieben ist, sind die Biegewinkel θ der gebogenen Abschnitte 371 der drei Steuerleitungsrahmen 325 verschieden. Unter Bezugnahme auf 4 sind die gebogenen Abschnitte 371 der drei Steuerleitungsrahmen 325 in der Richtung, die der Biegerichtung entgegengesetzt ist, mit anderen Worten, auf der Außenumfangsseite, näher an der ersten Halbleitervorrichtung 328 positioniert. Wenn die Längen der zweiten Leitungsrahmenabschnitte 327 der Steuerleitungsrahmen 325 im Wesentlichen dieselben sind, ist der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 des Steuerleitungsrahmens 325 auf der Seite der Biegerichtung, mit anderen Worten, der Innenumfangsseite, derart positioniert, dass sein distales Ende weiter von der Steuerelektrode 333 der zweiten Halbleitervorrichtung 329 entfernt positioniert ist. Daher ist die Position des anderen Endes des zweiten Bonddrahtes 324b, der dieselbe Länge von der Spitze des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 aufweist, von dem Bondabschnitt, der an den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 gebondet werden soll, verschieden. Der Biegewinkel θ jedes Steuerleitungsrahmens 325 und die Länge des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 sind derart eingestellt, dass das andere Ende des zweiten Bonddrahtes 324b, das im Wesentlichen dieselbe Länge wie der erste Bonddraht 324a aufweist, an den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 jedes Steuerleitungsrahmens 325 gebondet werden kann.
  • Um den Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a an den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 des Steuerleitungsrahmens 325 zu bonden, wird in einem Zustand, in dem der Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a an den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 gedrückt wird, in der Erstreckungsrichtung, das heißt, in der Längsrichtung des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326, eine Funkfrequenzschwingung auf den Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a aufgebracht. Zwischen dem Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a und dem ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 wird aufgrund der Schwingungsenergie, die auf den Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a aufgebracht wird, Reibungswärme erzeugt, derart, dass der Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a an den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 gebondet wird. Die Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 ist auf einer verlängerten Linie in der Längsrichtung des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 angeordnet. Die Steifigkeit in der Längsrichtung des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 ist größer als die Steifigkeit in der Richtung, die die längsgerichtete Steifigkeit kreuzt. Daher kann eine ausreichende Schwingungsenergie auf den Endabschnitt des ersten Bonddrahtes 324a aufgebracht werden, und zwischen dem ersten Bonddraht 324a und dem ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 kann eine ausreichende Bindungsfestigkeit erhalten werden.
  • Ebenso wird in einem Zustand, in dem der Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b an den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 gedrückt wird, in der Erstreckungsrichtung, das heißt, in der Längsrichtung, des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327, eine Funkfrequenzschwingung auf den Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b aufgebracht, um den Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b an den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 des Steuerleitungsrahmens 325 zu bonden. Zwischen dem zweiten Bonddraht 324b und dem zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 wird aufgrund der Schwingungsenergie, die auf den zweiten Bonddraht 324b aufgebracht wird, Reibungswärme erzeugt, derart, dass der Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b an den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 gebondet wird.
  • Die Steuerelektrode 333 der zweiten Halbleitervorrichtung 329 ist auf einer verlängerten Linie in der Längsrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 angeordnet. Die Steifigkeit in der Längsrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 ist größer als die Steifigkeit in der Richtung, die die längsgerichtete Steifigkeit kreuzt. Daher kann eine ausreichende Schwingungsenergie auf den Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b aufgebracht werden, und zwischen dem zweiten Bonddraht 324b und dem zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 kann eine ausreichende Bindungsfestigkeit erhalten werden.
  • Herkömmlicherweise ist der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 im Wesentlichen in Bezug auf den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 in einem rechten Winkel gebogen, und die Steuerelektrode 333 der zweiten Halbleitervorrichtung 329 ist in einer Richtung angeordnet, die zur Längsrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 orthogonal ist. Daher wird der Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b in einer Richtung in Schwingung versetzt, die zur Längsrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 orthogonal ist. Die Steifigkeit des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 in der Richtung, die zur Längsrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 orthogonal ist, das heißt, in der Breitenrichtung, ist klein, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 neigt dazu, zusammen mit der Funkfrequenzschwingung, die zur Zeit des Bondens gegeben ist, zu schwingen. Aus diesem Grund ist es unmöglich, auf den Endabschnitt des zweiten Bonddrahtes 324b und den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 während des Bondens eine große Schwingungsenergie aufzubringen, und eine ausreichende Bindungsfestigkeit kann nicht erhalten werden.
  • Wie in 2 veranschaulicht ist, sind mehrere der Steuerleitungsrahmen 325 mit der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung 330 und 331 des zweiten Schaltungskörpers 300L verbunden, wobei über die ersten und zweiten Bonddrähte 324a und 324b die Verbindungsstruktur des unteren Zweigs gebildet ist. Der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 des Steuerleitungsrahmens 325, der mit dem zweiten Schaltungskörper 300L verbunden ist, ist in einer Richtung gebogen, die dem zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 des Steuerleitungsrahmens 325 gegenüberliegt, der mit dem ersten Schaltungskörper 300U verbunden ist, wobei die Verbindungsstruktur des oberen Zweigs gebildet ist. Das heißt, er ist in Bezug auf die Begrenzungslinie zwischen dem ersten Schaltungskörper 300U und dem zweiten Schaltungskörper 300L symmetrisch. Jedoch verläuft die Mittenlinie in der Breitenrichtung des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 im Steuerleitungsrahmen 325, der mit dem zweiten Schaltungskörper 300L verbunden ist, ebenfalls durch die Mitte in der Breitenrichtung der entsprechenden Steuerelektrode 332. Außerdem verläuft die Mittenlinie in der Breitenrichtung jedes zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 durch die Mitte in der Breitenrichtung der entsprechenden Steuerelektrode 333. Daher kann in der Verbindungsstruktur des unteren Zweigs ebenfalls dieselbe Wirkung wie in der Verbindungsstruktur des oberen Zweigs erhalten werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, können die folgenden funktionstechnischen Wirkungen erhalten werden.
    • (1) Das Leistungshalbleitermodul 300 ist mit dem Steuerleitungsrahmen 325 versehen, der über den ersten Bonddraht 324a mit der Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 verbunden ist und über den zweiten Bonddraht 324b mit der Steuerelektrode 333 der zweiten Halbleitervorrichtung 329 verbunden ist. Der Steuerleitungsrahmen 325 enthält den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326, den gebogenen Abschnitt 371 und den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327, der über den gebogenen Abschnitt 371 mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 verbunden ist. Ein Ende des ersten Bonddrahtes 324a ist mit der Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 verbunden, und das andere Ende des ersten Bonddrahtes 324a ist mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 oder dem gebogenen Abschnitt 371 verbunden. Die Mittenlinie in der Breitenrichtung des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 erstreckt sich in einer Richtung, die mit der Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 überlappt, und die Mittenlinie in der Breitenrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 erstreckt sich in der Richtung, die die zweite Steuerelektrode 333 der zweiten Halbleitervorrichtung 329 überlappt. Daher ist die Schwingungsrichtung der Endabschnitts des ersten und des zweiten Bonddrahtes 324a und 324b eine Richtung, in der die Steifigkeit des ersten und des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 326 und 327 groß ist, wenn der erste und der zweite Bonddrahtabschnitt 324a und 324b an den ersten und zweiten Leitungsrahmenabschnitt 326 und 327 gebondet werden. Dies macht es möglich, zur Zeit des Bondens eine hohe Schwingungsenergie aufzubringen, und es ist möglich, die Bindungsfestigkeit zu erhöhen.
    • (2) Der Winkel des gebogenen Abschnitts 371 und die Länge des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 sind derart eingestellt, dass bewirkt werden kann, dass die Länge des ersten Bonddrahtes 324a, der die Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 und den ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 oder den gebogenen Abschnitt 371 verbindet, und die Länge des zweiten Bonddrahtes 324b, der die Steuerelektrode 333 der zweiten Halbleitervorrichtung 329 und den zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 verbindet, einander gleich sind. Daher ist es möglich zu bewirken, dass die Impedanzen des ersten Bonddrahtes 324a und des zweiten Bonddrahtes 324b einander gleich sind, und Resonanz, Schwingung, usw. zwischen der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 zu unterdrücken, die parallelgeschaltet sind.
  • In der obigen Ausführungsform verläuft die Mittenlinie in der Breitenrichtung jedes ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 durch die Mitte in der Breitenrichtung der entsprechenden Steuerelektrode 332, und die Mittenlinie in der Breitenrichtung jedes zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 verläuft durch die Mitte in der Breitenrichtung der entsprechenden Steuerelektrode 333. Jedoch ist es selbst dann, wenn die Mittenlinie in der Breitenrichtung des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 nicht mit der Mitte in der Breitenrichtung der Steuerelektrode 332 übereinstimmt, ausreichend, wenn die verlängerte Linie des ersten Leitungsrahmenabschnitts 326 die Steuerelektrode 332 überlappt. Ebenso ist es selbst dann, wenn die Mittenlinie in der Breitenrichtung des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 nicht mit der Mitte in der Breitenrichtung der Steuerelektrode 333 übereinstimmt, ausreichend, wenn die verlängerte Linie des zweiten Leitungsrahmenabschnitts 327 die Steuerelektrode 332 überlappt.
  • Ferner muss sich der ersten Leitungsrahmenabschnitt 326 lediglich in einer Richtung, die mit der ersten Halbleitervorrichtung 328 überlappt, vom gebogenen Abschnitt 371 in Richtung der Seite, die der Seite der ersten Halbleitervorrichtung 328 gegenüberliegt, erstrecken, und der erste Leitungsrahmenabschnitt 326 muss sich nicht notwendigerweise in einer Richtung erstrecken, die mit der Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 überlappt. Ebenso muss sich der zweiten Leitungsrahmenabschnitt 327 lediglich in einer Richtung, die mit der zweiten Halbleitervorrichtung329 überlappt, vom gebogenen Abschnitt 371 in Richtung der Seite der zweiten Halbleitervorrichtung 329 erstrecken, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt 327 muss sich nicht notwendigerweise in einer Richtung erstrecken, die mit der Steuerelektrode 332 der ersten Halbleitervorrichtung 328 überlappt.
  • In jeder der obigen Ausführungsformen ist das Leistungshalbleitermodul 300 beispielhaft erläutert, das mehrere Steuerleitungsrahmen 325 enthält, die mit mehreren der Steuerelektroden 332 und 333 der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 verbunden sind. Jedoch ist die vorliegende Erfindung ebenso auf einen Fall anwendbar, in dem lediglich ein Steuerleitungsrahmen 325 mit den Steuerelektroden 332 und 333 der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung 328 und 329 verbunden ist.
  • Liste der Bezugszeichen
    • 300
    Leistungshalbleitermodul
    324a
    erster Bonddraht
    324b
    zweiter Bonddraht
    325
    Steuerleitungsrahmen
    326
    erster Leitungsrahmenabschnitt
    327
    zweiter Leitungsrahmenabschnitt
    328, 330
    erste Halbleitervorrichtung
    329, 331
    zweite Halbleitervorrichtung
    332, 333
    Steuerelektrode
    371
    gebogener Abschnitt
    θ
    Biegewinkel

Claims (3)

  1. Leistungshalbleitermodul (300), das Folgendes umfasst: eine erste Halbleitervorrichtung (328, 330); eine zweite Halbleitervorrichtung (329, 331), die mit der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) elektrisch parallelgeschaltet ist; und einen Steuerleitungsrahmen (325), der über einen ersten Bonddraht (324a) mit einer Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbunden ist und über einen zweiten Bonddraht (324b) mit einer Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbunden ist, wobei der Steuerleitungsrahmen (325) einen ersten Leitungsrahmenabschnitt (326), einen gebogenen Abschnitt (371) und einen zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327), der über den gebogenen Abschnitt (371) mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) verbunden ist, enthält, ein Ende des ersten Bonddrahtes (324a) mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbunden ist, das andere Ende des ersten Bonddrahtes (324a) mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) oder dem gebogenen Abschnitt (371) verbunden ist, ein Ende des zweiten Bonddrahtes (324b) mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbunden ist, das andere Ende des zweiten Bonddrahtes (324b) mit dem zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327) verbunden ist, der erste Leitungsrahmenabschnitt (326) sich in einer Richtung, die mit der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) überlappt, vom gebogenen Abschnitt (371) in Richtung einer Seite erstreckt, die der Seite der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) gegenüberliegt, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) sich in einer Richtung, die mit der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt, vom gebogenen Abschnitt (371) in Richtung der Seite der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) erstreckt, wobei der erste Leitungsrahmenabschnitt (326) sich in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) überlappt, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) sich in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt, wobei das Leistungshalbleitermodul (300) mehrere der Steuerleitungsrahmen (325) umfasst, wobei die erste Halbleitervorrichtung (328, 330) und die zweite Halbleitervorrichtung (329, 331) jeweils mehrere der Steuerelektroden aufweisen, die mit den Steuerleitungsrahmen (325) verbunden sind, und die Längen von mehreren ersten Bonddrähten, die den ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) oder den gebogenen Abschnitt (371) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbinden, und die Länge von mehreren zweiten Bonddrähten, die den zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) und die Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbinden, alle dieselben sind.
  2. Leistungshalbleitermodul (300) nach Anspruch 1, wobei der Winkel des gebogenen Abschnitts (371) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) und die Länge des zweiten Leitungsrahmenabschnitts (327) derart eingestellt sind, dass die Länge des ersten Bonddrahtes (324a), der die Steuerelektrode und den ersten Leitungsrahmen oder den gebogenen Abschnitt (371) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbindet, und die Länge des zweiten Bonddrahtes (324b), der die Steuerelektrode und den zweiten Leitungsrahmen der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbindet, angeglichen sind.
  3. Leistungshalbleitermodul (300) nach Anspruch 2, wobei die Winkel der gebogenen Abschnitte (371) der Steuerleitungsrahmen (325) voneinander abweichen, derart, dass sich der zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt.
DE112017002605.9T 2016-07-29 2017-06-30 Leistungshalbleitermodul Active DE112017002605B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-149181 2016-07-29
JP2016149181 2016-07-29
PCT/JP2017/024078 WO2018020953A1 (ja) 2016-07-29 2017-06-30 パワー半導体モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112017002605T5 DE112017002605T5 (de) 2019-02-14
DE112017002605B4 true DE112017002605B4 (de) 2024-05-02

Family

ID=61017245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112017002605.9T Active DE112017002605B4 (de) 2016-07-29 2017-06-30 Leistungshalbleitermodul

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10615102B2 (de)
JP (1) JP6619518B2 (de)
CN (1) CN109478546B (de)
DE (1) DE112017002605B4 (de)
WO (1) WO2018020953A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7119399B2 (ja) * 2018-02-06 2022-08-17 株式会社デンソー 半導体装置
JP2019153752A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US11069640B2 (en) 2019-06-14 2021-07-20 Cree Fayetteville, Inc. Package for power electronics

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011017955A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Canon Inc ベルト駆動制御装置及び画像形成装置
JP2014022580A (ja) 2012-07-19 2014-02-03 Rohm Co Ltd パワーモジュール半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110250A (en) * 1980-02-06 1981-09-01 Hitachi Ltd Lead frame
KR100993276B1 (ko) * 2002-04-30 2010-11-10 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체장치 및 전자 장치
JP5048627B2 (ja) * 2008-10-27 2012-10-17 新電元工業株式会社 リードフレーム及び半導体装置
JP5618595B2 (ja) 2010-04-01 2014-11-05 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュール、およびパワーモジュールを備えた電力変換装置
JP5805513B2 (ja) * 2011-12-14 2015-11-04 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP6115738B2 (ja) * 2013-02-05 2017-04-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6154342B2 (ja) * 2013-12-06 2017-06-28 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP6165689B2 (ja) * 2014-08-20 2017-07-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011017955A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Canon Inc ベルト駆動制御装置及び画像形成装置
JP2014022580A (ja) 2012-07-19 2014-02-03 Rohm Co Ltd パワーモジュール半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018020953A1 (ja) 2018-02-01
US20190295929A1 (en) 2019-09-26
DE112017002605T5 (de) 2019-02-14
JP6619518B2 (ja) 2019-12-11
CN109478546B (zh) 2022-08-30
JPWO2018020953A1 (ja) 2019-02-14
CN109478546A (zh) 2019-03-15
US10615102B2 (en) 2020-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016207543B4 (de) Halbleitervorrichtungen
DE112013003222B4 (de) Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtungsverbindungsstruktur
DE112011105247B4 (de) Leistungsmodul
DE102015121680B4 (de) Leistungshalbleitermodul, das eine flexible leiterplattenverbindung mit einer niedrigen gate-treiberinduktivität aufweist und verfahren zum herstellen
DE212018000087U1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102015101086B4 (de) Leistungshalbleitermodulanordnung
DE112017002605B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112015000156T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112020006524T5 (de) Halbleitermodul
DE112019000660T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112011101862T5 (de) Elektrische Verbindungsvorrichtung
DE112015004684T5 (de) Halbleitermodul
DE102015012915A1 (de) Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleitermodul für ein Leistungsmodul oder entsprechendes Verfahren
DE112019003733T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE212019000087U1 (de) Halbleitermodul
DE112019005313T5 (de) Halbleiterbauteil
DE102014104497B4 (de) Halbleitergehäuse mit mehreren ebenen und verfahren zu deren herstellung
DE102013201056A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102015108253B4 (de) Elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102020119169B4 (de) Schaltkomponenten
DE102015203849A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102017223596A1 (de) Halbleitervorrichtungsgehäuse mit gemeinsamem Kontakt
DE102020204406A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE112019004559T5 (de) Halbleiterbauteil
DE112016007520T5 (de) Leistungswandler

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: HITACHI ASTEMO, LTD., HITACHINAKA-SHI, JP

Free format text: FORMER OWNER: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD., HITACHINAKA-SHI, IBARAKI, JP

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division