JP6619518B2 - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Description
パワー半導体素子は、複数個が電気的に並列に接続されることにより、大出力化が図られる。
なお、ボンディングワイヤをリードフレームにボンディングするには、ボンディングワイヤをリードフレームに加圧した状態で高周波振動を加え、ボンディングワイヤに与える振動エネルギによりボンディングワイヤとリードフレーム間に発生する摩擦熱によりボンディングする。
インバータ回路等の電力変換回路を内蔵するパワー半導体モジュールは、電気自動車、ハイブリッド自動車(HEV)、プラグインハイブリッド自動車(PHV)等の車両に搭載される。インバータ回路を内蔵するパワー半導体モジュールを並列接続して3相インバータを構成することができる。インバータ回路をバッテリに接続してモータジェネレータをモータとして作動させる。また、モータジェネレータをエンジンの動力により作動させて、インバータ回路を介してバッテリを充電することができる。
以下では、インバータ回路を内蔵するパワー半導体モジュールを一実施の形態として説明する。
上述したように、パワー半導体モジュール300には、直流電力と交流電力とを相互に変換するインバータ回路が内蔵されている。パワー半導体モジュール300は、インバータ回路の上アームを構成する第1回路体300Uと、下アームを構成する第2回路体300Lを備える。パワー半導体モジュール300は、交流電力を入出力する交流端子159を備える。交流端子159は、モータジェネレータに対し、U相、V相、W相からなる3相のいずれかの交流電力を入出力する。
また、パワー半導体モジュール300は、直流正極端子157と直流負極端子158を備える。直流正極端子157と直流負極端子158は、それぞれ、不図示のバッテリおよびコンデンサに接続され直流電力を入出力する。さらに、パワー半導体モジュール300は、供給された直流電力を交流電力に変換するスイッチング素子としてのパワー半導体素子を備える。
パワー半導体素子は、第1半導体素子328、330、第2半導体素子329、331、第3半導体素子166、168、第4半導体素子167、169を含んでいる。第1半導体素子328、330、第2半導体素子329、331は、例えば、IGBT(ゲート絶縁型バイポーラトランジスタ)である。IGBTに替えて、MOSFET(金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ)を用いてもよい。
第3半導体素子166、168および第4半導体素子167、169は、例えば、ダイオードである。
第1半導体素子328と第2半導体素子329、第3半導体素子166、第4半導体素子167は、インバータ回路の第1回路体300Uを構成する。
第1半導体素子330と第2半導体素子331、第3半導体素子168、第4半導体素子169は、インバータ回路の第2回路体300Lを構成する。
第4導体部341Lは、直流負極端子158に接続され、第3導体部342Lは、中間接続部310に接続される。第2導体部341Uと第3導体部342Lは、中間接続部310に接続される。中間接続部310は交流端子159に接続される。
図1に関して記載された各部材名とその参照番号は、図2、図3においても、同一の部材名と参照番号とされている。
パワー半導体モジュール300を構成する第1回路体300Uと第2回路体300Lは、隣接して配置されている。第1回路体300Uは、対向して配置された第1導体部342Uと第2導体部341Uとの間に、第1、第2半導体素子328、329および第3、第4半導体素子166、167を挟んだ構造を有し、ほぼ薄板状の直方体形状に形成されている。第1半導体素子328と第2半導体素子329は、それぞれ、板状の半導体基板であり、相互に離間して隣接して配置されている。また、第3半導体素子166と第4半導体素子167は、それぞれ、板状の半導体基板であり、相互に離間して隣接して配置されている。
同様に、第2回路体300Lは、対向して配置された第3導体部342Lと第4導体部341Lとの間に、第1、第2半導体素子330、331および第3、第4半導体素子168、169を挟んだ構造を有し、ほぼ薄板状の直方体形状に形成されている。第2回路体300Lの第1半導体素子330と第2半導体素子331は、第1回路体300Uの第1、第2半導体素子328、329と同様、それぞれ、板状の半導体基板部材であり、相互に離間して隣接して配置されている。また、第2回路体の第3半導体素子168と第4半導体素子169は、第1回路体の第3、第4半導体素子166、167と同様、それぞれ、板状の半導体基板部材であり、相互に離間して隣接して配置されている。
第1導体部342Uと第3導体部342Lとの境界部の上方には、板状の直流負極端子158が配置されている。第4導体部341Lには、直流負極接続部158aが板金加工等により一体成型されている。直流負極接続部158aは、直流負極端子158に対向する位置まで延在され、はんだ等の接合材362(図3参照)により直流負極端子158に接合されている。直流正極端子157および直流負極端子158には、直流電源等の不図示の外部装置が接続され電力が供給される。
第1回路体300Uと第2回路体300Lとは、上述のように実装され、図1に図示されるインバータ回路を構成している。
上述したように、第1回路体300Uの第1、第2半導体素子330、331には、複数の制御用リードフレーム325が第1、第2ボンディングワイヤ324a、324bを介して接続されている。また、第2回路体300Lの第1、第2半導体素子328、329には、複数の制御用リードフレーム325が第1、第2ボンディングワイヤ324a、324bを介して接続されている。以下、制御用リードフレーム325と第1、第2半導体素子328、329の接続構造(上アーム接続構造)、および制御用リードフレーム325と第1、第2半導体素子330、331との接続構造(下アーム接続構造)を説明する。
但し、上アーム接続構造と上アーム接続構造とは、ほぼ同じであるので、以下では、上アーム接続構造について説明することとする。
第2リードフレーム部327は、屈曲部371において、第1リードフレーム部326に対し、90度よりも小さい屈曲角θで屈曲されている。
なお、第1、第2半導体素子328、329の一面には、制御電極332、333を除くほぼ全領域にエミッタ電極が形成され、第1、第2半導体素子328、329の他面側のほぼ全面には、コレクタ電極が形成されている。
各第1リードフレーム部326の幅方向の中心線は、対応する制御電極332の幅方向の中心を通っている。各第2リ−ドフレーム部327の幅方向の中心線は、対応する制御電極333の幅方向の中心を通っている。第2リ−ドフレーム部327は第1リードフレーム326に対して屈曲されているため、制御電極333の配列方向に対する第2リ−ドフレーム部327の間隔は、制御電極333の間隔とは異なっている。従って、各制御用リードフレーム325の第1リードフレーム部326に対する第2リードフレーム部327の屈曲角θは同一ではない。但し、第2リ−ドフレーム部327の幅および/または間隔を調整して、第1リードフレーム部326に対する第2リードフレーム部327の屈曲角θが等しくなるように、換言すれば、第2リードフレーム部327が相互に平行に配列されるようにしてもよい。
また、各制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327と制御電極333は、第2ボンディングワイヤ324bにより接続されている。第1ボンディングワイヤ324aと第2ボンディングワイヤ324bの直径および長さはほぼ同一である。
(1)パワー半導体モジュール300は、第1ボンディングワイヤ324aを介して第1半導体素子328の制御電極332に接続され、第2ボンディングワイヤ324bを介して第2半導体素子329の制御電極333と接続される制御用リードフレーム325を備えている。制御用リードフレーム325は、第1リードフレーム部326と、屈曲部371と、当該屈曲部371を介して第1リードフレーム部326に接続される第2リードフレーム部327と、を有する。第1ボンディングワイヤ324aの一端は、第1半導体素子328の制御電極332に接続され、第1ボンディングワイヤ324aの他端は、第1リードフレーム部326または屈曲部371に接続されている。第1リードフレーム部326の幅方向の中心線は、第1半導体素子328の制御電極332と重なる方向に延在され、第2リードフレーム部327の幅方向の中心線は、第2半導体素子329の制御電極333と重なる方向に延在されている。このため、第1、第2ボンディングワイヤ部324a、324bを第1、第2リードフレーム部326、327をボンディングする際、第1、第2ボンディングワイヤ32a、324bの端部の振動方向が1、第2リードフレーム部326、327の剛性が大きい方向になる。これにより、ボンディング時に、大きな振動エネルギを与えることが可能となり、接合強度を大きくすることができる。
324a 第1ボンディングワイヤ
324b 第2ボンディングワイヤ
325 制御用リードフレーム
326 第1リードフレーム部
327 第2リードフレーム部
328、330 第1半導体素子
329、331 第2半導体素子
332、333 制御電極
371 屈曲部
θ 屈曲角
Claims (5)
- 第1半導体素子と、
前記第1半導体素子と電気的に並列に接続される第2半導体素子と、
第1ボンディングワイヤを介して前記第1半導体素子の制御電極に接続され、第2ボンディングワイヤを介して前記第2半導体素子の制御電極に接続される制御用リードフレームと、を備え、
前記制御用リードフレームは、第1リードフレーム部と、屈曲部と、当該屈曲部を介して前記第1リードフレーム部に接続される第2リードフレーム部と、を有し、
前記第1ボンディングワイヤの一端は、前記第1半導体素子の前記制御電極に接続され、前記第1ボンディングワイヤの他端は、前記第1リードフレーム部または前記屈曲部に接続され、
前記第2ボンディングワイヤの一端は、前記第2半導体素子の前記制御電極に接続され、前記第2ボンディングワイヤの他端は、前記第2リードフレーム部に接続され、
前記第1リードフレーム部は、前記屈曲部から前記第1半導体素子側とは反対側に向けて前記第1半導体素子と重なる方向に延在され、
前記第2リードフレーム部は、前記屈曲部から前記第2半導体素子側に向けて、前記第2半導体素子と重なる方向に延在されている、パワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記第1リードフレーム部は、前記第1半導体素子の前記制御電極と重なる方向に延在され、
前記第2リードフレーム部は、前記第2半導体素子の前記制御電極と重なる方向に延在されている、パワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
複数の前記制御用リードフレームを有し、
前記第1半導体素子および前記第2半導体素子は、それぞれ、前記各制御用リードフレームに接続される複数の前記制御電極を有し、
前記各制御用リードフレームの前記第1リードフレーム部または前記屈曲部と前記第1半導体素子の前記制御電極を接続する複数の前記第1ボンディングワイヤの長さ、および前記各制御用リードフレームの前記第2リードフレーム部と前記第2半導体素子の前記制御電極を接続する複数の前記第2ボンディングワイヤの長さは、すべて同一である、パワー半導体モジュール。 - 請求項3に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記各制御用リードフレームの前記屈曲部の角度と前記第2リードフレーム部の長さは、それぞれ、前記第1半導体素子の前記制御電極と第1リードフレーム部または前記屈曲部とを接続する前記第1ボンディングワイヤの長さと、前記第2半導体素子の前記制御電極と前記第2リードフレーム部とを接続する前記第2ボンディングワイヤの長さとを等しくすることができるように設定されている、パワー半導体モジュール。 - 請求項4に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記各制御用リードフレームの前記屈曲部の角度は、前記第2リードフレーム部が前記第2半導体素子の前記制御電極と重なる方向に延在されるように相互に異なっている、パワー半導体モジュール。
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