WO2018020953A1 - パワー半導体モジュール - Google Patents

パワー半導体モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2018020953A1
WO2018020953A1 PCT/JP2017/024078 JP2017024078W WO2018020953A1 WO 2018020953 A1 WO2018020953 A1 WO 2018020953A1 JP 2017024078 W JP2017024078 W JP 2017024078W WO 2018020953 A1 WO2018020953 A1 WO 2018020953A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead frame
semiconductor element
bonding wire
control
frame portion
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/024078
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
佑輔 高木
健 徳山
俊 河野
志村 隆弘
晃 松下
Original Assignee
日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立オートモティブシステムズ株式会社 filed Critical 日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority to US16/316,875 priority Critical patent/US10615102B2/en
Priority to JP2018529462A priority patent/JP6619518B2/ja
Priority to CN201780044201.3A priority patent/CN109478546B/zh
Priority to DE112017002605.9T priority patent/DE112017002605B4/de
Publication of WO2018020953A1 publication Critical patent/WO2018020953A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • H01L23/4952Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537Plurality of lead frames mounted in one device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a power semiconductor module.
  • the power semiconductor module includes, for example, a power semiconductor element such as an insulated gate bipolar transistor (hereinafter referred to as IGBT) that constitutes an inverter circuit or the like.
  • the power semiconductor element is bonded to a metal plate by a bonding material such as solder and is mounted so as to be able to release heat generated inside.
  • the control electrode of the power semiconductor element is connected to the control lead frame by a bonding wire and is connected to an external device such as a control circuit.
  • a large number of power semiconductor elements are connected electrically in parallel, thereby increasing the output.
  • a control lead frame that electrically connects a plurality of power semiconductor elements in parallel has, for example, a structure having a branch frame portion extending from one lead body in a direction perpendicular to the lead body. Then, the lead main body and the branch lead frame portion are bonded to each power semiconductor element by a bonding wire (see, for example, FIG. 9 of Patent Document 1).
  • the end portion of the bonding wire is disposed on the distal end side of the branch lead frame portion.
  • the end portion of the bonding wire is vibrated in a direction perpendicular to the direction in which the power semiconductor element is disposed, in other words, the direction in which the branch lead frame portion is extended.
  • the direction perpendicular to the direction in which the branch lead frame portion extends is a direction perpendicular to the longitudinal direction of the branch lead frame portion.
  • the branch lead frame portion in this direction has a small rigidity, it easily vibrates together with the high-frequency vibration applied during bonding. For this reason, a large vibration energy cannot be given to the bonding wire and the branch lead frame part, and a sufficient bonding strength for bonding the bonding wire and the branch lead frame part cannot be obtained.
  • the power semiconductor module includes a first semiconductor element, a second semiconductor element electrically connected in parallel with the first semiconductor element, and the first semiconductor element via a first bonding wire.
  • a control lead frame connected to the control electrode of the second semiconductor element via a second bonding wire, and the control lead frame is bent to a first lead frame portion.
  • a second lead frame portion connected to the first lead frame portion via the bent portion, and one end of the first bonding wire is connected to the control electrode of the first semiconductor element
  • the other end of the first bonding wire is connected to the first lead frame portion or the bent portion, and one end of the second bonding wire is connected to the second semiconductor.
  • the other end of the second bonding wire is connected to the second lead frame portion, and the first lead frame portion is opposite to the first semiconductor element side from the bent portion.
  • the second lead frame portion extends in a direction overlapping with the first semiconductor element toward the side, and the second lead frame portion extends in a direction overlapping with the second semiconductor element from the bent portion toward the second semiconductor element side.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of the power semiconductor module illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a region IV illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a circuit built in the power semiconductor module of the present invention.
  • the power semiconductor module 300 includes an inverter circuit that converts DC power and AC power into each other.
  • the power semiconductor module 300 includes a first circuit body 300U that constitutes the upper arm of the inverter circuit, and a second circuit body 300L that constitutes the lower arm.
  • the power semiconductor module 300 includes an AC terminal 159 that inputs and outputs AC power.
  • AC terminal 159 inputs / outputs three-phase AC power consisting of a U phase, a V phase, and a W phase to / from the motor generator.
  • the power semiconductor module 300 includes a DC positive terminal 157 and a DC negative terminal 158.
  • the DC positive terminal 157 and the DC negative terminal 158 are connected to a battery and a capacitor (not shown) and input / output DC power, respectively. Furthermore, the power semiconductor module 300 includes a power semiconductor element as a switching element that converts supplied DC power into AC power.
  • the power semiconductor module 300 includes a control lead frame 325 that receives a control signal from a driver circuit (not shown).
  • the power semiconductor element receives a control signal from the control lead frame 325, conducts or cuts off, and converts the supplied DC power into AC power.
  • the power semiconductor elements include first semiconductor elements 328 and 330, second semiconductor elements 329 and 331, third semiconductor elements 166 and 168, and fourth semiconductor elements 167 and 169.
  • the first semiconductor elements 328 and 330 and the second semiconductor elements 329 and 331 are, for example, IGBT (Gate Insulated Bipolar Transistor).
  • a MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • the third semiconductor elements 166 and 168 and the fourth semiconductor elements 167 and 169 are, for example, diodes.
  • the first semiconductor element 328, the second semiconductor element 329, the third semiconductor element 166, and the fourth semiconductor element 167 are connected to the first conductor portion 342U and the second conductor portion 341U.
  • the first conductor portion 342U is connected to the collector electrodes of the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329, and to the cathode electrodes of the third semiconductor element 166 and the fourth semiconductor element 167.
  • the emitter electrodes of the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329 are connected, and the anode electrodes of the third semiconductor element 166 and the fourth semiconductor element 167 are connected.
  • the first semiconductor element 328, the second semiconductor element 329, the third semiconductor element 166, and the fourth semiconductor element 167 constitute a first circuit body 300U of an inverter circuit.
  • the first semiconductor element 330, the second semiconductor element 331, the third semiconductor element 168, and the fourth semiconductor element 169 are connected to the third conductor portion 342L and the fourth conductor portion 341L.
  • the collector electrodes of the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331 are connected to the third conductor portion 342L, and are connected to the cathode electrodes of the third semiconductor element 168 and the fourth semiconductor element 169.
  • the fourth conductor portion 341L is connected to the emitter electrodes of the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331, and is connected to the anode electrodes of the third semiconductor element 168 and the fourth semiconductor element 169.
  • the first semiconductor element 330, the second semiconductor element 331, the third semiconductor element 168, and the fourth semiconductor element 169 constitute a second circuit body 300L of the inverter circuit.
  • the first conductor portion 342U is connected to the direct current positive electrode terminal 157, and the second conductor portion 341U is connected to the intermediate connection portion 310.
  • the fourth conductor portion 341L is connected to the DC negative electrode terminal 158, and the third conductor portion 342L is connected to the intermediate connection portion 310.
  • the second conductor portion 341U and the third conductor portion 342L are connected to the intermediate connection portion 310.
  • Intermediate connection 310 is connected to AC terminal 159.
  • Each of the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329 is a plate-like semiconductor substrate, and is disposed adjacent to and spaced from each other.
  • the third semiconductor element 166 and the fourth semiconductor element 167 are each a plate-like semiconductor substrate, and are arranged adjacent to each other while being separated from each other.
  • the second circuit body 300L includes the first and second semiconductor elements 330 and 331 and the third and fourth semiconductor elements between the third conductor portion 342L and the fourth conductor portion 341L that are disposed to face each other. It has a structure sandwiching 168 and 169, and is formed in a substantially thin plate-like rectangular parallelepiped shape.
  • the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331 of the second circuit body 300L are plate-like semiconductor substrate members, respectively. Are arranged adjacent to each other.
  • the third semiconductor element 168 and the fourth semiconductor element 169 of the second circuit body are plate-like semiconductor substrate members, respectively. Are arranged adjacent to each other.
  • the first conductor portion 342U and the third conductor portion 342L are arranged on the same plane, and the second conductor portion 341U and the fourth conductor portion 341L are on the same plane. Is arranged.
  • a plurality of control lead frames 325 are provided on the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329 of the first circuit body 300U, respectively, as the first bonding wire 324a or the second bonding wire 324b. Connected through.
  • a plurality of control lead frames 325 are connected to the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331 of the second circuit body 300L via the first bonding wire 324a or the second bonding wire 324b, respectively. Yes.
  • a DC positive terminal 157 is integrally formed on the first conductor portion 342U by sheet metal processing or the like.
  • a plate-like DC negative electrode terminal 158 is disposed above the boundary between the first conductor portion 342U and the third conductor portion 342L.
  • a DC negative electrode connecting portion 158a is integrally formed on the fourth conductor portion 341L by sheet metal processing or the like.
  • the DC negative electrode connecting portion 158a extends to a position facing the DC negative electrode terminal 158, and is bonded to the DC negative electrode terminal 158 by a bonding material 362 (see FIG. 3) such as solder.
  • An external device such as a DC power source is connected to the DC positive terminal 157 and the DC negative terminal 158 and supplied with power.
  • An AC terminal 159 is integrally formed on the third conductor portion 342L by sheet metal processing or the like.
  • the AC terminal 159 is an AC input / output unit connected to an external device such as an electric motor or an electric / generator.
  • the intermediate connection portion 310 is integrally formed on the second conductor portion 341U by sheet metal processing or the like.
  • the intermediate connection portion 310 extends to the second circuit body 300L side, and is joined to the inner surface of the third conductor portion 342L by a joining material 361 such as solder (see FIG. 3).
  • the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329 each have a plurality of control electrodes 332 and 333 formed on one surface.
  • One surface side of the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329 is bonded to the second conductor portion 341U via a bonding material 360 such as solder with the control electrodes 332 and 333 exposed, respectively.
  • the other surface sides of the first semiconductor element 328 and the second semiconductor element 329 are bonded to the first conductor portion 342U via a bonding material 360 such as solder.
  • An anode electrode is provided on one surface side of the third and fourth semiconductor elements 166 and 167, and each of the anode electrodes is bonded to the second conductor portion 341U via a bonding material 360 such as solder.
  • Cathode electrodes are provided on the other surface sides of the third and fourth semiconductor elements 166 and 167, and the cathode electrodes are respectively joined to the first conductor portion 342U via a joining material 360 such as solder.
  • the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331 respectively have a plurality of control electrodes 332 and 333 on one surface.
  • One surface side of the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331 is bonded to the fourth conductor portion 341L via a bonding material 360 such as solder with the control electrode terminals 332 and 333 exposed, respectively.
  • the other surface sides of the first semiconductor element 330 and the second semiconductor element 331 are respectively joined to the third conductor portion 342L via a joining material 360 such as solder.
  • An anode electrode is provided on one surface side of the third and fourth semiconductor elements 168 and 169, and the anode electrode is bonded to the fourth conductor portion 341L via a bonding material 360 such as solder.
  • Cathode electrodes are provided on the other surface sides of the third and fourth semiconductor elements 168 and 169, and the cathode electrodes are respectively joined to the third conductor portion 342L via a joining material 360 such as solder.
  • the first circuit body 300U and the second circuit body 300L are mounted as described above, and constitute the inverter circuit shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of region IV shown in FIG.
  • the plurality of control lead frames 325 are connected to the first and second semiconductor elements 330 and 331 of the first circuit body 300U via the first and second bonding wires 324a and 324b.
  • a plurality of control lead frames 325 are connected to the first and second semiconductor elements 328 and 329 of the second circuit body 300L via first and second bonding wires 324a and 324b.
  • a connection structure (upper arm connection structure) between the control lead frame 325 and the first and second semiconductor elements 328 and 329 and a connection structure between the control lead frame 325 and the first and second semiconductor elements 330 and 331 ( Lower arm connection structure) will be described.
  • the upper arm connection structure and the upper arm connection structure are substantially the same, the upper arm connection structure will be described below.
  • the control lead frame 325 is formed by sheet metal processing or the like, and includes a first lead frame portion 326, a second lead frame portion 327, and a bent portion 371.
  • the second lead frame portion 327 is bent at a bending angle ⁇ smaller than 90 degrees with respect to the first lead frame portion 326 at the bent portion 371.
  • An emitter electrode is formed on one surface of the first and second semiconductor elements 328 and 329 in almost the entire region except for the control electrodes 332 and 333, and almost on the other surface side of the first and second semiconductor elements 328 and 329.
  • a collector electrode is formed on the entire surface.
  • the first lead frame portion 326 extends from the bent portion 371 to the side opposite to the first semiconductor element 328, and the second lead frame portion 327 extends from the bent portion 371 toward the first semiconductor element 328 side. Be present.
  • the center line in the width direction of each first lead frame portion 326 passes through the center in the width direction of the corresponding control electrode 332.
  • the center line in the width direction of each second lead frame portion 327 passes through the center in the width direction of the corresponding control electrode 333. Since the second lead frame portion 327 is bent with respect to the first lead frame 326, the interval between the second lead frame portions 327 with respect to the arrangement direction of the control electrodes 333 is different from the interval between the control electrodes 333. ing.
  • the bending angle ⁇ of the second lead frame portion 327 with respect to the first lead frame portion 326 of each control lead frame 325 is not the same.
  • the width and / or interval of the second lead frame part 327 is adjusted so that the bending angle ⁇ of the second lead frame part 327 with respect to the first lead frame part 326 becomes equal, in other words, the second lead frame part 327 has the same bending angle ⁇ .
  • the lead frame portions 327 may be arranged in parallel to each other.
  • each control electrode 332, 333 is subjected to metal plating suitable for bonding such as Ni plating or Au plating.
  • the first lead frame portion 326 and the control electrode 332 of each control lead frame 325 are connected by a first bonding wire 324a. That is, one end of the first bonding wire 324a is bonded to the control electrode 332, and the other end of the first bonding wire 324a is bonded to the first lead frame portion 326.
  • the joint portion between the other end of the first bonding wire 324a and the first lead frame portion 326 may be a bent portion 371.
  • the second lead frame portion 327 and the control electrode 333 of each control lead frame 325 are connected by a second bonding wire 324b.
  • the diameter and length of the first bonding wire 324a and the second bonding wire 324b are substantially the same.
  • the signal will resonate between the semiconductor elements, causing malfunctions.
  • the cross-sectional area of the bonding wire is smaller than the cross-sectional area of the lead frame, the ratio of the bonding wire impedance to the entire impedance in the signal transmission path is large (usually 100 to 1000 times). Therefore, by making the diameter and length of the bonding wire used for each signal transmission path the same, the impedance of the signal line of each semiconductor element is made substantially the same, and the resonance and oscillation of the semiconductor element are suppressed. For this reason, it is preferable that all the first bonding wires 324a and all the second bonding wires 324b have the same diameter and length.
  • the joint portion where the other end of the second bonding wire 324b having the same length is bonded to the second lead frame portion 327 has a different position from the tip of the second lead frame portion 327.
  • the bending angle ⁇ of each control lead frame 325 and the length of the second lead frame portion 327 are set so that the other end of the second bonding wire 324b having substantially the same length as the first bonding wire 324a is connected to each control lead frame 325.
  • the second lead frame portion 327 needs to be set so as to allow bonding.
  • the control electrode 332 of the first semiconductor element 328 is disposed on an extension line in the longitudinal direction of the first lead frame portion 326.
  • the rigidity of the first lead frame portion 326 in the longitudinal direction is larger than the rigidity in the direction crossing the first lead frame part 326. Therefore, sufficient vibration energy can be applied to the end portion of the first bonding wire 324a, and sufficient bonding strength can be obtained between the first bonding wire 324a and the first lead frame portion 326.
  • the end portion of the second bonding wire 324b is pressurized to the second lead frame portion 327.
  • high-frequency vibration is applied to the end portion of the second bonding wire 324b in the extending direction of the second lead frame portion 327, that is, the longitudinal direction.
  • the vibrational energy applied to the second bonding wire 324b generates frictional heat between the second bonding wire 324b and the second lead frame portion 327, and the end portion of the second bonding wire 324b is bonded to the second lead frame portion 327.
  • the second lead frame part 327 is bent at a substantially right angle with respect to the first lead frame part 326, and the control electrode 333 of the second semiconductor element 329 is in the longitudinal direction of the second lead frame part 327.
  • the structure is arranged in a direction orthogonal to each other. Therefore, the end portion of the second bonding wire 324b is vibrated in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the second lead frame portion 327.
  • the rigidity of the second lead frame portion 327 in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the second lead frame portion 327, that is, the width direction, is small and easily vibrates together with the high-frequency vibration applied during bonding. For this reason, a large vibration energy cannot be given to the end portion of the second bonding wire 324b and the second lead frame portion 327 at the time of bonding, and sufficient bonding strength cannot be obtained.
  • a plurality of control lead frames 325 are provided on the first and second semiconductor elements 330 and 331 of the second circuit body 300 ⁇ / b> L constituting the lower arm connection structure. They are connected via 324a and 324b.
  • the second lead frame portion 327 of the control lead frame 325 connected to the second circuit body 300L is the second lead frame of the control lead frame 325 connected to the first circuit body 300U constituting the upper arm connection structure.
  • the portion 327 is bent in the opposite direction. That is, it is symmetrical with respect to the boundary line between the first circuit body 300U and the second circuit body 300L.
  • the center line in the width direction of the first lead frame portion 326 passes through the center in the width direction of the corresponding control electrode 332.
  • the center line in the width direction of each second lead frame portion 327 passes through the center in the width direction of the corresponding control electrode 333. Therefore, the same effect as the upper arm connection structure can be obtained in the lower arm connection structure.
  • the center line in the width direction of the first lead frame portion 326 extends in a direction overlapping the control electrode 332 of the first semiconductor element 328, and the center line in the width direction of the second lead frame portion 327 is the second semiconductor element 329.
  • the control electrode 333 extends in a direction overlapping the control electrode 333. Therefore, when the first and second bonding wire portions 324a and 324b are bonded to the first and second lead frame portions 326 and 327, the vibration direction of the end portions of the first and second bonding wires 32a and 324b is 1.
  • the rigidity of the second lead frame portions 326 and 327 is increased. Thereby, it becomes possible to give big vibration energy at the time of bonding, and it can enlarge joint strength.
  • the angle of the bent portion 371 and the length of the second lead frame portion 327 are determined by the first bonding wire 324a connecting the control electrode 332 of the first semiconductor element 328 and the first lead frame portion 326 or the bent portion 371.
  • the length is set to be equal to the length of the second bonding wire 324b connecting the control electrode 333 of the second semiconductor element 329 and the second lead frame portion 327. For this reason, the impedances of the first bonding wire 324a and the second bonding wire 324b can be made equal, and the resonance and oscillation between the first and second semiconductor elements 328 and 329 connected in parallel can be suppressed. Can do.
  • the center line in the width direction of each first lead frame portion 326 passes through the center in the width direction of the corresponding control electrode 332, and the width direction of each second lead frame portion 327.
  • the center line is illustrated as a structure passing through the center of the corresponding control electrode 333 in the width direction.
  • the extension line of the first lead frame portion 326 overlaps the control electrode 332.
  • the extension line of the second lead frame portion 327 only needs to overlap the control electrode 332.
  • the power semiconductor module 300 including the plurality of control lead frames 325 connected to the plurality of control electrodes 332 and 333 of the first and second semiconductor elements 328 and 329 is exemplified.
  • the present invention can be applied even when the number of control lead frames 325 connected to the control electrodes 332 and 333 of the first and second semiconductor elements 328 and 329 is one.
  • the power semiconductor module 300 including the control lead frame 325 described above is merely illustrated as an example, and the present invention is not limited to these contents. Other embodiments conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

電気的に並列に接続される複数の半導体素子に接合されるボンディングワイヤとリードフレームとの接合強度を向上する。 第1ボンディングワイヤ324aは、その一端および他端が、第1半導体素子328の制御電極332および第1リードフレーム部326または屈曲部371に接続され、第2ボンディングワイヤ324bは、その一端および他端が、第2半導体素子329の制御電極333および第2リードフレーム部327に接続されている。第1リードフレーム部326は、屈曲部371から第1半導体素子328側とは反対側に向けて第1半導体素子328と重なる方向に延在され、第2リードフレーム部329は、屈曲部371から第2半導体素子側329に向けて、第2半導体素子329と重なる方向に延在されている。

Description

パワー半導体モジュール
 本発明は、パワー半導体モジュールに関する。
 パワー半導体モジュールは、例えば、インバータ回路等を構成する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下、IGBTと記載する)等のパワー半導体素子を備えている。パワー半導体素子は、はんだ等の接合材により金属板に接合され、内部で発生する熱を放出可能に実装されている。パワー半導体素子の制御電極は、ボンディングワイヤにより制御用リードフレームに接続され、制御回路等の外部装置に接続される。
 パワー半導体素子は、複数個が電気的に並列に接続されることにより、大出力化が図られる。
 なお、ボンディングワイヤをリードフレームにボンディングするには、ボンディングワイヤをリードフレームに加圧した状態で高周波振動を加え、ボンディングワイヤに与える振動エネルギによりボンディングワイヤとリードフレーム間に発生する摩擦熱によりボンディングする。
 複数のパワー半導体素子を電気的に並列に接続する制御用リードフレームは、例えば、1本のリード本体から、該リード本体に直角方向に延在される枝フレーム部を有する構造を有する。そして、リード本体および枝リードフレーム部がそれぞれ、ボンディングワイヤにより各パワー半導体素子にボンディングされる(例えば、特許文献1の図9参照)。
特開2011-216755号公報
 特許文献1の構造では、リードフレームの枝リードフレーム部にボンディングワイヤボンディングするには、枝リードフレーム部の先端側にボンディングワイヤの端部を配置する。そして、該ボンディングワイヤの端部をパワー半導体素子が配置された方向、換言すれば、枝リードフレーム部が延在されている方向とは直角方向に振動させる。枝リードフレーム部が延在されている方向に直角な方向とは、枝リードフレーム部の長手方向に直角な方向である。然るに、この方向の枝リードフレーム部の剛性は小さいため、ボンディング時に与える高周波振動と共に振動し易い。このため、ボンディングワイヤと枝リードフレーム部に大きな振動エネルギを与えることができず、ボンディングワイヤと枝リードフレーム部との接合に十分な接合強度を得ることができない。
 本発明の一態様では、パワー半導体モジュールは、第1半導体素子と、前記第1半導体素子と電気的に並列に接続される第2半導体素子と、第1ボンディングワイヤを介して前記第1半導体素子の制御電極に接続され、第2ボンディングワイヤを介して前記第2半導体素子の制御電極に接続される制御用リードフレームと、を備え、前記制御用リードフレームは、第1リードフレーム部と、屈曲部と、当該屈曲部を介して前記第1リードフレーム部に接続される第2リードフレーム部と、を有し、前記第1ボンディングワイヤの一端は、前記第1半導体素子の前記制御電極に接続され、前記第1ボンディングワイヤの他端は、前記第1リードフレーム部または前記屈曲部に接続され、前記第2ボンディングワイヤの一端は、前記第2半導体素子の前記制御電極に接続され、前記第2ボンディングワイヤの他端は、前記第2リードフレーム部に接続され、前記第1リードフレーム部は、前記屈曲部から前記第1半導体素子側とは反対側に向けて前記第1半導体素子と重なる方向に延在され、前記第2リードフレーム部は、前記屈曲部から前記第2半導体素子側に向けて、前記第2半導体素子と重なる方向に延在されている。
 本発明によれば、ボンディングワイヤとリードフレームとの接合強度の向上を図ることができる。
本発明のパワー半導体モジュールに内蔵される回路の一例を示す模式図。 本発明のパワー半導体モジュールの一実施の形態を示す斜視図。 図2に図示されたパワー半導体モジュールの分解斜視図。 図2に図示された領域IVの拡大図。
 以下、図面を残照して、本発明のパワー半導体モジュールの一実施の形態を説明する。
 インバータ回路等の電力変換回路を内蔵するパワー半導体モジュールは、電気自動車、ハイブリッド自動車(HEV)、プラグインハイブリッド自動車(PHV)等の車両に搭載される。インバータ回路を内蔵するパワー半導体モジュールを並列接続して3相インバータを構成することができる。インバータ回路をバッテリに接続してモータジェネレータをモータとして作動させる。また、モータジェネレータをエンジンの動力により作動させて、インバータ回路を介してバッテリを充電することができる。
 以下では、インバータ回路を内蔵するパワー半導体モジュールを一実施の形態として説明する。
 図1は、本発明のパワー半導体モジュールに内蔵される回路の一例を示す模式図である。
 上述したように、パワー半導体モジュール300には、直流電力と交流電力とを相互に変換するインバータ回路が内蔵されている。パワー半導体モジュール300は、インバータ回路の上アームを構成する第1回路体300Uと、下アームを構成する第2回路体300Lを備える。パワー半導体モジュール300は、交流電力を入出力する交流端子159を備える。交流端子159は、モータジェネレータに対し、U相、V相、W相からなる3相のいずれかの交流電力を入出力する。
 また、パワー半導体モジュール300は、直流正極端子157と直流負極端子158を備える。直流正極端子157と直流負極端子158は、それぞれ、不図示のバッテリおよびコンデンサに接続され直流電力を入出力する。さらに、パワー半導体モジュール300は、供給された直流電力を交流電力に変換するスイッチング素子としてのパワー半導体素子を備える。
 パワー半導体モジュール300は、不図示のドライバ回路からの制御信号を受ける制御用リードフレーム325を備える。パワー半導体素子は、制御用リードフレーム325から制御信号を受け、導通あるいは遮断動作を行い、供給された直流電力を交流電力に変換する。
パワー半導体素子は、第1半導体素子328、330、第2半導体素子329、331、第3半導体素子166、168、第4半導体素子167、169を含んでいる。第1半導体素子328、330、第2半導体素子329、331は、例えば、IGBT(ゲート絶縁型バイポーラトランジスタ)である。IGBTに替えて、MOSFET(金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ)を用いてもよい。
 第3半導体素子166、168および第4半導体素子167、169は、例えば、ダイオードである。
 第1半導体素子328と第2半導体素子329、第3半導体素子166、第4半導体素子167は、 第1導体部342Uおよび第2導体部341Uに接続される。詳細には、第1導体部342Uには、第1半導体素子328および第2半導体素子329のコレクタ電極が接続され、また、第3半導体素子166および第4半導体素子167のカソード電極が接続される。第2導体部341Uには、第1半導体素子328および第2半導体素子329のエミッタ電極が接続され、また、第3半導体素子166および第4半導体素子167のアノード電極が接続される。
 第1半導体素子328と第2半導体素子329、第3半導体素子166、第4半導体素子167は、インバータ回路の第1回路体300Uを構成する。
 同様に、第1半導体素子330と第2半導体素子331、第3半導体素子168、第4半導体素子169は、第3導体部342Lと第4導体部341Lに接続される。詳細には、第3導体部342Lには、第1半導体素子330および第2半導体素子331のコレクタ電極が接続され、また、第3半導体素子168および第4半導体素子169のカソード電極に接続される。第4導体部341Lには、第1半導体素子330および第2半導体素子331のエミッタ電極が接続され、第3半導体素子168および第4半導体素子169のアノード電極に接続される。
 第1半導体素子330と第2半導体素子331、第3半導体素子168、第4半導体素子169は、インバータ回路の第2回路体300Lを構成する。
 第1導体部342Uは、直流正極端子157に接続され、第2導体部341Uは、中間接続部310に接続される。
 第4導体部341Lは、直流負極端子158に接続され、第3導体部342Lは、中間接続部310に接続される。第2導体部341Uと第3導体部342Lは、中間接続部310に接続される。中間接続部310は交流端子159に接続される。
 図2は、本発明のパワー半導体モジュールの一実施の形態を示す斜視図であり、図3は、図2に図示されたパワー半導体モジュールの分解斜視図である。
 図1に関して記載された各部材名とその参照番号は、図2、図3においても、同一の部材名と参照番号とされている。
 パワー半導体モジュール300を構成する第1回路体300Uと第2回路体300Lは、隣接して配置されている。第1回路体300Uは、対向して配置された第1導体部342Uと第2導体部341Uとの間に、第1、第2半導体素子328、329および第3、第4半導体素子166、167を挟んだ構造を有し、ほぼ薄板状の直方体形状に形成されている。第1半導体素子328と第2半導体素子329は、それぞれ、板状の半導体基板であり、相互に離間して隣接して配置されている。また、第3半導体素子166と第4半導体素子167は、それぞれ、板状の半導体基板であり、相互に離間して隣接して配置されている。
 同様に、第2回路体300Lは、対向して配置された第3導体部342Lと第4導体部341Lとの間に、第1、第2半導体素子330、331および第3、第4半導体素子168、169を挟んだ構造を有し、ほぼ薄板状の直方体形状に形成されている。第2回路体300Lの第1半導体素子330と第2半導体素子331は、第1回路体300Uの第1、第2半導体素子328、329と同様、それぞれ、板状の半導体基板部材であり、相互に離間して隣接して配置されている。また、第2回路体の第3半導体素子168と第4半導体素子169は、第1回路体の第3、第4半導体素子166、167と同様、それぞれ、板状の半導体基板部材であり、相互に離間して隣接して配置されている。
 第1回路体300Uと第2回路体300Lとは、第1導体部342Uと第3導体部342Lとが同一平面上に配置され、第2導体部341Uと第4導体部341Lとが同一平面上に配置されている。図2に図示されるように、第1回路体300Uの第1半導体素子328および第2半導体素子329には、それぞれ、複数の制御用リードフレーム325が第1ボンディングワイヤ324aまたは第2ボンディングワイヤ324bを介して接続されている。同様に、第2回路体300Lの第1半導体素子330および第2半導体素子331には、それぞれ、複数の制御用リードフレーム325が第1ボンディングワイヤ324aまたは第2ボンディングワイヤ324bを介して接続されている。
 第1導体部342Uには、直流正極端子157が板金加工等により一体成型されている。
 第1導体部342Uと第3導体部342Lとの境界部の上方には、板状の直流負極端子158が配置されている。第4導体部341Lには、直流負極接続部158aが板金加工等により一体成型されている。直流負極接続部158aは、直流負極端子158に対向する位置まで延在され、はんだ等の接合材362(図3参照)により直流負極端子158に接合されている。直流正極端子157および直流負極端子158には、直流電源等の不図示の外部装置が接続され電力が供給される。
 第3導体部342Lには、交流端子159が板金加工等により一体成型されている。交流端子159は電動機や電動/発電機等の外部装置に接続される交流の入出力部である。
 第2導体部341Uには、中間接続部310が板金加工等により一体成型されている。中間接続部310は、第2回路体300L側に延在され、はんだ等の接合材361(図3参照)により第3導体部342Lの内面に接合されている。
 第1半導体素子328および第2半導体素子329は、それぞれ、一面に形成された複数の制御電極332、333を有する。第1半導体素子328および第2半導体素子329の一面側は、それぞれ、制御電極332、333を露出した状態で、はんだ等の接合材360を介して第2導体部341Uに接合される。第1半導体素子328および第2半導体素子329他面側は、それぞれ、はんだ等の接合材360を介して第1導体部342Uに接合される。第3、第4半導体素子166、167の一面側には、アノード電極が設けられ、該アノード電極は、それぞれ、はんだ等の接合材360を介して第2導体部341Uに接合される。第3、第4半導体素子166、167の他面側には、カソード電極が設けられ、該カソード電極は、それぞれ、はんだ等の接合材360を介して第1導体部342Uに接合される。
 同様に、第1半導体素子330および第2半導体素子331は、それぞれ、一面に複数の制御電極332、333を有する。第1半導体素子330および第2半導体素子331の一面側は、それぞれ、制御電極端子332、333を露出した状態で、はんだ等の接合材360を介して第4導体部341Lに接合される。第1半導体素子330および第2半導体素子331の他面側は、それぞれ、はんだ等の接合材360を介して第3導体部342Lに接合される。第3、第4半導体素子168、169の一面側には、アノード電極が設けられ、該アノード電極は、それぞれ、はんだ等の接合材360を介して第4導体部341Lに接合される。第3、第4半導体素子168、169の他面側には、カソード電極が設けられ、該カソード電極は、それぞれ、はんだ等の接合材360を介して第3導体部342Lに接合される。
 第1回路体300Uと第2回路体300Lとは、上述のように実装され、図1に図示されるインバータ回路を構成している。
 図4は、図2に図示された領域IVの拡大図である。
 上述したように、第1回路体300Uの第1、第2半導体素子330、331には、複数の制御用リードフレーム325が第1、第2ボンディングワイヤ324a、324bを介して接続されている。また、第2回路体300Lの第1、第2半導体素子328、329には、複数の制御用リードフレーム325が第1、第2ボンディングワイヤ324a、324bを介して接続されている。以下、制御用リードフレーム325と第1、第2半導体素子328、329の接続構造(上アーム接続構造)、および制御用リードフレーム325と第1、第2半導体素子330、331との接続構造(下アーム接続構造)を説明する。
 但し、上アーム接続構造と上アーム接続構造とは、ほぼ同じであるので、以下では、上アーム接続構造について説明することとする。
 制御用リードフレーム325は、板金加工等により形成され、第1リードフレーム部326と、第2リードフレーム部327と、屈曲部371とを有する。
 第2リードフレーム部327は、屈曲部371において、第1リードフレーム部326に対し、90度よりも小さい屈曲角θで屈曲されている。
 第1、第2半導体素子328、329は、それぞれ、複数の制御電極332、333を有する。制御電極332、333は、ゲート電極、ケルビンエミッタ電極、温度センサ用電極等を含む。ケルビンエミッタ電極からは、ゲート信号の基準電位を不図示のドライブ回路に送出される。温度センサ用電極は、第1半導体素子328または第2半導体素子329内に形成された温度センサ(図示せず)に接続されており、温度センサ用電極から不図示の制御回路に、第1半導体素子328または第2半導体素子329の温度が送出される。
 なお、第1、第2半導体素子328、329の一面には、制御電極332、333を除くほぼ全領域にエミッタ電極が形成され、第1、第2半導体素子328、329の他面側のほぼ全面には、コレクタ電極が形成されている。
 本一実施の形態では、第1、第2の半導体素子328、329の制御電極332、333は、それぞれ、3つであり、制御用リードフレーム325も3つ配置されている。各制御用リードフレーム325の第1リードフレーム部326は、制御電極332、333の配列方向に対して、ほぼ垂直に配置されている。第1、第2リードフレーム部326、327の幅(左右方向の長さ)は、制御電極332、333の幅とほぼ同じである。但し、第1リードフレーム部326間または第2リードフレーム部327間に所定の間隙が設けられるならば、第1、第2リードフレーム部326、327の幅は、制御電極332、333の幅よりも小さくても大きくてもよい。また、第1リードフレーム部326の幅と第2リードフレーム部327の幅とは異なっていてもよく、さらに、第1リードフレーム部326同士または第2リードフレーム部327同士の幅が異なっていてもよい。
 第1リードフレーム部326は、屈曲部371から、第1半導体素子328とは反対側に延在され、第2リードフレーム部327は、屈曲部371から、第1半導体素子328側に向かって延在されている。
 各第1リードフレーム部326の幅方向の中心線は、対応する制御電極332の幅方向の中心を通っている。各第2リ-ドフレーム部327の幅方向の中心線は、対応する制御電極333の幅方向の中心を通っている。第2リ-ドフレーム部327は第1リードフレーム326に対して屈曲されているため、制御電極333の配列方向に対する第2リ-ドフレーム部327の間隔は、制御電極333の間隔とは異なっている。従って、各制御用リードフレーム325の第1リードフレーム部326に対する第2リードフレーム部327の屈曲角θは同一ではない。但し、第2リ-ドフレーム部327の幅および/または間隔を調整して、第1リードフレーム部326に対する第2リードフレーム部327の屈曲角θが等しくなるように、換言すれば、第2リードフレーム部327が相互に平行に配列されるようにしてもよい。
 各制御電極332、333の表面には、NiめっきまたはAuめっき等のボンディングに適した金属めっきが施されている。各制御用リードフレーム325の第1リードフレーム部326と制御電極332は、第1ボンディングワイヤ324aにより接続されている。つまり、第1ボンディングワイヤ324aの一端は、制御電極332にボンディングされ、第1ボンディングワイヤ324aの他端は第1リードフレーム部326にボンディングされている。第1ボンディングワイヤ324aの他端と第1リードフレーム部326との接合部は、屈曲部371であってもよい。
 また、各制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327と制御電極333は、第2ボンディングワイヤ324bにより接続されている。第1ボンディングワイヤ324aと第2ボンディングワイヤ324bの直径および長さはほぼ同一である。
 経路中にボンディングワイヤにより接続された部分を有する複数の信号伝達経路が並列に接続されている回路では、各信号伝達経路のインピーダンスに差異があると、半導体素子間で信号が共振し、誤動作の原因となる。ボンディングワイヤの断面積は、リードフレームの断面積に比して小さいので、信号伝達経路におけるインピーダンス全体に対するボンディングワイヤのインピーダンスの占める割合が大きくなる(通常、100~1000倍になる)。そこで、各信号伝達経路に用いるボンボンディングワイヤの直径および長さを同一にすることにより、各半導体素子の信号ラインのインピーダンスを同程度にし、半導体素子の共振や発振等が抑制する。このため、第1ボンディングワイヤ324aすべておよび第2ボンディングワイヤ324bすべての直径および長さを等しくすることが好ましい。
 上述したように、3つの制御用リードフレーム325の屈曲部371の屈曲角θは異なっている。図4を参照すると、3つの制御用リードフレーム325の屈曲部371の位置は、屈曲方向と逆方向、換言すれば、外周側のものほど、第1半導体素子328との距離が小さい。各制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327の長さがほぼ同じであれば、屈曲方向側、換言すれば内周側の制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327ほど、その先端の位置が、第2半導体素子329の制御電極333から遠くなる。従って、同一の長さを有する第2ボンディングワイヤ324bの他端が第2リードフレーム部327にボンディングされる接合部は、第2リードフレーム部327の先端からの位置が、それぞれ、異なるものとなる。各制御用リードフレーム325の屈曲角θおよび第2リードフレーム部327の長さは、第1ボンディングワイヤ324aとほぼ同じ長さを有する第2ボンディングワイヤ324bの他端が、各制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327にボンディング可能なように設定される必要がある。
 第1ボンディングワイヤ324aの端部を制御用リードフレーム325の第1リードフレーム部326にボンディングするには、第1ボンディングワイヤ324aの端部を第1リードフレーム部326に加圧した状態で、第1ボンディングワイヤ324aの端部に、第1リードフレーム部326の延在方向、すなわち長手方向に高周波振動を加える。第1ボンディングワイヤ324aの端部に与える振動エネルギにより第1ボンディングワイヤ324aの端部と第1リードフレーム部326間に摩擦熱が発生し、第1ボンディングワイヤ324aの端部が第1リードフレーム部326にボンディングされる。第1半導体素子328の制御電極332は、第1リードフレーム部326の長手方向の延長線上に配置されている。第1リードフレーム部326の長手方向の剛性は、これに交差する方向の剛性よりも大きい。このため、第1ボンディングワイヤ324aの端部に十分な振動エネルギを与えることが可能であり、第1ボンディングワイヤ324aと第1リードフレーム部326との間に十分な接合強度を得ることができる。
 同様に、第2ボンディングワイヤ324bの端部を制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327にボンディングするには、第2ボンディングワイヤ324bの端部を第2リードフレーム部327に加圧した状態で、第2ボンディングワイヤ324bの端部に、第2リードフレーム部327の延在方向、すなわち長手方向に高周波振動を加える。第2ボンディングワイヤ324bに与える振動エネルギにより第2ボンディングワイヤ324bと第2リードフレーム部327間に摩擦熱が発生し、第2ボンディングワイヤ324bの端部が第2リードフレーム部327にボンディングされる。第2半導体素子329の制御電極333は、第2リードフレーム部327の長手方向の延長線上に配置されている。第2リードフレーム部327の長手方向の剛性は、これに交差する方向の剛性よりも大きい。このため、第2ボンディングワイヤ324bの端部に十分な振動エネルギを与えることが可能であり、第2ボンディングワイヤ324bと第2リードフレーム部327との間に十分な接合強度を得ることができる。
 従来では、第2リードフレーム部327を第1リードフレーム部326に対して、ほぼ直角に屈曲しており、第2半導体素子329の制御電極333は、第2リードフレーム部327の長手方向に対して直交する方向に配置されている構造であった。このため、第2ボンディングワイヤ324bの端部は、第2リードフレーム部327の長手方向に対して直交する方向に振動される。第2リードフレーム部327の長手方向に対して直交する方向、すなわち、幅方向の第2リードフレーム部327の剛性は小さく、ボンディング時に与える高周波振動と共に振動し易い。このため、ボンディング時に第2ボンディングワイヤ324bの端部と第2リードフレーム部327に大きな振動エネルギを与えることができず、十分な接合強度を得ることができないものであった。
 図2に図示されるように、下アーム接続構造を構成する第2回路体300Lの第1、第2半導体素子330、331には、複数の制御用リードフレーム325が第1、第2ボンディングワイヤ324a、324bを介して接続されている。この第2回路体300Lに接続される制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327は、上アーム接続構造を構成する第1回路体300Uに接続される制御用リードフレーム325の第2リードフレーム部327とは、反対方向に屈曲されている。つまり、第1回路体300Uと第2回路体300Lとの境界線に対して対称形状となっている。しかし、第2回路体300Lに接続される制御用リードフレーム325においても、第1リードフレーム部326の幅方向の中心線は、対応する制御電極332の幅方向の中心を通っている。また、各第2リ-ドフレーム部327の幅方向の中心線は、対応する制御電極333の幅方向の中心を通っている。従って、下アーム接続構造においても、上アーム接続構造と同様な効果を得ることができる。
 本発明の一実施の形態によれば、下記の作用効果を得ることができる。
(1)パワー半導体モジュール300は、第1ボンディングワイヤ324aを介して第1半導体素子328の制御電極332に接続され、第2ボンディングワイヤ324bを介して第2半導体素子329の制御電極333と接続される制御用リードフレーム325を備えている。制御用リードフレーム325は、第1リードフレーム部326と、屈曲部371と、当該屈曲部371を介して第1リードフレーム部326に接続される第2リードフレーム部327と、を有する。第1ボンディングワイヤ324aの一端は、第1半導体素子328の制御電極332に接続され、第1ボンディングワイヤ324aの他端は、第1リードフレーム部326または屈曲部371に接続されている。第1リードフレーム部326の幅方向の中心線は、第1半導体素子328の制御電極332と重なる方向に延在され、第2リードフレーム部327の幅方向の中心線は、第2半導体素子329の制御電極333と重なる方向に延在されている。このため、第1、第2ボンディングワイヤ部324a、324bを第1、第2リードフレーム部326、327をボンディングする際、第1、第2ボンディングワイヤ32a、324bの端部の振動方向が1、第2リードフレーム部326、327の剛性が大きい方向になる。これにより、ボンディング時に、大きな振動エネルギを与えることが可能となり、接合強度を大きくすることができる。
(2)屈曲部371の角度と第2リードフレーム部327の長さとは、第1半導体素子328の制御電極332と第1リードフレーム部326または屈曲部371とを接続する第1ボンディングワイヤ324aの長さと、第2半導体素子329の制御電極333と第2リードフレーム部327とを接続する第2ボンディングワイヤ324bの長さとを等しくすることができるように設定されている。このため、第1ボンディングワイヤ324aと第2ボンディングワイヤ324bとのインピーダンスを等しくすることができ、並列に接続された第1、第2半導体素子328、329の間の共振や発振等を抑制することができる。
 なお、上記一実施の形態では、各第1リードフレーム部326の幅方向の中心線が対応する制御電極332の幅方向の中心を通り、また、各第2リ-ドフレーム部327の幅方向の中心線が対応する制御電極333の幅方向の中心を通っている構造として例示した。しかし、第1リードフレーム部326の幅方向の中心線を制御電極332の幅方向の中心に一致せずとも、第1リードフレーム部326の延長線が制御電極332に重なる程度であればよい。同様に、第2リードフレーム部327の幅方向の中心線を制御電極333の幅方向の中心に一致せずとも、第2リードフレーム部327の延長線が制御電極332に重なる程度であればよい。
 さらに、第1リードフレーム部326は、屈曲部371から第1半導体素子328側とは反対側に向けて第1半導体素子328と重なる方向に延在されていればよく、必ずしも、第1リードフレーム部326が、第1半導体素子328の制御電極332に重なる方向に延在されていなくてよい。同様に、第2リードフレーム部327は、屈曲部371から第2半導体素子329側に向けて、第2半導体素子329と重なる方向に延在されていればよく、必ずしも、第2リードフレーム部327が、第1半導体素子328の制御電極332に重なる方向に延在されていなくてもよい。
 上記各実施形態では、第1、第2半導体素子328、329の複数の制御電極332、333に接続される複数の制御用リードフレーム325を備えたパワー半導体モジュール300として例示した。しかし、本発明は、第1、第2半導体素子328、329の制御電極332、333に接続される制御用リードフレーム325が1つの場合でも適用することができる。
 上述した制御用リードフレーム325を備えたパワー半導体モジュール300は単に一例として例示したものであり、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
300   パワー半導体モジュール
324a  第1ボンディングワイヤ
324b  第2ボンディングワイヤ
325   制御用リードフレーム
326   第1リードフレーム部
327   第2リードフレーム部
328、330   第1半導体素子
329、331   第2半導体素子
332、333   制御電極
371   屈曲部
  θ   屈曲角

Claims (5)

  1.  第1半導体素子と、
     前記第1半導体素子と電気的に並列に接続される第2半導体素子と、
     第1ボンディングワイヤを介して前記第1半導体素子の制御電極に接続され、第2ボンディングワイヤを介して前記第2半導体素子の制御電極に接続される制御用リードフレームと、を備え、
     前記制御用リードフレームは、第1リードフレーム部と、屈曲部と、当該屈曲部を介して前記第1リードフレーム部に接続される第2リードフレーム部と、を有し、
     前記第1ボンディングワイヤの一端は、前記第1半導体素子の前記制御電極に接続され、前記第1ボンディングワイヤの他端は、前記第1リードフレーム部または前記屈曲部に接続され、
     前記第2ボンディングワイヤの一端は、前記第2半導体素子の前記制御電極に接続され、前記第2ボンディングワイヤの他端は、前記第2リードフレーム部に接続され、
     前記第1リードフレーム部は、前記屈曲部から前記第1半導体素子側とは反対側に向けて前記第1半導体素子と重なる方向に延在され、
     前記第2リードフレーム部は、前記屈曲部から前記第2半導体素子側に向けて、前記第2半導体素子と重なる方向に延在されている、パワー半導体モジュール。
  2.  請求項1に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
     前記第1リードフレーム部は、前記第1半導体素子の前記制御電極と重なる方向に延在され、
     前記第2リードフレーム部は、前記第2半導体素子の前記制御電極と重なる方向に延在されている、パワー半導体モジュール。
  3.  請求項2に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
     複数の前記制御用リードフレームを有し、
     前記第1半導体素子および前記第2半導体素子は、それぞれ、前記各制御用リードフレームに接続される複数の前記制御電極を有し、
     前記各制御用リードフレームの前記第1リードフレーム部または前記屈曲部と前記第1半導体素子の前記制御電極を接続する複数の前記第1ボンディングワイヤの長さ、および前記各制御用リードフレームの前記第2リードフレーム部と前記第2半導体素子の前記制御電極を接続する複数の前記第2ボンディングワイヤの長さは、すべて同一である、パワー半導体モジュール。
  4.  請求項3に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
     前記各制御用リードフレームの前記屈曲部の角度と前記第2リードフレーム部の長さは、それぞれ、前記第1半導体素子の前記制御電極と第1リードフレーム部または前記屈曲部とを接続する前記第1ボンディングワイヤの長さと、前記第2半導体素子の前記制御電極と前記第2リードフレーム部とを接続する前記第2ボンディングワイヤの長さとを等しくすることができるように設定されている、パワー半導体モジュール。
  5.  請求項4に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
     前記各制御用リードフレームの前記屈曲部の角度は、前記第2リードフレーム部が前記第2半導体素子の前記制御電極と重なる方向に延在されるように相互に異なっている、パワー半導体モジュール。
PCT/JP2017/024078 2016-07-29 2017-06-30 パワー半導体モジュール WO2018020953A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/316,875 US10615102B2 (en) 2016-07-29 2017-06-30 Power semiconductor module
JP2018529462A JP6619518B2 (ja) 2016-07-29 2017-06-30 パワー半導体モジュール
CN201780044201.3A CN109478546B (zh) 2016-07-29 2017-06-30 功率半导体模块
DE112017002605.9T DE112017002605B4 (de) 2016-07-29 2017-06-30 Leistungshalbleitermodul

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016149181 2016-07-29
JP2016-149181 2016-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018020953A1 true WO2018020953A1 (ja) 2018-02-01

Family

ID=61017245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/024078 WO2018020953A1 (ja) 2016-07-29 2017-06-30 パワー半導体モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10615102B2 (ja)
JP (1) JP6619518B2 (ja)
CN (1) CN109478546B (ja)
DE (1) DE112017002605B4 (ja)
WO (1) WO2018020953A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019140157A (ja) * 2018-02-06 2019-08-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP2019153752A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP2022536792A (ja) * 2019-06-14 2022-08-18 ウルフスピード インコーポレイテッド パワーエレクトロニクス用のパッケージ
WO2024111190A1 (ja) * 2022-11-22 2024-05-30 日立Astemo株式会社 パワー半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110250A (en) * 1980-02-06 1981-09-01 Hitachi Ltd Lead frame
JP2009278117A (ja) * 2002-04-30 2009-11-26 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2010103436A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd リードフレーム及び半導体装置
WO2014122908A1 (ja) * 2013-02-05 2014-08-14 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2016046279A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011017955A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Canon Inc ベルト駆動制御装置及び画像形成装置
JP5618595B2 (ja) 2010-04-01 2014-11-05 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュール、およびパワーモジュールを備えた電力変換装置
JP5805513B2 (ja) * 2011-12-14 2015-11-04 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP6148830B2 (ja) 2012-07-19 2017-06-14 ローム株式会社 パワーモジュール半導体装置
JP6154342B2 (ja) * 2013-12-06 2017-06-28 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110250A (en) * 1980-02-06 1981-09-01 Hitachi Ltd Lead frame
JP2009278117A (ja) * 2002-04-30 2009-11-26 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2010103436A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd リードフレーム及び半導体装置
WO2014122908A1 (ja) * 2013-02-05 2014-08-14 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2016046279A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019140157A (ja) * 2018-02-06 2019-08-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US11274972B2 (en) 2018-02-06 2022-03-15 Denso Corporation Semiconductor device
JP7119399B2 (ja) 2018-02-06 2022-08-17 株式会社デンソー 半導体装置
JP2019153752A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
CN110233135A (zh) * 2018-03-06 2019-09-13 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP2022536792A (ja) * 2019-06-14 2022-08-18 ウルフスピード インコーポレイテッド パワーエレクトロニクス用のパッケージ
JP7320083B2 (ja) 2019-06-14 2023-08-02 ウルフスピード インコーポレイテッド パワーエレクトロニクス用のパッケージ
US11756910B2 (en) 2019-06-14 2023-09-12 Wolfspeed, Inc. Package for power electronics
US11887953B2 (en) 2019-06-14 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Package for power electronics
WO2024111190A1 (ja) * 2022-11-22 2024-05-30 日立Astemo株式会社 パワー半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190295929A1 (en) 2019-09-26
CN109478546B (zh) 2022-08-30
CN109478546A (zh) 2019-03-15
JP6619518B2 (ja) 2019-12-11
US10615102B2 (en) 2020-04-07
DE112017002605B4 (de) 2024-05-02
JPWO2018020953A1 (ja) 2019-02-14
DE112017002605T5 (de) 2019-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6619518B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP6394489B2 (ja) 半導体装置
JP4660214B2 (ja) 電力用半導体装置
WO2012073306A1 (ja) パワーモジュール
US8963005B2 (en) Bus bar module
CN110137160B (zh) 半导体器件
JP6969501B2 (ja) 半導体装置
JP6439750B2 (ja) 半導体装置
JP7010167B2 (ja) 半導体装置
WO2018131276A1 (ja) 半導体装置
JP2019216189A (ja) 半導体装置
US20160211202A1 (en) Semiconductor device
WO2020184051A1 (ja) 半導体装置
WO2019187700A1 (ja) 半導体モジュール
JP2004031590A (ja) 半導体装置
CN110476343B (zh) 电力转换装置
JP5355506B2 (ja) 半導体装置
JP6475660B2 (ja) パワー半導体装置
JP6648000B2 (ja) 回路体および回路体の製造方法
JP2013150389A (ja) 電力変換装置
US11557980B2 (en) Power conversion apparatus
WO2021200211A1 (ja) 半導体モジュール
JP2011014744A (ja) 半導体装置
JP6898588B2 (ja) 半導体装置
JP2020167749A (ja) スイッチング素子モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018529462

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17833962

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17833962

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1