DE112018002137T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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DE112018002137T5
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electrode
semiconductor device
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sealing resin
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DE112018002137.8T
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English (en)
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Yasuo Kanetake
Hirotaka Otake
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil eines Aspektes der Offenbarung beinhaltet ein Schaltelement, ein Substrat, eine vordere elektrisch leitfähige Schicht, ein erstes bis drittes Terminal und ein Abdichtungsharz. Das erste bis dritte Terminal stehen von dem Abdichtungsharz hin zu der gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vor, die die Dickenrichtung des Substrates quert bzw. kreuzt. Das erste bis dritte Terminal sind voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet, die die Dickenrichtung und die erste Richtung kreuzt. Von dem ersten bis dritten Terminal befindet sich das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung. Das Abdichtungsharz weist einen basisseitigen Teil und einen spitzenseitigen Teil auf. Der basisseitige Teil ist in der zweiten Richtung zwischen dem ersten und dem dritten Terminal angeordnet und ist in der ersten Richtung hin zu der Schaltelementseite des ersten und dritten Terminals versetzt. Der spitzenseitige Teil ist in der ersten Richtung hin zu der Spitzenseite des ersten und dritten Terminals versetzt, und zwar freiliegend gegenüber dem Abdichtungsharz.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil.
  • STAND DER TECHNIK
  • Ein Schaltbauteil, das in einer elektronischen Schaltung wie einer Inverterschaltung oder einer Konverterschaltung verwendet wird, beinhaltet ein Schaltelement. Bekannte Beispiele eines solchen Schaltelementes sind ein Si-Schaltelement und ein SiC-Schaltelement. Beispiele von SiC-Schaltelementen beinhalten einen SiC-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), einen SiC-Bipolartransistor, einen SiC-JFET (Junction-Feldeffekt-Transistor), einen SiC-IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) usw.
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, ein verbessertes Halbleiterbauteil anzugeben. Insbesondere, jedoch ohne Beschränkung, ist es eine Aufgabe, ein Halbleiterbauteil anzugeben, das dazu in der Lage ist, die Stehspannung („withstand voltage“) und die Antwortgeschwindigkeit („response speed“) zu verbessern.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung, wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt, mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das dazu konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt wird, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über („across“) die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird; einem Substrat, das eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist und das aus einem isolierendem Material hergestellt ist; einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, die auf der Vorderfläche des Substrates gebildet ist und die ein erstes Elektrodenteil enthält, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem erstem Terminal, das elektrisch mit der ersten Elektrode über das erste Elektrodenteil verbunden ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, einen Teil von jedem Terminal des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt. Das erste bis dritte Terminal stehen von dem Abdichtungsharz in Richtung zu einer gleichen Seite vor, und zwar entlang einer ersten Richtung, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Substrats. Das erste bis dritte Terminal sind voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung. Von dem ersten bis dritten Terminal ist das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet. Das Abdichtungsharz beinhaltet: einen basisseitigen Teil, der in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal angeordnet ist und der in der ersten Richtung zu einer Schaltelementseite des ersten Terminals und des dritten Terminals versetzt ist; und einen spitzenseitigen Teil, der in der ersten Richtung hin zu einer Spitzenseite des ersten und des dritten Terminals versetzt ist, die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt, mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das so konfiguriert ist, dass eine EIN/AUSSteuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode durch eine Ansteuerspannung bereitgestellt wird, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird; einem Substrat, das eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist und das aus einem isolierenden Material hergestellt ist; einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, die auf der Vorderfläche des Substrates ausgebildet ist und ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem ersten Terminal, das elektrisch mit der ersten Elektrode über das erste Elektrodenteil verbunden ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, einen Teil von jedem des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt. Das erste bis dritte Terminal stehen ausgehend von dem Abdichtungsharz in Richtung hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vor, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Substrats. Das erste bis dritte Terminal sind voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung. Von dem ersten bis dritten Terminal ist das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet. Eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung ist größer als eine Distanz zwischen dem dritten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt, mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode auf und das dazu konfiguriert ist, dass eine EIN/AUSSteuerung zwischen der ersten und dritten Elektrode bereitgestellt wird, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird; einem ersten Terminal, das ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil des ersten Elektrodenteils, einen Teil von jedem des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt; das erste bis dritte Terminal stehen ausgehend von dem Abdichtungsharz hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vor, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Schaltelementes. Das erste bis dritte Terminal sind voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung. Von dem ersten bis dritten Terminal ist das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet. Das Abdichtungsharz weist auf: einen basisseitigen Teil, der zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung angeordnet ist und der in der ersten Richtung hin zu einer Schaltelementseite des ersten Terminals und des dritten Terminals versetzt ist; und einen spitzenseitigen Teil, der in der ersten Richtung hin zu einer Spitzenseite des ersten und/oder des dritten Terminals versetzt ist, die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt, mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das so konfiguriert ist, dass eine EIN/AUSSteuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt ist, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, wobei eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt ist; einem ersten Terminal, das ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil des ersten Elektrodenteils, einen Teil von jedem des ersten bis vierten Terminals und das Schaltelement bedeckt. Das erste bis vierte Terminal stehen von dem Abdichtungsharz hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vor, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Schaltelementes. Das erste bis vierte Terminal sind voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung. Von dem ersten bis vierten Terminal ist das dritte Terminal bei einer Mitte in der zweiten Richtung angeordnet. Eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und dem dritten Terminal ist kleiner als eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und dem vierten Terminal.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die Hauptteile des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • 3 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 ist eine Draufsicht, die Hauptteile des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • 5 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung von unten;
    • 6 ist eine rechtsseitige Ansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 7 ist eine rechtsseitige Ansicht, die Hauptteile des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • 8 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 9 ist eine schematische Schnittansicht entlang der Linie IX-IX in 4;
    • 10 ist eine Schnittansicht entlang der Linie X-X in 4;
    • 11 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 12 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 13 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 14 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 15 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 16 ist eine Vorderansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 17 ist eine Draufsicht, die Hauptteile eines Halbleiterbauteils gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • 18 ist eine Draufsicht, die Hauptteile eines Halbleiterbauteils gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
    • 19 ist eine Draufsicht, die Hauptteile eines Halbleiterbauteils gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt; und
    • 20 ist eine Draufsicht, die Hauptteile eines Halbleiterbauteils gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben.
  • <Erste Ausführungsform>
  • Die 1-10 zeigen ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Das Halbleiterbauteil A1 der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet ein Substrat 1, eine vordere elektrisch leitfähige Schicht 2, eine rückseitige elektrisch leitfähige Schicht 3, ein Schaltelement 4, ein Drain-Terminal 51, ein Gate-Terminal 52, ein Source-Terminal 53, ein Source-Erfassungsterminal 54, einen Gate-Draht 62, eine Vielzahl von Source-Drähten 63, einen Source-Erfassungsdraht 64 und ein Abdichtungsharz 7.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A1. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die Hauptteile des Halbleiterbauteils A1 zeigt. 3 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A1. 4 ist eine Draufsicht, die Hauptteile des Halbleiterbauteils A1 zeigt. 5 ist eine Ansicht des Halbleiterbauteils A1 von unten. 6 ist eine rechtsseitige Ansicht des Halbleiterbauteils A1. 7 ist eine rechtsseitige Ansicht, die Hauptteile des Halbleiterbauteils A1 zeigt. 8 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A1. 9 ist eine schematische Schnittansicht entlang der Linie IX-IX in 4. 10 ist eine Schnittansicht entlang der Linie X-X in 4. Zum besseren Verständnis ist das Abdichtungsharz 7 in 2 durch imaginäre Linien dargestellt, und eine Darstellung des Abdichtungsharzes 7 ist in den 2 und 7 weggelassen. In den Figuren ist die z-Richtung ein Beispiel der Dickenrichtung, die y-Richtung ist ein Beispiel der ersten Richtung, und die x-Richtung ist ein Beispiel der zweiten Richtung.
  • Das Substrat 1 ist ein plattenartiges Element, das aus einem isolierendem Material hergestellt ist und das das Schaltelement 4 lagert. Wie es in 4 gezeigt ist, ist das Substrat 1 bei einer Betrachtung in der z-Richtung bei der vorliegenden Ausführungsform rechteckförmig. Beispiele des Materials für das Substrat 1 beinhalten, ohne Einschränkung, Keramiken wie Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Bornitrid und Graphit. Das Substrat 1 weist eine Vorderfläche 11 und eine Rückfläche 12 auf. Die Vorderfläche 11 und die Rückfläche 12 sind flache Flächen, die in die z-Richtung weisen, und zwar in entgegengesetzte Richtungen.
  • Die vordere elektrisch leitfähige Schicht 2 ist auf der Vorderfläche 11 des Substrates 1 gebildet und dient hauptsächlich dazu, einen Leitungspfad für das Schaltelement 4 bereitzustellen. Das Material für die vordere elektrisch leitfähige Schicht 2 ist nicht besonders eingeschränkt. Die vordere elektrisch leitfähige Schicht kann aus einem Metall hergestellt sein, wie Cu oder dessen Legierungen, und kann mit einer Ni- oder Ag-Plattierungsschicht versehen sein, und zwar nach Notwendigkeit. Das Verfahren zum Bilden der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 ist nicht eingeschränkt. Beispielsweise kann die vordere elektrisch leitfähige Schicht gebildet sein durch Bonden einer Metallplatte an die Vorderfläche 11 des Substrates 1.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die vordere elektrisch leitfähige Schicht 2 einen Drain-Elektrodenteil 21, einen Source-Elektrodenteil 23 und eine Vielzahl von isolierten Teilen 25.
  • Der Drain-Elektrodenteil 21, bei dem es sich um ein Beispiel des ersten Elektrodenteils handelt, ist ein Abschnitt, an den das Schaltelement 4 montiert ist und das Drain-Terminal 51 gebondet ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist das Drain-Elektrodenteil 21 eine Fläche auf, die mehr als eine Hälfte der Fläche der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 ausmacht. Genauer gesagt weist das Drain-Elektrodenteil 21 einen Abschnitt auf, der nahezu vollständig einen oberen Abschnitt des Substrates 1 in der y-Richtung in den Figuren bedeckt, und einen weiteren Abschnitt, der in den Figuren ein in der x-Richtung rechtes Ende eines unteren Abschnittes des Substrates 1 in der y-Richtung in den Figuren bedeckt. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist das Drain-Elektrodenteil 21 zwei Ausschnitte 215 auf. Die zwei Ausschnitte 215 sind in der x-Richtung an gegenüberliegenden Seiten des Drain-Elektrodenteils 21 gebildet und sind von den Kanten des Drain-Elektrodenteils 21 in der x Richtung nach innen in der x-Richtung zurückversetzt.
  • Das Source-Elektrodenteil 23, bei dem es sich um ein Beispiel des dritten Elektrodenteils handelt, ist ein Abschnitt, der elektrisch mit einer Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 verbunden ist, die später beschrieben wird, und an das das Source-Terminal 53 gebonded ist. Das Source-Elektrodenteil 23 ist von dem Drain-Elektrodenteil 21 beabstandet. Das Source-Elektrodenteil 23 ist in der x-Richtung nahe zu einem unteren Abschnitt des Drain-Elektrodenteils 21 in der y-Richtung in den Figuren angeordnet und ist bei der vorliegenden Ausführungsform generell rechteckförmig, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung.
  • Die Vielzahl von isolierten Teilen 25 sind von dem Drain-Elektrodenteil 21 und dem Source-Elektrodenteil 23 beabstandet und gegenüber dem Drain-Elektrodenteil 21, dem Source-Elektrodenteil 23 und dem Schaltelement 4 isoliert. Das heißt, die Vielzahl von isolierten Teilen 25 bilden nicht den Leitungspfad zu dem Schaltelement 4. Zwei isolierte Teile 25 sind bei der vorliegenden Ausführungsform vorgesehen, obgleich es sich hierbei lediglich um ein Beispiel handelt, und die Anzahl der isolierten Teile 25 variiert werden kann. Die zwei isolierten Teile 25 sind jeweils innerhalb von einem der zwei Ausschnitte 215 des Drain-Elektrodenteils 21 angeordnet.
  • Wie es in den 5, 7 und 9 dargestellt ist, ist die rückseitige elektrisch leitfähige Schicht 3 an der Rückfläche 12 des Substrates 1 gebildet. Die rückseitige elektrisch leitfähige Schicht 3 ist gegenüber dem Drain-Elektrodenteil 21 und dem Schaltelement 4 isoliert. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist die rückseitige elektrisch leitfähige Schicht 3 eine Größe auf und ist so geformt, dass sie den überwiegenden Teil der Rückfläche 12 des Substrates 1 bedeckt. D.h., bei einer Betrachtung in der z-Richtung überlappt die rückseitige elektrisch-leitfähige Schicht 3 nahezu überwiegend den gesamten Drain-Elektrodenteil 21 und das Schaltelement 4.
  • Das Schaltelement 4 ist hergestellt unter Verwendung von Si oder SiC als das Basismaterial und realisiert die Schaltfunktion des Halbleiterbauteils A1. Beispiele des Schaltelementes 4 beinhalten einen SiC-MOSFET (Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor), einen SiC-Bipolartransistor, einen SiC-JFET (Junction-Feldeffekt-Transistor), einen SiC-IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) usw. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird ein Fall beschrieben, bei dem das Schaltelement 4 ein SiC-MOSFET ist, der zum Erzielen einer verbesserten Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit am besten geeignet ist.
  • Wie es in den 2, 4, 9 und 10 gezeigt ist, weist das Schaltelement 4 eine Drain-Elektrode 41 auf, die auf einer Chip-Rückseite gebildet ist, sowie eine Gate-Elektrode 42 und eine Source-Elektrode 43, die auf einer Chip-Vorderseite gebildet sind. Die Drain-Elektrode 41 ist ein Beispiel der ersten Elektrode. Die Drain-Elektrode 41 ist auf einer Fläche des Schaltelementes 4 gebildet, die zu dem Drain-Elektrodenteil 21 weist. Die Gate-Elektrode 42, bei der es sich um ein Beispiel der zweiten Elektrode handelt, ist auf einer Fläche des Schaltelementes 4 gebildet, die der Fläche gegenüberliegt, auf die Drain-Elektrode 41 gebildet ist. Die Source-Elektrode 43, bei der es sich um ein Beispiel der dritten Elektrode handelt, ist auf der Fläche des Schaltelementes 4 gebildet, auf der die Gate-Elektrode 42 gebildet ist. Die Source-Elektrode 43 ist beträchtlich größer als die Gate-Elektrode 42 und bedeckt den überwiegenden Teil der einen Fläche des Schaltelementes 4. Die Vorderfläche des Halbleitersubstrates unterhalb der Source-Elektrode 43 ist mit einer Anzahl von SiC-MOSFETs gebildet, die eine Grabenstruktur haben, und die Source-Elektroden und die Gate-Elektroden der jeweiligen Transistoren sind parallel mit der Source-Elektrode 43 bzw. der Gate-Elektrode 42 verbunden.
  • In dem Schaltelement 4 wird eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der Drain-Elektrode 41 und der Source-Elektrode 43 durchgeführt und zwar durch Anlegen einer Ansteuerspannung über die Gate-Elektrode 42 und die Source-Elektrode 43, während eine Potentialdifferenz zwischen der Drain-Elektrode 41 und der Source-Elektrode 43 angelegt wird.
  • Das Schaltelement 4 ist auf dem Substrat 1 durch Bonden der Drain-Elektrode 41 des Schaltelementes 4 an das Drain-Elektrodenteil 21 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 montiert, und zwar unter Verwendung eine Bond-Materials 49. Um die Drain-Elektrode 41 des Schaltelementes 4 und das Drain-Elektrodenteil 21 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 elektrisch zu verbinden, ist das Bond-Material 49 ein elektrisch leitfähiges Bond-Material, das gebildet ist unter Verwendung eines TiNiAg-basierten Lötmittels, eines SnAgCu-basierten Lötmittels oder von gebranntem Silber („baked silver“), um Beispiele zu nennen.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform weist das Schaltelement 4 eine rechteckförmige Form mit vier äußeren Kanten 45 auf. Das Schaltelement 4 der vorliegenden Ausführungsform ist auf eine solche Art und Weise angeordnet, dass zwei der äußeren Kanten 45 sich entlang der x-Richtung erstrecken, und derart, dass die anderen zwei äußeren Kanten 45 sich entlang der y-Richtung erstrecken.
  • Das Drain-Terminal 51, das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 stellen jeweils einen Leitungspfad bereit, der die Außenseite des Halbleiterbauteils A1 und das Schaltelement 4 verbindet und der verwendet wird, wenn das Halbleiterbauteil A1 an einer Leiterplatte (nicht gezeigt) montiert ist, um ein Beispiel zu nennen. Das Drain-Terminal 51, das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 sind beispielsweise aus einem Metall wie Cu hergestellt und können gebildet werden, indem ein metallischer Anschlussrahmen zugeschnitten wird.
  • Das Drain-Terminal 51, bei dem es sich um ein Beispiel des ersten Terminals handelt, ist elektrisch mit der Drain-Elektrode 41 des Schaltelementes 4 verbunden, und zwar über das Drain-Elektrodenteil 21. Wie es in den 1-4 und 7 gezeigt ist, erstreckt sich die das Drain-Terminal 51 entlang der y-Richtung und beinhaltet einen Bond-Teil 511, einen gebogenen Teil 512 und eine Spitze 513. Der Bond-Teil 511 ist an das Drain-Elektrodenteil 21 gebondet und stellt einen Basis-Teil des Drain-Terminals 51 dar. Das Verfahren zum Bonden des Bond-Teils 511 und des Drain-Elektrodenteils 21 ist nicht besonders eingeschränkt, und verschiedene Verfahren wie Bonden unter Verwendung eines elektrisch-leitfähigen Bond-Materials, unter Verwendung von Ultraschall-Bonden oder unter Verwendung von Widerstandsschweißen können nach Eignung verwendet werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird ein elektrisch-leitfähiges Bond-Material verwendet. Der gebogene Teil 512 ist ein Abschnitt mit einer gebogenen Form, der mit dem Bond-Teil 511 verbunden ist und der auf eine solche Art und Weise geformt ist, dass der Abschnitt zwischen dem gebogenen Teil 512 und der Spitze 513 gegenüber der rückseitigen elektrisch-leitfähigen Schicht 3 in der z-Richtung versetzt ist. Die Spitze 513 stellt das Ende des Drain-Terminals 51 dar, das auf der gegenüberliegenden Seite zu dem Bond-Teil 511 angeordnet ist. Bei einer Betrachtung in der z-Richtung ist das Drain-Terminal 51 in der x-Richtung an der äußersten Seite (rechte Seite in den Figuren) angeordnet.
  • Das Source-Terminal 53, bei dem es sich um ein Beispiel des dritten Terminals handelt, ist elektrisch mit der Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 verbunden, und zwar über das Source-Elektrodenteil 23. Wie es in den 1-4 gezeigt ist, erstreckt sich das Source-Terminal 53 entlang der y-Richtung und beinhaltet einen Bond-Teil 531, einen gebogenen Teil 532 und eine Spitze 533. Der Bond-Teil 531 ist an das Source-Elektrodenteil 23 gebondet und stellt ein Basis-Teil („root part“) des Source-Terminals 53 dar. Das Verfahren zum Bonden des Bond-Teils 531 und des Source-Elektrodenteils 23 ist nicht besonders eingeschränkt, und verschiedene Verfahren können verwendet werden wie ein Bonden unter Verwendung eines elektrisch-leitfähigen Bond-Materials, ein Ultraschall-Bonden oder ein Widerstandsschweißen, je nach Eignung. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird ein elektrisch-leitfähiges Bond-Material verwendet. Der gebogene Teil 532 ist ein Abschnitt mit einer gebogenen Form, der mit dem Bond-Teil 531 verbunden ist und der auf eine solche Art und Weise geformt ist, dass der Abschnitt zwischen dem gebogenen Teil 532 und der Spitze 533 gegenüber der rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht 3 in der z-Richtung versetzt ist. Die Spitze 533 ist das Ende des Source-Terminals 53, das auf der dem Bond-Teil 531 gegenüberliegenden Seite angeordnet ist. Bei einer Betrachtung in der z-Richtung, ist das Source-Terminal 53 benachbart zu dem Drain-Terminal 51 in der x-Richtung angeordnet.
  • Das Gate-Terminal 52, bei dem es sich um ein Beispiel des zweiten Terminals handelt, ist elektrisch verbunden mit der Gate-Elektrode 42 des Schaltelementes 4. Wie es in den 1-4 gezeigt ist, erstreckt sich das Gate-Terminal 52 entlang der y-Richtung und beinhaltet einen Bond-Teil 521, eine gebogenen Teil 522 und eine Spitze 523. Der Bond-Teil 521 ist an die Vorderfläche 11 des Substrats 1 gebondet und ist ein Basis-Teil des Gate-Terminals 52. Das Verfahren zum Bonden des Bond-Teils 521 und der Vorderfläche 11 des Substrates 1 ist nicht besonders eingeschränkt, und ein Bonden unter Verwendung von verschiedenen Arten von elektrisch-leitfähigem Bond-Material kann in geeigneter Weise verwendet werden. Der gebogene Teil 522 ist ein Abschnitt mit einer gebogenen Form, der mit dem Bond-Teil 521 verbunden ist und der auf eine solche Art und Weise geformt ist, dass der Abschnitt zwischen dem gebogenen Teil 522 und der Spitze 523 gegenüber der rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht 3 in der z-Richtung versetzt ist. Die Spitze 523 ist das Ende des Gate-Terminals 52, das an der dem Bond-Teil 521 gegenüberliegenden Seite angeordnet ist. Das Gate-Terminal 52 ist in der x-Richtung in Bezug auf das Source-Terminal 53 auf der dem Drain-Terminal 51 gegenüberliegenden Seite angeordnet, und zwar bei Betrachtung in der z-Richtung.
  • Das Source-Erfassungsterminal 54, bei dem es sich um ein Beispiel des vierten Terminals handelt, ist elektrisch verbunden mit der Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4. Wie es in den 1-4 gezeigt ist, erstreckt sich das Source-Erfassungsterminal 54 entlang der y-Richtung und beinhaltet einen Bond-Teil 541, einen gebogenen Teil 542 und eine Spitze 543. Der Bond-Teil 541 ist an die Vorderfläche 11 des Substrats 1 gebondet und ist ein Basis-Teil des Source-Erfassungsterminals 54. Das Verfahren zum Bonden des Bond-Teils 541 und der Vorderfläche 11 des Substrats 1 ist nicht besonders eingeschränkt, und ein Bonden unter Verwendung von verschiedenen Arten von elektrisch-leitfähigem Bond-Material kann in geeigneter Weise verwendet werden. Der gebogene Teil 542 ist ein Abschnitt mit einer gebogenen Form, der mit dem Bond-Teil 541 verbunden ist und der auf eine solche Art und Weise geformt ist, dass der Abschnitt zwischen dem gebogenen Teil 542 und der Spitze 543 gegenüber der rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht 3 in der z-Richtung versetzt ist. Die Spitze 543 ist das Ende des Source-Erfassungsterminals 54, das auf der dem Bond-Teil 541 gegenüberliegenden Seite angeordnet ist. Das Source-Erfassungsterminal 54 ist in der x-Richtung in Bezug auf das Source-Terminal 53 auf der dem Drain-Terminal 51 gegenüberliegenden Seite angeordnet, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung, und ist in dem dargestellten Beispiel in der x-Richtung zwischen dem Gate-Terminal 52 und dem Source-Terminal 53 angeordnet. Es ist anzumerken, dass der Gate-Draht 62 und der Source-Erfassungsdraht 64 vertauscht werden können. D.h., die Anordnung des Gate-Terminals 52 und des Source-Erfassungsterminals 54 in der x-Richtung ist nicht auf die in den Figuren dargestellte Anordnung eingeschränkt, und die Position des Gate-Terminals 52 und jene des Source-Erfassungsterminals 54 können gegenüber der dargestellten Anordnung umgekehrt werden. Das Gleiche gilt für die anderen nachstehend beschriebenen Ausführungsformen. Ferner müssen das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 nicht notwendigerweise die gebogenen Teile 522, 532 und 542 beinhalten. Insbesondere können das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54, wenn sie jeweils eine flache Form ohne einen gebogenen Teil haben, an einer Position versetzt in der z-Richtung von der rückseitigen elektrisch-leitfähigen Schicht 3 angeordnet sein, und der Gate-Draht 62, die Source-Drähte 63 und der Source-Erfassungsdraht 64 können jeweils an ein derartiges Gate-Terminal 52, Source-Terminal 53 bzw. Source-Erfassungsterminal 54 gebondet sein. Eine derartige Anordnung reduziert die Herstellungskosten, wohingegen die Distanz zwischen der rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht 3 und dem Gate-Terminal 52, dem Source-Terminal 53 oder dem Source-Erfassungsterminal 54 vergrößert wird.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, ist die Distanz d13 in der x-Richtung zwischen der Mittellinie C1 des Drain-Terminals 51 und der Mittellinie C3 des Source-Terminals 53 größer als die Distanz d34 zwischen der Mittellinie C3 des Source-Terminals 53 und der Mittellinie C4 des Source-Erfassungsterminals 54. Gleichermaßen ist die Distanz d13 größer als die Distanz d24 zwischen der Mittellinie C2 des Gate-Terminals 52 und der Mittellinie C4 des Source-Erfassungsterminals 54. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Distanz d24 und die Distanz d34 etwa gleich groß.
  • Wie es in 8 gezeigt ist, sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Spitze 513 des Drain-Terminals 51, die Spitze 523 des Gate-Terminals 52, die Spitze 533 des Source-Terminals 53 und die Spitze 543 des Source-Erfassungsterminals in der z-Richtung nahezu auf der gleichen Position. Ferner stehen das Drain-Terminal 51, das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 von dem Abdichtungsharz 7 in der z-Richtung nahezu von der gleichen Position vor.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, schneidet die Phantomlinie als eine Verlängerung der Mittellinie C3 des Source-Terminals 53 in der y-Richtung das Schaltelement 4. Die Phantomlinie als eine Verlängerung der Mittellinie C1 des Drain-Terminals 51 in der y-Richtung schneidet das Schaltelement 4 nicht.
  • Wie es in den 2 und 4 gezeigt ist, ist der Gate-Draht 62 an die Gate-Elektrode 42 des Schaltelementes 4 und den Bond-Teil 521 des Gate-Terminals 52 gebondet, um die Gate-Elektrode 42 des Schaltelements 4 und das Gate-Terminal 52 elektrisch zu verbinden. Das Material für den Gate-Draht 62 ist nicht besonders eingeschränkt, obgleich bei der vorliegenden Ausführungsform ein Draht verwendet wird, der aus Al-Ni hergestellt ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Gate-Elektrode 42 und das Gate-Terminal 52 elektrisch miteinander durch einen einzelnen Gate-Draht 62 verbunden. Bei einer Betrachtung in der z-Richtung, ist der Gate-Draht 62 schräg ausgerichtet in Bezug auf sowohl die x-Richtung als auch die y-Richtung.
  • Wie es in den 2, 4, 7 und 8 gezeigt ist, ist jeder der Source-Drähte 63 an die Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 und den Source-Elektrodenteil 23 der vorderen elektrisch-leitfähigen Schicht 2 gebondet, um die Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 mit dem Source-Elektrodenteil 23 und dem Source-Terminal 53 elektrisch zu verbinden. Das Material für die Source-Drähte 63 ist nicht besonders eingeschränkt, obgleich bei der vorliegenden Ausführungsform Drähte verwendet werden, die aus Al hergestellt sind. Der Drahtdurchmesser der Source-Drähte 63 ist größer als jener des Gate-Drahtes 62 und des Source-Erfassungsdrahtes 64. Bei der vorliegenden Ausführungsform erstrecken sich die Source-Drähte 63 entlang der y-Richtung und sind voneinander in der x-Richtung beabstandet. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind vier Source-Drähte 63 vorgesehen.
  • Wie es in den 2 und 4 gezeigt ist, ist der Source-Erfassungsdraht 64 an die Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 und den Bond-Teil 541 des Source-Erfassungsterminals 54 gebondet, um die Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 und das Source-Erfassungsterminal 54 elektrisch miteinander zu verbinden. Das Material für den Source-Erfassungsdraht 64 ist nicht besonders eingeschränkt. Bei der vorliegenden Ausführungsform kann Gebrauch gemacht werden von einer Vielzahl von Drähten, die aus Al-Ni hergestellt sind und die dicker sind als der Draht, der zum Verbinden der Gate-Elektrode verwendet wird. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird ein einzelner Source-Erfassungsdraht 64, der etwa die gleiche Dicke hat wie der Draht der Gate-Elektrode, verwendet, um die Source-Elektrode 43 und das Source-Terminal 53 bzw. das Source-Erfassungsterminal 54 elektrisch zu verbinden. Bei einer Betrachtung in der z-Richtung ist der Source-Erfassungsdraht 64 in Bezug auf sowohl die x-Richtung als auch die y-Richtung schräg ausgerichtet bzw. geneigt.
  • Sowohl das Source-Terminal 53 als auch das Source-Erfassungsterminal 54 sind elektrisch mit der Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 verbunden. Insbesondere sind das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 elektrisch miteinander nur über einen Leitungspfad verbunden, der durch die Reihenverbindung des Source-Elektrodenteils 23, der Source-Drähte 63, der Source-Elektrode 43 und des Source-Erfassungsdrahtes 64 bereitgestellt ist. D.h., das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 sind elektrisch nur über einen Leitungspfad miteinander verbunden, der die Source-Elektrode 43 beinhaltet, und sind elektrisch nicht miteinander über einen Leitungspfad verbunden, der die Source-Elektrode 43 nicht enthält.
  • Der Widerstand bzw. Widerstandswert und die Induktivität bzw. der Induktivitätswert zwischen der Source-Elektrode 43 und der Spitze 533 des Source-Terminals 53 ist die Summe der Widerstände und Induktivitäten der Vielzahl von Source-Drähten, des Source-Elektrodenteils 23 und des Source-Terminals 53. Andererseits sind der Widerstand und die Induktivität zwischen der Source-Elektrode 43 und der Spitze 543 des Source-Erfassungsterminals 54 die Summe der Widerstände bzw. Induktivitäten des Source-Erfassungsdrahtes 64 und des Source-Erfassungsterminals 54. Aufgrund der oben beschriebenen Anordnung der Vielzahl von Source-Drähten 63 und des Source-Erfassungsdrahtes 64 sind der Widerstand und die Induktivität zwischen der Source-Elektrode 43 und der Spitze 533 des Source-Terminals 53 kleiner als der Widerstand bzw. die Induktivität zwischen der Source-Elektrode 43 und der Spitze 543 des Source-Erfassungsterminals 54.
  • Das Abdichtungsharz 7 bedeckt einen Teil des Substrates 1, einen Teil der vorderen elektrisch-leitfähigen Schicht 2, einen Teil der rückseitigen elektrisch-leitfähigen Schicht 3, das Schaltelement 4, einen Teil des Drain-Terminals 51, einen Teil des Gate-Terminals 52, einen Teil des Source-Terminals 53, einen Teil des Source-Erfassungsterminals 54, den Gate-Draht 62, die Vielzahl von Source-Drähten 63 und den Source-Erfassungsdraht 64, und zwar zum Zwecke des Schutzes. Das Material für das Abdichtungsharz 7 ist nicht besonders eingeschränkt. Das Abdichtungsharz kann aus einem schwarzen Epoxidharz hergestellt sein, in das ein Füllmaterial nach Notwendigkeit eingemischt sein kann.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet das Abdichtungsharz 7 eine Vorderfläche 71, eine Rückfläche 72, eine Endfläche 73 und ein Paar von Seitenflächen 74. Die Vorderfläche 71 weist in jene Richtung, in die die Vorderfläche 11 des Substrates 1 weist. Die Rückfläche 72 weist in jene Richtung, in die die Rückfläche 12 des Substrates 1 weist. Die Endfläche 73 verbindet die Vorderfläche 71 und die Rückfläche 72 und weist in die y-Richtung. Das Paar von Seitenflächen 74 verbindet die Vorderfläche 71 und die Rückfläche 72 und weist in der x-Richtung in einander entgegengesetzte Richtungen.
  • Wie es in den 5 und 9 gezeigt ist, ist bei der vorliegenden Ausführungsform eine Fläche der rückseitigen elektrisch-leitfähigen Schicht 3 vollständig gegenüber der Rückfläche 72 des Abdichtungsharzes 7 freigelegt. Diese Fläche der rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht 3 ist bündig mit der Rückfläche 72.
  • Wie es in den 1, 3, 5, 6 und 8 gezeigt ist, hat bei der vorliegenden Ausführungsform das Abdichtungsharz 7 zwei Vorsprünge 75. Die zwei Vorsprünge 75 stehen in der y-Richtung gegenüber der Endfläche 73 vor und sind bei dem dargestellten Beispiel jeweils ausgebildet in der Form eines rechteckigen Parallelepipeds. Die zwei Vorsprünge 75 sind voneinander in der x-Richtung beabstandet. Das Drain-Terminal 51 steht gegenüber dem Vorsprung 75 auf der rechten Seite in 3 vor, wohingegen das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 gegenüber dem Vorsprung 75 auf der linken Seite in der Figur vorstehen.
  • Mit den zwei Vorsprüngen 75, die auf der Endfläche 73 ausgebildet sind, hat das Abdichtungsharz 7 einen basisseitigen Teil 7a und einen spitzenseitigen Teil 7b. Der basisseitige Teil 7a ist ein Abschnitt, der in der y-Richtung hin zu der Basisseite des Drain-Terminals 51 und des Source-Terminals 53 (hin zu dem Bond-Teil 511 und dem Bond-Teil 531) versetzt ist, und zwar angeordnet in der x-Richtung zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53. In der vorliegenden Ausführungsform ist der basisseitige Teil 7a bereitgestellt durch den Abschnitt der Endfläche 73, der zwischen den zwei Vorsprüngen 75 angeordnet ist. Der spitzenseitige Teil 7b ist ein Abschnitt, der in Richtung hin zu der Spitze 513 des Drain-Terminal 51 oder der Spitze 533 des Source-Terminals 53 versetzt ist, und zwar zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 in der x-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform ist der spitzenseitige Teil 7b bereitgestellt durch einen Abschnitt des äußersten Endes von jedem der zwei Vorsprünge 75 in der y-Richtung, der zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 positioniert ist. D.h., das Halbleiterbauteil A1 weist zwei spitzenseitige Teile 7b auf.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform hat das Abdichtungsharz 7 seitliche Ausnehmungen 78. Die seitlichen Ausnehmungen 78 sind in dem dargestellten Beispiel gegenüber der Vorderfläche 71 und den Seitenflächen 74 ausgenommen bzw. zurückversetzt und liegen in der Form eines rechteckförmigen Parallelepipeds vor. Die isolierten Teile 25 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 sind teilweise gegenüber den seitlichen Ausnehmungen 78 freigelegt. Jede seitliche Ausnehmung 78 weist eine untere Fläche 781 auf. Wie es in 10 gezeigt ist, liegen die unteren Flächen 781 bündig mit den freiliegenden Flächen der isolierten Teile 25.
  • Das Halbleiterbauteil A1, das eine derartige Struktur hat, kann ohne Einschränkung verwendet werden, und zwar in verschiedenen Applikationen, beispielsweise als eine Bestandteilskomponente eines Impulsgenerators, der eingebaut ist in Vorrichtungen wie einem experimentellen Strahlbeschleuniger, einem Kicker, einem medizinischen Krebsbehandlungssystem, einem Röntgenstrahlgenerator und einem Plasmagenerator, und als eine Bestandteilskomponente einer Hochspannungs-Leistungsversorgung oder einer Relayschaltung, um Beispiele zu nennen.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind das Drain-Terminal 51 und das Source-Terminal 53 benachbart zueinander angeordnet, wie es in 4 gezeigt ist. Eine derartige Anordnung vermeidet die Notwendigkeit dazu, den Leitungspfad, der das Drain-Terminal 51 und die Drain-Elektrode 41 verbindet, und den Leitungspfad, der das Source-Terminal 53 und die Source-Elektrode 43 verbindet, so zu konfigurieren, dass der Leitungspfad vermieden wird, der das Gate-Terminal 52 und die Gate-Elektrode 42 verbindet, oder der Leitungspfad vermieden bzw. diesem ausgewichen wird, der das Source-Erfassungsterminal 54 und die Source-Elektrode 43 verbindet. Dies reduziert die Notwendigkeit, in dem Leitungspfad, der das Drain-Terminal 51 und die Drain-Elektrode 41 verbindet, und dem Leitungspfad, der das Source-Terminal 53 und die Source-Elektrode 43 verbindet, einen gebogenen Teil oder einen verlängerten Teil bereitzustellen, was dazu führt, dass die Induktivitäten dieser Leitungspfade verringert werden. Insbesondere ist der Leitungspfad, der das Source-Terminal 53 und die Source-Elektrode 43 verbindet, elektrisch mit dem Leitungspfad verbunden, der das Source-Erfassungsterminal 54 und die Source-Elektrode 43 verbindet. Wenn das Source-Terminal 53 beim Anlegen einer Gate-Ansteuerspannung sich auf einem Referenzpotential befindet, löscht die durch die Induktivität erzeugte elektromotorische Kraft dann, wenn die Induktivität des Leitungspfades, der das Source-Terminal 53 und die Source-Elektrode 43 verbindet, überaus groß ist, die Ansteuerspannung aus oder reduziert diese, die über das Gate-Terminal 52 und das Source-Terminal 53 angelegt ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Source-Erfassungsterminal 54 zum Anlegen der Gate-Ansteuerspannung separat von dem Source-Terminal 53 vorgesehen, das das Schaltelement 4 dazu einschaltet, um zu erlauben, dass ein Strom fließt. Eine solche Anordnung ermöglicht es, dass die Ansteuerspannung verlässlich angelegt werden kann, ohne durch die Induktivität des Leitungspfades beeinflusst zu werden, der das Source-Terminal 53 und die Source-Elektrode 43 verbindet. Wenn das Schaltelement 4 ein SiC-Schaltelement ist, neigt die Transkonduktanz, bei der es sich um den Gradienten des Drain-Stroms in Bezug auf die Ansteuerspannung handelt, dazu, klein zu sein verglichen mit jener eines Si-Schaltelementes, so dass ein hinreichender Drain-Strom nicht erhalten werden kann, es sei denn, die Ansteuerspannung erreicht eine vorbestimmte Spannung. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird jedoch ein hinreichender Drain-Strom mit einer Stromänderung von Hunderten von Ampere in einer Mikrosekunde oder weniger schnell erhalten, was zu einer erhöhten Antwortgeschwindigkeit führt. Darüber hinaus, wie es in den 1 und 4 gezeigt ist, ist das Abdichtungsharz 7 mit dem basisseitigen Teil 7a und dem spitzenseitigen Teil 7b gebildet. Das Vorhandensein des basisseitigen Teils 7a und des spitzenseitigen Teils 7b erhöht die „Distanz entlang der Fläche“, bei der es sich um die Distanz handelt, die den Punkt, wo das Drain-Terminal 51 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 vorsteht, und den Punkt, wo das Source-Terminal 53 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 vorsteht, miteinander verbindet, und zwar entlang der Fläche des Abdichtungsharzes 7. Je länger die „Distanz entlang der Fläche“ ist, desto höher ist die Stehspannung zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53. Demzufolge erreicht das Halbleiterbauteil A1 eine verbesserte Stehspannung und eine verbesserte Antwortgeschwindigkeit.
  • Der basisseitige Teil 7a und der spitzenseitige Teil 7b werden auf leichte Art und Weise zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 bereitgestellt, und zwar durch Bereitstellen der Vorsprünge 75, die gegenüber der Endfläche 73 vorstehen.
  • Ferner, wie es in 4 gezeigt ist, ist die Distanz d13 zwischen der Mittellinie C1 des Drain-Terminals 51 und der Mittellinie C3 des Source-Terminals 53 in der x-Richtung größer als die Distanz d34 zwischen der Mittellinie C3 des Source-Terminals 53 und der Mittellinie C4 des Source-Erfassungsterminals 54, und zwar in der x-Richtung, und als die Distanz d24 zwischen der Mittellinie C4 des Source-Erfassungsterminals 54 und der Mittellinie C2 des Gate-Terminals 52, und zwar in der x-Richtung. Eine derartige Anordnung erhöht die Distanz entlang der Fläche zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53, was günstig ist zum Verbessern der Stehspannung.
  • Das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 sind benachbart zueinander angeordnet. Demzufolge muss der Leitungspfad, der die Gate-Elektrode 42 und das Gate-Terminal 52 verbindet, nicht zwischen dem Leitungspfad, der die Source-Elektrode 43 und das Source-Terminal 53 verbindet, und dem Leitungspfad vorgesehen werden, der die Source-Elektrode 43 und das Source-Erfassungsterminal 54 verbindet. Dies reduziert die Induktivitäten dieser Leitungspfade, was günstig ist zum Verbessern der Antwortgeschwindigkeit.
  • Die Phantomlinie als eine Verlängerung der Mittellinie C3 des Source-Terminals 53 in der y-Richtung schneidet das Schaltelement 4. Bei einer derartigen Anordnung sind das Schaltelement 4 und das Source-Terminal 53 nicht unerwünscht weit voneinander angeordnet, was zu der Reduktion des Widerstandes und der Induktivität zwischen der Source-Elektrode 43 und dem Source-Terminal 53 beiträgt. Je größer die Induktivität des Strompfades ist, der gebildet ist durch das Drain-Terminal 51, das Schaltelement 4 und das Source-Terminal 53, desto größer ist die elektromotorische Kraft, die durch einen derartigen Induktivitätsteil zum Zeitpunkt des Ausschaltens erzeugt wird. Wenn die elektromotorische Kraft übermäßig groß ist, kann die Stehspannung des Elements („element withstand voltage“) überschritten werden, was zu einem Durchbruch führt. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist, obgleich die Verwendung des Source-Erfassungsterminals 54 ein Hochgeschwindigkeitsschalten ermöglicht, die Induktivität zwischen der Source-Elektrode 54 und dem Source-Terminal 53 verringert, so dass der Elementendurchbruch verhindert wird.
  • Darüber hinaus schneidet bei der vorliegenden Ausführungsform die Phantomlinie als eine Verlängerung der Mittellinie C1 des Drain-Terminals 51 in der y-Richtung das Schaltelement 4 nicht. Dies bedeutet, dass das Drain-Terminal 51 hinreichend weit weg von dem Source-Terminal 53 beabstandet ist, was günstig ist zum Verbessern der Stehspannung.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform schneidet die Phantomlinie als eine Verlängerung der Mittellinie C4 des Source-Erfassungsterminals 54 in der y-Richtung das Schaltelement 4 nicht. Es ist jedoch anzumerken, dass eine derartige Anordnung auf einen Fall angewendet wird, bei dem die Abmessung des Schaltelementes 4 bei einer Betrachtung in der z-Richtung relativ klein ist. In Abhängigkeit von der Abmessung des Schaltelementes 4 oder dergleichen kann die Phantomlinie als eine Verlängerung der Mittellinie C4 des Source-Erfassungsterminals 54 in der y-Richtung das Schaltelement 4 schneiden.
  • Wie es in 10 gezeigt ist, sind die isolierten Teile 25 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 an den seitlichen Ausnehmungen 78 freigelegt, und die oberen Flächen der isolierten Teile 25 sind in der Figur bündig ausgerichtet mit den jeweiligen unteren Flächen 781. Demzufolge kann beim Bilden des Abdichtungsharzes 7 unter Verwendung einer Gussform in dem Prozess der Herstellung des Halbleiterbauteils A1 die Gussform gegen die isolierten Teile 25 gedrückt werden. Die isolierten Teile 25 decken das Substrat 1 teilweise ab und verhindern folglich, dass die Andruckkraft, die durch die Gussform aufgebracht wird, direkt auf das Substrat 1 ausgeübt wird. Dies ist günstig zum Verhindern eines Bruches des Substrates 1, das aus einer Keramik hergestellt ist. Darüber hinaus sind die isolierten Teile 25 voneinander beabstandet und gegenüber den Abschnitten der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 isoliert, die verschiedene Leitungspfade bereitstellt. Demzufolge verursachen die an der Außenseite des Halbleiterbauteiles A1 freiliegenden isolierten Teile 25 keinen unbeabsichtigten Kurzschluss oder dergleichen.
  • Die 11-20 zeigen weitere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind jene Elemente, die identisch sind mit oder ähnlich sind zu jenen der vorstehenden Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszeichen wie jene versehen, die für die vorstehende Ausführungsform verwendet worden sind.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 11 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A2 der vorliegenden Ausführungsform weist das Abdichtungsharz 7 einen einzelnen Vorsprung 75 auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Vorsprung 75 in der x-Richtung zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet. Das Drain-Terminal 51, das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 stehen gegenüber der Endfläche 73 vor. Durch den Abschnitt der Endfläche 73, der zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Vorsprung 75 angeordnet ist, und durch den Abschnitt der Endfläche 73, der zwischen dem Source-Terminal 53 und dem Vorsprung 75 angeordnet ist, sind zwei basisseitige Teile 7a bereitgestellt. Ferner ist der spitzenseitige Teil 7b durch das äußerste Ende des Vorsprunges 75 in der y-Richtung bereitgestellt.
  • Das Halbleiterbauteil A2 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 12 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A3 der vorliegenden Ausführungsform weist das Abdichtungsharz 7 drei Vorsprünge 75 auf. Die drei Vorsprünge 75 sind voneinander in der x-Richtung beabstandet. Von dem Vorsprung 75 auf der rechten Seite in der Figur steht das Drain-Terminal 51 vor. Von dem Vorsprung 75 auf der linken Seite in der Figur stehen das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 vor. Der Vorsprung 75 in der Mitte in der Figur ist zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet. Von diesem Vorsprung 75 stehen kein Terminal des Drain-Terminals 51, des Gate-Terminals 52, des Source-Terminals 53 und des Source-Erfassungsterminals 54 vor.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind durch die Abschnitte der Endfläche 73, die zwischen benachbarten Vorsprünge 75 angeordnet sind, zwei basisseitige Teile 7a bereitgestellt. Ferner sind durch Abschnitte der äußersten Enden in der y-Richtung der drei Vorsprünge 75 auch drei spitzenseitige Teile 7b bereitgestellt, die zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet sind.
  • Das Halbleiterbauteil A3 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit.
  • <Vierte Ausführungsform >
  • 13 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A4 der vorliegenden Ausführungsform weist das Abdichtungsharz 7 einen einzelnen Vorsprung 75 auf. das Drain-Terminal 51 steht gegenüber der Endfläche 73 vor. Das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 stehen gegenüber dem Vorsprung 75 vor. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der basisseitige Teil 7a durch einen Abschnitt der Endfläche 73 bereitgestellt, der zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet ist. Das spitzenseitige Teil 7b ist bereitgestellt durch einen Abschnitt des äußersten Endes in der y-Richtung des Vorsprunges 75, der zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet ist.
  • Das Halbleiterbauteil A4 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit.
  • <Fünfte Ausführungsform>
  • 14 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A5 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist das Abdichtungsharz 7 zwei Vorsprünge 75 auf. Das Drain-Terminal 51 steht gegenüber dem Vorsprung 75 auf der rechten Seite in der Figur vor. Von dem Vorsprung 75 auf der linken Seite in der Figur stehen das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 vor. Jeder der zwei Vorsprünge 75 weist eine geneigte Fläche auf, die sich in der Figur in y-Richtung von dem äußersten Ende in der y-Richtung nach oben bzw. schräg erstreckt. Diese geneigten Flächen sind miteinander verbunden. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der basisseitige Teil 7a durch den Abschnitt vorgesehen, bei dem die geneigten Flächen der zwei Vorsprünge 75 miteinander verbunden sind. Zwei spitzenseitige Teile 7b sind bereitgestellt durch Abschnitte des äußersten Endes in der y-Richtung der zwei Vorsprünge 75, die zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet sind.
  • Das Halbleiterbauteil A5 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit. Die Fläche, die den basisseitigen Teil 7a und den spitzenseitigen Teil 7b verbindet, muss sich generell nicht notwendigerweise entlang der y-Richtung erstrecken, sondern kann in Bezug auf die y-Richtung geneigt sein, wie es bei der vorliegenden Ausführungsform vorgesehen ist.
  • <Sechste Ausführungsform>
  • 15 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A6 der vorliegenden Ausführungsform hat das Abdichtungsharz 7 keinen Vorsprung 75 sondern hat eine Ausnehmung 76. Die Ausnehmung 76 ist gegenüber der Endfläche 73 in der y-Richtung ausgenommen, und zwar zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der basisseitige Teil 7a bereitgestellt durch die Bodenfläche der Ausnehmung 76, und die zwei spitzenseitigen Teils 7b sind bereitgestellt durch die Abschnitte der Endfläche 73, die zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 angeordnet sind.
  • Das Halbleiterbauteil A6 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit.
  • <Siebte Ausführungsform>
  • 16 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A7 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die Spitze 513 des Drain-Terminals 51 in der z-Richtung auf einer Position angeordnet, die sich von jener der Spitze 523 des Gate-Terminals 52, der Spitze 533 des Source-Terminals 53 und der Spitze 543 des Source-Erfassungsterminals 54 unterscheidet. Die Spitze 523 des Gate-Terminals 52, die Spitze 533 des Source-Terminals 53 und die Spitze 543 des Source-Erfassungsterminals 54 befinden sich in der z-Richtung auf der gleichen Position. Ferner ist in der z-Richtung die Position, wo das Drain-Terminal 51 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 vorsteht, gegenüber der Position unterschiedlich, bei der das Gate-Terminal 52, das Source-Terminal 53 und das Source-Erfassungsterminal 54 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 vorstehen. Eine derartige Konfiguration kann bereitgestellt werden, indem die Biegehöhe des gebogenen Teils 512 gegenüber der Biegehöhe des gebogenen Teils 522, des gebogenen Teils 532 und des gebogenen Teils 542 unterschiedlich gemacht wird. Bei dem dargestellten Beispiel haben die zwei Vorsprünge 75, die den basisseitigen Teil 7a und den spitzenseitigen Teil 7b bereitstellen, eine Konfiguration, die ähnlich ist zu jener bei dem Halbleiterbauteil A1, obgleich auch die Konfigurationen verwendet werden können wie bei den Halbleiterbauteilen A2-A6.
  • Das Halbleiterbauteil A7 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit. Ferner erhöht sich bei dieser Ausführungsform die Distanz entlang der Fläche zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 durch einen Betrag, der der Differenz in der z-Richtung zwischen der Position, wo das Drain-Terminal 51 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 vorsteht, und der Position, bei der das Source-Terminal 53 gegenüber dem Abdichtungsharz 7 vorsteht, entspricht. Dies ist günstig zum Verbessern der Stehspannung des Halbleiterbauteils A7. Wenn das Halbleiterbauteil A7 an einer Leiterplatte montiert ist, wird ferner eine hinreichende Distanz entlang einer Fläche zwischen dem Drain-Terminal 51 und dem Source-Terminal 53 auf einfache Art und Weise an der gedruckten Leiterplatte sichergestellt.
  • <Achte Ausführungsform>
  • 17 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A8 der vorliegenden Ausführungsform hat die vordere elektrisch leitfähige Schicht 2 einen Gate-Elektrodenteil 22 und einen zusätzlichen Source-Elektrodenteil 24, und zwar zusätzlich zu dem Drain-Elektrodenteil 21, dem Source-Elektrodenteil 23 und den zwei isolierten Teilen 25. Das Gate-Elektrodenteil 22 und das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 sind aus dem gleichen Material hergestellt wie das Drain-Elektrodenteil 21, das Source-Elektrodenteil 23 und die zwei isolierten Teile 25. Das Gate-Elektrodenteil 22 ist die zweite Elektrode der vorliegenden Offenbarung. Das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 ist die zusätzliche dritte Elektrode der vorliegenden Offenbarung.
  • Das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 ist in der x-Richtung von dem Source-Elektrodenteil 23 beabstandet, so dass es in Bezug auf das Source-Elektrodenteil 23 jenem Abschnitt des Drain-Elektrodenteils 21 gegenüberliegt, an den der Bond-Teil 511 gebondet ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Bond-Teil 541 des Source-Erfassungsterminals 54 leitfähig an das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 gebondet. Der Source-Erfassungsdraht 64 ist auch mit dem zusätzlichen Source-Elektrodenteil 24 verbunden. Somit sind die Source-Elektrode 43 des Schaltelementes 4 und das Source-Terminal 53 elektrisch miteinander verbunden über den Source-Erfassungsdraht 64 und das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24.
  • Das Gate-Elektrodenteil 22 ist in der x-Richtung von dem zusätzlichen Source-Elektrodenteil 24 beabstandet, so dass es in Bezug auf das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 dem Source-Elektrodenteil 23 gegenüberliegt bzw. auf der anderen Seite des Teils 24 liegt. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Bond-Teil 521 des Gate-Terminals 52 leitfähig an das Gate-Elektrodenteil 22 gebondet. Der Gate-Draht 62 ist auch mit dem Gate-Elektrodenteil 22 verbunden. Demzufolge sind die Gate-Elektrode 42 des Schaltelementes 4 und das Gate-Terminal 52 elektrisch miteinander über den Gate-Draht 62 und das Gate-Elektrodenteil 22 verbunden.
  • Das Halbleiterbauteil A8 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit. Ferner wird durch Bonden des Gate-Terminals 52 an das Gate-Elektrodenteil 22 und des Source-Erfassungsterminals 54 an das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 die Bond-Festigkeit des Gate-Terminals 52 und des Source-Erfassungsterminals 54 erhöht. Demgemäß ist die relative Position zwischen jedem der Terminals und dem Substrat 1 sicher festgelegt, was es erlaubt, dass jedes Terminal verlässlich an einer geeigneten Position in der Gussform festgelegt wird, und zwar beim Gießen des Abdichtungsharzes 7.
  • <Neunte Ausführungsform>
  • 18 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Das Halbleiterbauteil A9 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von den vorstehenden Ausführungsformen in der Anordnung des Schaltelementes 4. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind sämtliche der vier äußeren Kanten 45 des Schaltelementes 4 in Bezug auf die x-Richtung und in Bezug auf die y-Richtung geneigt. Bei dem dargestellten Beispiel sind die vier äußeren Kanten 45 in Bezug auf die x-Richtung und in Bezug auf die y-Richtung um 45 Grad geneigt.
  • Die Source-Elektrode 43 bedeckt den größten Teil des Schaltelementes 4, und zwar bei einer Betrachtung in der z-Richtung, und ist generell rechteckförmig. Aufgrund der oben beschriebenen Anordnung des Schaltelementes 4 erstrecken sich die Diagonalen der Source-Elektrode 43 entlang der x-Richtung und der y-Richtung. Bei einer solchen Anordnung ist die maximale Abmessung der Source-Elektrode 43 in der x-Richtung größer als jene bei den vorstehenden Ausführungsformen. Als Ergebnis hiervon ist die Anzahl der Source-Drähte 63, die mit der Source-Elektrode 43 verbunden sind, in dem dargestellten Beispiel auf sechs erhöht.
  • Das Halbleiterbauteil A9 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit. Ein Erhöhen der Anzahl der Source-Drähte 63 verringert den Widerstand und die Induktivität zwischen der Source-Elektrode 43 und dem Source-Terminal 53. Dies ist günstig hinsichtlich eines Verbesserns der Antwortgeschwindigkeit des Halbleiterbauteils A9. Das Halbleiterbauteil A9 weist die vordere elektrisch leitfähige Schicht 2 auf, die das Gate-Elektrodenteil 22 und das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 beinhaltet, obgleich sie auch eine Konfiguration ähnlich zu jener des Halbleiterbauteils A1 haben kann, das das Gate-Elektrodenteil 22 und das zusätzliche Source-Elektrodenteil 24 nicht aufweist.
  • <Zehnte Ausführungsform>
  • 19 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer zehnten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A10 der vorliegenden Ausführungsform ist das Schaltelement 4 auf die gleiche Art und Weise angeordnet wie bei dem Halbleiterbauteil A9. Das Drain-Elektrodenteil 21 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 weist einen Ausschnitt 211 auf. Der Ausschnitt 211 ist auf der gegenüberliegenden Seite des Source-Elektrodenteils 23 vorgesehen, und zwar in Bezug auf das Schaltelement 4 in der y-Richtung, und ist in der Figur in der y-Richtung nach unten ausgenommen bzw. zurückversetzt. Der Ausschnitt 211 weist eine schräge Seite 212 auf. Die schräge Seite 212 ist sowohl in Bezug auf die x-Richtung als auch in Bezug auf die y-Richtung geneigt und ist parallel zu einer äußeren Kante 45 des Schaltelementes 4. Die schräge Seite 212 und die äußere Kante 45 sind benachbart zueinander angeordnet.
  • Das Halbleiterbauteil A10 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit. Ferner wird durch das Bereitstellen des Ausschnittes 211 mit der schrägen Seite 212 in dem Drain-Elektrodenteil 21 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 ermöglicht, dass das Schaltelement 4 auf dem Drain-Elektrodenteil 21 montiert wird, indem man die schräge Seite 212 zur Orientierung bzw. Ausrichtung des Schaltelementes 4 als eine Referenz bzw. als einen Bezug herannimmt.
  • <Elfte Ausführungsform>
  • 20 zeigt ein Halbleiterbauteil gemäß einer elften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bei dem Halbleiterbauteil A11 der vorliegenden Ausführungsform ist das Schaltelement 4 auf die gleiche Art und Weise angeordnet wie bei den Halbleiterbauteilen A9 und A10. Das Drain-Elektrodenteil 21 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 weist einen Ausschnitt 211 auf. Der Ausschnitt 211 ist auf der gegenüberliegenden Seite des Source-Elektrodenteils 23 vorgesehen, und zwar in Bezug auf das Schaltelement 4 in der y-Richtung, und ist in der Figur in der y-Richtung nach unten ausgenommen. Der Ausschnitt 211 der vorliegenden Ausführungsform ist auf der gegenüberliegenden Seite des Ausschnittes 211 des Halbleiterbauteils A10 in der x-Richtung angeordnet, und zwar über die Mittellinie C3 hinweg. Der Ausschnitt 211 weist eine schräge Seite 212 auf. Die schräge Seite 212 ist sowohl in Bezug auf die x-Richtung als auch in Bezug auf die y-Richtung geneigt und ist parallel zu einer äußeren Kante 45 des Schaltelementes 4. Die schräge Seite 212 und die äußere Kante 45 sind benachbart zueinander angeordnet.
  • Das Halbleiterbauteil A11 gemäß dieser Ausführungsform erreicht ebenfalls eine verbesserte Stehspannung und Antwortgeschwindigkeit. Ferner wird durch Bereitstellen des Ausschnittes 211 mit der schrägen Seite 212 in dem Drain-Elektrodenteil 21 der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht 2 ermöglicht, dass das Schaltelement 4 auf dem Drain-Elektrodenteil 21 unter Verwendung der schrägen Seite 212 als ein Bezug zur Orientierung des Schaltelementes 4 montiert werden kann.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Konfiguration jedes Teils des Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung kann auf verschiedene Art und Weise variiert werden. Beispielsweise können die Source-Elektrode und das Source-Terminal über eine flache Metallplatte miteinander verbunden sein, anstelle der Drähte, obgleich die vorstehenden Ausführungsformen eine Verbindung nur unter Verwendung der Drähte und des Elektrodenteils beschreiben. Darüber hinaus kann das Source-Erfassungsterminal durch ein anderes Terminal zum Kommunizieren mit anderen Arten von Signalen ersetzt werden. Ferner kann ein weiteres Terminal zum Kommunizieren von anderen Signalen als den Source-Erfassungssignalen hinzugefügt werden. Anstelle des Ausbildens einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht auf dem isolierenden Substrat und des Verbindens der vorderen leitfähigen Schicht mit dem Drain-Terminal, kann das Schaltelement auf einer Insel angeordnet sein, die integral mit dem Drain-Terminal ausgebildet ist, und jede Elektrode und jedes Terminal können direkt miteinander über einen Draht verbunden sein. Obgleich die Ausführungsformen nur die Verwendung eines einzelnen Schaltelementes beschreiben, kann eine Vielzahl von Schaltelementen parallel zueinander verbunden sein, und bzw. oder es kann ein Schutzdioden-Chip mitaufgenommen sein.
  • Die vorliegende Offenbarung beinhaltet Ausführungsformen gemäß den folgenden Klauseln.
  • Klausel 1.
  • Halbleiterbauteil mit:
    • einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das dazu konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt wird, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird;
    • einem Substrat, das eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist und das aus einem isolierendem Material hergestellt ist;
    • einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, die auf der Vorderfläche des Substrates gebildet ist und ein erstes Elektrodenteil enthält, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist;
    • einem erstem Terminal, das elektrisch mit der ersten Elektrode über das erste Elektrodenteil verbunden ist;
    • einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist;
    • einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und
    • einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, einen Teil von jedem Terminal des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt,
    • wobei das erste bis dritte Terminal ausgehend von dem Abdichtungsharz in Richtung zu einer gleichen Seite vorstehen, und zwar entlang einer ersten Richtung, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Substrats,
    • wobei das erste bis dritte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht Seite ist zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung,
    • wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, und wobei
    • das Abdichtungsharz aufweist:
      • einen basisseitigen Teil, der in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal angeordnet ist und der in der ersten Richtung zu einer Schaltelementseite des ersten Terminals und des dritten Terminals versetzt ist; und
      • einen spitzenseitigen Teil, der in der ersten Richtung hin zu einer Spitzenseite des ersten und des dritten Terminals versetzt ist, die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  • Klausel 2.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei eine entlang einer Fläche verlaufende Distanz des Abdichtungsharzes zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal länger ist als eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal.
  • Klausel 3.
  • Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Abdichtungsharz eine Endfläche hat, die senkrecht ist zu der ersten Richtung.
  • Klausel 4.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei das Abdichtungsharz wenigstens einen Vorsprung hat, wobei jeder Vorsprung des wenigstens einen Vorsprunges in der ersten Richtung von der Endfläche hin zu der Spitzenseite des ersten Terminals vorsteht, und
    der basisseitige Teil die Endfläche aufweist und der spitzenseitige Teil eine Endfläche auf der Spitzenseite von jedem Vorsprung des wenigstens einen Vorsprunges aufweist.
  • Klausel 5.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 4, wobei der wenigstens eine Vorsprung des Abdichtungsharzes einen ersten Vorsprung und einen zweiten Vorsprung aufweist,
    wobei das erste Terminal von dem ersten Vorsprung vorsteht, und
    wobei das dritte Terminal von dem zweiten Vorsprung vorsteht.
  • Klausel 6.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei das Abdichtungsharz mit einer Ausnehmung ausgebildet ist, die gegenüber der Endfläche in der ersten Richtung ausgenommen ist bzw. zurückversetzt ist, und
    der basisseitige Teil einen tiefsten Abschnitt der Ausnehmung beinhaltet und der spitzenseitige Teil die Endfläche beinhaltet.
  • Klausel 7.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-6, ferner mit einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist, wobei das dritte Terminal benachbart zu dem ersten Terminal angeordnet ist,
    wobei eine Distanz zwischen dem erstem Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz in der zweiten Richtung zwischen dem dritten Terminal und einem von dem zweiten Terminal und dem vierten Terminal, das benachbart zu dem dritten Terminal angeordnet ist.
  • Klausel 8.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 7, wobei die Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz zwischen dem zweiten Terminal und dem vierten Terminal in der zweiten Richtung.
  • Klausel 9.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 7 oder 8, wobei das vierte Terminal benachbart zu dem dritten Terminal angeordnet ist.
  • Klausel 10.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 7-9, wobei ein Widerstand und eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und einer Spitze des dritten Terminals kleiner sind als ein Widerstand bzw. eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und einer Spitze des vierten Terminals.
  • Klausel 11.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei das dritte Terminal und das vierte Terminal elektrisch nur über einen Leitungspfad miteinander verbunden sind, der die dritte Elektrode beinhaltet.
  • Klausel 12.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-11, wobei eine Phantomlinie, bei der es sich um eine Verlängerung in der ersten Richtung einer Mittellinie des dritten Terminals handelt, in der zweiten Richtung das Schaltelement schneidet.
  • Klausel 13.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 12, wobei eine Phantomlinie, bei der es sich um eine Verlängerung in der ersten Richtung einer Mittellinie des ersten Terminals handelt, in der zweiten Richtung das Schaltelement nicht schneidet.
  • Klausel 14.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-13, wobei die vordere elektrisch leitfähige Schicht einen isolierten Teil aufweist, der von dem ersten Elektrodenteil beabstandet und isoliert ist, und wobei
    der isolierte Teil gegenüber dem Abdichtungsharz teilweise freiliegt.
  • Klausel 15.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-14, wobei das Schaltelement rechteckförmig ist und vier äußere Kanten aufweist, und
    wobei jede der vier äußeren Kanten sich entlang der ersten Richtung oder der zweiten Richtung erstreckt.
  • Klausel 16.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-14, wobei das Schaltelement rechteckförmig ist und vier äußere Kanten aufweist, und
    wobei jede der vier äußeren Kanten gegenüber sowohl der ersten Richtung als auch der zweiten Richtung geneigt bzw. schrägt ausgerichtet ist.
  • Klausel 17.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 16, wobei das erste Elektrodenteil mit einem Ausschnitt gebildet ist, der eine schräge Seite hat, die parallel ist zu der äußeren Kante des Schaltelementes.
  • Klausel 18.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-17, wobei das erste Terminal und das dritte Terminal an unterschiedlichen Positionen in der Dickenrichtung gegenüber dem Abdichtungsharz vorstehen.
  • Klausel 19.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-18, wobei die vordere elektrisch leitfähige Schicht ein drittes Elektrodenteil aufweist, das von dem ersten Elektrodenteil beabstandet ist und an den das dritte Terminal gebondet ist.
  • Klausel 20.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 19, wobei die vordere elektrisch leitfähige Schicht aufweist:
    ein zweites Elektrodenteil, das von dem ersten Elektrodenteil beabstandet ist und an den das zweite Terminal gebondet ist; und
    ein zusätzliches drittes Elektrodenteil, das von dem ersten Elektrodenteil und dem dritten Elektrodenteil beabstandet ist und an den das vierte Terminal gebondet ist.
  • Klausel 21.
  • Halbleiterbauteil mit:
    einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das so konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode durch eine Ansteuerspannung bereitgestellt wird, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird;
    einem Substrat, das eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist und das aus einem isolierendem Material hergestellt ist;
    einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, die auf der Vorderfläche des Substrates ausgebildet ist und ein erstes Elektrodenteil aufweist, an den die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist;
    einem ersten Terminal, das elektrisch mit der ersten Elektrode über das erste Elektrodenteil verbunden ist;
    einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist;
    einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und
    einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, einen Teil von jedem Terminal des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt,
    wobei das erste bis dritte Terminal ausgehend von dem Abdichtungsharz in Richtung hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vorstehen, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Substrats,
    wobei das erste bis dritte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung,
    wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, und
    wobei eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz zwischen dem dritten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung.
  • Klausel 22.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 21, ferner mit einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist und das von dem ersten Terminal weiter beabstandet ist als es das dritte Terminal ist, wobei das dritte Terminal benachbart zu dem ersten Terminal angeordnet ist.
  • Klausel 23.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-22, wobei das Schaltelement ein SiC-Schaltelement aufweist.
  • Klausel 24.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-23, wobei das erste Terminal ein Drain-Terminal des Schaltelementes ist, wobei das zweite Terminal ein Gate-Terminal des Schaltelementes ist und wobei das dritte Terminal ein Source-Terminal des Schaltelementes ist.
  • Klausel 25.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 24, wobei das Source-Terminal bei einer Betrachtung in der ersten Richtung nahezu bei der Mitte des Abdichtungsharzes gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  • Klausel 26.
  • Halbleiterbauteil nach einer beliebigen der Klauseln 1-25, ferner mit einer rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht, die an der Rückfläche des Substrates ausgebildet ist und die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  • Klausel 27.
  • Halbleiterbauteil mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das dazu konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt wird, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird;
    einem ersten Terminal, das ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist;
    einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist;
    einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und
    einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil des ersten Elektrodenteils, einen Teil von jedem des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt;
    wobei das erste bis dritte Terminal hin zu einer gleichen Seite ausgehend von dem Abdichtungsharz entlang einer ersten Richtung vorstehen, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Schaltelementes,
    wobei das erste bis dritte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung,
    wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, und
    wobei das Abdichtungsharz aufweist:
    • einen basisseitigen Teil, der zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung angeordnet ist und der in der ersten Richtung hin zu einer Schaltelementseite des ersten Terminals und des dritten Terminals versetzt ist; und
    • einen spitzenseitigen Teil, der in der ersten Richtung hin zu einer Spitzenseite des ersten und/oder des dritten Terminals versetzt ist, die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  • Klausel 28.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 27, wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist,
    wobei von dem ersten bis dritten Terminal das dritte Terminal an einer Mitte in der zweiten Richtung angeordnet ist, und
    wobei eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz zwischen dem dritten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung.
  • Klausel 29.
  • Halbleiterbauteil mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das so konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt ist, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, wobei eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt ist;
    einem ersten Terminal, das ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist;
    einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist;
    einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist;
    einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und
    einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil des ersten Elektrodenteils, einen Teil von jedem des ersten bis vierten Terminals und das Schaltelement bedeckt;
    wobei das erste bis vierte Terminal von dem Abdichtungsharz hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vorstehen, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Schaltelementes,
    wobei das erste bis vierte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung,
    wobei von dem ersten bis vierten Terminal das dritte Terminal bei einer Mitte in der zweiten Richtung angeordnet ist, und
    wobei eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und dem dritten Terminal kleiner ist als eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und dem vierten Terminal.

Claims (29)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das dazu konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt wird, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird; einem Substrat, das eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist und das aus einem isolierendem Material hergestellt ist; einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, die auf der Vorderfläche des Substrates gebildet ist und ein erstes Elektrodenteil enthält, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem erstem Terminal, das elektrisch mit der ersten Elektrode über das erste Elektrodenteil verbunden ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, einen Teil von jedem Terminal des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt, wobei das erste bis dritte Terminal ausgehend von dem Abdichtungsharz in Richtung zu einer gleichen Seite vorstehen, und zwar entlang einer ersten Richtung, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Substrats, wobei das erste bis dritte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung, wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, und wobei das Abdichtungsharz aufweist: einen basisseitigen Teil, der in der zweiten Richtung zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal angeordnet ist und der in der ersten Richtung zu einer Schaltelementseite des ersten Terminals und des dritten Terminals versetzt ist; und einen spitzenseitige Teil, der in der ersten Richtung hin zu einer Spitzenseite des ersten und des dritten Terminals versetzt ist, die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei eine entlang einer Fläche verlaufende Distanz des Abdichtungsharzes zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal länger ist als eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Abdichtungsharz eine Endfläche hat, die senkrecht ist zu der ersten Richtung.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei das Abdichtungsharz wenigstens einen Vorsprung hat, wobei jeder Vorsprung des wenigstens einen Vorsprunges in der ersten Richtung von der Endfläche hin zu der Spitzenseite des ersten Terminals vorsteht, und der basisseitige Teil die Endfläche aufweist und der spitzenseitige Teil eine Endfläche auf der Spitzenseite von jedem Vorsprung des wenigstens einen Vorsprunges aufweist.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, wobei der wenigstens eine Vorsprung des Abdichtungsharzes einen ersten Vorsprung und einen zweiten Vorsprung aufweist, wobei das erste Terminal von dem ersten Vorsprung vorsteht, und wobei das dritte Terminal von dem zweiten Vorsprung vorsteht.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei das Abdichtungsharz mit einer Ausnehmung ausgebildet ist, die gegenüber der Endfläche in der ersten Richtung ausgenommen ist bzw. zurückversetzt ist, und der basisseitige Teil einen tiefsten Abschnitt der Ausnehmung beinhaltet und der spitzenseitige Teil die Endfläche beinhaltet.
  7. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-6, ferner mit einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist, wobei das dritte Terminal benachbart zu dem ersten Terminal angeordnet ist, wobei eine Distanz zwischen dem erstem Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz in der zweiten Richtung zwischen dem dritten Terminal und einem von dem zweiten Terminal und dem vierten Terminal, das benachbart zu dem dritten Terminal angeordnet ist.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, wobei die Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz zwischen dem zweiten Terminal und dem vierten Terminal in der zweiten Richtung.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 7 oder 8, wobei das vierte Terminal benachbart zu dem dritten Terminal angeordnet ist.
  10. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 7-9, wobei ein Widerstand und eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und einer Spitze des dritten Terminals kleiner sind als ein Widerstand bzw. eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und einer Spitze des vierten Terminals.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei das dritte Terminal und das vierte Terminal elektrisch nur über einen Leitungspfad miteinander verbunden sind, der die dritte Elektrode beinhaltet.
  12. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-11, wobei eine Phantomlinie, bei der es sich um eine Verlängerung in der ersten Richtung einer Mittellinie des dritten Terminals handelt, in der zweiten Richtung das Schaltelement schneidet.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei eine Phantomlinie, bei der es sich um eine Verlängerung in der ersten Richtung einer Mittellinie des ersten Terminals handelt, in der zweiten Richtung das Schaltelement nicht schneidet.
  14. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-13, wobei die vordere elektrisch leitfähige Schicht einen isolierten Teil aufweist, der von dem ersten Elektrodenteil beabstandet und isoliert ist, und wobei der isolierte Teil gegenüber dem Abdichtungsharz teilweise freiliegt.
  15. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-14, wobei das Schaltelement rechteckförmig ist und vier äußere Kanten aufweist, und wobei jede der vier äußeren Kanten sich entlang der ersten Richtung oder der zweiten Richtung erstreckt.
  16. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-14, wobei das Schaltelement rechteckförmig ist und vier äußere Kanten aufweist, und wobei jede der vier äußeren Kanten gegenüber sowohl der ersten Richtung als auch der zweiten Richtung geneigt bzw. schrägt ausgerichtet ist.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, wobei das erste Elektrodenteil mit einem Ausschnitt gebildet ist, der eine schräge Seite hat, die parallel ist zu der äußeren Kante des Schaltelementes.
  18. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-17, wobei das erste Terminal und das dritte Terminal an unterschiedlichen Positionen in der Dickenrichtung gegenüber dem Abdichtungsharz vorstehen.
  19. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-18, wobei die vordere elektrisch leitfähige Schicht ein drittes Elektrodenteil aufweist, das von dem ersten Elektrodenteil beabstandet ist und an den das dritte Terminal gebondet ist.
  20. Halbleiterbauteil nach Anspruch 19, wobei die vordere elektrisch leitfähige Schicht aufweist: ein zweites Elektrodenteil, das von dem ersten Elektrodenteil beabstandet ist und an den das zweite Terminal gebondet ist; und ein zusätzliches drittes Elektrodenteil, das von dem ersten Elektrodenteil und dem dritten Elektrodenteil beabstandet ist und an den das vierte Terminal gebondet ist.
  21. Halbleiterbauteil mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das so konfiguriert ist, das eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode durch eine Ansteuerspannung bereitgestellt wird, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird; einem Substrat, das eine Vorderfläche und eine Rückfläche aufweist und das aus einem isolierendem Material hergestellt ist; einer vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, die auf der Vorderfläche des Substrates ausgebildet ist und ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem ersten Terminal, das elektrisch mit der ersten Elektrode über das erste Elektrodenteil verbunden ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil der vorderen elektrisch leitfähigen Schicht, einen Teil von jedem Terminal des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt, wobei das erste bis dritte Terminal ausgehend von dem Abdichtungsharz in Richtung hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vorstehen, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Substrats, wobei das erste bis dritte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung, wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, und wobei eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz zwischen dem dritten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung.
  22. Halbleiterbauteil nach Anspruch 21, ferner mit einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist und das von dem ersten Terminal weiter beabstandet ist als es das dritte Terminal ist, wobei das dritte Terminal benachbart zu dem ersten Terminal angeordnet ist.
  23. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-22, wobei das Schaltelement ein SiC-Schaltelement aufweist.
  24. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-23, wobei das erste Terminal ein Drain-Terminal des Schaltelementes ist, wobei das zweite Terminal ein Gate-Terminal des Schaltelementes ist und wobei das dritte Terminal ein Source-Terminal des Schaltelementes ist.
  25. Halbleiterbauteil nach Anspruch 24, wobei das Source-Terminal bei einer Betrachtung in der ersten Richtung nahezu bei der Mitte des Abdichtungsharzes gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  26. Halbleiterbauteil nach einem beliebigen der Ansprüche 1-25, ferner mit einer rückseitigen elektrisch leitfähigen Schicht, die an der Rückfläche des Substrates ausgebildet ist und die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  27. Halbleiterbauteil mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das dazu konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt wird, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, während eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt wird; einem ersten Terminal, das ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil des ersten Elektrodenteils, einen Teil von jedem des ersten bis dritten Terminals und das Schaltelement bedeckt; wobei das erste bis dritte Terminal hin zu einer gleichen Seite ausgehend von dem Abdichtungsharz entlang einer ersten Richtung vorstehen, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Schaltelementes, wobei das erste bis dritte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung, wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, und wobei das Abdichtungsharz aufweist: einen basisseitigen Teil, der zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung angeordnet ist und der in der ersten Richtung hin zu einer Schaltelementseite des ersten Terminals und des dritten Terminals versetzt ist; und einen spitzenseitigen Teil, der in der ersten Richtung hin zu einer Spitzenseite des ersten und/oder des dritten Terminals versetzt ist, die gegenüber dem Abdichtungsharz freiliegt.
  28. Halbleiterbauteil nach Anspruch 27, wobei von dem ersten bis dritten Terminal das erste Terminal an einer äußersten Seite in der zweiten Richtung angeordnet ist, wobei von dem ersten bis dritten Terminal das dritte Terminal an einer Mitte in der zweiten Richtung angeordnet ist, und wobei eine Distanz zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal in der zweiten Richtung größer ist als eine Distanz zwischen dem dritten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung.
  29. Halbleiterbauteil mit: einem Schaltelement, das eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine dritte Elektrode aufweist und das so konfiguriert ist, dass eine EIN/AUS-Steuerung zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode bereitgestellt ist, und zwar durch eine Ansteuerspannung, die über die zweite Elektrode und die dritte Elektrode angelegt wird, wobei eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der dritten Elektrode angelegt ist; einem ersten Terminal, das ein erstes Elektrodenteil aufweist, an das die erste Elektrode des Schaltelementes gebondet ist; einem zweiten Terminal, das elektrisch mit der zweiten Elektrode verbunden ist; einem dritten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; einem vierten Terminal, das elektrisch mit der dritten Elektrode verbunden ist; und einem Abdichtungsharz, das wenigstens einen Teil des ersten Elektrodenteils, einen Teil von jedem des ersten bis vierten Terminals und das Schaltelement bedeckt; wobei das erste bis vierte Terminal von dem Abdichtungsharz hin zu einer gleichen Seite entlang einer ersten Richtung vorstehen, die senkrecht ist zu einer Dickenrichtung des Schaltelementes, wobei das erste bis vierte Terminal voneinander in einer zweiten Richtung beabstandet sind, die senkrecht ist zu sowohl der Dickenrichtung als auch der ersten Richtung, wobei von dem ersten bis vierten Terminal das dritte Terminal bei einer Mitte in der zweiten Richtung angeordnet ist, und wobei eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und dem dritten Terminal kleiner ist als eine Induktivität zwischen der dritten Elektrode und dem vierten Terminal.
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