DE102005039165B4 - Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102005039165B4
DE102005039165B4 DE102005039165A DE102005039165A DE102005039165B4 DE 102005039165 B4 DE102005039165 B4 DE 102005039165B4 DE 102005039165 A DE102005039165 A DE 102005039165A DE 102005039165 A DE102005039165 A DE 102005039165A DE 102005039165 B4 DE102005039165 B4 DE 102005039165B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor power
electrode
bonding
flat conductor
strip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102005039165A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005039165A1 (de
Inventor
Khalil Dr. Hosseini
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102005039165A priority Critical patent/DE102005039165B4/de
Priority to US11/504,783 priority patent/US7632718B2/en
Publication of DE102005039165A1 publication Critical patent/DE102005039165A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005039165B4 publication Critical patent/DE102005039165B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/3701—Shape
    • H01L2224/37011—Shape comprising apertures or cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8485—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20756—Diameter ranges larger or equal to 60 microns less than 70 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20757—Diameter ranges larger or equal to 70 microns less than 80 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20758—Diameter ranges larger or equal to 80 microns less than 90 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20759—Diameter ranges larger or equal to 90 microns less than 100 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns

Abstract

Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2), wobei der Halbleiterleistungschip (2) mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6) aufweist, wobei sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode (5) und der Oberseitenelektrode (3) ausbildet, und wobei die Rückseitenelektrode (5) auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert ist und die Oberseitenelektrode (3) über ein Verbindungselement (9) mit einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch in Verbindung steht, wobei das Verbindungselement (9) einen Bondstreifen (11) aufweist, der sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt und zusätzlich auf der Oberseite (12) des Bondstreifens (11) mehrere Bonddrähte (13) auf dem Bondstreifen (11) von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) parallel zueinander angeordnet sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip, wobei der Halbleiterleistungschip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite aufweist. Dabei bildet sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode aus. Bei der Flachleitertechnik ist die Rückseitenelektrode des Halbleiterleistungschips auf einer Flachleiter-Chipinsel eines Flachleiterrahmens oberflächenmontiert. Die Oberseitenelektrode steht über eine Verbindungsleitung oder ein Verbindungselement mit einem Innenflachleiter des Flachleiterrahmens elektrisch in Verbindung.
  • Ein derartiges Halbleiterleistungsbauteil ist aus der Druckschrift US 2003/0162330 A1 bekannt. Bei dem bekannten Halbleiterleistungsbauteil mit einem Halbleiterleistungschip ist jedoch keine großflächige Elektrode auf der Oberseite des Halbleiterleistungschips vorgesehen, sondern vielmehr ist diese großflächige Elektrode in Kontaktstreifen aufgeteilt. Die Kontaktstreifen der Oberflächenelektrode sind über Bonddrähte mit einer Sammelschiene verbunden, die ihrerseits auf einem isolierten Sockel angeordnet ist und in einen Außenflachleiter übergeht. Die großflächige Rückseitenelektrode ist direkt auf einer Chipinsel eines Flachleiterrahmens befestigt und steht elektrisch mit einem weiteren Außenflachleiter in Verbindung.
  • Ein Nachteil dieses Halbleiterleistungsbauteils ist es, dass die Oberflächenelektrode in schmale Streifen aufgespalten ist, die ihrerseits in Bonddrähte übergehen. Das hat den Nachteil, dass die zulässige Stromdichte durch die Summe der Querschnitte der Bonddrähte begrenzt wird. Folglich muss der Strom in Abhängigkeit von den Durchmessern der Bonddrähte begrenzt werden, um ein Durchschmelzen der Bonddrähte des Halbleiterleistungsbauteils zu vermeiden.
  • Aus der Druckschrift DE 10 2004 006 440 A1 ist ein Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich bekannt, dessen Sensorbereich mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf einem Substrat über Verbindungsleitungen gewährleistet wird, wobei diese Verbindungsleitungen entweder Bondbänder, Bonddrähte oder Flachkabel sein können. Um diese Lösung auf ein Halbleiterleistungsbauteil zu übertragen, sind die Querschnitte der Bondbänder derart zu vergrößern, dass eine sichere Bondverbindung aufgrund der dann erforderlichen Dicke der Bondbänder nicht gewährleistet werden kann.
  • Aus der WO 2004/100258 A2 ist es bekannt, mehrere übereinander gestapelte Bondstreifen einzusetzen, um größere Verbindungsquerschnitte zu erzielen.
  • Wird eine Mehrzahl von Bonddrähten für das Halbleiterleistungsbauteil eingesetzt, so begrenzen diese den maximal möglichen Strom bzw. die maximal mögliche Stromdichte durch das Halbleiterleistungsbauteil, wie es bereits aus der Druckschrift US 2003/0162330 A1 bekannt ist. Schließlich gibt es auch Lösungen, bei denen Flachkabel die großflächige Elektrode mit entsprechenden breiten Kontaktanschlussflächen eines Innenflachleiters verbinden. Doch auch bei diesen relativ flachen Kabeln besteht das Problem, eine zuverlässige, stoff schlüssige Verbindung zu der großflächigen Oberseitenelektrode des Halbleiterchips herzustellen.
  • Aufgabe ist es, eine Stromführung durch einen Halbleiterleistungschip mit vertikalem Strompfad zu schaffen, so dass eine höhere Stromdichte zugelassen werden kann. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden und ein Verbindungselement anzugeben, das ohne Risiko auch Hochleistungsströme von einer großflächigen Oberseitenelektrode zu entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf einem Verdrahtungssubstrat ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip geschaffen. Dazu weist der Halbleiterleistungschip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite auf. Zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode bildet sich beim Betrieb des Halbleiterleistungsbauteils ein vertikaler Strompfad aus. Dazu ist die Rückseitenelektrode auf einer Flachleiter-Chipinsel eines Schaltungsträgers oberflächenmontiert und die Oberseitenelektrode über ein Verbindungselement mit einem Innenflachleiter eines Flachleiterrahmens verbunden. Dieses Verbindungselement weist nicht nur einen Bondstreifen auf, der sich von der Oberseitenelektrode zu einem Innenflachleiter erstreckt, sondern zusätzlich sind auf der Oberseite des Bondstreifens mehrere Bonddrähte auf dem Bondstreifen von der Oberseitenelektrode zu dem Innenflachleiter parallel zueinander angeordnet.
  • Dieses Halbleiterleistungsbauteil hat den Vorteil, dass die Stromdichte nicht durch den Querschnitt der Bonddrähte limitiert wird und auch nicht durch den Querschnitt eines Bondstreifens definiert ist, sondern vielmehr durch ein Verbindungselement, das beide Verbindungselementarten miteinander koppelt und somit einen leistungsfähigeren Strompfad zwischen dem Halbleiterchip und einem nach außen führenden Innenflachleiter zur Verfügung stellt. Dieses Halbleiterleistungsbauteil hat darüber hinaus den Vorteil, dass es mit wesentlich höheren Stromspitzen belastet werden kann als bisher bekannte Halbleiterleistungsbauteile mit gleicher oder ähnlicher Technologie.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Bonddrähte an den Bondstellen anstelle von Thermokompressionsköpfen Bondkeile auf. Diese Bondkeile haben den Vorteil, dass sie flach auf der Oberseite des Bondstreifens anliegen können, sodass der Banddraht der Kontur des Bondstreifens folgen kann. Durch das enge Anliegen an der Kontur des Bondstreifens wird gleichzeitig in vorteilhafter Weise die Ausbildung von Induktionsschleifen und das Einkoppeln von Induktionsströmen vermieden.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Bonddrähte einen Bonddrahtdurchmesser d im Bereich von 0,1 mm ≤ d ≤ 0,5 mm auf. Derartig dicke Bonddrähte für Halbleiterleistungsbauteile werden vorzugsweise aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen hergestellt und weisen teilweise zum Schutz gegen Aluminiumoxidbildung eine dünne Goldbeschichtung auf.
  • Diese dünne Goldbeschichtung unterstützt das Thermosonic-Bonden der Bonddrähte auf Oberseiten von Bondstreifen, die ebenfalls aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung hergestellt sind, da sich eine niedrig schmelzende eutektische Legierung aus Aluminium und Gold ausbilden kann. Sind die Bondbänder aus Kupfer, so werden sie häufig vergoldet, um dann zu einem erfindungsgemäßen Verbindungselement mit Hilfe von Bonddrähten aus Aluminium verstärkt zu werden. Auch hier wird dann vorteilhaft die eutektische Legierungsbildung zwischen dem Bondkeil aus Aluminium und der Goldbeschichtung des Kupferbandes genutzt, um ein sicheres Thermosonic-Bonden zu gewährleisten.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Bondstreifen in seiner Breite der Breite der Oberseitenelektrode angepasst. Diese Anpassung bedeutet, dass die Breite des Bondstreifens geringfügig kleiner ist als die Breite der Oberseitenelektrode. Umgekehrt gilt das Gleiche für die Anpassung des Bondstreifens an die Breite des Innenflachleiters. Ist die Breite des Innenflachleiters geringer als die Breite der Oberseitenelektrode, so kann der Bondstreifen in seiner Breite von der Oberseitenelektrode zu dem Innenflachleiter derart reduziert sein, dass der Bondstreifen nur geringfügig schmaler ist als die Breite der Oberseitenelektrode und ebenso nur geringfügig schmaler ist als die Breite des Innenflachleiters, obgleich sich die Breiten von Innenflachleiter und Oberseitenelektrode erheblich unterscheiden können.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist zwischen der Oberseitenelektrode und dem Bondstreifen eine elektrisch leitende Verbindungsschicht angeordnet. Dieses ist von Vorteil, wenn der Bondstreifen eine Dicke erreicht, die mit normalen Bondsticheln nicht zu einem Ausbilden von eutektischen Schmelzen führen kann. In diesem Fall wird eine elektrisch leitende Verbindungsschicht, vorzugsweise aus einer doppelseitig klebenden und elektrisch leitenden Folie zwischen der Oberseitenelektrode und dem Bondstreifen angeordnet, um einen ohmschen Kontakt auf der gesamten Breite des Bondstreifens zu ermöglichen. In diesem Fall ist es von Vorteil, wenn auch zwischen dem Innenflachleiter und dem Bondstreifen eine derartig elektrisch leitende Verbindungsschicht angeordnet ist, so dass das Aufbringen des Bondstreifens mit einem einzigen Verfahrensschritt auf beide Anschlussflächen, nämlich der Oberseitenelektrode und dem Innenflachleiter möglich wird.
  • Vorzugsweise werden die erfindungsgemäßen Verbindungselemente aus Bondstreifen und Bonddrähten für Halbleiterleistungsbauteile verwendet, die unter dem Sammelbegriff Kompensations-Halbleiterleistungsbauteile bekannt sind, wie beispielsweise Halbleiterleistungsdioden mit einer Kathode als Rückseitenelektrode und einer Anode als Oberseitenelektrode oder wie bei einem sog. ”CoolMOS”, der auf seiner Rückseite eine großflächige Drainelektrode aufweist und auf seiner Oberseite eine großflächige Außenelektrode, zwischen denen der Strompfad ausgebildet wird, sobald an der oberseitig gelegenen, relativ kleinflächigen Gate-Elektrode ein entsprechendes Schaltpotential angelegt wird. Darüber hinaus können mit den erfindungsgemäßen Verbindungselementen Halbleiterleistungsbauteile, wie IGBT- oder PIN-Dioden ausgestattet werden, wobei einerseits der Leitungswiderstand, auch ”Package-Widerstand” genannt, vermindert wird und andererseits die Gefahr der Überhitzung der Verbindungselemente verringert wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterleistungsbauteile in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden mehrere Halbleiterleistungschips mit einer großflächigen Oberseitenelektrode und einer großflächigen Rückseitenelektrode hergestellt, wobei die flächige Erstreckung der Rückseitenelektrode der Größe der Rückseite entspricht. Außerdem wird ein Flachleiter mit einer Flachleiter-Chipinsel und mindestens einem Innenflachleiter beabstandet zu der Flachleiterinsel in mehreren Halbleiterleistungsbauteilpositionen des Flachleiterrahmens zur Verfügung gestellt. Nun können auf diesen Flachleiterrahmen in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen die Halbleiterleistungschips unter stoffschlüssigem Verbinden der Rückseitenelektroden mit den Flachleiter-Chipinselndes Flachleiterrahmens aufgebracht werden.
  • Anschließend erfolgt ein stoffschlüssiges Verbinden eines Bondstreifens, dessen Breite der Breite der Oberseitenelektrode angepasst ist, so dass die Oberseitenelektrode mit dem Innenflachleiter in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen über den Bondstreifen verbunden ist. Danach wird der Bondstreifen in seinem Querschnitt zu einem erfindungsgemäßen Verbindungselement durch Aufbringen von mehreren Bonddrähten auf die Oberseite des Bondstreifens in jeder der Halbleiterleistungsbauteilpositionen vergrößert, wobei die Bonddrähte parallel zueinander von der Oberseitenelektrode zum Innenflachleiter verlaufen. Danach können die Halbleiterleistungschips mit den Verbindungselementen in einer Kunststoffgehäusemasse in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen verpackt werden und abschließend kann dann der Flachleiterrahmen in einzelne Halbleiterleistungsbauteile aufgetrennt werden.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass mehrere Halbleiterleistungsbauteile in Flachleitertechnik gleichzeitig hergestellt werden können. Darüber hinaus hat es den Vorteil, dass Halbleiterleistungsbauteile entstehen, die einen vertikalen Strompfad aufweisen, der eine verbesserte, höhere zulässige Stromdichte ermöglicht.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass die Erfindung eine Verbesserung der Strombelastbarkeit von Halbleiterleistungsbauteilen durch eine Kombination von Bondstreifen und Bonddrähten ermöglicht. Dabei wird der zur Verfügung stehende Raum oberhalb der Bondstreifen genutzt, um auf den Bondstreifen weitere Bonddrähte mit entsprechenden flachen Bondkeilen in den Bondpositionen auf dem Halbleiterchip und auf den entsprechenden Flachleitern des Flachleiterrahmens anzubringen. Mit diesen erfindungsgemäßen Verbindungselementen wird gleichzeitig eine homogene Stromdichteverteilung für den Halbleiterleistungschip erreicht sowie eine verbesserte Wärmeabfuhr gewährleistet.
  • Somit liegt der Kern der Erfindung in dem Einsatz von Bonddrähten, die mit einer Bondkeiltechnik auf den Bondstreifen aufgebracht sind. Nach dem Aufbringen von Halbleiterleistungschips mit entsprechenden Bondstreifen können Aluminiumdrähte mit einem Durchmesser von 0,05 mm bis 0,6 mm der Bondkeil-Technologie auf den Bondstreifen durch entsprechendes Bonden platziert werden. Damit kann beispielsweise eine Reduzierung des gehäusespezifischen Widerstands von bis zu 50% erzielt werden.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterleistungsbauteils 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Zur besseren Erläuterung des Aufbaus des Halbleiterleistungsbauteils 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist in 1 eine Kunststoffgehäusemasse, in welche die einzelnen Komponenten verpackt sind, weggelassen. Das Halbleiterleistungsbauteil 1 in Flachleitertechnik ist auf einem Flachleiterrahmen 8 aufgebaut, von dem in 1 drei Komponenten abgebildet sind. Zu diesen drei Komponenten gehört ein Gate-Anschlussflachleiter G und ein Source-Anschlussflachleiter S und eine davon beabstandete Flachleiter-Chipinsel 7 für den Drainanschluss D. Die Flachleiter-Chipinsel 7 trägt einen Halbleiterleistungschip 2, der mit seiner Rückseite 6 eine großflächige Elektrode 5 als Drainelektrode D aufweist, und auf der Flachleiter-Chipinsel 7 fixiert ist. Diese Fixierung kann über eine elektrisch leitende, doppelseitig klebende Folie 22 oder über eine andere stoffschlüssige Verbindung, wie eine Lotverbindung, erreicht werden.
  • Auf der Oberseite 4 des Halbleiterleistungschips 2 ist ebenfalls eine großflächige Elektrode 3 angeordnet, die als Source-Elektrode ausgebildet ist. Bei Betrieb des Halbleiterleistungsbauteils 1 als Feldeffekt-Transistor bildet sich ein vertikaler Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode 5 und der Oberseitenelektrode 3 aus. Dieses Durchschalten wird durch eine kleinere Elektrode 23 auf der Oberseite 4 des Halbleiterleistungschips 2 gesteuert. Diese kleinere Elektrode 23 ist über einen Gate-Bonddraht 14 mit den keilförmigen Bondstellen 17 und 18 mit dem Gate-Anschlussflachleiter G über Gatebondkeile 20 verbunden, so dass diese kleine Elektrode 23 von außerhalb des Halbleiterleistungsbauteils 1 mit ei nem Schaltungspotential versorgt werden kann. Die Flachleiter-Chipinsel 7 kann sowohl als Drain-Außenkontakt D dienen als auch mit einem Drain-Außenkontaktflachleiter, der hier nicht gezeigt ist, verbunden sein. Ferner kann die Flachleiter-Chipinsel 7 zusätzlich als Wärmesenke für den Halbleiterleistungschip 2 ausgebildet sein und die Unterseite 21 des Halbleiterbauteils bilden. Um den Abstand a zwischen der Oberseite 4 des Halbleiterleistungschips 2 und dem Source-Anschlussflachleiter S zu überwinden, ist ein Verbindungselement 9 zwischen der Oberseite 4 der darauf befindlichen großflächigen Elektrode 3 und dem Innenflachleiter 10 des Flachleiterrahmens 8 angeordnet.
  • Das Verbindungselement 9 besteht aus einer Kombination eines Bondstreifens 11 und mehrerer Bonddrähte 13, die auf der Oberseite 12 des Bondstreifens 11 über Bondkeile 19 mit den Bondstellen 15 und 16 fixiert sind. Durch die flachen Bondkeile 19 wird erreicht, dass der Raumbedarf in der nicht gezeigten Kunststoffgehäusemasse minimiert wird und gleichzeitig wird durch die Bonddrähte 13 erreicht, dass der Querschnitt des Bondstreifens 11 deutlich vergrößert wird. Somit kann eine höhere Stromdichte über den Strompfad von dem Source-Anschlussflachleiter S über den Halbleiterleistungschip 2 zum Drain-Anschlusskontakt D geführt werden. Dazu ist die Breite b des Bondstreifens 11 sowohl an den Innenflachleiter 10 des Source-Anschlussflachleiters S als auch an die Breite b der Oberseitenelektrode 3 angepasst. Der Durchmesser d der Bonddrähte 13 ist so ausgelegt, dass mehrere Bonddrähte 13 auf der Oberseite 12 des Bondstreifens 11 nebeneinander und parallel zueinander angeordnet werden können. Der Durchmesser d der Bonddrähte 13 liegt dazu im Bereich von 0,05 mm ≤ d ≤ 0,6 mm.
  • Wenn auch in 1 der Bondstreifen 11 mit einer konstanten Breite b ausgebildet ist, so kann doch die Breite b des Innenflachleiters 10 vermindert oder vergrößert sein, um die Breite b des Bondstreifens optimal an die Größe sowohl der Oberseitenelektrode 3 als auch an die Breite b des Innenflachleiters 10 anzupassen.

Claims (8)

  1. Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2), wobei der Halbleiterleistungschip (2) mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6) aufweist, wobei sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode (5) und der Oberseitenelektrode (3) ausbildet, und wobei die Rückseitenelektrode (5) auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert ist und die Oberseitenelektrode (3) über ein Verbindungselement (9) mit einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch in Verbindung steht, wobei das Verbindungselement (9) einen Bondstreifen (11) aufweist, der sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt und zusätzlich auf der Oberseite (12) des Bondstreifens (11) mehrere Bonddrähte (13) auf dem Bondstreifen (11) von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) parallel zueinander angeordnet sind.
  2. Halbleiterleistungsbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bonddrähte (13) an ihren Bondstellen (15, 16, 17, 18) Bondkeile (19, 20) aufweisen.
  3. Halbleiterleistungsbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bonddrähte (13) einen Bonddrahtdurchmesser (d) im Bereich von 0,1 mm ≤ d ≤ 0,5 mm aufweisen.
  4. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bondstreifen (11) eine Breite (b) aufweist, die der Breite der Oberseitenelektrode (3) angepasst ist.
  5. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bondstreifen (11) eine Breite (b) aufweist, die der Breite des Innenflachleiters (10) angepasst ist.
  6. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Oberseitenelektrode (3) und dem Bondstreifen (11) eine elektrisch leitende Verbindungsschicht angeordnet ist.
  7. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Oberseitenelektrode (3) und dem Bondstreifen (11) eine elektrisch leitende doppelseitig klebende Folie angeordnet ist.
  8. Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterleistungsbauteile (1) in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen mehrerer Halbleiterleistungschips (2) mit einer großflächigen Oberseitenelektrode (3) und einer großflächigen Rückseitenelektrode (5), wobei die flächige Erstreckung der Rückseitenelektrode (5) der Größe der Rückseite (6) entspricht, – Bereitstellen eines Flachleiterrahmens (8) mit einer Flachleiter-Chipinsel (7) und mindestens einem Innenflachleiter (10), beabstandet zu der Flachleiter-Chipinsel (7) in mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen; – Aufbringen der Halbleiterleistungschips (2) in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen unter stoffschlüssigem Verbinden der Rückseitenelektroden (5) mit den Flachleiter-Chipinseln (7) des Flachleiterrahmens (8); – stoffschlüssiges Verbinden von Bondstreifen (11), deren Breite (b) der Breite der Oberseitenelektroden (3) angepasst ist, mit den Oberseitenelektroden (3) und mit den Innenflachleitern (10) in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen; – Vergrößern des Bondstreifens (11) zu einem Verbindungselement (9) mit vergrößertem Querschnitt durch Aufbringen von mehreren Bonddrähten (13) auf die Oberseite (12) des Bondstreifens (11), derart, dass diese Bonddrähte (13) parallel zueinander von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) verlaufen; – Verpacken der Halbleiterleistungschips (2) mit den Verbindungselementen (9) in einer Kunststoffgehäusemasse in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen; – Trennen des Flachleiterrahmens (8) in einzelne Halbleiterleistungsbauteile (1).
DE102005039165A 2005-08-17 2005-08-17 Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung Expired - Fee Related DE102005039165B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005039165A DE102005039165B4 (de) 2005-08-17 2005-08-17 Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US11/504,783 US7632718B2 (en) 2005-08-17 2006-08-16 Semiconductor power component with a vertical current path through a semiconductor power chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005039165A DE102005039165B4 (de) 2005-08-17 2005-08-17 Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005039165A1 DE102005039165A1 (de) 2007-03-01
DE102005039165B4 true DE102005039165B4 (de) 2010-12-02

Family

ID=37715302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005039165A Expired - Fee Related DE102005039165B4 (de) 2005-08-17 2005-08-17 Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7632718B2 (de)
DE (1) DE102005039165B4 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4615388B2 (ja) * 2005-07-25 2011-01-19 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
DE102005049687B4 (de) 2005-10-14 2008-09-25 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung
DE102006015447B4 (de) * 2006-03-31 2012-08-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement mit einem Leistungshalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006060484B4 (de) * 2006-12-19 2012-03-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007012154B4 (de) * 2007-03-12 2014-05-08 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
IT1400538B1 (it) * 2010-05-28 2013-06-11 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico e metodo di collegamento di una piastrina ad un terminale di connessione
CN103262350A (zh) * 2010-12-09 2013-08-21 马尔遆公开股份有限公司 接触元件、特别是焊片，以及具有接触元件、特别是焊片的光伏接线盒
GB2549128B (en) * 2016-04-06 2019-06-12 Ge Aviat Systems Ltd Power control system with improved thermal performance
EP3343600A1 (de) * 2016-12-28 2018-07-04 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul mit einem ersten und einem zweiten verbindungselement zum verbinden eines halbleiterchips sowie herstellungsverfahren
EP3790047B1 (de) * 2019-09-05 2022-03-02 Infineon Technologies AG Multi-chip-modul
KR20210129483A (ko) * 2020-04-20 2021-10-28 현대자동차주식회사 솔더링 구조, 이를 갖는 파워 모듈 및 파워 모듈의 제조 방법
US11908823B2 (en) * 2021-01-11 2024-02-20 Wolfspeed, Inc. Devices incorporating stacked bonds and methods of forming the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0776041A2 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungs-Halbleitermodul
US20030162330A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
WO2004100258A2 (en) * 2003-05-02 2004-11-18 Orthodyne Electronics Corporation Ribbon bonding
DE10324069A1 (de) * 2003-05-27 2004-12-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur leitenden Verbindung von Kontaktflecken bei Halbleiterchips
DE102004006440A1 (de) * 2004-02-09 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich und Verfahren zur Herstellung desselben

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US489720A (en) * 1893-01-10 Track-sanding apparatus
US4546374A (en) * 1981-03-23 1985-10-08 Motorola Inc. Semiconductor device including plateless package
FR2524707B1 (fr) * 1982-04-01 1985-05-31 Cit Alcatel Procede d'encapsulation de composants semi-conducteurs, et composants encapsules obtenus
JPS60157238A (ja) 1984-01-25 1985-08-17 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置の製造方法
US5110034A (en) * 1990-08-30 1992-05-05 Quantum Magnetics, Inc. Superconducting bonds for thin film devices
US7198969B1 (en) * 1990-09-24 2007-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5117275A (en) * 1990-10-24 1992-05-26 International Business Machines Corporation Electronic substrate multiple location conductor attachment technology
US5338900A (en) * 1991-03-06 1994-08-16 International Business Machines Corporation Structures for electrically conductive decals filled with inorganic insulator material
JPH0653277A (ja) * 1992-06-04 1994-02-25 Lsi Logic Corp 半導体装置アセンブリおよびその組立方法
JPH0637202A (ja) * 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波ｉｃ用パッケージ
JP3151219B2 (ja) * 1992-07-24 2001-04-03 テツセラ，インコーポレイテッド 取り外し自在のリード支持体を備えた半導体接続構成体およびその製造方法
US5399902A (en) * 1993-03-04 1995-03-21 International Business Machines Corporation Semiconductor chip packaging structure including a ground plane
JPH06302653A (ja) * 1993-04-15 1994-10-28 Rohm Co Ltd 半導体装置
US5398863A (en) * 1993-07-23 1995-03-21 Tessera, Inc. Shaped lead structure and method
US5473190A (en) * 1993-12-14 1995-12-05 Intel Corporation Tab tape
KR970010676B1 (ko) * 1994-03-29 1997-06-30 엘지반도체 주식회사 반도체 패키지 및 이에 사용되는 리드 프레임
US5463242A (en) * 1994-05-03 1995-10-31 General Electric Company Thin film circuits with high density connector
US5753529A (en) * 1994-05-05 1998-05-19 Siliconix Incorporated Surface mount and flip chip technology for total integrated circuit isolation
US5544412A (en) * 1994-05-24 1996-08-13 Motorola, Inc. Method for coupling a power lead to a bond pad in an electronic module
US5706174A (en) * 1994-07-07 1998-01-06 Tessera, Inc. Compliant microelectrionic mounting device
US5491302A (en) * 1994-09-19 1996-02-13 Tessera, Inc. Microelectronic bonding with lead motion
US5841197A (en) * 1994-11-18 1998-11-24 Adamic, Jr.; Fred W. Inverted dielectric isolation process
JPH09102575A (ja) * 1995-09-11 1997-04-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 配線上の飛びの無いリードオン・チップのリードフレーム構成
JP3171093B2 (ja) * 1996-01-31 2001-05-28 ソニー株式会社 リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法
US5783857A (en) * 1996-07-25 1998-07-21 The Whitaker Corporation Integrated circuit package
US5937276A (en) * 1996-12-13 1999-08-10 Tessera, Inc. Bonding lead structure with enhanced encapsulation
JP3877401B2 (ja) * 1997-03-10 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6687842B1 (en) * 1997-04-02 2004-02-03 Tessera, Inc. Off-chip signal routing between multiply-connected on-chip electronic elements via external multiconductor transmission line on a dielectric element
KR100270817B1 (ko) * 1997-05-22 2000-11-01 이해영 초고주파소자 실장 패키지 및 그 패키지에 사용되는 본딩와이어의 기생효과 감소방법
US6025640A (en) * 1997-07-16 2000-02-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device
US6465744B2 (en) * 1998-03-27 2002-10-15 Tessera, Inc. Graded metallic leads for connection to microelectronic elements
US6215377B1 (en) * 1998-05-26 2001-04-10 Microsubstrates Corporation Low cost wideband RF port structure for microwave circuit packages using coplanar waveguide and BGA I/O format
JP2000049184A (ja) * 1998-05-27 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR20000057810A (ko) * 1999-01-28 2000-09-25 가나이 쓰토무 반도체 장치
JP3767246B2 (ja) * 1999-05-26 2006-04-19 富士通株式会社 複合モジュール及びプリント回路基板ユニット
US7435108B1 (en) * 1999-07-30 2008-10-14 Formfactor, Inc. Variable width resilient conductive contact structures
US6319755B1 (en) * 1999-12-01 2001-11-20 Amkor Technology, Inc. Conductive strap attachment process that allows electrical connector between an integrated circuit die and leadframe
US6703703B2 (en) * 2000-01-12 2004-03-09 International Rectifier Corporation Low cost power semiconductor module without substrate
US6465875B2 (en) * 2000-03-27 2002-10-15 International Rectifier Corporation Semiconductor device package with plural pad lead frame
US7399599B2 (en) * 2000-07-10 2008-07-15 Vertex Pharmaceuticals (San Diego) Llc Ion channel assay methods
US6833611B2 (en) * 2000-07-12 2004-12-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device
DE10044148A1 (de) * 2000-09-06 2002-03-21 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit gestapelten Bausteinen und Verfahren zu seiner Herstellung
AU2002230482A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-27 Silicon Wireless Corporation Discrete and packaged power devices for radio frequency (rf) applications and methods of forming same
JP2002208673A (ja) 2001-01-10 2002-07-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびパワーモジュール
JP4545956B2 (ja) * 2001-01-12 2010-09-15 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
JP3563387B2 (ja) * 2001-01-23 2004-09-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置用導電性硬化樹脂及び半導体装置
US20030096146A1 (en) * 2001-03-30 2003-05-22 Foster Ronald B. Planar substrate-based fuel cell Membrane Electrode Assembly and integrated circuitry
US6756658B1 (en) * 2001-04-06 2004-06-29 Amkor Technology, Inc. Making two lead surface mounting high power microleadframe semiconductor packages
ES2248609T3 (es) * 2001-09-28 2006-03-16 Siemens Aktiengesellschaft Sistema con componentes semiconductores de potencia para el control de potencia de elevadas intesidades y aplicacion del sistema.
TW510034B (en) * 2001-11-15 2002-11-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Ball grid array semiconductor package
JP3627738B2 (ja) * 2001-12-27 2005-03-09 株式会社デンソー 半導体装置
JP2003229527A (ja) 2002-02-05 2003-08-15 Toyota Motor Corp 実装用電極板付パワー素子デバイス、実装用電極板付ｉｇｂｔ、パワー素子モジュール、パワー素子ウェーハ、実装用電極板付パワー素子デバイスの製造方法、およびパワー素子モジュールの製造方法
DE10208635B4 (de) * 2002-02-28 2010-09-16 Infineon Technologies Ag Diffusionslotstelle, Verbund aus zwei über eine Diffusionslotstelle verbundenen Teilen und Verfahren zur Herstellung der Diffusionslotstelle
DE10214953A1 (de) * 2002-04-04 2003-10-30 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul mit mindestens zwei Substraten und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10223035A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul
CN1659698A (zh) * 2002-06-06 2005-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括半导体器件的四方扁平无引线封装
US6747341B2 (en) * 2002-06-27 2004-06-08 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Integrated circuit and laminated leadframe package
US6777800B2 (en) * 2002-09-30 2004-08-17 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including drain clip
US7190062B1 (en) * 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
EP1573812A1 (de) * 2002-12-10 2005-09-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Versorgungsspannungs- und erdungsstreifen zur verbindung in packungen hoher dichte und herstellungsverfahren
DE502004000545D1 (de) * 2003-02-13 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
US7001799B1 (en) * 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
JP2005011986A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
KR100546364B1 (ko) * 2003-08-13 2006-01-26 삼성전자주식회사 유연성 필름을 이용한 반도체 패키지 및 그 제조방법
US7303113B2 (en) * 2003-11-28 2007-12-04 International Business Machines Corporation Method and structure for controlled impedance wire bonds using co-dispensing of dielectric spacers
JP2005302951A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toshiba Corp 電力用半導体装置パッケージ
US7208818B2 (en) * 2004-07-20 2007-04-24 Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Power semiconductor package
DE102004036905A1 (de) 2004-07-29 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Vertikales Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
US7038308B2 (en) * 2004-08-17 2006-05-02 Delphi Technologies, Inc. Multi-path bar bond connector for an integrated circuit assembly

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0776041A2 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungs-Halbleitermodul
US20030162330A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
WO2004100258A2 (en) * 2003-05-02 2004-11-18 Orthodyne Electronics Corporation Ribbon bonding
DE10324069A1 (de) * 2003-05-27 2004-12-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung und Verfahren zur leitenden Verbindung von Kontaktflecken bei Halbleiterchips
DE102004006440A1 (de) * 2004-02-09 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich und Verfahren zur Herstellung desselben

Also Published As

Publication number Publication date
DE102005039165A1 (de) 2007-03-01
US7632718B2 (en) 2009-12-15
US20070040252A1 (en) 2007-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005039165B4 (de) Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005049687B4 (de) Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung
DE102006037118B3 (de) Halbleiterschaltmodul für Bordnetze mit mehreren Halbleiterchips, Verwendung eines solchen Halbleiterschaltmoduls und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102013208818B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Fertigung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102008064826B3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102006060484B4 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006015447B4 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit einem Leistungshalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69733193T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Leitersubstrat
DE102011084803A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE19650148A1 (de) Halbleitervorrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren
AT504250A2 (de) Halbleiterchip-packung und verfahren zur herstellung derselben
DE102012008068A1 (de) Optionen für mehrere Ebenen eines Leistungs-MOSFET
DE102008046095A1 (de) Vereinzelter Halbleiterbaustein
DE112019003540T5 (de) Halbleiterbauteil
DE102009035623B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, Anordnung aus integrierten Leistungsgehäusen, integriertes Leistungshalbleitergehäuse und Verfahren zum Herstellen von Halbleitergehäusen
DE102017207727B4 (de) Halbleiteranordnung
DE102013103351B4 (de) Elektronikmodul
DE102006012007B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit oberflächenmontierbaren flachen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben und dessen Verwendung
DE102012007954A1 (de) Doppelschichtmetall- (DLM) Leistungs-MOSFET
DE10302022B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines verkleinerten Chippakets
DE102004047306B4 (de) Leistungs-Halbleiterbauteil mit mehreren Bauteilkomponenten
DE102004036905A1 (de) Vertikales Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112018005048T5 (de) Chip mit integrierter schaltung (ic), der zwischen einem offset-leiterrahmen-chip-befestigungspad und einem diskreten chip-befestigungspad befestigt ist
DE102005011159B4 (de) Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102010000951B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit verringertem Leitungswiderstand und Verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R020 Patent grant now final

Effective date: 20110302

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee