JP4615388B2 - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。更に詳しくは、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）の構造及びその製造方法に関する。

ＩＣの集積度が高くなるにつれて、半導体パッケージにおける配線の本数も増加する傾向にある。これに伴い、半導体パッケージの小型化、薄型化の要請が大きい。現在では、基板への実装の合理化を図るため、フラットパッケージよりも更に薄くできるＴＡＢ構造が開発・実用化されている。ＴＡＢによって作られたパッケージは、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）と呼ばれ、高密度表面実装を可能とする。ＴＡＢ構造は、例えば、ＬＣＤ（Liquid
Crystal Display）の実装用として採用されている。

しかしながら、ＴＣＰを用いた場合でも金属配線の高密度化に限界がある。また、一層配線構造では配線設計（入出力端子の設計）の制約が多い。

本発明は、上記のような状況に鑑みて成されたものであり、配線の高密度化及び、配線設計の自由度の向上を図り得る半導体パッケージを提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に係る半導体パッケージは、第１及び第２の面を有する第１の基体と；前記第１の基体の第１の面側に設けられた第１の配線と；第１及び第２の面を有する第２の基体と；前記第２の基体の第１の面側に設けられた第２の配線と；前記第１及び第２の配線に連結された半導体チップとを備える。そして、前記第１及び第２の基体の第１の面同士が対向するように配置し、前記第１及び第２の配線が絶縁された状態で立体的に交差させる。

前記第１及び第２の基体は、例えば、絶縁材料からなるシート状のものを使用することができる。第１及び第２の配線は、例えば、金属製の導電性材料によって成形することができる。前記第１及び第２の配線の絶縁方法としては、絶縁材料を介在させる方法の他、空間を形成して絶縁する方法が適用可能である。

好ましくは、前記第１及び第２の配線の少なくとも一方において、当該配線同士が交差する位置に凹部を形成する。また、前記第１及び第２の配線の少なくとも一方を、Ｓ字又はＺ字状に屈曲させ、当該屈曲部が他方の配線と交差する構造とする。

好ましくは、前記第１及び第２の基体は、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）用のテープキャリア及びＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用のフィルムキャリアとすることができる。この場合、前記第１及び第２の配線はインナーリードとなる。

本発明の第２の態様に係る半導体パッケージの製造方法は、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）用のテープキャリアの第１の面側に第１のインナーリードを形成する工程と；前記第１のインナーリードに半導体チップを連結する工程と；ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用のフィルムキャリアの第１の面側に第２のインナーリードを形成する工程と；前記第１及び第２のインナーリードが絶縁された状態で立体的に交差するように、前記テープキャリアの第１の面と前記フィルムキャリアの第１の面同士が対向するように重ね合わせる工程とを含む。

以下、本発明を実施するための最良の形態について、実施例を用いて詳細に説明する。以下の実施例においては、ＴＣＰとＣＯＦを組み合わせた新規なパッケージ構造により、三次元的な配線を実現している。

［第１実施例］
図１は、本発明の第１実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリア１０の構成を示す平面図である。図２は、図１のＸ１−Ｘ１方向の断面図である。図３は、図２の一部（破線による楕円で囲まれた範囲）の構成を示す平面図である。図４は、図３のＡ１−Ａ１方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ１−Ｂ１方向の断面図（Ｂ）である。図１に示すように、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０は、厚さ約３８μｍ程度の基材（フィルム）１２の上に、金属配線材からなる入力端子１８と出力端子２０が形成されている。基材（フィルム）１２上には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部２４が形成されている。金属配線材は、入力端子１８、出力端子２０及びインナーリード２６に対応する箇所以外の領域が、レジスト１４によって保護されている。なお、図１に示されるＣＯＦ用フィルムキャリアの全体的な構成（インナーリードの構造除く）は、後に示す第２〜第４実施例についても同様に適用される。

図２は、図１の破線による楕円で囲まれた範囲１６に対応する。金属配線（１８，２０，２６）は、例えば、キャスティング法やメッキ法等によって基材１２上に直接形成される。金属配線（１８，２０，２６）の厚さは、約８μｍ程度であり、レジスト１４の厚さは約２５μｍ程度である。

図３に示すように、インナーリード２６は、Ｓ字状又は階段状に成形され、開口部２４側に直線的に延びる直線部と屈曲部（傾斜部）２６ａを有する形状となっている。インナーリードの形状は、Ｚ字状等の他の形状を採用することも可能である。インナーリード２６の屈曲部２６ａは、一般的なパターンニングによって成形することができる。すなわち、予め屈曲部２６ａを有するインナーリード２６の配線パターンを用意し、そのパターンを用いてインナーリード２６を基材１２上に形成する。なお、このような方法は、例示であり、後に説明する第２〜第４実施例についても同様に適用可能である。

図５は、第１実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリア４０の構成を示す平面図である。図６は、図１のＸ２−Ｘ２方向の断面図である。図７は、図６の一部（破線による楕円で囲まれた範囲）の構成を示す平面図である。図８は、図７のＡ２−Ａ２方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ２−Ｂ２方向の断面図（Ｂ）である。図５に示すように、ＴＣＰ用テープキャリア４０は、厚さ約７５μｍ程度の基材（テープ）４２の上に、金属配線材からなる入力端子４８と出力端子５０が形成されている。基材４２には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部５４が形成されている。金属配線材は、入力端子４８、出力端子５０及びインナーリード５６に対応する箇所以外の領域が、レジスト４４によって保護されている。なお、図５に示されるＴＣＰ用テープキャリアの全体的な構成は、後に示す第２〜第４実施例についても同様に適用される。図６は、図５の破線による楕円で囲まれた範囲４６に対応する。金属配線（４８，５０，５６）は、接着剤５８によって基材４２上に接着される。金属配線（４８，５０，５６）の厚さは、約１５μｍ程度であり、レジスト４４の厚さは約２５μｍ程度、接着剤５８の厚さは約１２μｍ程度である。

図６、図７及び図８に示すように、複数本のインナーリード５６の各々には、凹部５６ａが形成されている。インナーリード５６は、開口部５４側に直線的に延びる形状となっている。凹部５６ａの位置は、後の組み立て工程において、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０のインナーリード２６の屈曲部２６ａに対応する（交差する）位置となる。また、凹部５６ａは基材４２の上に位置することが好ましい。基材４２から突出した位置に凹部５６ａを形成した場合には、インナーリード２６との交差部の垂直方向（図の上下方向）の位置が不安定となる恐れがある。

インナーリード５６上の凹部５６ａの成形に際しては、（１）凹部５６ａに対応した金型を作成し、プレス加工によってインナーリード５６に凹部５６ａを成形する方法が採用可能である。また、（２）ＴＣＰ用テープキャリア４０のパターン作成の際に、インナーリード５６を含むパターンを成形後、凹部５６ａに対応する領域のマスクのみを除去し、エッチングによって凹部５６ａを形成する（除去する）ことができる。あるいは、（３）金属配線材を２枚用意し、１枚目をパターンニングして金属配線を形成した後、導電性の接着剤を用いて１枚目の金属配線の上に２枚目の金属配線材を重ねてパターニングする。２枚目の金属配線材を重ねてパターニングするときに、凹部５６ａに対応する領域を除いて配線パターンを形成する。以上のような３つの方法は、例示であり、後に説明する第２〜第４実施例についても同様に適用可能である。また、第３実施例の場合には、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０のインナーリードへの凹部の成形にも適用可能である。

図９は、ＴＣＰ用テープキャリア４０に半導体チップ６０をボンディング（インナー・リード・ボンディング）した状態を示す部分平面図である。図１０は、図９のＹ１−Ｙ１方向の断面図である。半導体チップ６０にはバンプ６２が形成され、そのバンプ６２に対してインナーリード５６の先端を熱圧着によって接続する。

図１１は、ＴＣＰ用テープキャリア４０に半導体チップをボンディング６０した後、更にＣＯＦ用フィルムキャリア１０を搭載した状態を示す部分平面図である。説明の便宜上、図１１において、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０は、インナーリード２６以外の構成要素を省略して示す。図１２は、図１１のＡ３−Ａ３方向の断面図（Ａ）、Ｂ３−Ｂ３方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ３−Ｃ３方向の断面図（Ｃ）である。ＴＣＰ用テープキャリア４０に半導体チップ６０をボンディングした後、図１〜図４に示すＣＯＦ用フィルムキャリア１０を、裏返した状態で搭載する。ＣＯＦ用フィルムキャリア１０のインナーリード２６の先端を半導体チップ６０に形成されたバンプ６２に対して熱圧着によって接続する。このとき、ＴＣＰ用テープキャリア４０のインナーリード５６に形成された凹部５６ａにＣＯＦ用フィルムキャリア１０のインナーリード２６の屈曲部２６ａが１対１で横切る格好となる。また、インナーリード５６と２６の直線部分は、平行な状態で互い違いに配置される。インナーリード５６の凹部５６ａ中では、インナーリード５６と２６とが空間によって絶縁状態となる。

ＴＣＰ用テープキャリア４０とＣＯＦ用フィルムキャリア１０とを互いに接着させる場合には、予めレジスト４４の表面に接着剤を塗布しておき、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０のインナー・リード・ボンディング工程時に、熱圧着等によってレジスト同士を接着させる方法を採ることができる。この場合、レジストのみの接着であれば、接着剤は必ずしも絶縁性を有する必要はないが、絶縁材料であることが好ましい。

あるいは、一般的なＣＯＦ組立の樹脂封止工程で行われるような樹脂の充填によってＴＣＰ用テープキャリア４０とＣＯＦ用フィルムキャリア１０とを互いに接着させることができる。すなわち、図１１に示すようにＴＣＰ用テープキャリア４０とＣＯＦ用フィルムキャリア１０とを重ね合わせた後、上下反転させ、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０と半導体チップ６０との間に樹脂を充填する。この際に、ＴＣＰ用テープキャリア４０のレジスト４４とＣＯＦ用フィルムキャリア１０のレジスト１４との間に樹脂を充填して硬化させる。この場合、充填樹脂は絶縁材料から選択する必要がある。

本実施例に係る半導体パッケージによれば、インナーリードの立体交差の実現により、配線の高密度化及び、配線設計の自由度が向上する。

［第２実施例］
図１３は、本発明の第２実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリアの構成を示す平面図であり、半導体チップ６０をボンディングした状態を示す。図１４は、図１３のＹ２−Ｙ２方向の断面図である。なお、本実施例において、上述した第１実施例と同一又は対応する構成要素については同一の参照符号を付し、重複した説明を省略する。

本実施例に係るＴＣＰ用テープキャリア４０の構造は、第１実施例のテープキャリア４０と基本的には同じであり、図５及び図６の構造を採用可能である。厚さ約７５μｍ程度の基材（テープ）４２の上に、金属配線材からなる入力端子４８と出力端子５０が形成されている。基材４２には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部５４が形成されている。金属配線材は、入力端子４８、出力端子５０及びインナーリード１５６に対応する箇所以外の領域が、レジスト４４によって保護されている。

第１実施例と同様に、金属配線（４８，５０，１５６）は、接着剤５８によって基材４２上に接着される。金属配線（４８，５０，１５６）の厚さは、約１５μｍ程度であり、レジスト４４の厚さは約２５μｍ程度、接着剤５８の厚さは約１２μｍ程度である。

図１３及び図１４に示すように、複数本のインナーリード１５６の各々には、凹部１５６ａが形成されている。インナーリード１５６は、開口部５４側に直線的に延びる形状となっている。凹部１５６ａの位置は、後の組み立て工程において、ＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード（１２６）の屈曲部（１２６ａ）に対応する（交差する）位置となる。また、凹部１５６ａは基材４２の上に位置することが好ましい。基材４２から突出した位置に凹部１５６ａを形成した場合には、インナーリード１２６との交差部の垂直方向（図の上下方向）の位置が不安定となる恐れがある。

第１実施例の場合と同様に、半導体チップ６０にはバンプ１６２が形成され、そのバンプ１６２に対してインナーリード１５６の先端を熱圧着によって接続する。

図１５は、第２実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの一部の構成を示す平面図である。図１６は、図１５のＡ４−Ａ４方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ４−Ｂ４方向の断面図（Ｂ）である。ＣＯＦ用フィルムキャリアは、厚さ約３８μｍ程度の基材（フィルム）１２の上に、図示しない金属配線材からなる入力端子と出力端子が形成されている。基材（フィルム）１２上には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部２４が形成されている。金属配線材は、入力端子、出力端子及びインナーリード１２６、１２８に対応する箇所以外の領域が、レジスト１４によって保護されている。

金属配線（１２６、１２８等）は、例えば、キャスティング法やメッキ法等によって基材１２上に直接形成される。金属配線の厚さは、約８μｍ程度であり、レジスト１４の厚さは約２５μｍ程度である。

図１５に示すように、インナーリード１２６は、Ｓ字状又は階段状に成形され、開口部２４側に直線的に延びる直線部と屈曲部（傾斜部）１２６ａを有する形状となっている。インナーリードの形状は、Ｚ字状等の他の形状を採用することも可能である。本実施例においては、インナーリード１２６が後述するＴＣＰ用テープキャリアのインナーリード１５６の複数本に渡って交差する構造となっている。

図１７は、第２実施例に係る半導体パッケージの要部の構成を示す平面図であり、ＴＣＰ用テープキャリア及びＣＯＦ用フィルムキャリアに半導体チップ６０をボンディングした状態を示す。説明の便宜上、図１７において、ＣＯＦ用フィルムキャリアは、インナーリード１２６以外の構成要素を省略して示す。図１８は、図１７のＡ５−Ａ５方向の断面図（Ａ）、Ｂ５−Ｂ５方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ５−Ｃ５方向の断面図（Ｃ）である。ＴＣＰ用テープキャリアに半導体チップ６０をボンディングした後、図１５，図１６に示すＣＯＦ用フィルムキャリアを、裏返した状態で搭載する。ＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード１２６の先端を半導体チップ６０に形成されたバンプ６２に対して熱圧着によって接続する。このとき、ＴＣＰ用テープキャリアの複数のインナーリード１５６に形成された凹部１５６ａにＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード１２６の屈曲部１２６ａが横切る格好となる。インナーリード１５６の凹部１５６ａ中では、インナーリード１５６と１２６とが空間によって絶縁状態となる。

ＴＣＰ用テープキャリア（４０）とＣＯＦ用フィルムキャリア（１０）とを互いに接着させる方法は、第１実施例と同じ方法を採用することができる。

以上のように、本実施例に係る半導体パッケージは、第１実施例による効果に加え、電極の並び順を容易に変更でき、同一の半導体チップを使用して入出力端子の異なる半導体パッケージを提供することが可能となる。

［第３実施例］
図１９は、本発明の第３実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリアの一部の構成を示す平面図である。図２０は、図１９のＡ６−Ａ６方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ６−Ｂ６方向の断面図（Ｂ）である。なお、本実施例において、上述した第１及び第２実施例と同一又は対応する構成要素については同一の参照符号を付し、重複した説明を省略する。

本実施例に使用されるＴＣＰ用テープキャリアとしては、第１実施例に使用されるものと基本的には同一のものを使用することができる。すなわち、ＴＣＰ用テープキャリアは、厚さ約７５μｍ程度の基材（テープ）４２の上に、図示しない金属配線材からなる入力端子と出力端子が形成されている。基材４２には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部５４が形成されている。金属配線材は、入力端子、出力端子及びインナーリード５６に対応する箇所以外の領域が、レジスト４４によって保護されている。

金属配線（４８，５０，５６）は、接着剤５８によって基材４２上に接着される。金属配線（４８，５０，５６）の厚さは、約１５μｍ程度であり、レジスト４４の厚さは約２５μｍ程度、接着剤５８の厚さは約１２μｍ程度である。複数本のインナーリード５６の各々には、凹部５６ａが形成されている。インナーリード５６は、開口部５４側に直線的に延びる形状となっている。凹部５６ａの位置は、後の組み立て工程において、ＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード２２６の屈曲部２２６ａに対応する（交差する）位置となる。また、凹部５６ａは基材４２の上に位置することが好ましい。基材４２から突出した位置に凹部５６ａを形成した場合には、インナーリード２２６との交差部の垂直方向（図の上下方向）の位置が不安定となる恐れがある。

図２１は、第３実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの一部の構成を示す平面図である。図２２は、図２１のＡ７−Ａ７方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ７−Ｂ７方向の断面図（Ｂ）である。ＣＯＦ用フィルムキャリアは、厚さ約３８μｍ程度の基材（フィルム）１２の上に、図示しない金属配線材からなる入力端子と出力端子が形成されている。基材（フィルム）１２には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部２４が形成されている。金属配線材は、入力端子、出力端子及びインナーリード２２６に対応する箇所以外の領域が、レジスト１４によって保護されている。

金属配線（１８，２０，２２６）は、例えば、キャスティング法やメッキ法等によって基材１２上に直接形成される。金属配線（１８，２０，２２６）の厚さは、約８μｍ程度であり、レジスト１４の厚さは約２５μｍ程度である。

図２１に示すように、インナーリード２２６は、Ｓ字状又は階段状に成形され、開口部２４側に直線的に延びる直線部と屈曲部（傾斜部）２２６ａを有する形状となっている。インナーリードの形状は、Ｚ字状等の他の形状を採用することも可能である。また、インナーリード２２６の屈曲部２２６ａには、凹部２２６ｂが形成されている。本実施例においては、ＴＣＰのインナーリード５６とＣＯＦのインナーリード２２６との両方に凹部５６ａ，２２６ｂを形成、これらの凹部５６ａ，２２６ｂ同士を重ね合わせ、交差させる構成となっている。

図２３は、第３実施例に係るＴＣＰ用テープキャリア（図１９）に半導体チップをボンディングした状態を示す部分平面図である。図２４は、図２３のＹ３−Ｙ３方向の断面図である。半導体チップ６０にはバンプ６２が形成され、そのバンプ６２に対してインナーリード５６の先端を熱圧着によって接続する。

図２５は、第３実施例に係る半導体パッケージの要部の構成を示す平面図であり、ＴＣＰ用テープキャリア及びＣＯＦ用フィルムキャリアに半導体チップ６０をボンディングした状態を示す。説明の便宜上、図２５において、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０は、インナーリード２２６以外の構成要素を省略して示す。図２６は、図２５のＡ８−Ａ８方向の断面図（Ａ）、Ｂ８−Ｂ８方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ８−Ｃ８方向の断面図（Ｃ）である。ＴＣＰ用テープキャリア（４０）に半導体チップ６０をボンディングした後、図２１，図２２に示すＣＯＦ用フィルムキャリア（１０）を、裏返した状態で搭載する。ＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード２２６の先端を半導体チップ６０に形成されたバンプ６２に対して熱圧着によって接続する。このとき、ＴＣＰ用テープキャリアのインナーリード５６に形成された凹部５６ａにＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード２２６の屈曲部２２６ａ（＝凹部２２６ｂ）が１対１で横切る格好となる。また、インナーリード５６と２２６の直線部分は、同一平面内で平行に互い違いに配置される。インナーリード５６の凹部５６ａ中では、インナーリード５６と２２６とが空間によって絶縁状態となる。

ＴＣＰ用テープキャリア（４０）とＣＯＦ用フィルムキャリア（１０）とを互いに接着させる方法は、第１実施例と同じ方法を採用することができる。

以上のように、本実施例に係る半導体パッケージは、凹部（５６ａ，２２６ａ）同士が噛み合う構造を採用するため、第１実施例と比べ、配線材同士の接触による組み立て不良を低減できるとともに、更に薄型の半導体パッケージを提供することが可能となる。

［実施例４］
図２７は、本発明の第４実施例に係るＴＣＰ用テープキャリアに半導体チップ６０をボンディングした状態を示す部分平面図である。図２８は、図２７のＡ９−Ａ９方向の断面図である。なお、本実施例において、上述した第１〜第３実施例と同一又は対応する構成要素については同一の参照符号を付し、重複した説明を省略する。本実施例に係るＴＣＰ用テープキャリア（４０）の構造は、第２実施例のテープキャリアと基本的には同一である。厚さ約７５μｍ程度の基材（テープ）４２の上に、図示しない金属配線材からなる入力端子と出力端子が形成されている。基材４２には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部５４が形成されている。金属配線材は、入力端子、出力端子及びインナーリード１５６に対応する箇所以外の領域が、レジスト４４によって保護されている。

第１及び第２実施例と同様に、金属配線（４８，５０，１５６）は、接着剤５８によって基材４２上に接着される。金属配線（４８，５０，１５６）の厚さは、約１５μｍ程度であり、レジスト４４の厚さは約２５μｍ程度、接着剤５８の厚さは約１２μｍ程度である。

複数本のインナーリード１５６の各々には、凹部１５６ａが形成されている。インナーリード１５６は、開口部５４側に直線的に延びる形状となっている。凹部１５６ａの位置は、後の組み立て工程において、ＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード（３２６）の屈曲部（３２６ａ）に対応する（交差する）位置となる。また、凹部１５６ａは基材４２の上に位置することが好ましい。基材４２から突出した位置に凹部１５６ａを形成した場合には、インナーリード３２６との交差部の垂直方向（図の上下方向）の位置が不安定となる恐れがある。

第１及び第２実施例の場合と同様に、半導体チップ６０にはバンプ１６２が形成され、そのバンプ１６２に対してインナーリード１５６の先端を熱圧着によって接続する。

図２９は、第４実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの一部の構成を示す平面図である。図３０は、図２９のＡ１０−Ａ１０方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ１０−Ｂ１０方向の断面図（Ｂ）である。ＣＯＦ用フィルムキャリアは、厚さ約３８μｍ程度の基材（フィルム）１２の上に、図示しない金属配線材からなる入力端子と出力端子が形成されている。基材（フィルム）１２には、半導体チップを（６０）を搭載するための開口部２４が形成されている。金属配線材は、入力端子、出力端子及びインナーリード３２６に対応する箇所以外の領域が、レジスト１４によって保護されている。

金属配線（３２６等）は、例えば、キャスティング法やメッキ法等によって基材１２上に直接形成される。金属配線の厚さは、約８μｍ程度であり、レジスト１４の厚さは約２５μｍ程度である。

図２９に示すように、インナーリード３２６は、開口部２４側に直線的に延びる直線部とＸ状に交わる交差部３２６ａとを有する形状となっている。本実施例においては、インナーリード３２６が後述するＴＣＰ用テープキャリアのインナーリード１５６の複数本に渡って交差する構造となっている。なお、交差部３２６ａの位置は、配線設計に応じて適宜変更することが可能である。

図３１は、第４実施例に係る半導体パッケージの要部の構成を示す平面図であり、ＴＣＰ用テープキャリア（図２７）及びＣＯＦ用フィルムキャリア（図２９）に半導体チップをボンディングした状態を示す。説明の便宜上、図３１において、ＣＯＦ用フィルムキャリア１０は、インナーリード３２６以外の構成要素を省略して示す。図３２は、図３１のＡ１１−Ａ１１方向の断面図（Ａ）、Ｂ１１−Ｂ１１方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ１１−Ｃ１１方向の断面図（Ｃ）である。ＴＣＰ用テープキャリアに半導体チップ６０をボンディングした後、図２９，図３０に示すＣＯＦ用フィルムキャリアを、裏返した状態で搭載する。ＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード３２６の先端を半導体チップ６０に形成されたバンプ６２に対して熱圧着によって接続する。このとき、ＴＣＰ用テープキャリアの複数のインナーリード１５６に形成された凹部１５６ａにＣＯＦ用フィルムキャリアのインナーリード３２６の交差部３２６ａを含む屈曲部が配置され、インナーリード１５６を横切る格好となる。すなわち、１本のインナーリード１５６に対して２本のインナーリード３２６が交差するようになる。インナーリード１５６の凹部１５６ａ中では、インナーリード１５６と３２６とが空間によって絶縁状態となる。

ＴＣＰ用テープキャリア（４０）とＣＯＦ用フィルムキャリア（１０）とを互いに接着させる方法は、第１実施例と同じ方法を採用することができる。

以上のように、本実施例に係る半導体パッケージによれば、従来のＣＯＦ製品のような半導体素子搭載用の開口部での配線が不要となり、樹脂封止工程での内部配線部におけるボイドの発生を抑制できるという効果がある。

本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、例えば、ＴＣＰとＴＣＰ同士を組み合わせる態様や、他のパッケージ形態にも適用可能である。また、２層の配線を立体的に交差させる際の絶縁方法としては、エアアイソレート（空間絶縁）の他に、一般的な絶縁材料を層間に介在させることも可能である。例えば、ＴＣＰ用テープキャリア４０のインナーリードとＣＯＦ用フィルムキャリア１０のインナーリードとの交差部に、絶縁性の樹脂を充填することもできる。これにより、絶縁に関する信頼性の向上を図ることができる。

図１は、本発明の第１実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの構成を示す平面図である。 図２は、図１のＸ１−Ｘ１方向の断面図である。 図３は、図２の一部（破線による楕円で囲まれた範囲）の構成を示す平面図である。 図４は、図３のＡ１−Ａ１方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ１−Ｂ１方向の断面図（Ｂ）である。 図５は、第１実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリアの構成を示す平面図である。 図６は、図１のＸ２−Ｘ２方向の断面図である。 図７は、図６の一部（破線による楕円で囲まれた範囲）の構成を示す平面図である。 図８は、図７のＡ２−Ａ２方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ２−Ｂ２方向の断面図（Ｂ）である。 図９は、第１実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリアに半導体チップをボンディングした状態を示す部分平面図である。 図１０は、図９のＹ１−Ｙ１方向の断面図である。 図１１は、第１実施例に係るＴＣＰ用テープキャリアに半導体チップをボンディングした後、更にＣＯＦ用フィルムキャリアを搭載した状態を示す部分平面図である。 図１２は、図１１のＡ３−Ａ３方向の断面図（Ａ）、Ｂ３−Ｂ３方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ３−Ｃ３方向の断面図（Ｃ）である。 図１３は、本発明の第２実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリアの構成を示す平面図であり、半導体チップをボンディングした状態を示す。 図１４は、図１３のＹ２−Ｙ２方向の断面図である。 図１５は、第２実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの一部の構成を示す平面図である。 図１６は、図１５のＡ４−Ａ４方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ４−Ｂ４方向の断面図（Ｂ）である。 図１７は、第２実施例に係る半導体パッケージの要部の構成を示す平面図であり、ＴＣＰ用テープキャリア及びＣＯＦ用フィルムキャリアに半導体チップをボンディングした状態を示す。 図１８は、図１７のＡ５−Ａ５方向の断面図（Ａ）、Ｂ５−Ｂ５方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ５−Ｃ５方向の断面図（Ｃ）である。 図１９は、本発明の第３実施例に係る半導体パッケージに使用されるＴＣＰ用テープキャリアの一部の構成を示す平面図である。 図２０は、図１９のＡ６−Ａ６方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ６−Ｂ６方向の断面図（Ｂ）である。 図２１は、第３実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの一部の構成を示す平面図である。 図２２は、図２１のＡ７−Ａ７方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ７−Ｂ７方向の断面図（Ｂ）である。 図２３は、第３実施例に係るＴＣＰ用テープキャリア（図１９）に半導体チップをボンディングした状態を示す部分平面図である。 図２４は、図２３のＹ３−Ｙ３方向の断面図である。 図２５は、第３実施例に係る半導体パッケージの要部の構成を示す平面図であり、ＴＣＰ用テープキャリア及びＣＯＦ用フィルムキャリアに半導体チップをボンディングした状態を示す。 図２６は、図２５のＡ８−Ａ８方向の断面図（Ａ）、Ｂ８−Ｂ８方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ８−Ｃ８方向の断面図（Ｃ）である。 図２７は、本発明の第４実施例に係るＴＣＰ用テープキャリアに半導体チップをボンディングした状態を示す部分平面図である。 図２８は、図２７のＡ９−Ａ９方向の断面図である。 図２９は、第４実施例に係る半導体パッケージに使用されるＣＯＦ用フィルムキャリアの一部の構成を示す平面図である。 図３０は、図２９のＡ１０−Ａ１０方向の断面図（Ａ）及び、Ｂ１０−Ｂ１０方向の断面図（Ｂ）である。 図３１は、第４実施例に係る半導体パッケージの要部の構成を示す平面図であり、ＴＣＰ用テープキャリア（図２７）及びＣＯＦ用フィルムキャリア（図２９）に半導体チップをボンディングした状態を示す。 図３２は、図３１のＡ１１−Ａ１１方向の断面図（Ａ）、Ｂ１１−Ｂ１１方向の断面図（Ｂ）及び、Ｃ１１−Ｃ１１方向の断面図（Ｃ）である。

符号の説明

１０ ＣＯＦ用フィルムキャリア
１２ 基材
１８ 入力端子
２０ 出力端子
２６，１２６，２２６，３２６ インナーリード
２６ａ，１２６ａ，２２６ａ，３２６ａ 屈曲部
４０ ＴＣＰ用テープキャリア
４２ 基材
４８ 入力端子
５０ 出力端子
５６ インナーリード
５６ａ，１５６ａ 凹部
６０ 半導体チップ
６２ バンプ

Claims (16)

1. 第１及び第２の面を有するＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）用のテープキャリアと；
   前記テープキャリアの第１の面側に設けられた第１のインナーリードと；
   第１及び第２の面を有するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用のフィルムキャリアと；
   前記フィルムキャリアの第１の面側に設けられた第２のインナーリードと；
   前記第１及び第２のインナーリードに連結された半導体チップとを備え、
   前記テープキャリア及び前記フィルムキャリアの第１の面同士が対向するように配置され、前記第１及び第２のインナーリードが絶縁された状態で立体的に交差し、
   前記第１及び第２のインナーリードの少なくとも一方において、当該インナーリード同士が交差する位置に凹部が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
2. 前記第１及び第２の配線の少なくとも一方が、Ｓ字又はＺ字状に屈曲しており、当該屈曲部が他方の配線と交差することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
3. 第１及び第２の面を有するＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）用のテープキャリアと；
   前記テープキャリアの第１の面側に設けられた第１のインナーリードと；
   第１及び第２の面を有するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用のフィルムキャリアと；
   前記フィルムキャリアの第１の面側に設けられた第２のインナーリードと；
   前記第１及び第２のインナーリードに連結された半導体チップとを備え、
   前記テープキャリアの第１の面と前記フィルムキャリアの第１の面同士が対向するように配置され、前記第１及び第２のインナーリードが絶縁された状態で立体的に交差し、
   前記第１及び第２のインナーリードの少なくとも一方が、他方のインナーリードと交差する位置に凹部が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
4. 前記第１のインナーリードには、前記第２のインナーリードと交差する位置に凹部が形成され、
   前記第１及び第２のインナーリードは、１対１で交差することを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
5. 前記第１のインナーリードには、前記第２のインナーリードと交差する位置に凹部が形成され、
   前記第２のインナーリードの１本は、前記第１のインナーリードの複数本と交差することを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
6. 前記第１及び第２のインナーリードの少なくとも一方が、Ｓ字又はＺ字状に屈曲しており、当該屈曲部が他方のインナーリードと交差することを特徴とする請求項３乃至５の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
7. 前記第１のインナーリードには、前記第２のインナーリードと交差する位置に凹部が形成され、
   前記第２のインナーリードは、Ｘ字状の交差部を有し、
   当該交差部が前記第１のインナーリードの凹部に対向することを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
8. 前記第１及び第２のインナーリードには、前記交差する位置に各々凹部が形成され、
   これら凹部同士が対向するように配置されることを特徴とする請求項３乃至７の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
9. 請求項３乃至８の何れか一項に記載の半導体パッケージに使用されるＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）用のテープキャリア。
10. 請求項３乃至８の何れか一項に記載の半導体パッケージに使用されるＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用のフィルムキャリア。
11. 半導体パッケージの製造方法において、
    ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）用のテープキャリアの第１の面側に第１のインナーリードを形成する工程と；
    前記第１のインナーリードに半導体チップを連結する工程と；
    ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用のフィルムキャリアの第１の面側に第２のインナーリードを形成する工程と；
    前記第１及び第２のインナーリードが絶縁された状態で立体的に交差するように、前記テープキャリアの第１の面と前記フィルムキャリアの第１の面同士が対向するように重ね合わせる工程と；
    前記第１及び第２のインナーリードの少なくとも一方に、他方のインナーリードと交差する位置に凹部を形成する工程とを含み、
    これによって、前記第１及び第２のインナーリードが絶縁された状態で立体的に交差することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
12. 前記第１のインナーリードにおいて、前記第２のインナーリードと交差する位置に凹部を形成し、
    前記第１及び第２のインナーリードが１対１で交差するように、前記テープキャリア及び前記フィルムキャリアを重ね合わせることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
13. 前記第１のインナーリードにおいて、前記第２のインナーリードと交差する位置に凹部を形成し、
    前記第２のインナーリードの１本が前記第１のインナーリードの複数本と交差するように、前記テープキャリア及び前記フィルムキャリアを重ね合わせることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
14. 前記第１及び第２のインナーリードの少なくとも一方をＳ字又はＺ字状に屈曲させる工程を更に含み、
    当該屈曲部を他方のインナーリードと交差させることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
15. 前記第１のインナーリードにおいて、前記第２のインナーリードと交差する位置に凹部を形成し、
    前記第２のインナーリードは、Ｘ字状の交差部を有するように成形し、
    当該交差部が前記第１のインナーリードの凹部に対向するように、前記テープキャリア及び前記フィルムキャリアを重ね合わせることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
16. 前記第１及び第２のインナーリードにおいて、前記交差する位置に各々凹部を形成し、
    これら凹部同士が対向するように、前記テープキャリア及び前記フィルムキャリアを重ね合わせることを特徴とする請求項１１乃至１５の何れか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
    

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