JP2001189347A

JP2001189347A - 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置

Info

Publication number: JP2001189347A
Application number: JP2000000231A
Authority: JP
Inventors: Tadahiro Nakamichi; 忠弘中道
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-01-05
Filing date: 2000-01-05
Publication date: 2001-07-10

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程に優れ、かつ、接続信頼性を損なう
ことなく薄型にした半導体装置及びその製造方法、並び
に電子装置を提供することにある。【解決手段】平坦な表面の配線パターン２２が形成さ
れた基板２０と、少なくとも一つの電極１２を有し、前
記電極１２の表面は、周囲の面を超えない高さで形成さ
れた半導体チップ１０と、前記電極１２と前記配線パタ
ーン２２との間に設けられた導電ペーストと、を含み、
前記導電ペーストを介して、前記電極１２と前記配線パ
ターン２２とが電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、並びに電子装置に関する

【０００２】

【発明の背景】半導体チップと、該半導体チップに電気
的に接続された配線パターンが形成された基板とが、２
枚のシートの間に配置されてなるＩＣカードが近年急速
に普及しつつある。ＩＣカードは磁気カード等に比べて
記憶容量が大きく、汎用性があるなどの特徴を有する。

【０００３】例えば、特開平９−２７５１６号公報で
は、半導体チップと基板上の導電ペーストとがバンプを
介して電気的に接続されている。

【０００４】しかしながら、この場合に、半導体チップ
の電極、あるいは基板上の配線の一部に、固形のバンプ
を設ける工程が必要となる。また、バンプは、半導体チ
ップの電極上において突起を維持するために、ある程度
の硬さが必要であり、そのために半導体チップと基板と
に間隔が生じて、装置の薄型化の妨げになる場合があっ
た。

【０００５】本発明はこの問題点を解決するものであ
り、その目的は、製造工程に優れ、かつ、接続信頼性を
損なうことなく薄型にした半導体装置及びその製造方
法、並びに電子装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置は、平坦な表面の配線パターンが形成された基板
と、少なくとも一つの電極を有し、前記電極の表面は、
周囲の面を超えない高さで形成された半導体チップと、
相対する前記電極と前記配線パターンとの間に設けられ
た導電ペーストと、を含み、前記導電ペーストを介し
て、前記電極と前記配線パターンとが電気的に接続され
ている。

【０００７】本発明によれば、基板上に設けられた平坦
な表面の配線パターンと、半導体チップにおける突起状
を成していない電極とは、導電ペーストによって接続さ
れている。すなわち、電極と配線パターンとが、バンプ
ではなく導電ペーストによって電気的に接続されてい
る。これによって、煩雑な工程である、バンプを設ける
工程を省略することができる。したがって、製造工程の
簡略化と、バンプ自体をなくしたことによるコストの削
減をすることができる。また、ある程度の高さを有する
バンプを省略することができるので、半導体チップと基
板との間隔を小さくすることができ、薄型の半導体装置
を提供することができる。

【０００８】（２）この半導体装置において、前記電極
の周囲の面は絶縁層の表面で形成され、前記絶縁層は、
前記電極の端部を覆ってもよい。

【０００９】これによって、例えば、電極を絶縁層の表
面より窪んで位置させるように絶縁層を形成することに
よって、導電ペーストを電極に容易に密着させることが
できるので、確実に電極と配線パターンとを電気的に接
続することができる。

【００１０】（３）この半導体装置において、少なくと
も、前記半導体チップと前記基板との間に設けられた樹
脂をさらに含んでもよい。

【００１１】樹脂を設けることによって、電極と配線パ
ターンとの接続部が保護されるので、装置の接続信頼性
を高めることができる。

【００１２】（４）この半導体装置において、前記配線
パターンは、金、銅、クロム、チタン及びニッケルのい
ずれかからなる金属、又は導電ペーストから形成されて
もよい。

【００１３】これによって、例えば、電極を直接的に、
導電ペーストからなる配線パターンに接続することがで
きる。

【００１４】（５）この半導体装置において、前記基板
は、曲げ強度を高めるために立体的に形成された面から
なる領域を少なくとも一部に有してもよい。

【００１５】これによって、基板の強度を高めることが
できるので、半導体チップに加えられる曲げ応力を緩和
することができる。したがって、バンプを省略して、よ
り薄型化にしても、接続信頼性が損なわれない半導体装
置を提供することができる。

【００１６】（６）この半導体装置において、前記基板
における前記立体的に形成された面からなる領域は、前
記基板における前記配線パターンの形成領域を除く領域
に設けられてもよい。

【００１７】これによって、電極と配線パターンとの電
気的接続を確実にさせるとともに、半導体チップに加え
られる曲げ応力を緩和することができる。

【００１８】（７）この半導体装置において、前記半導
体チップにおける前記電極の形成された面とは反対側の
面に貼り付けられた補強板をさらに含んでもよい。

【００１９】これによって、半導体チップに加えられる
曲げ応力を緩和することができる。

【００２０】（８）この半導体装置において、前記補強
板は、曲げ強度を高めるために立体的に形成された面か
らなる領域を、少なくとも前記半導体チップと平面的に
重なる領域に有してもよい。

【００２１】これによって、補強板の強度を高めること
ができるので、半導体チップに加えられる曲げ応力をさ
らに緩和することができる。

【００２２】（９）この半導体装置において、前記半導
体チップにおける前記電極の形成面とは反対の側に設け
られた第２の基板をさらに含んでもよい。

【００２３】（１０）この半導体装置において、前記第
２の基板は、曲げ強度を高めるために立体的に形成され
た面からなる領域を、少なくとも前記半導体チップと平
面的に重なる領域に有してもよい。

【００２４】これによって、第２の基板の強度を高める
ことができるので、半導体チップに加えられる曲げ応力
をさらに緩和することができる。

【００２５】（１１）本発明に係る電子装置は上記半導
体装置を有する。

【００２６】（１２）本発明に係る電子装置はＩＣカー
ドであってもよい。

【００２７】（１３）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、少なくとも一つの電極を有し、前記電極の表面
は、周囲の面を超えない高さで形成された半導体チップ
と、平坦な表面の配線パターンが形成された基板と、を
接合する工程を含み、相対する前記電極と前記配線パタ
ーンとを、導電ペーストを介して電気的に接続する。

【００２８】本発明によれば、基板上に設けた平坦な表
面の配線パターンと、半導体チップにおける突起状を成
していない電極とを、導電ペーストによって接続する。
すなわち、電極と配線パターンとを、バンプではなく導
電ペーストによって電気的に接続する。これによって、
煩雑な工程である、バンプを設ける工程を省略すること
ができる。したがって、製造工程の簡略化と、バンプ自
体をなくしたことによるコストの削減をすることができ
る。また、ある程度の高さを有するバンプを省略するこ
とができるので、半導体チップと基板との間隔を小さく
することができ、薄型の半導体装置を製造することがで
きる。

【００２９】（１４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記導電ペーストを前記電極上に設けて、前記電極
と前記配線パターンとを電気的に接続してもよい。

【００３０】これによれば、半導体チップを基板に搭載
する前に、予め電極上に導電ペーストを設けておき、そ
の後に電極を配線パターンに接続する。これによって、
電極上に確実に導電ペーストを設けることができるの
で、より確実に電極と配線パターンとを電気的に接続す
ることができる。これによって、メッキ法などによって
形成するバンプを設けるという煩雑な工程を省略するこ
とができるので、製造工程の簡略化とコストの削減をす
ることができる。また、バンプの代わりに導電ペースト
を用いるので、半導体チップと基板との間隔を小さくす
ることができ、薄型の半導体装置を製造することができ
る。

【００３１】（１５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記配線パターンを金、銅、クロム、チタン及びニ
ッケルのいずれかからなる金属、又は導電ペーストで形
成してもよい。

【００３２】これによって、例えば、電極を直接的に、
導電ペーストからなる配線パターンに接続することがで
きる。

【００３３】（１６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記電極の配置に対応した領域を隆起させて、前記
導電ペーストで前記配線パターンを形成し、前記導電ペ
ーストにおける隆起した領域を前記電極の表面に密着さ
せてもよい。

【００３４】これによれば、電極をボンディングする領
域を隆起させて、導電ペーストからなる配線パターンを
形成し、隆起させた領域に電極をボンディングする。こ
れによって、半導体チップの電極に導電ペーストを容易
に密着させることができる。したがって、確実に電極と
配線パターンとを電気的に接続することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。

【００３６】（第１の実施の形態）本実施の形態に係る
半導体装置を有する電子装置として、例えばＩＣカード
等のカード型の電子装置が挙げられる。

【００３７】図１は、本発明を適用した第１の実施の形
態にかかる半導体装置を示す図である。図１に示す半導
体装置は、半導体チップ１０と、基板２０と、を含む。

【００３８】半導体チップ１０の一つの面（能動面）に
は、少なくとも一つ（一般に複数）の電極１２が形成さ
れている。電極１２の表面は、ほぼ平坦になっている
が、バンプの形状をなしていなければ滑らかな表面であ
る必要はない。また、電極１２は、例えばアルミパッド
であることが多い。

【００３９】電極１２は、その表面が、周囲の面を超え
ない高さで形成されている。詳しく言うと、電極１２の
表面は、半導体チップ１０における電極１２の周囲の面
と面一となって形成されていてもよく、又は、半導体チ
ップ１０における電極１２の周囲の面よりも窪んで形成
されていてもよい。後者の場合は、後述する導電ペース
トを電極１２の表面に容易に密着させることができるの
で、より好ましい。

【００４０】電極１２の周囲の面は、絶縁層１４の表面
で形成されていてもよい。この場合に、絶縁層１４は電
極１２の端部を覆って形成されていてもよい。言い換え
ると、電極１２が複数である場合に、それぞれの電極１
２の表面の一部又は全部を露出させるように、絶縁層１
４は半導体チップ１０における電極１２の周囲の面に形
成されていてもよい。また、絶縁層１４は、電気的な絶
縁膜であり、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ポリイ
ミド膜などから形成されてもよい。

【００４１】絶縁層１４によって電極１２の表面の一部
を露出する場合は、図１における一点鎖線で囲まれた拡
大図に示すように、絶縁層１４は、電極１２の端部を覆
うように形成されていてもよい。なお、一般的に絶縁層
１４は、電極１２の厚みよりも厚く形成されるので、絶
縁層１４の側から見て、電極１２の形成領域は窪んでい
ることが多い。

【００４２】基板２０は、有機系又は無機系のいずれの
材料から形成されたものであってもよく、これらの複合
構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形
成された基板２０として、例えばポリイミド樹脂やポリ
エチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）からなるフ
レキシブル基板が挙げられる。また、無機系の材料から
形成された基板２０として、例えばセラミック基板やガ
ラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合
構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。

【００４３】なお、基板２０の上述の材質は、半導体装
置を有する電子装置の形態に応じて、選定してもよい。
例えば、薄型のカード型電子装置に内蔵する半導体装置
の場合には、基板２０は薄型であることが好ましく、例
えばＰＥＴフィルムであってもよい。

【００４４】基板２０には平坦な表面の配線パターン２
２が形成されている。配線パターン２２は、基板２０の
一方の面に形成されてもよく、両面に形成されていても
よい。配線パターン２２は、複数層から構成されること
が多く、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クローム
（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン
タングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかを積層して
形成してもよい。例えば、フォトリソグラフィを適用し
て配線パターン２２を形成してもよく、スパッタによっ
て配線パターン２２を基板２０に直接形成してもよく、
メッキ処理によって配線パターン２２を形成してもよ
い。また、配線パターン２２の一部は配線となる部分よ
りも面積の大きいランド部（図示しない）となっていて
もよい。このランド部は電気的接続部を十分に確保する
機能を有する。いずれにしても、配線パターン２２は、
バンプなどのような突起状を有していなければ、どのよ
うな形態であっても構わない。

【００４５】本実施の形態では、図１に示すように配線
パターン２２は、導電ペーストから形成されている。す
なわち、基板２０には、導電ペーストからなる配線パタ
ーン２２が所望の回路となるように形成されていて、こ
の配線パターン２２と半導体チップ１０における電極１
２とが機械的に接続することでそれらの電気的導通を図
る。この場合の配線パターン２２は、例えばスクリーン
印刷、インクジェット方式によって基板２０に設けられ
てもよい。導電ペーストは、例えば銀ペーストであって
もよい。また、導電ペーストは、電気的に導通するもの
であればよく、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタン
グステン（Ｔｉ−Ｗ）のいずれかの導電粒子を含むもの
であってもよい。なお、配線パターン２２が導電ペース
トからなる場合であっても、配線パターン２２のうち、
それぞれの電極１２にボンディングされるための領域
は、該領域を除く部分よりも面積の大きい、いわゆるラ
ンド部となっていてもよい。これによって、電極１２と
配線パターン２２との電気的接続を確実なものとするこ
とができる。

【００４６】本実施の形態では、半導体チップ１０は、
基板２０における配線パターン２２が設けられた面に、
電極１２の形成面を対向させて搭載されている。言い換
えると、半導体チップ１０は、導電ペーストからなる配
線パターン２２を有する基板２０の形成面にフェースダ
ウンボンディングされている。

【００４７】図１における一点鎖線で囲まれた拡大図に
示すように、絶縁層１４が半導体チップ１０に形成され
ている場合に、基板２０上の導電ペーストは、少なくと
も、電極１２の絶縁層１４から露出した領域１６に密着
して設けられている。すなわち、電極１２の絶縁層１４
による露出領域１６に導電ペーストが密着していれば、
例えば、導電ペーストの一部が絶縁層１４の表面の一部
に密着してしまっていても別に構わない。

【００４８】上述のように本実施の形態に係る半導体装
置は、例えばＩＣカード等のカード型の電子装置に内蔵
されてもよい。したがって、本実施の形態に係る図１の
半導体装置は、第２の基板３０と、補強板４０と、をさ
らに含んでもよい。

【００４９】第２の基板３０は、基板２０と同様の構成
であってもよく、例えばＰＥＴフィルムであってもよ
い。第２の基板３０は、半導体チップ１０における電極
１２の形成面とは反対側の面に、接着剤によって貼り付
けられてもよい。また、図１に示すように、補強板４０
を設ける場合には、補強板４０に接着剤３２を介して貼
りつけてもよい。

【００５０】第２の基板３０を設けることによって、半
導体チップ１０を、基板２０と第２の基板３０とで挟む
ことができるので、カード形状を有する電子装置を製造
することができる。また、例えば、半導体チップ１０を
間に配置した基板２０及び第２の基板３０をさらに挟む
ように、それぞれの外側に印字用のフィルム（図示しな
い）を貼り付けて、カード型の電子装置としてもよい。

【００５１】補強板４０は、半導体チップ１０における
電極１２の形成された面とは反対側の面に貼り付けられ
ている。第２の基板３０が設けられている場合は、補強
板４０は、半導体チップ１０の電極１２の形成された面
とは反対側の面に貼り付けられ、さらに補強板４０の外
側に第２の基板３０が設けられていてもよい。補強板４
０を半導体チップ１０に添えて設けることによって、半
導体チップ１０の平面状に加えられる曲げ応力を緩和す
ることができる。

【００５２】補強板４０の形状及び大きさは特に限定さ
れないが、半導体チップ１０を補強するために、その大
きさは、少なくとも半導体チップ１０の外形と同じであ
ることが好ましく、半導体チップ１０の外形よりも大き
くてもよい。補強板４０は導電性の部材であってもよ
く、絶縁性の部材であってもよい。補強板４０は、金属
板であってもよく、また、その厚みは別に問わない。

【００５３】少なくとも、半導体チップ１０と基板２０
との間に樹脂２４が設けられてもよい。樹脂２４が設け
られることによって、電極１２と導電ペーストとの接続
部が保護（水分の進入の防止など）されるとともに、半
導体チップ１０に加わえられる曲げ応力を緩和すること
ができる。また、図１に示すように樹脂２４は、半導体
チップ１０と基板２０との間に加えて、さらに、半導体
チップ１０の周囲に設けられてもよい。例えば、半導体
チップ１０に補強板４０を設ける場合には、半導体チッ
プ１０の周囲に設けられた樹脂２４によって補強板４０
が接着されて、これによって、補強板４０が半導体チッ
プ１０に添えられてもよい。補強板４０が設けられない
場合であっても、第２の基板３０において同様のことが
言える（図３参照）。

【００５４】以下に、本実施の形態に係る半導体装置の
製造方法を示す。

【００５５】半導体チップ１０における電極１２と配線
パターン２２とを導電ペーストによって電気的に接続す
る。例えば、半導体チップ１０と基板２０とのうち、一
方を他方に向けて押圧して、流動性を有する導電ペース
トを潰して、電極１２と配線パターン２２とを確実に電
気的に接続することができる。この場合に、導電ペース
トは、電極１２と配線パターン２２との少なくともいず
れか一方に設けておけばよい。なお、搭載するときに、
押圧するとともに加熱することによって、導電ペースト
を硬化させて、電極１２と配線パターン２２との機械的
接続を図る。

【００５６】また、図１に示すように配線パターン２２
が導電ペーストから形成される場合には、導電ペースト
からなる配線パターン２２に、直接的に電極１２を密着
させてもよい。すなわち、配線パターン２２と、配線パ
ターン２２及び電極１２を介する導電ペーストとを、同
一材料からなる導電ペーストとしてもよい。また、これ
とは異なり、配線パターン２２と、配線パターン２２及
び電極１２を介する導電ペーストとを別の材料で構成し
てもよく、いずれの場合であっても、煩雑な工程であ
る、バンプを設ける工程を省略することができる。な
お、電極１２を導電ペーストからなる配線パターン２２
における、例えばランド部に接続してもよい。

【００５７】導電ペーストを電極１２上に設けて、電極
１２と導電ペーストからなる配線パターン２２とを電気
的に接続してもよい。例えば、シリンダーに入れた導電
ペーストをノズルより取り出して、その導電ペーストを
ボール状に形成した後に、半導体チップ１０の電極１２
上に転写することによって、電極１２上に導電ペースト
を設けてもよい。これによって、確実に電極１２と配線
パターン２２とを電気的に接続することができる。

【００５８】なお、予め電極１２上に導電ペーストを設
ける場合であっても、メッキ法などによって形成するバ
ンプを設けるという煩雑な工程を省略することができる
ので、製造工程の簡略化とコストの削減をすることがで
きる。また、電極１２上に設けるのは導電ペーストであ
るので、フェースダウンボンディングによって、電極１
２上に設けた導電ペーストは基板２０上の導電ペースト
からなる配線パターン２２と一体化するので、バンプを
設けた場合の高さを省略することができる。したがっ
て、半導体チップ１０と基板２０との間隔を小さくする
ことができ、薄型の半導体装置を製造することができ
る。

【００５９】導電ペーストからなる配線パターン２２に
おける電極１２の配置に対応した領域を隆起させて、該
領域に電極１２の表面を密着させることによって、電極
１２と配線パターン２２との電気的接続を図ってもよ
い。この場合においても、隆起させた導電ペーストの一
部を潰すようにして、電極１２を機械的に接続（図１参
照）することができるので、確実に電極１２と配線パタ
ーン２２との電気的接続を図ることができ、上述と同様
の効果を得ることができる。

【００６０】（第２の実施の形態）図２及び図３は本実
施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形
態に係る半導体装置において、補強板５０、基板６０及
び第２の基板７０の少なくとも一つは、曲げ強度を高め
るために立体的に形成された面からなる領域を少なくと
も一部に有する。

【００６１】ここで、立体的に形成された面からなる領
域とは、凹部又は凸部の表面のように、異なる方向を向
く複数の面が接続されて三次元的に形成された領域をい
う。立体的な面は変形しにくいので、曲げ強度が高ま
る。立体的に形成された面からなる領域は、基板２０の
一方の側面にのみ形成されていてもよいし、両側面に形
成されていてもよい。

【００６２】図２には、立体的に形成された面の一例と
して、ハーフエッチング等によって凹部５２が形成され
た補強板５０を示す。補強板５０は、凹部５２を除い
て、上述の補強板４０と同様の形態であってもよい。凹
部５２は、複数形成されてもよく、その形状は特に限定
されない。凹部５２を形成することによって立体的な面
を補強板５０に形成することができるので、補強板５０
の平面状に加えられる曲げ応力に対する強度を高めるこ
とができる。したがって、補強板５０に接する半導体チ
ップ１０の平面状に加えられる曲げ応力を緩和すること
ができるので、接続信頼性に優れた半導体装置を提供す
ることができる。

【００６３】なお、補強板５０に形成された、曲げ強度
を高めるために立体的に形成された面からなる領域は、
半導体チップ１０に対応する領域のみであってもよく、
補強板５０が半導体チップ１０の外形よりも大きい場合
は、補強板５０の全体であってもよい。

【００６４】凹部５２が溝である場合には、溝の長さ方
向に交差する線に沿った曲げ強度が高められる。補強板
５０が長方形をなす場合には、曲がりやすい方向の強度
を高めることが好ましい。すなわち、補強板５０の長手
方向に交差する線（例えば短手辺に平行な線）に沿った
曲げ強度を高めるように、溝を長手方向に形成すること
が好ましい。また、凹部５２が、貫通しない穴（窪み）
である場合には、いずれの方向に曲げられるときでも強
度が上がる。

【００６５】図３では、図２と同様なハーフエッチング
等によって形成された凹部６２、７２を有する基板６０
と第２の基板７０が示されている。基板６０及び第２の
基板７０は、凹部６２、７２を除いて、基板２０及び第
２の基板３０と同様の形態であってもよい。また、それ
ぞれの凹部６２、７２は、補強板５０における凹部５２
と同様に形成されてなるものであってもよい。

【００６６】基板６０と第２の基板７０の少なくとも一
方に、凹部６２、７２の領域が設けられていてもよい。
基板６０に凹部６２が設けられる場合には、基板６０に
おける配線パターン２２の形成領域を除く領域に設けら
れることが好ましい。これによって、半導体チップ１０
に加えられる曲げ応力を緩和するとともに、電極１２と
配線パターン２２との電気的接続を確実にすることがで
きる。また、第２の基板７０に立体的に形成された面か
らなる領域が設けられる場合は、半導体チップ１０に対
応する領域のみであってもよく、第２の基板７０の全体
であってもよい。

【００６７】本実施の形態の変形例として、図４（Ａ）
及び図４（Ｂ）に立体的に形成された面からなる、その
他の例からなる領域を有する基板８０、９０を示す。図
４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す基板８０、９０の形態
は、第２の基板７０、及び補強板５０の形態としても適
用することができる。

【００６８】図４（Ａ）には、エンボス加工されてなる
基板８０が示されている。例えば、上下の金型によって
基板８０をプレスすることによってエンボス加工を施し
てもよい。例えば図４（Ａ）に示すように、基板８０の
厚みを変えずに張出した部分８２を形成して、エンボス
加工を施してもよい。また、張出した部分８２の形状
は、図４（Ａ）のようにディンプルであってもよく、そ
の形状は問わない。

【００６９】また、図４（Ｂ）は、基板９０を断面にお
いて波状に形成した例を示す図である。基板９０は、山
と谷が交互に形成された形状をなし、基板９０の表面で
山と谷はそれぞれ平行に延びる。基板９０は、波状をな
すことで、立体的に形成された面からなる領域を有す
る。基板９０が長方形をなす場合には、曲がりやすい方
向の強度を高めることが好ましい。すなわち、山と谷
が、基板９０の長手方向に延びるように形成することが
好ましい。こうすることで、長手方向に交差する線（例
えば短手辺に平行な線）に沿った曲げ強度を高めること
ができる。

【００７０】なお、上述の立体的に形成された面からな
る領域は、基板６０、第２の基板７０、及び補強板５０
の少なくともいずれか一つに形成されてもよい。また、
例えば、基板６０及び第２の基板７０の少なくともいず
れか一方に立体的に形成された面からなる領域を設け
て、半導体チップ１０に加えられる曲げ応力に対する強
度を十分に高めることができれば、補強板５０又は補強
板４０を省略しても構わない。これによって、薄型、か
つ、接続信頼性に優れる半導体装置を提供することがで
きる。

【００７１】図２〜図４（Ｂ）に示す立体的に形成され
た面からなる領域を、基板６０に形成する場合は、基板
６０における配線パターン２２の形成された側の面の形
状を、半導体チップ１０と配線パターン２２との位置決
めに用いることができる。すなわち、基板６０の平面的
位置を、立体的に形成された面からなる領域の形状を目
安として認識し、半導体チップ１０を基板６０に搭載し
てもよい。これによって、半導体チップ１０を基板６０
上の決められた位置に正確に搭載することができる。こ
の点においても、接続信頼性の高い半導体装置を製造す
ることができる。

【００７２】なお、上記発明の構成要件で「半導体チッ
プ」を「電子素子」に置き換えて、半導体チップと同様
に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、基
板に実装して電子部品を製造することもできる。このよ
うな電子素子を使用して製造される電子部品として、例
えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、
フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリュ
ーム又はヒューズなどがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
かかる半導体装置を示す図である。

【図２】図２は、本発明を適用した第２の実施の形態に
かかる半導体装置を示す図である。

【図３】図３は、本発明を適用した第２の実施の形態に
かかる半導体装置を示す図である。

【図４】図４は、本発明を適用した第２の実施の形態の
変形例にかかる基板を示す図である。

【符号の説明】

１０半導体チップ１２電極１４絶縁層１６露出領域２０基板２２配線パターン２４樹脂３０第２の基板３２接着剤４０補強板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平坦な表面の配線パターンが形成された
基板と、少なくとも一つの電極を有し、前記電極の表面は、周囲
の面を超えない高さで形成された半導体チップと、相対する前記電極と前記配線パターンとの間に設けられ
た導電ペーストと、を含み、前記導電ペーストを介して、前記電極と前記配線パター
ンとが電気的に接続された半導体装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、前記電極の周囲の面は絶縁層の表面で形成され、前記絶
縁層は、前記電極の端部を覆う半導体装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置において、少なくとも、前記半導体チップと前記基板
との間に設けられた樹脂をさらに含む半導体装置。
【請求項４】請求項１から請求項３のいずれかに記載
の半導体装置において、前記配線パターンは、金、銅、クロム、チタン及びニッ
ケルのいずれかからなる金属、又は導電ペーストから形
成されてなる半導体装置。
【請求項５】請求項１から請求項４のいずれかに記載
の半導体装置において、前記基板は、曲げ強度を高めるために立体的に形成され
た面からなる領域を少なくとも一部に有する半導体装
置。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置において、前記基板における前記立体的に形成された面からなる領
域は、前記基板における前記配線パターンの形成領域を
除く領域に設けられた半導体装置。
【請求項７】請求項１から請求項６のいずれかに記載
の半導体装置において、前記半導体チップにおける前記電極の形成された面とは
反対側の面に貼り付けられた補強板をさらに含む半導体
装置。
【請求項８】請求項７記載の半導体装置において、前記補強板は、曲げ強度を高めるために立体的に形成さ
れた面からなる領域を、少なくとも前記半導体チップと
平面的に重なる領域に有する半導体装置。
【請求項９】請求項１から請求項８のいずれかに記載
の半導体装置において、前記半導体チップにおける前記電極の形成面とは反対の
側に設けられた第２の基板をさらに含む半導体装置。
【請求項１０】請求項９記載の半導体装置において、前記第２の基板は、曲げ強度を高めるために立体的に形
成された面からなる領域を、少なくとも前記半導体チッ
プと平面的に重なる領域に有する半導体装置。
【請求項１１】請求項１から請求項１０のいずれかに
記載の半導体装置を有する電子装置。
【請求項１２】請求項１１記載の電子装置において、ＩＣカードとして構成された電子装置。
【請求項１３】少なくとも一つの電極を有し、前記電
極の表面は、周囲の面を超えない高さで形成された半導
体チップと、平坦な表面の配線パターンが形成された基
板と、を接合する工程を含み、相対する前記電極と前記配線パターンとを、導電ペース
トを介して電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１３記載の半導体装置の製造方
法において、前記導電ペーストを前記電極上に設けて、前記電極と前
記配線パターンとを電気的に接続する半導体装置の製造
方法。
【請求項１５】請求項１３又は請求項１４に記載の半
導体装置の製造方法において、前記配線パターンを金、銅、クロム、チタン及びニッケ
ルのいずれかからなる金属、又は導電ペーストで形成す
る半導体装置の製造方法。
【請求項１６】請求項１３記載の半導体装置の製造方
法において、前記電極の配置に対応した領域を隆起させて、前記導電
ペーストで前記配線パターンを形成し、前記導電ペーストにおける隆起した領域を前記電極の表
面に密着させる半導体装置の製造方法。