JP2003142652A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで、小型化・薄型化を図ることが可
能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置３３は、第１および第２の開
口部１１ａ、１２ａが形成された第１の基板１ａと、第
１の開口部１１ａの内部に配置された電子部品２ａと、
第１の基板１ａにおいて第２の開口部１２ａが形成され
た面上に積層するように配置された第２の基板１ｂと、
第２の基板１ｂにおいて第２の開口部１２ａと対向する
表面領域上に形成されるとともに、第２の開口部１２ａ
に挿入された突起電極７ｂとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置およ
びその製造方法に関し、より特定的には、電子部品を実
装した基板を積層した構造を有する半導体装置およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、携帯電話機や個人情報端末などの
携帯電子機器が知られている。このような携帯電子機器
においては、その小型化および軽量化が求められてい
る。携帯電子機器の小型化および軽量化を図るために
は、これらの機器に用いられる半導体装置の小型化およ
び軽量化が不可欠である。半導体装置の小型化・軽量化
を図るための有力な手法として、半導体素子などの電子
部品を３次元的に積層するという手法がある。

【０００３】上述のように、電子部品を３次元的に積層
した従来の半導体装置は、たとえば特開平１０−２９４
４２３号公報に開示されている。図７は、特開平１０−
２９４４２３号公報に開示された半導体装置を説明する
ための断面模式図である。図７を参照して、特開平１０
−２９４４２３号公報に開示された半導体装置を説明す
る。

【０００４】図７を参照して、半導体装置は３枚の基板
１２２を積層した構造を有している。基板１２２の表面
には、それぞれ電極１２１および配線（図示せず）が形
成されている。電極１２１と対向する位置には半導体素
子１２４が配置されている。半導体素子１２４の下面に
はバンプ１２３が形成されている。バンプ１２３は電極
１２１と接続されている。半導体素子１２４と基板１２
２との間には封止用樹脂１２５が注入・硬化されてい
る。また、半導体素子１２４の状部表面１２６上には柔
軟性のある緩衝材１２７が配置されている。そして、基
板１２２の外周側においては、その表面に電極１２８が
形成され、電極１２８上にはんだバンプ１２９が配置さ
れている。

【０００５】このような基板１２２を複数枚積層する。
このとき、上層側に位置する基板１２２の外周側の電極
１２８の位置と下層側に位置する他の基板１２２のはん
だバンプ１２９との位置を合わせて、電極１２８とはん
だバンプ１２９とを接合する。そして、緩衝材１２７を
硬化させる。はんだバンプ１２９は基板１２２間を接合
する機能を有する。この結果、図７に示したような半導
体装置を得る。

【０００６】また、電子部品を３次元的に積層した従来
の半導体装置の他の例として、たとえば特開平１１−８
４７４号公報に開示された半導体装置が挙げられる。図
８は、特開平１１−８４７４号公報に開示された半導体
装置を説明するための断面模式図である。図８を参照し
て、特開平１１−８４７４号公報に開示された半導体装
置を説明する。

【０００７】図８を参照して、半導体装置は３枚の基板
１３１が積層された構造を有する。それぞれの基板１３
１の上部表面上には半導体素子１３２が実装されてい
る。基板１３１と半導体素子１３２との間には封止樹脂
１３３が注入されている。また、基板１３１の周辺部に
おいては、基板１３１の上部表面および裏面に電極パッ
ド１３４、１３５がそれぞれ形成されている。電極パッ
ド１３４、１３５は基板１３１に形成されたスルーホー
ルにより電気的に接続されている。下層に位置する基板
１３１の電極パッド１３４と上層に位置する基板１３１
の電極パッド１３５とを接続するようにはんだバンプ１
３６が配置されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置では、以下のような問題があった。すなわち、図７
および８に示した半導体装置では、半導体素子１２４、
１３２をそれぞれ基板１２２、１３１の表面に実装した
上で、この基板１２２、１３１をそれぞれ複数枚積層す
ることにより積層構造の半導体装置を形成している。こ
のため、半導体素子１２４、１３２を直接積層する場合
より、基板１２２、１３１の厚みだけ半導体装置全体の
厚みが厚くなってしまう。このように半導体装置の厚み
が厚くなると、電子機器の小型化の妨げになる。また、
電子機器の内部のプリント基板上にこの半導体装置を実
装する際、電子機器内の他の部品と半導体装置とが干渉
する場合があり、電子機器の設計の自由度が低下すると
いう問題があった。

【０００９】また、基板１２２、１３１の間ははんだバ
ンプ１２９、１３６により接合されている。そして、基
板１２２、１３１の間に半導体素子１２４、１３２を配
置しているため、はんだバンプ１２９、１３６の直径を
半導体素子１２４、１３２の厚みより大きくしておく必
要がある。このため、はんだバンプ１２９、１３６が占
有する面積が大きくなる。また、はんだバンプ１２９、
１３６を複数個並べる場合、はんだバンプ１２９、１３
６の間の距離もある程度大きくしておく必要があった。
この結果、基板１２２、１３１に実装されるはんだバン
プ１２９、１３６の実装密度が小さくなる（基板１２
２、１３１に多数のはんだバンプ１２９、１３６を実装
することが困難になる）。したがって、必要な数のはん
だバンプ１２９、１３６を配置するためには、基板１２
２、１３１の面積をある程度大きくする必要があった。

【００１０】また、図７および８に示した半導体装置で
は、基板１２２、１３１の表裏面にそれぞれ外部電極１
２８や電極パッド１３４、１３５を形成する必要がある
ため、基板１２２、１３１として多層配線基板を用いる
必要がある。このため、半導体装置の製造コストが上昇
することになっていた。

【００１１】この発明は、上記のような課題を解決する
ために成されたものであり、この発明の目的は、低コス
トで、小型化・薄型化を図ることが可能な半導体装置お
よびその製造方法を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明の１の局面にお
ける半導体装置は、第１および第２の開口部が形成され
た第１の基板と、第１の開口部の内部に配置された電子
部品と、第１の基板において第２の開口部が形成された
面上に積層するように配置された第２の基板と、第２の
基板において第２の開口部と対向する表面領域上に形成
されるとともに、第２の開口部に挿入された突起電極と
を備える。

【００１３】このようにすれば、第１の基板に形成され
た第１の開口部の内部に電子部品を配置しているので、
単純に第１の基板の表面に電子部品を配置する場合よ
り、電子部品が実装された第１の基板の厚みを薄くでき
る。

【００１４】さらに、第２の基板に形成された突起電極
を第１の基板の第２の開口部に挿入するように、第１の
基板上に第２の基板を積層・固定しているので、従来の
ように第１および第２の基板の間にはんだバンプを配置
する場合より、第１および第２の基板の間の距離を短く
することができる。この結果、半導体装置のサイズ（特
に厚み）を小さくすることができる。

【００１５】また、従来は、第１および第２の基板の間
に電子部品が配置されていたため、この電子部品の厚み
を考慮して、第１および第２の基板を接合するはんだバ
ンプの直径を決定していた。つまり、はんだバンプの直
径は電子部品の厚み以上の大きさにする必要があった。
このため、はんだバンプをある程度大きくする必要があ
ったので、はんだバンプを設置する領域の面積を小さく
することには限界があった。しかし、本発明によれば、
突起電極は、第１の基板の第２の開口部に挿入・固定す
ることができればよく、突起電極のサイズを決定する際
に電子部品の厚みなどを考慮する必要はない。このた
め、突起電極のサイズを従来のはんだバンプのサイズよ
り小さくすることができる。したがって、突起電極の占
有する面積を小さくすることが可能になるので、半導体
装置の占有面積を小さくすることができる。

【００１６】上記１の局面における半導体装置は、第２
の開口部の内部に充填された接合部材をさらに備えるこ
とが好ましい。

【００１７】この場合、第２の開口部に挿入された突起
電極を接合部材と接触・固定することにより、突起電極
を第２の開口部の内部において確実に固定することがで
きる。このため、第１の基板と第２の基板とを確実に積
層・固定することができる。

【００１８】上記１の局面における半導体装置では、接
合部材が導電性を有する材料を含むことが好ましい。

【００１９】この場合、第１の基板に配置された電子部
品や回路などと第２の基板の突起電極とを電気的に接続
する際、第１の基板側の電極として接合部材を利用する
ことができる。また、接合部材は突起電極と接合されて
いることから、第１および第２の基板間の電気的接続を
確実に行うことができる。

【００２０】上記１の局面における半導体装置では、第
２の基板において、突起電極が形成された表面とは反対
側に位置する裏面に第３の開口部が形成されていてもよ
い。

【００２１】この場合、第２の基板の第３の開口部が形
成された裏面上に、他の突起電極が形成された他の基板
を配置して、上記他の突起電極を第３の開口部に挿入・
固定することにより、第２の基板上にさらに他の基板を
積層することができる。

【００２２】上記１の局面における半導体装置では、第
２の基板において、第３の開口部は突起電極が形成され
た表面側から見て突起電極とほぼ重なる位置に形成され
ていてもよい。

【００２３】このようにすれば、第３の開口部を突起電
極と重ならない領域に形成する場合より第２の基板の占
有面積を小さくすることができる。したがって、半導体
装置を小型化することができる。

【００２４】上記１の局面における半導体装置では、第
２の基板に第４の開口部が形成されていてもよい。上記
１の局面における半導体装置は、第４の開口部の内部に
配置され、電極を有する他の電子部品を備えていてもよ
い。他の電子部品の電極と突起電極とは電気的に接続さ
れていてもよい。

【００２５】この場合、第２の基板に実装された他の電
子部品を上記第１の基板上に積層することができるとと
もに、突起電極を介して第１の基板の電子部品などと他
の電子部品とを電気的に接続することができる。したが
って、複数の電子部品を積層し、小型化を図った半導体
装置を得ることができる。

【００２６】上記１の局面における半導体装置は、第２
の基板において突起電極が形成された表面上に形成さ
れ、他の電子部品の電極と突起電極とを電気的に接続す
る接続導電体を備えていてもよい。

【００２７】この場合、接続導電体を突起電極が形成さ
れた表面上に形成しているので、第２の基板の一方表面
（突起電極が形成された表面）に接続導電体などの回路
を集中して配置できる。すなわち、他の電子部品の電極
を上記第２の基板の表面に露出するとともに上記接続導
電体と接触するように配置しておけば、他の電子部品か
ら突起電極までの電気回路を第２の基板の一方表面にの
み形成することができる。このため、第２の基板の表裏
面に上記電気回路を構成する電極などを配置する必要が
無いので、第２の基板として一方表面のみに配線などが
形成された比較的単純な構造の基板を用いることができ
る（第２の基板として比較的高コストな多層配線基板を
用いる必要がない）。このため、半導体装置の製造コス
トを低減できる。

【００２８】上記１の局面における半導体装置では、第
２の基板において、突起電極が形成された表面側から見
て突起電極と互いに重ならない位置に第３の開口部が形
成されていてもよい。

【００２９】ここで、第２の基板において突起電極と重
なるように第３の開口部が形成されていると、この第３
の開口部が存在することに起因して突起電極を形成する
領域における第２の基板の強度が低下した状態になる。
そのため、突起電極を形成する際に第２の基板に大きな
応力を加えた場合に、第２の基板が割れる、あるいは亀
裂が発生するといった問題が起きる可能性がある。一
方、本発明による半導体装置では、上述のように第２の
基板において突起電極と重なる領域（突起電極と対向す
る領域）に第３の開口部は存在しない、すなわち突起電
極と対向する領域は第２の基板を構成する材料（基板基
材）が位置することになる（突起電極は基板基材の表面
上に配置されることになる）。このため、突起電極を形
成する工程において、第２の基板にある程度の大きさの
応力が加えられても、第２の基板が割れるといった問題
の発生を抑制できる。

【００３０】また、ある程度の強度を有する基板基材の
表面に突起電極を形成するので、突起電極を形成する領
域の強度により突起電極の製造方法が制約されることは
ない（たとえば、突起電極を基板基材に押しつけながら
超音波振動を用いて接合するといった、基板基材に応力
が加えられるような製造方法を選択することもでき
る）。このため、突起電極の製造方法の選択の自由度を
大きくすることができる。

【００３１】上記１の局面における半導体装置は、第２
の基板における第３の開口部の内部に配置された導電性
部材と、第２の基板の表面上に形成され、導電性部材と
突起電極とを電気的に接続する接続部材とを備えていて
もよい。

【００３２】この場合、第２の基板の第３の開口部に他
の基板の突起電極が挿入され、導電性部材と上記他の基
板の突起電極とが接続されれば、他の基板の電子部品や
回路などと第１の基板の電子部品や回路などとを、第２
の基板の導電性部材、接続部材および突起電極を介して
電気的に接続することができる。

【００３３】また、第３の開口部を第２の基板の裏面側
から表面側（突起電極が形成された表面側）まで貫通す
るように形成し、この第３の開口部の内部において上記
表面側に露出するように導電性部材を配置してもよい。
そして、上記表面側で露出した導電性部材と接触すると
共に、第２の基板の表面にまで延在するように接続部材
を形成してもよい。このようにすれば、接続部材は第２
の基板の一方の表面のみに形成すればよいので、第２の
基板の構造を簡略化できる。

【００３４】上記１の局面における半導体装置は、第２
の基板の裏面と対向するように配置された第３の基板
と、第３の基板において、第２の基板の裏面と対向する
表面上に形成された他の突起電極とを備えていてもよ
い。上記１の局面における半導体装置では、他の突起電
極が第２の基板に形成された第３の開口部に挿入されて
いてもよい。

【００３５】この場合、第３の基板の他の突起電極を第
３の開口部に挿入・固定することにより、第３の基板を
第２の基板上に確実に積層・固定することができる。ま
た、第２および第３の基板間の接続は、第１および第２
の基板間の接続と同様の構造としているので、第２およ
び第３の基板の間の距離を小さくすることができる。こ
のため、半導体装置の厚みを小さくすることができる。

【００３６】上記１の局面における半導体装置は、第１
の基板において第２の基板と対向する面とは反対側に位
置する面上に形成された外部接続用電極を備えていても
よい。

【００３７】この場合、電子機器などの基板（マザーボ
ード）表面に形成された電極に、半導体装置の外部接続
用電極を接続することにより、半導体装置を電子機器な
どの基板に容易に実装することができる。

【００３８】上記１の局面における半導体装置では、第
１の基板において外部接続用電極が形成された面に第１
の開口部が形成されていてもよい。上記１の局面におけ
る半導体装置は、第１の基板において外部接続用電極が
形成された面側に位置する電子部品の表面上に形成され
た他の外部接続用電極を備えていてもよい。

【００３９】この場合、第１の基板表面に外部接続用電
極を配置した上で、電子部品の表面上にも他の外部接続
用電極を配置するので、半導体装置における外部接続用
電極の数を増やすことができる。

【００４０】上記１の局面における半導体装置は、第１
の基板から見て第２の基板と反対側に位置する領域に配
置され、第１の基板と接続された他の基板と、他の基板
において、第１の基板と対向する面とは反対側の面上に
形成された外部接続用電極とを備えていてもよい。

【００４１】この場合、他の基板に所定の機能を有する
電子部品などを配置しておくことで、半導体装置に新た
な機能を容易に付加することができる。また、他の基板
において第１の基板と対向する面とは反対側の面の全体
を、外部接続用電極を形成するための領域として利用す
れば、外部接続用電極の数や配置などの設計の自由度を
大きくすることができる。

【００４２】この発明の他の局面における半導体装置の
製造方法は、第１および第２の開口部が形成された第１
の基板を準備する工程と、第１の開口部の内部に電子部
品を配置する工程と、表面に突起電極が形成された第２
の基板を準備する工程と、第２の基板の表面に形成され
た突起電極を第１の基板に形成された第２の開口部に挿
入固定することにより、第１の基板上に第２の基板を積
層する工程とを備える。

【００４３】このようにすれば、本発明による半導体装
置を容易に製造することができる。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一ま
たは相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は
繰返さない。

【００４５】（実施の形態１）図１は、本発明による半
導体装置の実施の形態１を示す断面模式図である。図２
は、図１に示した半導体装置の製造方法を説明するため
の模式図である。図１および２を参照して、本発明によ
る半導体装置の実施の形態１を説明する。

【００４６】図１を参照して、本発明による半導体装置
３３は、それぞれが電子部品２ａ〜２ｃを搭載したパッ
ケージ部分１９ａ〜１９ｃを積層することにより構成さ
れている。パッケージ部分１９ａは、電子部品用開口部
１１ａおよび電極用開口部１２ａが形成された第１の基
板としての基板１ａと、電子部品用開口部１１ａの内部
に配置された電子部品２ａとを備える。電子部品用開口
部１１ａおよび電極用開口部１２ａは、それぞれ基板１
ａを貫通するように形成されている。

【００４７】電子部品２ａとしては、半導体素子などの
能動素子や、抵抗あるいはコンデンサなどの受動素子を
用いることができる。また、基板１ａの材料としては、
ポリイミドフィルムまたはガラスエポキシ樹脂などを用
いることができる。基板１ａの厚さは２５μｍから１０
０μｍである。また、基板１ａに形成された第１および
第２の開口部１１ａ、１２ａは、それぞれレーザ加工あ
るいはエッチング処理などにより形成することができ
る。電子部品用開口部１１ａおよび電極用開口部１２ａ
の平面形状は、円形状であっても矩形上であってもよ
い。電子部品用開口部１１ａおよび電極用開口部１２ａ
の直径としては、たとえば５０μｍ〜２００μｍという
値を用いることができる。

【００４８】基板１ａの下面においては、基板１ａの下
面に接触するとともに電子部品２ａの下面の端部と対向
する領域にまで延在するようにリード電極５ａが形成さ
れている。電子部品２ａの下面の端部には電極３ａが形
成されている。この電極３ａはリード電極５ａと接続さ
れている。そして、リード電極５ａおよび電子部品２ａ
を覆うように保護用樹脂層３４ａが配置されている。

【００４９】基板１ａでは、基板１ａの中央部に形成さ
れた電子部品用開口部１１ａを囲むように、複数の電極
用開口部１２ａが形成されている。電極用開口部１２ａ
の内部には導電体からなる接合材４が充填されている。

【００５０】なお、上述の電極３ａとリード電極５ａと
の接合方法は、はんだを用いた接合方法を用いている
が、電極３ａとリード電極５ａとの接合方法として熱圧
着による固相接合を用いてもよい。

【００５１】基板１ａの下面において、電極用開口部１
２ａ下に位置する領域には電極６ａがそれぞれ配置され
ている。電極６ａ上には突起電極７ａ（図２参照）が形
成されている。そして、この突起電極７ａを覆うととも
に電極６ａ上に位置するように外部接続用電極としての
はんだボール１０が配置されている。このはんだボール
１０をマザーボードなどの他の基板に形成された電極へ
接続することにより、半導体装置３３をマザーボードな
どの他の基板へ実装することができる。なお、突起電極
７ａを形成することなく、電極６ａ上に直接はんだボー
ル１０を配置してもよい。電極６ａは、リード電極５ａ
と電気的に接続されている。また、突起電極７ａおよび
はんだボール１０は電極６ａと電気的に接続されてい
る。

【００５２】ここで、突起電極７ａの形成方法として
は、電極６ａを覆うようにめっき法により形成された金
属などの導電体を、写真製版加工を用いて突起電極７ａ
の形状となるように加工するという方法を用いてもよ
い。また、突起電極７ａの他の形成方法としては、電極
６ａの表面上に導電性接着剤を塗布した後、熱処理を行
なうことによりその導電性接着剤を硬化させてもよい。
あるいは、突起電極７ａの形状となるように、電極６ａ
上にポリイミド・エポキシ樹脂などで突起部を形成し、
この突起部の表面に金などの導電体を含むめっきを施し
てもよい。なお、上述のめっき法によって形成される導
電体層の材料としては、金、銅あるいはニッケルなどの
金属を用いることができる。また、突起電極７ａの形成
方法として、突起電極７ａの形状となるようにはんだを
電極６ａ上に配置するといった手法を用いてもよい。

【００５３】また、電極用開口部１２ａの内部に接合部
材としての接合材４を充填する方法としては、印刷法を
用いてもよい。接合材４の材料としては、導電性接着剤
あるいはペースト状のはんだなどの導電性を有する材料
を用いることができる。

【００５４】上述のような構造を有するパッケージ部分
１９ａ上に、このパッケージ部分１９ａと同様の構造を
有するパッケージ部分１９ｂ、１９ｃを積層する。具体
的には、パッケージ部分１９ａの上面上に配置されたパ
ッケージ部分１９ｂは、電子部品用開口部１１ｂおよび
電極用開口部１２ｂが形成された第２の基板としての基
板１ｂと、この基板１ｂに形成された第４の開口部とし
ての電子部品用開口部１１ｂの内部に配置された他の電
子部品としての電子部品２ｂと、第３の開口部としての
電極用開口部１２ｂの内部に充填された接合部材として
の接合材４と、パッケージ部分１９ｂの下面上におい
て、電極用開口部１２ｂと対向する領域に形成された電
極６ｂと、この電極６ｂ上に形成された突起電極７ｂと
を備える。電極用開口部１２ｂは、突起電極７ｂが形成
された表面から見て突起電極７ｂとほぼ重なる位置に形
成されている。パッケージ部分１９ｂにおいては、電子
部品２ｂの下面に形成された電極３ｂが、リード電極５
ｂと電気的に接続されている。リード電極５ｂは、基板
１ｂの下面上から電子部品２ｂの下面端部の電極３ｂ上
にまで延在するように配置されている。電子部品２ｂの
電極３ｂは、接続導電体としてのリード電極５ｂ、電極
６ｂを介して突起電極７ｂと電気的に接続されている。
リード電極５ｂと電子部品２ｂの下面とを覆うように保
護用樹脂層３４ｂが配置されている。

【００５５】そして、パッケージ部分１９ａ上にパッケ
ージ部分１９ｂが積層される際、パッケージ部分１９ｂ
の突起電極７ｂが、パッケージ部分１９ａの電極用開口
部１２ａの内部に挿入された状態となる。パッケージ部
分１９ａの電極用開口部１２ａの内部には導電性の材料
からなる接合材４が充填されている。そして、パッケー
ジ部分１９ｂにおいては、パッケージ部分１９ａと同様
にリード電極５ｂが電極６ｂと電気的に接続され、この
電極６ｂ上に突起電極７ｂが配置されている。このた
め、パッケージ部分１９ｂに配置された電子部品２ｂ
は、電極３ｂ、リード電極５ｂ、電極６ｂ、突起電極７
ｂを介してパッケージ部分１９ａの電極用開口部１２ａ
内部に充填された接合材４に電気的に接続されることに
なる。パッケージ部分１９ａの電極用開口部１２ａの内
部に充填された接合材４は、はんだボール１０と電極６
ａなどを介して電極的に接続されている。

【００５６】また、パッケージ部分１９ａとパッケージ
部分１９ｂとの間には、図２に示すような接着フィルム
９ａが配置されている。この接着フィルム９ａによって
パッケージ部分１９ａ、１９ｂは互いに接着された状態
となっている。

【００５７】また、パッケージ部分１９ｂ上に配置され
たパッケージ部分１９ｃは、ポリイミドフィルムなどの
樹脂からなり、電子部品用開口部１１ｃおよび電極用開
口部１２ｃが形成された第３の基板としての基板１ｃ
と、この電子部品用開口部１１ｃの内部に配置された電
子部品２ｃと、電極用開口部１２ｃの内部に充填された
接合材４と、電極用開口部１２ｃ下に位置する領域にお
いて、基板１ｃの下面上に配置された電極６ｃと、電極
６ｃ上に形成された他の突起電極としての突起電極７ｃ
とを備える。電極６ｃは、リード電極５ｃと電気的に接
続されている。リード電極５ｃは、基板１ｃの下面上か
ら電子部品２ｃの電極３ｂと対向する領域にまで延在す
るように配置されている。そして、電子部品２ｃの下面
に形成された電極３ｃはリード電極５ｃと電気的に接続
されている。

【００５８】パッケージ部分１９ｃの突起電極７ｃは、
それぞれパッケージ部分１９ｂにおける電極用開口部１
２ｂの内部に挿入されている。パッケージ部分１９ｂの
電極用開口部１２ｂの内部には、既に述べたように導電
性の接合材４が充填されている。そのため、パッケージ
部分１９ｃの突起電極７ｃとパッケージ部分１９ｂの電
極用開口部１２ｂ内部に位置する接合材４とは電気的に
接続された状態となる。また、パッケージ部分１９ｃの
電極６ｃは、リード電極５ｃと電気的に接続されてい
る。このため、電子部品２ｃは、電極３ｃ、リード電極
５ｃ、電極６ｃ、突起電極７ｃを介してパッケージ部分
１９ｂへと電気的に接続された状態となっている。

【００５９】また、パッケージ部分１９ａ〜１９ｃの間
には、接着剤層としての接着フィルム９が配置されてい
る。接着フィルム９はパッケージ部分１９ａ〜１９ｃを
互いに接着・固定する機能を有する。なお、接着フィル
ム９ａ、９ｂの材料としてはエポキシ樹脂を用いること
ができる。

【００６０】このように、図１および図２に示した半導
体装置３３では、基板１ａ〜１ｃに形成された電子部品
用開口部１１ａ〜１１ｃの内部にそれぞれ電子部品２ａ
〜２ｃを配置しているので、単純に基板１ａ〜１ｃの表
面に電子部品２ａ〜２ｃを配置する場合より、電子部品
２ａ〜２ｃが実装された基板１ａ〜１ｃを含むパッケー
ジ部分１９ａ〜１９ｃの厚みを薄くできる。

【００６１】さらに、基板１ｂ、１ｃに形成された突起
電極７ｂ、７ｃをそれぞれ基板１ａ、１ｂの電極用開口
部１２ａ、１２ｂに挿入するように、基板１ａ〜１ｃを
積層・固定しているので、従来のように基板の間にはん
だバンプを配置する場合より、基板１ａ〜１ｃの間の距
離を短くすることができる。この結果、半導体装置３３
のサイズ（特に厚み）を小さくすることができる。

【００６２】また、従来は、積層された基板の間に電子
部品が配置されていたため、この電子部品の厚みを考慮
して、複数の基板を接合するはんだバンプの直径を決定
していた。このため、はんだバンプをある程度大きくす
る必要があったので、はんだバンプを設置する領域の面
積を小さくすることには限界があった。しかし、図１お
よび図２に示した半導体装置３３によれば、突起電極７
ｂ、７ｃは、基板１ａ、１ｂの電極用開口部１２ａ、１
２ｂに挿入・固定することができればよい。つまり、突
起電極７ｂ、７ｃのサイズを決定する際に電子部品２ａ
〜２ｃの厚みなどを考慮する必要はない。このため、突
起電極７ｂ、７ｃのサイズを従来のはんだバンプのサイ
ズより小さくすることができる。したがって、突起電極
７ｂ、７ｃの占有する面積を小さくすることが可能にな
るので、半導体装置３３の占有面積を小さくすることが
できる。

【００６３】また、半導体装置３３では、電極用開口部
１２ａ〜１２ｃの内部に充填された接合部材としての接
合材４を備えている。このため、電極用開口部１２ａ、
１２ｂに挿入された突起電極７ｂ、７ｃを接合材４と接
触・固定することにより、突起電極７ｂ、７ｃを電極用
開口部１２ａ、１２ｂの内部において確実に固定するこ
とができる。このため、基板１ａ〜１ｃを確実に積層・
固定することができる。

【００６４】また、接合材４は導電性を有する材料を含
むので、たとえば基板１ａに配置された電子部品２ａや
回路など基板１ｂの突起電極７ｂとを電気的に接続する
際、基板１ａ側の電極として接合材４を利用することが
できる。

【００６５】また、基板１ａ〜１ｃにおいて、突起電極
７ａ〜７ｃが形成された表面とは反対側に位置する裏面
に電極用開口部１２ａ〜１２ｃが形成されているので、
この電極用開口部１２ａ〜１２ｃに他の基板の突起電極
７ａ〜７ｃを挿入・固定することにより、パッケージ部
分１９ａ〜１９ｃを容易に積層することができる。

【００６６】また、基板１ａ〜１ｃにおいて、電極用開
口部１２ａ〜１２ｃは突起電極７ａ〜７ｃが形成された
表面側から見て突起電極７ａ〜７ｃとほぼ重なる位置に
形成されている。このため、電極用開口部１２ａ〜１２
ｃを突起電極７ａ〜７ｃと重ならない領域に形成する場
合より基板１ａ〜１ｃの占有面積を小さくすることがで
きる。したがって、半導体装置３３を小型化することが
できる。

【００６７】また、半導体装置３３は、基板１ａ〜１ｃ
において突起電極７ａ〜７ｃが形成された表面上に形成
され、電子部品２ａ〜２ｃの電極３ａ〜３ｃと突起電極
７ａ〜７ｃとを電気的に接続する接続導電体としてのリ
ード電極５ａ〜５ｃを備えている。このため、基板１ａ
〜１ｃの一方表面（突起電極７ａ〜７ｃが形成された表
面）にリード電極５ａ〜５ｃなどの回路を集中して配置
できる。すなわち、電子回路２ａ〜２ｃから突起電極７
ａ〜７ｃまでの電気回路を基板１ａ〜１ｃの一方表面に
のみ形成することができる。このため、基板１ａ〜１ｃ
の表裏面に上記電気回路を構成する電極などを配置する
必要が無いので、基板１ａ〜１ｃとして一方表面のみに
配線などが形成された比較的単純な構造の基板を用いる
ことができる。したがって、半導体装置３３の製造コス
トを低減できる。

【００６８】次に、図２を参照して、図１に示した半導
体装置３３の製造方法を簡単に説明する。図２を参照し
て、電子部品用開口部１１ａ、電極用開口部１２ａ、リ
ード電極５ａ、電極６ａ、突起電極７ａなどが形成され
た基板１ａを準備する。次に、電子部品用開口部１１ａ
の内部に電子部品２ａを配置する。このとき電子部品２
ａの下面の電極３ａをリード電極５ａに接続する。この
ようにして、パッケージ部分１９ａを準備する。

【００６９】また、電子部品用開口部１１ｂ、電極用開
口部１２ｂ、リード電極５ｂ、電極６ｂ、突起電極７ｂ
などが形成された基板１ｂを準備する。そして、基板１
ａと同様に電子部品用開口部１１ｂの内部に電子部品２
ｂを配置する。電子部品２ｂの下面の電極３ｂはリード
電極５ａに接続される。このようにしてパッケージ部分
１９ｂを準備する。また、パッケージ部分１９ｂと同様
の構造を備えるパッケージ部分１９ｃを同様の工程によ
り準備する。

【００７０】パッケージ部分１９ａ〜１９ｃには、上述
のように下面上にそれぞれ突起電極７ａ〜７ｃが形成さ
れた状態となっている。そして、これらのパッケージ部
分１９ａ〜１９ｃを、接着フィルム９ａ、９ｂを介して
積層する。このとき、パッケージ部分１９ａの電極用開
口部１２ａとパッケージ部分１９ｂの突起電極７ｂとの
位置が重なるようにパッケージ部分１９ａ、１９ｂの位
置を調整する。また、同様にパッケージ部分１９ｂの電
極用開口部１２ｂ上にパッケージ部分１９ｃの突起電極
７ｃが重なるように、パッケージ部分１９ｂ、１９ｃの
位置を調節する。

【００７１】この状態でパッケージ部分１９ａ〜１９ｃ
を、接着フィルム９ａ、９ｂを介して加熱圧着すること
により積層する。

【００７２】この加熱圧着工程において、接着フィルム
９ａ、９ｂは加熱されることにより液状化する。このた
め、パッケージ部分１９ｂ、１９ｃのそれぞれの突起電
極７ｂ、７ｃは、容易に接着フィルム９ａ、９ｂを貫通
することができる。そして、パッケージ部分１９ｂの突
起電極７ｂは、パッケージ部分１９ａの電極用開口部１
２ａの内部へと嵌め込まれる。また、同様にパッケージ
部分１９ｃの突起電極７ｃは、パッケージ部分１９ｂの
電極用開口部１２ｂの内部へと嵌め込まれることにな
る。

【００７３】このように、突起電極７ｂ、７ｃがそれぞ
れ電極用開口部１２ａ、１２ｂの内部へと嵌め込まれた
ことを確認した後、所定の熱処理を行なうことにより接
着フィルム９ａ、９ｂを硬化させる。そして、パッケー
ジ部分１９ａの電極６ａ上にはんだボール１０ａを固定
する。このようにして、図１に示すような半導体装置３
３を得ることができる。

【００７４】なお、パッケージ部分１９ａ〜１９ｃの接
合材４として導電性接着剤を用いた場合、接着フィルム
９ａ、９ｂの硬化を行なうための熱処理において、この
接合材４としての導電性接着剤を硬化させることができ
る。この結果、接合材４と突起電極７ｂ、７ｃとの接続
をより強固にすることができる。

【００７５】また、接合材４の材料としてはんだ材を用
いた場合、接着フィルム９ａ、９ｂを硬化するための熱
処理を行なった後、さらに雰囲気温度を高くすることに
より接合材４を構成するはんだ材を溶融することが好ま
しい。そして、一度溶融したはんだ材を再度凝固させる
ことにより、この接合材４と突起電極７ｂ、７ｃとの間
の接続を確実に行なうことができる。

【００７６】また、はんだボール１０ａをパッケージ部
分１９ａの下面の電極６ａ上に配置する方法としては、
印刷法を用いてもよいし、はんだボール１０ａを電極６
ａ上に転写するといった方法を用いてもよい。

【００７７】また、図１および２に示した半導体装置３
３においては、パッケージ部分１９ａ〜１９ｃという３
枚のパッケージ部分を積層した場合を示したが、パッケ
ージ部分の数は３枚に限らず、２枚、あるいは４枚以上
であってもよい。また、図１および図２に示した半導体
装置３３では、パッケージ部分１９ａ〜１９ｃに搭載さ
れた電子部品２ａ〜２ｃとして同じ大きさの電子部品を
使った場合を示したが、電子部品２ａ〜２ｃの大きさは
異なっていてもよい。また、電子部品２ａ〜２ｃとして
異なる種類の電子部品を用いてもよい。

【００７８】図３は、図１および２に示した本発明によ
る半導体装置の実施の形態１の第１の変形例を示す断面
模式図である。図３を参照して、本発明による半導体装
置の実施の形態１の第１の変形例を説明する。

【００７９】図３を参照して、半導体装置３３は基本的
には図１および２に示した半導体装置と同様の構造を備
えるが、それぞれのパッケージ部分１９ａ〜１９ｃにお
ける突起電極７ａ〜７ｃおよび電極６ａ〜６ｃが形成さ
れる位置が異なる。すなわち、図３に示した半導体装置
３３においては、パッケージ部分１９ａの基板１ａの上
部表面上において、電極用開口部１２ａを覆うように電
極６ａが形成されている。電極６ａ上に突起電極７ａが
形成されている。

【００８０】また、パッケージ部分１９ｂにおいても、
このパッケージ部分１９ｂを構成する基板１ｂの上部表
面上において、電極用開口部１２ｂを覆うように電極６
ｂが形成されている。電極６ｂ上に突起電極７ｂが形成
されている。さらに、パッケージ部分１９ｃにおいて
も、基板１ｃの上部表面上において電極用開口部１２ｃ
を覆うように電極２０ｃが形成されている。電極２０ｃ
上に突起電極７ｃが形成されている。

【００８１】そして、パッケージ部分１９ａの突起電極
７ａは、パッケージ部分１９ｂの下面からパッケージ部
分１９ｂの電極用開口部１２ｂの内部へと嵌め込まれた
状態になっている。また、パッケージ部分１９ｂの突起
電極７ｂは、パッケージ部分１９ｃの下面から電極用開
口部１２ｃの内部へと嵌め込まれた状態になっている。
なお、パッケージ部分１９ａの下面においては、電極用
開口部１２ａと重なる領域にはんだボール１０が形成さ
れている。

【００８２】このような半導体装置によっても、図１お
よび２に示した半導体装置と同様の効果を得ることがで
きる。

【００８３】図４は、本発明による半導体装置の実施の
形態１の第２の変形例を示す断面模式図である。図４を
参照して、本発明による半導体装置の実施の形態１の第
２の変形例を説明する。

【００８４】図４を参照して、半導体装置３３は、基本
的には図１および２に示した半導体装置と同様の構造を
備えるが、図１および２に示した半導体装置の下側にさ
らに半導体素子１５を搭載した他の基板としての基板１
６を配置している。基板１６の上部表面上には電極１
７、２２が形成されている。電極２２上に位置する領域
には、半導体素子１５が配置されている。半導体素子１
５の下面において、電極２２と対向する領域には半導体
素子の電極（図示せず）が形成されている。上記半導体
素子１５の電極と電極２２とはバンプ２３により接続さ
れている。

【００８５】基板１６の上部表面上に形成された電極１
７は、パッケージ部分１９ａの電極６ａと対向する位置
に配置されている。パッケージ部分１９ａの電極６ａと
電極１７とははんだバンプ１４により電気的に接続され
ている。そして、基板１６とパッケージ部分１９ａとの
間を充填するように樹脂１３が配置されている。

【００８６】基板１６の下面上には複数の電極２１が形
成されている。この電極２１上には外部接続用電極とし
てのはんだボール１０が形成されている。このはんだボ
ール１０を、マザーボードなどの他の基板上に形成され
た電極と接続することにより、他の基板上に半導体装置
３３を実装することができる。

【００８７】このようにすれば、図１および図２に示し
た半導体装置と同様の効果を得ることができるととも
に、他の基板としての基板１６に所定の機能を有する半
導体素子１５などを配置しておくことで、半導体装置３
３に新たな機能を容易に付加することができる。また、
基板１６において基板１ａと対向する面とは反対側の面
の全体を、外部接続用電極としてのはんだボール１０を
形成するための領域として利用できる。このため、はん
だボール１０の数や配置などの設計の自由度を大きくす
ることができる。

【００８８】（実施の形態２）図５は、本発明による半
導体装置の実施の形態２を説明するための断面模式図で
ある。図５を参照して、本発明による半導体装置の実施
の形態２を説明する。

【００８９】図５を参照して、半導体装置３３は基本的
には図１および２に示した半導体装置と同様の構造を備
えるが、パッケージ部分１９ａの下面の構造が異なる。
すなわち、図５に示した半導体装置３３においては、図
１に示した半導体装置と同様に、基板１ａにてはんだボ
ール１０が形成された面にまで到達するように電子部品
用開口部１１ａが形成されている（はんだボール１０が
形成された面に電子部品用開口部１１ａが形成されてい
る）。そして、電子部品用開口部１１ａに内部に配置さ
れた電子部品２ａの下面上に配線層１８が形成されてい
る。この配線層１８上に電極２４が形成され、この電極
２４上に他の外部接続用電極としてのはんだボール１０
が形成されている。また、基板１ａの下面を覆うように
保護用樹脂層３４ａが配置されている。なお、保護用樹
脂層３４ａは、図１に示した半導体装置３３のように、
リード電極５ａおよび電子部品２ａの下面を覆う位置の
みに形成されていてもよい。

【００９０】このようにすれば、本発明による半導体装
置の実施の形態１による効果と同様の効果を得られると
ともに、半導体装置３３の下面に形成されるはんだボー
ル１０の数を多くすることができる。

【００９１】なお、配線層１８は金属膜成膜技術や写真
製版加工技術など従来の半導体製造技術を用いて容易に
形成することができる。

【００９２】（実施の形態３）図６は、本発明による半
導体装置の実施の形態３を示す断面模式図である。図６
を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態３を
説明する。

【００９３】図６を参照して、半導体装置３３は基本的
には図１および２に示した半導体装置と同様の構造を備
えるが、基板１ａ〜１ｃに形成された電極用開口部２５
ａ〜２５ｃ、２６ａ〜２６ｃ、２７ａ〜２７ｃ、２８ａ
〜２８ｃ、突起電極２９ａ、２９ｂ、３０ａ、３０ｂ、
３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂおよびはんだボール１
０の配置が異なる。また、突起電極２９ａ、２９ｂ、３
０ａ、３０ｂ、３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂの形状
も図１に示した半導体装置３３とは異なっている。すな
わち、パッケージ部分１９ａの基板１ａでは、電子部品
用開口部１１ａの周囲に電極用開口部２５ａ〜２８ａが
形成されている。電極用開口部２５ａ〜２８ａの内部に
は接合材４が充填されている。第１の基板１ａの下面上
では、電極用開口部２５ａ〜２８ａが形成された領域か
ら外側に延在するように電極６ａが形成されている。電
極６ａ上であって、電極用開口部２５ａ〜２８ａとは重
ならない領域にはんだボール１０が形成されている。

【００９４】また、基板１ｂに形成された第３の開口部
としての電極用開口部２５ｂ〜２８ｂは、基板１ａの電
極用開口部２５ａ〜２８ａとは平面的に重ならない領域
に（ずれた領域に）形成されている。電極用開口部２５
ｂ〜２８ｂの内部には導電性部材としての接合材４が充
填されている。基板１ｂの下面上においては、電極用開
口部２５ｂ〜２８ｂ下に位置する領域から基板１ａの電
極用開口部２５ａ〜２８ａと対向する領域にまでそれぞ
れ延在するように接続部材としての電極６ｂが形成され
ている。そして、電極６ｂ上において、基板１ａの電極
用開口部２５ａ〜２８ａと対向する領域に突起電極２９
ａ〜３２ａが形成されている。突起電極２９ａ〜３２ａ
は、それぞれ電極用開口部２５ａ〜２８ｂの内部に嵌め
込まれた状態となっている。

【００９５】そして、基板１ｃにおいては、基板１ｂの
電極用開口部２５ｂ〜２８ｂとは平面的に重ならない領
域に電極用開口部２５ｃ〜２８ｃが形成されている。電
極用開口部２５ｃ〜２８ｃの内部には接合材４が充填さ
れている。基板１ｃの下面上において、電極用開口部２
５ｃ〜２８ｃが位置する領域から基板１ｂの電極用開口
部２５ｂ〜２８ｂと対向する領域にまで延在するように
電極６ｃが形成されている。電極６ｃ上には、パッケー
ジ部分１９ｂの電極用開口部２５ｂ〜２８ｂと対向する
領域において突起電極２９ｂ〜３２ｂが形成されてい
る。突起電極２９ｂ〜３２ｂは、それぞれ基板１ｂの電
極用開口部２５ｂ〜２８ｂの内部に嵌め込まれた状態と
なっている。

【００９６】このようにしても、本発明による半導体装
置の実施の形態１と同様の効果を得ることができる。さ
らに、突起電極２９ａ〜３２ａを電極用開口部２５ｂ〜
２８ｂと重ならない領域に形成し、また、突起電極２９
ｂ〜３２ｂを電極用開口部２５ｃ〜２８ｃと重ならない
領域（基板１ｂ、１ｃを構成する基板基材が存在する領
域）に形成しているので、基板１ｂ、１ｃにある程度応
力が加えられるような製造方法（たとえばボールボンダ
を用いた製造方法）を用いてこれらの突起電極２９ａ〜
３２ａ、２９ｂ〜３２ｂを形成することができる。

【００９７】ボールボンダを用いた突起電極２９ａ〜３
２ａ、２９ｂ〜３２ｂの製造方法とは、たとえば以下の
ようなものである。まず、金、銅あるいははんだ材から
なり、直径が１５μｍ〜２５μｍ程度のワイヤの先端部
に、スパークによる加工によってボール状部分を形成す
る。そして、突起電極２９ａ〜３２ａ、２９ｂ〜３２ｂ
を形成するべき領域において、超音波振動を用いて電極
６ｂ、６ｃ上にこのボール状部分を接合する。このよう
な接合工程を実施しても、２９ａ〜３２ａ、２９ｂ〜３
２ｂを形成するべき領域には基板基材が存在するので、
基板１ｂ、１ｃが割れるといった問題は発生しない。そ
の後、ボール状部分の近傍でワイヤを切断する。電極６
ｂ、６ｃ上に接合されたボール状部分が突起電極２９ａ
〜３２ａ、２９ｂ〜３２ｂとなる。このようにして、突
起電極２９ａ〜３２ａ、２９ｂ〜３２ｂを形成すること
ができる。

【００９８】なお、電極６ａと電極用開口部２５ａ〜２
８ａの内部の接合材４とは電気的に接続されている。ま
た、電極６ｂと電極用開口部２５ｂ〜２８ｂの内部の接
合材４とは電気的に接続されている。さらに、電極６ｃ
と、電極用開口部２５ｃ〜２８ｃの内部の接合材４とは
電気的に接続されている。

【００９９】図６に示すように、第２の基板としての基
板１ｂの第３の開口部としての電極用開口部２５ｂ〜２
８ｂに基板１ｃの突起電極２９ｂ〜３２ｂが挿入され、
電極用開口部２５ｂ〜２８ｂの内部の導電性部材として
の接合材４と基板１ｃの突起電極２９ｂ〜３２ｂとが接
続されれば、基板１ｃの電子部品２ｃや回路などと第１
の基板としての基板１ａの電子部品２ａや回路などと
を、基板１ｂの接合材４、接続部材としての電極６ｂお
よび突起電極２９ａ〜３２ａを介して電気的に接続する
ことができる。

【０１００】また、図６に示した半導体装置３３では、
電極用開口部２５ａ〜２８ａ、２５ｂ〜２８ｂ、２５ｃ
〜２８ｃを基板１ａ〜１ｃの裏面側から表面側まで貫通
するように形成し、この電極用開口部２５ａ〜２８ａ、
２５ｂ〜２８ｂ、２５ｃ〜２８ｃの内部において上記表
面側に露出するように接合材４を配置している。そし
て、上記表面側で露出した接合材４と接触すると共に、
基板１ａ〜１ｃの表面にまで延在するように接続部材と
しての電極６ａ〜６ｃを形成している。このように、電
極６ａ〜６ｃを基板１ａ〜１ｃの一方の表面のみに形成
するので、基板１ａ〜１ｃの構造を簡略化できる。

【０１０１】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。

【０１０２】

【発明の効果】本発明によれば、開口部が形成され、こ
の開口部に電子部品を配置するとともに、突起電極とこ
の突起電極を挿入することができる電極用開口部とが形
成された複数枚基板を準備し、一方の基板の突起電極を
他方の基板の電極用開口部に挿入するように積層・固定
することで、小型化を図った半導体装置を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による半導体装置の実施の形態１を示
す断面模式図である。

【図２】 図１に示した半導体装置の製造方法を説明す
るための模式図である。

【図３】 図１および２に示した本発明による半導体装
置の実施の形態１の第１の変形例を示す断面模式図であ
る。

【図４】 本発明による半導体装置の実施の形態１の第
２の変形例を示す断面模式図である。

【図５】 本発明による半導体装置の実施の形態２を説
明するための断面模式図である。

【図６】 本発明による半導体装置の実施の形態３を示
す断面模式図である。

【図７】 特開平１０−２９４４２３号公報に開示され
た半導体装置を説明するための断面模式図である。

【図８】 特開平１１−８４７４号公報に開示された半
導体装置を説明するための断面模式図である。

【符号の説明】

１ａ〜１ｃ，１６ 基板、２ａ〜２ｃ 電子部品、３ａ
〜３ｃ，６ａ〜６ｃ，１７，２０ａ〜２０ｃ，２１，２
２，２４ 電極、４ 接合材、５ａ〜５ｃ リード電
極、７ａ〜７ｃ，２９ａ〜３２ａ，２９ｂ〜３２ｂ 突
起電極、９ａ，９ｂ 接着フィルム、１０，１０ａ は
んだボール、１１ａ〜１１ｃ 電子部品用開口部、１２
ａ〜１２ｃ，２５ａ〜２８ａ，２５ｂ〜２８ｂ，２５ｃ
〜２８ｃ電極用開口部、１３ 樹脂、１４ はんだバン
プ、１５ 半導体素子、１８ 配線層、１９ａ〜１９ｃ
パッケージ部分、２３ バンプ、３３ 半導体装置、
３４ａ〜３４ｃ 保護用樹脂層。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１および第２の開口部が形成された第
   １の基板と、 前記第１の開口部の内部に配置された電子部品と、 前記第１の基板において前記第２の開口部が形成された
   面上に積層するように配置された第２の基板と、 前記第２の基板において前記第２の開口部と対向する表
   面領域上に形成されるとともに、前記第２の開口部に挿
   入された突起電極とを備える、半導体装置。
2. 【請求項２】 前記第２の開口部の内部に充填された接
   合部材をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記接合部材は導電性を有する材料を含
   む、請求項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記第２の基板において、前記突起電極
   が形成された表面とは反対側に位置する裏面に第３の開
   口部が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に
   記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記第２の基板において、前記第３の開
   口部は、前記突起電極が形成された表面側から見て前記
   突起電極とほぼ重なる位置に形成されている、請求項４
   に記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記第２の基板には第４の開口部が形成
   され、 前記第４の開口部の内部に配置され、電極を有する他の
   電子部品を備え、 前記他の電子部品の電極と前記突起電極とは電気的に接
   続されている、請求項４または５に記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記第２の基板において前記突起電極が
   形成された表面上に形成され、前記他の電子部品の電極
   と前記突起電極とを電気的に接続する接続導電体を備え
   る、請求項６に記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記第２の基板において、前記第３の開
   口部は、前記突起電極が形成された表面側から見て前記
   突起電極と互いに重ならない位置に形成されている、請
   求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記第２の基板における前記第３の開口
   部の内部に配置された導電性部材と、 前記第２の基板の表面上に形成され、前記導電性部材と
   前記突起電極とを電気的に接続する接続部材とを備え
   る、請求項８に記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記第２の基板の裏面と対向するよう
    に配置された第３の基板と、 前記第３の基板において、前記第２の基板の裏面と対向
    する表面上に形成された他の突起電極とを備え、 前記他の突起電極は、前記第２の基板に形成された前記
    第３の開口部に挿入されている、請求項４〜９のいずれ
    か１項に記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 前記第１の基板において前記第２の基
    板と対向する面とは反対側に位置する面上に形成された
    外部接続用電極を備える、請求項１〜１０のいずれか１
    項に記載の半導体装置。
12. 【請求項１２】 前記第１の基板において前記外部接続
    用電極が形成された面に前記第１の開口部が形成され、 前記第１の基板において前記外部接続用電極が形成され
    た面側に位置する前記電子部品の表面上に形成された他
    の外部接続用電極を備える、請求項１１に記載の半導体
    装置。
13. 【請求項１３】 前記第１の基板から見て前記第２の基
    板と反対側に位置する領域に配置され、前記第１の基板
    と接続された他の基板と、 前記他の基板において、前記第１の基板と対向する面と
    は反対側の面上に形成された外部接続用電極とを備え
    る、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装
    置。
14. 【請求項１４】 第１および第２の開口部が形成された
    第１の基板を準備する工程と、 前記第１の開口部の内部に電子部品を配置する工程と、 表面に突起電極が形成された第２の基板を準備する工程
    と、 前記第２の基板の表面に形成された前記突起電極を前記
    第１の基板に形成された前記第２の開口部に挿入固定す
    ることにより、前記第１の基板上に前記第２の基板を積
    層する工程とを備える、半導体装置の製造方法。